JP2017191856A - サーミスタ素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】焼成後のサーミスタ素子の抵抗値を調整することができるサーミスタ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】サーミスタ材料からなる焼結体であるサーミスタ部４９と、サーミスタ部４９に埋設されると共に、少なくとも一端部がサーミスタ部４９の外側に突出した一対の電極線２５と、を有するサーミスタ素子３の製造方法において、サーミスタ部４９の一部を除去する除去加工を行うことによって、サーミスタ素子３の抵抗値を調整する。【選択図】図３

Description

本発明は、例えば温度センサに用いられるサーミスタ素子及びその製造方法に関する。

従来、抵抗値が温度によって変化する導電性酸化物焼結体からなるサーミスタ部に、一対の電極線の一端部が埋設されたサーミスタ素子が知られている（特許文献１参照）。
このサーミスタ素子の用途として、例えば、自動車の排ガス温度測定用の温度センサがある。この用途では、例えば、−４０℃から１０００℃までの広い温度範囲において、精度良く温度を検出することが望まれている。

また、前記サーミスタ素子は、金型を用いたプレス成形によって成形体を作製し、その成形体を焼成することによって製造される。そのため、製造が容易であり、且つ、製造コストも安価となるため、広く用いられている。

特許第５０５３５６３号公報

しかしながら、前記サーミスタ素子は、サーミスタ部を所定形状に成形し、その後に焼成して焼結体とするので、サーミスタ素子ごとの抵抗値のバラツキが大きいという問題があった。

また、サーミスタ素子を焼成して製造した後に、その抵抗値を調整する方法がないので、抵抗値を調整する技術の開発が望まれていた。
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、焼成後のサーミスタ素子の抵抗値を調整することができるサーミスタ素子及びその製造方法を提供するものである。

（１）本発明の第１局面は、サーミスタ材料からなる焼結体であるサーミスタ部と、サーミスタ部に埋設されると共に、少なくとも一端部がサーミスタ部の外側に突出した一対の電極線と、を有するサーミスタ素子の製造方法に関するものである。

本第１局面では、焼結体であるサーミスタ部の一部を除去する除去加工を行うことによって、サーミスタ素子の抵抗値を調整する。そのため、サーミスタ素子ごとの抵抗値がバラツクような場合でもあっても、容易に目標とする抵抗値に近づけることができる（例えば目標値とする抵抗値にすることも可能である）。

前記除去加工によって抵抗値を調整できる理由は、焼結体の一部が除去されることによって、一対の電極線間の導通経路が変化するためである。また、この抵抗値の変化は、導通経路の変化によって生じるため、Ｂ定数（温度勾配係数）は変化しない。これにより、サーミスタ素子のＢ定数を変化させることなく、所望の抵抗値を得ることができるという利点がある。

このように、本第１局面では、焼成後のサーミスタ素子の抵抗値の調整が可能であるので、抵抗値バラツキを大幅に低減できる。よって、広い温度範囲を精度よく検知可能なサーミスタ素子を提供することができるという顕著な効果を奏する。

（２）本発明の第２局面では、除去加工によって除去される部分の範囲とサーミスタ素子の調整前後の抵抗値の変化との相関関係を予め求めておき、その相関関係に基づいて、除去加工を行うことによって、サーミスタ素子の抵抗値を目標抵抗値に調整する。

本発明者等の研究によれば、除去加工によって除去される部分の範囲とサーミスタ素子の調整前後の抵抗値の変化との間に、相関関係があることが分かっている。よって、予めその相関関係を求めておいて、その相関関係に基づいて除去する部分を設定して、除去加工を行うことによって、サーミスタ素子の抵抗値を目標抵抗値に容易に調整することができる。

例えば調整前の抵抗値を測定し、その抵抗値を所定値だけ変化させたい場合には、前記相関関係に基づいて除去する部分の範囲が分かるので、その範囲を除去することにより、目標とする抵抗値に近づけることができる。

（３）本発明の第３局面は、サーミスタ素子の抵抗値を測定する第１工程と、第１工程で測定したサーミスタ素子の抵抗値と目標抵抗値との差（即ち前記調整前後の抵抗値の変化）に基づいて、抵抗値の調整前後の変化を示す指標を算出する第２工程と、第２工程で算出した指標と、上述した相関関係から得られる前記除去加工によって除去される部分の範囲と前記抵抗値の調整前後の変化を示す指標との相関関係とに基づいて、サーミスタ部の除去する範囲を決定する第３工程と、第３工程における決定に基づいて、サーミスタ部の除去加工を行う第４工程と、を有する。

本第３局面は、サーミスタ素子の抵抗値を調整する好ましい手順を例示したものである。
上述したように、除去加工によって除去される部分の範囲とサーミスタ素子の調整前後の抵抗値の変化との間には、相関関係がある。従って、除去加工によって除去される部分の範囲と抵抗値の調整前後の変化を示す指標（例えば後述する抵抗変化率）との間にも、同様な相関関係がある。よって、上述した工程によって、除去する範囲を決定して、容易に除去加工を行うことができる。

（４）本発明の第４局面では、サーミスタ素子の抵抗値を測定する場合には、一対の電極線と絶縁材が充填された筒状のシース部材に貫挿された一対の芯線とをそれぞれ電気的に接続し、一対の芯線の電極線とは反対側の端部の間の抵抗値を測定する。

本第４局面は、サーミスタ素子の抵抗値を調整する好ましい手順を例示したものである。このように、シース部材から伸びる一対の芯線の（サーミスタ部とは反対側の）端部の間の抵抗値を測定することにより、抵抗値を調整する作業を効率良く行うことができる。

（５）本発明の第５局面では、前記指標は、調整前の抵抗値（Ｒｓ）に対する調整前の抵抗値（Ｒｓ）と目標抵抗値（Ｒｔ）との差（Ｒｔ−Ｒｓ）の割合を示す抵抗変化率（（Ｒｔ−Ｒｓ）／Ｒｓ）であり、前記相関関係は、除去加工によって除去される部分の範囲と抵抗変化率との相関関係を示すものである。

本第５局面は、指標として好ましい例を挙げたものである。本発明者等の研究によれば、除去加工によって除去される部分の範囲と抵抗変化率（（Ｒｔ−Ｒｓ）／Ｒｓ）との間に、相関関係があることが分かっている。従って、この相関関係を用いることにより、上述のようにして、容易に抵抗値を調整することができる。

（６）本発明の第６局面では、除去加工によって除去する量及び除去する位置を調節することにより、サーミスタ素子の抵抗値を調整する。
本第６局面は、除去加工として好ましい方法を例示したものである。つまり、除去加工によって除去する量や除去する位置を調節することにより、容易に抵抗値を調整できる。

（７）本発明の第７局面では、除去加工において、加工位置、加工形状、加工深さのうち少なくとも１種を調節することにより、サーミスタ素子の抵抗値を調整する。
本第７局面は、除去加工として好ましい方法を例示したものである。つまり、除去加工の際に、加工位置（サーミスタ部のどの部分を加工するか）や、加工形状（サーミスタ部を加工する際の形状（除去する部分の形状）をどのようにするか）や、加工深さ（サーミスタ部の表面を除去する場合に、表面からどの程度の深さまで除去するか）を調節することにより、容易に抵抗値を調整できる。

（８）本発明の第８局面では、サーミスタ部が平面を有する場合に、平面に対して除去加工を行う。
本第８局面は、除去加工として好ましい方法を例示したものである。つまり、サーミスタ部に平面がある場合には、その平面に除去加工を行うことにより、容易に抵抗値を調整できる。

（９）本発明の第９局面では、サーミスタ部の板状である場合に、板厚方向の少なくとも一方の主面に凹部を形成する除去加工を行う。
本第９局面は、除去加工として好ましい方法を例示したものである。つまり、サーミスタ部の板状である場合には、その主面に凹部を形成することにより、容易に抵抗値を調整できる。

（１０）本発明の第１０局面では、除去加工として、サーミスタ部の端部を削除する加工を行って、抵抗値を調整する。
本第１０局面は、除去加工として好ましい方法を例示したものである。つまり、サーミスタ部の端部を削除することによって、容易に抵抗値を調整できる。

（１１）本発明の第１１局面では、除去加工が、サンドブラスト加工、レーザー加工、切削加工のうち少なくとも１種である。
本第１１局面は、除去加工として好ましい方法を例示したものである。

（１２）本発明の第１２局面は、サーミスタ材料からなる焼結体であるサーミスタ部と、サーミスタ部に埋設されると共に、少なくとも一端部がサーミスタ部の外側に突出した一対の電極線と、を有するサーミスタ素子に関するものである。

本第１２局面では、サーミスタ部の表面は、焼肌面と（焼肌面とは異なる表面粗さを有する抵抗値調整用の）加工面とを有する。つまり、焼成後のサーミスタ部の表面は、焼結の際に形成される焼肌面と、例えば抵抗値を調節するための除去加工によって形成された抵抗値調整用の加工面とを有している。

このような加工面を有するサーミスタ素子は、例えば除去加工によって抵抗値が調節されているので、所望の抵抗値（例えば目標とする抵抗値又は目標とする値に近い抵抗値）を有している。

また、サーミスタ素子は、サーミスタ部の焼結後に抵抗値が調整されたものであるので、所望の抵抗値を有するサーミスタ素子の製造（量産）に適した構成である。
（１３）本発明の第１３局面は、サーミスタ部と一対の電極線との界面と加工面との距離が、５μｍ以上である。

本第１３局面では、界面と加工面との距離が十分に離れているので、電極線の周囲のサーミスタ部の強度の低下を抑制できる。これにより、熱衝撃や振動等によってサーミスタ素子が破損して、抵抗値を正常に測定できなくなる等の不具合の発生を抑制できる。

（１４）本発明の第１４局面は、サーミスタ部は平面を有しており、その平面に加工面を有する凹部が形成されている。
このような構成のサーミスタ素子は、抵抗値の調整が容易であるので、所望の抵抗値を有している。また、サーミスタ素子の製造（量産）により適した構成である。

（１５）本発明の第１５局面では、凹部は、平面に設けられた溝又は平面の外周部の切り欠き部分である。
このような構成のサーミスタ素子は、抵抗値の調整が容易であるので、所望の抵抗値を有する。また、サーミスタ素子の製造（量産）により適した構成である。

（１６）本発明の第１６局面では、サーミスタ部は板状であり、板厚方向の少なくとも一方の主面に加工面を有する凹部が形成されている。
このような構成のサーミスタ素子は、抵抗値の調整が容易であるので、所望の抵抗値を有する。また、サーミスタ素子の製造（量産）により適した構成である。

（１７）本発明の第１７局面では、サーミスタ部は、所定の同じ範囲の導電性を有する単一相からなる。
サーミスタ部が複数相からなる場合には、例えば除去加工の際の熱によって、例えば第１相と第２相との間で元素の移動が生じて、除去加工の前後でＢ定数が変化する恐れがある。よって、サーミスタ部が単一相からなる場合には、Ｂ定数の変化が無いので、抵抗値の調整を精度良く行うことができる。

まお、ここで、「相」とは、結晶相のことを意味する。よって、単一相とは、同一の結晶構造及び組成を有する結晶相のことである。
＜以下、本発明の各構成について説明する＞
・サーミスタ部とは、温度が変化すると電気的特性（抵抗値）が変化する周知のサーミスタ焼結体であり、このサーミスタ部の材料であるサーミスタ材料としては、例えばペロブスカイト型酸化物、スピネル型酸化物、ガーネット型酸化物等を採用することができる。

・電極線は導電性を有する線材であり、この電極線としては、Ｐｔ又はＰｔ−Ｒｈ合金、Ｐｔ−Ｉｒ合金、Ｐｔ又はＰｔ−Ｒｈ合金にアルカリ土類金属元素（例えばＳｒ）を微量添加した材質からなる線材が挙げられる。

・芯線は導電性を有する線材であり、この芯線としては、ステンレス合金からなる線材等を用いることができる。
・シース部材とは、筒状の部材であり、例えばステンレス合金からなる金属製のチューブ等を採用できる。

・主面とは、サーミスタ部の厚み方向における表面である。
なお、本発明の他の局面として、一対の電極線の中心線を含む平面に対して垂直で、且つ、一対の電極線の中心線間を２分する平面にて、サーミスタ部を前記凹部の少なくとも一部を含むようにして破断したサーミスタ素子の断面の面積Ｓ２と、凹部が無いとした場合のサーミスタ素子の断面の面積Ｓ１との比（Ｓ２／Ｓ１）を、前記中心線間を２分可能な領域にわたって求めたときの最小値が、０．１０以上としてもよい。

この構成により、サーミスタ部の表面のうち、一対の電極線の中心線間に対応する位置に前記凹部の少なくとも一部が設けられる場合であっても、サーミスタ部のうちの一対の電極線の中心線間に位置する部位の強度の低下を抑制できる。これにより、熱衝撃や振動等によってサーミスタ素子が破損することを抑制できる。

なお、サーミスタ素子の断面の面積Ｓ１、Ｓ２とは、各断面が電極線の断面を含む場合には、サーミスタ部と電極線（但しサーミスタ部に埋設されている部分の電極線）とを含む面積である。

第１実施形態における温度センサを軸線方向に沿って一部破断して示す断面図である。 温度センサの先端側を軸線方向に沿って一部破断し拡大して示す断面図である。 （ａ）第１実施形態のサーミスタ素子を示す平面図、（ｂ）はサーミスタ素子を示す斜視図である。 第１実施形態のサーミスタ素子の加工深さとＲｃ（９００）との関係を示すグラフである。 第１実施形態の変形例のサーミスタ素子を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 第２実施形態のサーミスタ素子を示す平面図である。 第２実施形態のサーミスタ素子の加工深さとＲｃ（９００）との関係を示すグラフである。 第３実施形態のサーミスタ素子を示す平面図である。 実施例１４〜１８、２１のサーミスタ素子を示す平面図である。 実施例２３のサーミスタ素子を示す平面図である。 断面積Ｓ２を有するサーミスタ素子を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 断面積Ｓ１を有するサーミスタ素子を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。 実施例８〜１１及び実施例１４〜１７について、加工深さとＲｃ（９００）との関係を示すグラフである。 第５実施形態のサーミスタ素子を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。 第５実施形態のサーミスタ素子の加工深さとＲｃ（９００）との関係を示すグラフである。

［１．第１実施形態］
まず、本第１実施形態のサーミスタ素子を備えた温度センサについて説明する。
［１−１．温度センサの全体構成］
図１に示すように、温度センサ１は、感温素子であるサーミスタ素子３と、一対の金属製のシース芯線５をシース管７の内側にて絶縁保持したシース部材９と、先端側が閉塞し軸線Ｏ方向に延びる筒状の金属チューブ１１と、金属チューブ１１を支持する取付部材１３と、六角ナット部１５及びネジ部１７を有するナット部材１９と、取付部材１３の後端側に内嵌する外筒２１とを備えている。

なお、軸線Ｏ方向とは、温度センサ１の長手方向（軸線Ｏの延びる方向）であり、図１においては上下方向に相当する。また、温度センサ１における先端側は図１における下側であり、後端側は図１における上側である（以下同様）。

前記温度センサ１は、金属チューブ１１の先端側の内部に、温度を測定するために前記サーミスタ素子３を収納したセンサである。この温度センサ１は、例えば内燃機関の排気管などの流通管に装着され、温度センサ１の先端側が、測定対象ガス（排ガス）が流れる流通管内に配置されることにより、測定対象ガスの温度を検出する。

以下、各構成について詳細に説明する。
シース部材９は、金属製（例えばステンレス合金製）のシース管７と、導電性金属（例えばステンレス合金：例えばＳＵＳ３１０Ｓ）からなる一対のシース芯線５と、シース管７と２本のシース芯線５との間を電気的に絶縁してシース芯線５を保持するシリカ等の絶縁粉末２３とから構成される。

シース芯線５は、その先端側が例えばレーザー溶接によりサーミスタ素子３から後端側に延びる電極線２５と接続されており、後端側が例えば抵抗溶接により加締め端子２７と接続されている。これにより、シース芯線５は、自身の後端側が加締め端子２７を介して外部回路（例えば、車両の電子制御装置（ＥＣＵ）等）接続用のリード線２９と接続されている。

なお、一対のシース芯線５および一対の加締め端子２７は、絶縁チューブ３１により互いに絶縁され、リード線２９は、導線を絶縁性の被覆材にて被覆され耐熱ゴム製の補助リング３３の内部を貫通する状態で配置される。

取付部材１３は、径方向外側に突出する円筒状の突出部３５と、突出部３５から後端側に延びる円筒状の後端側鞘部３７とを有している。後端側鞘部３７は、後端側に延びる円筒状のスリーブ３９を有しており、このスリーブ３９に金属チューブ１１が接合されている。つまり、この取付部材１３は、金属チューブ１１の後端側の外周面を取り囲んで金属チューブ１１を支持する。

金属チューブ１１は、耐腐食性金属（例えば、耐熱性金属でもあるＳＵＳ３１０Ｓなどのステンレス合金）からなる。この金属チューブ１１は、鋼板の深絞り加工によりチューブ先端側が閉塞した軸線Ｏ方向に延びる筒状をなし、筒状のチューブ後端側が開放した形態である。

図２に拡大して示す様に、金属チューブ１１は、径が小さく設定された先端側の小径部４１と、径が小径部４１よりも大きく設定された後端側の大径部４３と、小径部４１と大径部４３との間の段差部４５とを備えている。

また、金属チューブ１１の内部に、サーミスタ素子３およびセメント４７が収納されており、セメント４７は、サーミスタ素子３の周囲に充填されることで、サーミスタ素子３の揺動を防止している。なお、セメント４７は、非晶質のシリカにアルミナ骨材を含有した絶縁材よりなる。

［１−２．サーミスタ素子の構成］
次に、サーミスタ素子３について、詳しく説明する。
図２に示すように、サーミスタ素子３は、温度によって電気的特性（電気抵抗値）が変化するサーミスタ部４９と、このサーミスタ部４９の電気的特性の変化を取り出すための一対の電極線２５とから構成される。なお、サーミスタ部４９は、厚み方向から見た平面視が六角形の板状である。

一対の電極線２５は、例えばＰｔ−Ｒｈ合金製の円柱状の線材である。この一対の電極線２５は、平行に配置されており、例えばレーザー溶接によって、それぞれ一対のシース芯線５に接合されている。

なお、サーミスタ素子３の各寸法は、例えば、サーミスタ部４９の正六角形の一辺１．２５ｍｍ、厚み０．９２ｍｍである。また、電極線２５は、例えば、直径φ０．３０ｍｍ、２つの電極線２５間の中心間距離０．７０ｍｍ（ギャップ０．４０ｍｍ）、電極挿入量（即ちサーミスタ部４９内における長さ）１．０５ｍｍである。

サーミスタ部４９は、導電性を有するセラミック焼結体であり、例えば、（Ｓｒ、Ｙ）（Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ）Ｏ_３をベース組成としたペロブスカイト型酸化物で形成されている。つまり、このサーミスタ部４９は、同一（単一）組成からなるペロブスカイト構造を有するペロブスカイト相（単一相）を有する。

前記ペロブスカイト相としては、例えば組成式Ｍ１ａＭ２ｂＭｎｃＡｌｄＣｒｅＯｆの値ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、fが、下記の条件式（１）〜（７）を満たす導電性のペロブスカイト相を挙げることができる。

０．６００≦ａ＜１．０００ ・・・（１）
０＜ｂ≦０．４００ ・・・（２）
０≦ｃ＜０．１５０ ・・・（３）
０．４００≦ｄ＜０．９５０ ・・・（４）
０．０５０＜ｅ≦０．６００ ・・・（５）
０．５０＜ｅ／（ｃ＋ｅ）≦１．００ ・・・（６）
２．８０≦ｆ≦３．３０ ・・・（７）
前記組成式において、Ｍ１はペロブスカイト相のＡサイトに位置する、Ｌａを除く第３族元素のうち少なくとも１種の元素を示す。Ｍ２はペロブスカイト相のＡサイトに位置する第２族元素のうち少なくとも１種の元素を示す。なお、Ｍ１はＮｄ、Ｍ２はＣａから構成される方が好ましい。

上記条件（１）〜（７）を満たすサーミスタ部４９を有するサーミスタ素子３は、例えば−４０℃から１０００℃までの温度領域において温度を検知することができる。
図３に示すように、本第１実施形態では、サーミスタ部４９は、後述する除去加工により形成された被加工部５１を有する。

具体的には、サーミスタ部４９の一方の主面（第１主面）４９ａには、その中央に沿って、即ち図３（ａ）の左右方向の中央において一対の電極線２５と平行に（図３（ａ）の上下方向に）、凹部（詳しくは溝）である被加工部５１が形成されている。

なお、被加工部５１は四角柱状の切り欠き部分であり、その寸法は、例えば縦１．５００ｍｍ×横０．３００ｍｍ×深さ０．１００ｍｍである。
サーミスタ部４９の表面のうち、この被加工部５１の表面が加工面５３であり、この加工面５３以外の表面は、サーミスタ部４９を焼結させる際に形成された焼肌面（図３の灰色部分）５５のままである。なお、焼肌面５５の表面粗さＲａは加工面５３の表面粗さＲａより小さい。

［１−３．サーミスタ素子の製造方法］
次に、サーミスタ素子３の製造方法について説明する。
ここでは、下記表１の組成(1)の組成から成るサーミスタ部４９を有するサーミスタ素子３の製造方法について説明する。なお、この製造方法は、下記表１における実施例１〜６のサーミスタ素子の製造方法である。

まず、サーミスタ材料の仮焼粉末を、以下のようにして得る。即ち、原料粉末として、Ｎｄ（ＯＨ）_３、ＣａＣＯ_３、ＭｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３（全て純度９９%以上の市販品）を用いて、元素Ｎｄ、Ｃａ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒが、下記表１に示すモル数となるように、それぞれ秤量した。

次に、これらの原料粉末を湿式混合して乾燥することにより、サーミスタ材料の原料粉末混合物を調整した。
次に、この原料粉末混合物を、大気雰囲気下１４００℃で２時間仮焼成し、平均粒径１〜２μｍのサーミスタ材料の仮焼粉末を作製した。

次に、サーミスタ合成粉末を、以下のようにして得る。
即ち、前記仮焼粉末を秤量し、樹脂ポットと高純度Ａｌ_２Ｏ_３球石とを用い、エタノールを分散媒として、湿式混合粉砕を行った。そして、得られたスラリーを８０℃で２時間乾燥し、サーミスタ合成粉末を作製した。

次に、サーミスタ合成粉末１００重量部に対し、ポリビニルブチラールを主成分とするバインダーを２０重量部添加して混合、乾燥した。そして、２５０μｍメッシュの篩を通して造粒し、造粒粉末を作製した。

次に、上述の造粒粉末を用いて、金型成形法にてプレス成型（プレス圧：４５００ｋｇ／ｃｍ^２）して、図３に示すように、Ｐｔ−Ｒｈ合金製の一対の電極線２５の一端側が埋設された六角形板状（厚み：１．０６ｍｍ）の未焼成成形体を作製した。

その後、大気雰囲気下１５００〜１６００℃で４時間焼成し、電極線２５が付与された（抵抗値の調整前の）サーミスタ素子３を作製した。
その後、後述するように抵抗値の調整を行うことにより、前記図３に示すサーミスタ素子３が完成した。

なお、ここでは、前記表１の組成(1)のサーミスタ部４９を備えたサーミスタ素子３以外に、表１の組成(2)、組成(3)、組成(4)の組成から成る各サーミスタ部４９を有するサーミスタ素子３も作製した。

組成(2)は、元素Ｍ１をＹ、元素Ｍ２をＳｒにそれぞれ変え、またモル比ａ〜ｅが異なる点で、組成(1)と異なる。
組成(3)は、元素Ｍ１をＹ、元素Ｍ２をＳｒ、元素Ｍ３をＦｅにそれぞれ変え、またモル比ａ〜ｅが異なる点で、組成(1)と異なる。

組成(4)は、第２相であるＳｒＡｌ_２Ｏ_４が含まれている点で、組成(2)と異なる。

［１−４．サーミスタ素子の抵抗値の調整方法］
次に、サーミスタ素子３の抵抗値の調整方法（トリミング法）について説明する。
なお、ここでは、前記表１の組成(1)のサーミスタ部４９（即ち下記表２の実施例１〜６）と、前記表１の組成(4)のサーミスタ部４９（即ち下記表２の実施例７）とに対してトリミングを実施する例について説明する。

（１）第１工程
まず、サーミスタ素子３について、以下のようにして初期抵抗値を測定した。
即ち、まず、サーミスタ素子３を絶対温度Ｔ（９００）＝１１７３Ｋ（＝９００℃）の環境下に放置し、その状態でのサーミスタ初期抵抗値Ｒｓ（９００）を、マルチメーターを用いて測定した。この結果を下記表２に示す。

ついで、サーミスタ素子３について、以下のようにして、初期Ｂ定数（温度勾配係数）を測定した。
即ち、まず、サーミスタ素子３を絶対温度Ｔ（−４０）＝２３３Ｋ（＝−４０℃）の環境下に放置し、その状態でのサーミスタ初期抵抗値Ｒｓ（−４０）を測定した。そして、トリミング前の−４０℃〜９００℃における初期Ｂ定数：Ｂｓ（−４０〜９００）を、以下の式（８）に従って算出した。

Ｂｓ（−４０〜９００）＝
ｌｎ[Ｒｓ(900)／Ｒｓ(-40)]／[１／Ｔ(900)−１／Ｔ(-40)]・・（８）
（２）第２工程
ついで、サーミスタ素子３の初期抵抗値Ｒｓ（９００）と９００℃における目標抵抗値Ｒｔ（９００）との差から、所望の抵抗変化率Ｒｃ（９００）（％）を下記式（９）より算出した。この結果を下記表２に示す。

Ｒｃ（９００）（％）＝（Ｒｔ(900)−Ｒｓ(900)）／Ｒｓ(900)×１００・・（９）
（３）第３工程
ついで、加工深さ（即ち主面からの深さ）と抵抗変化率Ｒｃ（９００）との相関関係から、加工深さを算出した。この結果を下記表２に示す。

つまり、加工位置（図３（ａ）の左右の中心）及び加工形状（図３（ａ）の縦横の寸法）は、図３に示すものと同一とした場合において、その加工位置及び加工形状における加工深さ（即ち被加工部５１である溝の深さと抵抗変化率Ｒｃ（９００）とは、図４に示すような相関関係がある。従って、この相関関係に基づいて、抵抗変化率Ｒｃ（９００）から加工深さを求めた。

（４）第４工程
ついで、サーミスタ部４９の表面に対し、前記第３工程の決定（即ち加工深さ）に従って、サンドブラスト加工を施して、被加工部５１を形成した。

つまり、目標抵抗値Ｒｔとなるような抵抗変化率Ｒｃを求め、この抵抗変化率Ｒｃに対応する加工深さを決定し、この加工深さの被加工部５１となるように、サンドブラストによる除去加工を行った。これにより、前記被加工部５１を有するサーミスタ素子３を得た。

次に、得られたサーミスタ素子３に対し、上述と同様に加工後の抵抗値Ｒｐ（９００）を測定した。この結果を下記表２に示す。
また、サーミスタ素子３に対し、上述と同様に加工後のＢ定数：Ｂｐ（−４０〜９００）を求めた。その上で、初期Ｂ定数：Ｂｓ（−４０〜９００）と加工後のＢ定数；Ｂｐ（−４０〜９００）との差から、加工によるＢ定数変化率Ｂｃ（−４０〜９００）（％）を下記式（１０）より算出した。

Ｂｃ（−４０〜９００）（％）＝
（Ｂｐ(-40〜900)−Ｂｓ(-40〜900)）／Ｂｓ(-40〜900)）×１００ ・・（10）
これらの結果を下記表２に示す。

なお、表２において、実施例２〜６は、それぞれＲｓ（９００）が実施例１と異なる。また、実施例７は、サーミスタ部４９が、表１の組成(4)である点、及びＲｓ（９００）、Ｒｔ（９００）が実施例１と異なる。

この表２から明らかなように、実施例１〜６によれば、上述の抵抗値のトリミングを実施することで、加工後の抵抗値Ｒｐ（９００）は目標抵抗値Ｒｔ（９００）に近くなり、抵抗値のバラツキを大きく低減できることが分かる。

また、Ｂ定数変化率Ｂｃ（−４０〜９００）は、±０．１％以内となり、加工前後でＢ定数がほとんど変化していないことが分かる。つまり、上述したトリミングによって、Ｂ定数を変えることなく、抵抗値のみを所望の値に変化させることが可能であることが分かる。

また、サーミスタ部４９の組成が、組成(2)及び組成（4）である場合でも、前記第１〜第４工程のトリミングを実施したところ、同様の結果が得られた。
つまり、上述の抵抗値のトリミングを実施することで、加工後抵抗値Ｒｐ（９００）は目標抵抗値Ｒｔ（９００）に近くなり、抵抗値バラツキを大きく低減できることが分かった。

なお、サーミスタ部４９の組成が組成(4)である実施例７の場合、Ｂｃ（−４０〜９００）は、−１．５５％となり、実施例１〜６と比較し、加工前後でＢ定数の変化は大きい。これは、第４工程におけるサンドブラスト加工を施した際に生じた熱によって、第１相と第２相の間で元素の移動が生じたためであると考えられる。よって、サーミスタ部４９は単一相から成るほうが好ましいことが分かる。

［１−５．効果］
本第１実施形態では、焼結体であるサーミスタ部４９の一部を除去する除去加工を行うことによって、サーミスタ素子３の抵抗値を調整する。そのため、サーミスタ素子３ごとの抵抗値がバラツクような場合でもあっても、容易に目標とする抵抗値に近づけることができる。

具体的には、除去加工によって除去する量及び除去する位置を調節することにより、例えば、加工位置、加工形状、加工深さのうち少なくとも１種を調節することにより、サーミスタ素子３の抵抗値を調整することができる。

具体的には、抵抗値を調整する場合には、除去加工によって除去される部分の範囲とサーミスタ素子３の調整前後の抵抗値の変化との間に、相関関係があることが分かっているので、予めその相関関係を求めておく。そして、その相関関係に基づいて除去する部分を設定して、除去加工を行うことによって、サーミスタ素子３の抵抗値を目標抵抗値に容易に調整することができる。

詳しくは、除去加工によって除去される部分の範囲と抵抗変化率（（Ｒｔ−Ｒｓ）／Ｒｓ）との間に、相関関係があることが分かっているので、この相関関係を用いることにより、容易に抵抗値を調整することができる。

また、サーミスタ部４９は板状であるので、その平面（主面４９ａ）に凹部を形成するような除去加工を行うことにより、容易に抵抗値を調整できる。
このように、焼成後のサーミスタ素子３の抵抗値の調整が可能であるので、抵抗値のバラツキを大幅に低減できる。よって、広い温度範囲を精度よく検知可能なサーミスタ素子３を提供することができるという顕著な効果を奏する。

［１−６．変形例］
本第１実施形態の変形例として、図５に示すサーミスタ素子１が挙げられる。
この変形例のサーミスタ素子１では、サーミスタ部４９の主面４９ａに、第１実施形態と同様な図５の上下方向に長い溝状の被加工部５１が設けられているが、この被加工部５１は、図５の上下の両端に達していない。

なお、この変形例の被加工部５１は、周知の加工方法（例えばサンドブラスト）によって形成することができる。
この変形例によっても、第１実施形態と同様な効果を奏する。また、被加工部５１が両端に達していないので、一層破損し難いという利点がある。

［１−７．特許請求の範囲と実施形態との対応関係］
本第１実施形態の、サーミスタ素子３、シース芯線５、シース部材９、絶縁粉末２３、電極線２５、サーミスタ部４９、主面４９ａ、被加工部５１、加工面５３、焼肌面５５が、それぞれ、特許請求の範囲の、サーミスタ素子、芯線、シース部材、絶縁材、電極線、サーミスタ部、主面、被加工部、加工面、焼肌面の一例に相当する。

［２．第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。なお、第１実施形態と同様な構成には同じ番号を付す。

図６に示すように、本第２実施形態のサーミスタ素子６１は、第１実施形態と同様に、サーミスタ部６３及び一対の電極線２５とを備えている。
このサーミスタ部６３は、平面視が六角形状であるが、その被加工部６５の形状が、第１実施形態とは異なっている。

つまり、サーミスタ部６３の一方の主面（表面）の中央に、直径φ１．０００ｍｍ×深さ０．１００ｍｍの平面視で円形の被加工部６５が形成されている。なお、平面視で、サーミスタ部６３の重心と被加工部６５の中心とは一致している。

第２実施形態のサーミスタ素子６１も、第１実施形態と同様な方法によって製造することができる。
この第２実施形態では、加工深さと抵抗変化率Ｒｃ（９００）とは、下記表３及び図７に示す相関関係を有している。

第２実施形態においても、前記第１実施形態と同様な効果を奏する。
［３．第３実施形態］
次に、第３実施形態について説明するが、前記第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。なお、第１実施形態と同様な構成には同じ番号を付す。

図８に示すように、本第３実施形態のサーミスタ素子７１は、第１実施形態と同様に、サーミスタ部７３及び一対の電極線２５とを備えている。
このサーミスタ部７３は、平面視が六角形状であるが、その被加工部７５の形状が、第１実施形態とは異なっている。

つまり、サーミスタ部７３の一方の主面（表面）の中央から先端側（図８の上側）に、深さ０．１００ｍｍの平面視で台形の被加工部７５が形成されている。なお、ここで中央とは、サーミスタ部７３を図８の上側と下側とが線対称となるように２等分する位置である。

第３実施形態のサーミスタ素子７１も、第１実施形態と同様な方法によって製造することができる。
この第３実施形態においても、前記第１実施形態と同様な効果を奏する。

［４．第４実施形態］
次に、第４実施形態について説明するが、前記第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。なお、第１実施形態と同様な構成には同じ番号を付す。

本第４実施形態では、前記図３に示すように、第１実施形態と同様な構成のサーミスタ部４９及び一対の電極線２５を備えたサーミスタ素子３を例に挙げて説明する。
なお、サーミスタ部４９は、前記表１の組成(1)であり、サーミスタ部４９の被加工部５１は、縦１．５００ｍｍ×横０．３００ｍｍ×深さ０．１００ｍｍである。

そして、このようなサーミスタ素子３について、下記表４に示すような条件でトリミングを実施し、表４に示す内容を調べた。
具体的には、下記表４の実施例８〜２３について、加工方法、加工位置、加工形状、加工深さを変更し、電極線界面と被加工部との距離、Ｓ２／Ｓ１、Ｂｃ（−４０〜９００）、Ｒｃ（−４０）、Ｒｃ（９００）、冷熱サイクル試験後の破損発生率、被加工部の表面粗さＲａを調べた。

なお、実施例８〜１３、１９、２０、２２については、サーミスタ素子３は、前記図３に示す形状である。また、実施例１４〜１８、２１については、サーミスタ素子３は、図９に示す形状であり、平面視で被加工部５１と一方の電極線２５とは重なっている。さらに、実施例２３については、サーミスタ素子３は、図１０に示す形状であり、平面視で、被加工部５１の左側の端部が左側の電極線２５の右側の端部と重なる位置から極僅かだけ右側に位置している。

ここで、下記表４の上段の各項目の内容について説明する。
・「加工方法」とは、被加工部５１を形成する方法であり、周知の、サンドブラスト加工、レーザー加工、ダイサーによる切削加工のいずれかを示している。

・「加工位置形状」とは、図３、図９、図１０のいずれかのように、どの位置にどの形状の被加工部５１を形成したかを示している。なお、図９、図１０の被加工部５１は、表４に示すように、周知の加工方法（例えばサンドブラスト加工）によって形成できる。

・「加工面と電極線との距離」とは、サーミスタ部４９のセラミック部分と電極線２５との界面と被加工部５１（即ち加工面５３）との最短距離を示している。
・Ｓ２とは、図１１に示すように、一対の電極線２５の中心線を含む平面に対して垂直で、且つ、一対の電極線２５の中心線間を２分する平面にて、サーミスタ部４９を溝状の被加工部５１の少なくとも一部を含むようにして破断したサーミスタ素子３の断面の面積である。なお、中心線とは電極線の軸中心を示している。

また、Ｓ１は、図１２に示すように、被加工部５１が無いとした場合の前記サーミスタ素子３の断面（Ｓ２を測定した部分）の面積である。
なお、前記サーミスタ素子３の断面の面積Ｓ１、Ｓ２とは、各断面が電極線２５の断面を含む場合には、サーミスタ部４９とサーミスタ部４９に埋設されている部分の電極線２５とを含む面積である。

・前記各面積Ｓ２、Ｓ１の比（Ｓ２／Ｓ１）とは、前記中心線間を２分可能な領域にわたって求めたときの最小値である。
・「Ｂｃ（−４０〜９００）（％）」は、Ｂ定数変化率であり、前記第１実施形態と同様である。

・「Ｒｃ（−４０）（％）」は、下記式（１１）により求めたものであり、加工前の抵抗値Ｒｓ（−４０）と加工後の抵抗値Ｒｐ（−４０）との差の割合を示す抵抗変化率である。

Ｒｃ（−４０）（％）
＝（Ｒｐ(-40)−Ｒｓ(-40)）／Ｒｓ(-40)）×１００ ・・（11）
・「Ｒｃ（９００）（％）」は、下記式（１２）により求めたものであり、加工前の抵抗値Ｒｓ（９００）と加工後の抵抗値Ｒｐ（９００）との差の割合を示す抵抗変化率である。

Ｒｃ（９００）（％）
＝（Ｒｐ(900)−Ｒｓ(900)）／Ｒｓ(900)）×１００ ・・（12）
・「破損発生率」とは、冷熱サイクル試験後の破損発生率を示し、試料１０個に対して、破損が発生した割合を求めたものである。

この冷熱サイクル試験とは、まず、室温（２５℃）から８５０℃環境下にサーミスタ素子３を投入し、８５０℃環境下に５分間放置する。ついで、再び、室温環境下に戻す。この操作を５０００サイクル繰り返し、その後サーミスタ素子３の破損の有無を確認したものである。

・「被加工部のＲａ」とは、被加工部４９の表面粗さＲａを示しており、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３年の規定により求めたものである。なお、焼肌面５５の表面粗さＲａは、１．４μｍであった。

これらの結果を下記表４及び図１３に示す。
なお、図１３
は、実施例８〜１１及び実施例１４〜１７について、加工深さを横軸に、抵抗変化率Ｒｃ（９００）を縦軸にとったグラフである。

この表４及び図１３に示すように、実施例８〜１３（被加工部５１が図３の形状）と実施例１４〜１８（被加工部５１が図９の形状）とから、被加工部５１の加工深さに応じた抵抗変化率Ｒｃ（９００）を得られていることが分かる。よって、被加工部５１の深さを調整することで、所望の抵抗値を容易に得ることができることが分かる。

実施例８〜１３と実施例１４〜１８を比較すると、被加工部５１の位置が異なる場合には、加工深さと抵抗変化率Ｒｃ（９００）の相関関係は異なるが、被加工部５１の加工深さに応じた抵抗変化率Ｒｃ（９００）が得られることに変わりはない。よって、被加工部分５１の位置はサーミスタ部４９表面のどこでも良いが、被加工部５１の位置を固定することで、より精度よく所望の抵抗変化率Ｒｃ（９００）を得ることができることが分かる。

また、実施例８と実施例１９、２０を比較すると、サーミスタ部４９の加工方法が異なる場合でも、被加工部５１の加工位置、加工形状及び加工深さが同じであった場合、ほぼ同じ抵抗変化率Ｒｃ（９００）が得られていることが分かる。よって、加工方法に関わらず、被加工部５１の加工位置、加工形状及び加工深さによって、抵抗変化率Ｒｃ（９００）を決定できることが分かる。

さらに、サーミスタ部４９の電極線２５の界面と被加工部５１との最短の距離が４μｍ以下である実施例２１の場合、冷熱サイクル試験による破損発生率が３０％と大きい。それに対して、前記距離が６μｍ以上の実施例８〜２０では、冷熱サイクル試験による破損発生率は０％である。従って、前記距離は５μｍを上回ることが好ましいことが分かる。

また、前記面積Ｓ２と前記面積Ｓ１との比Ｓ２／Ｓ１が０．０８である実施例２２の場合、冷熱サイクル試験による破損発生率が１０％とやや大きい。それに対して、Ｓ２／Ｓ１が０．１以上である実施例８〜２０では、冷熱サイクル試験による破損発生率は０％である。従って、前記Ｓ２／Ｓ１は０．１以上であることが好ましいことが分かる。

なお、実施例２３は、前記距離が４μｍ以下で且つ前記Ｓ２／Ｓ１が０．０８であるので、冷熱サイクル試験による破損発生率が５０％であると考えられる。
しかも、実施例８〜２３によると、Ｂｃ（−４０〜９００）は±０．１％以内となり、加工前後でＢ定数がほとんど変化していないことが分かる。よって、この点からも、Ｂ定数を変えることなく、抵抗値のみを所望の値に変化させることが可能であることが分かる。

［５．第５実施形態］
次に、第５実施形態について説明するが、前記第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。なお、第１実施形態と同様な構成には同じ番号を付す。

図１４に示すように、本第５実施形態のサーミスタ素子８１は、第１実施形態と同様に、サーミスタ部８３及び一対の電極線２５とを備えている。
第５実施形態では、サーミスタ部８３の形状が、第１実施形態とは異なっている。

つまり、サーミスタ部８３は、除去加工前の平面視で正六角形の形状の一方の端部（図１４の上方の端部）が、図１４の上下方向の寸法の１／５切り取られた形状を有している。なお、ここで被加工部８５とは、サーミスタ部８３の図１５の上方の端面（加工面８７）である。

第５実施形態のサーミスタ素子８１のサーミスタ部８３は、例えば、元の六角形の焼結対の一端を、例えばダイサーにより切削して除去することにより形成することができる。
この第２実施形態では、加工深さ（ｄ）と抵抗変化率Ｒｃ（９００）とは、下記表５及び図１５に示す相関関係を有している。なお、本第５実施形態で加工深さ（ｄ）とは、図１５の上方の端面から切り取った部分の長さである。

第５実施形態においても、前記第１実施形態と同様な効果を奏する。
［６．他の実施形態］
尚、本発明は前記実施形態や実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。

（１）例えば、トリミングの際にサーミスタ部の一部を除去する方法として、レーザー加工や切削加工を採用した場合も、サンドブラスト加工と同様の効果が得られる。
（２）また、除去加工において、加工位置、加工形状、加工深さのうち少なくとも１種を調節してもよい。つまり、上述したように、除去加工の内容とそれによって抵抗値がどのように変化するかという相関関係を予め求めておく。そして、目標抵抗値とするために、どの程度抵抗値を変化させれば良いかが決まるので、前記相関関係に基づいて、変化させる抵抗値に対応した除去加工の内容を決めて除去加工（即ちトリミング）を実施することにより、サーミスタ素子の抵抗値を目標抵抗値に近づけることができる。

（３）サーミスタ素子の抵抗値を測定する場合には、一対の電極線に抵抗値の測定器を接続してもよいが、一対の電極線をシース部材の一対のシース芯線に接合して接続し、電極線を接続した側と反対側のシース芯線の間に、測定器を接続して抵抗値を測定してもよい。

この場合は、サーミスタ素子を加熱した場合に、加熱した位置を離れた位置に測定器を接続できるので、抵抗値の測定が容易であるという利点がある。また、シース芯線の固体ばらつきをも含めた形で、サーミスタ素子の抵抗値を目標とする抵抗値に近づけることができる。

（４）なお、上述した各実施形態の構成要素を適宜組み合わせることも可能である。

３、６１、７１、８１…サーミスタ素子
５…シース芯線
９…シース部材
２３…絶縁粉末
２５…電極線
４９、６３、７３、８３…サーミスタ部
４９ａ…主面
５１、６５、７５、８５…被加工部
５３、８７…加工面
５５…焼肌面

Claims (17)

1. サーミスタ材料からなる焼結体であるサーミスタ部と、前記サーミスタ部に埋設されると共に、少なくとも一端部が前記サーミスタ部の外側に突出した一対の電極線と、を有するサーミスタ素子の製造方法において、
   前記サーミスタ部の一部を除去する除去加工を行うことによって、前記サーミスタ素子の抵抗値を調整することを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
2. 前記除去加工によって除去される部分の範囲と前記サーミスタ素子の調整前後の抵抗値の変化との相関関係を予め求めておき、前記相関関係に基づいて、前記除去加工を行うことによって、前記サーミスタ素子の抵抗値を目標抵抗値に調整することを特徴とする請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
3. 前記サーミスタ素子の抵抗値を測定する第１工程と、
   前記第１工程で測定した前記サーミスタ素子の抵抗値と前記目標抵抗値との差に基づいて、前記抵抗値の調整前後の変化を示す指標を算出する第２工程と、
   前記第２工程で算出した前記指標と、前記相関関係から得られる前記除去加工によって除去される部分の範囲と前記抵抗値の調整前後の変化を示す指標との相関関係とに基づいて、前記サーミスタ部の除去する範囲を決定する第３工程と、
   前記第３工程における決定に基づいて、前記サーミスタ部の除去加工を行う第４工程と、
   を有することを特徴とする請求項２に記載のサーミスタ素子の製造方法。
4. 前記サーミスタ素子の抵抗値を測定する場合には、前記一対の電極線と絶縁材が充填された筒状のシース部材に貫挿された一対の芯線とをそれぞれ電気的に接続し、前記一対の芯線の前記電極線とは反対側の端部の間の抵抗値を測定することを特徴とする請求項３に記載のサーミスタ素子の製造方法。
5. 前記指標は、前記調整前の抵抗値（Ｒｓ）に対する前記調整前の抵抗値（Ｒｓ）と前記目標抵抗値（Ｒｔ）との差（Ｒｔ−Ｒｓ）の割合を示す抵抗変化率（（Ｒｔ−Ｒｓ）／Ｒｓ）であり、
   前記相関関係は、前記除去加工によって除去される部分の範囲と前記抵抗変化率との相関関係を示すものであることを特徴とする請求項３又は４に記載のサーミスタ素子の製造方法。
6. 前記除去加工によって除去する量及び除去する位置を調節することにより、前記サーミスタ素子の抵抗値を調整することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のサーミスタ素子の製造方法。
7. 前記除去加工において、加工位置、加工形状、加工深さのうち少なくとも１種を調節することにより、前記サーミスタ素子の抵抗値を調整することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のサーミスタ素子の製造方法。
8. 前記サーミスタ部が平面を有する場合に、前記平面に対して前記除去加工を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のサーミスタ素子の製造方法。
9. 前記サーミスタ部の板状である場合に、板厚方向の少なくとも一方の主面に凹部を形成する前記除去加工を行うことを特徴とする請求項８に記載のサーミスタ素子の製造方法。
10. 前記除去加工として、前記サーミスタ部の端部を削除する加工を行って、前記抵抗値を調整することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のサーミスタ素子の製造方法。
11. 前記除去加工が、サンドブラスト加工、レーザー加工、切削加工のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のサーミスタ素子の製造方法。
12. サーミスタ材料からなる焼結体であるサーミスタ部と、前記サーミスタ部に埋設されると共に、少なくとも一端部が前記サーミスタ部の外側に突出した一対の電極線と、を有するサーミスタ素子において、
    前記サーミスタ部の表面は、焼肌面と該焼肌面とは異なる表面粗さを有する抵抗値調整用の加工面とを有することを特徴とするサーミスタ素子。
13. 前記サーミスタ部と前記一対の電極線との界面と、前記加工面との距離が、５μｍ以上であることを特徴とする請求項１２に記載のサーミスタ素子。
14. 前記サーミスタ部は平面を有しており、前記平面に前記加工面を有する凹部が形成されていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のサーミスタ素子。
15. 前記凹部は、前記平面に設けられた溝又は前記平面の外周部の切り欠き部分であることを特徴とする請求項１４に記載のサーミスタ素子。
16. 前記サーミスタ部は板状であり、板厚方向の少なくとも一方の主面に前記加工面を有する凹部が形成されていることを特徴とする請求項１４又は１５に記載のサーミスタ素子。
17. 前記サーミスタ部は、所定の同じ範囲の導電性を有する単一相からなることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載のサーミスタ素子。