JP2017207744A

JP2017207744A - 表示装置、モジュール、及び電子機器

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Publication number: JP2017207744A
Application number: JP2017091863A
Authority: JP
Inventors: 山崎　舜平; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; 純一肥塚; Junichi Hizuka; 奈津子高瀬; Natsuko Takase
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2016-05-11
Filing date: 2017-05-02
Publication date: 2017-11-24
Also published as: US20170329162A1; JP2022070953A; US10185190B2; JP7252385B2

Abstract

【課題】表示装置の表示不良を低減する。表示装置の表示品位を向上する。信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上の導電層と、導電層上のトランジスタ及び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、導電層と電気的に絶縁される。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、導電層を介して基板と重なる。導電層には、定電位が供給される。表示装置は、さらに樹脂層を有していてもよい。このとき、導電層は、樹脂層を介して基板と重なる。樹脂層の厚さは、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下である。樹脂層の５％重量減少温度は、例えば、４００℃未満である。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置とその作製方法に関する。本発明の一態様は、特に、可撓性を有する表示装置とその作製方法に関する。本発明の一態様は、表示装置を有するモジュール及び電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、液晶素子が適用された表示装置が知られている。そのほか、発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。

有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。

また、可撓性を有する基板（フィルム）上に、トランジスタなどの半導体素子や、有機ＥＬ素子などの表示素子を形成することによりフレキシブルな表示装置が実現できる。

特許文献１では、犠牲層を介して耐熱性樹脂層及び電子素子が設けられた支持基板（ガラス基板）にレーザ光を照射して、耐熱性樹脂層をガラス基板から剥離することで、フレキシブルな表示装置を作製する方法が開示されている。

特開２０１５−２２３８２３号公報

本発明の一態様は、表示装置の表示不良を低減することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示装置の表示品位を向上することを課題の一つとする。本発明の一態様は、曲面を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、可撓性を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、軽量な表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、薄型の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な表示装置もしくは電子機器等を提供することを課題の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、基板と、基板上の第１の導電層と、第１の導電層上のトランジスタ及び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１の導電層と電気的に絶縁され、かつ、それぞれ、第１の導電層を介して基板と重なる。第１の導電層には定電位が供給される。

本発明の一態様は、基板と、基板上の樹脂層と、樹脂層上の第１の導電層と、第１の導電層上のトランジスタ及び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１の導電層と電気的に絶縁され、かつ、それぞれ、第１の導電層を介して基板と重なる。第１の導電層は、樹脂層を介して基板と重なる。第１の導電層には定電位が供給される。樹脂層の厚さは０．１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。樹脂層の５％重量減少温度は４００℃未満であることが好ましい。樹脂層は開口を有することが好ましい。このとき、樹脂層の開口では、第１の導電層の少なくとも一部が露出することが好ましい。さらに、基板も開口を有していてもよい。このとき、基板の開口は、樹脂層の開口と重なる部分を有していてもよい。基板の開口では、第１の導電層の少なくとも一部が露出してもよい。

上記各構成の表示装置は、第１の導電層上に無機絶縁層を有し、無機絶縁層上にトランジスタ及び発光素子を有していてもよい。

本発明の一態様は、基板と、基板上の第１の樹脂層と、第１の樹脂層上の第１の導電層と、第１の導電層上の第２の樹脂層と、第２の樹脂層上のトランジスタ及び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１の導電層と電気的に絶縁され、かつ、それぞれ、第１の導電層を介して基板と重なる。第１の導電層は、第１の樹脂層を介して基板と重なる。第１の導電層には定電位が供給される。表示装置は、第１の導電層上に第１の無機絶縁層を有し、第１の無機絶縁層上に第２の樹脂層を有していてもよい。表示装置は、該第２の樹脂層上に第２の無機絶縁層を有し、第２の無機絶縁層上にトランジスタ及び発光素子を有していてもよい。第１の樹脂層の厚さは０．１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。第１の樹脂層の５％重量減少温度は４００℃未満であることが好ましい。第１の樹脂層は開口を有することが好ましい。このとき、第１の樹脂層の開口では、第１の導電層の少なくとも一部が露出することが好ましい。さらに、基板も開口を有していてもよい。このとき、基板の開口は、第１の樹脂層の開口と重なる部分を有していてもよい。基板の開口では、第１の導電層の少なくとも一部が露出してもよい。

上記各構成の表示装置において、トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することが好ましい。

上記各構成の表示装置において、基板は、可撓性を有することが好ましい。

上記各構成の表示装置において、第１の導電層は、酸化物導電体を有することが好ましい。

本発明の一態様は、上記のいずれかの表示装置と、第１の接続配線と、を有するモジュールである。表示装置は、第２の導電層を有する。第２の導電層は、第１の導電層と電気的に絶縁される。第２の導電層は、第１の接続配線と電気的に接続される。

上記構成のモジュールにおいて、第２の導電層は、第１の導電層を介して、基板と重なってもよい。

上記構成のモジュールにおいて、第２の導電層は、第１の導電層を介さずに、基板と重なってもよい。

上記構成のモジュールは、フレキシブルプリント基板を有していてもよい。フレキシブルプリント基板は、第１の接続配線及び第２の接続配線を有する。第１の導電層は、第２の接続配線と電気的に接続される。

本発明の一態様は、上記のいずれかのモジュールと、センサ、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、または操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、電子機器である。

本発明の一態様により、表示装置の表示不良を低減することができる。本発明の一態様により、表示装置の表示品位を向上することができる。本発明の一態様により、曲面を有する表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、軽量な表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、薄型の表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、新規な表示装置もしくは電子機器等を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

表示装置の一例を示す上面図、下面図、及び断面図。表示装置の一例を示す上面図、下面図、及び断面図。表示装置の一例を示す断面図。表示装置の一例を示す断面図。表示装置の一例を示す上面図及び断面図。表示装置の一例を示す上面図及び断面図。表示装置の一例を示す上面図及び断面図。表示装置の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示モジュールの一例を示す図。電子機器の一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１〜図８を用いて説明する。

本実施の形態では、トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有する表示装置（アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置ともいう）を例に挙げて説明する。当該表示装置は、基板に可撓性を有する材料を用いることで、フレキシブルデバイスとすることができる。なお、本発明の一態様は、有機ＥＬ素子を用いた発光装置、表示装置、及び入出力装置（タッチパネルなど）に限られず、他の機能素子を用いた半導体装置、発光装置、表示装置、及び入出力装置等の各種装置に適用することができる。

本発明の一態様は、基板と、基板上の第１の導電層と、第１の導電層上のトランジスタ及び発光素子と、を有する表示装置である。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１の導電層と電気的に絶縁される。トランジスタ及び発光素子は、それぞれ、第１の導電層を介して基板と重なる。第１の導電層には、定電位が供給される。

電子機器の筐体内に、表示装置と、他の電子部品（集積回路（ＩＣ）、中央演算回路（ＣＰＵ）、及びそれらを有するプリント基板など）とを配置した場合、表示装置に、電子部品の動作に起因するノイズ（不要輻射ともいう）が伝達することがある。これにより、表示装置の動作に不具合が生じることがある。具体的には、表示装置では、輝度の変化などの表示不良が生じる可能性がある。同様に、電子部品に、表示装置の動作に起因するノイズ（不要輻射）が伝達することがある。これにより、電子部品の動作不良が生じる可能性がある。

そこで、本発明の一態様の表示装置では、定電位が供給される第１の導電層を、トランジスタ及び発光素子と重ねて配置する。第１の導電層には定電位が供給されるため、ノイズによる電位変化が抑制される。第１の導電層が外部からのノイズを遮断するため、トランジスタ及び発光素子が有する導電層の電位が変化することを抑制できる。したがって、表示装置の表示不良を低減することができる。同様に、第１の導電層では、表示装置の動作による電位変化も抑制される。これにより、表示装置から他の電子部品にノイズが伝達すること、さらには、当該電子部品の動作不良が生じることを抑制できる。

定電位としては、低電源電位（ＶＳＳ）及び高電源電位（ＶＤＤ）等の電源電位、接地電位（ＧＮＤ電位）、共通電位、基準電位等が挙げられる。

表示装置が第１の導電層を有することで、電子機器の筐体内に、ノイズを遮断するためのシールド等を別途設ける必要がなく、電子機器の薄型化、軽量化、及び低コスト化が可能となる。また、表示装置が第１の導電層を有し、さらに電子機器の筐体内に、別途、シールドを有する構成であっても、第１の導電層を有さない場合に比べて、より確実にノイズを遮断することができ、電子機器の信頼性を高めることができる。

電子機器の小型化のため、表示装置の表示面とは反対の面（裏面ともいう）側に、ＩＣなどの電子部品を配置することが好ましい。ＩＣでは大電流が流れるため、ＩＣはノイズの発生源の一つといえる。そのため、表示装置の裏面側に、定電位が供給される第１の導電層を配置することが好ましい。これにより、トランジスタ及び発光素子は、第１の導電層を介してＩＣなどの電子部品と重なる構成となり、トランジスタ及び発光素子が、該電子部品からのノイズを受けにくくなる。

また、第１の導電層は、表示装置の作製工程中または作製工程後に様々な要因で生じるまたは印加される静電気（電荷）を拡散して逃がす、または電荷の局部的な存在（局在化）を防ぐ（局部的な電位差が発生しないようにする）ため、トランジスタ及び発光素子の静電気破壊を防ぐことができる。

本発明の一態様の表示装置は、基板と第１の導電層との間に、樹脂層を有する。

本発明の一態様の表示装置は、トランジスタのチャネル形成領域に、酸化物半導体を有することが好ましい。

トランジスタのチャネル形成領域に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＰｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いる場合、５００℃から５５０℃程度の温度をかける必要があるため、樹脂層に耐熱性が求められる。また、レーザ結晶化の工程でのダメージを緩和するため、樹脂層の厚膜化が必要となる。

一方、酸化物半導体を用いたトランジスタは、３５０℃以下、さらには３００℃以下で形成することができる。そのため、樹脂層に高い耐熱性は求められない。したがって、樹脂層の耐熱温度を低くすることができ、材料の選択の幅が広がる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、レーザ結晶化の工程が不要であるため、樹脂層の厚さを薄くすることができる。樹脂層に高耐熱性が要求されず、薄膜化できることで、デバイス作製の大幅なコストダウンが期待できる。また、ＬＴＰＳを用いる場合に比べて、工程が簡略化でき好ましい。

本発明の一態様では、樹脂層の厚さが、０．１μｍ以上３μｍ以下である。樹脂層を薄く形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。

樹脂層の耐熱性は、例えば、加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等で評価できる。本発明の一態様では、樹脂層の５％重量減少温度は、４５０℃以下、４００℃以下、４００℃未満、または３５０℃未満とすることができる。

本発明の一態様では、感光性の材料を用いて樹脂層を作製する。感光性の材料を用いることで、所望の形状の樹脂層を容易に形成することができる。例えば、開口を有する樹脂層、またはそれぞれ厚さの異なる２以上の領域を有する樹脂層を、容易に形成することができる。これにより、樹脂層が、外部接続端子や貫通電極等の作製の妨げになることを防止できる。

以下では、本発明の一態様の表示装置の構成について、具体的に説明する。なお、本実施の形態の表示装置に用いることができる材料、及び表示装置の作製方法については、実施の形態２で説明する。

［構成例１］
図１（Ａ）に、表示装置の上面図を示し、図１（Ｂ）に、表示装置の下面図を示す。図１（Ａ）は、表示装置の表示面側の図であり、図１（Ｂ）は、表示装置の表示面とは反対の面（以下、裏面ともいう）側の図である。図１（Ｃ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面図を示す。

図１（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置の表示面側には、ＦＰＣ７７が貼り付けられている。図１（Ｂ）に示すように、表示装置の裏面側では、基板２９に開口が設けられ、樹脂層２３及び導電層２１が露出している。

導電層２１は、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている。導電層２１は、接続部３８３と重ねて設けられ、かつ、接続部３８３とは電気的に絶縁されている。

図１（Ｃ）に示す表示装置は、塗り分け方式が適用されたトップエミッション型の表示装置である。

図１（Ｃ）に示す表示装置は、基板２９、接着層２８、樹脂層２３、導電層２１、絶縁層３０、絶縁層３１、トランジスタ４０、導電層４３ｃ、絶縁層３３、絶縁層３４、絶縁層３５、表示素子６０、絶縁層７４、保護層７５を有する。

図１（Ｃ）に示す表示装置の作製方法は、実施の形態２の作製方法例１及び作製方法例２で説明する。

導電層２１には、接着層２８を介して基板２９が貼り合わされている。導電層２１の少なくとも一部は、基板２９と重ならず、露出している。表示装置において、導電層２１が露出している部分は、接続部３８４として機能し、接続配線１９と接続される。例えば、接続配線１９から導電層２１に定電位を供給することができる。

上述の通り、樹脂層２３は、感光性の材料を用いて形成することができる。そのため、樹脂層２３に設けた開口を介して、導電層２１と接続配線１９とを電気的に接続することができる。

接続配線１９として、例えば、導電性テープ及びケーブル等を用いることができる。接続配線１９を用いて、導電層２１と筐体のＧＮＤラインとを電気的に接続させることで、導電層２１にＧＮＤ電位を供給することができる。

また、接続配線１９として、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）またはＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）等のコネクタが有する配線を用いることができる。これらの配線は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）または異方性導電ペースト（ＡＣＰ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）を用いて、導電層２１と電気的に接続させることができる。

導電層２１には、酸化物半導体、酸化物導電体（欠陥準位または不純物準位が高められた酸化物半導体を含む）、金属、合金、導電性ペースト、及び導電性ポリマー等の各種導電性材料を用いることができる。

基板２９には、樹脂フィルムを好適に用いることができる。接着層２８には、各種硬化型接着剤を用いることができる。

表示部３８１は、トランジスタ４０を有する。

表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

トランジスタ４０は、導電層４１、絶縁層３２、酸化物半導体層４４、導電層４３ａ、及び導電層４３ｂを有する。導電層４１は、ゲートとして機能する。絶縁層３２は、ゲート絶縁層として機能する。導電層４１は、絶縁層３２を介して酸化物半導体層４４と重なる。導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、酸化物半導体層４４と接続する。導電層４３ａ及び導電層４３ｂのうち一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

上述の通り、本発明の一態様では、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物半導体を用いるため、レーザ照射を行わず、かつ、低温でトランジスタを作製できる。よって、樹脂層２３に高い耐熱性及び厚膜化が求められない。したがって、樹脂層２３を薄膜とすることができる。これにより、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。

樹脂層２３の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂層２３の厚さを上記範囲とすることで、表示装置の可撓性を高めることができる。ただし、これに限定されず、樹脂層２３の厚さは、１０μｍ以上としてもよい。例えば、樹脂層２３の厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。樹脂層２３の厚さを１０μｍ以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である。

絶縁層３０及び絶縁層３１のうち、少なくとも一層には、水または水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。同様に、絶縁層３３及び絶縁層３４のうち、少なくとも一層には、水または水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置の信頼性を高めることができる。絶縁層３４は、平坦化層としての機能を有する。

本発明の一態様の表示装置には、様々な表示素子を用いることができる。例えば、発光素子、液晶素子、電気泳動素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子等を適用してもよい。発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

本実施の形態では、表示素子６０として、発光素子の一例である有機ＥＬ素子を用いる例を示す。表示素子６０は、導電層６１、ＥＬ層６２、及び導電層６３を有する。表示素子６０は、保護層７５側に光を射出する。

トランジスタ、容量素子、及び配線等を、発光素子の発光領域と重ねて配置することで、表示部３８１の開口率を高めることができる。

導電層６１及び導電層６３のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能する。導電層６１及び導電層６３の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層６２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層６２において再結合し、ＥＬ層６２に含まれる発光物質が発光する。

導電層６１は、トランジスタ４０のソースまたはドレインと電気的に接続される。これらは、直接接続されるか、他の導電層を介して接続される。図１（Ｃ）では、導電層６１は、導電層４３ｂと直接接続されている。導電層６１は、画素電極として機能し、発光素子ごとに設けられている。隣り合う２つの導電層６１は、絶縁層３５によって電気的に絶縁されている。

ＥＬ層６２は、発光材料を含む層である。発光素子には、発光材料として有機化合物を用いた有機ＥＬ素子を好適に用いることができる。

ＥＬ層６２は少なくとも１層の発光層を有する。ＥＬ層６２は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有することができる。

ＥＬ層６２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。

導電層６３は、共通電極として機能し、複数の発光素子にわたって設けられている。導電層６３には、定電位が供給される。

ここで、表示素子６０は中立面から１０μｍ以内に位置することが好ましく、５μｍ以内に位置することがより好ましく、２．５μｍ以内に位置することがさらに好ましい。

表示素子６０にＥＬ素子を用いる場合など、表示素子６０には密着性の低い部分が生じることがある。表示素子６０を中立面から近い位置に配置することで、表示素子６０にかかる応力を低減することができる。そして、表示装置の作製における剥離工程、及び表示装置を曲げて使用する際等に、膜剥がれが生じることを抑制できる。

なお、本発明の一態様は、塗り分け方式に限られず、カラーフィルタ方式、色変換方式、または量子ドット方式等を適用してもよい。

導電層４３ｃは、トランジスタが有する導電層と同一の材料及び同一の工程で形成することができる。例えば、導電層４３ｃは、導電層４３ａ及び導電層４３ｂと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。導電層４３ｃは、駆動回路部３８２に外部からの信号及び電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ７７を設ける例を示している。接続体７６を介してＦＰＣ７７と導電層４３ｃは電気的に接続する。

接続体７６としては、様々な異方性導電フィルム及び異方性導電ペーストなどを用いることができる。

絶縁層７４は、表示素子６０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。表示素子６０は、絶縁層７４によって封止される。

絶縁層７４及び絶縁層３１に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高い絶縁層の間に表示素子６０及びトランジスタ４０等を配置することで、これらの素子に水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。

防湿性の高い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、及び、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、防湿性の高い絶縁層の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

保護層７５は、表示装置の最表面に位置する層として用いることができる。保護層７５は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。保護層７５には、有機絶縁膜を好適に用いることができる。保護層７５は、当該有機絶縁膜と、表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等とが積層された構成であってもよい。

［構成例２］
図２（Ａ）に、表示装置の上面図を示し、図２（Ｂ）に、表示装置の下面図を示す。図２（Ａ）は、表示装置の表示面側の図であり、図２（Ｂ）は、表示装置の裏面側の図である。図２（Ｃ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面図を示す。

なお、以降の構成例及び変形例では、先に説明した構成例または変形例と同様の部分については詳細な説明を省略することがある。

図２（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置の表示面側には、ＦＰＣ７７が貼り付けられている。図２（Ｂ）に示すように、表示装置の裏面側では、基板２９に開口が設けられ、樹脂層２３及び導電層２１が露出している。

導電層２１は、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている。導電層２１は、接続部３８３と重ならない位置に設けられている。

図２（Ｃ）に示す表示装置は、塗り分け方式が適用されたトップエミッション型の表示装置である。

図２（Ｃ）に示す表示装置は、基板２９、接着層２８、樹脂層２３、導電層２１、絶縁層３０、絶縁層３１、トランジスタ４０、導電層４３ｃ、絶縁層３３、絶縁層３４、絶縁層３５、表示素子６０、絶縁層７４、接着層７５ｂ、及び基板７５ａを有する。

図２（Ａ）に示すように、基板７５ａは、基板２９よりも小さい。接続部３８３及び接続部３８４は、それぞれ基板７５ａと重ならない位置に設けられている。

図２（Ｃ）に示すように、導電層４３ｃは、絶縁層３３及び絶縁層３４の開口を介して、接続体７６と接続されている。これにより、導電層４３ｃとＦＰＣ７７とが電気的に接続されている。基板７５ａと基板２９を互いに異なる大きさとすることで、導電層４３ｃとＦＰＣ７７とを電気的に接続することが容易となる。具体的には、接着層７５ｂ及び基板７５ａの一部を除去する工程（例えば開口を設ける工程など）が不要となる。

接続部３８３において、ＦＰＣ７７を圧着させる際に、絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶縁層３２の、導電層４３ｃ近傍の領域には力がかかりやすく、クラックが発生する恐れがある。そのため、接続部３８３に導電層２１を設けない構成とすることが好ましい。これにより、絶縁層にクラックが発生して、導電層４３ｃと導電層２１とが電気的に接続され、短絡してしまうことを防止できる。

基板７５ａには、樹脂フィルムを好適に用いることができる。接着層７５ｂには、各種硬化型接着剤を用いることができる。

［変形例１］
図３（Ａ）に示す表示装置は、基板７５ａ、接着層７５ｂ、絶縁層３４、及び絶縁層３３に設けられた開口を介して、接続体７６と導電層４３ｃとが接続されている点で、図２（Ｃ）に示す表示装置と異なる。

開口を有する基板７５ａを用いる、または基板７５ａ及び接着層７５ｂに開口を形成することで、導電層４３ｃを露出させ、ＦＰＣ７７と電気的に接続させることができる。

［変形例２］
図３（Ｂ）に示す表示装置は、樹脂層２３を有していない点で、図１（Ｃ）に示す表示装置と異なる。図３（Ｂ）に示す表示装置の作製方法は、実施の形態２の作製方法例３で説明する。

［変形例３］
図４（Ａ）に示す表示装置は、樹脂層２５を有する点で、図１（Ｃ）に示す表示装置と異なる。

樹脂層２５が平坦化機能を有すると、樹脂層２３による段差が平坦化されるため、後の工程の成膜が容易となり好ましい。

［変形例４］
図４（Ｂ）に示す表示装置は、樹脂層２５を有し、かつ、絶縁層３０を有していない点で、図１（Ｃ）に示す表示装置と異なる。

［変形例５］
図４（Ｃ）に示す表示装置は、樹脂層２５及び絶縁層２６を有する点で、図１（Ｃ）に示す表示装置と異なる。

樹脂層２５上に、絶縁層２６として、防湿性の高い絶縁層を形成することで、絶縁層２６上に形成される各機能素子に水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。

［構成例３］
図５（Ａ）に、表示装置の上面図を示す。図５（Ａ）は、表示装置の表示面側の図である。図５（Ｂ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面図を示す。

図５（Ａ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置の表示面側には、ＦＰＣ７７が貼り付けられている。

図５（Ｂ）に示す表示装置は、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション型の表示装置である。

図５（Ｂ）に示す表示装置は、基板２９、接着層２８、樹脂層２３、導電層２１、絶縁層３０、絶縁層３１、トランジスタ８０、導電層８６ｃ、導電層８６ｄ、絶縁層３３、絶縁層３４、絶縁層３５、表示素子６０、接着層９９、着色層９７、遮光層９８、基板２２、接着層１３、樹脂層９３、及び絶縁層９５を有する。

表示部３８１は、トランジスタ８０を有する。

トランジスタ８０は、酸化物半導体層８３、絶縁層８４、導電層８５、導電層８６ａ、及び導電層８６ｂを有する。導電層８５は、ゲートとして機能する。絶縁層８４は、ゲート絶縁層として機能する。導電層８５は、絶縁層８４を介して酸化物半導体層８３と重なる。導電層８６ａ及び導電層８６ｂのうち一方は、酸化物半導体層８３のソース領域と電気的に接続され、他方は酸化物半導体層８３のドレイン領域と電気的に接続される。

上述の通り、本発明の一態様では、トランジスタのチャネル形成領域に、酸化物半導体を用いるため、樹脂層２３に高い耐熱性及び厚膜化が求められない。したがって、樹脂層２３を薄膜とすることができる。これにより、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。樹脂層９３についても同様である。

樹脂層２３及び樹脂層９３の厚さは、それぞれ、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂層２３及び樹脂層９３の厚さは、それぞれ、１０μｍ以上としてもよい。

導電層８６ｃ及び導電層８６ｄは、トランジスタが有する導電層と同一の材料及び同一の工程で形成することができる。例えば、導電層８６ｃ及び導電層８６ｄは、導電層８６ａ及び導電層８６ｂと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。

導電層８６ｃは、駆動回路部３８２に外部からの信号及び電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ７７を設ける例を示している。接続部３８３において、導電層８６ｃは、接続体７６を介して、ＦＰＣ７７が有する第１の接続配線と電気的に接続される。

接続部３８４において、導電層２１は、導電層８６ｄ及び接続体７６を介して、ＦＰＣ７７が有する第２の接続配線と電気的に接続される。第２の接続配線から定電位が導電層２１に供給される。

導電層８６ｃと導電層２１とは互いに電気的に絶縁されている。本構成では、導電層８６ｃと導電層２１とに、１つのＦＰＣ７７を用いて信号または電位を供給することができる。そのため、部品点数を少なくすることができる。

図５（Ｂ）では、樹脂層２３に開口を設ける必要がない。樹脂層２３の材料は、感光性の材料に限定されない。

表示素子６０は、接着層９９を介して着色層９７と重なる。絶縁層３５は、接着層９９を介して遮光層９８と重なる。

着色層９７は特定の波長域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、または黄色の波長域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。着色層９７に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、または、顔料もしくは染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。

遮光層９８は、隣接する着色層９７の間に設けられている。遮光層９８は隣接する発光素子からの光を遮り、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層９７の端部を、遮光層９８と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層９８としては、発光素子の光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、または、顔料もしくは染料を含む樹脂材料等を用いてブラックマトリクスを形成することができる。なお、遮光層９８は、駆動回路部３８２などの表示部３８１以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

樹脂層２３と基板２９は接着層２８によって貼り合わされている。また、樹脂層９３と基板２２は接着層１３によって貼り合わされている。

基板２２及び基板２９には、それぞれ、樹脂フィルムを好適に用いることができる。接着層１３、接着層９９、及び接着層２８には、それぞれ、各種硬化型接着剤を用いることができる。

絶縁層９５及び絶縁層３１に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高い絶縁層の間に表示素子６０及びトランジスタ８０等を配置することで、これらの素子に水等の不純物が入り込むことを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。

［構成例４］
図６（Ａ）に、表示装置の上面図を示す。図６（Ａ）は、表示装置の表示面側の図である。図６（Ｂ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面図を示す。

図６（Ａ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置の表示面とは反対の面側には、ＦＰＣ７７が貼り付けられている。

導電層２１ａは、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている。導電層２１ａは、接続部３８３と重ならない位置に設けられている。なお、接続部３８３には導電層２１ｂが設けられている（図６（Ａ）では示していない）。

図６（Ｂ）に示す表示装置は、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション型の表示装置である。

図６（Ｂ）に示す表示装置の作製方法は、実施の形態２の作製方法例４で説明する。

図６（Ｂ）に示す表示部３８１は、図５（Ｂ）の構成と同様である。

導電層８６ｃは、トランジスタが有する導電層と同一の材料及び同一の工程で形成することができる。例えば、導電層８６ｃは、導電層８６ａ及び導電層８６ｂと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。

導電層２１ａと導電層２１ｂは、同一の材料及び同一の工程で形成することができる。導電層２１ａと導電層２１ｂは、互いに電気的に絶縁されている。

導電層８６ｃは、駆動回路部３８２に外部からの信号及び電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ７７を設ける例を示している。接続部３８３において、導電層８６ｃは、導電層２１ｂ及び接続体７６を介して、ＦＰＣ７７が有する第１の接続配線と電気的に接続される。

接続部３８４において、導電層２１ａは、接続体７６を介して、ＦＰＣ７７が有する第２の接続配線と電気的に接続される。第２の接続配線から定電位が導電層２１ａに供給される。

本構成では、導電層２１ａと導電層８６ｃとに、１つのＦＰＣ７７を用いて信号または電位を供給することができる。そのため、部品点数を少なくすることができる。

上述の通り、樹脂層２３は、感光性の材料を用いて形成することができる。そのため、樹脂層２３に設けた開口を介して、導電層８６ｃとＦＰＣ７７とを電気的に接続することができる。同様に、樹脂層２３に設けた開口を介して、導電層２１ａとＦＰＣ７７とを電気的に接続することができる。このような構成とすることで、ＦＰＣ７７を、表示面とは反対側に配置することができる。そのため、表示装置を電子機器に組み込む際に、ＦＰＣ７７を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化した電子機器を実現できる。また、基板２２側から導電層８６ｃ及び導電層２１ａを露出させる必要が無いため、工程の簡略化を図ることができる。

［構成例５］
図７（Ａ）に、表示装置の上面図を示す。図７（Ａ）は、表示装置の表示面側の図である。図７（Ｂ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面図を示す。

図７（Ａ）に示す表示装置は、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置の表示面側と、裏面側との双方に、ＦＰＣが貼り付けられている。

導電層２１ａは、表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８４に設けられている。導電層２１ａは、接続部３８３と重ならない位置に設けられている。なお、接続部３８３には導電層２１ｂが設けられている（図７（Ａ）では示していない）。

図７（Ｂ）に示す表示装置は、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション型の表示装置である。

図７（Ｂ）に示す表示部３８１は、図５（Ｂ）の構成と同様である。

接続部３８３において、導電層８６ｃは、駆動回路部３８２に外部からの信号及び電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ７７ｂを設ける例を示している。接続部３８３において、導電層８６ｃは、導電層２１ｂ及び接続体７６ｂを介して、ＦＰＣ７７ｂと電気的に接続される。

接続部３８４において、導電層２１ａは、導電層８６ｄ及び接続体７６ａを介して、ＦＰＣ７７ａと電気的に接続される。ＦＰＣ７７ａから定電位が導電層２１ａに供給される。

［構成例６］
図８（Ａ）に、表示装置の表示部３８１、駆動回路部３８２、及び接続部３８３を含む断面図を示す。

図８（Ａ）に示す表示装置は、カラーフィルタ方式が適用されたボトムエミッション型の表示装置である。

図８（Ａ）に示す表示装置は、基板２９、接着層２８、樹脂層２３、導電層２１ａ、導電層２１ｂ、絶縁層３１、トランジスタ４０、トランジスタ５０、導電層４３ｃ、絶縁層３３、絶縁層３４、絶縁層３５、表示素子６０、着色層９７、接着層７５ｂ、及び基板７５ａを有する。

図８（Ａ）では、トランジスタ４０及びトランジスタ５０が、図１（Ｃ）に示すトランジスタ４０の構成に加えて、ゲートとして機能する導電層４５を有する例を示す。

表示素子６０は、着色層９７側に光を射出する。

接続部３８３において、導電層２１ｂ及び接続体７６を介してＦＰＣ７７と導電層４３ｃは電気的に接続する。

［変形例６］
図８（Ｂ）に、表示装置の表示部３８１、接続部３８３、及び接続部３８４を含む断面図を示す。

図８（Ｂ）では、トランジスタ８０が、図６（Ｂ）に示すトランジスタ８０の構成に加えて、ゲートとして機能する導電層８１及びゲート絶縁層として機能する絶縁層８２を有する例を示す。

以上のように、本発明の一態様の表示装置は、トランジスタ及び表示素子と重なり、かつ、トランジスタ及び表示素子と電気的に絶縁される導電層２１（または導電層２１ａ）を有する。導電層２１（または導電層２１ａ）には、定電位が供給される。これにより、表示装置を電子機器の筐体に実装した際に、他の電子部品の動作に起因するノイズで、表示装置の表示不良が生じることを抑制できる。したがって、表示装置の表示品位を向上させることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について説明する。

本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法として、主に２つの方法を説明する。

１つ目の方法では、まず、作製基板上に、感光性を有する材料を用いて第１の層を形成し、その後、フォトリソグラフィ法を用いて開口を形成することで、開口を有する樹脂層を形成する。次に、作製基板上及び樹脂層上に酸化物導電層を形成する。酸化物導電層の一部は、樹脂層上に設けられ、酸化物導電層の他の一部は、樹脂層の開口を介して作製基板上に接して設けられる。次に、酸化物導電層上に絶縁層を形成する。次に、絶縁層上に、トランジスタ等を形成する。そして、レーザを用いて、樹脂層及び酸化物導電層に光を照射した後、トランジスタ等と作製基板とを分離する。

本発明の一態様では、感光性の材料を用いて樹脂層を作製する。感光性の材料を用いることで、所望の形状の樹脂層を容易に形成することができる。例えば、樹脂層に、開口を設けることが容易である。

しかし、樹脂層と作製基板との界面、または樹脂層中で分離させる場合、樹脂層が開口を有することで、作製基板との分離が困難になることがある。

そこで、本発明の一態様では、酸化物導電層を、樹脂層の開口を介して作製基板上に接するように設ける。そして、レーザを用いて、樹脂層と、酸化物導電層と、に光を照射する。

レーザ光の照射により、樹脂層は脆弱化される。または、レーザ光の照射により、作製基板と樹脂層との密着性が低下する。

レーザ光の照射により、酸化物導電層の、樹脂層の開口と重なる部分は脆弱化される。または、レーザ光の照射により、作製基板と、酸化物導電層の、樹脂層の開口と重なる部分との密着性が低下する。

これにより、作製基板を容易に分離することができる。

１つ目の方法を用いると、樹脂層が設けられている部分では、樹脂層を露出させることができ、樹脂層の開口では、酸化物導電層を露出させることができる。

２つ目の方法では、まず、作製基板上に樹脂層を形成する。次に、樹脂層上に導電層を形成する。１つ目の方法と異なり、樹脂層に開口は設けられず、かつ、導電層は作製基板と接しない。次に、導電層上に絶縁層を形成する。次に、絶縁層上に、トランジスタ等を形成する。そして、レーザを用いて、樹脂層に光を照射した後、トランジスタ等と作製基板とを分離する。

前述の通り、レーザ光の照射により、樹脂層が脆弱化されるか、作製基板と樹脂層との密着性が低下する。

２つ目の方法では、レーザ光を照射することで、作製基板と樹脂層の界面で分離させることができる。作製基板と導電層との界面で分離させる領域を有さないため、導電層が、酸化物導電層に限定されず、様々な導電性材料を適用することができる。

２つ目の方法を用いると、作製基板が剥離された表面には、樹脂層が露出する。導電層の少なくとも一部を露出させるために、樹脂層の少なくとも一部を除去することが好ましい。

トランジスタのチャネル形成領域には、酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体を用いることで、ＬＴＰＳを用いる場合よりも、プロセスの最高温度を低くすることができる。

本発明の一態様では、樹脂層の耐熱温度以下の温度で、トランジスタ等を形成する。例えば、トランジスタは、３５０℃以下、さらには３００℃以下の温度で作製することが好ましい。

本発明の一態様では、線状レーザを用いてレーザ光を照射する。ＬＴＰＳ等の製造ラインのレーザ装置を使用することができるため、これらの装置の有効利用が可能である。線状レーザは、矩形長尺状に集光（線状レーザビームに成形）して、樹脂層（及び酸化物導電層）に光を照射する。

以下では、図９〜図２１を用いて、本発明の一態様の表示装置の作製方法について、具体的に説明する。ここでは、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合を例に挙げて説明する。当該表示装置は、基板に可撓性を有する材料を用いることで、折り曲げ可能な（Ｆｏｌｄａｂｌｅ）有機ＥＬ表示装置とすることができる。

なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：ＰｕｌｓｅｄＬａｓｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｄＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣＶＤ）法を使ってもよい。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

表示装置を構成する薄膜を加工する際には、リソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。

リソグラフィ法において光を用いる場合、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

［作製方法例１］
作製方法例１では、図１（Ｃ）に示す表示装置を作製する場合を説明する。

まず、作製基板１４上に、感光性を有する材料を用いて、第１の層２４を形成する（図９（Ａ））。

特に、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いることが好ましい。本実施の形態では、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いる例を示す。

本発明の一態様では、感光性を有する材料を用いるため、光を用いたリソグラフィ法により、第１の層２４の一部を除去し、所望の形状の樹脂層２３を形成することができる。

具体的には、材料を成膜した後に溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理ともいう）を行い、その後フォトマスクを用いて露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。次に、所望の形状に加工された膜を加熱し（ポストベーク処理ともいう）、樹脂層２３を形成する（図９（Ｂ））。図９（Ｂ）では、樹脂層２３に、作製基板１４に達する開口を設ける例を示す。

ポストベーク処理により、樹脂層２３中の脱ガス成分（例えば、水素、水等）を低減することができる。特に、樹脂層２３上に形成する各層の作製温度と同じ温度またはそれよりも高い温度で加熱することが好ましい。例えば、トランジスタの作製温度が３５０℃までである場合、樹脂層２３となる膜を３５０℃以上４５０℃以下で加熱することが好ましく、３５０℃以上４００℃以下がより好ましく、３５０℃以上３７５℃以下がさらに好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、樹脂層２３からの脱ガスを大幅に抑制することができる。

樹脂層２３は、可撓性を有する。作製基板１４は、樹脂層２３よりも可撓性が低い。

樹脂層２３（または第１の層２４）は、感光性のポリイミド樹脂（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＳＰＩともいう）を用いて形成されることが好ましい。

そのほか、樹脂層２３（または第１の層２４）の形成に用いることができる感光性を有する材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。

樹脂層２３（または第１の層２４）は、スピンコータを用いて形成することが好ましい。スピンコート法を用いることで、大判基板に薄い膜を均一に形成することができる。

樹脂層２３（または第１の層２４）は、粘度が５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは５ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下の溶液を用いて形成することが好ましい。溶液の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、溶液の粘度が低いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。

樹脂層２３の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層２３を薄く形成することが容易となる。樹脂層２３を薄く形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。樹脂層２３の厚さは、１０μｍ以上としてもよい。例えば、樹脂層２３の厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。樹脂層２３の厚さを１０μｍ以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である。

そのほか、樹脂層２３（または第１の層２４）の形成方法としては、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げられる。

樹脂層２３の熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。樹脂層２３の熱膨張係数が低いほど、加熱により、トランジスタ等が破損することを抑制できる。

表示装置の表示面側に樹脂層２３が位置する場合、樹脂層２３は、可視光に対する透光性が高いことが好ましい。

作製基板１４は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する。作製基板１４に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等が挙げられる。

次に、作製基板１４上及び樹脂層２３上に、導電層２１を形成する（図９（Ｃ））。

導電層２１としては、例えば、トランジスタの半導体層に用いることができる酸化物半導体及びトランジスタの導電層に用いることができる酸化物導電体（欠陥準位または不純物準位が高められた酸化物半導体を含む）等を適用できる。

導電層２１は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。導電層２１は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。特に、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物層（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）を用いることが好ましく、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物層を用いることがより好ましい。

本明細書等において、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

導電層２１がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。特に、Ｉｎの割合が高い材料を用いることで、導電層２１のエネルギーギャップを狭くでき、後の光照射工程で、導電層２１に十分に光を吸収させることができる。これにより、剥離の歩留まりを高めることができる。また、Ｉｎの割合が高い材料を用いることで、導電層２１の導電性を高めることができる。なお、成膜される導電層２１の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

または、導電層２１として、Ｉｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ系酸化物（ＩＴＯ）、Ｉｎ−Ｗ系酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｓｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ系酸化物（ＺｎＯ）、Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、またはＩｎ−Ｓｎ−Ｓｉ系酸化物（ＩＴＳＯ）等の酸化物導電層を用いてもよい。

導電層２１は、光を吸収し発熱することにより、酸素を放出する機能を有することが好ましい。

導電層２１としては、例えば、それぞれ加熱により酸素が放出される、酸化物導電層及び酸化物半導体層を用いることができる。

酸化物導電層及び酸化物半導体層は、それぞれ、例えば酸素を含む雰囲気下で、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法等により成膜することができる。または、成膜後に、酸素イオンを注入してもよい。特に酸化物半導体層を用いる場合には、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により成膜することが好ましい。導電層２１に酸素を含有させるため、導電層２１の成膜後に酸素を含む雰囲気下で加熱処理をしてもよい。

酸化物半導体は、膜中の酸素欠損、及び膜中の不純物濃度（代表的には水素、水等）のうち少なくとも一方によって、抵抗を制御することができる半導体材料である。そのため、酸化物半導体層へ酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が増加する処理、または酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が低減する処理を選択することによって、酸化物半導体層または酸化物導電層の有する抵抗率を制御することができる。

具体的には、プラズマ処理を用いて、酸化物半導体の抵抗率を制御することができる。例えば、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、ボロン、リン、及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。プラズマ処理は、例えば、Ａｒ雰囲気下、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下、アンモニア雰囲気下、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下、または窒素雰囲気下等で行うことができる。これにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

または、イオン注入法、イオンドーピング法、もしくはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リン、または窒素を酸化物半導体層に注入して、酸化物半導体層の抵抗率を低くすることができる。

または、水素及び窒素のうち少なくとも一方を含む絶縁層を酸化物半導体層に接して形成し、当該絶縁層から酸化物半導体層に水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させる方法を用いることができる。これにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

例えば、膜中の含有水素濃度が１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の絶縁層を酸化物半導体層に接して形成することで、効果的に水素を酸化物半導体層に含有させることができる。絶縁層としては、窒化シリコン膜を用いることが好ましい。

酸化物半導体層に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。これにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

表示装置の作製工程で加熱処理を行う場合、酸化物半導体層が加熱されることで、酸化物半導体層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これにより、酸化物半導体層の抵抗率を低くすることができる。

また、作製基板から酸化物半導体層を剥離するために、酸化物半導体層にレーザを照射することで、酸化物半導体層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これにより、酸化物半導体層の抵抗率を低くすることができる。

なお、このように、酸化物半導体層を用いて形成された酸化物導電層は、キャリア密度が高く低抵抗な酸化物半導体層、導電性を有する酸化物半導体層、または導電性の高い酸化物半導体層ということもできる。

導電層２１の厚さは、例えば、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがより好ましい。

導電層２１の形成後に、プラズマ処理等を行い、導電層２１の抵抗率を低下させてもよい。

なお、以降の工程において加熱処理を行うことで、導電層２１から酸素及び水分のうちの少なくとも一方が放出されて、酸素欠損が生じ、導電層２１の抵抗率が低下することがある。

以降で説明する、レーザ光を照射する前に行われる各工程では、導電層２１から酸素が放出されにくい温度で加熱することが好ましい。これにより、レーザ光を照射する前に導電層２１が剥離される等の不具合を防止し、歩留まりの低下を抑制できる。

導電層２１とトランジスタの半導体層とを同一の金属元素で形成することで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで製造コストを低減させることができる。また、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることによって、酸化物半導体層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、導電層２１とトランジスタの半導体層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、表示装置の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。

次に、導電層２１上に、絶縁層３０を形成する（図９（Ｄ））。

絶縁層３０は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、絶縁層３０は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。

導電層２１として酸化物半導体層を形成した場合、絶縁層３０として、水素及び窒素のうち少なくとも一方を含む絶縁層を形成することが好ましい。絶縁層３０から導電層２１に水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させることで、導電層２１のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

絶縁層３０として、例えば、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などを用いることが好ましい。

絶縁層３０の形成時の温度は、室温（２５℃）以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。

なお、導電層２１及び絶縁層３１の構成等によっては、絶縁層３０を設けなくてもよい場合がある。一例としては、導電層２１の抵抗率が十分に低い場合、絶縁層３１と導電層２１とを接して設けることで導電層２１の抵抗率を下げることができる場合、導電層２１の抵抗率を下げるための処理（プラズマ処理等）を行う場合等が挙げられる。

次に、絶縁層３０上に、絶縁層３１を形成し、絶縁層３１上にトランジスタ４０を形成する（図９（Ｅ））。

絶縁層３１は、樹脂層２３に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁層３１は、樹脂層２３を加熱した際に、樹脂層２３に含まれる水分等がトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層３１は、バリア性が高いことが好ましい。

絶縁層３１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

特に、導電層２１上に、絶縁層３０として窒化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜上に絶縁層３１として酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成することが好ましい。

無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成することが好ましい。

絶縁層３１に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。

樹脂層２３の表面に凹凸がある場合、絶縁層３１は当該凹凸を被覆することが好ましい。絶縁層３１は、当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁層３１として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。有機絶縁材料としては、樹脂層２３に用いることができる樹脂が挙げられる。

絶縁層３１に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層３１の形成時に樹脂層２３にかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

作製方法例１では、トランジスタ４０として、酸化物半導体層４４を有する、ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。

本発明の一態様において、トランジスタの半導体には、酸化物半導体を用いる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

トランジスタ４０は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、トランジスタ４０は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。

具体的には、まず、絶縁層３１上に導電層４１を形成する（図９（Ｅ））。導電層４１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。

導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

表示装置が有する導電層には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。または、Ｉｎ系酸化物、ＩＴＯ、Ｉｎ−Ｗ系酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｓｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化物、ＺｎＯ、Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、またはＩＴＳＯ等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。

続いて、絶縁層３２を形成する（図９（Ｅ））。絶縁層３２は、絶縁層３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。

続いて、酸化物半導体層４４を形成する（図９（Ｅ））。酸化物半導体層４４は、酸化物半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該酸化物半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。

酸化物半導体膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以下がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。

また、酸化物半導体膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方又は双方を用いて成膜することができる。なお、酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。

酸化物半導体膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。酸化物半導体膜は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。特に、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物層（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）を用いることが好ましく、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物層を用いることがより好ましい。

また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。

酸化物半導体のエネルギーギャップは、２ｅＶ以上であると好ましく、２．５ｅＶ以上であるとより好ましく、３ｅＶ以上であるとさらに好ましい。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

酸化物半導体がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

酸化物半導体膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、例えばＰＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。

続いて、導電層４３ａ、導電層４３ｂ、及び導電層４３ｃを形成する（図９（Ｅ））。導電層４３ａ、導電層４３ｂ、及び導電層４３ｃは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、それぞれ、酸化物半導体層４４と接続される。

なお、導電層４３ａ及び導電層４３ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない酸化物半導体層４４の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。

以上のようにして、トランジスタ４０を作製できる（図９（Ｅ））。トランジスタ４０において、導電層４１の一部はゲートとして機能し、絶縁層３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する。

次に、トランジスタ４０を覆う絶縁層３３を形成する（図１０（Ａ））。絶縁層３３は、絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。

また、絶縁層３３として、酸素を含む雰囲気下で上述のような低温で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で、低温で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化物絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層４４に酸素を供給することができる。その結果、酸化物半導体層４４中の酸素欠損、及び酸化物半導体層４４と絶縁層３３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高いフレキシブルデバイスを実現できる。

以上の工程により、樹脂層２３上に導電層２１、絶縁層３０、絶縁層３１、トランジスタ４０、及び絶縁層３３を形成することができる（図１０（Ａ））。

この段階において、後述する方法を用いて作製基板１４とトランジスタ４０とを分離することで、表示素子を有さないフレキシブルデバイスを作製することができる。例えば、トランジスタ４０や、トランジスタ４０に加えて容量素子、抵抗素子、及び配線などを形成し、後述する方法を用いて作製基板１４とトランジスタ４０とを分離することで、半導体回路を有するフレキシブルデバイスを作製することができる。

次に、絶縁層３３上に絶縁層３４を形成する（図１０（Ａ））。絶縁層３４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層３４は、絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。

絶縁層３４は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。

絶縁層３４に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層３４の形成時に樹脂層２３にかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

絶縁層３４に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。

次に、絶縁層３４及び絶縁層３３に、導電層４３ｂ及び導電層４３ｃ等に達する開口を形成する。

その後、導電層６１を形成する（図１０（Ｂ））。導電層６１は、その一部が表示素子６０の画素電極として機能する。導電層６１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

導電層６１は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、導電層６１は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。

次に、導電層６１の端部を覆う絶縁層３５を形成する（図１０（Ｂ））。絶縁層３５は、絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。

絶縁層３５は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、絶縁層３５は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。

絶縁層３５に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層３５の形成時に樹脂層２３にかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

絶縁層３５に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。

次に、ＥＬ層６２及び導電層６３を形成する（図１０（Ｃ））。導電層６３は、その一部が表示素子６０の共通電極として機能する。

ＥＬ層６２は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。ＥＬ層６２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層６２を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。

ＥＬ層６２には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。

導電層６３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。

ＥＬ層６２及び導電層６３は、それぞれ、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、ＥＬ層６２及び導電層６３は、それぞれ、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。導電層６３は、ＥＬ層６２の耐熱温度以下の温度で形成する。

具体的には、ＥＬ層６２及び導電層６３の形成時の温度は、それぞれ、室温以上３５０℃以下で形成することが好ましく、室温以上３００℃以下で形成することがさらに好ましい。

以上のようにして、表示素子６０を形成することができる（図１０（Ｃ））。表示素子６０は、一部が画素電極として機能する導電層６１、ＥＬ層６２、及び一部が共通電極として機能する導電層６３が積層された構成を有する。

ここでは、表示素子６０として、トップエミッション型の発光素子を作製する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

次に、導電層６３を覆って絶縁層７４を形成する（図１０（Ｄ））。絶縁層７４は、表示素子６０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。表示素子６０は、絶縁層７４によって封止される。

絶縁層７４は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度かつ表示素子６０の耐熱温度以下の温度で形成する。また、絶縁層７４は、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。

絶縁層７４は、例えば、上述した絶縁層３１に用いることのできるバリア性の高い無機絶縁膜が含まれる構成とすることが好ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して用いてもよい。

次に、絶縁層７４上に保護層７５を形成する（図１１（Ａ））。保護層７５は、表示装置の最表面に位置する層として用いることができる。保護層７５は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。

保護層７５として、上述した絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜を用いると、表示装置の表面に傷がつくことや、クラックが生じてしまうことを抑制できるため好ましい。

図１１（Ｂ）、（Ｃ）には、接着層７５ｂを用いて絶縁層７４上に基板７５ａを貼り合わせた例を示す。

後の工程で導電層４３ｃを簡便に露出させるため、または導電層４３ｃを露出させる工程を削減するために、導電層４３ｃと重なる位置を避けて、保護層７５、基板７５ａ、及び接着層７５ｂ等を配置することが好ましい。図１１（Ｂ）では、基板７５ａが、導電層４３ｃと重なる部分に開口を有する例を示す。図１１（Ｃ）では、基板７５ａ及び接着層７５ｂが、導電層４３ｃと重ならない例を示す。

接着層７５ｂには、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。

基板７５ａには、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板７５ａには、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。

次に、作製基板１４を介して樹脂層２３及び導電層２１にレーザ光６５を照射する（図１２（Ａ））。レーザ光６５は、例えば、図１２（Ａ）においては、左側から右側に走査される線状レーザビームで、その長軸は、その走査方向及びその入射方向（下から上）に垂直である。

樹脂層２３及び導電層２１（主に、樹脂層２３の開口と重なる部分）は、レーザ光６５を吸収する。

レーザ光６５の照射により、樹脂層２３は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射により、樹脂層２３と作製基板１４の密着性が低下する。

レーザ光６５の照射により、導電層２１は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射により、導電層２１と作製基板１４との密着性が低下する。

また、レーザ光６５の照射により、導電層２１が加熱され、導電層２１から酸素が放出されることがある。このとき放出される酸素は、例えば、ガス状となって放出される。放出されたガスは導電層２１と作製基板１４の界面近傍に留まり、これらを引き剥がす力が生じる。その結果、導電層２１と作製基板１４の密着性が低下し、容易に剥離可能な状態とすることができる。

また、導電層２１から放出される酸素の一部が、導電層２１中に留まる場合もある。そのため、導電層２１が脆弱化し、導電層２１の内部で分離しやすい状態となる場合がある。

レーザ光６５としては、少なくともその一部が作製基板１４を透過し、かつ樹脂層２３及び導電層２１に吸収される波長の光を選択して用いる。レーザ光６５は、可視光線から紫外線の波長領域の光であることが好ましい。例えば波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光、好ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の光を用いることができる。特に、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマレーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ラインの装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半導体ＵＶレーザともいう）を用いてもよい。固体レーザはガスを用いないため、エキシマレーザに比べて、ランニングコストを約１／３にでき、好ましい。また、ピコ秒レーザ等のパルスレーザーを用いてもよい。

レーザ光６５として、線状のレーザ光を用いる場合には、作製基板１４と光源とを相対的に移動させることでレーザ光６５を走査し、剥離したい領域に亘ってレーザ光６５を照射する。

なお、導電層２１にレーザ光６５が照射されることで、導電層２１から酸素及び水分のうちの少なくとも一方が放出されて、酸素欠損が生じ、導電層２１の抵抗率が低下することがある。

次に、作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する（図１２（Ｂ１）または図１２（Ｂ２））。

分離面は、導電層２１、樹脂層２３、及び作製基板１４等の各層の材料及び形成方法、並びに、光照射の条件等によって、様々な位置となり得る。

図１２（Ｂ１）では、作製基板１４と導電層２１との界面及び作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離が生じる例を示す。分離により、樹脂層２３及び導電層２１が露出する。

図１２（Ｂ２）では、樹脂層２３中及び導電層２１中で分離が生じる例を示す。作製基板１４上には樹脂層の一部（樹脂層２３ｇ）及び導電層の一部（導電層２１ｇ）が残存する。絶縁層３０側に残存する樹脂層２３及び導電層２１は図１２（Ａ）に比べて薄膜化されている。

例えば、樹脂層２３及び導電層２１に垂直方向に引っ張る力をかけることにより、作製基板１４を剥離することができる。具体的には、保護層７５の上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、作製基板１４を引き剥がすことができる。

作製基板１４と樹脂層２３との間に、刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで分離の起点を形成することが好ましい。

分離工程では、機械的な力が作製基板１４にかかることで、樹脂層２３に摩擦による静電気が生じることがある。樹脂層２３は絶縁性が高いため、導電層２１が無い場合、例えば、樹脂層２３におけるトランジスタ４０の直下の部分に局所的に多くの電荷が蓄積すると、その部分とトランジスタ４０の間の絶縁性が破壊され、トランジスタ４０がダメージを受けることがある。この現象は、特に、樹脂層２３が薄い場合に顕著となる。一方、本発明の一態様では、トランジスタ４０と樹脂層２３の間に導電層２１が存在するため、樹脂層２３に蓄積された電荷は導電層２１を介して拡散し、直接、トランジスタ４０にダメージを与えることはない。このように、導電層２１は、何らかの理由によって、樹脂層２３に電荷が局所的に蓄積すること、及び、蓄積された電荷がトランジスタ等の回路にダメージを与えることを、防止する効果を奏する。なお、この工程に際して、分離面に水等の導電性を有する液体を与えることも電荷の蓄積を防止する上で効果がある。

作製基板１４とトランジスタ４０とを分離することにより、表示装置を作製することができる。図１２（Ｂ１）に示す界面で分離が生じた場合に作製できる表示装置を、図１（Ｃ）に示す。

図１（Ｃ）に示すように、分離により露出した樹脂層２３の表面に、接着層２８を用いて基板２９を貼り合わせてもよい。なお、基板２９及び接着層２８は、導電層２１が露出している部分と重ならないように配置する。基板２９は、フレキシブルデバイスの支持基板として機能することができる。

基板２９には、基板７５ａに用いることができる材料を適用することができる。

保護層７５の導電層４３ｃと重なる部分を、レーザ光の照射または切削加工等により除去することで、導電層４３ｃを露出させることができる。そして、接続体７６を介して、導電層４３ｃとＦＰＣ７７を電気的に接続する。これにより、導電層４３ｃとＦＰＣ７７とを電気的に接続することができる。

以上の工程により、トランジスタに酸化物半導体が適用され、ＥＬ素子に塗り分け方式が適用された表示装置を作製することができる（図１（Ｃ））。

［作製方法例２］
作製方法例２では、図１（Ｃ）に示す表示装置を作製する場合を説明する。作製方法例２では、作製方法例１と異なり、作製基板１４に導電層２１が接しない場合を説明する。なお、作製方法例１と同様の部分については説明を省略することがある。

作製方法例２では、作製基板１４と導電層２１との界面で分離を行わないため、導電層２１に酸化物導電体及び酸化物半導体以外の材料を適用することができる。つまり、導電層２１は、様々な導電性材料を用いて形成することができる。

まず、作製基板１４上に、感光性を有する材料を用いて、第１の層２４を形成し（図１３（Ａ））、第１の層２４を用いて、凹部を有する樹脂層２３を形成する（図１３（Ｂ））。

具体的には、材料を成膜した後にプリベーク処理を行い、その後フォトマスクを用いて露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。次に、所望の形状に加工された膜を加熱し（ポストベーク処理ともいう）、樹脂層２３を形成する。露光の際に、樹脂層２３に開口を設ける条件よりも露光量を減らすことで、凹部を有する樹脂層２３を形成することができる。例えば、樹脂層２３に開口を形成する露光条件よりも、露光時間を短くする、光の強度を弱める、光の焦点をずらすなどの方法が挙げられる。

樹脂層２３に開口と凹部の両方を形成する場合には、ハーフトーンマスクもしくはグレートーンマスクを用いた露光技術、または２以上のフォトマスクを用いた多重露光技術を用いることが好ましい。

次に、作製方法例１と同様に、樹脂層２３上に、導電層２１から保護層７５までを順に形成する（図１３（Ｃ））。

導電層２１としては、作製方法例１で例示した、酸化物半導体及び酸化物導電体に加えて、各種導電性材料を適用できる。例えば、トランジスタの電極及び配線等に用いることができる導電性材料を適用できる。具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む膜を用いることもできる。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。

次に、作製基板１４を介して樹脂層２３にレーザ光６５を照射する（図１３（Ｄ））。

樹脂層２３は、レーザ光６５を吸収する。

次に、作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する（図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）、または図１４（Ｃ））。

図１４（Ａ）では、作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離が生じる例を示す。分離により、樹脂層２３が露出する。作製基板１４側には、樹脂層２３が残存しない。

図１４（Ｂ）では、樹脂層２３中で分離が生じる例を示す。作製基板１４上には樹脂層の一部（樹脂層２３ａ）が残存する。導電層２１側に残存する樹脂層２３は図１３（Ｄ）に比べて薄膜化されている。

図１４（Ｃ）では、樹脂層２３中、及び、樹脂層２３の凹部と導電層２１との界面で分離が生じる例を示す。作製基板１４上には樹脂層の一部（樹脂層２３ａ）が残存する。絶縁層３１側に残存する樹脂層２３は図１３（Ｄ）に比べて薄膜化されている。

図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、樹脂層２３が残存し、導電層２１が露出していない場合は、残存する樹脂層２３の少なくとも一部を除去することで、導電層２１を露出させる。樹脂層２３は、例えば、酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理（アッシング処理）により除去することができる。

その後、作製方法例１と同様に、樹脂層２３の表面に接着層２８を用いて基板２９を貼り合わせてもよい。また、保護層７５の導電層４３ｃと重なる部分を、レーザ光の照射または切削加工等により除去することで、導電層４３ｃを露出させる。そして、接続体７６を介して、導電層４３ｃとＦＰＣ７７を電気的に接続する。

以上により、図１（Ｃ）に示す表示装置を作製することができる。

［作製方法例３］
作製方法例３では、図３（Ｂ）に示す表示装置を作製する場合を説明する。作製方法例３では、作製方法例２と同様に、作製基板１４に導電層２１が接しない場合を説明する。作製方法例３では、作製方法例１、２と異なり、樹脂層２３に開口及び凹部を設けない場合を説明する。なお、作製方法例１、２と同様の部分については説明を省略することがある。

作製方法例３では、作製基板１４と導電層２１との界面で分離を行わないため、導電層２１に酸化物導電体及び酸化物半導体以外の材料を適用することができる。つまり、導電層２１は、様々な導電性材料を用いて形成することができる。

まず、作製基板１４上に、感光性を有する材料を用いて、第１の層２４を形成し（図１５（Ａ））、第１の層２４を硬化させることで、樹脂層２３を形成する（図１５（Ｂ））。

次に、作製方法例１と同様に、樹脂層２３上に、導電層２１から保護層７５までを順に形成する（図１５（Ｃ））。

導電層２１としては、作製方法例１で例示した酸化物半導体及び酸化物導電体、並びに、作製方法例２で例示した導電性材料を適用できる。

次に、作製基板１４を介して樹脂層２３にレーザ光６５を照射する（図１５（Ｄ））。

樹脂層２３は、レーザ光６５を吸収する。

次に、作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する（図１６（Ａ））。

図１６（Ａ）では、作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離が生じる例を示す。分離により、樹脂層２３が露出する。作製基板１４側には、樹脂層２３が残存しない。

次に、樹脂層２３を除去することで、導電層２１を露出させる（図１６（Ｂ））。樹脂層２３は、例えば、エッチング等により除去することができる。

その後、導電層２１の表面に接着層２８を用いて基板２９を貼り合わせてもよい（図１６（Ｃ））。なお、導電層２１の少なくとも一部を露出させておくことで、後に、導電層２１と接続配線１９とを接続させることができる。これにより、接続配線１９から導電層２１に定電位を供給することができる。

また、作製方法例１と同様に、保護層７５の導電層４３ｃと重なる部分を、レーザ光の照射または切削加工等により除去することで、導電層４３ｃを露出させる。そして、接続体７６を介して、導電層４３ｃとＦＰＣ７７を電気的に接続する（図３（Ｂ））。

以上により、図３（Ｂ）に示す表示装置を作製することができる。

［作製方法例４］
作製方法例４では、図６（Ｂ）に示す表示装置を作製する場合を説明する。なお、作製方法例１〜３と同様の部分については、説明を省略することがある。

まず、作製基板１４上に、感光性を有する材料を用いて、第１の層２４を形成する（図１７（Ａ））。そして、作製方法例１と同様に、フォトリソグラフィ法を用いて、作製基板１４に達する開口を有する樹脂層２３を形成する（図１７（Ｂ））。

次に、作製基板１４上及び樹脂層２３上に、導電層２１ａ及び導電層２１ｂを形成する（図１７（Ｃ））。導電層２１ａと導電層２１ｂとは互いに電気的に絶縁される。

導電層２１ａ及び導電層２１ｂは、作製方法例１で例示した導電層２１に適用することができる材料を用いて形成することができる。

導電層２１ａ及び導電層２１ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。

次に、樹脂層２３上、導電層２１ａ上、及び導電層２１ｂ上に、絶縁層３０を形成する（図１７（Ｃ））。

次に、絶縁層３０上に、絶縁層３１を形成し、絶縁層３１上にトランジスタ８０を形成する（図１７（Ｄ）、図１７（Ｅ）、図１８（Ａ））。

ここではトランジスタ８０として、酸化物半導体層８３とトップゲートを有するトランジスタを作製する場合を示す。

トランジスタ８０は、樹脂層２３の耐熱温度以下の温度で形成する。また、前述のポストベーク処理における加熱温度と同じ温度またはそれより低い温度で形成することが好ましい。

具体的には、まず、絶縁層３１上に酸化物半導体層８３を形成する（図１７（Ｄ））。酸化物半導体層８３は、酸化物半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該酸化物半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。酸化物半導体層８３は、酸化物半導体層４４に用いることのできる材料を援用できる。

続いて、絶縁層８４及び導電層８５を形成する（図１７（Ｄ））。絶縁層８４は、絶縁層３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。絶縁層８４及び導電層８５は、絶縁層８４となる絶縁膜と、導電層８５となる導電膜とを成膜した後、レジストマスクを形成し、当該絶縁膜及び当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

次に、酸化物半導体層８３、絶縁層８４、及び導電層８５を覆う絶縁層３３を形成する。絶縁層３３は、絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。

絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶縁層３３に開口を設け、導電層２１ｂを露出させる（図１７（Ｅ））。ここでは、絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶縁層３３に、一括で開口を形成する例を示す。絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶縁層３３には、それぞれ別の工程で開口を形成してもよい。また、２以上の絶縁層に同時に開口を形成してもよい。例えば、酸化物半導体層８３を形成する前に、絶縁層３０及び絶縁層３１に開口を形成してもよい。例えば、絶縁層３３に、酸化物半導体層８３に達する開口を形成する工程で、導電層２１ｂに達する開口を形成してもよい。

続いて、導電層８６ａ、導電層８６ｂ、及び導電層８６ｃを形成する（図１８（Ａ））。導電層８６ａ、導電層８６ｂ、及び導電層８６ｃは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層８６ａ及び導電層８６ｂは、それぞれ、絶縁層３３の開口を介して酸化物半導体層８３と電気的に接続される。導電層８６ｃは、絶縁層３０、絶縁層３１、及び絶縁層３３にそれぞれ設けられた開口を介して導電層２１ｂと接続される。

以上のようにして、トランジスタ８０を作製できる（図１８（Ａ））。トランジスタ８０において、絶縁層８４の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層８５の一部はゲートとして機能する。酸化物半導体層８３はチャネル領域と低抵抗領域とを有する。チャネル領域は絶縁層８４を介して導電層８５と重なる。低抵抗領域は導電層８６ａと接続される部分と、導電層８６ｂと接続される部分と、を有する。

次に、絶縁層３３上に絶縁層３４から表示素子６０までを形成する（図１８（Ｂ））。これらの工程は作製方法例１を参照できる。

また、作製基板９１上に、感光性を有する材料を用いて、樹脂層９３を形成する（図１８（Ｃ））。

樹脂層９３は、可撓性を有する。作製基板９１は、樹脂層９３よりも可撓性が低い。作製基板９１上に樹脂層９３を形成することで、樹脂層９３の搬送を容易にすることができる。

樹脂層９３には、ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。そのほか、樹脂層９３の材料及び形成方法については、樹脂層２３の記載を援用できる。

樹脂層９３の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層９３を薄く形成することが容易となる。樹脂層９３の厚さは、１０μｍ以上としてもよい。

表示装置の表示面側に樹脂層９３が位置する場合、樹脂層９３は、可視光に対する透光性が高いことが好ましい。

作製基板９１については、作製基板１４の記載を援用できる。

次に、樹脂層９３上に絶縁層９５を形成する。次に、絶縁層９５上に、着色層９７及び遮光層９８を形成する（図１８（Ｃ））。

絶縁層９５については、絶縁層３１の記載を援用できる。

着色層９７として、カラーフィルタ等を用いることができる。着色層９７は表示素子６０の表示領域と重なるように配置する。

遮光層９８として、ブラックマトリクス等を用いることができる。遮光層９８は、絶縁層３５と重なるように配置する。

次に、作製基板１４のトランジスタ８０等が形成されている面と、作製基板９１の樹脂層９３等が形成されている面とを、接着層９９を用いて貼り合わせる（図１９（Ａ））。

次に、作製基板９１を介して樹脂層９３にレーザ光６５を照射する（図１９（Ｂ））。作製基板１４と作製基板９１はどちらを先に分離してもよい。ここでは、作製基板１４よりも先に作製基板９１を分離する例を示す。

レーザ光６５の照射により、樹脂層９３は脆弱化される。または、レーザ光６５の照射により、樹脂層９３と作製基板９１の密着性が低下する。

次に、作製基板９１と絶縁層９５とを分離する（図２０（Ａ））。図２０（Ａ）では、作製基板９１と樹脂層９３の界面で分離が生じる例を示す。

なお、樹脂層９３中で分離が生じる場合もある。そのとき、作製基板９１上には樹脂層の一部が残存し、絶縁層９５側に残存する樹脂層９３は図１９（Ｂ）に比べて薄膜化される。

そして、露出した樹脂層９３（または絶縁層９５）と基板２２とを接着層１３を用いて貼り合わせる（図２０（Ｂ））。

図２０（Ｂ）において、表示素子６０の発光は、着色層９７及び樹脂層９３を通して、表示装置の外部に取り出される。そのため、樹脂層９３の可視光の透過率は高いことが好ましい。本発明の一態様を適用することで、樹脂層９３の厚さを薄くすることができる。そのため、樹脂層９３の可視光の透過率を高めることができる。

また、樹脂層９３を除去し、接着層１３を用いて絶縁層９５に基板２２を貼り合わせてもよい。

接着層１３には、接着層７５ｂに用いることができる材料を適用できる。

基板２２には、基板７５ａに用いることができる材料を適用できる。

次に、作製基板１４を介して樹脂層２３、導電層２１ａ、及び導電層２１ｂにレーザ光６５を照射する（図２１（Ａ））。

レーザ光６５の照射により、導電層２１ａ及び導電層２１ｂは脆弱化される。または、レーザ光６５の照射により、導電層２１ａと作製基板１４との密着性、及び、導電層２１ｂと作製基板１４との密着性が低下する。

次に、作製基板１４とトランジスタ８０とを分離する（図２１（Ｂ））。

図２１（Ｂ）では、作製基板１４と導電層２１ａとの界面、作製基板１４と導電層２１ｂとの界面、及び作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離が生じる例を示す。分離により、樹脂層２３、導電層２１ａ、及び導電層２１ｂが露出する。

その後、作製方法例１と同様に、樹脂層２３の表面に接着層２８を用いて基板２９を貼り合わせてもよい（図６（Ｂ））。また、接続体７６を介して、導電層２１ａ及び導電層２１ｂと、ＦＰＣ７７が有する接続配線と、を電気的に接続する。導電層２１ａと導電層２１ｂとは、それぞれ異なる接続配線と電気的に接続される。そのため、導電層２１ａと導電層２１ｂは電気的に絶縁される。

以上により、図６（Ｂ）に示す表示装置を作製することができる。

作製方法例４は、作製基板の分離を２回行ってフレキシブルデバイスを作製する例である。本発明の一態様では、フレキシブルデバイスを構成する機能素子等は、全て作製基板上で形成するため、精細度の高い表示装置を作製する場合においても、可撓性を有する基板には、高い位置合わせ精度が要求されない。よって、簡便に可撓性を有する基板を貼り付けることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュール及び電子機器について、図２２及び図２３を用いて説明する。

図２２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、及びバッテリ８０１１を有する。

本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。

表示パネル８００６には、接続配線８０１６が接続されている。接続配線８０１６は、表示パネル８００６が有する導電層（実施の形態１に示した導電層２１及び導電層２１ａに相当）に定電位を供給する機能を有する。接続配線８０１６は、表示モジュール８０００のＧＮＤラインに接続されることが好ましい。接続配線８０１６は、フレーム８００９に接続されていてもよい。

上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチパネル８００４としては、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４を設けず、表示パネル８００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。

フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能を有する。フレーム８００９は、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有していてもよい。フレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であってもよいし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

表示モジュール８０００は、さらに、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を有していてもよい。

本発明の一態様により、曲面を有し、信頼性の高い電子機器を作製できる。また、本発明の一態様により、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器を作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを非接触電力伝送に用いてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子機器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができる。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

図２３（Ａ）〜（Ｃ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。

表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図２３（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。図２３（Ａ）に示す携帯電話機７１１０は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６、カメラ７１０７等を有する。

携帯電話機７１１０は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

また、携帯電話機内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７０００の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部７０００を触れること、操作ボタン７１０３の操作、またはマイク７１０６を用いた音声入力等により行うこともできる。

図２３（Ｂ）に携帯情報端末の一例を示す。図２３（Ｂ）に示す携帯情報端末７２１０は、筐体７２０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

携帯情報端末７２１０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン７２０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７２０３を他の面に表示することができる。図２３（Ｂ）では、携帯情報端末７２１０の上面に操作ボタン７２０２が表示され、携帯情報端末７２１０の側面に情報７２０３が表示される例を示す。なお、例えば携帯情報端末７２１０の側面に操作ボタン７２０２を表示し、例えば携帯情報端末７２１０の上面に情報７２０３を表示してもよい。また、携帯情報端末７２１０の３面以上に情報を表示してもよい。

情報７２０３の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報７２０３が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。

図２３（Ｃ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７３００は、筐体７３０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７３０３により筐体７３０１を支持した構成を示している。

図２３（Ｃ）に示すテレビジョン装置７３００の操作は、筐体７３０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７３１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７３１１は、当該リモコン操作機７３１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７３１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７３００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図２３（Ｄ）〜（Ｆ）に、可撓性を有し、曲げることのできる表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。

表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図２３（Ｄ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１等と重ねて配置してもよい。

バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。

操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。

また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。

また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。

図２３（Ｅ）、（Ｆ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２３（Ｅ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図２３（Ｆ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れ及び傷つきを抑制できる。なお、図２３（Ｅ）、（Ｆ）では携帯情報端末７６５０を２つ折りにした構成を示しているが、携帯情報端末７６５０は３つ折りにしてもよいし、４つ折り以上にしてもよい。また、携帯情報端末７６５０は、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。

１３接着層
１４作製基板
１９接続配線
２１導電層
２１ａ導電層
２１ｂ導電層
２１ｇ導電層
２２基板
２３樹脂層
２３ａ樹脂層
２３ｇ樹脂層
２４第１の層
２５樹脂層
２６絶縁層
２８接着層
２９基板
３０絶縁層
３１絶縁層
３２絶縁層
３３絶縁層
３４絶縁層
３５絶縁層
４０トランジスタ
４１導電層
４３ａ導電層
４３ｂ導電層
４３ｃ導電層
４４酸化物半導体層
４５導電層
５０トランジスタ
６０表示素子
６１導電層
６２ＥＬ層
６３導電層
６５レーザ光
７４絶縁層
７５保護層
７５ａ基板
７５ｂ接着層
７６接続体
７６ａ接続体
７６ｂ接続体
７７ＦＰＣ
７７ａＦＰＣ
７７ｂＦＰＣ
８０トランジスタ
８１導電層
８２絶縁層
８３酸化物半導体層
８４絶縁層
８５導電層
８６ａ導電層
８６ｂ導電層
８６ｃ導電層
８６ｄ導電層
９１作製基板
９３樹脂層
９５絶縁層
９７着色層
９８遮光層
９９接着層
３８１表示部
３８２駆動回路部
３８３接続部
３８４接続部
７０００表示部
７００１表示部
７１０１筐体
７１０３操作ボタン
７１０４外部接続ポート
７１０５スピーカ
７１０６マイク
７１０７カメラ
７１１０携帯電話機
７２０１筐体
７２０２操作ボタン
７２０３情報
７２１０携帯情報端末
７３００テレビジョン装置
７３０１筐体
７３０３スタンド
７３１１リモコン操作機
７６５０携帯情報端末
７６５１非表示部
７８００携帯情報端末
７８０１バンド
７８０２入出力端子
７８０３操作ボタン
７８０４アイコン
７８０５バッテリ
８０００表示モジュール
８００１上部カバー
８００２下部カバー
８００３ＦＰＣ
８００４タッチパネル
８００５ＦＰＣ
８００６表示パネル
８００９フレーム
８０１０プリント基板
８０１１バッテリ
８０１６接続配線

Claims

基板と、
前記基板上の第１の導電層と、
前記第１の導電層上のトランジスタ及び発光素子と、を有し、
前記トランジスタ及び前記発光素子は、それぞれ、前記第１の導電層と電気的に絶縁され、
前記トランジスタ及び前記発光素子は、それぞれ、前記第１の導電層を介して前記基板と重なり、
前記第１の導電層には、定電位が供給される、表示装置。
基板と、
前記基板上の樹脂層と、
前記樹脂層上の第１の導電層と、
前記第１の導電層上のトランジスタ及び発光素子と、を有し、
前記トランジスタ及び前記発光素子は、それぞれ、前記第１の導電層と電気的に絶縁され、
前記トランジスタ及び前記発光素子は、それぞれ、前記第１の導電層を介して前記基板と重なり、
前記第１の導電層は、前記樹脂層を介して前記基板と重なり、
前記第１の導電層には、定電位が供給される、表示装置。
請求項２において、
前記樹脂層の厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下である、表示装置。
請求項２または３において、
前記樹脂層の５％重量減少温度は、４００℃未満である、表示装置。
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記樹脂層は、開口を有し、
前記樹脂層の前記開口では、前記第１の導電層の少なくとも一部が露出する、表示装置。
請求項５において、
前記基板は、開口を有し、
前記基板の前記開口は、前記樹脂層の前記開口と重なる部分を有し、
前記基板の前記開口では、前記第１の導電層の少なくとも一部が露出する、表示装置。
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の導電層上に、無機絶縁層を有し、
前記無機絶縁層上に、前記トランジスタ及び前記発光素子を有する、表示装置。
基板と、
前記基板上の第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上の第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第２の樹脂層と、
前記第２の樹脂層上のトランジスタ及び発光素子と、を有し、
前記トランジスタ及び前記発光素子は、それぞれ、前記第１の導電層と電気的に絶縁され、
前記トランジスタ及び前記発光素子は、それぞれ、前記第１の導電層を介して前記基板と重なり、
前記第１の導電層は、前記第１の樹脂層を介して前記基板と重なり、
前記第１の導電層には、定電位が供給される、表示装置。
請求項８において、
前記第１の導電層上に、第１の無機絶縁層を有し、
前記第１の無機絶縁層上に、前記第２の樹脂層を有する、表示装置。
請求項８または９において、
前記第２の樹脂層上に、第２の無機絶縁層を有し、
前記第２の無機絶縁層上に、前記トランジスタ及び前記発光素子を有する、表示装置。
請求項８乃至１０のいずれか一において、
前記第１の樹脂層の厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下である、表示装置。
請求項８乃至１１のいずれか一において、
前記第１の樹脂層の５％重量減少温度は、４００℃未満である、表示装置。
請求項８乃至１２のいずれか一において、
前記第１の樹脂層は開口を有し、
前記第１の樹脂層の前記開口では、前記第１の導電層の少なくとも一部が露出する、表示装置。
請求項１３において、
前記基板は、開口を有し、
前記基板の前記開口は、前記第１の樹脂層の前記開口と重なる部分を有し、
前記基板の前記開口では、前記第１の導電層の少なくとも一部が露出する、表示装置。
請求項１乃至１４のいずれか一において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示装置。
請求項１乃至１５のいずれか一において、
前記基板は、可撓性を有する、表示装置。
請求項１乃至１６のいずれか一において、
前記第１の導電層は、酸化物導電体を有する、表示装置。
請求項１乃至１７のいずれか一に記載の表示装置と、第１の接続配線と、を有するモジュールであり、
前記表示装置は、第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層と電気的に絶縁され、
前記第２の導電層は、前記第１の接続配線と電気的に接続される、モジュール。
請求項１８において、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層を介して、前記基板と重なる、モジュール。
請求項１８において、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層を介さずに、前記基板と重なる、モジュール。
請求項１８において、
前記モジュールは、フレキシブルプリント基板を有し、
前記フレキシブルプリント基板は、前記第１の接続配線及び第２の接続配線を有し、
前記第１の導電層は、前記第２の接続配線と電気的に接続される、モジュール。
請求項１８乃至２１のいずれか一に記載のモジュールと、
センサ、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、または操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、電子機器。