JP2017195536A - 電力増幅モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】動作モードに応じて電力増幅器の特性を制御可能な電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を増幅した増幅信号を出力する増幅器と、増幅信号の高調波が入力される高調波終端回路であって、高調波の周波数に応じてインピーダンスを制御する高調波終端回路と、を備え、所定の時間における増幅信号の電圧の平均値に応じて電源電圧が変化する第1モード、又は入力信号の包絡線の波形に応じて電源電圧が変化する第2モードにおいて動作可能であり、第1モードで動作する場合は、高調波のうち少なくとも1つの偶数次高調波を短絡するように高調波終端回路のインピーダンスを制御し、第2モードで動作する場合は、高調波のうち3次以上の少なくとも1つの奇数次高調波を短絡するように高調波終端回路のインピーダンスを制御する。
【選択図】図1
【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を増幅した増幅信号を出力する増幅器と、増幅信号の高調波が入力される高調波終端回路であって、高調波の周波数に応じてインピーダンスを制御する高調波終端回路と、を備え、所定の時間における増幅信号の電圧の平均値に応じて電源電圧が変化する第1モード、又は入力信号の包絡線の波形に応じて電源電圧が変化する第2モードにおいて動作可能であり、第1モードで動作する場合は、高調波のうち少なくとも1つの偶数次高調波を短絡するように高調波終端回路のインピーダンスを制御し、第2モードで動作する場合は、高調波のうち3次以上の少なくとも1つの奇数次高調波を短絡するように高調波終端回路のインピーダンスを制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電力増幅モジュールに関する。
携帯電話等の移動体通信機においては、基地局へ送信する無線周波数(RF:Radio Frequency)信号の電力を増幅するために電力増幅モジュール(Power Amplifier Module)が用いられる。当該電力増幅モジュールにおいては、電力付加効率の向上が求められる。
例えば、特許文献1には、電力増幅器の出力電力等に応じて、電力増幅器の出力側に設けられた整合回路の特性を調整することで、電力増幅器の電力付加効率を向上させる構成が開示されている。
電力増幅モジュールを高効率化する動作モードには、平均パワートラッキング(APT:Average Power Tracking)方式や、エンベロープ・トラッキング(ET:Envelope Tracking)方式等の様々な動作モードが存在し、当該動作モードに応じて電力増幅器の要求仕様が異なる。例えば、APT方式では、所定の時間における出力電圧の平均値に応じて電源電圧が制御される。従って、当該所定の時間内においては電源電圧が変動しないため、電力増幅器が所定レベル以上の線形性を有することが求められる。一方、ET方式では、入力信号の包絡線に応じて電源電圧が制御される。従って、APT方式より入力信号に対する電源電圧の追随性能がよく、APT方式と同等レベルの線形性を有する必要はない。
当該電力増幅器の特性について、特許文献1に開示されている構成では、基本波に対するインピーダンスは制御されるものの、高調波に対するインピーダンスは制御されず、電力増幅器の動作モードまでは制御されない。他方、各々の動作モードに特化した電力増幅器を設計するとなると、設計コストが増大し、製品数や費用が増加するという問題がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、動作モードに応じて電力増幅器の特性を制御可能な電力増幅モジュールを提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る電力増幅モジュールは、入力信号を増幅した増幅信号を出力する増幅器と、増幅信号の高調波が入力される高調波終端回路であって、高調波の周波数に応じてインピーダンスを制御する高調波終端回路と、を備え、所定の時間における増幅信号の電圧の平均値に応じて電源電圧が変化する第1モード、又は入力信号の包絡線の波形に応じて電源電圧が変化する第2モードにおいて動作可能であり、第1モードで動作する場合は、高調波のうち少なくとも1つの偶数次高調波を短絡するように高調波終端回路のインピーダンスを制御し、第2モードで動作する場合は、高調波のうち3次以上の少なくとも1つの奇数次高調波を短絡するように高調波終端回路のインピーダンスを制御する。
本発明によれば、動作モードに応じて電力増幅器の特性の制御が可能となる。これにより、動作モードに適した特性となる電力増幅モジュールを提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態である電力増幅モジュール100の構成を示す図である。電力増幅モジュール100は、例えば、携帯電話等の移動体通信機において、入力される入力信号RFinを増幅して増幅信号RFoutを出力する。入力信号RFinの周波数は、例えば数GHz程度である。
図1に示すように、電力増幅モジュール100は、電圧生成回路110、インダクタ120、増幅器130、高調波終端回路140、及び整合回路150を備える。
電圧生成回路110は、所定レベルの電源電圧Vccを生成し、インダクタ120を通じて、電源電圧Vccを増幅器130に供給する。電力増幅モジュール100の電力付加効率の向上のために、電圧生成回路110は、電力増幅モジュール100の動作モードに応じて電源電圧Vccの電圧値を変動させて出力する。動作モードには、例えば、所定の時間における増幅信号RFoutの電圧の平均値に応じて電源電圧Vccを制御する平均パワートラッキング(APT:Average Power Tracking)方式(第1モード)、又は入力信号RFinの包絡線に応じて電源電圧Vccを制御するエンベロープ・トラッキング(ET:Envelope Tracking)方式(第2モード)がある。電力増幅モジュール100は、これらのいずれの動作モードにも適用可能である。
増幅器130は、入力信号RFinの増幅を行うための回路であり、増幅用のトランジスタにより構成される。増幅用のトランジスタは、例えば、電界効果トランジスタ(MOSFET:Metal−oxide−semiconductor Field Effect Transistor)である。増幅用のトランジスタとして、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT:Heterojunction Bipolar Transistor)等のバイポーラトランジスタを用いてもよい。
高調波終端回路140は、増幅器130の出力端子に接続されており、増幅器130から出力される増幅信号RFoutに含まれる高調波を処理する。高調波終端回路140は、外部から供給される制御信号Scont(第1制御信号)に応じて、例えば、当該高調波のうち所定の高調波が短絡され、他の高調波が開放されるように入力インピーダンスを調整する。具体的には、高調波終端回路140は、偶数次高調波が短絡され、奇数次高調波が開放されるか、又は、偶数次高調波が開放され、奇数次高調波が短絡されるよう入力インピーダンスを調整する。
整合回路150は、制御信号Scont(第2制御信号)に応じて、増幅信号RFoutの基本波に対する前段の増幅器130の出力インピーダンス(例えば、数Ω程度)と、後段の入力インピーダンス(例えば、50Ω程度)を整合させる。
高調波終端回路140及び整合回路150は、制御信号Scontに応じて、増幅器130の出力端子から見た入力インピーダンスZを制御する。入力インピーダンスZの具体的な制御方法については後述する。なお、高調波終端回路140及び整合回路150の順序はこれに限られず、整合回路の後段に高調波終端回路が備えられていてもよい。もしくは、整合回路150に高調波終端回路140が備えられていてもよい。
次に、電力増幅モジュール100の動作について説明する。電力増幅モジュール100における増幅器130は、APT方式又はET方式等の動作モードに応じた要求仕様を満たす動作となるように構成される。具体的には、増幅器130の動作は、F級動作又は逆F級動作とすることができる。F級動作及び逆F級動作について、図2A〜図3を参照しつつ説明する。
図2A及び図2Bは、各々、増幅器130をF級動作又は逆F級動作で動作させた場合における増幅器130の電圧(実線)及び電流(点線)の波形を示す図である。例えば、増幅器130がMOSFETによって構成された場合、F級動作及び逆F級動作はいずれも、MOSFETのドレインを流れる電流Idと、ドレイン・ソース間電圧Vdsとの波形が重ならない(図2A及び図2B参照)。これにより、増幅器130の消費電力(=電流Id×電圧Vds)が理想的には0Wとなる。従って、F級動作及び逆F級動作はいずれも、電力増幅モジュールの電力付加効率を向上させる。
また、図2Aに示すように、F級動作においては、電流Idが半波整流波であり、電圧Vdsが方形波である。反対に、図2Bに示すように、逆F級動作においては、電流Idが方形波であり、電圧Vdsが半波整流波である。従って、増幅器130が出力する高調波について、偶数次高調波を短絡し、3次以上の奇数次高調波を開放するように入力インピーダンスを制御することにより、増幅器130はF級動作となる。一方、奇数次高調波を短絡し、偶数次高調波を開放するように入力インピーダンスを制御することにより、増幅器130は逆F級動作となる。
図3は、増幅器130をF級動作又は逆F級動作で動作させた場合における隣接チャネル漏洩電力比(ACLR:Adjacent Channel Leakage Ratio)及び電力付加効率(PAE:Power Added Efficiency)のシミュレーション結果を示すグラフである。いずれの動作においても基本波に対するインピーダンスは同一とし、F級動作においては2次高調波を短絡とし、逆F級動作においては3次高調波を短絡としている。また、当該グラフにおける縦軸はACLR(dBc)及びPAE(%)を表し、横軸は増幅器130の出力電力(dBm)を表している。図3に示されるように、ACLRに関しては、高出力電力時(例えば、25dBm〜30dBm)において、F級動作の方が逆F級動作に比べてACLRが低く、出力信号の歪み特性がよいことがわかる。一方、PAEに関しては、逆F級動作の方がF級動作に比べて飽和効率が高いことがわかる。
ここで、APT方式においては、所定の時間における増幅信号RFoutの電圧の平均値に応じて電源電圧Vccが制御されるため、当該所定の時間内は電源電圧Vccが変動しない。従って、APT方式においては、増幅器が所定レベル以上の線形性を有することが求められる。そのため、APT方式においては、例えば、高出力電力時の線形性が逆F級動作より優れたF級動作によって増幅器130を動作させることが好ましい。一方、ET方式においては、入力信号RFinの包絡線に応じて電源電圧Vccが逐次変動するため、入力信号RFinの高電力時には、瞬時に電源電圧Vccが上昇し、線形性が維持される。従って、ET方式においては、例えば、飽和効率が高い逆F級動作によって増幅器130を動作させることが好ましい。すなわち、増幅器130が、APT方式においてはF級動作となり、ET方式においては逆F級動作となるように増幅信号RFoutの高調波を処理することが好ましい。
本実施形態においては、上述の通り、高調波終端回路140が、偶数次高調波を短絡し、奇数次高調波を開放するか、又は、偶数次高調波を開放し、奇数次高調波を短絡するように高調波を処理することができる。従って、APT方式においては、偶数次高調波を短絡し奇数次高調波を開放とすることにより、増幅器130をF級動作に制御することができる。一方、ET方式においては、偶数次高調波を開放し奇数次高調波を短絡することにより、増幅器130を逆F級動作に制御することができる。次に、図4を参照しつつ、高調波終端回路140及び整合回路150の具体的な構成の一例について説明する。
図4は、本発明の一実施形態である電力増幅モジュール100の構成の一例(電力増幅モジュール100A)を示す図である。電力増幅モジュール100Aは、図1に示す高調波終端回路140及び整合回路150の具体的な構成例を示した図である。
高調波終端回路140Aは、キャパシタ200及びインダクタ210を備え、LC直列共振回路を構成する。具体的には、キャパシタ200(第1キャパシタ)は、一端が増幅器130の出力端子に接続され、他端がインダクタ210の一端に接続される。インダクタ210(第1インダクタ)は、一端がキャパシタ200の他端に接続され、他端が接地される。キャパシタ200は、制御信号Scontに応じてキャパシタンスが可変となる構成である。なお、キャパシタ200及びインダクタ210の接続順序はこれに限らず、インダクタが増幅器130の出力端子に接続され、キャパシタが接地されていてもよい。
キャパシタ200のキャパシタンスをC、インダクタ210のインダクタンスをLとすると、高調波終端回路140A(LC直列共振回路)は、共振周波数f=1/2π√LCに対するインピーダンスが最も低くなる。従って、増幅信号RFoutの所定の高調波の周波数に対して低いインピーダンス(例えば、実質的に0)となるように、キャパシタンスC又はインダクタンスLを調整することで、当該高調波を短絡の状態に制御することができる。
具体的には、例えば、電力増幅モジュール100AをAPT方式により動作させる場合、キャパシタ200のキャパシタンスCを大きい値(第1値)とする。これにより、高調波終端回路140Aの共振周波数fが低くなる。従って、共振周波数fが増幅信号RFoutの偶数次高調波(例えば、2倍波)の周波数と略同等となるように調整し、当該偶数次高調波を短絡することにより、増幅器130をF級動作に制御することができる。一方、電力増幅モジュール100AをET方式により動作させる場合、キャパシタ200のキャパシタンスCを小さい値(第2値)とする。これにより、高調波終端回路140Aの共振周波数fが高くなる。従って、共振周波数fが増幅信号RFoutの奇数次高調波(例えば、3倍波)の周波数と略同等となるように調整し、当該奇数次高調波を短絡することにより、増幅器130を逆F級動作に制御することができる。
なお、短絡する高調波は2倍波又は3倍波に限られず、APT方式の場合は2次以上の偶数次高調波を短絡し、ET方式の場合は3次以上の奇数次高調波を短絡する構成であればよい。
整合回路150Aは、インダクタ211及びキャパシタ201を備え、L型整合回路を構成する。具体的には、インダクタ211(第2インダクタ)は、一端が増幅器130の出力端子に接続され、他端がキャパシタ201の一端に接続される。キャパシタ201(第3キャパシタ)は、一端がインダクタ211の他端に接続され、他端は接地される。
整合回路150Aにおいても、高調波終端回路140Aと同様に、制御信号Scontに応じてキャパシタ201のキャパシタンスを可変とする。これは、増幅器130の動作の切り替えに応じて、基本波に対する出力インピーダンスも変化するため、整合回路150Aのインピーダンスもまた、当該動作に応じて制御することが好ましいためである。なお、電力増幅モジュール100Aにおいては、高調波終端回路140Aと同様に、整合回路150Aについてもインピーダンスが制御可能である構成例を示しているが、インピーダンスを制御可能とするのは高調波終端回路140Aのみであってもよい。
また、高調波終端回路140Aにおいて、インピーダンスを制御するために、キャパシタンスの代わりにインダクタンスを可変としてもよく、またキャパシタンス及びインダクタンスの両方を可変としてもよい。ただし、以下の理由から、インダクタンスは極力小さくし、キャパシタンスを可変とする方が好ましい。
第一に、高調波を短絡するためには、高調波終端回路140Aの入力インピーダンスを増幅器130の出力インピーダンスより低くする必要があるところ、一般的に、移動体通信機における増幅器130の出力インピーダンスは比較的低い値(例えば、数Ω程度)である。そのため、共振周波数の近傍の帯域における入力インピーダンスを出力インピーダンスより低く保つためには、インダクタンスが小さい方がよい。
第二に、LC直列共振回路においては、キャパシタに起因する電力損失に比べ、インダクタに起因する電力損失の方が大きい。そのため、高調波終端回路140Aにおける電力損失を抑制するためには、インダクタンスが小さい方がよい。
上述の通り、図4に示す電力増幅モジュール100Aは、電力増幅モジュールの動作モードに応じて高調波終端回路140Aの入力インピーダンスを制御することにより、増幅器130の動作を切り替えることができる。これにより、電力増幅モジュールの動作モードに応じて増幅器130の特性が制御され、異なる要求仕様を満たすように増幅器130が動作する。従って、動作モードに応じて電力増幅器の特性を制御可能な電力増幅モジュールを提供することができる。また、電力増幅モジュール100Aは、整合回路150Aの入力インピーダンスを制御することにより、増幅信号RFoutの基本波に対して、増幅器130の出力インピーダンスと後段の回路の入力インピーダンスとを整合させることができる。従って、電力増幅モジュール100Aの電力付加効率をさらに向上させることができる。
次に、図5A及び図5Bを参照しつつ、高調波終端回路140A及び整合回路150Aのキャパシタンスの制御方法の一例について説明する。
図5Aは、本発明の一実施形態である電力増幅モジュール100をAPT方式で動作させた場合における、電力増幅モジュール100の構成例(電力増幅モジュール100B)を示す図である。図5Aに示すように、電力増幅モジュール100Bは、図4に示す高調波終端回路140A及び整合回路150Aの代わりに、高調波終端回路140B及び整合回路150Bを備える。
高調波終端回路140Bは、キャパシタ300,301、及びFET310によって、図4に示すキャパシタ200を構成する。具体的には、キャパシタ300(第1キャパシタ),301(第2キャパシタ)は並列接続され、増幅器130の出力端子とインダクタ210(第1インダクタ)の間に接続される。
FET310(第1スイッチ回路)は、キャパシタ300,301のいずれか一方のキャパシタ(図3Aにおいては、キャパシタ301)と直列接続される。FET310は、ゲートに制御信号Scontが供給され、制御信号Scontに応じてオン及びオフを切り替える。これにより、FET310がオンの場合は、キャパシタ301に電荷が蓄積され、キャパシタ300,301の合成キャパシタンスが大きくなる。一方、FET310がオフの場合は、キャパシタ301に電荷が蓄積されず、キャパシタ300,301の合成キャパシタンスは小さくなる。従って、高調波終端回路140Bは、制御信号Scontに応じて合成キャパシタンスを可変とすることができる。
なお、本実施形態において、キャパシタンスを可変とするためにFET310を用いるのは、半導体内への集積化を考慮した場合にスイッチ素子を用いる構成が好ましいためである。FET310はスイッチ素子の一例であり、FET310の代わりにスイッチ機能を有する他の素子を用いてもよい。
整合回路150Bは、キャパシタ302(第3キャパシタ),303(第4キャパシタ)、及びFET311(第2スイッチ回路)によって、図4に示すキャパシタ201を構成する。整合回路150Bの合成キャパシタンスを可変とする構成については、高調波終端回路140Bと同様であるため、詳細な説明は省略する。
高調波終端回路140B及び整合回路150Bに供給される制御信号Scontとしては、FET310,311がオンとなる電圧が適用される。ここで、電力増幅モジュール100Bは、APT方式によって電源電圧Vccが制御されるため、電源電圧Vccの変動はET方式と比較して緩やかである。そのため、例えば、電源電圧端子と制御信号端子を接続し、電源電圧Vccを制御信号Scontとして使用することができる。これにより、簡易な構成により高調波終端回路140B及び整合回路150Bのキャパシタンスを制御し、上述の通り2次高調波を短絡することにより、増幅器130をF級動作とすることができる。また、増幅器130の動作に応じて、整合回路150Aの入力インピーダンスを調整することができる。
図5Bは、本発明の一実施形態である電力増幅モジュール100をET方式で動作させた場合における電力増幅モジュール100の構成の一例(電力増幅モジュール100C)を示す図である。
図5Bに示すように、電力増幅モジュール100Cは、図5Aに示す電力増幅モジュール100Bと比較して、高調波終端回路140B及び整合回路150Bに供給される制御信号Scontとして、FET310,311がオフとなる電圧(例えば、基準電位)が適用される。
これにより、キャパシタ301,303には電荷が蓄積されず、高調波終端回路140B及び整合回路150Bの各々の合成キャパシタンスが小さくなる。従って、上述の通り3次高調波を短絡することにより、増幅器130を逆F級動作に制御することができる。また、増幅器130の動作に応じて、整合回路150Aの入力インピーダンスを調整することができる。
なお、電力増幅モジュール100B,100Cにおいては、高調波終端回路140B及び整合回路150Bともに制御信号Scontが供給される例を示しているが、高調波終端回路140Bと整合回路150Bに供給される制御信号は異なっていてもよい。また、図5Aに示す動作と図5Bに示す動作の切り替えを実現するために切り替え回路を電力増幅モジュールに内蔵してもよい。
図6は、本発明の一実施形態である電力増幅モジュール100における端子配置の一例の概略を示す図である。
集積回路10は、増幅器130が実装された集積回路である。集積回路10は、片側面の周縁領域に、電源電圧端子T_Vcc及び制御信号端子T_Scontを含む複数の端子Tを備える。
電源電圧端子T_Vcc(第1端子)は、電力増幅モジュール100に電源電圧Vccが供給される端子である。制御信号端子T_Scont(第2端子)は、電力増幅モジュール100に制御信号Scontが供給される端子である。電源電圧端子T_Vccと制御信号端子T_Scontは、比較的近くに(例えば、隣接して)配置されている。これにより、電源電圧端子T_Vccと制御信号端子T_Scontを接続し、電源電圧Vccを制御信号Scontとして適用する場合に、接続作業が容易となる。
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。電力増幅モジュール100,100A,100B,100Cは、APT方式及びET方式の両方式において使用可能な電力増幅器と、インピーダンスを制御可能な高調波終端回路140と、を備える。これにより、偶数次高調波又は3次以上の奇数次高調波のいずれか一方の高調波を短絡することができる。従って、電力増幅モジュールの動作モードに応じて、増幅器130の動作を切り替えることができ、動作モードに応じて電力増幅器の特性を制御可能な電力増幅モジュールを提供することができる。
また、電力増幅モジュール100Aは、キャパシタ200とインダクタ210とを備えるLC直列共振回路により、高調波終端回路140Aが構成される。これにより、LC直列共振回路の共振周波数が増幅信号RFoutの高調波の周波数となるように高調波終端回路140Aのインピーダンスを制御することにより、短絡する高調波の周波数を調整することができる。
また、電力増幅モジュール100B,100Cは、高調波終端回路140Bとして、並列接続されたキャパシタ300,301及びスイッチ回路(FET310)を備える。これにより、FET310を用いて高調波終端回路140Bの合成キャパシタンスを制御することができる。
また、電力増幅モジュール100B,100Cは、高調波終端回路140Bのキャパシタンスの制御のための制御信号Scontとして、電源電圧Vcc又は基準電位を用いる。これにより、増幅器130の動作を簡易な構成によって切り替えることができる。
また、電力増幅モジュール100,100A,100B,100Cは、インピーダンスを制御可能な整合回路150を備える。また、整合回路150は、キャパシタ201及びインダクタ211を備えるL型整合回路により構成することができる。これにより、増幅器130の動作に応じて、増幅信号RFoutの基本波に対する増幅器130の出力インピーダンスと後段の入力インピーダンスを整合させることができ、電力付加効率をさらに向上させることができる。
また、電力増幅モジュール100B,100Cは、整合回路150Bとして、並列接続されたキャパシタ302,303及びスイッチ回路(FET311)を備える。これにより、FET311を用いて整合回路150Bの合成キャパシタンスを制御することができる。
また、電力増幅モジュール100B,100Cは、整合回路150Bのキャパシタンスの制御のための制御信号Scontとして、電源電圧Vcc又は基準電位を用いる。これにより、整合回路150Bのインピーダンスを簡易な構成によって制御することができる。
また、集積回路10は、電源電圧端子T_Vcc及び制御信号端子T_Scontが比較的近くに(例えば、隣接して)配置されている。これにより、容易な接続作業により、電源電圧Vccを制御信号Scontとして適用することができる。
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更又は改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
100,100A,100B,100C 電力増幅モジュール
110 電圧生成回路
120,210,211 インダクタ
130 増幅器
140,140A,140B 高調波終端回路
150,150A,150B 整合回路
200,201,300,301,302,303 キャパシタ
310,311 FET
10 集積回路
T,T_Vcc,T_Scont 端子
110 電圧生成回路
120,210,211 インダクタ
130 増幅器
140,140A,140B 高調波終端回路
150,150A,150B 整合回路
200,201,300,301,302,303 キャパシタ
310,311 FET
10 集積回路
T,T_Vcc,T_Scont 端子
Claims (8)
- 入力信号を増幅した増幅信号を出力する増幅器と、
前記増幅信号の高調波が入力される高調波終端回路であって、前記高調波の周波数に応じてインピーダンスを制御する高調波終端回路と、
を備え、
所定の時間における前記増幅信号の電圧の平均値に応じて電源電圧が変化する第1モード、又は前記入力信号の包絡線の波形に応じて前記電源電圧が変化する第2モードにおいて動作可能であり、
前記第1モードで動作する場合は、前記高調波のうち少なくとも1つの偶数次高調波を短絡するように前記高調波終端回路のインピーダンスを制御し、前記第2モードで動作する場合は、前記高調波のうち3次以上の少なくとも1つの奇数次高調波を短絡するように前記高調波終端回路のインピーダンスを制御する、
電力増幅モジュール。 - 請求項1に記載の電力増幅モジュールであって、
前記高調波終端回路は、
前記増幅器の出力端子と基準電位との間に直列接続された第1キャパシタ及び第1インダクタを備えるLC直列共振回路であり、
前記LC直列共振回路は、
前記第1又は第2モードに応じて、前記第1キャパシタのキャパシタンス又は前記第1インダクタのインダクタンスのうち少なくとも一方を調整することにより、前記LC直列共振回路の共振周波数が前記偶数次高調波又は前記奇数次高調波の周波数と略同等となるように制御する、
電力増幅モジュール。 - 請求項2に記載の電力増幅モジュールであって、
前記LC直列共振回路は、
前記第1キャパシタと並列接続された第2キャパシタと、
前記第1又は第2キャパシタと直列接続される第1スイッチ回路であって、前記第1又は第2モードに応じて供給される第1制御信号によりオン及びオフを切り替える第1スイッチ回路と、をさらに備え、
前記電力増幅モジュールは、
前記第1モードで動作する場合は、前記第1スイッチ回路をオンとし、前記LC直列共振回路のキャパシタンスを第1値に制御し、前記第2モードで動作する場合は、前記第1スイッチ回路をオフとし、前記LC直列共振回路のキャパシタンスを前記第1値より小さい第2値に制御する、
電力増幅モジュール。 - 請求項3に記載の電力増幅モジュールであって、
前記電力増幅モジュールは、
前記第1モードで動作する場合は、前記電源電圧を前記第1制御信号とし、前記第2モードで動作する場合は、前記基準電位を前記第1制御信号とする、
電力増幅モジュール。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の電力増幅モジュールであって、
前記電力増幅モジュールは、
前記増幅器と、前記増幅器の後段の回路との間に設けられた整合回路をさらに備え、
前記整合回路は、
一端に前記増幅信号が供給される第2インダクタと、
一端が前記第2インダクタの他端に接続され、他端が接地される第3キャパシタと、を備える、
電力増幅モジュール。 - 請求項5に記載の電力増幅モジュールであって、
前記整合回路は、
前記第3キャパシタと並列接続された第4キャパシタと、
前記第3又は第4キャパシタと直列接続される第2スイッチ回路であって、前記第1又は第2モードに応じて供給される第2制御信号によりオン及びオフを切り替える第2スイッチ回路と、をさらに備える、
電力増幅モジュール。 - 請求項6に記載の電力増幅モジュールであって、
前記電力増幅モジュールは、
前記第1モードで動作する場合は、前記電源電圧を前記第2制御信号とし、前記第2モードで動作する場合は、基準電位を前記第2制御信号とする、
電力増幅モジュール。 - 請求項3又は4に記載の電力増幅モジュールであって、
前記電力増幅モジュールが、前記増幅器が実装された集積回路をさらに備え、
前記集積回路が、
前記電源電圧が供給される第1端子と、
前記第1端子に隣接して配置され、前記第1制御信号が供給される第2端子と、をさらに備える、
電力増幅モジュール。
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|---|---|---|---|---|
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| US8884696B2 (en) * | 2012-10-15 | 2014-11-11 | Intel Mobile Communications GmbH | Control circuit and method for controlling an operation of a power amplifier |
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| US9698740B2 (en) * | 2014-07-14 | 2017-07-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Mode linearization switch circuit |
| US9991856B2 (en) * | 2014-09-25 | 2018-06-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Variable load power amplifier supporting dual-mode envelope tracking and average power tracking performance |
| US9467095B2 (en) * | 2014-10-13 | 2016-10-11 | Intel Corporation | Switchable dual core power amplifier |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10848110B2 (en) | 2018-04-25 | 2020-11-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency amplification circuit, high frequency front-end circuit, and communication device |
| US11437959B2 (en) | 2018-04-25 | 2022-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency amplification circuit, high frequency front-end circuit, and communication device |
| WO2021206176A1 (ja) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅装置 |
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