JP2017509135A - ピクセル化された容量制御ｅｓｃ - Google Patents

ピクセル化された容量制御ｅｓｃ Download PDF

Info

Publication number
JP2017509135A
JP2017509135A JP2016529443A JP2016529443A JP2017509135A JP 2017509135 A JP2017509135 A JP 2017509135A JP 2016529443 A JP2016529443 A JP 2016529443A JP 2016529443 A JP2016529443 A JP 2016529443A JP 2017509135 A JP2017509135 A JP 2017509135A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixelated
esc
substrate
pixel
electrostatic chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016529443A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6126747B2 (ja
Inventor
レザ サドジャディ
レザ サドジャディ
ウェンデル グレン ジュニア ボイド
ウェンデル グレン ジュニア ボイド
ビジャイ ディー パルキー
ビジャイ ディー パルキー
マキシム ミハイロビッチ ノジノフ
マキシム ミハイロビッチ ノジノフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2017509135A publication Critical patent/JP2017509135A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6126747B2 publication Critical patent/JP6126747B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32697—Electrostatic control
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N7/00—Television systems
    • H04N7/18—Closed-circuit television [CCTV] systems, i.e. systems in which the video signal is not broadcast
    • H04N7/181—Closed-circuit television [CCTV] systems, i.e. systems in which the video signal is not broadcast for receiving images from a plurality of remote sources
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N7/00—Television systems
    • H04N7/18—Closed-circuit television [CCTV] systems, i.e. systems in which the video signal is not broadcast
    • H04N7/188—Capturing isolated or intermittent images triggered by the occurrence of a predetermined event, e.g. an object reaching a predetermined position
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/42—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a gas or vapour
    • H10P14/43—Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6302—Non-deposition formation processes
    • H10P14/6319—Formation by plasma treatments, e.g. plasma oxidation of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6336—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6339—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE or pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
    • H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
    • H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/72—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H10P72/722—Details of electrostatic chucks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V20/00—Scenes; Scene-specific elements
    • G06V20/40—Scenes; Scene-specific elements in video content
    • G06V20/44—Event detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H10D1/64—Variable-capacitance diodes, e.g. varactors 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本明細書に記載の実施形態は、静電チャックとその上に置かれた基板との間のＲＦ結合の横方向及び方位角方向の両側の調整を可能にするピクセル化された静電チャックを提供する。一実施形態では、ピクセル化された静電チャック（ＥＳＣ）は、上で基板を受けるように構成されたワークピース支持面を有する誘電体本体と、ピクセル化されたＥＳＣ内に配置された１以上のチャッキング電極と、複数のピクセル電極とを含むことができる。複数のピクセル電極は、浮いた状態と接地された状態との間で切り換え可能である、グランドに対して可変容量を有する、又はそれらの両方である。ピクセル電極及びチャッキング電極は、ワークピース支持面に基板を静電チャックするように動作可能な回路を形成する。

Description

背景
（分野）
本明細書に記載される実施形態（インプリメンテーション）は、概して、半導体製造に関し、より具体的には、静電チャック及びその使用方法に関する。
（関連技術の説明）
デバイスパターンのフィーチャーサイズが小さくなるにつれて、これらのフィーチャーのクリティカルディメンジョン（ＣＤ）の要件は、安定的で再現性のあるデバイス性能に対するより重要な基準となる。処理チャンバ内で処理された基板全域に亘る許容されるＣＤ変動は、チャンバの非対称性（例えば、チャンバ及び基板の温度、フローコンダクタンス、及びＲＦ場）に起因して達成することが困難である。
静電チャックを利用する処理では、基板の表面全域に亘るエッチングの均一性は、基板下のチャックの不均質構造に起因して困難である。例えば、静電チャックの一部の領域は、ガス穴を有しており、同時に、他の領域は、ガス穴から横方向にオフセットされているリフトピン穴を有する。更に他の領域は、チャッキング電極を有しており、同時に、他の領域は、チャッキング電極から横方向にオフセットされたヒータ電極を有している。チャックの不均質構造は、基板の表面全域に亘るエッチングに直接影響を与える高周波（ＲＦ）場の不均一性をもたらす。
静電チャックの構造は、横方向及び方位角方向の両方にばらつく可能性があり、チャックと基板との間のＲＦ場の均一性は複雑で、達成するのが非常に困難であり、その結果、チャック表面全域に亘るＲＦ場内の局所的なばらつきをもたらす。プラズマベースの処理は、静電チャックへの小さな局所的なＲＦ結合のばらつきに非常に敏感である可能性がある。したがって、局所的なＲＦ結合のばらつきは、基板の表面に沿った処理結果の不均一性をもたらす。
したがって、改良された静電チャックが必要とされている。
概要
本明細書に記載の実施形態は、静電チャックとその上に置かれた基板との間のＲＦ結合の横方向及び方位角方向の両側の調整を可能にするピクセル化された静電チャックを提供する。一実施形態では、ピクセル化された静電チャック（ＥＳＣ）は、上で基板を受けるように構成されたワークピース支持面を有する誘電体本体と、ピクセル化されたＥＳＣ内に配置された１以上のチャッキング電極と、複数のピクセル電極とを含むことができる。複数のピクセル電極は、浮いた状態と接地された状態との間で切り換え可能である、グランドに対して可変容量を有する、又はそれらの両方である。ピクセル電極及びチャッキング電極は、ワークピース支持面に基板を静電チャックするように動作可能な回路を形成する。
別の一実施形態では、処理チャンバが提供される。処理チャンバは、ピクセル化された静電チャック（ＥＳＣ）が内部に配置されたチャンバ本体を含む。ピクセル化されたＥＳＣは、上述のように構成することができる。
更に別の一実施形態では、ピクセル化された静電チャック内に形成された主チャッキング電極に電力を印加する工程と、ピクセル化された静電チャックに基板を固定するためにピクセル化された静電チャック内で横方向に分布した複数のピクセル電極のうちの１以上をグランドに選択的に結合する工程と、ピクセル化された静電チャック上で基板を処理する工程とを含む基板を処理するための方法が提供される。
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
ピクセル化された静電チャックの一実施形態を有する処理チャンバの概略断面側面図である。 ピクセル化された静電チャック及び基板支持アセンブリの部分を詳細に示す部分断面概略側面図である。 ピクセル化された静電チャック内で調整可能なコンデンサ及び電極のためのレイアウトを示す部分上面平面図である。 ピクセル化された静電チャック内のコンデンサに対する簡略化された配線図を示す、図３の切断線Ａ−Ａに沿った断面図である。 ＲＦ可変コンデンサを示す部分配線概略図である。 ピクセル化された静電チャックを利用して基板を処理するための一実施形態のフロー図である。
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示された要素を、特に説明することなく、他の実施形態で有益に利用してもよいと理解される。
詳細な説明
半導体業界は、電子的フィーチャーサイズをサブナノメートルレベルに低減していくにつれて、エッチレート及びＣＤ均一性の要件もまた、原子サイズに近づいているオングストロームレベルまで縮小している。このような場合には、基板温度は、非常に均一（例えば、２０ｎｍ未満のノードに対して約０．５℃未満）であるか、又は基板全域に亘って処理の均一性を調整するために、非常に細かい分解能で調整可能であるかのいずれかでなければならない。しかしながら、１０ｎｍ未満の半導体技術のノードにとって、０．２５℃以下の低い温度均一性でさえ、処理の均一性を維持するのには十分ではない。処理の均一性に影響を与える要因の１つは、静電チャックのパック内のチャッキング電極の誘電体深さである。誘電体深さは、パックの上部と、チャッキング電極を含む高電圧グリッドとの間の距離である。パックの基板支持面と誘電体深さのトポグラフィの両者は、基板のＥＳＣへのＲＦ結合に著しく影響を与える。高周波（ＲＦ）の基板への強力な結合は、エッチング速度を増加させることができ、その逆も成り立つ。したがって、ＥＳＣ全域に亘って横方向にグランドへのワークピースの局所静電容量を制御することは、本明細書に開示される発明が、横方向及び／又は方位角方向のエッチング速度の均一性の調整のための、及び／又はＥＳＣを使用して実行される処理のＣＤ制御のための効果的な処理制御属性として実証されてきた重要な処理制御パラメータである。
本明細書に記載の実施形態は、ピクセル化されたＥＳＣ及びワークピース（例えば、基板）のＲＦ結合の横方向と方位角方向の局所的調整を可能にし、次に、ピクセル化されたＥＳＣ上の基板のグランドへの横方向のＲＦ結合の横方向及び方位角方向の調整を可能にするピクセル化された静電チャック（ＥＳＣ）を提供する。更に、ピクセル化されたＥＳＣ内の静電容量の局所的なばらつきの制御は、基板のグランドへの結合に対して、ＲＦ結合によって影響される処理のばらつきを排除する、又はいくつかのケースでは誘導することにより、上で実行される処理を実質的に促進する。このように、ピクセル化されたＥＳＣは、オングストロームレベルのエッチング速度と、基板全域に亘るほぼ任意の場所の間でのクリティカルディメンジョン（ＣＤ）の均一性の制御を可能にする。ピクセル化されたＥＳＣ上で処理される基板のためにＲＦ結合を調整するための方法もまた、本明細書中に記載される。ピクセル化されたＥＳＣは、エッチング処理チャンバ内において以下で説明されるが、ピクセル化されたＥＳＣは、他のタイプのプラズマ処理チャンバ（とりわけ、物理蒸着チャンバ、化学蒸着チャンバ、イオン注入チャンバなど）、及びＥＳＣの基板支持面全域に亘るＲＦプロファイルの方位角方向、横方向、及び／又は局所的な調整のうちの少なくとも１つが望ましい他のシステムで使用することができる。また、ピクセル化された電極は、半導体処理に使用されないものを含む他の表面のＲＦバイアス又は結合を制御するために使用することもできることが理解される。
１以上の実施形態では、ピクセル化されたＥＳＣは、チャンバの不均一性（例えば、温度、フローコンダクタンス、電場、プラズマ密度等）を補償するためにピクセル電極を利用することによって、真空処理（例えば、エッチング、堆積、注入など）の間に、端部又は基板全域に亘る他の位置でクリティカルディメンジョン（ＣＤ）のばらつきの補正を可能にする。また、いくつかの実施形態は、基板のグランドへの静電容量をどこでも約２０ｐＦ〜約数百ｐＦに制御する能力を実証した。
図１は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２を有する例示的なエッチング処理チャンバ１００の断面模式図である。上述したように、ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、他の処理チャンバ（例えば、とりわけ、プラズマ処理チャンバ、アニーリングチャンバ、物理蒸着チャンバ、化学蒸着チャンバ、及びイオン注入チャンバ）並びに表面又はワークピース（例えば、基板）をグランドへ結合するＲＦプロファイルを制御する能力が望ましい他のシステムで使用してもよい。表面（すなわち、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の基板支持面）の多くの個別の領域全域に亘るＲＦ結合の独立した局所的制御は、ＲＦプロファイルの横方向及び／又は方位角方向の調整、及び局所的ＲＦ凹凸（例えば、エッチング処理チャンバ１００内の局所的処理結果に影響を与える可能性がある高い又は低いＲＦ結合）の低減を有益に可能にする。
処理チャンバ１００は、接地されたチャンバ本体１０２を含む。チャンバ本体１０２は、内部容積１２４を囲む、壁１０４、底部１０６、及び蓋１０８を含む。基板支持アセンブリ１２６は、内部容積１２４内に配置される。ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、基板支持アセンブリ１２６上に配置され、処理中に上で基板１３４を支持する。
処理チャンバ１００の壁１０４は、開口部（図示せず）を含み、それを通って基板１３４は、内部容積１２４の内外にロボット搬送させることができる。ポンピングポート１１０は、チャンバ本体１０２の壁１０４又は底部１０６のうちの１つの中に形成され、ポンピングシステム（図示せず）に流体接続されている。ポンピングシステムは、処理副生成物を除去しながら、処理チャンバ１００の内部容積１２４内の真空環境を維持するために利用される。
ガスパネル１１２は、チャンバ本体１０２の蓋１０８又は壁１０４の少なくとも１つを貫通して形成された１以上の入口ポート１１４を介して処理チャンバ１００の内部容積１２４に処理ガス及び／又は他のガスを供給する。ガスパネル１１２により供給される処理ガスは、内部容積１２４内で励起され、これによってピクセル化されたＥＳＣ１３２上に配置された基板１３４を処理するために使用されるプラズマ１２２を形成する。処理ガスは、チャンバ本体１０２の外側に位置するプラズマアプリケータ１２０から処理ガスに誘導結合されるＲＦ電力によって励起することができる。図１に示される実施形態では、プラズマアプリケータ１２０は、ＲＦ電源１１６又は容量結合プラズマ（ＣＣＰ）チャンバに整合回路１１８を介して結合された同軸コイルの組である。
コントローラ１４８は、処理チャンバ１００に結合され、これによって処理チャンバ１００の動作及び基板１３４の処理を制御する。コントローラ１４８は、様々なサブプロセッサ及びサブコントローラを制御するために工業環境で使用することができる汎用データ処理システムの任意の形態のうちの１つとすることができる。一般的に、コントローラ１４８は、他の一般的な構成要素の中でもとりわけメモリ１７４及び入力／出力（Ｉ／Ｏ）回路１７６と通信する中央処理装置（ＣＰＵ）１７２を含む。コントローラ１４８のＣＰＵによって実行されるソフトウェア命令は、処理チャンバに、例えば、内部容積１２４内にエッチャントガス混合物（すなわち、処理ガス）を導入させる、プラズマアプリケータ１２０からＲＦ電力を印加することによって処理ガスからプラズマ１２２を形成させる、及び基板１３４上に存在する材料の層をエッチングさせる。
基板支持アセンブリ１２６は、一般的に、少なくとも基板支持体を含む。図１の実施形態では、基板支持体は、静電チャックであり、ピクセル化されたＥＳＣ１３２として後述する。基板支持アセンブリ１２６は、更にヒータセンブリ１７０を含むことができる。基板支持アセンブリ１２６はまた、冷却ベース１３０を含むことができる。あるいはまた、冷却ベースは、基板支持アセンブリ１２６から分離させることができる。基板支持アセンブリ１２６は、支持台１２５に取り外し可能に結合させることができる。支持台１２５は、チャンバ本体１０２に取り付けられ、台座ベース１２８を含むことができる。支持台１２５は、オプションで、ファシリティプレート１８０を含むことができる。基板支持アセンブリ１２６は、基板支持アセンブリ１２６の１以上の構成要素の再生（改修）を可能にするために、支持台１２５から定期的に取り外すことができる。
ファシリティプレート１８０は、複数のリフトピンを昇降させるように構成された複数の駆動機構を収容するように構成される。また、ファシリティプレート１８０は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２及び冷却ベース１３０からの複数の流体接続を収容するように構成される。ファシリティプレート１８０はまた、ピクセル化されたＥＳＣ１３２及びヒータセンブリ１７０からの複数の電気接続を収容するように構成される。数えきれない接続が、基板支持アセンブリ１２６の外部又は内部に走ることができ、同時に、ファシリティプレート１８０は、それぞれの末端に接続するためのインタフェースを提供する。
温度制御された冷却ベース１３０は、熱伝達流体源１４４に結合される。熱伝達流体源１４４は、冷却ベース１３０内に配置された１以上の導管１６０を通って循環された熱伝達流体（例えば、液体、気体、又はそれらの組み合わせ）を供給する。隣接する導管を通って流れる流体は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２と冷却ベース１３０の異なる領域との間の熱伝達の局所制御を可能にするために分離させることができ、これは基板１３４の横方向温度プロファイルを制御するのに役立つ。
１以上の実施形態では、流体分配器が、熱伝達流体源１４４の出口と温度制御された冷却ベース１３０との間に流体結合されてもよい。流体分配器は、導管１６０に供給される熱伝達流体の量を制御するように動作する。流体分配器は、処理チャンバ１００の外側に、基板支持アセンブリ１２６内に、台座ベース１２８内に、又は他の適切な場所に配置することができる。
ヒータアセンブリ１７０は、１以上の主抵抗ヒータ１５４と、オプションで、本体１５２内に埋め込まれた複数の二次ヒータ（図示せず）を含むことができる。主抵抗ヒータ１５４は、チャンバ処理を実行するための温度まで基板支持アセンブリ１２６の温度を上昇させるために提供することができる。二次ヒータは、存在する場合には、主抵抗ヒータ１５４によって生成されたピクセル化されたＥＳＣ１３２の温度プロファイルに数℃の局所的な調整を提供することができる。このように、主抵抗ヒータ１５４は、グローバル化されたマクロスケールで動作し、一方、二次ヒータは、局所化されたミクロスケールで動作する。主抵抗ヒータ１５４は、主ヒータ電源１５６にＲＦフィルタ１８４を介して接続される。電源１５６は、主抵抗ヒータ１５４に５００ワット以上の電力を供給することができる。コントローラ１４８は、一般的に基板１３４を加熱するように設定される主ヒータ電源１５６の動作を制御することができる。１つ以上の実施形態では、主抵抗ヒータ１５４は、複数の横方向に分離された加熱ゾーンを含み、コントローラ１４８が主抵抗ヒータ１５４の１つのゾーンを１以上の他のゾーンに位置する主抵抗ヒータ１５４に対して優先的に加熱されるのを可能にする。例えば、主抵抗ヒータ１５４は、端部から中心までの温度制御を可能にするために、複数の分離した加熱ゾーンに同心円状に配置することができる。
あるいはまた、１以上の主抵抗ヒータ１５４及び／又は二次ヒータは、ピクセル化されたＥＳＣ内に形成されてもよい。主抵抗ヒータ１５４と二次ヒータの両方がピクセル化されたＥＳＣ１３２内に形成されたこれらの実施形態では、基板支持アセンブリ１２６は、ヒータセンブリ１７０無しで形成することができ、ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、冷却ベース１３０の上に直接配置させることができる。
処理チャンバ１００内の基板１３４に対する表面の温度は、ポンプ、スリットバルブドア、プラズマ１２２、及び他の要因による処理ガスの排気によって影響される可能性がある。冷却ベース１３０、１以上の主抵抗ヒータ１５４、及び二次ヒータはすべて、基板１３４の表面温度を制御するのを助長する。
ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、取付面１３１と、取付面１３１と反対側のワークピース面１３３とを有する。ピクセル化されたＥＳＣ１３２のワークピース面１３３は、基板１３４とピクセル化されたＥＳＣ１３２のワークピース面１３３との間に画定される隙間の空間に裏面熱伝達ガスを供給するためのガス流路（図示せず）を含むことができる。ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２のワークピース面１３３上に基板１３４を昇降するためのリフトピンを収容するためのリフトピン穴（いずれも図示せず）もまた含み、これによって処理チャンバ１００内外へのロボット搬送を促進する。
ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、一般的に、内部に埋め込まれた１以上のチャッキング電極１３６を有する誘電体本体１５０を含む。誘電体本体１５０は、１以上のピクセル電極１４０も内部に埋め込まれることが可能である。ピクセル電極１４０は、チャッキング電極１３６と同一平面上にあってもよい。ピクセル電極１４０は、チャッキング電極１３６が散在されていることが可能であり、例えば、ピクセル電極１４０は、単一のチャッキング電極１３６内に形成された開口内に散在された、又は複数のチャッキング電極１３６間に散在されたグリッド又は同心円状配列に配置することができる。
ピクセル電極１４０及びチャッキング電極１３６は、ＭＥＭＳ技術を直接使用してパック２２８に統合することができる。各ピクセル電極１４０は、チャッキング電極１３６によって隣接するピクセル電極１４０から分離することができる。ピクセル電極１４０及びチャッキング電極１３６は、めっき、インクジェット印刷、スクリーン印刷、物理蒸着法、スタンピング、金網、又はその他の適切な方法によって形成することができる。
誘電体本体１５０に戻って参照すると、誘電体本体１５０は、基板と同一又は基板よりも直径がわずかに大きくなるように構成された平らな円盤形を有することができる。あるいはまた、誘電体本体１５０は、他の形状（例えば、長方形、正方形、又は他の平面形状）を有していてもよい。誘電体本体１５０は、セラミックス材料（例えば、ＡｌＮ又はＡｌ２Ｏ３）から製造することができる。セラミックス材料から製造された場合、誘電体本体１５０は、パック（図２ではパック２２８として示される）と呼ぶことができる。あるいはまた、誘電体本体１５０は、ポリマー（例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールエーテルケトンなど）から製造することができる。ポリマーから製造された場合、誘電体本体１５０は、フレックススタックと呼ぶことができる。
ピクセル化されたＥＳＣ１３２の本体１５０は、本体１５０用の単一の塊を形成するために、圧力下で加熱された２以上の層から形成することができる。例えば、本体１５２は、ピクセル電極１４０及びチャッキング電極１３６をその上又はその間に有するポリイミド層から形成することができる。いくつかの実施形態では、主抵抗ヒータ１５４もまた同様に、ポリイミド層の上又は間に形成することができる。あるいはまた、ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、セラミックス材料から形成することができる。ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、焼結されることが可能であり、内部に埋め込まれた１以上のチャッキング電極１３６及びピクセル電極１４０を含むことができる。
チャッキング電極１３６は、双極電極又は他の適切な配置として構成することができる。チャッキング電極１３６は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の上面に基板１３４を静電的に固定するためのＲＦ又はＤＣ電力を供給するチャッキング電源１３８にＲＦフィルタ１８２を介して接続される。ＲＦフィルタ１８２は、処理チャンバ１００内でプラズマ１２２を形成するために利用されるＲＦ電力が、チャンバ外部で電気機器を損傷又は電気的な危険を引き起こすのを防ぐ。一実施形態では、チャッキング電源１３８は、１以上のチャッキング電極１３６に高電圧を供給する。
複数のピクセル電極１４０は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２内に配置され、チャッキング電極１３６に近接して配置させることができる。ピクセル電極１４０は、（図４、５に示される）ピクセルコンデンサを介して電気リード１４６を介してグランド１４２に結合される。ピクセルコンデンサは、固定又は可変静電容量を有するように構成することができ、各ピクセルコンデンサの値は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の多くの別個の領域全域に亘ってＲＦ結合を独立に局所的に制御するように選択され、これによって基板とＥＳＣ１３２との間の電力結合の局所的な、横方向の、及び／又は方位角方向の調整を可能にし、これは次いで、局所的な、横方向の、及び／又は方位角方向の処理結果がエッチング処理チャンバ１００内で調整されることを可能にする。
１以上の実施形態では、ピクセルコンデンサは、その静電容量が機械的又は電子的に変更可能な可変コンデンサとすることができる。ピクセルコントローラ２１０は、ピクセルコンデンサの静電容量を制御するために利用することができる。ピクセルコンデンサの静電容量の変化は、基板１３４を介したチャッキング電極１３６と１以上のピクセル電極１４０を介したグランド１４２との間の電力結合の親和性に影響を与えるために使用することができ、それによって基板１３４をピクセル化されたＥＳＣ１３２に静電チャックする。
抵抗器、インダクタ、及びメモリスタと共にピクセルコンデンサは、処理結果の調整可能な制御を可能にしながらチャッキング電力を供給するために利用される電子機器用の「受動部品」のグループに属している。ピクセルコンデンサは、固定静電容量値を有する、及び／又は可変（トリマー）又は調整可能（同調可能）な静電容量値を有する可変コンデンサを有することができる。ピクセルコンデンサは、デジタル的に調整されたコンデンサ（例えば、ピクセルコントローラ２１０によってその静電容量を制御できる集積回路（ＩＣ）可変コンデンサ）とすることができる。ピクセルコンデンサの静電容量値は、エッチング処理チャンバ１００内のエッチング速度を制御するためにＲＦ信号を調整するように構成することができる。
１以上の実施形態では、ピクセルコンデンサは、固体電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）スイッチとして製造することができる。ピクセルコンデンサは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）ベースのデバイス、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ベースのデバイス／シリコン・オン・サファイア（ＳＯＳ）ベースのデバイス、強誘電体ベースのデバイス、又はその他の適切なデバイス技術とすることができる。ＭＥＭＳデバイスは、高度に線形であり、したがって、アンテナ開口の調整、動的インピーダンス整合、電力増幅器の負荷整合、及び調整可能なフィルタに適している。ＢＳＴデバイスは、デバイスに高電圧を印加することにより静電容量を変化させる。同調精度は、高電圧を発生するＤ―Ａコンバータ回路の精度によってのみ制限される。ＢＳＴデバイスは、要求の厳しいアプリケーションで様々な温度と直線性に対して優れた安定性を有する。ＳＯＩ／ＳＯＳ同調デバイスは、異なる静電容量値を達成するために、バイナリで重み付けされた値に配置された金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャップを使用する。ＳＯＩ／ＳＯＳスイッチは、高い直線性を有し、高電圧が存在しない低電力アプリケーションに適している。高電圧耐性は、複数の直列のＦＥＴデバイスを必要とし、これは直列抵抗を追加し、品質係数を低下させる。一実施形態では、ピクセル電極１４０は、デジタル的に調整された可変ＭＥＭＳデバイスである。
プラズマベースの処理は、ＥＳＣへの小さな局所的な高周波（ＲＦ）結合のばらつきに非常に敏感である可能性がある。ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、基板１３４の横方向のプロファイル全域に亘る個別の位置でエッチング速度のオングストロームレベルのＣＤ制御を提供するように表面静電容量が制御されることを可能にする。
図２は、基板支持アセンブリ１２６の一部を示す部分断面模式図である。ピクセル化されたＥＳＣ１３２、ヒータアセンブリ１７０、冷却ベース１３０、及びファシリティプレート１８０の一部が、図２に含まれる。
ヒータアセンブリ１７０は、オプションとすることができ、絶縁領域２６４を有することができる。絶縁領域２６４は、ピクセルコンデンサ及びピクセルコントローラ２１０を介してピクセル電極１４０をグランド１４２に接続する電気リード１４６からヒータアセンブリ１７０を保護することができる。主抵抗ヒータ１５４がピクセル化されたＥＳＣ１３２内にある実施形態では、ヒータアセンブリ１７０は、基板支持アセンブリ１２６に存在しなくてもよい。
ヒータアセンブリ１７０は、接着剤２４４を利用してピクセル化されたＥＳＣ１３２の取付面１３１に結合することができる。接着剤２４４は、アクリル系接着剤、エポキシ、シリコン系接着剤、ネオプレン系接着剤又は他の適切な接着剤などの接着剤とすることができる。一実施形態では、接着剤２４４はエポキシである。接着剤２４４は、０．０１〜２００Ｗ／ｍＫの範囲内（例示的な一実施形態では、０．１〜１０Ｗ／ｍＫの範囲内）で選択された熱伝導率を有することができる。接着剤２４４を含む接着材料は、少なくとも１つの熱伝導性セラミックスフィラー（例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、及び二ホウ化チタン（ＴｉＢ２）など）を更に含むことができる。接着剤２４４は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２又はヒータアセンブリ１７０を再生するとき、除去することができる。他の実施形態では、ピクセル化されたＥＳＣ１３２は、締結具又はクランプ（図示せず）を用いて、ヒータアセンブリ１７０に取り外し可能に結合される。
ピクセル化されたＥＳＣ１３２の本体１５０は、平面形態では概して円筒形とすることができるが、他の幾何学的形状に形成されてもよい。本体１５０は、セラミックスとすることができ、図２に示されるパック２２８に焼結させることができる。パック２２８は、上で基板１３４を支持するためのワークピース面１３３を有する。本体１５０は更に、ヒータアセンブリ１７０に対向する取付面１３１を含むことができる。
電極１３６、１４０と基板１３４の上面との間に配置されたパック２２８の部分は、電力を基板１３４に容量結合するための誘電体２２６を形成する。誘電体２２６のより厚い深さ又はパック２２８に対するより平坦なトポグラフィから生じる、基板１３４へ結合されるより多い電力は、エッチング速度を低下させ、その逆も成り立つ可能性がある。０．２５℃の低い温度均一性でさえ良好な横方向のエッチング均一性を維持するのに十分ではないので、基板１３４への電力の結合は、１０ｎｍよりも小さい半導体技術のノードを形成するのに重要な役割を果たす。したがって、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の全域に亘る横方向に個別の位置での基板１３４とピクセル化されたＥＳＣ１３２との間の電力結合の独立制御は、ピクセル電力１４０及びその周囲のチャッキング電極１３６のうちの１つと関連するピクセル化されたＥＳＣ１３２の各位置でエッチング速度を独立制御可能にすることが見出された。
従来のＥＳＣは、ＥＳＣの設計及び使用される材料に応じて、基板とチャッキング電極との間の個別の場所で異なる静電容量を有する可能性がある。例えば、完全に平坦なウェハと完全に平坦な従来のＥＳＣとの間の静電容量は、約２２０ｐＦとなる可能性がある。パック表面の平坦度及び表面粗さのばらつき、及び他の要因（例えば、他の要因の中でもとりわけ、誘電体深さ、ＥＳＣ表面からのチャッキング電極の距離、及びパックの材料）を考慮に入れると、静電容量がＥＳＣの１つの領域内において他の領域と比べてはるかに高くなる可能性がある。例えば、いくつかの従来のＥＳＣは、基板支持面全域に亘る静電容量のばらつきが約数千ピコファラデーである可能性がある。
本明細書に記載のピクセル化されたＥＳＣ１３２の実施形態は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の基板支持面全域に亘る局所的な静電容量のばらつきを１０％未満に制御することにより、約５Å以内にエッチング速度の均一性の制御を可能にする。例えば、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の基板支持面全域に亘る局所的な静電容量のばらつきは、約２０ｐＦ〜数百ピコファラデーの間に制御することができる。
１以上の実施形態では、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の基板支持面全域に亘る局所的な静電容量のばらつきは、１０％未満の静電容量のばらつきを達成するために、誘電体２２６の深さに対する許容範囲（公差）を十分にきつくすることによって制御することができる。例えば、誘電体２２６の深さの許容範囲を約５％未満にきつくし、他の５％がドーピングのばらつきに関連するならば、これによって１０％未満の静電容量のばらつきを達成することができる。
誘電体２２６の深さに対する許容範囲をきつくするのに加えて、又はその代わりに、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の基板支持面全域に亘る局所的な静電容量のばらつきは、パック２２８の表面の平坦度及び局所的な均一性を十分に改善することによって制御することができる。例えば、パック２２８の平坦度の許容範囲は、約１０μｍ未満とすることができる。パック２２８の平坦度を改善するのに加えて、又はその代わりに、パック２２８の表面粗さのばらつきを、約１０μｍ未満にしてもよい。
誘電体２２６及びパック２２８の物理的な属性（すなわち、深さの許容範囲、平坦度、粗さなど）の１以上を改善するのに加えて、又はその代わりに、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の基板支持面全域に亘る局所的な静電容量のばらつきは、個々のピクセル電極１４０に結合されたピクセルコンデンサのそれぞれに対して適切な容量を選択することによって制御することができる。個々のピクセル電極１４０に結合されたピクセルコンデンサのそれぞれに対して適切な容量を選択することによって、誘電体２２６及びパック２２８の物理的な属性のばらつき、又は処理環境のばらつきは補償され、これによって所望の処理結果（例えば、エッチング速度の均一性を約５Å以内に維持すること）を達成することができる。
ピクセルコントローラ２１０は、個々のピクセル電極１４０に結合されたピクセルコンデンサのそれぞれに対して適切な静電容量を選択するために利用することができる。例えば、ピクセルコントローラ２１０は、ピクセルコントローラ２１０によって生成された制御信号を利用して各ピクセルコンデンサの静電容量を制御することができる。
ピクセル化されたＥＳＣ１３２の電力結合プロファイルを平滑化又は修正するための独立制御可能なピクセルコンデンサの使用は、基板１３４全域に亘る局所的なＲＦ均一性を非常に小さな許容範囲に制御可能にする。基板１３４全域に亘る局所的なＲＦ均一性は、基板１３４を処理するとき、正確な処理及びＣＤ制御を可能にする。また、ピクセル電極１４０の小さなサイズ及び高い密度は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の隣接する領域の電力結合に実質的に影響を与えることなく、１つのピクセル電極１４０と隣接するチャッキング電極１３６との間の基板１３４を通した電力結合の個別の局所的制御を可能にし、これによって電力結合の局所的制御を可能にする。複数のピクセル電極１４０を有する基板支持アセンブリ１２６は、上で処理される基板１３４の静電容量の均一性を約１０％未満に制御し、その結果、エッチングの均一性の処理のばらつきを約５Åまで下げることができる能力を実証した。
図３は、図２の切断線Ａ−Ａに沿って取られたピクセル化されたＥＳＣ１３２の部分上面平面断面図である。ピクセル化されたＥＳＣ１３２内のピクセル電極１４０及びチャッキング電極１３６のレイアウトが、例として提供され、代替の方法で配置されている。ピクセル電極１４０は、図２のピクセル化されたＥＳＣ１３２を貫通する切断線Ａ−Ａの平面に沿って配置される。図示のピクセル電極１４０及びチャッキング電極１３６の数は、単に例示のためであり、任意の数の実施形態は、実質的により多い（又はより少ない）ピクセル電極１４０及びチャッキング電極１３６を有していてもよい。また、チャッキング電極１３６は、一般的にバイアスされる複数のセグメントとして独立してバイアス可能なセグメントの形態又は他の構成とすることができる。ピクセル化されたＥＳＣ１３２のワークピース支持面全域に亘る局所的静電容量は、エッチング速度のオングストロームレベルの制御を提供するために、ピクセルコンデンサによって制御することができる。
ピクセルコントローラ（例えば、図２に示されるピクセルコントローラ２１０）は、各ピクセルコンデンサを制御することができる。一実施形態では、ピクセルコンデンサと、ピクセルコンデンサを選択されたピクセル電極１４０に結合するためのスイッチが、ピクセルコントローラ２１０内に配置される。ピクセルコントローラ２１０は、１つのピクセル電極１４０を隣接するピクセル電極１４０と同じ又は異なる静電容量を有するコンデンサに結合することができる。他の実施形態では、ピクセルコントローラ２１０は、隣接するピクセル電極１４０のグループを、同じ静電容量を有するコンデンサに結合し、これは隣接するグループのピクセル電極１４０の静電容量と同じ又は異なることが可能であり、これによって他のゾーンから独立して制御可能なピクセル化されたＥＳＣ１３２の部分又はゾーンを画定することができる。ピクセルコントローラ２１０は、内側ウェッジ、周辺グループ、パイ形状の領域、又は非連続的構成を含む他の所望の幾何学的構成を画定するためにグループ化された複数のピクセル電極１４０を結合させることができる。こうして、各ピクセル電極１４０の局所的静電容量を制御することにより、ＲＦ結合は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の表面に沿って独立した位置で正確に制御することができ、これは基板の処理結果のより正確な制御を可能にする。ピクセル電極１４０用に図示されたパターンは、小さなユニットのグリッドとして配置されているが、パターンは、その代わりに、縁まで延びる、又は他の配置の、より大きな及び／又はより小さなユニットを有していてもよい。
ピクセル電極１４０の数は、チャッキング電極１３６の数に実質的に等しくすることができる。あるいはまた、ピクセル電極１４０の数は、チャッキング電極１３６の数を実質的に超えるか、又はチャッキング電極１３６の数未満とすることができる。基板支持アセンブリ１２６全域に亘って位置するピクセル電極１４０の数は、容易に数百を超える可能性がある。一実施形態では、各チャッキング電極１３６に対して対応するピクセル電極１４０がある。代替の一実施形態では、１以上のチャッキング電極に対して対応するグループのピクセル電極１４０がある。
ピクセル電極１４０は、基板とグランドとの間に所望のＲＦ結合プロファイルを効率的に生成するようなパターンで構成することができる。パターンは、中心点の周りに対称な（図示のような）グリッド、又はリフトピン又は他の機械的、流体的又は電気的接続及びポート（図示せず）用の穴の中及びその周辺にクリアランスを提供する他の適切なパターンとすることができる。
図４は、図３の切断線Ｂ−Ｂに沿ったピクセル化されたＥＳＣ１３２の断面図である。図４は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２内でピクセル電極１４０に結合されたコンデンサに対する簡略化された例示的な配線図を示している。図４内のピクセル化されたＥＳＣ１３２は、内部に形成されたピクセル電極１４０とチャッキング電極１３６を示している。ピクセル電極１４０は、例えば、コンデンサバンク４１０内に存在する、１以上のコンデンサ４４０に結合される。コンデンサバンク４１０は、ピクセルコントローラ２１０内に、又は他の適切な位置に配置することができる。コンデンサ４４０は、固定又は可変の静電容量を有することができる。静電容量が可変である実施形態では、コンデンサ４４０の静電容量は、ピクセルコントローラ２１０からの信号に応じて選択することができる。
ピクセルコントローラ２１０は、電気リード１４１を介してそれぞれのピクセル電極１４０にコンデンサ４４０を選択的に結合する個々の回路を開く、及び／又は閉じるためのコントローラ４１２を有することができる。ピクセルコントローラ２１０の回路が閉位置にあるとき、ピクセル電極１４０は、コンデンサ４４０のうちの少なくとも１つを介してグランド１４２に結合される。一実施形態では、コントローラ４１２は、他のコンデンサ４４０の１以上が、（それらの回路が開状態にあるように）グランド１４２に対して浮いていながら、ピクセル電極１４０Ｆ及びコンデンサ４４０Ｆをグランド１４２に電気リード１４１Ｆを介して接続することができる。この構成では、ピクセル電極１４０Ｆに近いピクセル化されたＥＳＣ１３２の領域は、例えば、電極１４０Ｇに近いピクセル化されたＥＳＣ１３２の領域よりも強いＲＦ結合を有することができる。コントローラ４１２は、ピクセル電極１４０Ｆ及びコンデンサ４４０Ｆがグランド１４２につながっている、又はグランド１４２に対して浮いた状態でいる間の持続時間又はデューティサイクルを制御することができる。コントローラ４１２は更に、他のピクセル電極１４０及びコンデンサ４４０がグランド１４２につながっている、又はグランド１４２に対して浮いた状態でいる間の持続期間又はデューティサイクルをピクセル電極１４０Ｆ又は他のピクセル電極１４０に対して制御することができる。このように、ピクセル化されたＥＳＣ１３２の基板支持面全域に亘る各位置における相対的な静電容量を経時的に制御することができ、これによって、局所的なＲＦ結合の制御を可能にし、したがって、局所的な処理結果を所望のように調整することができる。
ピクセル電極１４０とグランドとの間の相対的な接続のデューティサイクル及び持続時間を制御するのに加えた、又はその代わりの別の一実施形態では、コントローラ４１２は、各コンデンサ４４０に対する静電容量をプログラムで変更することができ、これによってピクセル化されたＥＳＣ１３２の基板支持面全域に亘って各々の位置での相対静電容量を制御することができる。ピクセル電極１４０の数及び密度は、基板１３４の全域に亘るＲＦ結合の均一性を非常に小さな許容範囲に制御する能力に寄与する。したがって、各ピクセル電極１４０とグランドとの間の静電容量の他のピクセル電極１４０に対する個々の制御は、基板１３４と、ピクセル化されたＥＳＣ１３２との間の特定の位置でのＲＦ結合の局所的及び横方向の制御を可能にし、これは次いで、基板１３４の処理中に、正確な処理及びＣＤ制御を可能にする。
図５は、ピクセル電極１４０をグランド１４２に結合するための可変コンデンサ５００のための部分的な配線図の一実施形態を示す。可変コンデンサ５００は、ピクセル電極１４０のいずれかとグランド１４２との間で、上記のピクセルコントローラ２１０内で、例えば、図４に示されるコンデンサ４４０を交換することによって利用することができる。可変コンデンサ５００は、減結合（デカップリング）抵抗５０６を介して薄膜トランジスタ５０８（ＴＦＴ）に結合された可変コンデンサ５０５及び固定コンデンサ５７０の組み合わせを含むことができる。可変コンデンサ５００は、一般的に、電圧制御可変コンデンサ（バラクタ）として機能し、可変コンデンサ５０５としてＭＥＭＳ制御素子を利用してもよい。可変コンデンサ５００は、分岐５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０を含み、各分岐は、少なくとも１つの可変コンデンサ５０５と少なくとも１つの固定コンデンサ５７０を含む。
可変コンデンサ５０５は、ＭＥＭＳ制御素子として構成された場合、バイナリ（オン／オフ）制御される、すなわち、切り換え可能である。可変コンデンサ５０５は、約０ｐＦ〜約３．４ｐＦの間の静電容量を可変コンデンサ５００に提供することができる。各固定コンデンサ５７０は、約０．５ｐＦ〜約７４ｐＦの間の合計静電容量を可変コンデンサ５００に提供することができる、また、ＴＦＴ５０８とコンデンサ５０５、５７０との間に配置された減結合抵抗５０６は、約５オームの抵抗を個々に提供することができる。
可変コンデンサ５００の静電容量は、可変コンデンサ５００を含む１以上の分岐５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０に沿って選択可能なバイナリで重み付けされた静電容量によって構成することができる。ＴＦＴ５０８は、どの１以上の分岐５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０が浮いているか、及びどの１以上の分岐５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０がピクセル電極１４０をグランド１４２に結合するかを選択するために使用することができる。
各分岐５１０、５２０、５３０、５４０、５５０の合計静電容量は、２組のコンデンサ（すなわち、可変コンデンサ５０５と固定コンデンサ５７０）の組み合わせである。各分岐５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０は、同じ範囲の静電容量又は異なる静電容量を有することができる。例えば、分岐５６０は、最大の合計静電容量として構成され、分岐５５０は、次に最大の合計静電容量として構成され、その他もろもろあって、分岐５１０は、最小の合計静電容量を有することができる。分岐５６０は、各々が約３．４ｐＦで、合計で約２０．４ｐＦの静電容量の組を有する６つの切り換え可能な可変コンデンサ５０５からなり、約７４ｐＦの静電容量を有する固定コンデンサ５７６と並列に配置させることができる。これは、分岐５６０に対して１６ｐＦの合計静電容量を生み出す。分岐５５０、５４０、５３０、５２０、５１０は同様に構成され、それぞれ８、４、２、１、０．５ｐＦの合計静電容量を有することができる。３．４ｐＦ未満の合計静電容量を有する分岐５３０、５２０、５１０は、単一の固定コンデンサ５７０と並列又は直列に単一のＭＥＭＳ可変コンデンサ５０５を使用することができる。固定コンデンサ５７０は、分岐５３０、５２０、５１０に対する合計静電容量を所望の値まで低減するように構成することができる。例えば、最小の分岐５１０は、約０．６ｐＦの固定コンデンサ５７０と並列に単一の可変コンデンサ５０５を有することができる。こうして、可変コンデンサ５０５が作動された、すなわちスイッチオンされたとき、最小の分岐５１０は、０．５ｐＦの実効静電容量を有することができる。したがって、様々な分岐５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０内で、可変コンデンサ５０５のオン／オフを選択的に切り換えることにより、約０．５ｐＦ〜約３１．５ｐＦの間の合計静電容量を得ることができる。
あるいはまた、固定コンデンサ５７６は、ＲＦ ＭＥＭＳコンデンサセル（例えば、ＭＥＭＳ可変コンデンサ５０５）と直列とすることができる。１以上のインラインコンデンサは、ピクセル電極１４０と直列に接続することができる。このような構成では、コンデンサ５７６、５０５は、コンデンサ５７６、５０５が並列に配置された構成よりもより高い電圧を受ける可能性がある。したがって、ＲＦ ＭＥＭＳコンデンサセル（例えば、ＭＥＭＳ可変コンデンサ５０５）に対する直列構成は、高電圧を扱うために構成することができる。
図６は、ピクセル化された静電チャック（とりわけ、上述のピクセル化された静電チャックなど）を利用して基板を処理するための方法６００に対する一実施形態のフロー図である。方法６００は、ピクセル化された静電チャック内に形成された主電極に電力を印加することによって、ブロック６０２で開始する。主電極は、単一の電極とする、又はゾーンに分割させることができる。ピクセル化された静電チャックの主電極のゾーンは独立して制御することができる。
ブロック６０４では、ピクセル化された静電チャック内に横方向に分布する複数のピクセル電極のうちの１以上が、グランドに選択的に結合され、静電チャックの表面に基板を効果的にチャッキングする。各ピクセル電極のグランドへの結合の持続時間及び／又はデューティサイクルは、ピクセル化された静電チャック内に配置された他のピクセル電極に対して制御し、これによって静電チャック上に配置された基板へのＲＦ結合を制御することができる。いくつかの実施形態では、各ピクセル電極のグランドへの結合は、ピクセル化された静電チャック全域に亘って順次走査させることができる。他の実施形態では、１つのピクセル電極とグランドとの間の静電容量は、ピクセル化された静電チャック内に配置された他のピクセル電極のグランド経路に対して制御可能に選択することができ、オプションでは、各ピクセル電極のグランドへの結合の持続時間及び／又はデューティサイクルに加えて選択することができる。ピクセル電極とグランドとの間の局所的な静電容量を調整することによって、基板全域に亘る処理結果の局所的な、横方向の、及び／又は方位角方向の調整を実現することができる。
ブロック６０６では、基板は、ピクセル化された静電チャック上で処理することができる。例えば、基板は、例えば、プラズマ処理を用いて、真空チャンバ内で処理することができる。処理チャンバ内でプラズマの存在下で、オプションで実施することができる真空処理は、エッチング、化学蒸着、物理蒸着、イオン注入、プラズマ処理、アニーリング、酸化物除去、除害、又は他のプラズマ処理のうちの１つとすることができる。ワークピースは、他の用途のために、他の環境内（例えば、大気条件で）のピクセル化された静電チャックのＲＦ制御された表面上で処理されることができることが理解される。一実施形態では、ピクセル化された静電チャック上の基板は、サブ１０ｎｍの半導体技術のノードを形成するようにエッチングされる。
オプションで、ブロック６０６では、ピクセル化された静電チャック内で横方向に分布された複数のピクセル電極のうちの１以上とグランドとの間の結合は、処理条件の変化又は処理レシピの変化に応じて変えることができる。例えば、ピクセル電極のうちの１以上とグランドとの間の静電容量は、処理条件の変化又は処理レシピの変化に応じて、ピクセルコントローラ２１０からのコマンドを利用して変えることができる。別の一例では、ピクセル電極のうちの１以上の結合は、処理条件の変化又は処理レシピの変化に応じて、ピクセルコントローラ２１０からのコマンドを利用して、フローティングとグランドとの間で切り換えることができる。
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
温度制御された冷却ベース１３０は、熱伝達流体源１４４に結合される。熱伝達流体源１４４は、冷却ベース１３０内に配置された１以上の導管１６０を通って循環された熱伝達流体（例えば、液体、気体、又はそれらの組み合わせ）を供給する。隣接する導管１６０を通って流れる流体は、ピクセル化されたＥＳＣ１３２と冷却ベース１３０の異なる領域との間の熱伝達の局所制御を可能にするために分離させることができ、これは基板１３４の横方向温度プロファイルを制御するのに役立つ。

Claims (15)

  1. 上で基板を受けるように構成されたワークピース支持面を有する誘電体本体と、
    ピクセル化されたＥＳＣ内に配置された１以上のチャッキング電極と、
    浮いた状態と接地された状態との間で切り換え可能である、グランドに対して可変容量を有する、又はそれらの両方である複数のピクセル電極であって、ワークピース支持面に基板を静電チャックするように動作可能な回路を形成する複数のピクセル電極とを含むピクセル化された静電チャック（ＥＳＣ）。
  2. ピクセル電極とグランドとの間に結合されたコンデンサのバンクを含む、請求項１記載のピクセル化されたＥＳＣ。
  3. コンデンサのうちの少なくとも１つが、ＭＥＭＳコンデンサである、請求項１記載のピクセル化されたＥＳＣ。
  4. チャッキング電極は、格子状に配置されている、請求項１記載のピクセル化されたＥＳＣ。
  5. コンデンサは、本体内に一体化されている、請求項１記載のピクセル化されたＥＳＣ。
  6. ピクセルコンデンサは、ＲＦ可変コンデンサである、請求項１記載のピクセル化されたＥＳＣ。
  7. コンデンサは、約１０％未満である、本体全域に亘る静電容量の均一性を有する、請求項１記載のピクセル化されたＥＳＣ。
  8. ピクセル電極のうちの少なくとも１つとグランドとの間の静電容量が、約２０ｐＦである、請求項１記載のピクセル化されたＥＳＣ。
  9. チャンバ本体と、
    チャンバ本体内に配置されたピクセル化された静電チャック（ＥＳＣ）であって、ピクセル化されたＥＳＣは、
    上で基板を受けるように構成されたワークピース支持面を有する誘電体本体と、
    ピクセル化されたＥＳＣ内に配置された１以上のチャッキング電極と、
    浮いた状態と接地された状態との間で切り換え可能である、グランドに対して可変容量を有する、又はそれらの両方である複数のピクセル電極であって、ワークピース支持面に基板を静電チャックするように動作可能な回路を形成する複数のピクセル電極とを含むピクセル化されたＥＳＣとを含む処理チャンバ。
  10. ピクセル電極とグランドとの間に結合されたコンデンサのバンクを含む、請求項９記載の処理チャンバ。
  11. コンデンサのうちの少なくとも１つが、ＭＥＭＳコンデンサである、請求項９記載の処理チャンバ。
  12. ピクセルコンデンサは、ＲＦ可変コンデンサである、請求項９記載の処理チャンバ。
  13. ピクセル化された静電チャック内に形成された主チャッキング電極に電力を印加する工程と、
    ピクセル化された静電チャックに基板を固定するためにピクセル化された静電チャック内で横方向に分布した複数のピクセル電極のうちの１以上をグランドに選択的に結合する工程と、
    ピクセル化された静電チャック上で基板を処理する工程とを含む基板を処理するための方法。
  14. ピクセル化された静電チャック内に配置された他のピクセル電極に対して、各ピクセル電極のグランドへの結合の持続時間及びデューティサイクルのうちの少なくとも１つを制御する工程を含む、請求項１３記載の方法。
  15. ピクセル化された静電チャック内に配置された他のピクセル電極に対して、少なくとも１つのピクセル電極とグランドとの間の静電容量を制御する工程を含む、請求項１３記載の方法。
JP2016529443A 2014-03-05 2015-02-09 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ Active JP6126747B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461948519P 2014-03-05 2014-03-05
US61/948,519 2014-03-05
US14/276,790 US9472410B2 (en) 2014-03-05 2014-05-13 Pixelated capacitance controlled ESC
US14/276,790 2014-05-13
PCT/US2015/015044 WO2015134155A1 (en) 2014-03-05 2015-02-09 Pixelated capacitance controlled esc

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017027532A Division JP6207780B2 (ja) 2014-03-05 2017-02-17 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017509135A true JP2017509135A (ja) 2017-03-30
JP6126747B2 JP6126747B2 (ja) 2017-05-10

Family

ID=54055717

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016529443A Active JP6126747B2 (ja) 2014-03-05 2015-02-09 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ
JP2017027532A Active JP6207780B2 (ja) 2014-03-05 2017-02-17 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ
JP2017115588A Active JP6998136B2 (ja) 2014-03-05 2017-06-13 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ
JP2021099152A Pending JP2021158369A (ja) 2014-03-05 2021-06-15 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017027532A Active JP6207780B2 (ja) 2014-03-05 2017-02-17 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ
JP2017115588A Active JP6998136B2 (ja) 2014-03-05 2017-06-13 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ
JP2021099152A Pending JP2021158369A (ja) 2014-03-05 2021-06-15 ピクセル化された容量制御ｅｓｃ

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9472410B2 (ja)
JP (4) JP6126747B2 (ja)
KR (3) KR102316425B1 (ja)
CN (3) CN106876313B (ja)
TW (2) TWI598990B (ja)
WO (1) WO2015134155A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022514524A (ja) * 2018-12-17 2022-02-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 局所加熱によるエッチング深さの制御方法

Families Citing this family (315)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2316193T3 (es) 1998-09-30 2009-04-01 Sicel Technologies, Inc. Procedimientos, sistemas y dispositivos implantables asociados para monitorizacion dinamica de tumores.
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
KR101729603B1 (ko) * 2013-02-25 2017-04-24 쿄세라 코포레이션 시료 유지구
TW201448108A (zh) 2013-03-12 2014-12-16 應用材料股份有限公司 用於電漿處理腔室的多重區域加熱及冷卻靜電夾盤
US10332772B2 (en) 2013-03-13 2019-06-25 Applied Materials, Inc. Multi-zone heated ESC with independent edge zones
TW201518538A (zh) 2013-11-11 2015-05-16 應用材料股份有限公司 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
US10460968B2 (en) 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US9520315B2 (en) 2013-12-31 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with internal flow adjustments for improved temperature distribution
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US11158526B2 (en) 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9472410B2 (en) * 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
CN106471609B (zh) 2014-07-02 2019-10-15 应用材料公司 用于使用嵌入光纤光学器件及环氧树脂光学散射器的基板温度控制的装置、系统与方法
KR101758087B1 (ko) 2014-07-23 2017-07-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 튜닝가능한 온도 제어되는 기판 지지 어셈블리
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
KR20240015167A (ko) 2014-10-17 2024-02-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9999947B2 (en) * 2015-05-01 2018-06-19 Component Re-Engineering Company, Inc. Method for repairing heaters and chucks used in semiconductor processing
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CN106935529B (zh) * 2015-12-31 2020-03-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种基片支撑台及其制造方法
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10685862B2 (en) 2016-01-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10973088B2 (en) 2016-04-18 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10685861B2 (en) 2016-08-26 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Direct optical heating of substrates through optical guide
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
TWI634631B (zh) * 2017-06-30 2018-09-01 台灣積體電路製造股份有限公司 加熱裝置
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11469084B2 (en) 2017-09-05 2022-10-11 Lam Research Corporation High temperature RF connection with integral thermal choke
US10714372B2 (en) 2017-09-20 2020-07-14 Applied Materials, Inc. System for coupling a voltage to portions of a substrate
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US10991591B2 (en) * 2018-01-29 2021-04-27 Ulvac, Inc. Reactive ion etching apparatus
KR20260008190A (ko) 2018-01-31 2026-01-15 램 리써치 코포레이션 정전 척 페데스탈 전압 분리
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11086233B2 (en) 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
KR20250100800A (ko) * 2018-05-31 2025-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 극도의 균일성의 가열식 기판 지지 조립체
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11183368B2 (en) 2018-08-02 2021-11-23 Lam Research Corporation RF tuning systems including tuning circuits having impedances for setting and adjusting parameters of electrodes in electrostatic chucks
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
WO2020050932A1 (en) 2018-09-04 2020-03-12 Applied Materials, Inc. Formulations for advanced polishing pads
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) * 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN111383894B (zh) * 2018-12-29 2022-12-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子处理器以及静电夹盘加热方法
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
CN118315254A (zh) 2019-01-22 2024-07-09 应用材料公司 用于控制脉冲电压波形的反馈回路
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
JP7362400B2 (ja) * 2019-10-01 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR102896979B1 (ko) * 2019-11-15 2025-12-05 램 리써치 코포레이션 튜닝 회로들에서 주파수 기반 임피던스 조정
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US12183544B2 (en) 2020-03-06 2024-12-31 Lam Research Corporation Tuning voltage setpoint in a pulsed RF signal for a tunable edge sheath system
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
US11551961B2 (en) * 2020-05-06 2023-01-10 Sandisk Technologies Llc Multi-zone plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and methods for operating the same
US11538708B2 (en) 2020-05-06 2022-12-27 Sandisk Technologies Llc Multi-zone plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and methods for operating the same
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20230084426A (ko) * 2020-10-16 2023-06-13 램 리써치 코포레이션 복수의-rf 존을 갖는 기판 지지부들을 포함하는 플라즈마 밀도 분포 프로파일들을 제어하기 위한 시스템들
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
EP4244882A4 (en) 2020-11-16 2024-08-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for zone control of rf bias for stress uniformity
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
JP7604872B2 (ja) * 2020-12-15 2024-12-24 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
WO2022146667A1 (en) 2020-12-29 2022-07-07 Mattson Technology, Inc. Electrostatic chuck assembly for plasma processing apparatus
US11410869B1 (en) * 2021-02-22 2022-08-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with differentiated ceramics
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US12148595B2 (en) 2021-06-09 2024-11-19 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber
US20220399186A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to reduce feature charging in plasma processing chamber
US12525441B2 (en) 2021-06-09 2026-01-13 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US12106938B2 (en) 2021-09-14 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber
US20230130986A1 (en) * 2021-10-21 2023-04-27 Applied Materials, Inc. Plasma processing chambers configured for tunable substrate and edge sheath control
KR102677251B1 (ko) * 2021-10-28 2024-06-20 세메스 주식회사 기판 테스트 장치 및 이를 이용하는 디척킹 포스 측정 방법
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
US11831252B2 (en) 2021-12-07 2023-11-28 The Boeing Company Pixelated electrostatic adhesion
US11936308B2 (en) * 2021-12-07 2024-03-19 The Boeing Company Pixelated electrostatic adhesion
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US12315732B2 (en) 2022-06-10 2025-05-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber
US12586768B2 (en) 2022-08-10 2026-03-24 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage compensation for plasma processing applications
US12272524B2 (en) 2022-09-19 2025-04-08 Applied Materials, Inc. Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics
US12111341B2 (en) 2022-10-05 2024-10-08 Applied Materials, Inc. In-situ electric field detection method and apparatus
US12583211B2 (en) 2023-09-22 2026-03-24 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with multiple discs

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04236449A (ja) * 1991-01-21 1992-08-25 Fuji Electric Co Ltd 静電チャック
JPH11509358A (ja) * 1995-06-30 1999-08-17 ラム リサーチ コーポレイション 電力分割された電極
JP2008034812A (ja) * 2006-06-13 2008-02-14 Applied Materials Inc プラズマリアクタの加熱静電チャックのための高ａｃ電流、高ｒｆ電力なａｃ−ｒｆ分離フィルタ
JP2010161109A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Tokyo Electron Ltd 載置台及びプラズマ処理装置
JP2011529273A (ja) * 2008-07-23 2011-12-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセスキットリングへの制御されたｒｆ電力配分を有するプラズマリアクタ用ワークピースサポート
JP2012119399A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 静電チャックおよび半導体装置の製造方法
WO2013137414A1 (ja) * 2012-03-16 2013-09-19 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及びその制御方法
JP2014505362A (ja) * 2010-12-22 2014-02-27 ノべラス・システムズ・インコーポレーテッド 半導体基板の可変密度プラズマ処理
US8908348B2 (en) * 2009-09-01 2014-12-09 Hermes Microvision, Inc. Wafer grounding and biasing method, apparatus, and application

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3847363B2 (ja) * 1996-02-02 2006-11-22 富士通株式会社 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法
JP2003506996A (ja) * 1998-10-14 2003-02-18 デルシス ファーマシューティカル コーポレーション 面積を整合させた複数の電極を用いた静電感知チャック
US6490146B2 (en) 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6740853B1 (en) 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
JP2002134600A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Ibiden Co Ltd 静電チャック
US20020144786A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
US6538872B1 (en) 2001-11-05 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having heater and method
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
US20040118344A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Lam Research Corporation System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit
US20050031796A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for controlling spatial distribution of RF power and plasma density
JP4504061B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP4553247B2 (ja) * 2004-04-30 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2006038150A2 (en) * 2004-10-05 2006-04-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device and use thereof
CN101278385B (zh) * 2004-11-04 2011-10-12 株式会社爱发科 静电吸盘装置
US7804675B2 (en) * 2005-05-20 2010-09-28 Tsukuba Seiko Ltd. Electrostatic holding apparatus and electrostatic tweezers using the same
US20070000441A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-04 Applied Materials, Inc. Scalable uniform thermal plate
DE202005011367U1 (de) * 2005-07-18 2005-09-29 Retzlaff, Udo, Dr. Transfer-ESC auf Wafer-Basis
US8222116B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2007246983A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Seiko Epson Corp 成膜装置
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US8440049B2 (en) 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
TWI339730B (en) * 2006-05-31 2011-04-01 Applied Materials Inc Prober for electronic device testing on large area substrates
US8067840B2 (en) * 2006-06-20 2011-11-29 Nxp B.V. Power amplifier assembly
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
JP2009054871A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
US7813103B2 (en) * 2007-10-11 2010-10-12 Applied Materials, Inc. Time-based wafer de-chucking from an electrostatic chuck having separate RF BIAS and DC chucking electrodes
US20090274590A1 (en) 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor electrostatic chuck having a coaxial rf feed and multizone ac heater power transmission through the coaxial feed
JP5063520B2 (ja) * 2008-08-01 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN102473669B (zh) * 2009-06-30 2015-07-15 Asml控股股份有限公司 图像补偿可寻址的静电卡盘系统
WO2011001598A1 (ja) * 2009-07-02 2011-01-06 シャープ株式会社 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法、および有機ｅｌ表示装置
US8755204B2 (en) 2009-10-21 2014-06-17 Lam Research Corporation RF isolation for power circuitry
US8637794B2 (en) 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
US8901935B2 (en) * 2009-11-19 2014-12-02 Lam Research Corporation Methods and apparatus for detecting the confinement state of plasma in a plasma processing system
KR101644673B1 (ko) 2009-12-15 2016-08-01 램 리써치 코포레이션 Ｃｄ 균일성을 향상시키기 위한 기판 온도의 조절
US8274017B2 (en) 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
US8810992B2 (en) * 2010-07-26 2014-08-19 Kyocera Corporation Electrostatic chuck
US8901835B2 (en) * 2010-09-15 2014-12-02 Analog Integrations Corporation LED lighting systems, LED controllers and LED control methods for a string of LEDS
US8546732B2 (en) 2010-11-10 2013-10-01 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
KR20120072840A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 삼성정밀화학 주식회사 내환경성, 유동성 및 대전성이 우수한 토너
KR20120137986A (ko) * 2011-06-14 2012-12-24 삼성디스플레이 주식회사 정전척
US9307578B2 (en) 2011-08-17 2016-04-05 Lam Research Corporation System and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array
AU2012301903B2 (en) 2011-08-30 2015-07-09 Watlow Electric Manufacturing Company High definition heater system having a fluid medium
US8624168B2 (en) 2011-09-20 2014-01-07 Lam Research Corporation Heating plate with diode planar heater zones for semiconductor processing
US8461674B2 (en) 2011-09-21 2013-06-11 Lam Research Corporation Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
JP2013105543A (ja) * 2011-11-10 2013-05-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US9324589B2 (en) 2012-02-28 2016-04-26 Lam Research Corporation Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing
US8937800B2 (en) 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
US10049948B2 (en) 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
TW201448108A (zh) 2013-03-12 2014-12-16 應用材料股份有限公司 用於電漿處理腔室的多重區域加熱及冷卻靜電夾盤
US10332772B2 (en) 2013-03-13 2019-06-25 Applied Materials, Inc. Multi-zone heated ESC with independent edge zones
US9196514B2 (en) 2013-09-06 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixilated heating
TW201518538A (zh) 2013-11-11 2015-05-16 應用材料股份有限公司 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
US10460968B2 (en) 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US10217615B2 (en) 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof
US9520315B2 (en) 2013-12-31 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with internal flow adjustments for improved temperature distribution
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US11158526B2 (en) 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
KR101758087B1 (ko) 2014-07-23 2017-07-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 튜닝가능한 온도 제어되는 기판 지지 어셈블리

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04236449A (ja) * 1991-01-21 1992-08-25 Fuji Electric Co Ltd 静電チャック
JPH11509358A (ja) * 1995-06-30 1999-08-17 ラム リサーチ コーポレイション 電力分割された電極
JP2008034812A (ja) * 2006-06-13 2008-02-14 Applied Materials Inc プラズマリアクタの加熱静電チャックのための高ａｃ電流、高ｒｆ電力なａｃ−ｒｆ分離フィルタ
JP2011529273A (ja) * 2008-07-23 2011-12-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセスキットリングへの制御されたｒｆ電力配分を有するプラズマリアクタ用ワークピースサポート
JP2010161109A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Tokyo Electron Ltd 載置台及びプラズマ処理装置
US8908348B2 (en) * 2009-09-01 2014-12-09 Hermes Microvision, Inc. Wafer grounding and biasing method, apparatus, and application
JP2012119399A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 静電チャックおよび半導体装置の製造方法
JP2014505362A (ja) * 2010-12-22 2014-02-27 ノべラス・システムズ・インコーポレーテッド 半導体基板の可変密度プラズマ処理
WO2013137414A1 (ja) * 2012-03-16 2013-09-19 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及びその制御方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022514524A (ja) * 2018-12-17 2022-02-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 局所加熱によるエッチング深さの制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021158369A (ja) 2021-10-07
CN105981156B (zh) 2018-04-24
TW201535588A (zh) 2015-09-16
TWI598990B (zh) 2017-09-11
US20170110358A1 (en) 2017-04-20
JP2017201700A (ja) 2017-11-09
KR20160127717A (ko) 2016-11-04
JP6126747B2 (ja) 2017-05-10
US20150311105A1 (en) 2015-10-29
TW201719802A (zh) 2017-06-01
TWI596697B (zh) 2017-08-21
KR101782981B1 (ko) 2017-09-28
JP2017143269A (ja) 2017-08-17
US9805965B2 (en) 2017-10-31
US9536769B1 (en) 2017-01-03
US9472410B2 (en) 2016-10-18
WO2015134155A1 (en) 2015-09-11
KR20170060165A (ko) 2017-05-31
CN106876313A (zh) 2017-06-20
CN108428663A (zh) 2018-08-21
KR101854373B1 (ko) 2018-05-03
CN106876313B (zh) 2019-09-27
US20170004988A1 (en) 2017-01-05
KR20170017003A (ko) 2017-02-14
JP6998136B2 (ja) 2022-01-18
KR102316425B1 (ko) 2021-10-21
JP6207780B2 (ja) 2017-10-04
CN108428663B (zh) 2022-08-30
CN105981156A (zh) 2016-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6126747B2 (ja) ピクセル化された容量制御ｅｓｃ
US12243756B2 (en) Temperature controlled substrate support assembly
US12009244B2 (en) Tunable temperature controlled substrate support assembly
TW202036648A (zh) 用於在成形dc脈衝電漿處理裝置中邊緣環控制的電路
JP2015536042A (ja) 閉ループ制御を有する底部および側部プラズマ同調

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170206

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170206

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20170206

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20170327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170407

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6126747

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250