JP2017194367A5

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Publication number: JP2017194367A5
Application number: JP2016085054A
Authority: JP
Filing date: 2016-04-21
Publication date: 2018-12-20
Anticipated expiration: 2036-04-21

Claims

１つ以上の磁気抵抗素子と、前記１つ以上の磁気抵抗素子にバイアス磁場を印加する１つ以上の薄膜磁石とを備え、
前記１つ以上の薄膜磁石の各々は、交互に積層される複数の第１の磁性膜と複数の第１の非磁性膜とを含み、
前記複数の第１の磁性膜の各々は、多結晶であり、１２．６°以上の結晶配向分散を有し、かつ、ＣｏＰｔからなる、磁気センサ。
１つ以上の磁気抵抗素子と、前記１つ以上の磁気抵抗素子にバイアス磁場を印加する１つ以上の薄膜磁石とを備え、
前記１つ以上の薄膜磁石の各々は、交互に積層される複数の第１の磁性膜と複数の第１の非磁性膜とを含み、
前記複数の第１の磁性膜の各々は、多結晶であり、
前記１つ以上の薄膜磁石の各々は、前記１つ以上の薄膜磁石の各々の飽和残留レートの０．９倍以上の残留レートを有する、磁気センサ。
前記１つ以上の薄膜磁石の各々は、前記複数の第１の磁性膜と前記複数の第１の非磁性膜とが積層される方向に直交する磁化方向を有する、請求項１または請求項２に記載の磁気センサ。
前記複数の第１の非磁性膜は、クロムまたはルテニウムからなる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気センサ。
前記１つ以上の磁気抵抗素子は、複数の磁気抵抗素子であり、
前記１つ以上の薄膜磁石は、一対の薄膜磁石であり、
前記複数の磁気抵抗素子は、前記一対の薄膜磁石の間に配置される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気センサ。
前記１つ以上の磁気抵抗素子は、ミアンダ形状を有する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の磁気センサ。
絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜は、前記１つ以上の薄膜磁石を覆うように前記１つ以上の薄膜磁石上に設けられ、
前記１つ以上の磁気抵抗素子は、前記絶縁膜上に設けられる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の磁気センサ。
絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜は、前記１つ以上の磁気抵抗素子を覆うように前記１つ以上の磁気抵抗素子上に設けられ、
前記１つ以上の薄膜磁石は、前記絶縁膜上に設けられる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の磁気センサ。
前記１つ以上の磁気抵抗素子と前記１つ以上の薄膜磁石とが配置される基板をさらに備える、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の磁気センサ。
前記１つ以上の磁気抵抗素子を制御する回路部をさらに備え、
前記回路部は、前記基板上に配置される、請求項９に記載の磁気センサ。
前記１つ以上の磁気抵抗素子の各々は、交互に積層される複数の第２の磁性膜と複数の第２の非磁性膜とを含み、
前記磁気センサの仕様磁場の範囲内において前記１つ以上の磁気抵抗素子の磁気抵抗を単調に変化させる前記バイアス磁場が、前記１つ以上の磁気抵抗素子に印加される、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の磁気センサ。
前記複数の第１の磁性膜は、前記磁気センサの前記仕様磁場の前記範囲内において前記１つ以上の磁気抵抗素子の前記磁気抵抗を単調に変化させる最小の層数を有する、請求項１１に記載の磁気センサ。
外周に交互に配置されるＮ極領域及びＳ極領域を含む着磁ロータと、
前記着磁ロータの前記外周に対向するように配置される、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の前記磁気センサとを備える、磁界検出装置。
磁気抵抗素子を形成することと、
前記磁気抵抗素子にバイアス磁場を印加する薄膜磁石を形成することとを備え、
前記薄膜磁石を形成することは、ＣｏＰｔからなる複数の第１の磁性膜と、複数の第１の非磁性膜とを、交互に堆積することを含み、
前記複数の第１の磁性膜を堆積することは、前記複数の第１の磁性膜の各々が、多結晶であり、かつ、１２．６°以上の結晶配向分散を有するように、前記複数の第１の磁性膜を堆積することを含む、磁気センサの製造方法。
磁気抵抗素子を形成することと、
前記磁気抵抗素子にバイアス磁場を印加する薄膜磁石を形成することとを備え、
前記薄膜磁石を形成することは、複数の第１の磁性膜と、複数の第１の非磁性膜とを、交互に堆積することを含み、
前記複数の第１の磁性膜を堆積することは、前記複数の第１の磁性膜の各々が、多結晶であり、かつ、前記複数の第１の磁性膜の各々の飽和残留レートの０．９倍以上の残留レートを有するように、前記複数の第１の磁性膜を堆積することを含む、磁気センサの製造方法。
前記複数の第１の磁性膜の各々の第１の残留磁束密度が最大となるように、前記複数の第１の磁性膜の各々の厚さを決定することと、
前記薄膜磁石の第２の残留磁束密度が前記薄膜磁石の仕様残留磁束密度以上であり、かつ、前記複数の第１の磁性膜の層数が最小となるように、前記複数の第１の磁性膜の前記層数を決定することとをさらに備える、請求項１４または請求項１５に記載の磁気センサの製造方法。
前記複数の第１の磁性膜の各々の前記厚さを決定することは、
前記複数の第１の磁性膜の各々が前記薄膜磁石の仕様保磁力以上を有するように、前記複数の第１の磁性膜の各々の前記厚さの第１の範囲を定めることと、
前記第１の範囲内において前記複数の第１の磁性膜の各々の前記第１の残留磁束密度が最大となる前記複数の第１の磁性膜の各々の前記厚さを決定することとを含む、請求項１６に記載の磁気センサの製造方法。
請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の前記磁気センサの製造方法によって磁気センサを製造することと、
着磁ロータの外周に対向するように前記磁気センサを配置することとを備え、前記着磁ロータは前記外周に交互に配置されるＮ極領域及びＳ極領域を含む、磁界検出装置の製造方法。