JP2017507103A - レーザーでフィーチャ加工した表示照明用ガラス - Google Patents
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Abstract
Description
波長355nmのナノ秒パルスNd:YAGレーザーを用いて、本明細書に記載のレーザーで誘起された光散乱フィーチャを生成した。30mmの実効焦点距離を用いて、非イオン交換アルカリアルミノシリケートガラスの内部に、2〜3μmのスポットサイズにレーザーを集束して、光を反射する損傷スポットをガラスの内部に生成した。非イオン交換アルカリアルミノシリケートガラスを実験に使用したが、ガラスの吸収は本手順と無関係であるため、内部集束を可能とする任意のガラスを使用することができる。焦点において、レーザーの各々のパルスのほぼ全パワーが、ガラスに吸収されて、管状に見える直径約2〜3μmの溶融領域が形成された。一部の実施例において、レーザーは、溶融領域の形成に加えて、周囲のガラス構造に、高応力の転位領域が形成されるような強度である。この応力によって、管の周囲の全方向に、放射状の「マイクロクラック」を形成することができた(マイクロクラックが約20μmである、図10参照)。
表面からの近さが光の抽出に与える影響を示すために、散乱フィーチャを10μm×100μm離間して、基板の裏面、ガラスの3/4の深さ、ガラスの1/2の深さ、ガラスの1/4の深さ、及び前面に配置した(図3)。異なるパルスエネルギーで0.7mmの3つの散乱基板が作製され(図3の上から下に、150mW、200mW,及び400mW)、かつ、前述のように異なる5つの深さ(裏面(図3の基板の最上部)、深さ525μm、350μm、175μm、前面(図3の基板の最下部))が使用された。
ガラスのエッジに光を注入し、光注入点からの距離に対し、90°で出射される放射量を測定することによって、減衰測定を行った。フィーチャの最高密度(10μm×10μm、1平方センチメートル当たり1,000,000)において、すべての光がガラス内に〜50mm入った個所により抽出された。2番目に密度の高いサンプル(20μm×10μm、1平方センチメートル当たり500,000)は、すべての光を、ガラス内に〜80mm入った個所により抽出した。密度が低下するにつれ、ガラスの光注入エッジ近傍における抽出光量が減少する一方、ガラスのエッジからより遠い位置における利用可能な光量が増加した(10、20、25、30、40、50、60、70、80、90、及び100μm×10μmの散乱フィーチャ密度について、ミリメートル(mm)単位の光注入エッジからの位置に対して、光強度(W)をプロットした図5を参照)。かかる抽出率を用いて、片側光注入若しくは両側光注入における均一照明又は他の所望のパターン形成に必要な、正しい密度勾配を決定することができる。
ラディアント社のZEMAXIS/VA(商標)(イメージングスフェア/視野角)測定器を用いて、視野角及び輝度(図6及び7)、並びに色ずれ(図8A及び8B)を測定した。イメージングスフェアは、コーティングを施した、拡散性の低反射半球で、半球上に、照明源(例えば、LED、散乱基板等)に隣接する球の基部上の凸面鏡に対向する、CCDベースの光度計又は測色計を備えている。半球の内表面が照明源によって照明され、凸面鏡によって、検出器が基本的に2πステラジアンの出力全体を見ることができる。
フィーチャ加工した、0.7mmの非イオン交換アルカリアルミノシリケートガラスのリングオンリング強度試験が示すように(図11)、ガラス基板の強度は、レーザーによるフィーチャ加工処理に影響を受ける。対照サンプルについて1.591であった形状値は、20μm×20μm離間配置したフィーチャでは7.118に、40μm×40μm離間配置したフィーチャでは5.061に増加し、単一クラックモードを示している。対照サンプルについて188.5であったスケール値は、20μm×20μm離間配置したフィーチャでは84.91に、40μm×40μm離間配置したフィーチャでは70.16に低下し、50%を超える強度低下を示している。これ等の値は大幅な強度低下を示しているように見えるが、バックライトユニットとして表示装置の内部で使用され、機械的構造体の内部に含まれるガラスは、カバーガラスと比較して、強度要求が低い可能性が高い。散乱サイトを生成した後、焼き戻し等の追加努力によって、サンプルの強度を高めることができ、従って、この強度低下を後処理で改善できる可能性がある。
低損失高透明ガラス(例えば、超低鉄ガラス、例えば、50ppm未満又は20ppm未満の酸化鉄)は、透過率が高く色ずれが少ないため、散乱基板用途にとって理想的である。しかし、かかるガラスの損失を測定することは、特に基板がレーザーで誘起されたフィーチャで改質されている場合は、困難となり得る。散乱基板が、2つの面と、少なくとも2つの対向するエッジとを有するシートを含んでいる場合、以下の方法で損失を測定することができる。
1)コリメートしたスーパーコンティニウムレーザ光源を選択し、ビームを基準ビートと試験ビームとに分割する。分光器に結合された積分球に基準ビームを送り、ソーススペクトル形状の基準として使用する。散乱基板の薄いエッジに(コリメート状態の)試験ビームを送り込んで、散乱フィーチャが存在しない基板内の場所を通して、基板の対向するエッジから出射させる。経路長は、基板全体又は、基板の500mm等、ガラスの「クーポン」若しくはサブセクションであってよい。出射ビームは、第2の分光器に結合された第2の積分球に結合される。
2)基準及び試験ビームから得られる、波長の関数である強度比によって、インガラス信号の測定値が得られる。波長範囲はレーザーの全範囲、又は450〜800nm等のサブ領域とすることができる。
3)サンプルを90度回転させ、基板の1つの面を通し、第2の面(ここでも、散乱フィーチャが存在しない個所)から出射する試験ビームを送り、第2の分光器に結合された第2の積分球に結合させる。ステップ2)を繰り返して、スルーガラス信号の測定値を得る。
4)スルーガラス信号に対するインガラス信号の比によって、経路に起因する損失値が得られ、ガラスの反射面が補償される。
5)4)で算出した比から、dB単位の損失を算出することができ、損失から透過率を決定することができる。例えば 式、−10Log(インガラス信号強度/スルーガラス信号強度)/(インガラス信号の伝搬距離−スルーガラス信号の伝搬距離)に従って、(距離測定がメートル単位で行われるとして)dB/メートル単位で損失を算出することができる。500mmにわたる透過係数は、例えば、式100・10−(dB/メートル単位の損失)/20を用いて算出することができる。
散乱基板において、
a.約0.2mm〜約3mmの厚さを有する基板であって、必要に応じ、100ppm未満の鉄化合物を含む基板、及び
b.前記基板の内部に配置された散乱フィーチャであって、
i)約5μm〜約100μmの直径を有する、前記基板の改質領域を含み、
ii)前記基板の前記改質領域のエッジ−エッジ間で測定したとき、少なくとも約5μm離間して配置された散乱フィーチャを備え、
c.必要に応じ、
i)1つ以上の表面フィーチャ、
ii)1つ以上の高分子膜、
iii)1つ以上の無機膜、又は
iv)1つ以上のマスク若しくはフィルター、
のうちの1つ以上を更に備えた散乱基板。
前記基板が、ガラス基板又はガラスセラミック基板を含む、実施形態1の散乱基板。
前記基板が、ガラス基板を含み、該ガラス基板が、熱的又は化学的に強化されたガラス基板を含む、実施形態2の散乱基板。
前記散乱フィーチャが、約10μm〜約50μmの直径を有する、実施形態1〜3いずれかの散乱基板。
前記散乱フィーチャが、前記ガラス基板の前記改質領域のエッジ−エッジ間で測定したとき、少なくとも10μm離間して配置されている、実施形態1〜4いずれかの散乱基板。
イメージングスフェア及び/又は視野角測定器で測定したとき、約40°〜約60°の最大視野角を示す、実施形態1〜5いずれかの散乱基板。
CIE1931標準で測定したとき、x方向に対し約0.015、y方向に対し約0.02の角度の色ずれを有している、実施形態1〜6いずれかの散乱基板。
前記散乱フィーチャが、直径約1μm〜約10μmの溶融領域、及び該溶融領域の近傍の1つ以上のクラックを備えた、前記基板の改質領域を含む、実施形態1〜7いずれかの散乱基板。
前記散乱フィーチャが、基板中に空孔が生成された直径約1μm〜約10μmの空孔領域、及び該空孔領域の近傍の1つ以上のクラックを備えた、前記基板の改質領域を含む、実施形態1〜8いずれかの散乱基板。
前記基板が、イオン交換ガラス基板を含む、実施形態1〜9いずれかの散乱基板。
前記1つ以上の表面フィーチャが、ミクロン、サブミクロン、又はナノスケールのフィーチャである、実施形態1〜10いずれかの散乱基板。
前記1つ以上の表面フィーチャが、前記基板の内部又は該基板の表面上に存在している、実施形態1〜11いずれかの散乱基板。
前記基板が、50ppm未満の鉄含有化合物を含む、実施形態1〜12いずれかの散乱基板。
前記基板が、20ppm未満の酸化鉄を含む、実施形態13の散乱基板。
前記基板が、測定経路長が500mmであるとき、450nm〜800nmにおいて、90%を超える透過率を有している、実施形態13の散乱基板。
実施形態1〜15いずれかの散乱基板を備えた電子装置。
前記電子装置が、約4:3〜約16:9の幅対高さ比を有する表示装置を備えた、実施形態16の電子装置。
前記表示装置が、55インチ(約139.7センチメートル)以上の対角線長を有する、実施形態17の電子装置。
実施形態1〜15いずれかの散乱基板を形成する方法において、
a)約0.2mm〜約3mmの厚さを有する基板であって、必要に応じ、100ppm未満の鉄化合物を含む基板を用意するステップ、及び
b)前記基板の内部にパルスレーザーの焦点を合わせて該基板に照射し、該基板の内部に1つ以上の散乱フィーチャを形成するステップであって、
i)前記レーザーのピークパワーが、前記1つ以上の散乱フィーチャを形成するのに十分であり、
ii)前記散乱フィーチャが、前記基板の前記改質領域のエッジ−エッジ間で測定したとき、少なくとも約5μm離間して配置されるステップを備え、
c)必要に応じ、
i)1つ以上の表面フィーチャ、
ii)1つ以上の高分子膜、
iii)1つ以上の無機膜、又は
iv)1つ以上のマスク若しくはフィルター
のうちの1つ以上を形成するステップを更に備えた方法。
前記基板がガラス基板又はガラスセラミック基板を含む、実施形態19の方法。
Claims (11)
- 散乱基板において、
a.約0.2mm〜約3mmの厚さを有するガラス基板又はガラスセラミック基板であって、必要に応じ、100ppm未満の鉄化合物を含む基板、及び
b.前記基板の内部に配置された散乱フィーチャであって、
i)約5μm〜約100μmの直径を有する、前記基板の改質領域を含み、
ii)前記基板の前記改質領域のエッジ−エッジ間で測定したとき、少なくとも約5μm離間して配置された散乱フィーチャを備え、
c.必要に応じ、
i)1つ以上の表面フィーチャ、
ii)1つ以上の高分子膜、
iii)1つ以上の無機膜、又は
iv)1つ以上のマスク若しくはフィルター
のうちの1つ以上を更に備えたことを特徴とする散乱基板。 - 前記基板が、ガラス基板を含み、該ガラス基板が、熱的又は化学的に強化されたガラス基板を含むことを特徴とする、請求項1記載の散乱基板。
- 前記散乱フィーチャが、約10μm〜約50μmの直径を有することを特徴とする、請求項1又は2記載の散乱基板。
- イメージングスフェア及び/又は視野角測定器で測定したとき、約40°〜約60°の最大視野角を示すことを特徴とする、請求項1〜3いずれか1項記載の散乱基板。
- CIE1931標準で測定したとき、x方向に対し約0.015、y方向に対し約0.02の角度の色ずれを有していることを特徴とする、請求項1〜4いずれか1項記載の散乱基板。
- 前記散乱フィーチャが、直径約1μm〜約10μmの溶融領域、及び該溶融領域の近傍の1つ以上のクラックを備えた、前記ガラス基板の改質領域を含むことを特徴とする、請求項1〜5いずれか1項記載の散乱基板。
- 前記散乱フィーチャが、基板中に空孔が生成された直径約1μm〜約10μmの空孔領域、及び該空孔領域の近傍の1つ以上のクラックを備えた、前記基板の改質領域を含むことを特徴とする、請求項1〜6いずれか1項記載の散乱基板。
- 前記ガラス基板が、20ppm未満の鉄含有化合物を含むことを特徴とする、請求項1〜7いずれか1項記載の散乱基板。
- 前記基板が、測定経路長が500mmであるとき、450nm〜800nmにおいて、90%を超える透過率を有していることを特徴とする、請求項8記載の散乱基板。
- 請求項1〜9いずれか1項記載の散乱基板を備えたことを特徴とする電子装置。
- 請求項1〜9いずれか1項記載の散乱基板を形成する方法であって、
a)約0.2mm〜約3mmの厚さを有するガラス基板であって、必要に応じ、100ppm未満の鉄化合物を含むガラス基板を用意するステップ、及び
b)前記ガラス基板の内部にパルスレーザーの焦点を合わせて該ガラス基板に照射し、該ガラスの内部に1つ以上の散乱フィーチャを形成するステップであって、
i)前記レーザーのピークパワーが、前記1つ以上の散乱フィーチャを形成するのに十分であり、
ii)前記散乱フィーチャが、前記基板の前記改質領域のエッジ−エッジ間で測定したとき、少なくとも約5μm離間して配置されるステップを備え、
c)必要に応じ、
i)1つ以上の表面フィーチャ、
ii)1つ以上の高分子膜、
iii)1つ以上の無機膜、又は
iv)1つ以上のマスク若しくはフィルター
のうちの1つ以上を形成するステップを更に備えた方法。
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