JP2017195260A - ガラス加工基板の製造方法、ガラス加工基板、マスクブランクスおよびインプリントモールド - Google Patents

Abstract

【課題】真空吸着の際にインプリントモールドに異常変形が生じ難く、さらにガラス屑が残留し難いガラス加工基板の製造方法。【解決手段】インプリントモールド用のガラス加工基板の製造方法は、（１）相互に対向する第１および第２の主表面を有するガラス板を準備する工程と、（２）前記ガラス板の前記第２の主表面に、底面および該底面を取り囲む側壁を有する凹部を形成する工程と、（３）前記（２）の工程の前、または前記（２）の工程の後に実施される、前記ガラス板の前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に、第１の保護層を設置する工程と、（４）前記ガラス板の前記第２の主表面に第２の保護層が設置された状態で、前記ガラス板をエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板をエッチングする工程と、を有する。【選択図】図６

Description

本発明は、ガラス加工基板の製造方法、ガラス加工基板、マスクブランクスおよびインプリントモールドに関する。

フォトリソグラフィ法の代替技術として、インプリント法が注目されている。インプリント法では、被転写基板と、所定のパターンを有するインプリントモールドとの間に、ＵＶ硬化性樹脂のような転写材が配置される。この状態で、インプリントモールドを被転写基板に押し付けることにより、転写材にインプリントモールドのパターンが転写される。さらに、転写材に光（紫外線）を照射させることにより、転写材が硬化される。その後、インプリントモールドを取り除くことにより、被加工基板の上に所望の転写材のパターンを形成することができる。

インプリント法では、インプリントモールドに設けられたパターンをそのまま被加工基板に転写することができるため、例えばインプリントモールドに微細なパターンを形成しておけば、ナノスケールのような微細なパターンを被加工基板に比較的容易に転写することができる（ナノインプリント法）。

通常、インプリント法に用いられるインプリントモールドは、一方の主表面の略中央に「メサ」と呼ばれる突出部を有し、反対側の主表面の略中央に「ザグリ」と呼ばれる非貫通孔を有する。

メサの先端には、被加工基板に転写されるパターンが形成されている。従って、インプリントモールドのメサを、転写材を介して被加工基板に押し付けることにより、被加工基板にパターンを転写することができる。

なお、インプリントモールドのザグリは、インプリントモールドのパターンを被加工基板に転写する際に、気泡の巻き込みを抑制するために使用される。

特開２０１５−２２３７８８号公報

インプリントモールドは、通常、ガラス板から製造される。

ガラス板にメサを形成する際には、以下の工程が実施される：
（ａ）ガラス板の第１の主表面の、後のメサに対応する領域に金属層を設置する；
（ｂ）ガラス板をエッチング溶液に浸漬させ、ガラス板をエッチングする；
（ｃ）金属層を除去することにより、第１の主表面にメサを有するガラス板を得る。

一方、ガラス板にザグリを形成する場合、ガラス板の第２の主表面の略中央部が研削および研磨される。

このようなメサおよびザグリを有するガラス板は、ガラス加工基板とも称される。

ところで、実際に、インプリント法により被加工基板にパターンを転写する場合、まず、インプリントモールドが、メサを外側に向けた状態で、ステージに取り付けられる。ステージは、略中央部に貫通孔を有し、該貫通孔の開口の周囲にチャック部を有する。このチャック部を用いてインプリントモールドを吸引することにより、インプリントモールドをステージに真空吸着させることができる。

ここで、従来のインプリントモールドでは、真空吸着の際に、インプリントモールドに不規則な変形が生じる場合が生じ得る。

これは、ガラス加工基板の製造過程において、ガラス板にメサを形成する際に、前述の（ｂ）に示したようなエッチング処理が実施されているためである。すなわち、エッチング処理後の第２の主表面（ザグリの部分を除く）は、比較的大きな凹凸、および／または段差を有する傾向があり、平坦度が大きくなり易い。そのため、前述のプロセスを経て製造されたインプリントモールドでは、第２の主表面とステージ（より具体的にはチャック部）との間に良好な接触状態が得られず、真空吸着の際にインプリントモールドに不規則な変形（以下、異常変形ともいう。）が生じ得る。

このようなインプリントモールドの異常変形は、メサの異常変形につながる可能性があり、その場合、被加工基板に転写パターンを高精度に転写することが難しくなるおそれがある。特に、ナノインプリント法では、ナノオーダーの極めて微細なパターンを被加工基板に転写する必要があり、メサの僅かの変形でも、パターンの精度は大きく低下してしまう。

なお、特許文献１に記載のガラス加工基板の製造方法では、ガラス板の第１の主表面にメサを形成するエッチング処理の際に、ガラス板の第２の主表面全体が被覆される。この場合、ガラス板の第２の主表面は、エッチング溶液に晒されず、上記問題は生じない可能性がある。

しかしながら、特許文献１に記載のガラス加工基板の製造方法では、ガラス板のエッチング処理を経ないため、ザグリを形成する際に生じ得るガラス屑や研磨スラリーが、ガラス加工基板に残留するおそれがある。そのようなガラス屑は、ガラス加工基板さらにはインプリントモールドを損傷させたり、インプリントプロセス中に脱落して、被加工基板の品質を低下させたりするおそれがある。

従って、特許文献１の方法は、前述の問題を解決する有効な対処法とは言えない。

本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、真空吸着の際に、インプリントモールドに異常変形が生じ難く、さらにガラス屑が残留し難いガラス加工基板の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明では、そのようなガラス加工基板、さらにはそのようなガラス基板を有するマスクブランクスおよびインプリントモールドを提供することを目的とする。

本発明では、メサおよびザグリを有する、インプリントモールド用のガラス加工基板の製造方法であって、
（１）相互に対向する第１および第２の主表面を有するガラス板を準備する工程と、
（２）前記ガラス板の前記第２の主表面に、底面および該底面を取り囲む側壁を有する凹部を形成する工程と、
（３）前記（２）の工程の前、または前記（２）の工程の後に実施される、前記ガラス板の前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に、第１の保護層を設置する工程と、
（４）前記ガラス板の前記第２の主表面に第２の保護層が設置された状態で、前記ガラス板をエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板をエッチングする工程と、
を有する、製造方法が提供される。

また、本発明では、メサおよびザグリを有する、インプリントモールド用のガラス加工基板の製造方法であって、
（１）相互に対向する第１および第２の主表面を有するガラス板を準備する工程と、
（２）前記ガラス板の前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に第１の保護層を設置し、前記ガラス板の前記第２の主表面に第２の保護層を設置する工程と、
（３）前記ガラス板を第１のエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板をエッチングする工程と、
（４）前記ガラス板の前記第２の主表面に、底面および該底面を取り囲む側壁を有する凹部を形成する工程と、
（５）前記ガラス板を、第２のエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板を再度エッチングする工程と、
を有する、製造方法が提供される。

また、本発明では、ガラス板を有するインプリントモールド用のガラス加工基板であって、
前記ガラス板は、相互に対向する第１および第２の主表面を有し、
前記第１の主表面には、メサが形成されており、該メサは、突出面と、該突出面を取り囲む側面とを有し、
前記第２の主表面には、ザグリが形成されており、該ザグリは、ザグリ底面と、該ザグリ底面を取り囲むザグリ側壁とを有し、
前記ザグリが形成された領域を除く前記第２の主表面の二乗平均粗さＲｍｓは、前記ザグリ底面の二乗平均粗さＲｍｓよりも小さい、ガラス加工基板が提供される。

また、本発明では、
メサおよびザグリを有するガラス加工基板と、
少なくとも前記メサの突出面に配置された導電膜と、
を有し、
前記ガラス加工基板は、前述のような特徴を有するガラス加工基板である、マスクブランクスが提供される。

さらに、本発明では、
メサおよびザグリを有するガラス加工基板と、
前記メサの突出面に形成されたパターンと、
を有し、
前記ガラス加工基板は、前述のような特徴を有するガラス加工基板である、インプリントモールドが提供される。

本発明では、真空吸着の際に、インプリントモールドに異常変形が生じ難く、さらにガラス屑や研磨スラリーが残留し難いガラス加工基板の製造方法を提供することができる。また、本発明では、そのようなガラス加工基板、さらにはそのようなガラス基板を有するマスクブランクスおよびインプリントモールドを提供することができる。

一般的なインプリントモールドの平面図である。 図１に示したインプリントモールドのＩ−Ｉ線に沿った断面図である。 従来のインプリントモールドを用いて被加工基板にパターンを転写する、インプリント法の一工程を模式的に示した図である。 従来のインプリントモールドを用いて被加工基板にパターンを転写する、インプリント法の一工程を模式的に示した図である。 従来のインプリントモールドの製造方法の一工程を概略的に示した図である。 本発明の一実施形態によるガラス加工基板の製造方法のフローを概略的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 本発明の一実施形態による別のガラス加工基板の製造方法のフローを概略的に示した図である。 図１６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図１６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図１６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図１６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図１６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図１６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 図１６に示した製造方法における各工程を模式的に示した図である。 本発明の一実施形態によるガラス加工基板の断面を模式的に示した図である。 サンプルの表面粗さの測定位置を概略的に示した図である。 サンプルの表面粗さの測定位置を概略的に示した図である。 サンプルの表面粗さの測定位置を概略的に示した図である。 サンプルの表面粗さの測定位置を概略的に示した図である。 サンプルの第２の主表面における平坦度の第１の測定対象領域を模式的に示した図である。 サンプルの第２の主表面における平坦度の第２の測定対象領域を模式的に示した図である。 サンプルの第２の主表面における平坦度の第３の測定対象領域を模式的に示した図である。 サンプルの第２の主表面における平坦度の第４の測定対象領域を模式的に示した図である。

以下、本発明の一実施形態について説明する。

まず、本願に使用される用語について説明する。

本願では、「メサ」および「ザグリ」を有するガラス板を、「ガラス加工基板」と称する。「メサ」および「ザグリ」は、それぞれ、ガラス板に形成された突出部および非貫通孔を意味する。「ガラス加工基板」は、ガラス板の第１の主表面にメサを形成し、第１の主表面とは反対側の第２の主表面にザグリを形成することにより製造される。

なお、ガラス加工基板の第１の主表面には、少なくともメサの突出面を覆うように導電膜が配置されても良い。そのような導電膜を有するガラス加工基板は、特に「マスクブランクス」とも称される。

ガラス加工基板において、メサの突出面に所望のパターンを形成することにより、「インプリントモールド」が製造できる。製造された「インプリントモールド」は、前述のようなインプリント法においてモールドとして使用することができる。

図１には、従来の一般的なインプリントモールドの平面図を示す。また、図２には、図１に示したインプリントモールドのＩ−Ｉ線に沿った断面図を示す。

図１および図２に示すように、インプリントモールド１（以下、単に「モールド１」と称する）は、ガラス板１０から構成される。ガラス板１０は、第１の主表面１２および第２の主表面１４を有する。

ガラス板１０の第１の主表面１２の略中央部には、メサ２０が形成されており、ガラス板１０の第２の主表面１４の略中央部には、ザグリ５０が形成されている。従って、このガラス板１０は、「ガラス加工基板」と呼ぶこともできる。なお、メサ２０の突出面２２には、所定のパターン８０が形成されている。

このような構成のモールド１は、インプリント法に利用される。以下、図３および図４を参照して、モールド１の具体的な使用例について説明する。

図３および図４には、インプリント法において、モールド１を用いて、被加工基板にパターンを転写する様子を模式的に示す。

図３に示すように、インプリント法では、まず、被加工基板９０の表面９２に、転写材９４が設置される。また、被加工基板９０の表面９２の側に、転写材９４を介して、モールド１が配置される。モールド１は、第１の主表面１２が被加工基板９０の表面９２と対面するように配置される。

次に、図３に示すように、モールド１を、メサ２０が凸状となるように変形（湾曲）させた状態で、被加工基板９０に接近させ、メサ２０のパターン８０を転写材９４に接触させる。そして、モールド１の被加工基板９０との接触領域を、メサ２０の中心部分から徐々に周囲に広げていく。

これは、通常、モールド１の変形が徐々に緩和されるように、モールド１を被加工基板９０に押し付けることにより、実施される。これにより、前記接触領域から外方に向かって気泡が移動するため、気泡が外部に抜けやすくなり、最終的に、転写材９４中に含まれる残留気泡を低減することができる。

図４に示すように、最終的には、モールド１は、完全に平坦な状態（変形のない状態）で、転写材９４を介して被加工基板９０の上に配置される。

その後、転写材９４が硬化処理される。通常、転写材９４は、ＵＶ硬化性樹脂で構成される。このため、図４に示した状態で、モールド１を介して、転写材９４に紫外線を照射することにより、転写材９４を硬化させることができる。その後、モールド１が取り外される。

このようなインプリント法より、モールド１のメサ２０のパターン８０を、被加工基板９０の表面９２に転写することができる。

（従来のインプリント用モールドの製造方法）
次に、図１および図２に示したような、従来のモールド１の製造方法について簡単に説明する。

従来のモールド１の製造方法（以下、単に「従来の製造方法」という）は、
（１）ガラス板の第１の主表面にメサを形成する工程と、
（２）ガラス板の第２の主表面にザグリを形成する工程と、
により、製造される。

このうち、（２）の工程は、例えば、ガラス板の第２の主表面の略中央部分を略円柱形状に研削し、その後、この円柱部分を研磨することにより実施される。

一方、（１）の工程は、
ガラス板の第１の主表面の、後にメサが形成される部分に金属層を形成する工程と、
ガラス板をエッチング溶液に浸漬させ、ガラス板をエッチングする工程と、
金属層を除去することにより、第１の主表面にメサを形成する工程と、
を含む。

以下、図５を参照して、前記（１）のメサを形成する工程について、より詳しく説明する。

図５には、メサを形成する際に実施される各工程を模式的に示す。

まず、図５（１）に示すように、ガラス板１０が準備される。ガラス板１０は、第１の主表面１２および第２の主表面１４を有する。なおこの例では、第２の主表面１４には、前述の（２）の工程により、既にザグリ５０が形成されている。

次に、図５（２）に示すように、ガラス板１０の第１の主表面１２に、金属層３０が設置される。金属層３０は、例えば、金属クロムのような材料で構成される。また、金属層３０の上に、レジスト層３２が設置される。

次に、一般的なフォトリソグラフィ法により、レジスト層３２のパターンが形成される。また、レジスト層を介して、金属層３０がエッチング処理される。

これにより、図５（３）に示すように、ガラス板１０の第１の主表面１２の略中央に、レジスト層３２および下側の金属層３０の残存部３５が形成される。換言すれば、レジスト層３２および金属層３０は、それぞれ、ガラス板１０の第１の主表面１２の略中央部分に残存する残留レジスト層３２ａおよび残留金属層３０ａ以外の部分が除去される。その後、残存部３５の残留レジスト層３２ａは、除去されても良い。

次に、図５（４）に示すように、残留金属層３０ａを有するガラス板１０が、エッチング溶液４０に浸漬される。このエッチング処理により、残留金属層３０ａで覆われていないガラス板１０の領域がエッチングされる。

例えば、図５（５）に示すように、残留金属層３０ａの下側部分を除くガラス板１０の第１の主表面１２は、第１のエッチング主表面１２ａとなり、ガラス板１０の第２の主表面１４は、第２のエッチング主表面１４ａとなる。

ここで、図５（５）に示すように、このエッチング処理後に得られる第１のエッチング主表面１２ａは、元の第１の主表面１２（図５（５）において破線で示されている）に比べて高さレベルが低下する。その結果、ガラス板１０第１のエッチング主表面１２ａに、残留金属層３０ａで覆われたメサ２０が形成される。

次に、図５（６）に示すように、メサ２０における残留金属層３０ａが除去される。これにより、ガラス板１０の第１のエッチング主表面１２ａに、突出面２２および側面２４を有するメサ２０が得られる。すなわち、ガラス加工基板６０が製造される。

その後は、得られたガラス加工基板６０において、メサ２０の突出面２２に所望のパターンを形成することにより、図１および図２に示したようなモールド１が形成される。

ところで、実際に、インプリント法により被加工基板９０にパターンを転写する場合、まず、モールド１が、メサ２０を外側に向けた状態（すなわち第２のエッチング主表面１４ａを内側にした状態）で、ステージに取り付けられる。ステージは、略中央に貫通孔を有し、該貫通孔の周囲にチャック部を有する。このチャック部を用いてモールド１を吸引することにより、モールド１をステージに真空吸着させることができる。

ここで、従来のモールド１では、真空吸着の際にモールド１に異常変形が生じる場合が生じ得る。

これは、従来の製造方法では、ガラス板１０にメサ２０を形成する際に、前述のようなエッチング処理が実施されるためである。すなわち、エッチング処理後に得られる第２のエッチング主表面１４ａは、比較的大きな凹凸および／または段差を有し、従って平坦度ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ Ｒｅａｄｉｎｇ）が悪化した状態にある。そのため、前述のようなプロセスを経て製造されたモールド１では、第２のエッチング主表面１４ａとステージ（より具体的にはチャック部）との間に良好な接触状態が得られず、真空吸着の際にモールド１に異常変形が生じてしまう。ここで、平坦度ＴＩＲは、最小二乗平面を基準とした際の最高点と最低点の距離の合計を表す。

このようなステージ設置の際のモールド１の異常変形は、メサ２０の変形（例えば、ねじれなど）につながる可能性がある。そして、メサ２０にそのような変形が生じると、被加工基板９０に転写パターンを高精度に転写することが難しくなるおそれがある。特に、ナノインプリント法では、ナノオーダーの極めて微細なパターンを被加工基板に転写する必要があり、メサ２０の僅かの変形でも、パターンの精度は大きく低下してしまう。

なお、前述の特許文献１に記載のモールドの製造方法では、メサを形成するエッチング処理の際に、ガラス板のザグリを含む第２の主表面全体が被覆される。この場合、ガラス板の第２の主表面は、エッチング溶液に晒されず、従って上記問題は生じない可能性がある。

しかしながら、特許文献１に記載のモールドの製造方法では、メサの形成の際にガラス板のザグリ部分がエッチング処理されない。このため、ザグリを形成した際に生じたガラス屑および研磨スラリー等の異物は、ガラス加工基板さらにはモールドに、そのまま残留するおそれがある。そのような異物は、その後の工程でガラス加工基板およびモールドを損傷させたり、インプリントプロセス中にモールドから脱落して、被加工基板の品質を低下させたりするおそれがある。

従って、特許文献１の方法は、真空吸着の際のモールドの異常変形を抑制する、有効な対処法とは言えない。

これに対して、本発明では、後に詳しく説明するように、製造過程で異物が残留し難い上、ステージとの真空吸着の際にメサに異常変形が生じ難い、インプリントモールド用のガラス加工基板の製造方法を提供することが可能になる。

（本発明の一実施形態によるガラス加工基板の製造方法）
次に、図６〜図１５を参照して、本発明の一実施形態によるガラス加工基板の製造方法の一例について説明する。

図６には、本発明の一実施形態によるガラス加工基板の製造方法（以下、「第１の製造方法」と称する）のフローを概略的に示す。また、図７〜図１５には、第１の製造方法における各工程を模式的に示す。

図６に示すように、第１の製造方法は、
（１）相互に対向する第１および第２の主表面を有するガラス板を準備する工程（工程Ｓ１１０）と、
（２）前記ガラス板の前記第２の主表面に凹部を形成する工程（工程Ｓ１２０）と、
（３）前記ガラス板の前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に、第１の保護層を設置する工程（工程Ｓ１３０）と、
（４）前記ガラス板の前記第２の主表面に第２の保護層が設置された状態で、前記ガラス板をエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板をエッチングする工程（工程Ｓ１４０）と、
（５）前記第１の保護層を除去する工程（工程Ｓ１５０）と、
を有する。

なお、工程Ｓ１３０は、必ずしも工程Ｓ１２０の後に実施される必要はなく、例えば、工程Ｓ１３０は、工程Ｓ１２０の前に実施されても良い。また、工程Ｓ１５０は、省略されても良い。

以下、図７〜図１５を参照して、各工程について説明する。

（工程Ｓ１１０）
まず、ガラス加工基板の素材となるガラス板が準備される。

図７には、ガラス板の斜視図の一例を概略的に示す。

図７に示すように、ガラス板１１０は、相互に対向する第１の主表面１１２および第２の主表面１１４を有する。また、ガラス板１１０は、第１の主表面１１２と第２の主表面１１４を接続する側端面１１６を有する。

ガラス板１１０の組成は、特に限られない。ガラス板１１０は、例えば石英ガラスで構成されても良い。

また、図７に示した例では、ガラス板１１０は、略矩形状である。しかしながら、これは単なる一例であって、ガラス板１１０の形状は、特に限られない。

ガラス板１１０は、第１の主表面１１２および第２の主表面１１４が研磨された状態で、提供されても良い。例えば、第１の主表面１１２は、１５ｎｍ〜１３５０ｎｍの平坦度ＴＩＲ、および／または０．００１ｎｍ〜０．０３ｎｍの二乗平均粗さＲｍｓを有しても良い。第２の主表面についても同様である。

ここで、第１の主表面１１２の平坦度ＴＩＲは、第１の主表面１１２の略中央における１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域を最小二乗平面の基準としたときの値である。

（工程Ｓ１２０）
次に、図８に示すように、ガラス板１１０の第２の主表面１１４に凹部１４５が形成される。

凹部１４５は、ガラス板１１０の第２の主表面１１４の略中央に形成される。凹部１４５は、底面１４７と、該底面１４７を取り囲む側壁１４９とを有する。通常の場合、凹部１４５は、略円柱状または略四角柱状の形状を有する。

凹部１４５は、例えば、ガラス板１１０の第２の主表面１１４を研削処理し、さらに研磨処理することにより形成される。

研削処理工程は、研削液を供給しながら、砥石でガラス板１１０を研削することにより実施される。砥石は、粒度の異なる複数のものを用意し、徐々に粒度を細かくして、研削しても良い。研磨処理工程は、研磨スラリーを供給しながら、研磨パッドを用いて、ガラス板１１０を研磨することにより実施される。

この段階において、凹部１４５の底面１４７は、通常、第２の主表面１１４よりも大きな二乗平均粗さＲｍｓ、および第２の主表面１１４よりも大きな平坦度ＴＩＲを有する。例えば、凹部１４５の底面１４７は、０．０３ｎｍ〜１ｎｍの範囲の二乗平均粗さＲｍｓを有しても良い。また、凹部１４５の底面１４７は、１．５μｍ〜２０μｍの範囲の平坦度ＴＩＲを有しても良い。

ここで、凹部１４５の底面１４７の平坦度ＴＩＲは、底面１４７の略中央における６２ｍｍφの領域を最小二乗平面の基準としたときの値である。

なお、図８には示されていないが、凹部１４５は、第２の主表面１１４の開口部、すなわち第２の主表面１１４と側壁１４９の交差部に、Ｃ面取り部を有しても良い。また、凹部１４５は、底面１４７と側壁１４９の交差部に、Ｒ面取り部を有しても良い。

なお、この凹部１４５は、後述する工程Ｓ１４０の後にザグリとなる。換言すれば、凹部１４５は、後にこの部分がザグリを構成するように、形状および寸法が定められる。

（工程Ｓ１３０）
次に、ガラス板１１０の第１の主表面１１２の略中央部分に、第１の保護層が配置される。以下、図９〜図１１を参照して、この工程Ｓ１３０について詳しく説明する。

まず、図９に示すように、ガラス板１１０の第１の主表面１１２の全体を覆うように、第１の保護層１３０が設置される。

第１の保護層１３０を構成する材料は、以降のエッチング処理（工程Ｓ１４０参照）の際にガラス板１１０を保護することができる材料である限り、特に限られない。

第１の保護層１３０は、クロムを含む材料、例えば、金属クロム、クロム窒化物、クロム酸化物、クロム炭化物、クロム炭窒化物、クロム酸窒化物、およびクロム炭窒化物の少なくとも一つを含んでも良い。

また、第１の保護層１３０は、モリブデンを含む材料、例えば、金属モリブデン、モリブデン窒化物、モリブデン酸化物、モリブデン炭化物、モリブデン炭窒化物、モリブデン酸窒化物、およびモリブデン炭窒化物の少なくとも一つを含んでも良い。

また、第１の保護層１３０は、タンタルを含む材料、例えば、ＴａＨｆ，ＴａＺｒ、およびＴａＨｆＺｒなどの化合物の少なくとも一つを含んでも良い。

また、第１の保護層１３０は、タンタルの化合物に、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃ、および／またはＮ等が添加された材料で構成されても良い。

また、第１の保護層１３０は、金、アルミニウム、鉄、亜鉛、チタン、およびタングステンの少なくとも一つを含んでも良い。

なお、第１の保護層１３０は、単層であっても、複数の層で構成されても良い。

第１の保護層１３０を形成する方法は、特に限られない。第１の保護層１３０は、例えば、スパッタ法、蒸着法、化学気相成膜（ＣＶＤ）法、または原子層成膜（ＡＬＤ）法により、形成されても良い。

第１の保護層１３０の厚さは、特に限られないが、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍの範囲である。

次に、図１０に示すように、第１の保護層１３０の上に、レジスト層１３２が設置される。

レジスト層１３２は、特に限られない。レジスト層１３２としては、従来から使用されているものを適用することができる。また、レジスト層１３２を設置する方法は、特に限られない。レジスト層１３２は、例えば、スピンコータまたはスプレーコータにより、第１の保護層１３０の上に設置しても良い。

レジスト層１３２の厚さは、特に限られないが、例えば、１００ｎｍ〜５μｍの範囲である。

次に、一般的なフォトリソグラフィ法により、レジスト層１３２のパターンが形成される。この工程には、例えば、ステッパー、アライナー、レーザ描画装置、または電子線描画装置を用いても良い。

次に、レジスト層１３２を介して第１の保護層１３０がエッチング処理される。第１の保護層１３０がクロムを含む場合、エッチング溶液として、例えば、クロムのエッチャントとして知られる、硝酸セリウム（ＩＶ）アンモニウム溶液が使用されても良い。

これにより、図１１に示すように、ガラス板１１０の第１の主表面１１２の略中央部分に、レジスト層１３２および下側の第１の保護層１３０を有する残存部１３５が形成される。換言すれば、レジスト層１３２および第１の保護層１３０は、それぞれ、ガラス板１１０の第１の主表面１１２の略中央部分に残存する残留レジスト層１３２ａおよび残留保護層１３０ａの部分を除いて除去される。

その後、残留レジスト層１３２ａは、選択的に除去されても良い。

なお、本工程の実施後には、ガラス板１１０の第１の主表面は、本工程の実施前の状態から幾分変化している可能性がある。しかしながら、説明の簡略化のため、ここでは、この工程によって得られる第１の主表面も、同じ参照符号「１１２」で表すことにする。

このような工程を経て、ガラス板１１０第１の主表面１１２の略中央部分に、第１の保護層１３０（残留保護層１３０ａ）を配置することができる。

なお、前述のように、この工程Ｓ１３０は、必ずしも、工程Ｓ１２０の後に実施される必要はない。例えば、工程Ｓ１３０は、工程Ｓ１２０の前に実施されても良い。

（工程Ｓ１４０）
次に、図１２に示すように、ガラス板１１０の第２の主表面１１４の凹部１４５を除く部分に、第２の保護層１３１が設置される。

第２の保護層１３１は、前述の第１の保護層１３０と同様の材料で構成されても良い。また、第２の保護層１３１は、前述の第１の保護層１３０と同様の方法で設置されても良い。

第２の保護層１３１の厚さは、特に限られないが、例えば、１００ｎｍ〜１０ｍｍの範囲である。

なお、第２の保護層１３１の設置は、必ずしもこの段階で実施される必要はなく、第２の保護層１３１の設置は、本工程Ｓ１４０においてガラス板１１０をエッチング処理する前の、いかなる段階で実施されても良い。

例えば、第２の保護層１３１の設置は、工程Ｓ１２０の前に実施されても良い。この場合、第２の保護層１３１は、ガラス板１１０の第２の主表面１１４全体に設置され、工程Ｓ１２０の後に、凹部１４５を除く第２の主表面１１４に、第２の保護層１３１が残留しても良い。

あるいは、第２の保護層１３１の設置は、工程Ｓ１２０と工程Ｓ１３０の間で実施されても良い。

次に、図１３に示すように、残留保護層１３０ａおよび第２の保護層１３１を有するガラス板１１０が、エッチング溶液１４０に浸漬される。

エッチング溶液１４０は、ガラスのエッチングに用いられる一般的なものが用いられる。例えば、フッ化水素酸、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合溶液、フッ化水素酸と硝酸または塩酸との混合溶液、アルカリ系洗剤、水酸化ナトリウム水溶液と水酸化アルカリ金属を含む水酸化アルカリ金属水溶液、ＡＰＭ（水酸化アンモニウムと過酸化水素水と水の混合水溶液）などが用いられる。アルカリ系洗剤の具体例としては、例えば、花王株式会社製のサンウォッシュ（登録商標）が挙げられる。

エッチング液としては、管理や制御、エッチングレートの速さ、コストの観点から、好ましくは、フッ化水素酸、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合溶液、フッ化水素酸と硝酸または塩酸との混合溶液が好ましい。いずれの場合も、フッ化水素酸の濃度は例えば０．０１質量％〜２５質量％である。

エッチング液の液温は、例えば１０℃〜７０℃、好ましくは１５℃〜２５℃である。エッチング液の液温が低すぎると、エッチングレートの速さが遅く、生産性が悪い。一方、エッチング液の液温が高過ぎると、水分が揮発するため、濃度管理が難しい。

このエッチング処理により、残留保護層１３０ａおよび第２の保護層１３１で覆われていないガラス板１１０の露出面がエッチングされる。

例えば、図１４に示すように、ガラス板１１０の残留保護層１３０ａの下側部分を除く第１の主表面１１２は、エッチング主表面１１２ａとなる。また、ガラス板１１０の凹部１４５の底面１４７は、エッチング底面１４７ａとなり、側壁１４９は、エッチング側壁１４９ａとなる。

これにより、凹部１４５がザグリ１５０となる。すなわち、ガラス板１１０の第２の主表面１１４に、エッチング底面１４７ａおよびエッチング側壁１４９ａを有するザグリ１５０が得られる。

凹部１４５の底面１４７のエッチング量は、特に限られないが、例えば、３ｎｍ〜６０μｍの範囲であっても良い。エッチング量が３ｎｍを下回ると、ガラス板１１０（特に凹部１４５）に付着している異物が十分に除去できない場合がある。また、エッチング量が６０μｍを超えると、ザグリ１５０のエッチング底面１４７ａの荒れが無視できなくなるおそれがある。

また、図１４に示すように、このエッチング処理後に得られるエッチング主表面１１２ａは、元の第１の主表面１１２（図１４において破線で示されている）に比べて、高さレベルが低下する。その結果、ガラス板１１０のエッチング主表面１１２ａに、残留保護層１３０ａで覆われたメサ１２０が形成される。

ここで、ガラス板１１０の第２の主表面１１４は、第２の保護層１３１で覆われているため、このエッチング工程を実施しても、第２の主表面１１４は、エッチングされない。従って、第１の製造方法では、ガラス板１１０の第２の主表面１１４の二乗平均粗さＲｍｓおよび平坦度ＴＩＲを、エッチング処理後にも所望の範囲に維持することが可能となる。

また、前述の工程Ｓ１２０においてガラス板１１０に凹部１４５を形成した際に、仮にガラス板１１０にガラス屑および研磨スラリー等の異物が残留していたとしても、そのような異物は、このエッチング工程において除去される。

ここで、第２の主表面１１４の平坦度ＴＩＲは、第２の主表面１１４の略中央における１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域から、凹部１４５およびその周囲１ｍｍの領域を除いた部分を最小二乗平面の基準としたときの値である。

（工程Ｓ１５０）
次に、図１５に示すように、残留保護層１３０ａが除去される。これにより、ガラス板１１０のエッチング主表面１１２ａに、突出面１２２および側面１２４を有するメサ１２０が得られる。また、これにより、メサ１２０およびザグリ１５０を有するガラス加工基板１６０が製造される。

なお、この段階において、第２の保護層１３１は、ガラス加工基板１６０から除去しても、除去しなくても良い。

特に、第２の保護層１３１が金属で構成される場合、そのような第２の保護層１３１は、ガラス加工基板１６０、さらにはこれから得られるマスクブランクスまたはインプリントモールドをステージ等に保持する際に、静電チャック用の膜として利用することができる。

また、必要な場合、得られたガラス加工基板１６０において、少なくともメサ１２０の突出面１２２を覆うように、導電膜を設置しても良い。これにより、インプリント用のマスクブランクスが製造される。

あるいは、メサ１２０の突出面１２２に、所望のパターンを形成しても良い。これにより、インプリントモールドが製造される。

このような第１の製造方法では、工程Ｓ１４０のエッチング工程において、第２の主表面１１４は、エッチングされない。そのため、第１の製造方法では、ガラス板１１０の第２の主表面１１４の二乗平均粗さＲｍｓおよび平坦度ＴＩＲを所望の値に維持することが可能となる。

従って、第１の製造方法で製造されるガラス加工基板をインプリントモールドとして適用した場合、ステージとの真空吸着の際にメサに異常変形が生じるという問題を、有意に抑制することができる。

また、第１の製造方法では、前述のように、凹部１４５を形成する際に生じた異物は、ステップＳ１４０のエッチング工程において除去される。このため、残留異物によって、製造されるガラス加工基板、さらにはマスクブランクスおよびインプリントモールドが、その後の工程で損傷を受けるという問題を有意に軽減または回避することが可能となる。さらに、インプリントプロセス中にインプリントモールドから残留異物が脱落して、被加工基板の品質が低下するという問題も、有意に軽減または回避することが可能となる。

以上、図６〜図１５を参照して、第１の製造方法について説明した。しかしながら、以上の記載は、単なる一例に過ぎず、いくつかのまたは全ての工程において、修正または変更等がなされても良い。

例えば、前述の工程Ｓ１４０では、第２の保護層１３１は、ガラス板１１０の第２の主表面１１４のみに設置される。しかしながら、この工程において、第２の保護層１３１は、さらに、ガラス板１１０の側端面１１６に設置されても良い。

この他にも各種変更および修正が可能である。

（本発明の一実施形態による別のガラス加工基板の製造方法）
次に、図１６〜図２３を参照して、本発明の一実施形態による別のガラス加工基板の製造方法の一例について説明する。

図１６には、本発明の一実施形態による別のガラス加工基板の製造方法（以下、「第２の製造方法」と称する）のフローを概略的に示す。また、図１７〜２３には、第２の製造方法における各工程を模式的に示す。

図１６に示すように、第２の製造方法は、
（１）相互に対向する第１および第２の主表面を有するガラス板を準備する工程（工程Ｓ２１０）と、
（２）前記ガラス板の前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に第１の保護層を設置し、前記ガラス板の前記第２の主表面に第２の保護層を設置する工程（工程Ｓ２２０）と、
（３）前記ガラス板を第１のエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板をエッチングする工程（工程Ｓ２３０）と、
（４）前記ガラス板の前記第２の主表面に、凹部を形成する工程（工程Ｓ２４０）と、
（５）前記ガラス板を、第２のエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板を再度エッチングする工程（工程Ｓ２５０）と、
を有する。

以下、図１７〜図２３を参照して、各工程について説明する。

（工程Ｓ２１０）
まず、ガラス加工基板の素材となるガラス板が準備される。なお、この工程は、前述の第１の製造方法における工程Ｓ１１０と同様である。そのため、ここでは、詳細な説明を省略する。

（工程Ｓ２２０）
次に、図１７に示すように、ガラス板１１０の第１の主表面１１２に、第１の保護層１７０が設置される。また、ガラス板１１０の第２の主表面１１４に、第２の保護層１７１が設置される。

第１の保護層１７０は、第１の主表面１１２の、後にメサが形成される領域に設置される。これに対して、第２の保護層１７１は、第２の主表面１１４の全面に設置される。

第１の保護層１７０を構成する材料は、後の工程Ｓ２３０におけるエッチング処理の際に、ガラス板１１０を保護することができる材料である限り、特に限られない。また、第２の保護層１７１を構成する材料は、後の工程Ｓ２３０および工程Ｓ２５０におけるエッチング処理の際に、ガラス板１１０を保護することができる材料である限り、特に限られない。

第１の保護層１７０は、前述の第１の製造方法における第１の保護層１３０と同様の材料で構成されても良い。また、第２の保護層１７１は、前述の第１の製造方法における第２の保護層１３１と同様の材料で構成されても良い。なお、第１の保護層１７０と第２の保護層１７１は、同様の材料で構成されても良い。

第１の保護層１７０および第２の保護層１７１の形成方法は、特に限られない。これらは、それぞれ、例えば、前述の第１の製造方法における第１の保護層１３０および第２の保護層１３１と同様の方法で形成されても良い。

例えば、第１の保護層１７０は、前述の第１の製造方法における工程Ｓ１３０のように、ガラス板１１０の第１の主表面１１２全体に所定の材料層を成膜した後、この材料層の上に、フォトリソグラフィ法によりパターン化されたレジスト層を形成し、材料層をエッチング処理することにより、形成されても良い。

第１の保護層１７０は、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍの範囲の厚さを有しても良い。また、第２の保護層１７１は、例えば、１００ｎｍ〜１０ｍｍの範囲の厚さを有しても良い。

（工程Ｓ２３０）
次に、ガラス板１１０の第１の主表面１１２がエッチング処理される（第１のエッチング処理）。第１のエッチング処理は、例えば、ガラス板１１０を第１のエッチング溶液に浸漬させることにより、実施されても良い。

第１のエッチング溶液は、フッ酸を含む溶液であっても良い。

図１８には、第１のエッチング処理後のガラス板１１０の断面形態を模式的に示す。

図１８に示すように、第１のエッチング処理により、ガラス板１１０の第１の主表面１１２において、第１の保護層１７０で被覆されていない部分がエッチングされる。例えば、ガラス板１１０の第１の主表面１１２のうち、第１の保護層１７０で被覆されていない部分は、エッチング主表面１１２ａとなる。

ここで、図１８に示すように、第１のエッチング処理後に得られるエッチング主表面１１２ａは、元の第１の主表面１１２に比べて、高さレベル（破線で示されている）が低下する。その結果、ガラス板１１０のエッチング主表面１１２ａに、第１の保護層１７０で覆われたメサ１２０が形成される。

一方、ガラス板１１０の第２の主表面１１４は、第２の保護層１７１で予め被覆されているため、この工程Ｓ２３０を実施しても、第２の主表面１１４は、エッチングされない。従って、第２の製造方法では、ガラス板１１０の第２の主表面１１４の二乗平均粗さＲｍｓおよび平坦度ＴＩＲを、第１のエッチング処理後にも所定の範囲に維持することが可能となる。

（工程Ｓ２４０）
次に、図１９に示すように、ガラス板１１０の第２の主表面１１４の略中央に、凹部１４５が形成される。凹部１４５は、後述する工程Ｓ２５０の後にザグリとなる。換言すれば、凹部１４５は、後にこの部分がザグリを構成するように、形状および寸法が定められる。

凹部１４５は、底面１４７と、該底面１４７を取り囲む側壁１４９とを有する。通常の場合、凹部１４５は、略円柱状または略四角柱状の形状を有する。

前述のように、凹部１４５は、例えば、ガラス板１１０の第２の主表面１１４を研削処理し、さらに研磨処理することにより形成される。

なお、図１９には示されていないが、凹部１４５は、第２の主表面１１４の開口部、すなわち第２の主表面１１４と側壁１４９の交差部に、Ｃ面取り部を有しても良い。また、凹部１４５は、底面１４７と側壁１４９の交差部に、Ｒ面取り部を有しても良い。

（工程Ｓ２５０）
次に、ガラス板１１０が第２のエッチング溶液に浸漬され、エッチング処理される（第２のエッチング処理）。

なお、第２のエッチング処理の前に、図２０に示すように、ガラス板１１０の第１の主表面１１２（正確には、エッチング主表面１１２ａ）に、第３の保護層１７２を設置しても良い。

第３の保護層１７２は、第１の保護層１７０が第２のエッチング工程で使用される第２のエッチング溶液に対して耐性を有さない場合、図２０に示すように、第１の保護層１７０を覆うように設置されても良い。あるいは、第１の保護層１７０が第２のエッチング溶液に対して耐性を有する場合、第３の保護層１７２は、第１の保護層１７０とは重ならないようにして、第１の主表面１１２に設置されても良い。

第３の保護層１７２を構成する材料は、第２のエッチング工程の際にガラス板１１０を保護することができる材料である限り、特に限られない。

第３の保護層１７２は、例えば、第１の保護層１７０または第２の保護層１７１と同様の材料で構成されても良い。また、第３の保護層１７２は、単層であっても、複数の層で構成されても良い。

第３の保護層１７２は、前述の第１の保護層１７０または第２の保護層１７１と同様の方法により形成されても良い。

第３の保護層１７２の水平部の厚さは、特に限られないが、例えば、２０ｎｍ〜１００μｍの範囲である。

ガラス板１１０のエッチング主表面１１２ａに第３の保護層１７２を設置することにより、エッチング主表面１１２ａが第２のエッチング溶液によってエッチングされることを回避することができる。

次に、図２１に示すように、ガラス板１１０が第２のエッチング溶液１４１に浸漬され、露出部がエッチング処理される。例えば、第２の主表面１１４に形成された凹部１４５がエッチング処理される。

第２のエッチング処理により、図２２に示すように、凹部１４５の底面１４７は、エッチング底面１４７ａとなり、側壁１４９は、エッチング側壁１４９ａとなる。

これにより、凹部１４５がザグリ１５０となる。すなわち、ガラス板１１０の第２の主表面１１４に、エッチング底面１４７ａおよびエッチング側壁１４９ａを有するザグリ１５０が得られる。

第２のエッチング処理における凹部１４５の底面１４７のエッチング量は、特に限られないが、例えば、３ｎｍ〜６０μｍの範囲であっても良い。エッチング量が３ｎｍを下回ると、工程Ｓ２４０においてガラス板１１０に付着した異物が十分に除去できない場合がある。また、エッチング量が６０μｍを超えると、ザグリ１５０のエッチング底面１４７ａの荒れが無視できなくなるおそれがある。

次に、図２３に示すように、第１の保護層１７０および第３の保護層１７２が除去される。なお、この段階において、第２の保護層１７１は、ガラス加工基板１６０から除去しても、除去しなくても良い。

特に、第２の保護層１７１が金属で構成される場合、そのような第２の保護層１７１は、ガラス加工基板１６０、さらにはこれから得られるマスクブランクスまたはインプリントモールドをステージ等に保持する際に、静電チャック用の膜として利用することができる。

以上の工程により、ガラス板１１０のエッチング主表面１１２ａに、突出面１２２および側面１２４を有するメサ１２０が得られるとともに、ガラス板１１０の第２の主表面１１４に、ザグリ１５０が得られる。

その結果、メサ１２０およびザグリ１５０を有するガラス加工基板１６０が製造される。

その後、必要な場合、得られたガラス加工基板１６０において、少なくともメサ１２０の突出面１２２を覆うように、導電膜を設置しても良い。これにより、インプリント用のマスクブランクスが製造される。

あるいは、メサ１２０の突出面１２２に、所望のパターンを形成しても良い。これにより、インプリントモールドが製造される。

このような第２の製造方法では、工程Ｓ２３０の第１のエッチング処理および工程Ｓ２６０の第２のエッチング処理のいずれにおいても、凹部１４５を除く第２の主表面１１４は、エッチングされない。そのため、第２の製造方法では、ガラス板１１０の第２の主表面１１４の二乗平均粗さＲｍｓおよび平坦度ＴＩＲを所望の値に維持することが可能となる。

従って、第２の製造方法で製造されるガラス加工基板をインプリントモールドとして適用した場合、ステージとの真空吸着の際にメサに異常変形が生じるという問題を、有意に抑制することができる。

また、第２の製造方法では、前述のように、凹部１４５を形成する際に生じた異物は、工程Ｓ２６０における第２のエッチング処理により除去される。このため、残留異物によって、製造されるガラス加工基板、さらにはマスクブランクスおよびインプリントモールドが、その後の工程で損傷を受けるという問題を有意に軽減または回避することが可能となる。さらに、インプリントプロセス中にインプリントモールドから残留異物が脱落して、被加工基板の品質が低下するという問題も、有意に軽減または回避することが可能となる。

以上、図１６〜図２３を参照して、第２の製造方法について説明した。しかしながら、以上の記載は、単なる一例に過ぎず、いくつかのまたは全ての工程において、修正または変更等がなされても良い。

例えば、前述の工程Ｓ２２０では、第２の保護層１７１は、ガラス板１１０の第２の主表面１１４全体を覆うように設置される。しかしながら、この工程において、第２の保護層１７１は、後に凹部１４５（すなわちザグリ１５０）が形成される部分を覆わないようにして、第２の主表面１１４に設置されても良い。

この場合、工程Ｓ２３０後に、ガラス板１１０の第２の主表面１１４に、マーキングパターン（くぼみ）を形成することができる。その後工程Ｓ２４０において、このくぼみを目安に、第２の主表面１１４に凹部１４５を形成することにより、後に得られるメサ１２０とザグリ１５０の中心線を、容易に一致させることが可能となる。

また、工程Ｓ２２０において、第２の保護層１７１は、さらに、ガラス板１１０の側端面１１６にも設置されても良い。同様に、工程Ｓ２５０において、第３の保護層１７２は、ガラス板１１０の側端面１１６にも設置されても良い。

さらに、前記第２の製造方法では、工程Ｓ２５０における第２のエッチング処理の前に、ガラス板１１０のエッチング主表面１１２ａが第３の保護層１７２で保護される。しかしながら、この第３の保護層１７２の設置は、必ずしも必要ではない。

すなわち、工程Ｓ２５０における第２のエッチング処理によって、ガラス板１１０のエッチング主表面１１２ａがさらにエッチングされても良い。この場合、例えば、工程Ｓ２３０における第１のエッチング処理、および工程Ｓ２５０における第２のエッチング処理におけるガラス板１１０の第１の主表面１１２のエッチング量を予め把握しておけば、両方のエッチング処理の後に、所定の高さのメサ１２０を得ることができる。

この他にも各種変更および修正が可能である。

（本発明の一実施形態によるガラス加工基板）
次に、図２４を参照して、本発明の一実施形態によるガラス加工基板の一構成例について説明する。

図２４には、本発明の一実施形態によるガラス加工基板（以下、「第１のガラス加工基板」と称する）の断面を模式的に示す。図２４に示すように、第１のガラス加工基板２００は、ガラス板２１０で構成される。

ガラス板２１０は、相互に対向する第１の主表面２１２および第２の主表面２１４と、両主表面２１２、２１４を接続する側端面２１６とを有する。ガラス板２１０の第１の主表面２１２の略中央部には、メサ２２０が形成されており、ガラス板２１０の第２の主表面２１４の略中央部には、ザグリ２５０が形成されている。

メサ２２０は、突出面２２２と、該突出面２２２を取り囲む側面２２４とで構成される。一方、ザグリ２５０は、ザグリ底面２４７と、該ザグリ底面２４７を取り囲むザグリ側壁２４９とで構成される。

ザグリ２５０とメサ２２０の中心軸は、実質的に一致する。

なお、図２４には示されていないが、第１のガラス加工基板２００は、さらに、第１の主表面２１２の側に、導電膜を有しても良い。

以下、第１のガラス加工基板２００の各部分について、より詳しく説明する。

（ガラス板２１０）
ガラス板２１０の組成は、特に限られない。例えば、ガラス板２１０は、ＳｉＯ_２を９０質量％以上含む石英ガラスであっても良い。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、紫外線の透過率が高いという特徴を有する。また、石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、熱膨張率が小さく、温度変化による凹凸パターンの寸法変化が小さいという特徴を有する。

ガラス板２１０が石英ガラスで構成される場合、石英ガラスは、ＳｉＯ_２の他に、ＴｉＯ_２含んでも良い。ＴｉＯ_２含有量が多いほど、ガラス板２１０の表面のＯＨ基の密度が大きくなり、転写材との親和性が高くなる。

例えば、石英ガラスは、ＳｉＯ_２を９０〜９８質量％、ＴｉＯ_２を２〜１０質量％含んでも良い。ＴｉＯ_２含有量が２〜１０質量％であると、室温付近での熱膨張率が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。

石英ガラスは、ＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２以外の微量成分を含んでも良いが、微量成分を含まないことが好ましい。

ガラス板２１０の形状および寸法は、特に限られない。ガラス板２１０は、例えば矩形状であっても良い。ガラス板２１０は、例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍの正方形状であっても良い。また、ガラス板２１０は、例えば、２．２ｍｍ〜１２．７ｍｍの範囲の厚さを有しても良い。

ガラス板２１０の第１の主表面２１２（メサ２２０を除く。以下同じ）は、０．０１ｎｍ〜１ｎｍの範囲の二乗平均粗さＲｍｓを有しても良い。また、ガラス板２１０の第１の主表面２１２は、０．０３μｍ〜１５００μｍの範囲の平坦度ＴＩＲを有しても良い。

一方、ガラス板２１０の第２の主表面２１４（ザグリ２５０を除く。以下同じ）は、０．０３ｎｍ以下の二乗平均粗さＲｍｓを有しても良い。また、ガラス板２１０の第２の主表面２１４は、１．５μｍ未満の平坦度ＴＩＲ、例えば１．０μｍ以下の平坦度ＴＩＲを有しても良い。

ここで規定されるガラス板２１０の第２の主表面２１４の平坦度ＴＩＲは、１５２ｍｍ×１５２ｍｍの寸法のガラス板における第２の主表面２１４のうち、周囲の５ｍｍの幅の領域、および中心から直径６６ｍｍφの領域を除いた部分において測定される平坦度ＴＩＲを意味する。

（メサ２２０）
メサ２２０は、突出面２２２および側面２２４を有するように構成される。メサ２２０の形状は、特に限られない。メサ２２０は、例えば、略円柱状、略四角柱状などの形状を有しても良い。

メサ２２０の突出面２２２の寸法は、特に限られない。例えば、メサ２２０の突出面２２２が矩形状に形成される場合、突出面２２２は、縦１０ｍｍ〜５５ｍｍ×横１０ｍｍ〜１０５ｍｍの寸法を有しても良い。

メサ２２０の高さ、すなわち側面２２４の高さは、例えば、１０ｎｍ〜５０μｍの範囲である。

メサ２２０の突出面２２２は、二乗平均粗さＲｍｓが０．００１ｎｍ〜０．０３ｎｍ、平坦度ＴＩＲが０.０１μｍ〜０．１μｍの範囲であっても良い。

ここで、メサ２２０の突出面２２２の平坦度ＴＩＲは、２６ｍｍ×３３ｍｍの寸法の突出面のうち、周囲１ｍｍの幅の領域を除いた部分における２４ｍｍ×３１ｍｍの領域を最小二乗平面の基準としたときの値である。

（ザグリ２５０）
ザグリ２５０は、ザグリ底面２４７およびザグリ側壁２４９を有するように構成される。ザグリ２５０の形状は、特に限られない。ザグリ２５０は、例えば、略円柱状、略四角柱状などの形状を有しても良い。

ザグリ２５０が略円柱状の形態を有する場合、ザグリ底面２４７の直径は、６０ｍｍ〜１１６ｍｍの範囲であっても良い。一方、ザグリ２５０の深さ、すなわちザグリ側壁２４９の高さは、例えば、３ｍｍ〜６ｍｍの範囲である。

ザグリ２５０のザグリ底面２４７は、ガラス板２１０の第２の主表面２１４よりも大きな二乗平均粗さＲｍｓを有する。例えば、ザグリ２５０のザグリ底面２４７は、二乗平均粗さＲｍｓが０．０３ｎｍ〜１ｎｍの範囲であっても良い。

同様に、ザグリ２５０のザグリ側壁２４９は、二乗平均粗さＲｍｓが０．００１ｎｍ〜１ｎｍの範囲であっても良い。

また、ザグリ２５０は、第２の主表面２１４の開口部に、Ｃ面取り部を有しても良い。この場合、Ｃ面取り部の二乗平均粗さＲｍｓは、０．００１ｎｍ〜１ｎｍの範囲であっても良い。

さらに、ザグリ２５０は、ザグリ底面２４７とザグリ側壁２４９の交差部に、Ｒ面取り部を有しても良い。

（導電膜）
図２４には示されていないが、第１のガラス加工基板２００は、さらに、ガラス板２１０の第１の主表面２１２の側に、導電膜を有しても良い。

そのような導電膜は、例えば、メサ２２０（の突出面２２２）のみを覆うように設置されても良く、あるいはメサ２２０（の突出面２２２）と第１の主表面２１２の全体を覆うように配置されても良い。

導電膜としては、例えば、前述の第１の保護層に使用されるような材料を使用しても良い。例えば、導電膜は、クロムを含む材料、モリブデンを含む材料、および／またはタンタルを含む材料などを含んでも良い。

導電膜は、例えば、スパッタ法、蒸着法、化学気相成膜（ＣＶＤ）法、または原子層成膜（ＡＬＤ）法などの成膜方法により形成されても良い。

（特徴）
第１のガラス加工基板１００は、ザグリ２５０が形成された領域を除く第２の主表面２１４の二乗平均粗さＲｍｓが、ザグリ底面２４７の二乗平均粗さＲｍｓよりも小さいと言う特徴を有する。

このような特徴を有する第１のガラス加工基板１００をインプリントモールドに適用した場合、前述のような、ステージとの真空吸着の際にメサに異常変形が生じるという問題を、有意に抑制することができる。

次に、本発明の実施例について説明する。

（実施例１）
前述の第１の製造方法により、ガラス加工基板を製造した。具体的には、以下の工程を実施した。

（凹部の形成）
まず、ガラス板を準備した。ガラス板には、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍの石英ガラスを使用した。ガラス板の２つの主表面における二乗平均粗さＲｍｓは、０．０３ｎｍであった。また、各主表面における平坦度ＴＩＲは、１．０μｍであった。

次に、ガラス板の第２の主表面の略中央部分を研削および研磨し、第２の主表面の中央部に、直径６４ｍｍφの略円形状のザグリを形成した。ザグリの深さは、約５．２５ｍｍである。その後、ザグリの側壁と第２の主表面の間の部分をＣ面取りした（Ｃ＝０．４ｍｍ）。また、ザグリの側壁と底面の間の部分をＲ面取りした（Ｒ＝１．０ｍｍ）。

以上の工程で得られたガラス板を、特に「サンプル１−１」と称する。

（メサの形成）
次に、サンプル１−１の第１の主表面の略中央部分（縦２６ｍｍ×横３３ｍｍの領域）に、第１の保護層を設置した。

第１の保護層は、前述の図９〜図１１に示したような、レジスト層のパターン処理とエッチング処理を組み合わせた方法により形成した。

第１の保護層は、ガラス板に近い側から、酸化クロム層（３０ｎｍ）、金属クロム層（１００ｎｍ）、および酸化クロム層（５０ｎｍ）の、３層構造とした。各層は、スパッタ法により成膜した。

次に、ガラス板の第２の主表面の凹部を除く領域に、スパッタ法により、第２の保護層を設置した。第２の保護層は、窒化クロム層とし、厚さは２５０ｎｍとした。

次に、ガラス板を、室温のエッチング溶液中に、５００分間浸漬した。エッチング溶液は、２０ｍａｓｓ％のフッ酸溶液とした。

エッチング処理後に、エッチング溶液からガラス板を取り出した。その後、第１および第２の保護層を除去した。

これにより、第１の主表面にメサを有し、第２の主表面にザグリを有するガラス加工基板（以下、「サンプル１−２」と称する）が得られた。サンプル１−２において、メサの寸法は、縦２６ｍｍ×横３３ｍｍ×高さ３０μｍであった。ザグリの寸法は、直径６４ｍｍφ×深さ５．２５ｍｍであった。

（評価）
前述のようにして得られたサンプル１−１およびサンプル１−２を用いて、以下の評価を実施した。

（表面粗さ測定）
各サンプルにおいて、第２の主表面およびザグリの各位置における表面粗さを測定した。測定には、走査型白色干渉計（Ｚｙｇｏ社製）使用した。

図２５〜図２８には、サンプル１−１およびサンプル１−２における表面粗さの測定位置を概略的に示す。これらの図には、各サンプルの第２の主表面側の平面図が示されている。

図２５には、サンプルの第２の主表面における表面粗さの測定位置を示す。また、図２６には、サンプルのザグリの底面における表面粗さの測定位置を示す。また、図２７には、サンプルのザグリの側壁における表面粗さの測定位置を示す。さらに、図２８には、サンプルのザグリのＣ面取り部における表面粗さの測定位置を示す。

図２５に示すように、サンプルの第２の主表面における表面粗さは、第２の主表面の中心座標を（０，０）としたとき、Ｐ_１（０，５５ｍｍ）、Ｐ_２（５５ｍｍ，０）、Ｐ_３（０，−５５ｍｍ）およびＰ_４（−５５ｍｍ，０）の４箇所で測定した。

これらの４箇所において、０．１４ｍｍ×０．１１ｍｍの領域における二乗平均粗さＲｍｓを測定した。また、４つの値を平均して得られる値を、「第１の表面粗さＲｍｓ（１）」とした。

図２６に示すように、サンプルのザグリの底面における表面粗さの測定は、第２の主表面の中心座標を（０，０）としたとき、Ｑ_１（０，２０ｍｍ）、Ｑ_２（２０ｍｍ，０）、Ｑ_３（０，−２０ｍｍ）およびＱ_４（−２０ｍｍ，０）の４箇所で測定した。

これらの４箇所において、０．１４ｍｍ×０．１１ｍｍの領域における二乗平均粗さＲｍｓを測定した。また、４つの値を平均して得られる値を、「第２の表面粗さＲｍｓ（２）」とした。

図２７に示すように、サンプルのザグリの側壁における表面粗さの測定は、第２の主表面の上面視、Ｒ_１（０時）、Ｒ_２（３時）、Ｒ_３（６時）およびＲ_４（９時）の４箇所で測定した。側壁の測定箇所の高さ位置は、ザグリの深さの略１／２の位置である。

これらの４箇所において、０．１４ｍｍ×０．１１ｍｍの領域における二乗平均粗さＲｍｓを測定した。また、４つの値を平均して得られる値を、「第３の表面粗さＲｍｓ（３）」とした。

図２８に示すように、サンプルのザグリのＣ面取り部における表面粗さの測定は、第２の主表面の中心座標を（０，０）としたとき、Ｓ_１（０，３２ｍｍ）、Ｓ_２（３２ｍｍ，０）、Ｓ_３（０，−３２ｍｍ）およびＳ_４（−３２ｍｍ，０）の４箇所で測定した。

これらの４箇所において、０．１４ｍｍ×０．１１ｍｍの領域における二乗平均粗さＲｍｓを測定した。また、４つの値を平均して得られる値を、「第４の表面粗さＲｍｓ（４）」とした。

以下の表１には、サンプル１−１およびサンプル１−２において得られた測定結果をまとめて示す。

この結果から、サンプル１−１とサンプル１−２の間で、ザグリの底面の第２の表面粗さＲｍｓ（２）、ザグリの側壁の第３の表面粗さＲｍｓ（３）、およびザグリのＣ面取り部の第４の表面粗さＲｍｓ（４）に、差が生じていることがわかる。一方、サンプル１−１とサンプル１−２の間で、第２の主表面の第１の表面粗さＲｍｓ（１）には、差が生じていないことがわかる。

また、サンプル１−２における第１の表面粗さＲｍｓ（１）と第２の表面粗さＲｍｓ（２）の比較から、第２の主表面（ザグリを除く）の二乗平均粗さは、ザグリの底面の二乗平均粗さよりも有意に小さいことが確認された。

（平坦度ＴＩＲ測定）
各サンプルにおいて、第２の主表面の平坦度ＴＩＲを測定した。平坦度ＴＩＲの測定には、斜入射平面度測定機（Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｔｒｏｐｅｌ社製）を使用した。また、平坦度ＴＩＲは、４つの測定対象領域において評価した。

図２９〜図３２には、第２の主表面における平坦度ＴＩＲの測定対象領域を模式的に示す。これらの図には、各サンプルの第２の主表面側の平面図が示されている。

図２９には、サンプルの第２の主表面３１４における、第１の測定対象領域３８１が示されている。第１の測定対象領域３８１は、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍのサンプルの第２の主表面３１４のうち、周囲の５ｍｍの幅の領域、および中心から直径６６ｍｍφの領域を除いた部分、すなわち、図２９において、斜線で示されている領域である。

第１の測定対象領域３８１において得られた平坦度ＴＩＲを、「第１の平坦度」と称する。

図３０には、サンプルの第２の主表面における、第２の測定対象領域が示されている。第２の測定対象領域３８２は、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍのサンプルの第２の主表面３１４のうち、中心から直径１１６ｍｍφの円と、中心から直径６６ｍｍφの円との間の領域、すなわち、図３０において、斜線で示されている領域である。

第２の測定対象領域３８２において得られた平坦度ＴＩＲを、「第２の平坦度」と称する。

図３１には、サンプルの第３の主表面における、第３の測定対象領域が示されている。第３の測定対象領域３８３は、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍのサンプルの第２の主表面３１４のうち、中心から直径８６ｍｍφの円と、中心から直径６６ｍｍφの円との間の領域、すなわち、図３１において、斜線で示されている領域である。

第３の測定対象領域３８３において得られた平坦度ＴＩＲを、「第３の平坦度」と称する。

図３２には、サンプルの第４の主表面における、第４の測定対象領域が示されている。第４の測定対象領域３８４は、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍのサンプルの第２の主表面３１４のうち、中心から直径１４２ｍｍφの円と、中心から直径１１６ｍｍφの円との間の領域、すなわち、図３２において、斜線で示されている領域である。

第４の測定対象領域３８４において得られた平坦度ＴＩＲを、「第４の平坦度」と称する。

以下の表２には、サンプル１−１およびサンプル１−２において得られた平坦度ＴＩＲ測定結果をまとめて示す。

この結果から、サンプル１−１とサンプル１−２の間で、第１〜第４の平坦度のいずれにおいても、有意な差異が生じていないことがわかる。このように、第２の主表面（ザグリを除く）の平坦度ＴＩＲは、エッチング前後で変化しておらず、有意に小さな平坦度ＴＩＲが維持されていることが確認された。

（光学特性の評価）
サンプル１−２において、第２の主表面およびザグリの底面の光沢度、ヘーズ、写像性、ならびにピーク反射率を測定した。

このうち、光沢度は、ＩＳＯ２８１３に基づき、２０゜の入射角で入射される光の反射光量から評価した。また、ヘーズは、ＩＳＯ １３８０３に基づき測定した。また、写像性は、ＡＳＴＭ Ｄ５７６７に基づいて測定した。さらに、ピーク反射率は、２０゜±０．００９９０５゜の入射角で入射される光の反射光量から評価した。

これらの指標は、いずれも、オールインワン光沢計（Ｒｈｏｐｏｉｎｔ社製）を用いて測定した。

以下の表３には、サンプル１−２において得られた測定結果をまとめて示す。

（残留異物の評価）
サンプル１−２において、ザグリの各部分をＳＥＭで観察し、ザグリにおける残留異物の有無について評価を行った。

まず、サンプル１−２から、ザグリの底面、側面、Ｃ面取り部分、およびＲ面取り部分の各部分を切断採取した。なお、切断処理中にサンプルに異物が付着することを回避するため、切断は、クラス１００の清浄度環境下で、ＨＥＰＡフィルタを介した風速１．５ｍ／秒以上の空気をサンプルに送風しながら実施した。

観察は、採取された各部分において、それぞれ１０箇所ずつ実施した。

その結果、いずれの部分にも、異物は観測されなかった。（すなわち、異物の合計数＝０）。

以上の評価結果から、サンプル１−２の第２の主表面（ザグリを除く）は、小さな二乗平均粗さＲｍｓを有するとともに、サンプル１−２のザグリには、ガラス屑が残存していないことが確認された。従って、このようなサンプル１−２をインプリントモールドに使用した場合、従来のようなメサの異常変形の問題、および品質低下の問題が有意に改善されるものと予想される。

（比較例１）
前述の実施例１と同様の方法により、ガラス加工基板を製造した。

ただし、この比較例１では、前述の（メサの形成）におけるエッチング処理の前に、ガラス板の第２の主表面に第２の保護層を設置しなかった。すなわち、第２の主表面を露出させたまま、エッチング処理を実施した。

前述の（凹部の形成）の段階後に得られたガラス板を、特に「サンプル２−１」と称する。また、前述の（メサの形成）の段階後に得られたガラス加工基板を、特に「サンプル２−２」と称する。

得られたサンプル２−１およびサンプル２−２を用いて、前述のような評価を実施した。

以下の表４には、サンプル２−１およびサンプル２−２において得られた、表面粗さ測定の結果をまとめて示す。

この結果から、第１の表面粗さＲｍｓ（１）〜第４の表面粗さＲｍｓ（４）のいずれにおいても、サンプル２−２における値は、サンプル２−１における値よりも上昇していることがわかる。特に、エッチング処理によって、第２の主表面の表面粗さＲｍｓ（１）が大きくなっていることがわかる。

次に、以下の表５には、サンプル２−１およびサンプル２−２において得られた、平坦度ＴＩＲ測定結果をまとめて示す。

この結果から、サンプル２−２では、第１〜第４の平坦度のいずれにおいても、サンプル２−１における第１〜第４の平坦度よりも大きくなっていることがわかる。

次に、以下の表６には、サンプル２−２において得られた各種光学特性の測定結果をまとめて示す。

このように、サンプル２−１のエッチング処理により、第２の主表面（ザグリを除く）の二乗平均粗さおよび平坦度ＴＩＲが上昇することが確認された。

（比較例２）
以下の方法で、ザグリを有するガラス板を製造した。

ガラス板には、例１で示したものを使用した。

前述の例１の場合と同様の方法により、ガラス板の第２の主表面の略中央部分を研削および研磨した。これにより、第２の主表面の中央部に、直径６４ｍｍφ、深さ５．２５ｍｍの略円形状のザグリを有するガラス板が得られた。

その後、ザグリの側壁と第２の主表面の間の部分をＣ面取りした（Ｃ＝０．４ｍｍ）。また、ザグリの側壁と底面の間の部分をＲ面取りした（Ｒ＝１．０ｍｍ）。

以上の工程で得られたガラス板を、特に「サンプル３−１」と称する。

（残留異物の評価）
サンプル３−１において、前述の例１に示したような方法により、ザグリの各部分をＳＥＭで観察し、ザグリにおける残留異物の有無について評価を行った。

その結果、各部分から、合計１１個の異物が観測された。

このように、エッチング工程を経ていないザグリを有するガラス板では、ザグリにガラス屑などの異物が存在することが確認された。

１ インプリントモールド、１０ ガラス板、１２ 第１の主表面、１２ａ 第１のエッチング主表面、１４ 第２の主表面、１４ａ 第２のエッチング主表面、２０ メサ、２２ 突出面、２４ 側面、３０ 金属層、３０ａ 残留金属層、３２ レジスト層、３２ａ 残留レジスト層、３５ 残存部、４０ エッチング溶液、５０ ザグリ、６０ ガラス加工基板、８０ パターン、９０ 被加工基板、９２ 表面、９４ 転写材、１１０ ガラス板、１１２ 第１の主表面、１１２ａ エッチング主表面、１１４ 第２の主表面、１１６ 側端面、１２０ メサ、１２２ 突出面、１２４ 側面、１３０ 第１の保護層、１３０ａ 残留保護層、１３１ 第２の保護層、１３２ レジスト層、１３２ａ 残留レジスト層、１３５ 残存部、１４０ エッチング溶液、１４１ 第２のエッチング溶液、１４５ 凹部、１４７ 底面、１４７ａ エッチング底面、１４９ 側壁、１４９ａ エッチング側壁、１５０ ザグリ、１６０ ガラス加工基板、１７０ 第１の保護層、１７１ 第２の保護層、１７２ 第３の保護層、２００ 第１のガラス加工基板、２１０ ガラス板、２１２ 第１の主表面、２１４ 第２の主表面、２１６ 側端面、２２０ メサ、２２２ 突出面、２２４ 側面、２４７ ザグリ底面、２４９ ザグリ側壁、２５０ ザグリ、３１４ サンプルの第２の主表面、３８１ 第１の測定対象領域、３８２ 第２の測定対象領域、３８３ 第３の測定対象領域、３８４ 第４の測定対象領域。

Claims (19)

1. メサおよびザグリを有する、インプリントモールド用のガラス加工基板の製造方法であって、
   （１）相互に対向する第１および第２の主表面を有するガラス板を準備する工程と、
   （２）前記ガラス板の前記第２の主表面に、底面および該底面を取り囲む側壁を有する凹部を形成する工程と、
   （３）前記（２）の工程の前、または前記（２）の工程の後に実施される、前記ガラス板の前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に、第１の保護層を設置する工程と、
   （４）前記ガラス板の前記第２の主表面に第２の保護層が設置された状態で、前記ガラス板をエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板をエッチングする工程と、
   を有する、製造方法。
2. 前記（４）の工程では、前記凹部の前記底面は、３ｎｍ〜６０μｍの厚さだけエッチングされる、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記（３）の工程は、
   前記第１の主表面全体に、第１の保護層を設置する工程と、
   前記第１の保護層の上にレジスト層のパターンを設置する工程と、
   前記レジスト層のパターンを介して、前記第１の保護層をエッチングして、前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に、前記第１の保護層を残留させる工程と、
   を有する、請求項１または２に記載の製造方法。
4. さらに、前記（４）の工程の後に、
   （５）前記第１の保護層を除去する工程
   を有する、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の製造方法。
5. 前記第２の保護層は、前記（２）の工程の後、前記ガラス板の前記凹部を除く前記第２の主表面に設置される、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
6. 前記第２の保護層は、前記（２）の工程の前に、前記ガラス板の前記第２の主表面全体に設置される、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
7. メサおよびザグリを有する、インプリントモールド用のガラス加工基板の製造方法であって、
   （１）相互に対向する第１および第２の主表面を有するガラス板を準備する工程と、
   （２）前記ガラス板の前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に第１の保護層を設置し、前記ガラス板の前記第２の主表面に第２の保護層を設置する工程と、
   （３）前記ガラス板を第１のエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板をエッチングする工程と、
   （４）前記ガラス板の前記第２の主表面に、底面および該底面を取り囲む側壁を有する凹部を形成する工程と、
   （５）前記ガラス板を、第２のエッチング溶液に浸漬させ、前記ガラス板を再度エッチングする工程と、
   を有する、製造方法。
8. 前記（２）の工程において、前記第２の保護層は、前記第２の主表面の、後に凹部が形成される領域を除く部分に設置される、請求項７に記載の製造方法。
9. 前記（２）の工程は、
   前記第１の主表面全体に、第１の保護層を設置する工程と、
   前記第１の保護層の上にレジスト層のパターンを設置する工程と、
   前記レジスト層のパターンを介して、前記第１の保護層をエッチングして、前記第１の主表面の、後にメサが形成される領域に、前記第１の保護層を残留させる工程と、
   を有する、請求項７または８に記載の製造方法。
10. 前記（５）の工程では、前記凹部の底面は、３ｎｍ〜６０μｍだけエッチングされる、請求項７乃至９のいずれか一つに記載の製造方法。
11. さらに、前記（３）と（４）の工程の間または前記（４）と（５）の工程の間に、
    （６）前記ガラス板の前記第１の主表面を、第３の保護層で被覆する工程、
    を有する、請求項７乃至１０のいずれか一つに記載の製造方法。
12. さらに、前記（５）の工程の後に、
    （７）前記第１の保護層、および存在する場合、前記第３の保護層を除去する工程
    を有する、請求項７乃至１１のいずれか一つに記載の製造方法。
13. ガラス板を有するインプリントモールド用のガラス加工基板であって、
    前記ガラス板は、相互に対向する第１および第２の主表面を有し、
    前記第１の主表面には、メサが形成されており、該メサは、突出面と、該突出面を取り囲む側面とを有し、
    前記第２の主表面には、ザグリが形成されており、該ザグリは、ザグリ底面と、該ザグリ底面を取り囲むザグリ側壁とを有し、
    前記ザグリが形成された領域を除く前記第２の主表面の二乗平均粗さＲｍｓは、前記ザグリ底面の二乗平均粗さＲｍｓよりも小さい、ガラス加工基板。
14. 前記ザグリは、前記第２の主表面と前記ザグリ側壁との交差部に、Ｃ面取り部を有する、請求項１３に記載のガラス加工基板。
15. 前記ザグリは、前記ザグリ側壁と前記ザグリ底面の交差部に、Ｒ面取り部を有する、請求項１３または１４に記載のガラス加工基板。
16. 前記第２の主表面における前記二乗平均粗さＲｍｓは、０．０３ｎｍ以下である、請求項１３乃至１５のいずれか一つに記載のガラス加工基板。
17. 前記ガラス板は、前記第２の主表面が縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍの寸法を有し、
    前記第２の主表面において、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍの領域のうち、周囲の５ｍｍの幅の領域、および中心から直径６６ｍｍφの領域を除いた部分において測定された平坦度ＴＩＲは、１．５μｍ未満である、請求項１３乃至１６のいずれか一つに記載のガラス加工基板。
18. メサおよびザグリを有するガラス加工基板と、
    少なくとも前記メサの突出面に配置された導電膜と、
    を有し、
    前記ガラス加工基板は、請求項１３乃至１７のいずれか一つに記載のガラス加工基板である、マスクブランクス。
19. メサおよびザグリを有するガラス加工基板と、
    前記メサの突出面に形成されたパターンと、
    を有し、
    前記ガラス加工基板は、請求項１３乃至１７のいずれか一つに記載のガラス加工基板である、インプリントモールド。

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