JP2017198740A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】狭額縁化を図りながらも、局所的な電圧保持率の低下が抑制され、かつ信頼性に優れた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１００は、第１ガラス基板１０１及び第２ガラス基板１０３の周縁部がシール材１０５を介して貼り合わされており、基板間に液晶層１０６を備える。液晶表示装置１００は、少なくとも一方の基板上において、シール材１０５よりも内側の領域に形成された液晶配向膜１０９，１１１と、液晶配向膜１０９，１１１が形成された基板上において、基板の端縁と液晶配向膜１０９，１１１の端縁との間に、シール材１０５と液晶配向膜１０９，１１１とが非接触の状態になるように配置されたブロッキング材１１０とを備える。ブロッキング材１１０は、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。

液晶表示装置は、一般に、一対の基板の周縁部がシール材で貼り合わされ、それら一対の基板とシール材とによって囲まれた空間に液晶層が挟持されるとともに、液晶層側の基板上に液晶配向膜を有する構成となっている。また、液晶層は一般に水分に弱く、液晶表示装置の内部に水分が浸入した場合には表示ムラ等の表示品位の低下を招くことが懸念される。そのため、シール材部分については封止性能が高い構造とする必要がある。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等に代表されるタッチパネル式の表示パネルにおいて、タッチパネルの可動面積をより広く、かつパネルの小型化を両立させるために狭額縁化を図ることが試みられている。例えば、特許文献１には、基板上に形成された液晶配向膜の端部と、シール材が形成される領域との間に撥液性膜を形成することによって、配向膜とシール材を接近させて配置できるようにすることが開示されている。

特開２０１１−１８６０２６号公報

液晶表示装置においてシール材部分の封止性能が劣る場合、外部の水分が液晶表示装置の内部に浸入し、局所的な電圧保持率の低下を招くことが懸念される。また、液晶表示装置の狭額縁化を図るにあたっては、液晶表示装置の信頼性（例えば、熱に対する信頼性）を低下させないようにすることが重要である。特に近年、液晶表示装置の多用途化に伴い、液晶表示装置は、従来にも増して高温等の過酷な環境下で使用されることが想定される。また、高精細の液晶テレビが主体となり、さらに小型の表示端末の普及が進み、液晶表示装置に対する信頼性の要求はさらに高まっている。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、狭額縁化を図りながらも、局所的な電圧保持率の低下が抑制され、かつ信頼性に優れた液晶表示装置を提供することを一つの目的とする。

本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を採用した。

第１の構成は、対向配置された第１基板及び第２基板の周縁部がシール材を介して貼り合わされており、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を備える液晶表示装置であって、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板上において、前記シール材よりも内側の領域に形成された液晶配向膜と、前記液晶配向膜が形成された基板上において、前記基板の端縁と前記液晶配向膜の端縁との間に、前記シール材と前記液晶配向膜とが非接触の状態になるように配置されたブロッキング材と、を備え、前記ブロッキング材が、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成されていることを特徴とする。

上記第１の構成では、液晶配向膜とシール材との接触を抑制するためのブロッキング材を、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成する構成とした。こうした構成とすることにより、狭額縁化を図りながらも、液晶表示装置の局所的な電圧保持率の低下が少なく、かつ信頼性（特に熱信頼性）に優れた液晶表示装置を得ることができる。

第２の構成は、前記シリコン系樹脂は、ポリシロキサン及びポリシラザンの少なくとも一種であることを特徴とする。また、第３の構成は、前記フッ素系樹脂は、炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を側鎖に有する樹脂であることを特徴とする。こうした構成によれば、液晶配向剤に対する撥液性が高く、かつ基板との密着性に優れたブロッキング材を形成することができる。よって、液晶配向膜を形成するための重合体組成物を塗布する際に、重合体組成物の濡れ広がりを効果的に規制できる。また、塗布時に位置ずれが生じた場合にも、ブロッキング材の撥液性によって、液晶配向膜がシール材の領域にまで形成されることをより抑制することができる。

第４の構成は、前記ブロッキング材は、前記第１基板上に形成された第１ブロッキング材と、前記第２基板上に形成された第２ブロッキング材とを備え、前記第１ブロッキング材と前記第２ブロッキング材との間に、前記シール材が前記第１ブロッキング材及び前記第２ブロッキング材に接触した状態で介在していることを特徴とする。こうした構成によれば、第１ブロッキング材、シール材及び第２ブロッキング材からなる積層構造によって第１基板と第２基板とを貼り合わせることができ、基板上においてシール材を形成する領域を狭くすることができ、狭額縁化を一層図ることができる。

第５の構成は、上記第４の構成において、前記第１ブロッキング材と前記シール材との接触面及び前記第２ブロッキング材と前記シール材との接触面に、膜厚が異なる凹凸パターンを有することを特徴とする。この構成によれば、ブロッキング材とシール材との接触面積が増大されることで両者の密着性を向上させることができる。これにより、ブロッキング材とシール材との界面からの水分の浸入をさらに好適に抑制することができる。

第６の構成は、液晶表示装置の製造方法に関し、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板上に、該基板の中央部分の表示領域を囲むようにブロッキング材を形成する工程と、前記ブロッキング材の形成後に、前記表示領域に液晶配向膜を形成する工程と、前記液晶配向膜の形成後に、前記表示領域よりも外側に前記シール材を配置して前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、を含み、前記ブロッキング材が、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成されていることを特徴とする。

上記第６の構成では、液晶配向膜とシール材との接触を抑制するためのブロッキング材を、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成したことにより、狭額縁化を図りながらも、液晶表示装置の局所的な電圧保持率の低下が少なく、かつ熱信頼性に優れた液晶表示装置を得ることができる。

第７の構成では、上記第６の構成において、液晶配向剤を用いて形成した塗膜に光配向処理を施すことにより前記液晶配向膜を形成することを特徴とする。この構成によれば、シール材周辺部において配向ムラがより少ない液晶表示装置を得ることができる。

第８の構成では、上記第６の構成において、前記ブロッキング材をフォトリソグラフィー工程によって形成することを特徴とする。フォトグラフィ工程によれば、１μｍ以下のアライメント精度を確保することができる。したがって、例えばディスペンサ法やスクリーン印刷法等によってブロッキング材を形成する場合に比べて、ブロッキング材の幅を狭く設計することができ、狭額縁化に有利である。

第９の構成では、上記第６の構成において、前記ブロッキング材を形成する工程は、前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれの基板上に前記ブロッキング材を形成する工程であり、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程は、前記第１基板上に形成された第１ブロッキング材と、前記第２基板上に形成された第２ブロッキング材との間に、前記シール材が前記第１ブロッキング材及び前記第２ブロッキング材に接触した状態で介在された状態になるように前記シール材を介して前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程であることを特徴とする。この構成によれば、第１ブロッキング材、シール材及び第２ブロッキング材からなる積層構造によって第１基板と第２基板とが貼り合わされるため、シール材を形成する領域をより狭くすることができる。また、ブロッキング材を上記材料で形成しているため、シール材との密着性も良好である。したがって、狭額縁化と製品歩留まりとの両立をさらに図ることができる。

第１０の構成では、上記第９の構成において、前記ブロッキング材は、酸解離性基を有する重合体と酸発生剤とを含む感放射線性樹脂組成物を用いて形成されており、前記ブロッキング材の形成後に前記ブロッキング材を加熱又は前記ブロッキング材に放射線照射する工程を含むことを特徴とする。

上記第１０の構成によれば、加熱又は放射線照射によってブロッキング材中の重合体成分の酸解離性基が脱離され、極性官能基（水酸基又はカルボキシル基等）が生じることによって、シール材の成分が有する官能基との相互作用が生じる。これにより、ブロッキング材とシール材との密着性を更に向上させることができる。

第１実施形態の液晶表示装置の平面図。 第１実施形態の液晶表示装置の断面図。 第１実施形態の液晶表示装置の断面図。 第２実施形態の液晶表示装置の断面図 別例の液晶表示装置の断面図。 別例の液晶表示装置の断面図。 比較例の液晶表示装置の断面図。

（第１実施形態）
以下に、液晶表示装置及びその製造方法の第１実施形態について、適宜図面を参照しつつ説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付しており、同一符号の部分についてはその説明を援用する。

本実施形態の液晶表示装置１００は、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード型であり、図１及び図２に示すように、第１ガラス基板１０１及び第２ガラス基板１０３からなる一対のガラス基板を備えている。第１ガラス基板１０１上には、走査線や信号線等の各種配線や、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（TFT:Thin Film Transistor）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電体からなる画素電極、平坦化膜等が設けられており、これらによってＴＦＴ基板１０２が構築されている。第１ガラス基板１０１上には、複数の画素が例えばマトリクス状に配置されており、それら複数の画素が配置された基板中央部分が、液晶表示装置１００の表示画面を構成する表示領域Ｒ１となっている。ＴＦＴ基板１０２の画素電極上には、液晶の配向を規制する液晶配向膜としての第１配向膜１０９が表示領域Ｒ１の全体に亘って設けられている。なお、一対の基板はガラス基板に限らず、例えば透明プラスチック基板等を用いてもよい。

第２ガラス基板１０３上には、カラーフィルタや、ＩＴＯ等の透明導電体からなる共通電極、遮光層、オーバーコート層等が設けられており、これらによって対向基板１０４が構築されている。対向基板１０４の共通電極上には、液晶の配向を規制する液晶配向膜としての第２配向膜１１１が表示領域Ｒ１の全体に亘って設けられている。ＴＦＴ基板１０２と対向基板１０４とは対向配置されており、対向配置された両基板の周縁部がシール材１０５を介して貼り合わされている。対向基板１０４上には、両基板間のセルギャップを維持するためのスペーサ１１３（例えば、柱状のフォトスペーサ）が複数設けられている。ＴＦＴ基板１０２と対向基板１０４との間には、第１配向膜１０９及び第２配向膜１１１に接するようにして液晶層１０６が設けられている。

シール材１０５は、ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４上に、各基板に接着した状態で、表示領域Ｒ１を取り囲むようにして各基板の周辺に沿って配置されている。シール材１０５の材料としては、液晶表示装置用のシール材として公知の材料（例えば、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂）が用いられている。そして、ＴＦＴ基板１０２と対向基板１０４とシール材１０５とによって囲まれた空間に液晶が充填され、液晶層１０６が形成されている。ＴＦＴ基板１０２の一端部には端子領域１０７が設けられており、端子領域１０７に、液晶を駆動するためのドライバＩＣ１０８等が接続される。

ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４の液晶層１０６側のそれぞれの表面には、液晶配向膜１０９，１１１とシール材１０５との接触を抑制する部材として、疎水性樹脂からなるブロッキング材１１０が配置されている。ブロッキング材１１０は、図２及び図３に示すように、ＴＦＴ基板１０２の端縁１０２ａと第１配向膜１０９の端縁１０９ａとの間、及び対向基板１０４の端縁１０４ａと第２配向膜１１１の端縁１１１ａとの間に、シール材１０５と液晶配向膜１０９，１１１とが非接触の状態になるようにそれぞれ配置されている。本実施形態では、ＴＦＴ基板１０２に設けられた第１ブロッキング材１１０ａは、シール材１０５と第１配向膜１０９の端縁１０９ａとの間に、表示領域Ｒ１を取り囲むように配置されている。また、対向基板１０４に設けられた第２ブロッキング材１１０ｂは、シール材１０５と第２配向膜１１１の端縁１１１ｂとの間に、表示領域Ｒ１を取り囲むように配置されている（図１及び図２参照）。特に本実施形態では、ブロッキング材１１０が、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成されている。

なお、本実施形態では、図２及び図３に示すように、第１ブロッキング材１１０ａと第２ブロッキング材１１０ｂとが、高さ方向において非接触の状態になっているが、第１ブロッキング材１１０ａ及び第２ブロッキング材１１０ｂを高さ方向に拡張することによって、第１ブロッキング材１１０ａの上端面と第２ブロッキング材１１０ｂの上端面とが接触している状態にしていてもよい。液晶表示装置１００において、ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４のそれぞれの外側には偏光板１１４が配置されている。

次に、本実施形態の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。本製造方法は、以下の工程Ａ〜工程Ｃを含む。
工程Ａ；ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４の各基板上に、基板中央部分の表示領域Ｒ１を囲むようにブロッキング材１１０を配置する工程。
工程Ｂ；ブロッキング材１１０の配置後において、ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４の各基板上における表示領域Ｒ１に液晶配向膜１０９，１１１を形成する工程。
工程Ｃ；液晶配向膜１０９，１１１の形成後に、表示領域Ｒ１よりも外側に配置されたシール材１０５を介してＴＦＴ基板１０２と対向基板１０４とを貼り合わせる工程。

なお、ブロッキング材１１０及び液晶配向膜１０９，１１１については、ＴＦＴ基板１０２と対向基板１０４とで同じであるため、以下では、工程Ａ及び工程ＢではＴＦＴ基板１０２について説明し、対向基板１０４についての説明は省略する。

工程Ａでは、ＴＦＴ基板１０２の電極形成面上に、基板中央部分の表示領域Ｒ１を囲むように第１ブロッキング材１１０ａを形成する。本実施形態では、第１配向膜１０９を形成する領域、つまり表示領域Ｒ１と、シール材１０５を配置する領域Ｒ３との間の領域Ｒ２に第１ブロッキング材１１０ａを形成する。ブロッキング材１１０の形成方法としては、例えばフォトリソグラフィー法、ディスペンサ法、スクリーン印刷法等が挙げられる。中でも、フォトリソグラフィー法によるものとすることにより、１μｍ以下のアライメント精度を確保することが可能であり、狭額縁化の観点からより好ましい。第１ブロッキング材１１０ａの高さ及び幅は、基板の大きさに応じて適宜設定される。

フォトリソグラフィー法によって第１ブロッキング材１１０ａを形成する工程については既知の方法を用いることができるため、ここでは詳細な説明は省略するが、通常、膜形成工程、放射線照射工程及び現像工程を含む方法によって行う。まず、膜形成工程では、酸解離性基を有する重合体［Ａ］と酸発生剤とを含む感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する。感放射線性樹脂組成物が溶媒を含む場合には、塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去することが好ましい。続く放射線照射工程では、塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、ブロッキング材１１０の形状に応じた所定のパターンを有するフォトマスクを介して行う。次いで、放射線が照射された塗膜を現像する（現像工程）。これにより、不要な部分（ポジ型であれば放射線の照射部分）が除去されて所定のパターンを有するブロッキング材１１０が形成される。現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。現像後には、塗膜を加熱する加熱工程を含んでいてもよい。加熱により、現像液を十分に除去できるとともに、必要に応じて重合体［Ａ］の硬化反応が促進される。

続く工程Ｂでは、ＴＦＴ基板１０２上の表示領域Ｒ１に、液晶配向剤を例えばオフセット印刷法、インクジェット印刷法等により塗布して塗膜を形成する。また、塗布した液晶配向剤の液垂れ防止等の目的で好ましくは予備加熱（プレベーク）を実施するとともに、塗膜中の溶剤を完全に除去する目的で好ましくは焼成（ポストベーク）を実施する。このときのプレベーク温度は、好ましくは３０〜２００℃であり、プレベーク時間は、好ましくは０．２５〜１０分である。また、ポストベーク温度は、好ましくは８０〜３００℃であり、ポストベーク時間は、好ましくは５〜２００分である。

液晶配向剤としては、例えばポリアミック酸やポリイミド、ポリアミック酸エステル、ポリアミド、ポリオルガノシロキサン、ポリ（メタ）アクリレート等の１種又は２種以上の重合体成分が有機溶媒に分散又は溶解してなる液晶配向剤を用いる。本実施形態では、液晶配向剤として、光配向性基を有する重合体を含む光配向剤を用い、光配向剤を用いて形成した塗膜に、偏光又は非偏光の放射線を照射する光配向処理を施すことにより第１配向膜１０９を形成する。光配向性基は、光照射による光異性化反応、光二量化反応又は光分解反応によって膜に異方性を付与する官能基であり、例えばアゾベンゼン含有基、桂皮酸構造含有基、シクロブタン構造、フェニルベンゾエート構造等が挙げられる。光配向処理に際し、塗膜に照射する放射線は、例えば１５０〜８００ｎｍの波長の光を含む紫外線及び可視光線を用いることができる。好ましくは、２００〜４００ｎｍの波長の光を含む紫外線である。放射線の照射量は、好ましくは４００〜５０，０００Ｊ／ｍ^２であり、より好ましくは１，０００〜２０，０００Ｊ／ｍ^２である。

なお、第１配向膜１０９を形成する方法は光配向法に限らず、塗膜を例えばナイロン、レーヨン、コットンなどの繊維からなる布を巻き付けたロールで一定方向に擦るラビング処理を用いてもよい。

続く工程Ｃでは、ＴＦＴ基板１０２と対向基板１０４とを貼り合わせるためのシール材１０５が、ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４の少なくとも一方の周縁に沿って塗布される。このとき、基板上にはブロッキング材１１０が設けられているため、シール材１０５を配置する領域Ｒ３には液晶配向膜１０９，１１１が形成されていない。これにより、シール材１０５が液晶配向膜１０９，１１１上に重なって形成されることが抑制される。その後、シール材１０５を塗布した一方の基板上に、例えばＯＤＦ（One Drop Filling）法、インクジェット法等により液晶を滴下又は塗布し、液晶配向膜１０９，１１１が対向するように他方の基板を貼り合わせる。ただし、液晶表示装置１００を構築する方法としては、上記に限らず、例えばセルギャップを介して対向配置された一対の基板の周縁部をシール材１０５を介して貼り合わせ、基板表面及びシール材１０５によって囲まれたセルギャップ内に液晶を注入充填した後、注入孔を封止する方法を採用してもよい。その後、ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４の外側に偏光板１１４を貼り合わせ、液晶表示装置１００が得られる。

なお、本実施形態の工程Ａでは、ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４のそれぞれの基板上にブロッキング材１１０を配置したが、ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４のうちの一方のみに液晶配向膜を設ける場合には、液晶配向膜を形成する基板のみにブロッキング材１１０を形成してもよい。

次に、ブロッキング材１１０を構成する材料について詳しく説明する。ブロッキング材１１０は、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成されている。

シリコン系樹脂は、ケイ素原子を基本骨格に有する樹脂であれば特に限定されないが、ポリシロキサン及びポリシラザンの少なくとも一種であることが好ましい。なお、ポリシロキサンとは、繰り返し単位中にＳｉ−Ｏ結合を含む重合体をいい、例えば「−（Ｓi（Ｒ）₂−Ｏ）_n−」（Ｒは水酸基、ハロゲン原子又は１価の有機基であり、ｎは２以上の整数である。）で表される重合体をいう。ポリシラザンとは、繰り返し単位中にＳｉ−Ｎ結合を含む重合体をいう。合成の容易さの観点からすると、シリコン系樹脂としては、中でもポリシロキサンを好ましく使用することができる。

シリコン系樹脂は、基板との密着性を向上させる観点から、オキセタニル基及びオキシラニル基の少なくとも一方を側鎖に有することが好ましい。オキセタニル基及びオキシラニル基の少なくとも一方を側鎖に有するシリコン系樹脂は、例えば、オキセタニル基又はオキシラニル基を有する単量体を用いた重合により得ることができる。シリコン系樹脂における、オキセタニル基又はオキシラニル基を有する単量体に由来する構造単位の含有割合は、密着性の改善効果を十分に得る点で、全構成単位に対して１０モル％以上とすることが好ましく、３０モル％以上とすることがより好ましい。

炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂（以下「側鎖型フッ素系樹脂」ともいう。）の主骨格は特に限定されないが、エチレン性不飽和結合を有する単量体に由来する構造単位を含む重合体が好ましく用いられる。エチレン性不飽和結合を有する単量体としては、例えば（メタ）アクリル化合物、ビニル化合物、マレイミド化合物等が挙げられる。側鎖型フッ素系樹脂は、中でも（メタ）アクリル系重合体が好ましい。なお、本明細書において（メタ）アクリル系重合体は、単量体として（メタ）アクリル化合物のみを用いた重合体、及び（メタ）アクリル化合物とその他の単量体とを用いた共重合体を含む意味である。後者において、（メタ）アクリル化合物に由来する構造単位の含有割合は、側鎖型フッ素系樹脂の全構造単位に対して、３０モル％以上が好ましく、４０モル％以上がより好ましく、６０モル％以上がさらに好ましい。

側鎖型フッ素系樹脂が有する炭素数１〜４０のフッ素含有基としては、例えば炭素数１〜４０の炭化水素基における１個以上の水素原子をフッ素原子で置換した基等が挙げられる。なお、本明細書において「炭化水素基」とは、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基を含む概念である。これらの中でも、側鎖型フッ素系樹脂が有するフッ素含有基は、炭素数１〜４０の鎖状炭化水素基における１個以上の水素原子をフッ素原子で置換した基であることが好ましく、炭素数１〜１２のフルオロアルキル基であることがより好ましい。フッ素含有基におけるフッ素原子の数は、フッ素含有基の炭素数に応じて適宜設定されるが、好ましくは１〜２０個、より好ましくは３〜１５個である。

ブロッキング材１１０は、例えば、シリコン系樹脂又は側鎖型フッ素系樹脂が適当な有機溶媒に分散又は溶解されてなる重合体組成物を基板上に塗布することによって形成される。基板上に塗布された重合体組成物に対し、有機溶媒を除去することを目的として、必要に応じて加熱等の処理を施してもよい。フォトリソグラフィー法によってブロッキング材１１０を形成する場合、酸解離性基を有する重合体［Ａ］は、シリコン系樹脂であってもよいし、側鎖型フッ素系樹脂であってもよいし、あるいはシリコン系樹脂及び側鎖型フッ素系樹脂以外のその他の重合体であってもよい。好ましくは、シリコン系樹脂又は側鎖型フッ素系樹脂である。
酸解離性基としては、水酸基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、酸の存在下で解離する基を用いる。こうした基を用いることにより、アルカリ現像液による現像が可能となる。これらの具体例としては、例えば下記式（１）〜（３）のそれぞれで表される基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニルメチル基等が挙げられる。

（式（１）中、Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水素基であり、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基若しくは炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水素基であるか、又はＲ^２とＲ^３とが結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに炭素数４〜２０の２価の脂環式炭化水素基を形成している。式（２）及び式（３）中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に水素原子又はメチル基であり、Ｒｆは、１価の炭化水素基が有する水素原子の少なくとも１個がフッ素原子で置換された基である。）

ここで、液晶配向膜１０９，１１１の形成過程では、基板上に塗布した液晶配向剤が外周方向に濡れ広がることで、シール材１０５を形成する領域Ｒ３まで液晶配向膜１０９，１１１が形成されることがある。また、インクジェット印刷法やオフセット印刷法を用いて液晶配向剤を各基板上に塗布する場合、ハイスループット化を実現できる反面、塗布時に位置ずれが生じ、液晶配向膜１０９，１１１がシール材１０５の領域Ｒ３まで侵入することも考えられる。

また、液晶配向膜１０９，１１１がシール材１０５の領域Ｒ３まで形成されると、液晶配向膜上にシール材１０５が重なって配置されることで、シール材１０５の基板に対する密着性が不十分となることが懸念される。また、シール材１０５の密着性が不十分である結果、シール材１０５と液晶配向膜１０９，１１１との間の界面からの水分の浸入が許容され、表示ムラや局所的な電圧保持率（VHR:VoltageHolding Ratio）の低下の原因となるおそれがある。液晶配向膜１０９，１１１がシール材１０５の領域Ｒ３まで形成されることを抑制するために、液晶配向膜１０９，１１１の形成領域とシール材１０５の領域Ｒ３との間に十分な間隔を設けて液晶配向剤を塗布することも考えられるが、この場合、液晶表示装置１００の表示領域Ｒ１が狭くなり、狭額縁化を図ることができないといった問題が生じる。

この点、上記構成の液晶表示装置１００には、各基板の端縁１０２ａ，１０４ａと、液晶配向膜１０９，１１１の端縁１０９ａ，１１１ａとの間に、シール材１０５と液晶配向膜１０９，１１１とが非接触の状態になるようにブロッキング材１１０が形成されていることから、液晶配向剤の塗布時において、液晶配向剤の外周方向への濡れ広がりや印刷の位置ずれが生じた場合にも、液晶配向膜１０９，１１１が、シール材１０５が配置される領域Ｒ３にまで形成されることを抑制することができる。特に本実施形態では、ブロッキング材１１０を、シリコン系樹脂又は側鎖型フッ素系樹脂を用いて形成したことにより、局所的な電圧保持率の低下を抑制できるとともに、熱信頼性が高い液晶表示装置１００を得ることができる。よって、狭額縁化を図りつつ、製造歩留まりが良好な液晶表示装置１００が得られる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶表示装置１００について、第１実施形態との相違点を中心に説明する。上記第１実施形態では、シール材１０５がＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４のそれぞれの表面に接着している構成とした。これに対し、第２実施形態の液晶表示装置１００は、シール材１０５がＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４に接着しておらず、図４に示すように、液晶表示装置１００の厚み方向において、第１ブロッキング材１１０ａと第２ブロッキング材１１０ｂとの間にシール材１０５が配置された構成となっている。

ブロッキング材１１０については、第１実施形態と同様に、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂によって形成されている。そのため、ブロッキング材１１０とシール材１０５との密着性、及びブロッキング材１１０と基板（ＴＦＴ基板１０２、対向基板１０４）との密着性が高く、装置内部への水分の浸入が好適に抑制される。また、平面視においてブロッキング材１１０と重なる領域にシール材１０５が配置されていることから、表示領域Ｒ１をより広く確保できる。これにより、製品歩留まりの向上を図りつつ、更なる狭額縁化を図ることが可能である。

特に本実施形態では、図４に示すように、第１ブロッキング材１１０ａの対向基板１０４との対向面１１０ｃ及び第２ブロッキング材１１０ｂのＴＦＴ基板１０２との対向面１１０ｄのそれぞれに、膜厚が異なる凹凸パターンを有している。この凹凸形状によって、シール材１０５とブロッキング材１１０との接触面積が増加し、両者の密着性をさらに高くすることが可能となる。そのため、平面視においてシール材１０５をブロッキング材１１０に重なるように形成した場合において、水分の浸入をより効果的に抑制することができる。

なお、対向面上の凹凸パターンの形状及び凹部と凸部の個数は、シール材１０５とブロッキング材１１０との接触面積を増加させることができればよく、特に限定されない。凹凸パターンとしては、例えば、柱形状、円錐形状、半球形状、ピラミッド形状等といった様々な形状の周期的な構造を採用することができる。

凹凸パターンを有するブロッキング材１１０は、例えばハーフトーンマスク等の多階調マスクによるフォトリソグラフィー法を用いて形成される。具体的には、酸解離性基を有する重合体［Ａ］と酸発生剤とを含む感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成し、多階調マスクを介して塗膜に放射線照射することにより形成する。重合体［Ａ］についての説明は、上記第１実施形態の説明が適用される。重合体［Ａ］は、中でも、酸解離性基を有する側鎖型フッ素系樹脂であることが好ましく、酸解離性基がフッ素原子を有していることがより好ましい。こうした重合体としては、例えば上記式（２）又は式（３）で表される基を含む構造単位を有する重合体等が挙げられる。

なお、上記感放射線性樹脂組成物を用いて形成した塗膜に放射線照射した場合、放射線照射部分の酸解離性基が脱離し、その後の現像処理によって放射線照射部分に凹部が形成される。このとき、放射線照射による酸解離性基の脱離によって、放射線照射部分には水酸基又はカルボキシル基が生じる。このようなブロッキング材１１０の上にシール材１０５を形成した場合、凹凸パターンによってブロッキング材１１０とシール材１０５との接触面積が増大することに加え、ブロッキング材１１０の放射線照射部分に生じた水酸基又はカルボキシル基と、シール材１０５の成分が有する官能基（例えばエポキシ基、カルボキシル基等）との間で相互作用が生じ、これによりブロッキング材１１０とシール材１０５との密着性をより高くすることが可能になる。

本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、ブロッキング材１１０の形成後に、ブロッキング材１１０を加熱又はブロッキング材１１０に放射線照射する工程を含んでいてもよい。このときの加熱又は放射線照射の処理によってブロッキング材１１０中の重合体［Ａ］の酸解離性基が脱離し、この脱離によって生じた水酸基又はカルボキシル基と、シール材１０５の成分が有する官能基との間の相互作用によってブロッキング材１１０とシール材１０５との密着性の向上を図ることが可能となる。当該工程において、加熱の際の温度は、７０〜３００℃の範囲とすることが好ましく、８０〜２５０℃の範囲とすることがより好ましい。放射線照射は、波長が１９０〜４５０ｎｍの範囲にある放射線によることが好ましく、３６５ｎｍの紫外線を含む放射線によることがより好ましい。露光量は、５００〜６，０００Ｊ／ｍ^２の範囲とすることが好ましく、１，０００〜２，０００Ｊ／ｍ^２の範囲とすることがより好ましい。

また、酸解離性基がフッ素原子を有している場合には、液晶配向剤の塗布時には十分に高い撥液性を示し、その後の加熱又は放射線照射によって酸解離性基が脱離することで、水酸基又はカルボキシル基が生じるとともにフッ素原子が脱離する。これにより、ブロッキング材１１０の撥液性が低下し、ブロッキング材１１０とシール材１０５との密着性をさらに向上させることが可能となる。なお、ブロッキング材１１０を加熱又は放射線照射する処理は、ブロッキング材１１０を基板上に形成した後であればよく、シール材１０５の配置前及びシール材１０５の配置後のいずれで行ってもよい。好ましくは前者である。また、ブロッキング材１１０を加熱する処理を、液晶配向膜１０９，１１１の膜形成のための加熱（ポストベーク）と同時に行ってもよく、ブロッキング材１１０に放射線照射する処理を、液晶配向膜１０９，１１１を得るための光配向処理と同時に行ってもよい。この場合、工程数を減らすことができ好適である。

第１ブロッキング材１１０ａと第２ブロッキング材１１０ｂとの間に、これらの接触した状態でシール材１０５が介在する構成については上記に限定されない。例えば、図５に示すように、シール材１０５の一部がＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０４に接着しており、残りの少なくとも一部が、第１ブロッキング材１１０ａ及び第２ブロッキング材１１０ｂの基板との対向面１１０ｃ，１１０ｄに接触している構成としてもよい。また、図６に示すように、第１ブロッキング材１１０ａ及び第２ブロッキング材１１０ｂの基板との対向面１１０ｃ，１１０ｄに凹凸パターンを設けず、平坦面でシール材１０５と接触している構成としてもよい。これらの場合、重合体［Ａ］は、酸解離性基を有する側鎖型フッ素系樹脂であることが好ましく、酸解離性基がフッ素原子を有していることがより好ましい。また、ブロッキング材１１０の形成後にブロッキング材１１０を加熱又は放射線照射する工程を行うことで、ブロッキング材１１０とシール材１０５との密着性をさらに高めることが可能となり好ましい。

なお、上記第１実施形態及び第２実施形態では、横電界方式のＩＰＳモードの液晶表示装置について説明したが、これに限らず、例えば、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示装置や、縦電界方式のＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード、ＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment）モード等の各種モードの液晶表示装置に適用することができる。また、液晶表示装置１００は種々の用途に有効に適用することができ、例えば、時計、携帯型ゲーム、ワープロ、ノート型パソコン、カーナビゲーションシステム、カムコーダー、ＰＤＡ、デジタルカメラ、携帯電話、スマートフォン、各種モニター、液晶テレビ、インフォメーションディスプレイなどの各種表示装置として用いることができる。

以下、実施例を挙げ、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例中、「部」及び「％」は、特に断らない限り質量基準である。実施例中における各種測定は下記のとおりに行った。
［重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）］ ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によるポリスチレン換算により求めた。ＧＰＣ法による測定は、下記条件において、テトラヒドロフランを溶媒として使用し、オルガノポリシロキサン１ｇを１００ｃｃのテトラヒドロフランに溶解して試料とした。また、標準ポリスチレンは、米国プレッシャーケミカル社製の標準ポリスチレンを使用した。
装置；米国ウオーターズ社製、恒温高速ゲル浸透クロマトグラム（モデル１５０−ＣＡＬＣ／ＧＰＣ）
カラム；昭和電工（株）製、ＳＨＯＤＥＸ Ａ−８０Ｍ、長さ５０ｃｍ
測定温度；４０℃
流速；１ｃｃ／分
［重合体溶液の溶液粘度（ｍＰａ・ｓ）］ 所定の溶媒を用い、重合体濃度１０質量％に調製した溶液についてＥ型回転粘度計を用いて２５℃で測定した。

＜重合体の合成＞
［合成例１］
還流冷却器、攪拌機を備えた反応器に、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン１００．０ｇ、メチルイソブチルケトン５００ｇ及びトリエチルアミン１０．０ｇを仕込み、室温で混合した。ここに脱イオン水１００ｇを滴下漏斗から３０分かけて滴下した後、還流下で混合しつつ、８０℃において６時間反応を行った。反応終了後、有機層を取り出し、これを０．２質量％硝酸アンモニウム水溶液により洗浄後の水が中性になるまで洗浄した後、減圧下で溶媒及び水を留去することにより、オキシラニル基を有するポリオルガノシロキサンを粘調な透明液体として得た。
次いで、この透明液体をメタノールに投入して生成した沈殿物を回収し、これを酢酸エチルに溶解して溶液とし、該溶液を３回水洗した後、溶剤を留去することにより、オキシラニル基を有するポリオルガノシロキサン（ＰＳｉ−１）を白色粉末として６．３ｇ得た。このポリオルガノシロキサン（ＰＳｉ−１）についてＧＰＣで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は３，５００であった。

［合成例２］
還流冷却器、攪拌機を備えた反応器に、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸２５部、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−ビニルオキシ−オクタン５３部、パラトルエンスルホン酸ピリジニウム１．１部、及びテトラヒドロフラン２００部を仕込み、６０℃に加熱して９時間反応させた。冷却後、反応液にピリジン０．５部を加えクエンチした。得られた反応液を水洗、分液し、ロータリーエバポレーターで溶剤を除去し、減圧蒸留により未反応成分を除去することによりアセタール化生成物（Ｍ−１）を得た。
続いて、還流冷却器、攪拌機を備えた反応器に、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）８部、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン２部及びジエチレングリコールジメチルエーテル２００部を仕込んだ。次いで、上記で得られたアセタール化生成物（Ｍ−１）７５部、メタクリル酸ベンジル２５部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を４時間保持して重合することにより、共重合体である重合体（Ｐ−１）を含む溶液を得た。この溶液の固形分濃度は３４．５％であった。重合体（Ｐ−１）のポリスチレン換算の重量平均分子量は２４，１００であった。

［合成例３］
撹拌子を入れた１００ｍＬの四つ口フラスコに、下記式（ｄａ−１）で表される化合物を２．７３ｇ投入した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５９．２ｇを加えて攪拌して溶解させた。次いで、トリエチルアミンを２．２３ｇ、及びｐ−フェニレンジアミンを１．１ｇ加えて攪拌して溶解させた。この溶液を攪拌しながら、下記式（ａｄ−１）で表される化合物を８．４３ｇ添加し、更にＮＭＰを１０．５９ｇ加え、４０℃で３時間攪拌することにより、溶液粘度１８．２ｍＰａ・ｓである溶液を得た。得られた溶液をメタノール５１２ｇに投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄した後に１００℃で減圧乾燥し、ポリアミック酸エステル（ＰＥ−１）の粉末を得た。このポリアミック酸エステル（ＰＥ−１）のポリスチレン換算の分子量は、Ｍｎ＝１１，２００、Ｍｗ＝２８，５００であった。得られたポリアミック酸エステル粉末１．６ｇを攪拌子の入った１００ｍＬの三角フラスコに取り、ＮＭＰ１１．８ｇを加えて室温で１８時間攪拌して溶解させることで、ポリアミック酸エステル（ＰＥ−１）を含む溶液を得た。

［合成例４］
テトラカルボン酸二無水物として１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物１９．６１ｇ、及びジアミンとして４，４’−ジアミノジフェニルアミン１９．９２ｇをＮＭＰ４２０ｇに溶解し４０℃で４時間反応させることにより、溶液粘度１８０ｍ Ｐａ・ｓであるポリアミック酸（ＰＡ−１）を含有する溶液を得た。
［合成例５］
テトラカルボン酸二無水物として１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物１８．２２ｇ、及びジアミンとしてビス［２−（４−アミノフェニル）エチル］ヘキサン二酸３１．２８ｇをＮＭＰ２００ｇに溶解し、４０℃で６時間反応させることにより、溶液粘度１２５ｍＰａ・ｓであるポリアミック酸（ＰＡ−２）を含有する溶液を得た。
［合成例６］
テトラカルボン酸二無水物として１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物１９．６１ｇ、並びにジアミンとして４，４’−ジアミノジフェニルメタン５．９５ｇ及びＮ４，Ｎ４’−ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ４，Ｎ４’−ジメチルビフェニル−４，４’−ジアミン２７．６２ｇをＮＭＰ３７０ｇに溶解し、４０℃で３時間反応させることにより、溶液粘度１６５ｍＰａ・ｓであるポリアミック酸（ＰＡ−３）を含有する溶液を得た。

＜液晶表示装置＞
［実施例１］
実施例１では、図１〜図３に示した液晶表示装置１００（上記第１実施形態に対応する液晶表示装置）について、シリコン系樹脂を用いてブロッキング材１１０を製造し、性能評価を行った。
（ブロッキング材の調製）
合成例１で得られたポリオルガノシロキサン（ＰＳｉ−１）をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）及び酢酸ブチル（ＢＴＬＡＣ）からなる混合溶媒（ＰＧＭＥＡ：ＮＭＰ：ＢＴＬＡＣ＝３０：３０：４０（質量比））に溶解し、固形分濃度が２８．５質量％の溶液とした。この溶液を孔径０．２μｍのフィルターで濾過することによりブロッキング材（Ｂ−１）を調製した。

（液晶配向剤の調製）
合成例３で得られたポリアミック酸エステル（ＰＥ−１）を含む溶液と、合成例４で得られたポリアミック酸（ＰＡ−１）を含む溶液を、ポリアミック酸エステル（ＰＥ−１）：ポリアミック酸（ＰＡ−１）＝５０：５０（質量比）となるように、ＮＭＰ／ＢＣＳ混合溶液（質量比＝５０：５０）に溶解し、固形分濃度３．５質量％の溶液を作製した。それぞれの溶液を十分に攪拌後、孔径１μｍのフィルターを用いて濾過することにより液晶配向剤（ＡＬ−１）を調製した。

（液晶表示装置の製造及び評価）
上記で調製したブロッキング材及び液晶配向剤（ＡＬ−１）を用いて、図１〜図３に示した液晶表示装置１００を製造し、以下の（１）及び（２）の評価に供した。なお、本実施例では、第１配向膜１０９が形成される領域とシール材１０５が配置される領域との間に、第１ブロッキング材１１０ａをスクリーン印刷法によって形成し、第２配向膜１１１が形成される領域と、シール材１０５が配置される領域との間に第２ブロッキング材１１０ｂをスクリーン印刷法によって形成した。液晶配向膜１０９，１１１は、基板上にブロッキング材１１０を形成した後、ブロッキング材１１０の内側の領域に液晶配向剤（ＡＬ−１）をオフセット印刷法により塗布し、次いで、８０℃のホットプレートで１分間プレベークを行い、庫内を窒素置換したオーブン中で２３０℃にて３０分間加熱（ポストベーク）した後、光配向処理により液晶配向能を付与することによって形成した。光配向処理は、偏光板を介して２５４ｎｍの紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ^２の照射量で塗膜に照射することによって行った。

（１）シール材周辺画素のＶＨＲ評価
上記で製造した液晶表示装置１００を用いて、シール材周辺領域のＶＨＲ評価を行った。まず、ゲート走査線にはパルス信号を周波数６０Ｈｚで印加して、信号線には中間調となるような振幅の矩形波信号を周波数３０Ｈｚで印加し、液晶表示装置１００をバックライト上で駆動した。その後、TOPCON（株）社製の応答速度検出器RD-80SAを用いて、液晶表示装置１００の中央部分の周波数６０ＨｚのFlicker（光のちらつき）強度と、額縁部分から２ｃｍ以内のシール材周辺領域の周波数６０ＨｚのFlicker強度を高速フーリエ変換法（FFT:Fast Fourier Transform）で計測した。周波数６０ＨｚのFlicker強度は液晶表示装置１００のＶＨＲに相当し、ＶＨＲが良好であるほど、Flicker強度は低く検出される。この測定において、シール材周辺部分のFlicker強度が液晶表示装置１００の中央部分のFlicker強度を２０％以上上回る場合にＶＨＲ特性「不可（×）」、１０％以上２０％未満の場合に「可(△)」、５％以上１０％未満の場合に「良(○)」、５％未満の場合に「優(◎)」とした。その結果、この液晶表示装置１００のＶＨＲ特性は「優」であった。

（２）熱信頼性の評価
上記で製造した液晶表示装置１００を用いて、高温高湿試験後の熱信頼性評価を行った。液晶表示装置１００を温度８０℃、湿度８０％の高温高湿漕内に７２時間保管し、その後、室温下で液晶表示装置１００の点灯確認を行った。この試験においてシール材周辺部分に表示ムラが確認された場合を熱信頼性「不良（×）」、表示ムラが確認されない場合を「良好(○)」とした。その結果、この液晶表示装置１００の熱信頼性は「良好」であった。

［実施例２］
実施例２では、図１〜３に示した液晶表示装置１００（上記第１実施形態に対応する液晶表示装置）のブロッキング材１１０をフッ素系樹脂によって製造し、性能評価を行った。
（ブロッキング材の調製）
合成例２で得られた重合体（Ｐ−１）１００部と、酸発生剤としてＮ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル２部、増感剤として２−イソプロピルチオキサントン１部、クエンチャーとして２−フェニルベンゾイミダゾール０．０５部、重合性化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、感放射線性重合開始剤として２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（イルガキュア（登録商標）９０７、BASF社製)２部の各成分を混合し、界面活性剤としてポリフローNo75（共栄社化学(株)製）０．１部を加え、溶剤としてのジエチレングリコールジメチルエーテルに溶解し、固形分濃度が２０質量％の溶液とした。この溶液を孔径０．５μｍのフィルターで濾過することによりブロッキング材（Ｂ−２）を調製した。

（液晶表示装置の製造及び評価）
実施例１の液晶表示装置１００では、ブロッキング材１１０を、ポリオルガノシロキサンを含むブロッキング材（Ｂ−１）を用いてスクリーン印刷法により形成したが、実施例２の液晶表示装置１００では、側鎖型フッ素系樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物であるブロッキング材（Ｂ−２）を用いて、フォトリソグラフィー法により形成した。その他については、実施例１と同様にして液晶表示装置１００を製造し、製造した液晶表示装置１００について、実施例１と同様にシール材周辺画素のＶＨＲ評価及び熱信頼性評価を行った。

その結果、本実施例におけるＶＨＲ特性は「優」、熱信頼性は「良好」であった。この結果から、フッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を用いてブロッキング材１１０を形成した場合にも、実施例１のポリオルガノシロキサンを用いた場合と同様に、液晶配向剤に対する撥液性を示し、液晶配向膜とシール材１０５との接触を抑制することで良好な特性が得られることを確認した。

［実施例３］
実施例３では、図４に示す液晶表示装置１００（上記第２実施形態に対応する液晶表示装置）のブロッキング材１１０を、実施例２で調製したブロッキング材（Ｂ−２）によって製造し、性能評価を行った。第１ブロッキング材１１０ａ及び第２ブロッキング材１１０ｂの凹凸パターンは、ハーフトーンマスクによるフォトリソグラフィー法を用いて形成した。第１ブロッキング材１１０ａ及び第２ブロッキング材１１０ｂに凹凸パターンを形成した後、実施例１と同様にして、ブロッキング材１１０の内側に液晶配向膜を形成した。なお、配向膜形成時のポストベーク工程が、ブロッキング材１１０の加熱工程に相当する。次いで、第１ブロッキング材１１０ａ及び第２ブロッキング材１１０ｂの凹凸パターン上にシール材１０５を塗布し、液晶配向膜１０９，１１１が対向するように配置して一対の基板をシール材１０５を介して貼り合わせた。その他については、実施例１と同様にして液晶表示装置１００を製造し、実施例１と同様にシール材周辺画素のＶＨＲ評価及び熱信頼性評価を行った。

その結果、本実施例の液晶表示装置１００のＶＨＲ特性は「優」、熱信頼性は「良好」であった。この結果から、ブロッキング材１１０に重なってシール材１０５が形成されている構成であっても、平面視においてブロッキング材１１０のシール材１０５との重なる領域に凹凸パターンを形成することでブロッキング材１１０とシール材１０５との接触面積が増加し、両者の密着性が向上したことにより良好な特性が得られることを確認した。

［実施例４］
実施例１では光配向処理により液晶配向膜を形成したが、実施例４ではラビング処理により液晶配向膜を形成することにより図１〜図３に示した液晶表示装置１００（上記第１実施形態に対応する液晶表示装置）を製造し、性能評価を行った。

（液晶配向剤の調製）
合成例５で得られたポリアミック酸（ＰＡ−２）を含む溶液と、合成例６で得られたポリアミック酸（ＰＡ−３）を、ＰＡ−２：ＰＡ−３＝２０：８０（質量比）となるように、ＮＭＰ／ＢＣＳ混合溶液（質量比５０：５０）に溶解し、固形分濃度４．２質量％の溶液とした。溶液を十分に攪拌後、孔径１μｍのフィルターを用いて濾過することにより液晶配向剤（ＡＬ−２）を調製した。
（液晶表示装置の製造及び評価）
液晶配向剤として液晶配向剤（ＡＬ−２）を用いた点、及び液晶配向剤を用いて得られた塗膜にラビング処理を行って液晶配向性を発現させた点以外は、実施例１と同様にして図３の液晶表示装置１００を製造し、実施例１と同様にシール材周辺画素のＶＨＲ評価及び熱信頼性評価を行った。
その結果、本実施例で得られた液晶表示装置１００のＶＨＲ特性は「優」、熱信頼性は「良好」であった。この結果から、光配向処理に替えてラビング処理により配向膜に対して液晶配向性を付与した場合でも良好な特性が得られることを確認した。

ただし、実施例４で製造した液晶表示装置１００について、シール材周辺の液晶配向性を目視にて観察したところ、配向ムラが観測された。この理由については必ずしも明らかではないが、ブロッキング材１１０が形成された状態でラビング処理を行うことで、ブロッキング材１１０の段差により、ブロッキング材付近の液晶配向膜に対するラビング強度にムラが生じたためであると考えられる。

［比較例１］
実施例１では、液晶配向膜が形成される領域とシール材１０５が形成される領域との間にブロッキング材１１０を配置したが、比較例１の液晶表示装置では、図７に示すように、ブロッキング材１１０を形成せずに、液晶配向膜上にシール材１０５を形成した。その他については実施例１と同様にして液晶表示装置を製造し、製造した液晶表示装置について実施例１と同様にシール材周辺画素のＶＨＲ評価と熱信頼性評価を行った。

その結果、比較例１の液晶表示装置は、ＶＨＲ特性は「不可」、熱信頼性は「良好」であった。この結果から、ブロッキング材１１０を形成せずに液晶配向膜とシール材１０５とが重なる構成としたことによって、シール材１０５と液晶配向膜の間の密着性が不十分となり、シール材１０５と液晶配向膜との間の界面から水分の浸入を許し、局所的なＶＨＲ低下を引き起こしたものと推測される。

［比較例２］
実施例１の液晶表示装置１００では、ポリオルガノシロキサンを用いてスクリーン印刷法によりブロッキング材１１０を形成したが、比較例２の液晶表示装置では、テフロン(登録商標、ポリテトラフルオロエチレン）を用いてエアスプレー法によりブロッキング材１１０を形成した。その他については、実施例１と同様に液晶表示装置を製造するとともに、製造した液晶表示装置について、実施例１と同様にシール材周辺画素のＶＨＲ評価及び熱信頼性評価を行った。

その結果、比較例２の液晶表示装置のＶＨＲ特性は「優」、熱信頼性は「不良」であった。この結果から、ブロッキング材１１０にテフロン用いた場合には、ＶＨＲ特性については実施例と同等の結果が得られたものの、熱信頼性は実施例のものよりも劣っていた。その理由については必ずしも明らかではないが、テフロンの線膨張係数が高いため、高温高湿試験下でのブロッキング材の寸法が変化し、液晶表示装置のシール材付近にセルギャップ由来の表示ムラが発現したものと考えられる。

以上の実施例１〜４及び比較例１，２のシール材周辺画素のＶＨＲ評価、熱信頼性及び配向ムラの評価結果を以下の表１に示す。なお、表１中、「配置・形状」の項目は、ブロッキング材１１０とシール材１０５との位置関係及びブロッキング材の対向面の形状を示す。

表１に示したように、シリコン系樹脂又は側鎖型フッ素系樹脂を用いてブロッキング材１１０を形成した実施例１〜４の液晶表示装置１００は、ＶＨＲ特性及び熱信頼性が良好な結果であった。これに対し、ブロッキング材１１０を形成しなかった比較例１では、ＶＨＲ特性が実施例よりも劣っていた。また、テフロンを用いてブロッキング材１１０を形成した比較例２は、熱信頼性が実施例よりも劣っていた。

１００…液晶表示装置、１０１…第１ガラス基板、１０２…ＴＦＴ基板、１０３…第２ガラス基板、１０４…対向基板、１０５…シール材、１０６…液晶層、１０９…第１配向膜、１１０…ブロッキング材、１１０ａ…第１ブロッキング材、１１０ｂ…第２ブロッキング材、１１１…第２配向膜

Claims (10)

1. 対向配置された第１基板及び第２基板の周縁部がシール材を介して貼り合わされており、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を備える液晶表示装置であって、
   前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板上において、前記シール材よりも内側の領域に形成された液晶配向膜と、
   前記液晶配向膜が形成された基板上において、前記基板の端縁と前記液晶配向膜の端縁との間に、前記シール材と前記液晶配向膜とが非接触の状態になるように配置されたブロッキング材と、を備え、
   前記ブロッキング材が、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成されている、液晶表示装置。
2. 前記シリコン系樹脂は、ポリシロキサン及びポリシラザンの少なくとも一種である、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 前記フッ素系樹脂は、炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を側鎖に有する樹脂である、請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記ブロッキング材は、前記第１基板上に形成された第１ブロッキング材と、前記第２基板上に形成された第２ブロッキング材とを備え、
   前記第１ブロッキング材と前記第２ブロッキング材との間に、前記シール材が前記第１ブロッキング材及び前記第２ブロッキング材に接触した状態で介在している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１ブロッキング材と前記シール材との接触面及び前記第２ブロッキング材と前記シール材との接触面に、膜厚が異なる凹凸パターンを有する、請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 対向配置された第１基板及び第２基板の周縁部がシール材を介して貼り合わされており、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を備える液晶表示装置の製造方法であって、
   前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板上に、該基板の中央部分の表示領域を囲むようにブロッキング材を形成する工程と、
   前記ブロッキング材の形成後に、前記表示領域に液晶配向膜を形成する工程と、
   前記液晶配向膜の形成後に、前記表示領域よりも外側に配置された前記シール材を介して前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、を含み、
   前記ブロッキング材が、シリコン系樹脂又は炭素数１〜４０のフッ素含有基を側鎖に有するフッ素系樹脂を用いて形成されている、液晶表示装置の製造方法。
7. 液晶配向剤を用いて形成した塗膜に光配向処理を施すことにより前記液晶配向膜を形成する、請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
8. 前記ブロッキング材をフォトリソグラフィー工程によって形成する、請求項６又は７に記載の液晶表示装置の製造方法。
9. 前記ブロッキング材を形成する工程は、前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれの基板上に前記ブロッキング材を形成する工程であり、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程は、前記第１基板上に形成された第１ブロッキング材と、前記第２基板上に形成された第２ブロッキング材との間に、前記シール材が前記第１ブロッキング材及び前記第２ブロッキング材に接触した状態で介在された状態になるように前記シール材を介して前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程である、請求項６〜８のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
10. 前記ブロッキング材は、酸解離性基を有する重合体と酸発生剤とを含む感放射線性樹脂組成物を用いて形成されており、
    前記ブロッキング材の形成後に前記ブロッキング材を加熱又は前記ブロッキング材に放射線照射する工程を含む、請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。

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