JP2017199902A5 - フレキシブルデバイスの作製方法 - Google Patents
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Claims (11)
- 基板上に、感光性及び熱硬化性を有する樹脂層を形成し、
前記樹脂層に開口を形成し、
前記樹脂層の開口と重なるように選択的にシリコン層を形成し、
前記樹脂層上に、トランジスタを形成し、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一材料を有する導電層を、前記シリコン層上に形成し、
前記樹脂層及び前記シリコン層にレーザを照射し、
前記トランジスタ及び前記導電層と、前記基板とを分離する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 基板上に、感光性及び熱硬化性を有する樹脂層を形成し、
前記樹脂層に開口を形成し、
前記樹脂層の開口と重なるように選択的にシリコン層を形成し、
前記樹脂層上に、トランジスタを形成し、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一材料を有する導電層を、前記シリコン層上に形成し、
前記樹脂層にレーザを照射し、
前記トランジスタ及び前記導電層と、前記基板とを分離する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 基板上に、樹脂層を形成し、
前記樹脂層に開口を形成し、
前記樹脂層の開口と重なるように選択的にシリコン層を形成し、
前記樹脂層上に、トランジスタを形成し、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一材料を有する導電層を、前記シリコン層上に形成し、
前記樹脂層にレーザを照射し、
前記トランジスタ及び前記導電層と、前記基板とを分離する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 基板上に、樹脂層を形成し、
前記樹脂層に開口を形成し、
前記樹脂層の開口と重なるように選択的にシリコン層を形成し、
前記樹脂層上に、トランジスタを形成し、
前記シリコン層上に、導電層を形成し、
前記樹脂層にレーザを照射し、
少なくとも前記トランジスタと、前記基板とを分離する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記シリコン層として、光が照射されることで水素を放出する機能を有するシリコン層を形成する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記シリコン層として、水素化アモルファスシリコン層を形成する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記基板側から前記レーザを前記樹脂層に照射する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記レーザとして線状レーザを用いる、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記樹脂層を、粘度が５ｃＰ以上１００ｃＰ未満の溶液を用いて形成する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記樹脂層を、スピンコータを用いて、前記基板上に形成する、フレキシブルデバイスの作製方法。 - 請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
第１の温度で加熱することで、前記樹脂層を形成し、
前記第１の温度よりも低い温度で、前記トランジスタを形成する、フレキシブルデバイスの作製方法。
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