JP2017502331A - 光反応性液体組成物及び構造体の作製方法 - Google Patents
光反応性液体組成物及び構造体の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017502331A JP2017502331A JP2016536814A JP2016536814A JP2017502331A JP 2017502331 A JP2017502331 A JP 2017502331A JP 2016536814 A JP2016536814 A JP 2016536814A JP 2016536814 A JP2016536814 A JP 2016536814A JP 2017502331 A JP2017502331 A JP 2017502331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid composition
- photoreactive liquid
- photoreactive
- component
- free radical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70416—2.5D lithography
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
- C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0037—Production of three-dimensional images
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/10—Esters
- C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
- C08F222/103—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of trialcohols, e.g. trimethylolpropane tri(meth)acrylate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
(i)基材上に光反応性液体組成物を配置する工程であって、ここにおいてこの光反応性液体組成物が、
(a)エポキシ基官能性が2である、少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドと、
(b)フリーラジカル重合性基官能性が3である、少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物と、
(c)2光子増感剤、及び
芳香族オニウム塩
を含む、有効量の2光子光開始剤系と、
を含み、
ここにおいて構成成分(a)及び構成成分(b)がそれぞれ、25:75〜75:25(端の値を含む)の重量比で存在する、工程と、
(ii)この光反応性液体組成物の一部を、2光子増感剤の2光子励起を介した重合、及び組成物の一部の重合を起こすのに十分な強度及び波長のレーザー光に露光させることにより、露光した組成物を提供する工程と、
(iii)この露光した組成物を現像して、構造体を提供する工程と、
を含む。
(a)少なくとも1つのカチオン性重合性ポリエポキシドと、
(b)フリーラジカル重合性基を含む少なくとも1つの化合物と、
(c)2光子増感剤、及び
芳香族オニウム塩
を含む、有効量の2光子光開始剤系と、
を含み、
ここにおいてこの光反応性液体組成物が1重量パーセント未満の有機溶媒を含有し、かつここにおいて、構成成分(a)及び構成成分(b)がそれぞれ、25:75〜75:25(端の値を含む)の重量比で存在する。
「アクリル」は
(C6F5)3FB−、及び(C6F5)3(CH3)B−が挙げられる。
5−メチル−10,10−ジオキソチアントレニウムヘキサフルオロリン酸塩が含まれる。
第1の実施形態において、本開示は、構造体を作製する方法を提供し、本方法は、
(i)基材上に光反応性液体組成物を配置する工程であって、ここにおいてこの光反応性液体組成物が、
(a)エポキシ基官能性が2である、少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドと、
(b)フリーラジカル重合性基官能性が3である、少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物と、
(c)2光子増感剤、及び
芳香族オニウム塩
を含む、有効量の2光子光開始剤系と、
を含み、
ここにおいて構成成分(a)及び構成成分(b)がそれぞれ、25:75〜75:25(端の値を含む)の重量比で存在する、工程と、
(ii)この光反応性液体組成物の一部を、2光子増感剤の2光子励起を介した重合、及びこの光反応性液体組成物の一部の重合を起こすのに十分な強度及び波長のレーザー光に露光させることにより、露光した組成物を提供する工程と、
(iii)この露光した組成物を現像して、構造体を提供する工程と、
を含む。
(a)エポキシ基官能性が2である、少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドと、
(b)フリーラジカル重合性基官能性が3である、少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物と、
(c)2光子増感剤、及び
芳香族オニウム塩
を含む、有効量の2光子光開始剤系と、
を含む光反応性液体組成物を提供し、
ここにおいてこの光反応性液体組成物が1重量パーセント未満の有機溶媒を含有し、かつここにおいて、構成成分(a)及び構成成分(b)がそれぞれ、25:75〜75:25(端の値を含む)の重量比で存在する。
アルコキシル化3官能性アクリレートは、Sartomer Co.(Exton、Pennsylvania)からSR9008として入手した。
0.5重量パーセントの2,5−ビス[4−(ジフェニルアミノ)ストリル(stryl)]−1−(2−エチルヘキシルオキシ)−4−メトキシベンゼン(KL68、米国特許第7,265,161号(Leatherdaleら)の記載に従って合成)、30重量パーセントのポリ(メチルメタクリレート)(PMMA、120,000グラム/モル)、35重量パーセントのSR9008アルコキシル化3官能性アクリレート、及び35重量パーセントのSR368トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリアクリレートを含有する保存液を、シクロペンタノン中、55重量パーセントの固形物として調製した。これを次いで、ベースコート溶液として使用するため、シクロペンタノンで固形物9.17重量パーセントに希釈した。ベースコート溶液を、シリコンウエハの一方の主表面上にスピンコーティングし、モデルHSA−500 500ワット高圧Hgアークランプ(19.25mW/cm2、400nm、合計照射量69.3J/cm2)を用いて硬化させ、厚さ0.2〜0.3マイクロメートルの硬化したベースコート厚を得た。
実施例1〜7及び比較例A〜Eは、表1(下記)に示す相対量で、KL68、PC−2506ジアリールヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩、TMPTA、ERL−4221を混合することにより調製された。
単純な研究用規模の2光子書き込みシステムを使用して、書き込み速度閾値及び長手方向ボクセル寸法を調べた。このシステムは、807nmの中心波長及び112fsのパルス幅を有する超高速ファイバーレーザー、レーザービーム出力制御、空気対物レンズ(40倍、開口数0.95)、並びに書き込みパラメータに従ってCADファイルと同期化された電磁シャッターを備えていた。試料を、コンピューターにより駆動される圧電ミクロ/ナノ位置決めX、Y、Zステージ上に載置した。共焦点界面検知システムを使用して、基材−フォトレジストの界面の位置を正確かつ精密に決定した。このシステムは毎秒約1〜400マイクロメートルの走査速度が可能であった。
図5に示す単純なカンチレバー構造の設計を行った。これは、上述の2光子重合アプローチで書き込むことができる。作製された微細構造体は、光学顕微鏡(例えば、Keyence XYステージDigital Profilometer)により側面から観察された。観察された微細構造体が良好な忠実度を示している場合は、その露光条件(例えば、出力、波長、書き込み速度)が、現像に耐えるのに十分な機械的一体性を備えた微細構造体を製造できることを示している。
0=微細構造体が形成されない。
1=微細構造体が塊状になり、カンチレバーアームが形成されない。
2=カンチレバーのベース部が設計よりもかなり大きく、アームが形成されるが設計よりも短い。
3=良好なカンチレバーアームが形成されたが、カンチレバーアームの角度が90°ではなく歪んでいる。
4=図5に従い、高い忠実度でベース部及びカンチレバーアームが形成された。
表1の実施例4を、中央波長800nm、パルス幅約80fs、電子光学的シャッター、出力制御、分散補償、共焦点界面検知、高速ガルボスキャナー、空気対物レンズ(40倍、NA=0.95)を有するSpectra−Physics(Santa Clara、California)Tiサファイアレーザーで書き込んだ。サンプル位置決めは、Newportエアベアリングステージを用いて制御された。ステージ及びガルボスキャナーは、書き込み速度112,500マイクロメートル/秒でカスタムCAD系制御システムレーザー(出力など)によって制御され、直径50マイクロメートル、高さ900マイクロメートルの高忠実度の円筒形ポストが得られた。
40部のEPON 828芳香族エポキシ樹脂、30部のTMPTA、30部のERL−4221、0.5部のKL68、1.0部のPC−2506ジアリールヨードニウム塩を混合することで、屈折率が合致する(ガラスの場合、波長800nmで1.515)光反応性液体組成物が調製された。
40部のEPON 828芳香族エポキシ樹脂、30部のTMPTA、30部のERL−4221、0.5部のKL68、1.0部のUVI−6976カチオン性光開始剤を混合することで、屈折率が合致する(ガラスの場合、波長800nmで1.515)光反応性液体組成物が調製された。この実施例の光反応性液体組成物は、実施例15のそれに比べて、より良い貯蔵安定性及び同等の速度を有している。
Claims (26)
- 構造体を作製する方法であって、以下の工程:
(i)基材上に光反応性液体組成物を配置する工程であって、ここにおいて前記光反応性液体組成物が、以下の構成成分:
(a)エポキシ基官能性が2である、少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドと、
(b)フリーラジカル重合性基官能性が3である、少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物と、
(c)
2光子増感剤、及び
芳香族オニウム塩
を含む、有効量の2光子光開始剤系と、
を含み、
ここにおいて構成成分(a)及び構成成分(b)がそれぞれ、25:75〜75:25(末端の値を含む)の重量比で存在する、工程と、
(ii)前記光反応性液体組成物の一部を、前記2光子増感剤の2光子励起を介した重合、及び前記光反応性液体組成物の一部の重合を起こすのに十分な強度及び波長のレーザー光に露光させることにより、露光した組成物を提供する工程と、
(iii)前記露光した組成物を現像して、前記構造体を提供する工程と、
を含む、方法。 - 前記光反応性液体組成物が、前記光反応性液体組成物の総重量に対して1重量パーセント未満の有機溶媒を含有する、請求項1に記載の方法。
- 前記光反応性液体組成物が有機溶媒を含まない、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記光反応性液体組成物が、エポキシ基官能性が2以外である、少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドを更に含み、かつ平均の前記カチオン性重合性脂肪族エポキシド官能性が1.8〜2.2である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記光反応性液体組成物が、フリーラジカル重合性基官能性が3以外である、少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物を更に含み、かつ平均の前記フリーラジカル重合性基官能性が2.8〜3.2である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記光反応性液体組成物が金属粒子を含まない、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 構成成分(a)と構成成分(b)がそれぞれ、30:70〜70:30(端の値を含む)の重量比で存在する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 構成成分(a)と構成成分(b)がそれぞれ、35:65〜65:35(端の値を含む)の重量比で存在する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 構成成分(a)と構成成分(b)がそれぞれ、40:60〜60:40(端の値を含む)の重量比で存在する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- エポキシ基官能性が2である、前記少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドが、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレートを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- フリーラジカル重合性基官能性が3である、少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物が、トリメチロールプロパントリアクリレートを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記芳香族オニウム塩が、ジアリールヨードニウム塩又はトリアリールスルホニウム塩のうち少なくとも1つを含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記2光子増感剤が、2,5−ビス[4−(ジフェニルアミノ)ストリル(stryl)]−1−(2−エチルヘキシルオキシ)−4−メトキシベンゼンを含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 工程(i)、(ii)、及び(iii)が連続的である、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 以下の構成成分:
(a)エポキシ基官能性が2である、少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドと、
(b)フリーラジカル重合性基官能性が3である、少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物と、
(c)
2光子増感剤、及び
芳香族オニウム塩
を含む、有効量の2光子光開始剤系と、
を含む光反応性液体組成物であって、
ここにおいて前記光反応性液体組成物が1重量パーセント未満の有機溶媒を含有し、かつ構成成分(a)及び構成成分(b)がそれぞれ、25:75〜75:25(末端の値を含む)の重量比で存在する、光反応性液体組成物。 - 前記光反応性液体組成物が有機溶媒を含まない、請求項15に記載の光反応性液体組成物。
- 前記光反応性液体組成物が、エポキシ基官能性が2以外である、少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドを更に含み、かつ平均の前記カチオン性重合性脂肪族エポキシド官能性が1.8〜2.2である、請求項15又は16に記載の光反応性液体組成物。
- 前記光反応性液体組成物が、フリーラジカル重合性基官能性が3以外である、少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物を更に含み、かつ平均の前記フリーラジカル重合性基官能性が2.8〜3.2である、請求項15〜17のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
- 前記光反応性液体組成物が金属粒子を含まない、請求項15〜18のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
- 構成成分(a)と構成成分(b)がそれぞれ、30:70〜70:30(端の値を含む)の重量比で存在する、請求項15〜19のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
- 構成成分(a)と構成成分(b)がそれぞれ、35:65〜65:35(端の値を含む)の重量比で存在する、請求項15〜19のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
- 構成成分(a)と構成成分(b)がそれぞれ、40:60〜60:40(端の値を含む)の重量比で存在する、請求項15〜19のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
- エポキシ基官能性が2である、前記少なくとも1つのカチオン性重合性脂肪族エポキシドが、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレートを含む、請求項15〜22のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
- フリーラジカル重合性基官能性が3である、前記少なくとも1つのフリーラジカル重合性化合物が、トリメチロールプロパントリアクリレートを含む、請求項15〜23のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
- 前記芳香族オニウム塩が、ジアリールヨードニウム塩又はトリアリールスルホニウム塩のうち少なくとも1つを含む、請求項15〜24のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
- 前記2光子増感剤が、2,5−ビス[4−(ジフェニルアミノ)ストリル(stryl)]−1−(2−エチルヘキシルオキシ)−4−メトキシベンゼンを含む、請求項15〜25のいずれか一項に記載の光反応性液体組成物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361912754P | 2013-12-06 | 2013-12-06 | |
| US61/912,754 | 2013-12-06 | ||
| PCT/US2014/067955 WO2015084735A2 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-01 | Liquid photoreactive composition and method of fabricating structures |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017502331A true JP2017502331A (ja) | 2017-01-19 |
| JP2017502331A5 JP2017502331A5 (ja) | 2017-11-09 |
| JP6566952B2 JP6566952B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=52278753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016536814A Active JP6566952B2 (ja) | 2013-12-06 | 2014-12-01 | 光反応性液体組成物及び構造体の作製方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10133174B2 (ja) |
| EP (1) | EP3077421B1 (ja) |
| JP (1) | JP6566952B2 (ja) |
| CN (1) | CN105917275B (ja) |
| WO (1) | WO2015084735A2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5584202B2 (ja) | 2008-05-21 | 2014-09-03 | セラジェクト, インコーポレイテッド | 固溶体穿孔器パッチの製造方法及びその使用 |
| CN105793758A (zh) | 2013-12-06 | 2016-07-20 | 3M创新有限公司 | 具有保护元件的半潜式显微镜物镜和物镜在多光子成像方法中的用途 |
| FR3049606B1 (fr) | 2016-03-30 | 2018-04-13 | Universite Grenoble Alpes | Composition photosensible activable par absorption multiphotonique pour fabrication tridimensionnelle |
| CN107390471A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-11-24 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用 |
| CN107322927A (zh) * | 2017-08-22 | 2017-11-07 | 瑞安市麦田网络科技有限公司 | 一种光固化3d打印机 |
| US11809161B2 (en) * | 2020-07-13 | 2023-11-07 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Computed axial lithography optimization system |
| US20220035251A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc. | Methods to fabricate 2d wedge and localized encapsulation for diffractive optics |
| US20250325986A1 (en) | 2022-06-23 | 2025-10-23 | Solventum Intellectual Properties Company | Methods and devices for removing particles from fluids |
| WO2024105470A1 (en) | 2022-11-15 | 2024-05-23 | Solventum Intellectual Properties Company | Microstructured substrate including connected wells |
| EP4619157A1 (en) | 2022-11-15 | 2025-09-24 | Solventum Intellectual Properties Company | Methods and kits for removing particles from fluids |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004503616A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多光子感光化システム |
| JP2004503928A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多方向光反応吸収方法 |
| JP2009537870A (ja) * | 2006-05-18 | 2009-10-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 抽出構造体を備えた導光体の製造方法及びその方法で製造された導光体 |
| JP2010188642A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Cmet Inc | 炭素質立体造形物の製造方法 |
| JP2012047787A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Daicel Corp | 体積ホログラム記録用感光性組成物および媒体製造法 |
Family Cites Families (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3808006A (en) | 1971-12-06 | 1974-04-30 | Minnesota Mining & Mfg | Photosensitive material containing a diaryliodium compound, a sensitizer and a color former |
| US3729313A (en) | 1971-12-06 | 1973-04-24 | Minnesota Mining & Mfg | Novel photosensitive systems comprising diaryliodonium compounds and their use |
| US3741769A (en) | 1972-10-24 | 1973-06-26 | Minnesota Mining & Mfg | Novel photosensitive polymerizable systems and their use |
| AU497960B2 (en) | 1974-04-11 | 1979-01-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photopolymerizable compositions |
| US4250053A (en) | 1979-05-21 | 1981-02-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sensitized aromatic iodonium or aromatic sulfonium salt photoinitiator systems |
| CA1323949C (en) | 1987-04-02 | 1993-11-02 | Michael C. Palazzotto | Ternary photoinitiator system for addition polymerization |
| US4859572A (en) | 1988-05-02 | 1989-08-22 | Eastman Kodak Company | Dye sensitized photographic imaging system |
| WO1998021521A1 (en) | 1996-11-12 | 1998-05-22 | California Institute Of Technology | Two-photon or higher-order absorbing optical materials and methods of use |
| US6608228B1 (en) | 1997-11-07 | 2003-08-19 | California Institute Of Technology | Two-photon or higher-order absorbing optical materials for generation of reactive species |
| US6335149B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-01-01 | Corning Incorporated | High performance acrylate materials for optical interconnects |
| US6025406A (en) | 1997-04-11 | 2000-02-15 | 3M Innovative Properties Company | Ternary photoinitiator system for curing of epoxy resins |
| US5859251A (en) | 1997-09-18 | 1999-01-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Symmetrical dyes with large two-photon absorption cross-sections |
| US5770737A (en) | 1997-09-18 | 1998-06-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Asymmetrical dyes with large two-photon absorption cross-sections |
| US6100405A (en) | 1999-06-15 | 2000-08-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Benzothiazole-containing two-photon chromophores exhibiting strong frequency upconversion |
| US6852766B1 (en) | 2000-06-15 | 2005-02-08 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
| JP2004503831A (ja) | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | マルチパス多光子吸収方法および装置 |
| WO2001096917A2 (en) | 2000-06-15 | 2001-12-20 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements |
| US7265161B2 (en) | 2002-10-02 | 2007-09-04 | 3M Innovative Properties Company | Multi-photon reactive compositions with inorganic particles and method for fabricating structures |
| KR100795759B1 (ko) | 2000-06-15 | 2008-01-21 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 미세유체 물품의 제조 방법 |
| JP4965052B2 (ja) | 2000-06-15 | 2012-07-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 3次元光学素子の加工方法 |
| US7118845B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photochemical process and articles preparable thereby |
| US7381516B2 (en) | 2002-10-02 | 2008-06-03 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
| US7005229B2 (en) | 2002-10-02 | 2006-02-28 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization method |
| EP2236488A1 (en) | 2001-03-30 | 2010-10-06 | The Arizona Board of Regents on behalf of the University of Arizona | Materials, methods and uses for photochemical generation of acids and/or radical species |
| US20040012872A1 (en) | 2001-06-14 | 2004-01-22 | Fleming Patrick R | Multiphoton absorption method using patterned light |
| US6750266B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
| US7232650B2 (en) | 2002-10-02 | 2007-06-19 | 3M Innovative Properties Company | Planar inorganic device |
| US20030155667A1 (en) | 2002-12-12 | 2003-08-21 | Devoe Robert J | Method for making or adding structures to an article |
| TWI223736B (en) | 2002-12-19 | 2004-11-11 | Ind Tech Res Inst | Hybrid photoresist with multi reaction models and process for forming pattern using the same |
| JP4430622B2 (ja) | 2003-12-05 | 2010-03-10 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | フォトニック結晶の製造方法 |
| US20050124712A1 (en) | 2003-12-05 | 2005-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Process for producing photonic crystals |
| JP5306814B2 (ja) | 2005-09-13 | 2013-10-02 | スリーディー システムズ インコーポレーテッド | Abs類似物品製造を目的とした光硬化性組成物 |
| US7893410B2 (en) | 2005-12-21 | 2011-02-22 | 3M Innovative Properties Company | Method and apparatus for processing multiphoton curable photoreactive compositions |
| US7583444B1 (en) | 2005-12-21 | 2009-09-01 | 3M Innovative Properties Company | Process for making microlens arrays and masterforms |
| WO2007112309A2 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | 3M Innovative Properties Company | Process for making microneedles, microneedle arrays, masters, and replication tools |
| JP5559033B2 (ja) | 2007-04-13 | 2014-07-23 | スリーディー システムズ インコーポレーテッド | 二元光開始剤、光硬化型組成物、三次元物品製造へのこれらの使用、および製造方法 |
| WO2009032813A2 (en) | 2007-09-06 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Lightguides having light extraction structures providing regional control of light output |
| US9102083B2 (en) | 2007-09-06 | 2015-08-11 | 3M Innovative Properties Company | Methods of forming molds and methods of forming articles using said molds |
| WO2009048705A1 (en) | 2007-10-11 | 2009-04-16 | 3M Innovative Properties Company | Highly functional multiphoton curable reactive species |
| WO2009070500A1 (en) | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Huntsman Advanced Materials Americas Inc. | Photocurable resin composition for producing three dimensional articles having high clarity |
| CN103257379B (zh) | 2007-11-27 | 2015-08-05 | 3M创新有限公司 | 形成具有悬浮合成图像的片材的母模 |
| KR101403187B1 (ko) | 2008-02-19 | 2014-06-02 | 삼성전자주식회사 | 감광성 조성물, 이를 이용한 미세 가공 방법 및 그에 의해형성된 미세 가공물 |
| JP5584202B2 (ja) | 2008-05-21 | 2014-09-03 | セラジェクト, インコーポレイテッド | 固溶体穿孔器パッチの製造方法及びその使用 |
| CN102301277B (zh) | 2008-12-05 | 2013-07-17 | 3M创新有限公司 | 使用非线性热聚合的三维制品 |
| ES2464495T3 (es) | 2009-07-30 | 2014-06-03 | 3M Innovative Properties Company | Tobera y método para hacer la misma |
| DE102011012484B4 (de) | 2011-02-25 | 2025-08-14 | Nanoscribe Holding Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum ortsaufgelösten Einbringen eines Intensitätsmusters aus elektromagnetischer Strahlung in eine photosensitive Substanz sowie Verwendung hiervon |
| CN103492951A (zh) | 2011-04-22 | 2014-01-01 | 3M创新有限公司 | 增大多光子成像分辨率的方法 |
| CN105793758A (zh) | 2013-12-06 | 2016-07-20 | 3M创新有限公司 | 具有保护元件的半潜式显微镜物镜和物镜在多光子成像方法中的用途 |
-
2014
- 2014-12-01 US US15/100,577 patent/US10133174B2/en active Active
- 2014-12-01 JP JP2016536814A patent/JP6566952B2/ja active Active
- 2014-12-01 EP EP14821925.6A patent/EP3077421B1/en active Active
- 2014-12-01 WO PCT/US2014/067955 patent/WO2015084735A2/en not_active Ceased
- 2014-12-01 CN CN201480066600.6A patent/CN105917275B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004503616A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多光子感光化システム |
| JP2004503928A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多方向光反応吸収方法 |
| JP2009537870A (ja) * | 2006-05-18 | 2009-10-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 抽出構造体を備えた導光体の製造方法及びその方法で製造された導光体 |
| JP2010188642A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Cmet Inc | 炭素質立体造形物の製造方法 |
| JP2012047787A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Daicel Corp | 体積ホログラム記録用感光性組成物および媒体製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105917275B (zh) | 2018-01-16 |
| CN105917275A (zh) | 2016-08-31 |
| JP6566952B2 (ja) | 2019-08-28 |
| WO2015084735A3 (en) | 2015-08-13 |
| EP3077421A2 (en) | 2016-10-12 |
| US20160306277A1 (en) | 2016-10-20 |
| WO2015084735A2 (en) | 2015-06-11 |
| US10133174B2 (en) | 2018-11-20 |
| EP3077421B1 (en) | 2018-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6566952B2 (ja) | 光反応性液体組成物及び構造体の作製方法 | |
| JP5059273B2 (ja) | 多光子感光化方法 | |
| JP4723248B2 (ja) | 無機粒子を有する多光子反応性組成物および構造の製造方法 | |
| US7118845B2 (en) | Multiphoton photochemical process and articles preparable thereby | |
| JP5221375B2 (ja) | マイクロレンズアレイ及び原型を作製する方法 | |
| JP6216811B2 (ja) | 抽出構造体を備えた導光体の製造方法及びその方法で製造された導光体 | |
| US6852766B1 (en) | Multiphoton photosensitization system | |
| US20100227272A1 (en) | Highly Functional Multiphoton Curable Reactive Species | |
| JP5995963B2 (ja) | ポリマー連結ナノ粒子を含有するフォトレジスト | |
| JP2022070865A (ja) | 付加造形用液状ハイブリッドUV/vis線硬化性樹脂組成物 | |
| US20030155667A1 (en) | Method for making or adding structures to an article | |
| JP4689936B2 (ja) | 構造を製作するか又は物品に構造を付加するための方法 | |
| JP2004503832A (ja) | パターン化された光を用いる多光子吸収法 | |
| US20140030655A1 (en) | Enhanced Multi-Photon Imaging Resolution Method | |
| US20150030985A1 (en) | Multiphoton Curing Methods Using Negative Contrast Compositions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170927 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170927 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180815 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181102 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20181107 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181127 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190228 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190702 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190730 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6566952 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
