JP2017195218A - チャックテーブル機構及び搬送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】保護テープが貼着された半導体ウェーハ等の板状物を良好に搬送できるようにすること。
【解決手段】ウェーハ（Ｗ）に保護テープ（Ｔ）が貼着され、保護テープを介してウェーハを保持面（４３）で吸引保持するチャックテーブル（４２）をチャックテーブル機構（１００）が備えている。チャックテーブルに吸引保持されたウェーハの吸引保持を解除する際、制御手段（１１１）は解放開閉弁（１０９）の開閉を制御し、保持面に作用する吸引力を解放していく。圧力検出手段（１０７）からの検出信号が所定値に上昇したら、第１の電磁開閉弁（１０５）を閉路して吸引源（１０２）による吸引を解除するとともに、第２の電磁開閉弁（１０６）を開路してブロー流体供給源（１０４）からブロー流体を供給する。これにより、チャックテーブルの吸引力を段階的に低減することができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、保護テープが貼着された半導体ウェーハ等の板状物を保持するチャックテーブル機構及び搬送方法に関する。

半導体デバイス製造工程では、略円板形状である半導体ウェーハの表面に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインで区画された複数の領域に、ＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成される。そして、半導体ウェーハをストリートに沿って切断することで、デバイスが形成された領域毎に半導体ウェーハを分割加工し、個々の半導体チップの製造が行われている。

かかる半導体チップを薄く形成するため、先ダイシング法と呼ばれる技術が特許文献１に開示されている。先ダイシング法により半導体ウェーハを分割する場合、いわゆるハーフカットにて半導体ウェーハの表面に裏面まで貫通しない切削溝を形成する。その後、半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着してから、研削機構のチャックテーブルによって保護テープを介して半導体ウェーハを吸引保持し、半導体ウェーハの裏面を研削して薄厚化する。この研削によって裏面側から切削溝を表出させることで、半導体ウェーハが個々の半導体チップに分割（個片化）される。先ダイシング後の個片化済みの半導体ウェーハは、搬送パッドで全面吸着されて洗浄機構のチャックテーブル（スピンナーテーブル）に搬送され、洗浄後に次工程や収納カセット等に搬送される。かかる搬送では、個片化済みの半導体ウェーハに貼着された保護テープをチャックテーブルで吸着しつつ半導体ウェーハの裏面側を搬送パッドで全面吸着した後、チャックテーブルの吸引を解除する。そして、搬送パッドを上昇することでチャックテーブルから半導体ウェーハが離脱されて搬出される。

特開２００３−１７４４２号公報

上記のように先ダイシング法を行うと、研削によって半導体ウェーハが複数の半導体チップに分割されるため、半導体チップそれぞれの位置が変位しないように、研削機構や洗浄機構におけるチャックテーブルの吸引力が比較的強くなる。この状態で、チャックテーブルから半導体ウェーハを搬送すべくチャックテーブルの吸引を瞬時に解除すると、保護テープの貼着時に生じた貼着テンションが瞬間的に解放される。このため、搬送パッドの吸引力がチャックテーブルに比べて弱くなる場合には、保護テープが貼着された半導体ウェーハが反って搬送パッドから部分的に離れてしまい、搬送パッドの吸引力が十分に作用せずに落下したり搬送エラーになったりする、という問題がある。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、保護テープが貼着された半導体ウェーハ等の板状物を良好に搬送することができるチャックテーブル機構及び搬送方法を提供することを目的とする。

本発明のチャックテーブル機構は、保護テープが貼着された板状物の保護テープを介して板状物を吸引保持する保持面及び保持面に連通する連通路を備えたチャックテーブルと、連通路に吸引通路を介して接続された吸引源と、吸引通路の吸引源近傍に配設された第１の電磁開閉弁と、連通路にブロー流体供給通路を介して接続されたブロー流体と、ブロー流体供給通路に配設された第２の電磁開閉弁と、を備えるチャックテーブル機構において、連通路近傍の吸引通路に配設され吸引通路内の圧力を検出する圧力検出手段と、吸引通路の圧力検出手段と第１の電磁開閉弁との間で分岐して解放開閉弁を介して大気解放される解放経路と、圧力検出手段からの検出信号に基いて第１の電磁開閉弁、第２の電磁開閉弁及び解放開閉弁を制御する制御手段と、を備え、制御手段は、チャックテーブルに吸引保持された板状物の吸引保持を解除する際には、解放開閉弁の開閉を制御し圧力検出手段からの検出信号が所定値に上昇したら、第１の電磁開閉弁を閉路するとともに第２の電磁開閉弁を開路する、ことを特徴とする。

この構成では、チャックテーブルの保持面を吸引源に連通させる吸引経路から分岐して解放経路が形成され、この解放経路を解放開閉弁で開閉して吸引経路を大気解放することができる。これにより、第１の電磁開閉弁で吸引経路を閉路して吸引源による吸引を解除する前に、解放経路を解放しチャックテーブルの吸引力を所定値まで上昇させた後、吸引源による吸引を解除することができる。この結果、吸引源の吸引力で保持されて残存している保護テープの貼着テンションを段階的に解放でき、板状物が個片化していても反ることを抑制することができる。かかる反りを抑制することで、搬送パッドの保持面から板状物が離れずに全面に亘って接触した状態を維持でき、搬送パッドの保持力を十分に作用させて良好な搬送を行うことができる。

本発明の搬送方法は、半導体ウェーハの表面側をハーフカットした後に表面側に保護テープを貼着し裏面研削を行って個々の半導体チップに分割する先ダイシング方法によって半導体ウェーハを個片化した半導体チップが保護テープを介して吸引保持されている上記チャックテーブル機構のチャックテーブル保持面上から個片化済みウェーハを搬送する搬送方法であって、半導体ウェーハの外径に相当する吸引保持面を有する搬送パッドの吸引保持面を、個片化済みウェーハの上面に当接する当接ステップと、チャックテーブル機構の解放開閉弁の開閉を制御して個片化済みウェーハに貼着された保護テープを吸引保持する吸引力を低減させ、保護テープの貼着テンションを解放させる解放開閉弁開路ステップと、搬送パッド当接ステップ及び解放開閉弁開路ステップを実施した後、圧力検出手段からの検出信号が所定値に上昇したら第１の電磁開閉弁を閉路するとともに第２の電磁開閉弁を開路し、且つ搬送パッドに当接している個片化済みウェーハに吸引力を付与し、搬送パッドを上昇させて個片化済みウェーハをチャックテーブルから離脱させる離脱ステップと、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、保護テープが貼着された半導体ウェーハ等の板状物に反りが発生することを抑制して板状物を良好に搬送することができる。

本実施の形態の研削研磨装置の斜視図である。 チャックテーブル機構及び搬送パッドの概略構成図であり、当接ステップの説明図である。 解放開閉弁開路ステップの説明図である。 離脱ステップの説明図である。

以下、添付図面を参照して、本実施の形態のチャックテーブル機構を備えた研削研磨装置について説明する。図１は、本実施の形態の研削研磨装置の斜視図である。なお、チャックテーブル機構は、保持面が吸引面に連通するチャックテーブルを備えた加工装置に適用可能であり、図１に示す研削研磨装置に限定されない。

図１に示すように、研削研磨装置１は、フルオートタイプの加工装置であり、半導体ウェーハＷ（以下、「ウェーハＷ」と称する）に対して搬入処理、粗研削加工、仕上げ研削加工、研磨加工、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。ウェーハＷは、略円板状に形成されており、カセットＣＴに収容された状態で研削研磨装置１に搬入される。なお、ウェーハＷは、研削対象及び研磨対象になる板状物からなるワークであればよく、シリコン、ガリウムヒ素等の半導体基板でもよいし、セラミック、ガラス、サファイア等の無機材料基板でもよいし、さらに半導体製品のパッケージ基板等でもよい。本実施の形態のウェーハＷでは、先ダイシング法の実施によって、ウェーハＷの表面側にハーフカットにより所定の深さの切削溝（不図示）が格子状に形成される。そして、ウェーハＷの表面には、ハーフカットを行った後で保護テープＴ（ＢＧ（Ｂａｃｋ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）テープ）が貼着されている。

研削研磨装置１の基台１１の前側には、複数のウェーハＷが収容された一対のカセットＣＴが載置されている。一対のカセットＣＴの後方には、カセットＣＴに対してウェーハＷを出し入れするカセットロボット１６が設けられている。カセットロボット１６の両斜め後方には、加工前のウェーハＷを位置決めする位置決め機構２１と、加工済みのウェーハＷを洗浄する洗浄機構２６とが設けられている。位置決め機構２１と洗浄機構２６の間には、加工前のウェーハＷをチャックテーブル４２に搬入する搬入手段３１と、チャックテーブル４２から加工済みのウェーハＷを搬出する搬出手段３６とが設けられている。チャックテーブル４２は後述するチャックテーブル機構１００（図２参照）を構成する。

カセットロボット１６は、多節リンクからなるロボットアーム１７の先端にハンド部１８を設けて構成されている。カセットロボット１６では、カセットＣＴから位置決め機構２１に研削研磨加工前のウェーハＷが搬送される他、洗浄機構２６からカセットＣＴに研削研磨加工済みのウェーハＷが搬送される。位置決め機構２１は、仮置きテーブル２２の周囲に、仮置きテーブル２２の中心に対して進退可能な複数の位置決めピン２３を配置して構成される。位置決め機構２１では、仮置きテーブル２２上に載置されたウェーハＷの外周縁に複数の位置決めピン２３が突き当てられることで、ウェーハＷの中心が仮置きテーブル２２の中心に位置決めされる。

搬入手段３１は、基台１１上で旋回可能な搬入アーム３２の先端に搬入パッド３３を設けて構成される。搬入手段３１では、搬入パッド３３によって仮置きテーブル２２からウェーハＷが持ち上げられ、搬入アーム３２によって搬入パッド３３が旋回されることでチャックテーブル４２にウェーハＷが搬入される。搬出手段３６は、基台１１上で旋回可能な搬出アーム３７の先端に搬出パッド３８を設けて構成される。搬出手段３６では、搬出パッド３８によってチャックテーブル４２からウェーハＷが持ち上げられ、搬出アーム３７によって搬出パッド３８が旋回されることでチャックテーブル４２からウェーハＷが搬出される。

洗浄機構２６は、スピンナーテーブル（チャックテーブル）２７に向けて洗浄水及び乾燥エアーを噴射する各種ノズル（不図示）を設けて構成される。洗浄機構２６では、ウェーハＷを保持したスピンナーテーブル２７が基台１１内に降下され、基台１１内で洗浄水が噴射されてウェーハＷがスピンナー洗浄された後、乾燥エアーが吹き付けられてウェーハＷが乾燥される。搬入手段３１及び搬出手段３６の後方には、４つのチャックテーブル４２が周方向に均等間隔で、回転可能に配置されたターンテーブル４１が設けられている。各チャックテーブル４２の上面には、ウェーハＷを保持する保持面４３が形成されている。

ターンテーブル４１が９０度間隔で間欠回転することで、ウェーハＷが搬入及び搬出される搬入出位置、粗研削手段４６に対峙する粗研削位置、仕上げ研削手段５１に対峙する仕上げ研削位置、研磨手段５６に対峙する研磨位置に順に位置付けられる。粗研削位置では、粗研削手段４６によってウェーハＷが所定の厚みまで粗研削される。仕上げ研削位置では、仕上げ研削手段５１によってウェーハＷが仕上げ厚みまで仕上げ研削される。研磨位置では、研磨手段５６によってウェーハＷが研磨される。ターンテーブル４１の周囲には、コラム１２、１３、１４が立設されている。

コラム１２には、粗研削手段４６を上下動させる駆動機構６１が設けられている。駆動機構６１は、コラム１２の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール６２と、一対のガイドレール６２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸スライダ６３とを有している。Ｚ軸スライダ６３の前面には、ハウジング６４を介して粗研削手段４６が支持されている。Ｚ軸スライダ６３の背面側にはボールネジ６５が螺合されており、ボールネジ６５の一端には駆動モータ６６が連結されている。駆動モータ６６によってボールネジ６５が回転駆動され、粗研削手段４６がガイドレール６２に沿ってＺ軸方向に移動される。

同様に、コラム１３には、仕上げ研削手段５１を上下動させる駆動機構７１が設けられている。駆動機構７１は、コラム１３の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール７２と、一対のガイドレール７２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸スライダ７３とを有している。Ｚ軸スライダ７３の前面には、ハウジング７４を介して仕上げ研削手段５１が支持されている。Ｚ軸スライダ７３の背面側にはボールネジ７５が螺合されており、ボールネジ７５の一端には駆動モータ７６が連結されている。駆動モータ７６によってボールネジ７５が回転駆動され、仕上げ研削手段５１がガイドレール７２に沿ってＺ軸方向に移動される。

粗研削手段４６のスピンドル４７の下端にはマウント４８が設けられ、マウント４８の下面に複数の粗研削砥石５０が環状に配設された粗研削用の研削ホイール４９が装着される。粗研削砥石５０は、例えば、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成される。また、仕上げ研削手段５１のスピンドル５２の下端にはマウント５３が設けられ、マウント５３の下面に複数の仕上げ研削砥石５５が環状に配設された仕上げ研削用の研削ホイール５４が装着される。仕上げ研削砥石５５は、粗研削砥石５０よりも粒径が細かい砥粒で構成される。

コラム１４には、研磨手段５６をウェーハＷに対して所定の研磨位置に位置付ける駆動機構８１が設けられている。駆動機構８１は、コラム１４の前面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール８２と、一対のガイドレール８２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸スライダ８３とを有している。また、駆動機構８１は、Ｙ軸スライダ８３の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール８４と、一対のガイドレール８４にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸スライダ８５とを有している。Ｚ軸スライダ８５の前面には、ハウジング８６を介して研磨手段５６が支持されている。

Ｙ軸スライダ８３、Ｚ軸スライダ８５の背面側にはボールネジ（不図示）が螺合されており、ボールネジの一端には駆動モータ８７、８８が連結されている。駆動モータ８７、８８によってボールネジが回転駆動され、研磨手段５６がガイドレール８２、８４に沿ってＹ軸方向及びＺ軸方向に移動される。研磨手段５６のスピンドル９３の下端にはマウント９４が設けられ、マウント９４の下面に発泡材や繊維質等で形成された研磨パッド９５が装着されている。研磨パッド９５によるウェーハＷの研磨により、ウェーハＷに残された研削ダメージが除去される。

このような研削研磨装置１では、カセットＣＴ内からウェーハＷが位置決め機構２１に搬送されて、位置決め機構２１でウェーハＷがセンタリングされる。次に、チャックテーブル４２上にウェーハＷが搬入され、ターンテーブル４１の回転によってウェーハＷが粗研削位置、仕上げ研削位置、研磨位置の順に位置付けられる。粗研削位置ではウェーハＷの裏面が粗研削加工され、仕上げ研削位置ではウェーハＷの裏面が仕上げ研削加工され、これら研削加工によってウェーハＷが所定の仕上げ厚みまで薄厚化される。この薄厚化によって、ウェーハＷの裏面に先ダイシング法による切削溝が表出し、ウェーハＷが個々の半導体チップＣに分割されて個片化済みウェーハＷａとなる（図２参照）。粗研削加工及び仕上げ研削加工の実施後に、研磨位置では個片化済みウェーハＷａが研磨加工される。そして、チャックテーブル４２からスピンナーテーブル２７に個片化済みウェーハＷａが搬送された後、洗浄機構２６で個片化済みウェーハＷａが洗浄され、洗浄機構２６からカセットＣＴへ洗浄された個片化済みウェーハＷａが搬出される。

次いで、図２を参照して、本実施の形態のチャックテーブル機構と搬送パッドとについて説明する。図２は、チャックテーブル機構及び搬送パッドの概略構成図である。図２に示すように、本実施の形態のチャックテーブル機構１００は、上記のチャックテーブル４２を含んで構成される。チャックテーブル機構１００は、４つのチャックテーブル４２（図１参照）を有しているが、各チャックテーブル４２は同様の構成となるので、１つのチャックテーブル４２について図示、説明する。チャックテーブル４２は、その上面を形成する多孔性部材４２ａを備え、多孔性部材４２ａは、無数の吸引孔を備えたポーラスセラミックス等からなる。この多孔性部材４２ａによってチャックテーブル４２の上面にウェーハＷを吸引保持する保持面４３が形成される。また、チャックテーブル４２には、保持面４３に連通する連通路４２ｂが形成されている。

本実施の形態のチャックテーブル機構１００において、連通路４２ｂには、吸引通路１０１を介して吸引源１０２が連通されている。また、吸引通路１０１には、ブロー流体供給通路１０３を介してブロー流体供給源（ブロー流体）１０４が接続され、言い換えると、連通路４２ｂに吸引通路１０１及びブロー流体供給通路１０３を介してブロー流体供給源１０４が接続される。吸引通路１０１の吸引源１０２近傍には第１の電磁開閉弁１０５が配設され、ブロー流体供給通路１０３には第２の電磁開閉弁１０６が配設されている。第１の電磁開閉弁１０５を開路すると、吸引源１０２が吸引通路１０１及び連通路４２ｂを介して保持面４３に連通して保持面４３に当接する保護テープＴに吸引力が付与される。第２の電磁開閉弁１０６を開路すると、ブロー流体供給源１０４からブロー流体供給通路１０３、吸引通路１０１及び連通路４２ｂを通じて保持面４３にブロー流体が供給され保持面４３での吸引が解除される。ブロー流体としては圧縮空気と水との混合流体が例示できる。

吸引通路１０１における連通路４２ｂ近傍には圧力検出手段１０７が配設され、圧力検出手段１０７は吸引通路１０１内の圧力を検出する。吸引通路１０１の圧力検出手段１０７と第１の電磁開閉弁１０５との間で分岐して解放経路１０８が設けられている。解放経路１０８には解放開閉弁１０９が配設され、解放開閉弁１０９を開路することで解放経路１０８が大気解放される。そして、この大気解放によって負圧となる吸引通路１０１及び連通路４２ｂを圧力上昇させることができる。

また、本実施の形態のチャックテーブル機構１００は、圧力検出手段１０７からの検出信号に基いて第１の電磁開閉弁１０５、第２の電磁開閉弁１０６及び解放開閉弁１０９を制御する制御手段１１１を具備している。制御手段１１１は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。なお、ここでは説明を省略したが、４つのチャックテーブル４２それぞれが上記と同様にして弁や通路を介して吸引源１０２、ブロー流体供給源１０４が連通され、制御手段１１１による制御によって保持面４３での吸引が制御される。

チャックテーブル４２の保持面４３では、個片化済みウェーハＷａが保護テープＴを介して吸引保持される。チャックテーブル４２の保持面４３上からの個片化済みウェーハＷａの搬送（搬出）は、搬送パッド３８によって行われる。搬送パッド３８の下面には吸引保持面３８ａが形成され、吸引保持面３８ａは個片化済みウェーハＷａやウェーハＷ（図１参照）の外径に相当する径寸法に形成されている。搬送パッド３８には、吸引保持面３８ａに連通する連通路（不図示）が形成され、連通路には、吸引通路３８ｂを介して吸引源３８ｃが連通されている。吸引通路３８ｂには、搬送パッド用電磁弁３８ｄが設けられている。チャックテーブル４２の保持面４３上から個片化済みウェーハＷａを搬送する場合、搬送パッド３８の吸引保持面３８ａを個片化済みウェーハＷａの上面（裏面）に当接させる。この当接した状態で、搬送パッド用電磁弁３８ｄを開路するように作動し、吸引源３８ｃを吸引保持面３８ａと連通することで個片化済みウェーハＷａが吸引保持面３８ａに吸引保持される（図４参照）。

ところで、保護テープＴは、研削加工を行う前のウェーハＷ（図１参照）に貼着されるが、その貼着条件は多様なものとなり、また、貼着時に保護テープＴの皺の発生や気泡の混入を防止するため、保護テープＴに貼着テンション（張力）を付与しながら貼着される場合が多い。従って、保護テープＴには貼着テンションが残存し、この貼着テンションはウェーハＷに反りを生じさせる方向に作用する。但し、研削前のウェーハＷは厚みが大きいので、保護テープＴに貼着テンションが残存してもウェーハＷの剛性によって反りを抑制して搬送パッド３３でカセットＣＴ（何れも図１参照）からチャックテーブル４２に搬送が行える。一方、個片化した半導体チップＣからなる個片化済みウェーハＷａでは、複数に分割されるために保護テープＴの貼着テンションに抗する力が発揮できなくなる。このため、保護テープＴを介して保持面４３で吸引保持された状態でも個片化済みウェーハＷａ及び保護テープＴの平滑性を維持できるようチャックテーブル４２にて比較的高吸引力で吸引保持される。

ここで、保護テープＴが貼着された個片化済みウェーハＷａの従来の搬送方法にあっては、搬送パッド３８の吸引保持面３８ａで個片化済みウェーハＷａを比較的弱い吸引力で吸引保持した後、チャックテーブル４２による吸引保持の解除が瞬間的に実施される。このため、保持面４３による高吸引力で平滑性が維持されていた保護テープＴの貼着テンションが瞬間的に規制を受けなくなって大きく収縮し易くなる。この結果、保護テープＴが貼着された個片化済みウェーハＷａの反りが大きくなり、搬送パッド３８の吸引保持面３８ａから離れて落下したり搬送エラーが生じたりする。

そこで、本実施の形態では、チャックテーブル４２による吸引保持の解除が瞬間的に実施されるときに保護テープＴの反りが大きくなる点に着目して、かかる吸引保持の解除を以下に述べるように段階的に解除している。これにより、保護テープＴの反りを抑制して搬送パッド３８の吸引保持面３８ａに個片化済みウェーハＷａが当接した状態を良好に維持でき、搬送パッド３８から個片化済みウェーハＷａが落下したりせずに搬送することができる。

以下、図２に加えて、図３及び図４を参照して、本実施の形態の個片化済みウェーハＷａの搬送方法の流れについて説明する。図２乃至図４は、本実施の形態の搬送方法における各ステップの説明図である。図２は、当接ステップの説明図、図３は、解放開閉弁開路ステップの説明図、図４は、離脱ステップの説明図である。なお、図２乃至図４に示す各ステップは、あくまでも一例に過ぎず、この構成に限定されるものではない。

図２に示すように、まず当接ステップを実施する。ここでは、チャックテーブル４２の保持面４３にて個片化済みウェーハＷａが保護テープＴを介して吸引保持されているものとする。具体的には、第２の電磁開閉弁１０６及び解放開閉弁１０９がそれぞれ閉路された状態で、第１の電磁開閉弁１０５が開路され、保持面４３と吸引源１０２とが連通して保持面４３に当接する保護テープＴが吸引保持されている。この状態で、当接ステップでは、搬送パッド３８を移動して吸引保持面３８ａを個片化済みウェーハＷａの上面（裏面）に当接する。

図３に示すように、当接ステップを実施した後には解放開閉弁開路ステップを実施する。解放開閉弁開路ステップでは、図２に示した状態から解放開閉弁１０９を開路して解放経路１０８を大気解放する。この解放によって、解放開閉弁１０９から外部の空気が解放経路１０８を通じて吸引通路１０１内に流れ込んで吸引通路１０１及び連通路４２ｂの負圧を弱め、個片化済みウェーハＷａに貼着された保護テープＴを吸引保持する吸引力を低減させる。この吸引力の低減では、吸引通路１０１内の空気が吸引源１０２によって吸引されつつ、解放開閉弁１０９の開路によって外部の空気が流れ込むので、吸引通路１０１内の圧力が比較的ゆっくりと上昇される。これにより、保護テープＴの貼着テンションを徐々に解放させることができる。

解放開閉弁開路ステップでは、制御手段１１１において、圧力検出手段１０７が検出した検出信号となる吸引通路１０１内の圧力値を所定の閾値と比較し、かかる閾値より圧力値が上昇するまで解放開閉弁１０９の開路が継続される。なお、解放開閉弁開路ステップでは、解放開閉弁１０９の開路を継続することに替えて、開閉を複数回断続的に行うよう制御して吸引力を低減させるようにしてもよい。

図４に示すように、解放開閉弁開路ステップを実施した後には離脱ステップを実施する。離脱ステップでは、制御手段１１１において、圧力検出手段１０７が検出した吸引通路１０１内の圧力値が上記閾値より上昇したら、図３に示した状態から第１の電磁開閉弁１０５、第２の電磁開閉弁１０６及び解放開閉弁１０９を作動する。具体的には、第１の電磁開閉弁１０５を閉路し、吸引源１０２からの吸引力の供給を停止する。また、解放開閉弁１０９を閉路し、吸引通路１０１に外部の空気が流れ込むことを規制する。更に、第２の電磁開閉弁１０６を開路し、ブロー流体供給源１０４からブロー流体を吸引通路１０１に供給して吸引通路１０１内の圧力を上昇して保持面４３による吸引力を解除する。

その後、搬送パッド用電磁弁３８ｄを開路して吸引源３８ｃを吸引保持面３８ａと連通する。これにより、搬送パッド３８の吸引保持面３８ａに当接している個片化済みウェーハＷａに吸引力を付与され、個片化済みウェーハＷａが吸引保持面３８ａに吸引保持される。この吸引保持後、搬送パッド３８を上昇することで、個片化済みウェーハＷａをチャックテーブル４２から離脱する。

以上のように、本実施の形態のチャックテーブル機構１００を用いた搬送においては、圧力検出手段１０７が検出した圧力値が所定の閾値まで上昇するまで、吸引通路１０１への吸引源１０２による吸引と大気解放とが同時に行われる。その後、圧力検出手段１０７が検出した圧力値が所定の閾値まで上昇するとブロー流体が供給されて吸引保持が解除される。従って、チャックテーブル４２の吸引力を瞬間的に下げずに段階的に低減でき、保護テープＴに残存した貼着テンションも段階的に解放することができる。これにより、離脱ステップで保護テープＴが貼着された個片化済みウェーハＷａに反りが生じることを抑制でき、搬送パッド３８の吸引保持面３８ａから保護テープＴが部分的に離れて吸引力が十分に作用しなくなることを回避することができる。この結果、搬送パッド３８での吸引力が安定して作用するようになり、個片化済みウェーハＷａが落下したり、意図しない位置に搬送される搬送エラーが生じたりすることを防止することができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状、方向などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。

例えば、チャックテーブル機構１００を構成するチャックテーブルは、研削や研磨を実施する際に加工対象物となるウェーハＷを吸引保持するチャックテーブル４２に限定されず、洗浄機構２６のスピンナーテーブル２７等に変更してもよい。この場合、スピンナーテーブル２７は、図２に示すチャックテーブル４２と同様に構成され、また、洗浄された個片化済みウェーハＷａは、搬送パッドによって転写装置等に搬送される。

以上説明したように、本発明は、保護テープが貼着された半導体ウェーハ等の板状物を良好に搬送することができるという効果を有し、特に、チャックテーブルの保持面から個片化済みウェーハを搬送する搬送方法に有用である。

３８ 搬送パッド
３８ａ 吸引保持面
４２ チャックテーブル
４３ 保持面
１００ チャックテーブル機構
１０１ 吸引通路
１０２ 吸引源
１０３ ブロー流体供給通路
１０４ ブロー流体供給源（ブロー流体）
１０５ 第１の電磁開閉弁
１０６ 第２の電磁開閉弁
１０７ 圧力検出手段
１０８ 解放経路
１０９ 解放開閉弁
１１１ 制御手段
Ｃ 半導体チップ
Ｔ 保護テープ
Ｗ ウェーハ（板状部材、半導体ウェーハ）
Ｗａ 個片化済みウェーハ

Claims (2)

1. 保護テープが貼着された板状物の該保護テープを介して板状物を吸引保持する保持面及び該保持面に連通する連通路を備えたチャックテーブルと、
   該連通路に吸引通路を介して接続された吸引源と、
   該吸引通路の該吸引源近傍に配設された第１の電磁開閉弁と、
   該連通路にブロー流体供給通路を介して接続されたブロー流体と、
   該ブロー流体供給通路に配設された第２の電磁開閉弁と、を備えるチャックテーブル機構において、
   該連通路近傍の該吸引通路に配設され該吸引通路内の圧力を検出する圧力検出手段と、
   該吸引通路の該圧力検出手段と該第１の電磁開閉弁との間で分岐して解放開閉弁を介して大気解放される解放経路と、
   該圧力検出手段からの検出信号に基いて該第１の電磁開閉弁、該第２の電磁開閉弁及び解放開閉弁を制御する制御手段と、を備え、
   該制御手段は、該チャックテーブルに吸引保持された板状物の吸引保持を解除する際には、該解放開閉弁の開閉を制御し該圧力検出手段からの検出信号が所定値に上昇したら、該第１の電磁開閉弁を閉路するとともに該第２の電磁開閉弁を開路する、ことを特徴とするチャックテーブル機構。
2. 半導体ウェーハの表面側をハーフカットした後に該表面側に保護テープを貼着し裏面研削を行って個々の半導体チップに分割する先ダイシング方法によって半導体ウェーハを個片化した半導体チップが保護テープを介して吸引保持されている請求項１記載のチャックテーブル機構の該チャックテーブル保持面上から個片化済みウェーハを搬送する搬送方法であって、
   該半導体ウェーハの外径に相当する吸引保持面を有する搬送パッドの該吸引保持面を、該個片化済みウェーハの上面に当接する当接ステップと、
   該チャックテーブル機構の該解放開閉弁の開閉を制御して該個片化済みウェーハに貼着された保護テープを吸引保持する吸引力を低減させ、該保護テープの貼着テンションを解放させる解放開閉弁開路ステップと、
   該搬送パッド当接ステップ及び該解放開閉弁開路ステップを実施した後、該圧力検出手段からの検出信号が所定値に上昇したら該第１の電磁開閉弁を閉路するとともに該第２の電磁開閉弁を開路し、且つ該搬送パッドに当接している該個片化済みウェーハに吸引力を付与し、該搬送パッドを上昇させて該個片化済みウェーハを該チャックテーブルから離脱させる離脱ステップと、
   を含む搬送方法。

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