JP2017197810A - ガスバリア性膜の成膜装置及び成膜方法とガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】口部の内径が小さく、口部の内径に対して高さの高い容器の内部に、プラズマＣＶＤ法によりガスバリア性膜を均一に成膜して、高いガスバリア性を有するプラスチック容器を製造する。【解決手段】プラスチック容器１の底部が奥側となるように収容する凹部２Ａが形成された第１の電極２の凹部２Ａにプラスチック容器１を収容する際に、プラスチック容器１の胴部と凹部２Ａとの間に特定の条件を満たすように導電体部材１１及び／又は誘電体部材１２を設ける。プラスチック容器１内を排気した後原料ガスを供給し、第１の電極２と第２の電極３との間に高周波電圧を印加して原料ガスをプラズマ化してプラスチック容器１の内面にガスバリア性膜を成膜する。【選択図】図１

Description

本発明は、プラスチック容器の内面にガスバリア性膜を成膜する成膜装置及び成膜方法と、ガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法に関する。

外部及び内部からの酸素や水蒸気の透過防止を目的として、ペットボトルなどのプラスチック容器（以下、単に「容器」ともいう）の内面にガスバリア性膜を成膜した容器やその製造方法は従来から知られている。

例えば特許文献１には、容器を収容する空間が形成された外部電極内に容器を収容し、この容器内に、原料ガス供給管が接続された管状の内部電極を挿入した後、排気と原料ガスの供給を行い、外部電極に高周波電圧を印加して外部電極と内部電極の間にプラズマを発生させることで、ダイヤモンドライクカーボン膜（以下、ＤＬＣ膜）を容器内部に成膜する方法が開示されている。

特許文献２には、容器内面にバリア膜を均質に成膜することを目的として、誘電体部材の材料、厚さや、外部電極と容器との間の空間又は誘電体部材と容器との間の空間を調整して、容器内面に印加される電圧を均一化するように工夫したバリア膜形成装置が開示されている。

この特許文献２では、次のような理論が示されている。
プラズマＣＶＤ法において、放電を発生させるための電界とは、交番電界であり、ＡＣ，ＬＦ，ＲＦ，ＶＨＦ，マイクロ波等の電源周波数ｆを持つ電界、あるいはパルスを含むものである。この場合、外部電極と容器内面の間に設置された誘電体部材や空間には変位電流が流れる。

このような誘電体部材や空間のインピーダンスＺは、下記式（１）で求められる。

ここで、ωは一定であるので、容量Ｃの大きさでインピーダンスＺが決まる。
例えば、誘電体と空隙が存在する場合の容量Ｃは、下記式（２）で求められる。

前記式（１）、式（２）より、下記式（３）で換算距離Ｇが求められる。

すなわち換算距離Ｇは、各部の距離（厚さ）ｄ_ｉを当該部分を構成する材料（誘電体又は空間）の比誘電率ε_ｉで割ったものの総和である。なお、空間の比誘電率εは１である。

この換算距離Ｇは、誘電体をすべて空間に置き換えたときの電気的な空間の距離（厚さ）に相当する。この定義により、外部電極内面から容器内側表面までのインピーダンスＺの均一性は、換算距離Ｇの均一性、すなわち、容器の各場所の換算距離Ｇの比で表される。
したがって、換算距離Ｇの比が小さいほど、外部電極内面から容器内側表面までのインピーダンスＺは均一で、容器内側表面に形成されるバリア膜が略均一となり、バリア性が向上することになる。

このような理論から、特許文献２では、誘電体部材又は空間の厚さ（ｄ_ｉ）を比誘電率（ε_ｉ）で除した換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの外部電極内表面から前記容器内表面までの総和が、容器全体に亙って略均一となるように、誘電体部材の材料と、誘電体部材と空間の厚さと、外部電極形状を組み合わせるとされている。

特許文献３には、特許文献１に開示された容器よりも小型のプラスチック容器の内壁面にガスバリア性膜を均一に成膜する方法として、容器の外壁面と外部電極の内壁面との間に誘電体部材を配置し、原料ガス供給管として機能する内部電極を容器内部に挿入せず、容器の口部から所定距離だけ離して配置する成膜方法が開示されている。

特開平８−５３１１６号公報 特開２００８−２３１４６８号公報 特開２０１２−１１６５４１号公報

本発明者らは、口部の内径が小さく、口部の内径に対して高さの高い容器に対して、特許文献３に記載されたように、容器の外壁面と外部電極の内壁面の間に誘電体部材を配置し、容器の外部で原料ガスを供給した後、外部電極に高周波電力を印加したところ、主に容器の口部側でのみプラズマが発生し、容器内部ではプラズマが発生しにくい傾向があり、容器の底部側では、ほとんどガスバリア性膜が成膜されないことを確認した。
また、容器内に成膜されたガスバリア性膜の膜厚は、容器口部付近では厚く、容器の底部側では薄く、容器全体においてガスバリア性膜の膜厚の均一性が悪いため、成膜後の容器は酸素や水蒸気の透過を十分に抑制することができないことを確認した。
この場合において、容器内部でのプラズマの発生を向上させるために、外部電極に印加する高周波電力を大きくすると、容器が熱変形してしまうという不具合が生じた。

この問題は、特許文献２の技術を採用しても解決することはできない。

本発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、口部の内径が小さく、口部の内径に対して高さの高い容器であっても、容器内面にガスバリア性膜を均一に成膜して、高いガスバリア性を有するプラスチック容器を製造することができる成膜装置及び成膜方法と、ガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法を提供することにある。

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、容器と容器を収容した電極凹部との間に、特定条件を満たすよう導電体部材及び／又は誘電体部材を配置して成膜を行うことにより、容器内面にガスバリア性膜を均一に成膜することができることを見出し、本発明に到達した。
すなわち本発明の要旨は以下の通りである。

［１］ 少なくとも口部、胴部及び底部を有するプラスチック容器の内面に、プラズマＣＶＤ法によりガスバリア性膜を成膜する装置であって、該プラスチック容器の底部が奥側となるように該プラスチック容器を収容する凹部が形成された第１の電極と、該第１の電極との間でプラズマを発生させる第２の電極と、該第１の電極と第２の電極との間にプラズマ発生用の電圧を印加する電源と、該凹部に収容されたプラスチック容器内を排気する排気手段と、該プラスチック容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有するガスバリア性膜の成膜装置において、該凹部内面と該プラスチック容器の胴部との間に、誘電体部材、又は導電体部材、又は導電体部材とその内側の誘電体部材が設けられており、以下の条件Ａを満たすことを特徴とするガスバリア性膜の成膜装置。
条件Ａ：該凹部に収容されたプラスチック容器の高さ方向に直交する断面（以下、「横断面」と称す。）において、該第１の電極又は導電体部材で形成される実質電極表面と、該プラスチック容器の胴部外表面との間に存在する空隙及び／又は誘電体部材の厚さ（ｄ_ｉ）を比誘電率（ε_ｉ）で除した換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの、該実質電極表面から胴部外表面までの総和が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。

［２］ ［１］において、前記導電体部材が、下記条件Ｂを満たすように設置されていることを特徴とする［１］に記載のガスバリア性膜の成膜装置。
条件Ｂ：前記横断面において、前記実質電極表面から該プラスチック容器の胴部外表面までの距離が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。

［３］ 前記第１の電極の凹部が、有底の筒型形状であることを特徴とする［１］又は［２］に記載のガスバリア性膜の成膜装置。

［４］ 前記凹部に設けられた前記誘電体部材及び／又は導電体部材が、有底又は無底の筒型形状であることを特徴とする［１］ないし［３］のいずれかに記載のガスバリア性膜の成膜装置。

［５］ 前記凹部に設けられた前記導電体部材及び／又は誘電体部材の少なくとも前記プラスチック容器側面の前記横断面の形状が、前記プラスチック容器の胴部外面の前記横断面の形状と相似形であることを特徴とする［４］に記載のガスバリア性膜の成膜装置。

［６］ 前記プラスチック容器の口部の内径（Ｄ）が３５ｍｍ以下であり、該口部の内径（Ｄ）に対する該プラスチック容器の高さ（Ｈ）の比（Ｈ／Ｄ）が３以上であることを特徴とする［１］ないし［５］のいずれかに記載のガスバリア性膜の成膜装置。

［７］ ［１］ないし［６］のいずれかに記載のガスバリア性膜の成膜装置により、プラスチック容器の内面にガスバリア性膜を成膜することを特徴とするガスバリア性膜の成膜方法。

［８］ 少なくとも口部、胴部及び底部を有するプラスチック容器の内面に、プラズマＣＶＤ法によりガスバリア性膜を成膜してガスバリア性膜付プラスチック容器を製造する方法において、該プラスチック容器の底部が奥側となるように該プラスチック容器を収容する凹部が形成された第１の電極の該凹部内に、誘電体部材、又は導電体部材、又は導電体部材とその内側の誘電体部材を、下記条件Ａを満たすように設置した後、該凹部に該プラスチック容器を収容する工程と、該第１の電極との間でプラズマを発生させる第２の電極を該プラスチック容器の口部側に配置する工程と、該プラスチック容器内を排気する工程と、該プラスチック容器内に原料ガスを供給する工程と、該第１の電極と第２の電極との間にプラズマ発生用の電圧を印加することにより、該原料ガスをプラズマ化して該プラスチック容器の内面にガスバリア性膜を成膜する工程とを有することを特徴とするガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法。
条件Ａ：該凹部に収容されたプラスチック容器の高さ方向に直交する断面（以下、「横断面」と称す。）において、該第１の電極又は導電体部材で形成される実質電極表面と、該プラスチック容器の胴部外表面との間に存在する空隙及び／又は誘電体部材の厚さ（ｄ_ｉ）を比誘電率（ε_ｉ）で除した換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの、該実質電極表面から胴部外表面までの総和が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。

［９］ 前記導電体部材を、下記条件Ｂを満たすよう設置することを特徴とする［８］に記載のガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法。
条件Ｂ：前記横断面において、前記実質電極表面から該プラスチック容器の胴部外表面までの距離が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。

［１０］ 前記プラスチック容器の口部の内径（Ｄ）が３５ｍｍ以下であり、該口部の内径（Ｄ）に対する該プラスチック容器の高さ（Ｈ）の比（Ｈ／Ｄ）が３以上であることを特徴とする［８］又は［９］に記載のガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法。

本発明によれば、口部の内径が小さく、口部の内径に対して高さの高い容器であっても、容器内面に、ガスバリア性膜を均一に成膜することができ、高いガスバリア性を有するガスバリア性膜付プラスチック容器を製造することが可能となる。
本発明は、所定の条件を満たすように導電体部材及び／又は誘電体部材を配置するのみで、既存のガスバリア性膜の成膜装置にも容易に適用することが可能であり、実用性に優れる。

本発明のガスバリア性膜の成膜装置の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。 本発明のガスバリア性膜の成膜装置の別の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。 本発明における第１の電極の凹部内の導電体部材及び／又は誘電体部材の配置例を示す断面図である。 本発明における第１の電極の凹部内の導電体部材及び／又は誘電体部材の配置例を示す断面図である。 換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの算出例を説明するための凹部内面〜容器胴部までの横断面図である。 プラスチック容器の形状例を示す図であって、（ａ），（ｃ），（ｅ）図は縦断面図、（ｂ），（ｄ），（ｆ）図は、それぞれ（ａ），（ｃ），（ｅ）図のＢ−Ｂ線、Ｄ−Ｄ線、Ｆ−Ｆ線に沿う横断面図である。 プラスチック容器と導電体部材及び誘電体部材の横断面形状の形状例を示す図であって、（ａ）図は縦断面図、（ｂ−１）図，（ｂ−２）図，（ｂ−３）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 実施例における換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの総和の算出位置を示す断面図である。 実施例におけるガスバリア性膜の膜厚の測定部位を示す断面図である。 比較例における導電体部材又は誘電体部材の配置を示す断面図である。

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下の説明は、本発明の実施形態の一例（代表例）を説明するものであり、本発明はこれらの内容に特定されるものではない。

［作用機構］
本発明においては、下記条件Ａを満たすように、第１の電極の凹部内に誘電体部材及び／又は導電体部材を設ける。なお、導電体部材と誘電体部材を設ける場合、誘電体部材は導電体部材の内側に設けられる。
条件Ａ：該凹部に収容されたプラスチック容器の高さ方向に直交する断面（以下、「横断面」と称す。）において、該第１の電極又は導電体部材で形成される実質電極表面と、該プラスチック容器の胴部外表面との間に存在する空隙及び／又は誘電体部材の厚さ（ｄ_ｉ）を比誘電率（ε_ｉ）で除した換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの、該実質電極表面から胴部外表面までの総和が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。

本発明により、条件Ａを満たすように誘電体部材及び／又は導電体部材を設けることにより、口部の内径が小さく、口部の内径に対して高さの高い容器であっても、容器内面にガスバリア性膜を均一に成膜することができる理由は、以下の通りである。

口部の内径が小さく、口部の内径に対して高さの高い容器では、既存のガスバリア性膜の成膜装置を用いた場合、主に容器の口部側でのみプラズマが発生し、容器内部ではプラズマが発生しにくい、すなわちプラズマの発生が容器内部で不均一になる傾向があり、容器の底部側では、ほとんどガスバリア性膜が成膜されない。
この問題に対して、本発明では、上記条件Ａを満たすように導電体部材及び／又は誘電体部材を設けることで、プラスチック容器の凹部における実質電極表面から容器胴部の外表面までのインピーダンスを、容器胴部の口部側から、容器胴部の底部側にかけて小さくする、傾斜（グラデーション）又は段差を付ける。このようにすることによって、容器の底部側でプラズマをより発生し易くし、容器内部でのプラズマの発生を均一にし、容器内面に付着するガスバリア性膜の膜厚均一性を高めることが可能となる。

［ガスバリア性膜の成膜装置］
まず、図１，２を参照して本発明のガスバリア性膜の成膜装置について説明する。図１，２は本発明のガスバリア性膜の成膜装置の実施の形態の一例を示す模式的な断面図であり、同一機能を奏する部材には同一符号を付してある。

図１，２において、２は、ガスバリア性膜を成膜するプラスチック容器１を収容する凹部２Ａが形成された第１の電極であり、絶縁部材８を介して密閉される蓋部４Ａと本体部４Ｂとで構成される真空チャンバ４の本体部４Ｂ側に設けられている。また、第１の電極２には、整合器５Ａを介して高周波電源５より電力が供給される。

第１の電極２の凹部２Ａは、プラスチック容器１の高さよりも深く、かつその横断面はプラスチック容器１の横断面よりも大きく、プラスチック容器１の全体を、その底部が奥側となるように収容し得ると共に、プラスチック容器１と第１の電極２の凹部２Ａの内面の間に、導電体部材及び／又は誘電体部材、場合により更に空隙（空間）を設けることができる大きさに形成されている。

図１において、３は、第１の電極２との間でプラズマを発生させるための第２の電極である。
本実施の形態においては、第２の電極３は真空チャンバ４の蓋部４Ａの板面の内面に積層された板状電極であるが、第２の電極の形状、配置構成は何ら図示のものに限定されるものではない。
ただし、図１のように、第２の電極３を、第１の電極２の凹部２Ａに収容されたプラスチック容器１の口部から離隔して設けられた板状電極とすることにより、電極構造を簡略化することができ、また多様な形状の対象物に成膜することができ、工業的に有利である。

第２の電極３と第１の電極２との距離（図１中のＬ_１）は５〜２５０ｍｍとすることが好ましい。この範囲内であれば、第２の電極３と第１の電極２との間でプラズマを生成、維持することが容易になる傾向がある。

真空チャンバ４の蓋部４Ａには、原料ガスの供給管６が貫通して設けられてもよい。図１の実施の形態では、この原料ガスの供給管６の先端のノズル６Ａが第１の電極２の凹部２Ａに収容されたプラスチック容器１内に位置するように設けられている。原料ガスの供給管６は、第２の電極３に接続されており、第２の電極の一部としての役割も果たす。

このように、原料ガス供給ノズル６Ａの先端をプラスチック容器１内に位置するように設けることにより、口部の内径が小さく、口部の内径に対して高さの高い容器であっても、容器の底部にまで十分量の原料ガスを供給して容器１の底部側にもガスバリア性膜を効率的に成膜することができるようになる。原料ガス供給ノズル６Ａの先端の位置は、ガスバリア性膜を成膜するプラスチック容器１の寸法や形状によっても異なるが、排気効率、プラズマ生成の観点から、プラスチック容器１の口部から容器１内に挿入された原料ガス供給ノズル６Ａの先端までの長さ（挿入深さ）（図１中Ｌ_２）が、プラスチック容器１の高さの１／１０〜４／５となるようにすることが好ましく、１／５〜１／２となるようにすることがより好ましい。

７は、真空チャンバ４内を排気する排気管であり、図示しない真空ポンプに接続されている。

第２の電極は、原料ガスを真空チャンバ内に供給するシャワーヘッドを兼ねてもよい。第２の電極をシャワーヘッドとすることで、容器の形状に関わらず、真空チャンバ内に安定して原料ガスを供給することができる。

図２は、第２の電極が原料ガスを真空チャンバ内に供給するシャワーヘッドを兼ねるように構成された成膜装置を示すものであり、真空チャンバ４の蓋部４Ａに設けられたシャワーヘッド嵌め込み用の孔部に、絶縁部材９を介して第２の電極３０と電極支持体３１の積層体が一体的に設けられている。電極支持体３１内には、ガス拡散室３２が設けられており、このガス拡散室３２から真空チャンバ４内に連通する多数のガス吐出孔３３が電極支持体３１と第２の電極３０を貫通して設けられている。また、原料ガスの供給管６がこのガス拡散室３２に連結されている。

図２の成膜装置は、このように、第２の電極３０が原料ガスを真空チャンバ内に供給するシャワーヘッドを兼ね、原料ガスの供給管６の先端が、電極支持体３１のガス拡散室３２に連結されていること以外は、図１の成膜装置と同様の構成とされている。

本発明のガスバリア性膜の成膜装置は、第１の電極２の凹部２Ａ内に導電体部材１１及び／又は誘電体部材１２を前述の条件Ａを満たすように設け、その内側にプラスチック容器１を配置してプラズマＣＶＤ法によりガスバリア性膜を成膜することを特徴とする。

図１，２の成膜装置では、凹部２Ａ内の奥側に有底筒状の導電体部材１１が設けられ、その上に導電体部材１１と同径の筒状の誘電体部材１２が積み重ねられている。

図１，２の成膜装置では、プラスチック容器１の高さ方向において、上から約１／２の部分に誘電体部材１２が設けられ、その下に導電体部材１１が設けられ、導電体部材１１及び誘電体部材１２は、第１の電極２及びプラスチック容器１と接するように設けられているが、本発明において、導電体部材及び／又は誘電体部材は、プラスチック容器１と第１の電極２の凹部２Ａとの間に、前述の条件Ａを満たすように設けられていればよく、その他、以下のような態様が挙げられる。

（１） 図３（ａ）に示すようにプラスチック容器１の高さ方向に、プラスチック容器１の高さの約１／３の筒状の導電体部材１１Ａと、筒状の誘電体部材１２Ａ，１２Ｂとを積み重ねて設けたもの。この配置例では、プラスチック容器１の底部側の容器１の外表面と第１の電極２との間には導電体部材１１Ａが存在し、プラスチック容器１の口部側及び中間部では誘電体部材１２Ａ，１２Ｂが存在する。
（２） 図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）における誘電体部材１２Ａ部分を筒状の導電体部材１１Ｂと誘電体部材１２Ｃとの２層構造としたもの。この配置例では、プラスチック容器１の底部側の容器１の外表面と第１の電極２との間には導電体部材１１Ａが存在し、プラスチック容器１の口部側では誘電体部材１２Ｂが存在し、中間部では導電体部材１１Ｂと誘電体部材１２Ｃが存在する。
（３） 図３（ｃ）に示すように、プラスチック容器１の高さ方向の下から約１／３の高さ部分に筒状の誘電体部材１２Ｄを設け、その上に、プラスチック容器１の高さの約１／３の、筒状で、外径が誘電体部材１２Ｄに等しく、肉厚の薄い誘電体部材１２Ｅを積み重ねたもの。この配置例では、プラスチック容器１の底部側の容器１の外表面と第１の電極２との間は誘電体部材１２Ｄのみが存在し、プラスチック容器１の口部側では、空隙１０のみが存在し、中間部では、誘電体部材１２Ｅと空隙１０とが存在する。
（４） 図３（ｄ）に示すように、プラスチック容器１の高さ方向の下から約１／３の高さ部分に有底筒状の導電体部材１１Ｂを設けたもの。この配置例では、プラスチック容器１の底部側の容器１の外表面と第１の電極２との間には導電体部材１１Ｂが存在し、プラスチック容器１の口部側及び中間部では空隙１０が存在する。

このように、容器１の高さ方向に同じ厚みの誘電体部材や導電体部材を積み重ねてもよいし、異なる厚みの誘電体部材や導電体部材を積み重ねて設置してもよいし、容器１の高さ方向の途中まで導電体部材や誘電体部材を設置してもよい。

また、導電体部材や誘電体部材は容器の高さ方向において厚みに傾斜（グラデーション）や段差を設けてもよく、例えば、以下のような態様も採用することができる。

（５） 図４（ａ）に示すように、図１，２に示す導電体部材及び誘電体部材の配置において、導電体部材１１Ｃと誘電体部材１２Ｆの当接部に嵌合用の段差を設けたもの。
（６） 図４（ｂ）に示すように、導電体部材１１Ｄをプラスチック容器１の底部側から高さ方向に肉厚が次第に薄くなる有底筒状とし、誘電体部材１２Ｇを逆に肉厚が次第に厚くなる筒状としたもの。この配置例では、プラスチック容器１の口部側では誘電体部材の肉厚が厚く、底部側では導電体部材の肉厚が厚くなる。

（７） 図４（ｃ）に示すように、図３（ｄ）に示す有底筒状の導電体部材１１Ｂに容器１の高さ方向に次第に肉厚が薄くなるように肉厚に傾斜をつけた導電体部材１１Ｅを設けたもの。
（８） 図４（ｄ）に示すように、図４（ｃ）の導電体部材１１Ｅと同形状の誘電体部材１２Ｈを設けたもの。

このように、容器１の高さ方向の途中まで導電体部材を設けその上に誘電体部材を積み重ねてもよいし、容器の胴部途中まで導電体部材又は誘電体部材を設置してもよいし、第１の電極の凹部表面に沿って、異なる厚みの導電体部材を積み重ねて設置してもよいし、厚みに傾斜のある誘電体部材を設置してもよい。
換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの調整の自由度、異常放電の抑制の観点から、導電体部材及び誘電体部材の両方を配置する態様が好ましい。

特に、導電体部材を設ける場合、導電体部材は下記条件Ｂを満たすように設けることが、容器内部でのプラズマの発生をより均一にすることができるので好ましい。
条件Ｂ：前記横断面において、前記実質電極表面から該プラスチック容器の胴部外表面までの距離が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。

プラズマ発生効率の面から、第１の電極の凹部の内面（導電体部材を設置した場合は、導電体部材面）と誘電体部材との間隙は２ｍｍ以下であることが好ましく、接触していることがより好ましい。
また、異常放電を防ぐ観点から、導電体部材は、第１の電極の少なくとも一部と接触（導通）していることが好ましい。

導電体部材や誘電体部材は、図１に示すように収容されたプラスチック容器１と第１の電極２の間に設置される。導電体部材や誘電体部材の形状は、第１の電極及び収容されたプラスチック容器の間に収まる形状であれば、特に限定されない。
第１の電極の凹部が、筒型形状である場合は、導電体部材や誘電体部材も、筒型形状であることが好ましく、第１の電極の凹部と容器の底部の間に収まるよう有底筒型形状であることも好ましい。

導電体部材や誘電体部材が筒型形状である場合、これらの部材の少なくともその誘電体部材側面の横断面形状が、プラスチック容器の胴部外面の横断面形状と相似形であることがより好ましい。このように導電体部材や誘電体部材がプラスチック容器と相似形であれば、横断面全体において、容器外表面と第１の電極の凹部表面までの換算距離の総和が、均一に近くなる。
同じ理由で、第１の電極の凹部の横断面形状も、プラスチック容器の胴部外面の横断面形状と相似であることも好ましい。

誘電体部材を構成する誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ化炭素樹脂、ポリアセタール、硬質塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂などのプラスチック樹脂、ガラス、セラミックスなどが挙げられ、単一の誘電体を使用してもよいし、複数の誘電体を同時に使用してもよい。
一方、導電体部材を構成する導電材料としては、アルミニウム、銅、鉄及びそれらから成る合金、ステンレス鋼などを用いることができ、中でもアルミニウム合金が、導電性、熱伝導性、加工性の観点から好ましい。
誘電体部材及び導電体部材の肉厚は２〜３０ｍｍの範囲で設けることが好ましい。

なお、比較的大きなプラスチック容器にガスバリア性膜を成膜するための既存の成膜装置を用いて、比較的小さなプラスチック容器にガスバリア性膜を成膜する場合、第１の電極の凹部がプラスチック容器に対して大き過ぎることとなる。このような場合において、プラスチック容器１と凹部の内面との間隙に導電体部材及び／又は誘電体部材を介在させることにより、均一成膜を図ると共に、凹部の寸法調整を行える。

［換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの算出方法］
以下に、図５を参照して換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの算出方法について説明する。

説明の便宜上、図５では第１の電極２の凹部と容器１の胴部との間に、導電体部材１１、誘電体部材１２及び空隙１０が存在する場合を示す。

横断面における、誘電体部材１２の厚さをｄ_１、空隙１０の厚さをｄ_２とする。また、誘電体部材１２の比誘電率をε_１、空隙１０の比誘電率をε_２とする。ε_２＝１である。第１の電極２の凹部に接して導電体部材１１が設けられているため、実質電極表面は導電体部材１１の内表面となる。この実質電極表面と容器１の胴部外表面との間に存在する誘電体部材１２の換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉはｄ_１／ε_１であり、空隙の換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉはｄ_２／ε_２＝ｄ_２である。従って、これらの総和は、ｄ_１／ε_１＋ｄ_２となる。
本発明においては、このようにして算出される換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの実質電極表面から容器１の胴部外表面までの総和が、プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さくなるように、第１の電極と容器胴部との間に誘電体部材及び／又は導電体部材、場合により更に空隙を設ける。
また、容器内部でのプラズマの発生をより細かく調整する観点から、換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの実質電極表面から容器１の胴部外表面までの総和が、プラスチック容器の口部側から底部側の方が小さく、かつ、少なくとも２つ以上の段差が付いていることが好ましい。
さらには、換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの実質電極表面から容器１の胴部外表面までの総和が、プラスチック容器の口部側から底部側の方が小さく、かつ、傾斜が付いていることが特に好ましい。

［プラスチック容器］
本発明において、ガスバリア性膜を成膜するプラスチック容器には特に制限はなく、図６（ａ），（ｂ）（（ｂ）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線断面図）に示すような、有底角筒型形状の容器１Ａであってもよく、図６（ｃ），（ｄ）（（ｄ）図は（ｃ）図のＤ−Ｄ線断面図）に示すように、底部が丸みを帯びた断面楕円形状の容器１Ｂであってもよい。また、図６（ｅ），（ｆ）（（ｆ）図は（ｅ）図のＦ−Ｆ線断面図）に示すように、胴部に対して口部が縮径された有底円筒型形状の容器１Ｃであってもよい。図６（ａ），（ｃ）に示す容器１Ａ，１Ｂの口部が図６（ｅ）に示されるように、縮径されたものであってもよい。なお、図６において、Ｘは口部を、Ｙは胴部を、Ｚは底部をそれぞれ示す。
図６（ａ），（ｃ），（ｅ）の胴部の縦断面形状においては、胴部の内径がほぼ均一な形状が示されているが、これに限られず、例えば、口部側から底部側につれて胴部の内径が増加または減少する形状であってもよいし、丸みを帯びた形状であってもよい。
また、胴部にリブ形状や凹凸形状を有していてもよい。
よりプラズマが発生しにくい容器形状、例えば、図６（ｅ）に示されるように胴部に対して口部が縮径された容器であれば、より顕著に本発明の効果を得ることできる。

いずれの形状であっても、本発明は特に、口部の内径（Ｄ）に対して高さ（Ｈ）の高い容器に対して有効である。例えば、本発明は、口部の内径（Ｄ）が３５ｍｍ以下、特に２０ｍｍ以下、とりわけ１５ｍｍ以下、例えば５〜３５ｍｍの範囲で、口部の内径（Ｄ）に対する高さ（Ｈ）の比（Ｈ／Ｄ）比が３以上、４以上、６以上、例えば３〜１０の範囲であり、有効容量として３００ｍｌ以下、特に５０ｍｌ以下、とりわけ２０ｍｌ以下であるような容器へのガスバリア性膜の成膜に有効であり、このようにＨ／Ｄ比が大きい容器であっても、特定条件を満たすよう導電体部材及び／又は誘電体部材を配置したことにより、容器の底部にまでガスバリア性膜を成膜することができる。

プラスチック容器を構成するプラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレフタレート系共重合樹脂（ポリエステルのアルコール成分にエチレングリコールの代わりに、シクロヘキサンジメタノール等を使用した共重合樹脂等）、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ乳酸（ＰＬＡ）等の脂肪族ポリエステル系樹脂、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、シクロオレフィンポリマー樹脂（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー樹脂（ＣＯＣ）等のシクロオレフィン系樹脂、アイオノマ樹脂、ポリ−４−メチルペンテン−１樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリスチレン樹脂（ＰＳ）、エチレン−ビニルアルコール共重合樹脂、アクリロニトリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリスルホン樹脂、フッ化エチレン樹脂、スチレン−ブタジエン樹脂、アクリロニトリル−スチレン樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂等が挙げられ、これらの中でも、成形性や耐熱性の観点から、ＰＥＴ、ＰＣ及びシクロオレフィン系樹脂が好ましい。

前述の通り、誘電体部材、導電体部材、更には第１の電極の凹部は、プラスチック容器の横断面形状と相似形であることが好ましい。図３（ｂ）に示した態様において、この相似形状を図７を参照して説明すると、図７（ａ）のＢ−Ｂ線断面において、横断面形状が楕円形の容器１ａであれば、図７（ｂ−１）の通りであり、横断面形状が円形の容器１ｂであれば、図７（ｂ−２）の通りであり、横断面形状が略長方形状の容器１ｃであれば図７（ｂ−３）の通りである。この形状例では第１の電極２の凹部の横断面形状が円形であるため、横断面形状が楕円形の容器１ａや略長方形状の容器１ｃの場合、導電体部材１１Ｂ、誘電体部材１２Ｃ、特に導電体部材１１Ｂは、その横断面形状が第１の電極の凹部の円形形状から、次第に容器の形状に近づくように、外側の形状と内側（容器側）の形状が設計されている。

［ガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法］
次に、上記のような本発明のガスバリア性膜の成膜装置によりガスバリア性膜を成膜してガスバリア性膜付きプラスチック容器を製造する方法について説明する。

プラスチック容器１にガスバリア性膜を成膜するには、まず、図１の真空チャンバ４の蓋部４Ａを開放した状態で、第１の電極２の凹部２Ａ内に導電体部材１１及び誘電体部材１２を設けプラスチック容器１を挿入する。
次いで、第２の電極３と原料ガス供給管６を有する蓋部４Ａを絶縁部材８を介して本体部４Ｂに気密に取り付けた後、排気管７より真空引きして真空チャンバ４内を真空にする。この真空の程度は例えば０．１〜５０Ｐａ程度である。

次に、原料ガス供給管６より原料ガスをプラスチック容器１内に供給し、高周波電源５により、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加してプラズマを発生させる。

原料ガスの供給流量には、特に制限はないが、通常１０〜２００ｓｃｃｍ程度である。
また、印加する電力量にも特に制限はないが、通常４０〜５００Ｗ程度であり、容器形状や装置の構成によって、４０〜２００Ｗであることが好ましい場合がある。

このように、プラスチック容器１の内部に向けて原料ガスを減圧された所定圧力下で吹き出させているときに、高周波電力を供給すると、この電力をエネルギー源として、プラスチック容器１内の原料ガスがプラズマ化され、これによって、プラスチック容器１の内壁面にガスバリア性膜が成膜される。

成膜時間は、電力量や原料ガス供給流量、所望のガスバリア性膜の膜厚等により適宜調整されるが、通常１〜９０秒の範囲であり、生産性の観点から、好ましくは１〜２０秒、より好ましくは１〜１０秒の範囲である。
成膜後は原料ガスの供給を停止すると共に電源をＯＦＦとし、真空チャンバ４内を復圧して開放し、ガスバリア性膜付きプラスチック容器を取り出す。

図２に示す成膜装置であっても、上記と同様に成膜を行える。

［ガスバリア性膜］
本発明において、プラスチック容器の内面に成膜されるガスバリア性膜は、酸素又は水蒸気等の透過を抑制可能であれば、その組成は特に限定されるものではない。特にダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜）、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＯＮＣ膜、Ｓｉ含有ダイヤモンドカーボン膜等のＳｉ含有膜、又は、アルミナ膜であることが好ましい。中でも、化学的に不活性であること、柔軟性によりプラスチック容器の伸縮に追従性があることから、ＤＬＣ膜が好ましい。尚、ガスバリア性膜は、異なる組成の膜を複数重ねたものであってもよい。

ガスバリア性膜の膜厚は、用途に応じた要求特性により適宜設定されるが通常５〜２００ｎｍである。

ＤＬＣ膜としては、アモルファスカーボン膜、水素化アモルファスカーボン膜、テトラヘドラルアモルファスカーボン膜、水素化テトラヘドラルアモルファスカーボン膜などを例示することができる。ＤＬＣ膜中には、窒素や酸素が含まれていてもよい。その場合、炭素原子数１００に対し、窒素原子数、酸素原子数が好ましくは、各２０以下、より好ましくは、各１５以下である。炭素原子数に対する各原子数は、Ｘ線光電子分光分析で分析可能である。

［原料ガス］
原料ガスとしては、例えば、ＤＬＣ膜を成膜する場合、常温で気体又は液体の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素類、含窒素炭化水素類などが使用される。特に炭素数が６以上のベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、シクロヘキサン等が望ましい。食品等の容器に使用する場合には、衛生上の観点から脂肪族炭化水素類、特にエチレン、プロピレン又はブチレン等のエチレン系炭化水素、又は、アセチレン、アリレン又は１−ブチン等のアセチレン系炭化水素が好ましい。

Ｓｉ含有膜を成膜する場合には、珪化炭化水素ガス又は珪化水素ガスを使用する。具体的には、四塩化ケイ素、シラン（ＳｉＨ_４）、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメチルシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン等の有機シラン化合物、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）等の有機シロキサン化合物等が使用される。また、これらの材料以外にも、アミノシラン、シラザンなども用いられる。

アルミナ膜を成膜する場合には、炭化水素アルミニウムガスを使用する。例えば、トリアルキルアルミニウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジアルキルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、ジメチルイソプロピルアルミニウムを用いる。

これらの原料ガスは、単独で用いてもよいが、２種以上の混合ガスとして使用するようにしてもよい。さらにこれらのガスをアルゴンやヘリウムの様な希ガスで希釈して用いてもよい。また、水素ガスや窒素ガス、又は酸素ガスを加えてガスバリア性膜の組成を調整してもよい。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で種々の応用が可能である。

［測定及び評価方法］
＜換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの総和＞
図８の位置Ｉ、位置II、位置IIIにおいて、各位置での換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの総和を算出した。
なお、図８は、導電体部材及び／又は誘電体部材の配置例として、図３（ｂ）に示したものを例示して算出位置を示したものであり、プラスチック容器の底部から口部までの高さ（図８中のＨｙ）を３等分し、各々３等分した領域の中間位置を換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの総和の算出位置とした。

＜ガスバリア性膜の膜厚均一性＞
図９に示すように、予め、プラスチック容器１の内壁面に、シリコンウェハ２０を配置してガスバリア性膜２１の成膜を行った。成膜後、容器１からシリコンウェハ２０を取り出し、シリコンウェハ２０上に堆積しているガスバリア性膜２１の膜厚を高精度微細形状測定器（小坂研究所株式会社製、製品名「サーフコーダＥＴ４０００Ａ」）を用いて測定した。

膜厚の測定は、プラスチック容器１の胴部を、図９に示すように高さ方向に分割し、位置Ａ（容器底部側、胴部最下部から２０ｍｍ上方の位置）におけるガスバリア性膜の膜厚Ｔ_Ａ、位置Ｂ（容器胴部の高さ方向の中央部分の位置であり、位置Ａと位置Ｂとの距離と、位置Ｂと位置Ｃとの距離は等しい。）におけるガスバリア性膜の膜厚Ｔ_Ｂ、位置Ｃ（容器口部側、胴部最上部から１０ｍｍ下方の位置）におけるガスバリア性膜の膜厚Ｔ_Ｃをそれぞれ測定し、Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｂ及びＴ_Ａ／Ｔ_Ｃを算出した。Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｂ及びＴ_Ａ／Ｔ_Ｃの値がいずれも０．５０以上であれば膜厚が均一であると評価できる。

ガスバリア性膜を成膜するプラスチック容器としては、いずれも、図６（ｆ）に示すような円筒型形状であって、底部が図６（ｃ）に示すように丸底形状となっているポリカーボネート製容器（口部内径Ｄ＝１５ｍｍ、高さＨ＝９０ｍｍ、Ｈ／Ｄ＝６、容量１６ｍＬ）（以下、容器イ）を用いた。

導電体部材としてはアルミニウムを用い、誘電体部材としてはテフロン（登録商標）又はポリアセタールを用いた。テフロン（登録商標）の比誘電率は２．１で、ポリアセタールの比誘電率は３．７である。

また、いずれも成膜装置としては、図２に示す成膜装置（第１の電極２と第２の電極３０との距離Ｌ_１は３５ｍｍ）を用い、第１の電極に印加する高周波電力１００Ｗ、原料ガス（アセチレンガス）の流量１００ｓｃｃｍ、成膜時間１４秒として、容器１の内面にＤＬＣ膜を成膜した。

［実施例１］
誘電体部材としてテフロン（登録商標）を用い、導電体部材と誘電体部材を図３（ｂ）の配置として容器イの内面にＤＬＣ膜を成膜した。
得られた容器のガスバリア性膜の膜厚均一性の評価結果を表１に示す。

［実施例２］
誘電体部材としてテフロン（登録商標）を用い、導電体部材と誘電体部材を図３（ａ）の配置として容器イの内面にＤＬＣ膜を成膜した。
得られた容器のガスバリア性膜の膜厚均一性の評価結果を表１に示す。

［実施例３］
誘電体部材としてテフロン（登録商標）を用い、導電体部材を用いず、誘電体部材を図３（ｃ）の配置として容器イの内面にＤＬＣ膜を成膜した。
得られた容器のガスバリア性膜の膜厚均一性の評価結果を表１に示す。

［比較例１］
導電体部材のみを用い、図１０（ａ）の配置として、容器イの内面にＤＬＣ膜を成膜した。
得られた容器のガスバリア性膜の膜厚均一性の評価結果を表１に示す。
なお、図１０（ａ）及び以下の図１０（ｂ）において、図３（ａ）と同一機能を奏する部材には同一符号を付してある。

［比較例２］
誘電体部材としてテフロン（登録商標）を用い、導電体部材を用いず、図１０（ｂ）の配置として容器イの内面にＤＬＣ膜を成膜した。
得られた容器のガスバリア性膜の膜厚均一性の評価結果を表１に示す。

［比較例３］
誘電体部材としてポリアセタールを用い、導電体部材を用いず、図１０（ｂ）の配置として、容器イの内面にＤＬＣ膜を成膜した。
得られた容器のガスバリア性膜の膜厚均一性の評価結果を表１に示す。

なお、表１には各例における換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの総和と、実質電極表面（第１の電極表面又は導電体部材を用いた場合は導電体部材表面）から容器の胴部表面までの距離を示す。

表１より、本発明に従って、換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの総和が位置IIIよりも位置Ｉ側の方が小さくなるように導電体部材及び／又は誘電体部材を容器と第１の電極との間に配置することにより、Ｈ／Ｄ比の大きい容器イであっても均一な膜厚でガスバリア性膜を成膜することができることが分かる。
これに対して導電体部材のみ又は誘電体部材のみを用い、換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの総和が位置Ｉ，II，IIIで等しい比較例１〜３では、ガスバリア性膜の膜厚均一性に劣る。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１ａ，１ｂ，１ｃ プラスチック容器
２ 第１の電極
２Ａ 凹部
３，３０ 第２の電極
４ 真空チャンバ
５ 高周波電源
６ 原料ガス供給管
７ 排気管
８，９ 絶縁部材
１０ 空隙
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ 導電体部材
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ，１２Ｅ，１２Ｆ，１２Ｇ，１２Ｈ 誘電体部材
２０ シリコンウェハ
２１ ガスバリア性膜
３１ 電極支持体
３２ ガス拡散室
３３ ガス吐出孔

Claims (10)

1. 少なくとも口部、胴部及び底部を有するプラスチック容器の内面に、プラズマＣＶＤ法によりガスバリア性膜を成膜する装置であって、
   該プラスチック容器の底部が奥側となるように該プラスチック容器を収容する凹部が形成された第１の電極と、
   該第１の電極との間でプラズマを発生させる第２の電極と、
   該第１の電極と第２の電極との間にプラズマ発生用の電圧を印加する電源と、
   該凹部に収容されたプラスチック容器内を排気する排気手段と、
   該プラスチック容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有するガスバリア性膜の成膜装置において、
   該凹部内面と該プラスチック容器の胴部との間に、誘電体部材、又は導電体部材、又は導電体部材とその内側の誘電体部材が設けられており、以下の条件Ａを満たすことを特徴とするガスバリア性膜の成膜装置。
   条件Ａ：該凹部に収容されたプラスチック容器の高さ方向に直交する断面（以下、「横断面」と称す。）において、該第１の電極又は導電体部材で形成される実質電極表面と、該プラスチック容器の胴部外表面との間に存在する空隙及び／又は誘電体部材の厚さ（ｄ_ｉ）を比誘電率（ε_ｉ）で除した換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの、該実質電極表面から胴部外表面までの総和が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。
2. 請求項１において、前記導電体部材が、下記条件Ｂを満たすように設置されていることを特徴とする請求項１に記載のガスバリア性膜の成膜装置。
   条件Ｂ：前記横断面において、前記実質電極表面から該プラスチック容器の胴部外表面までの距離が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。
3. 前記第１の電極の凹部が、有底の筒型形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載のガスバリア性膜の成膜装置。
4. 前記凹部に設けられた前記誘電体部材及び／又は導電体部材が、有底又は無底の筒型形状であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のガスバリア性膜の成膜装置。
5. 前記凹部に設けられた前記導電体部材及び／又は誘電体部材の少なくとも前記プラスチック容器側面の前記横断面の形状が、前記プラスチック容器の胴部外面の前記横断面の形状と相似形であることを特徴とする請求項４に記載のガスバリア性膜の成膜装置。
6. 前記プラスチック容器の口部の内径（Ｄ）が３５ｍｍ以下であり、該口部の内径（Ｄ）に対する該プラスチック容器の高さ（Ｈ）の比（Ｈ／Ｄ）が３以上であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のガスバリア性膜の成膜装置。
7. 請求項１ないし６のいずれかに記載のガスバリア性膜の成膜装置により、プラスチック容器の内面にガスバリア性膜を成膜することを特徴とするガスバリア性膜の成膜方法。
8. 少なくとも口部、胴部及び底部を有するプラスチック容器の内面に、プラズマＣＶＤ法によりガスバリア性膜を成膜してガスバリア性膜付プラスチック容器を製造する方法において、
   該プラスチック容器の底部が奥側となるように該プラスチック容器を収容する凹部が形成された第１の電極の該凹部内に、誘電体部材、又は導電体部材、又は導電体部材とその内側の誘電体部材を、下記条件Ａを満たすように設置した後、該凹部に該プラスチック容器を収容する工程と、
   該第１の電極との間でプラズマを発生させる第２の電極を該プラスチック容器の口部側に配置する工程と、
   該プラスチック容器内を排気する工程と、
   該プラスチック容器内に原料ガスを供給する工程と、
   該第１の電極と第２の電極との間にプラズマ発生用の電圧を印加することにより、該原料ガスをプラズマ化して該プラスチック容器の内面にガスバリア性膜を成膜する工程
   とを有することを特徴とするガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法。
   条件Ａ：該凹部に収容されたプラスチック容器の高さ方向に直交する断面（以下、「横断面」と称す。）において、該第１の電極又は導電体部材で形成される実質電極表面と、該プラスチック容器の胴部外表面との間に存在する空隙及び／又は誘電体部材の厚さ（ｄ_ｉ）を比誘電率（ε_ｉ）で除した換算距離ｄ_ｉ／ε_ｉの、該実質電極表面から胴部外表面までの総和が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。
9. 前記導電体部材を、下記条件Ｂを満たすよう設置することを特徴とする請求項８に記載のガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法。
   条件Ｂ：前記横断面において、前記実質電極表面から該プラスチック容器の胴部外表面までの距離が、該プラスチック容器の口部側よりも底部側の方が小さい。
10. 前記プラスチック容器の口部の内径（Ｄ）が３５ｍｍ以下であり、該口部の内径（Ｄ）に対する該プラスチック容器の高さ（Ｈ）の比（Ｈ／Ｄ）が３以上であることを特徴とする請求項８又は９に記載のガスバリア性膜付プラスチック容器の製造方法。

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