JP2017520532A - ジイソプロピルアミノ−ジシランの合成方法 - Google Patents
ジイソプロピルアミノ−ジシランの合成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017520532A JP2017520532A JP2016570039A JP2016570039A JP2017520532A JP 2017520532 A JP2017520532 A JP 2017520532A JP 2016570039 A JP2016570039 A JP 2016570039A JP 2016570039 A JP2016570039 A JP 2016570039A JP 2017520532 A JP2017520532 A JP 2017520532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diisopropylamino
- formula
- disilane
- metal
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/126—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-Y linkages, where Y is not a carbon or halogen atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/20—Purification, separation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
沸点で特徴付けられる溶剤中、金属アルミニウム水素化物にジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを接触させて、沸点で特徴付けられるジイソプロピルアミノ−ジシランを与える工程、
ここで溶剤の沸点は少なくとも摂氏90度(℃)でかつジイソプロピルアミノ−ジシランの沸点より少なくとも10℃高い、及び溶剤からジイソプロピルアミノ−ジシランを分離して、少なくとも30%の収率、かつ、ガスクロマトグラフィーで70面積%(70面積%(GC))以上の純度の、ジイソプロピルアミノ−ジシランの精製物を与える工程、
を含む、方法。
を含む、方法、を含む。
式(A)の化合物は高純度であることから、他の方法で式(A)の化合物から合成される式(I)の化合物の純度が向上され得る。
(a)炭化水素媒体をジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランから分離して、ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランの濃縮物を与える工程、又は(b)炭化水素媒体をジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランから分離して、ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランの濃縮物を与え、及びジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランをかかる濃縮物から蒸留して、少なくとも50%の収率、かつ、90面積%(GC)以上の純度で、ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランの精製物を与える工程、を更に含む、態様1〜6のいずれか1つの態様に記載の方法。
沸点で特徴付けられる溶剤中で、金属アルミニウム水素化物にビス(ジイソプロピルアミノ)−ペンタクロロジシランを接触させて、溶剤の沸点より少なくとも10℃高い沸点で特徴付けられるジイソプロピルアミノ−ジシランを与える工程、ジイソプロピルアミノ−ジシランの沸点より少なくとも10℃高い沸点で特徴付けられる第二溶剤を加える工程、ジイソプロピルアミノ−ジシラン及び第二溶剤から溶剤を分離する工程、並びに、その後第二溶剤からジイソプロピルアミノ−ジシランを分離して、少なくとも30%の収率、かつ、少なくとも70面積%(GC)の純度で、ジイソプロピルアミノ−ジシランの精製物を与える工程、を含む、態様8に記載の方法。
パートA:炭化水素媒体中で、ヘキサクロロジシラン(SiCl3SiCl3)を、ヘキサクロロジシランに対して、0.50〜1.19モル当量の金属ジイソプロピルアミド[(i−Pr)2N]mMA(式中、下付き文字mは1若しくは2であり、mが1であれば、MAは元素周期表のI族の元素であり、mが2であればMAは元素周期表のII族の元素である)に接触させて、又は1.0〜2.39モル当量のジイソプロピルアミンに接触させて、又は0.50〜1.19モル当量のジイソプロピルアミン((i−Pr)2NH)と0.50〜1.19モル当量のトリエチルアミン(Et3N)との混合物に接触させて、式(B):[(CH3)2CH]2NSiCl2SiCl2N[CH(CH3)2]2 (B)(式中、i−Prはイソプロピルであり、Etはエチルである)の化合物が存在するならばその収率と比べて高収率で、ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを与える工程、並びに、パートB:沸点で特徴付けられるアルキレングリコールジアルキルエーテル中で、水素化アルミニウムリチウム(LiAlH4)に、パートAからのジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを接触させて、沸点で特徴付けられるジイソプロピルアミノ−ジシランを与える工程、ここで、アルキレングリコールジアルキルエーテルの沸点は、ジイソプロピルアミノ−ジシランの沸点より少なくも摂氏30度高い、及びジイソプロピルアミノ−ジシランをアルキレングリコールジアルキルエーテルから分離して、パートBで少なくとも30%の収率、かつ、70面積%(GC)以上の純度で、ジイソプロピルアミノ−ジシランの精製物を与える工程。
1リットル丸底フラスコ中でヘキサクロロジシラン(HCDS;20.0ミリリットル(mL)、0.116モル)と無水ヘキサン(200mL)を混合した。混合物をドライアイスで−20℃に冷却した。機械的撹拌機による撹拌下、ヘキサン(100mL)中のジイソプロピルアミン(DiPA;35.8mL、0.256モル)の溶液を−20℃付近で35分間かけて添加した。添加後、スラリーを23℃に温め、一晩撹拌(ボディー化)した。別のヘキサン100mLを加え、スラリーを希釈し、希釈されたスラリーをタイプDガラスフリット(2.5cm(1インチ)の厚さの珪藻土(CELITE)で覆った)に通してろ過した。得られたフィルターケーキを100mLのヘキサンで洗浄した。透明なろ液(約400mL)を集めた。ろ液を真空(<1.3kPa(1トール))下蒸留し、揮発性有機物を除去した。透明な黄色液体として粗ジイソプロピル−ペンタクロロジシラン28.43g(収率73.5%)を回収した。
テトラエチレングリコールジメチルエーテル(TEGDME、760mL)を2L丸底フラスコに加えた。TEGDMEをドライアイスで0℃に冷却し、その後窒素ブランケット下で粉末LiAlH4(63.5g、1.67モル)を15分で注ぎ込んだ。得られたスラリーを0℃〜6℃で30分間機械的に攪拌し、その後スラリーを十分な真空(0.1kPa(1トール)より低い)下で脱酸素化した。得られたLiAlH4のスラリーをドライアイスで−20℃に冷却した。定流量の窒素ガスを導入して、フラスコの上部空間を掃引し、適度の流量(2,000mL/時)でバブラーを通して空気中に放出した。実施例4の蒸留したジイソプロピル−ペンタクロロジシラン(446.5g、1.34モル)を−10℃未満で滴下ロートを通して2.5時間でフラスコに滴下した。滴下後、反応混合物を23℃に温め、一定の窒素掃引下一晩撹拌した。その後、簡単な真空蒸留装置を十分な真空(0.1kPa(1トール)より低い)下で使用して、反応混合物を徐々に100℃に加熱し、透明な黄色液体として粗ジイソプロピルアミノ−ジシラン(DPDS)141.2g(収率65.4%)を集めた。粗DPDSはGC−FIDで数量化された85%(面積)のDPDSを含有していた。粗DPDSを分別蒸留して、≧98面積%(GC)の純度を有する精製されたDPDSを与えた。
実施例7: 粗DPDSを1バッチし調製たところ、塩化物種を不純物として含有した。粗DPDSのIC分析により、2752ppm(およそ0.3%)の高塩化物濃度を有することが明らかになった。300rpmにセットされた磁気攪拌棒を使用して全ての試料を攪拌した。粗DPDSのブランク蒸留により塩化物濃度が1556±186ppmに低減した。この蒸留にはおよそ0.01kPa(10−2トール)の真空を使用した。
Claims (27)
- 式(A)のジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランの合成方法であって、
[(CH3)2CH]2NSiCl2SiCl3 (A)、
炭化水素媒体中で、ヘキサクロロジシラン(SiCl3SiCl3)をジイソプロピルアミノ基供給源に接触させて、式(B):[(CH3)2CH]2NSiCl2SiCl2N[CH(CH3)2]2 (B)の化合物が存在するならばその収率と比べて高収率で、前記式(A)の化合物を与える工程、を含み、
ここで、前記ジイソプロピルアミノ基供給源は、前記ヘキサクロロジシランに対して、0.50〜1.19モル当量の金属ジイソプロピルアミド[(i−Pr)2N]mMA(式中、i−Prはイソプロピルであり、下付き文字mは1又は2であり、mが1であればMAは元素周期表のI族の元素であり、mが2であればMAは元素周期表のII族の元素である)であり、又は前記ジイソプロピルアミノ基供給源は、1.0〜2.39モル当量のジイソプロピルアミン((i−Pr)2NH)であり、又は前記ジイソプロピルアミノ基供給源は、0.50〜1.19モル当量のジイソプロピルアミン((i−Pr)2NH)と0.50〜1.19モル当量のピリジン若しくはトリアルキルアミン((アルキル)3N)(式中、各アルキルは独立して(C2〜C10)のアルキルである)との混合物である、方法。 - 前記金属ジイソプロピルアミドが、前記接触工程において前記ジイソプロピルアミノ基供給源として使用され、mが1であり、MAがリチウム、ナトリウム若しくはカリウムであり、又はmが2であり、MAがマグネシウム若しくはカルシウムであり、かつ、前記式(A)の化合物の収率が30%以上である、請求項1に記載の方法。
- 1.0〜2.39モル当量の前記ジイソプロピルアミン((i−Pr)2NH)が、前記接触工程において前記ジイソプロピルアミノ基供給源として使用され、かつ、前記式(A)の化合物の収率が30%以上である、請求項1に記載の方法。
- 前記ジイソプロピルアミンとピリジン若しくはトリアルキルアミンとの混合物が、前記接触工程において前記ジイソプロピルアミノ基供給源として使用され、前記ジイソプロピルアミンのモル当量が、前記ヘキサクロロジシランに対して、0.9〜1.1であり、前記ピリジン若しくはトリアルキルアミンのモル当量が、前記ヘキサクロロジシランに対して、0.9〜1.1であり、かつ、前記式(A)の化合物の収率が30%以上である、請求項1に記載の方法。
- 前記炭化水素媒体中での、前記ヘキサクロロジシラン(SiCl3SiCl3)の前記ジイソプロピルアミノ基供給源との前記接触が、前記ジイソプロピルアミノ基供給源を前記ヘキサクロロジシランに加えることによるものである、請求項1に記載の方法。
- 前記方法が、固形の反応副生成物を生成し、かつ、前記方法が、前記固形の反応副生成物から前記ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを分離して、前記固形の反応副生成物を含まない、前記炭化水素媒体中に前記ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを含む溶液を与える工程を更に含む、請求項2〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 以下:
工程(a)前記ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランから前記炭化水素媒体を分離して、前記ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランの濃縮物を与える工程、又は工程(b)前記ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランから前記炭化水素媒体を分離して、前記ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランの濃縮物を与える工程、及び前記ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを前記濃縮物から蒸留して、少なくとも50%の収率、かつ、90面積%以上(GC)の純度で、ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランの精製物を与える工程、
を更に含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 式(I):[(CH3)2CH]2NSiH2SiH3 (I)のジイソプロピルアミノ−ジシランの合成方法であって、
沸点で特徴付けられる溶剤中で、金属アルミニウム水素化物にジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを接触させて、沸点で特徴付けられるジイソプロピルアミノ−ジシランを与える工程、
ここで前記金属アルミニウム水素化物の金属は元素周期表のII族又はII族の元素であり、前記溶剤の沸点は少なくとも90℃であり、かつ、ジイソプロピルアミノ−ジシランの沸点より少なくとも摂氏10度高い、及び
前記溶剤からジイソプロピルアミノ−ジシランを分離して、少なくとも30%の収率、かつ、70面積%以上(GC)の純度で、ジイソプロピルアミノ−ジシランの精製物を与える工程、
を含む、方法。 - 前記溶剤が、アルキレングリコールジアルキルエーテルであり、アルキレングリコールジアルキルエーテルが、テトラエチレングリコールジ(C1〜C4)アルキルエーテル、プロピレングリコールジ(C4〜C8)アルキルエーテル、エチレングリコールジ(C4若しくはC8)アルキルエーテル、又はそれらの任意の2つ以上の組み合わせである、請求項7に記載の方法。
- 前記方法が、沸点で特徴付けられる溶剤中で、金属アルミニウム水素化物にビス(ジイソプロピルアミノ)−ペンタクロロジシランを接触させて、前記溶剤の沸点より少なくとも10℃高い沸点で特徴付けられるジイソプロピルアミノ−ジシランを与える工程、ジイソプロピルアミノ−ジシランの沸点より少なくとも10℃高い沸点で特徴付けられる第二溶剤を加える工程、ジイソプロピルアミノ−ジシラン及び前記第二溶剤から溶剤を分離する工程、並びに、その後前記第二溶剤からジイソプロピルアミノ−ジシランを分離して、少なくとも30%の収率、かつ、少なくとも70面積%(GC)の純度で、ジイソプロピルアミノ−ジシランの精製物を与える工程、を含む、請求項7に記載の方法。
- 式(I):[(CH3)2CH]2NSiH2SiH3 (I)のジイソプロピルアミノ−ジシランの合成方法であって、以下:
パートA:
炭化水素媒体中で、ヘキサクロロジシラン(SiCl3SiCl3)を、ヘキサクロロジシランに対して、0.50〜1.19モル当量の金属ジイソプロピルアミド[(i−Pr)2N]mMA(式中、下付き文字mは1又は2であり、mが1であればMAは元素周期表のI族の元素であり、mが2であればMAは元素周期表のII族の元素である)に接触させて、又は1.0〜2.39モル当量のジイソプロピルアミンに接触させて、又は0.50〜1.19モル当量のジイソプロピルアミン((i−Pr)2NH)と0.50〜1.19モル当量のトリエチルアミン(Et3N)との混合物に接触させて、式B:[(CH3)2CH]2NSiCl2SiCl2N[CH(CH3)2]2 (B)の化合物が存在するならばその収率と比べて高収率で、ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを与える工程(式中、i−Prはイソプロピルであり、Etはエチルである);並びに
パートB:
沸点で特徴付けられるアルキレングリコールジアルキルエーテル中で、水素化アルミニウムリチウム(LiAlH4)に、パートAからの前記ジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを接触させて、沸点で特徴付けられるジイソプロピルアミノ−ジシランを与える工程、
ここで、前記アルキレングリコールジアルキルエーテルの沸点は、前記ジイソプロピルアミノ−ジシランの沸点より少なくとも摂氏30度高い、及び
前記ジイソプロピルアミノ−ジシランを前記アルキレングリコールジアルキルエーテルから分離して、パートBで少なくとも30%の収率、かつ、70面積%以上(GC)の純度で、前記ジイソプロピルアミノ−ジシランの精製物を与える工程、
を含む方法。 - パートAを請求項2〜6のいずれか一項に記載の方法により実施し、
パートBを請求項8又は9に記載の方法により実施し、あるいはパートAを請求項2〜6のいずれか一項に記載の方法により実施し、かつパートBを請求項8又は9に記載の方法により実施する、請求項10に記載の方法。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法により合成された化合物と、前記方法の少なくとも1つの反応副生成物と、を含む組成物。
- 前記ピリジン又はトリアルキルアミンがトリアルキルアミンであり、前記トリアルキルアミンがトリエチルアミン、トリプロピルアミン又はトリブチルアミンである、請求項1及び4のいずれか一項に記載の方法。
- i)金属水素化物又はii)金属アミド塩を、合成された前記ジイソプロピルアミノジシランと混ぜ合わせる工程を更に含む、請求項7〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記金属水素化物が、リチウムトリス(tert−ブトキシ)−アルミニウムヒドリド、リチウムトリエチルボロヒドリド又はナトリウムトリエチルボロヒドリドであり、前記金属アミドが、リチウムジイソプロビルアミドである、請求項14に記載の方法。
- アミノシラン中の塩化物のレベルを減少させる方法であって、i)金属水素化物又はii)金属アミド塩を、アミノシランと塩化物種とを含むアミノシラン組成物に混ぜ合わせて、前記アミノシランと、前記金属水素化物又は前記金属アミド塩と前記塩化物種との反応により生成された反応生成物と、の混合物を生成する工程、及び
前記アミノシランを前記反応生成物から分離する工程、
を含む方法。 - 前記金属水素化物が混ぜ合わされ、前記金属水素化物がホウ素又はアルミニウムを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記水素化物が、リチウムトリス(tert−ブトキシ)−アルミニウムヒドリド、リチウムトリエチルボロヒドリド又はナトリウムトリエチルボロヒドリドである、請求項17に記載の方法。
- 前記金属アミド塩が混ぜ合わされ、前記金属アミドがリチウムアミド塩である、請求項16に記載の方法。
- 前記リチウムアミド塩がリチウムジイソプロピルアミドである、請求項19に記載の方法。
- 前記金属アミド塩が溶剤と混合される、請求項17又は18に記載の方法。
- 前記溶剤がテトラエチレングリコールジメチルエーテルである、請求項19に記載の方法。
- 前記アミノシランがアミノジシランである、請求項16〜19のいずれか一項に記載の方法。
- 前記アミノジシランがジイソプロピルアミノジシランであり、前記分離が蒸留によるものである、請求項23に記載の方法。
- 式(I):[(CH3)2CH]2NSiH2SiH3 (I)のジイソプロピルアミノ−ジシランの合成方法であって、
金属アルミニウム水素化物にジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシランを接触させて、沸点で特徴付けられるジイソプロピルアミノ−ジシランを生成する工程、
ここで、前記金属アルミニウム水素化物の金属は、元素周期表のI族又はII族の元素であり、前記接触は真空下かつ前記ジイソプロピルアミノ−ジシランの生成後それを気化させる温度下でのものである、並びに
生成後、未反応のジイソプロピルアミノ−ペンタクロロジシラン及び前記金属アルミニウム水素化物から蒸留によりジイソプロピルアミノ−ジシランを分離する工程、
ここで、前記蒸留は、前記ジイソプロピルアミノ−ジシランの生成と同時に行われる、
を含む、方法。 - 前記接触が少なくとも90℃の温度下でのものである、請求項25に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462004917P | 2014-05-30 | 2014-05-30 | |
| US62/004,917 | 2014-05-30 | ||
| PCT/US2015/033092 WO2015184214A1 (en) | 2014-05-30 | 2015-05-29 | Process of synthesizing diisopropylaminw-disilanes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017520532A true JP2017520532A (ja) | 2017-07-27 |
Family
ID=54699842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016570039A Pending JP2017520532A (ja) | 2014-05-30 | 2015-05-29 | ジイソプロピルアミノ−ジシランの合成方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9840523B2 (ja) |
| EP (1) | EP3149011A4 (ja) |
| JP (1) | JP2017520532A (ja) |
| KR (2) | KR102065329B1 (ja) |
| CN (1) | CN106459099A (ja) |
| TW (1) | TW201605874A (ja) |
| WO (1) | WO2015184214A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021510691A (ja) * | 2018-01-12 | 2021-04-30 | インテグリス・インコーポレーテッド | アミノヨードシラン、及び当該アミノヨードシランの合成方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017200908A1 (en) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | Dow Corning Corporation | Aminochlorohydridodisilanes |
| JP6994037B2 (ja) * | 2016-09-22 | 2022-01-14 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | SiH非含有ビニルジシラン |
| EP3634969B1 (en) * | 2017-06-06 | 2022-10-05 | DDP Specialty Electronic Materials US 9, LLC | Method of making a halodisiloxane |
| TWI784022B (zh) * | 2017-07-31 | 2022-11-21 | 中國大陸商南大光電半導體材料有限公司 | 1,1,1-參(二甲胺基)二矽烷及其製備方法 |
| CN112110948B (zh) * | 2020-09-29 | 2023-07-14 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种液态双氨基取代的乙硅烷制备方法及其产物的应用 |
| KR20250085041A (ko) | 2023-12-04 | 2025-06-12 | (주)원익머트리얼즈 | 디알킬아미노디실란의 제조방법 |
| CN117510533B (zh) * | 2023-12-29 | 2024-04-05 | 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 | 一种二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4116283B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2008-07-09 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | ヘキサキス(モノヒドロカルビルアミノ)ジシランおよびその製造方法 |
| US7875312B2 (en) * | 2006-05-23 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors |
| US20080153271A1 (en) | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Applied Materials, Inc. | Safe handling of low energy, high dose arsenic, phosphorus, and boron implanted wafers |
| US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
| DE102009001088A1 (de) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung und Stabilisierung von Oligoaminosilanen |
| US20120277457A1 (en) * | 2010-10-12 | 2012-11-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aminosilanes and methods for making same |
| CN103370307B (zh) | 2010-10-12 | 2016-05-25 | 扎夫根股份有限公司 | 磺酰胺化合物及其制备方法和使用方法 |
| US8993072B2 (en) * | 2011-09-27 | 2015-03-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
| US9978585B2 (en) | 2012-06-01 | 2018-05-22 | Versum Materials Us, Llc | Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same |
| US9337018B2 (en) * | 2012-06-01 | 2016-05-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors |
-
2015
- 2015-05-29 WO PCT/US2015/033092 patent/WO2015184214A1/en not_active Ceased
- 2015-05-29 EP EP15799840.2A patent/EP3149011A4/en not_active Withdrawn
- 2015-05-29 JP JP2016570039A patent/JP2017520532A/ja active Pending
- 2015-05-29 KR KR1020167036883A patent/KR102065329B1/ko active Active
- 2015-05-29 CN CN201580028460.8A patent/CN106459099A/zh active Pending
- 2015-05-29 US US15/300,987 patent/US9840523B2/en active Active
- 2015-05-29 KR KR1020197000853A patent/KR102199525B1/ko active Active
- 2015-06-01 TW TW104117612A patent/TW201605874A/zh unknown
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, vol. 619, JPN6017043357, 1993, pages 1347 - 1352, ISSN: 0003809069 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021510691A (ja) * | 2018-01-12 | 2021-04-30 | インテグリス・インコーポレーテッド | アミノヨードシラン、及び当該アミノヨードシランの合成方法 |
| US11312739B2 (en) | 2018-01-12 | 2022-04-26 | Entegris, Inc. | Aminoiodosilanes and methods of synthesizing these aminoiodosilanes |
| JP7062069B2 (ja) | 2018-01-12 | 2022-05-02 | インテグリス・インコーポレーテッド | アミノヨードシラン、及び当該アミノヨードシランの合成方法 |
| JP2022105050A (ja) * | 2018-01-12 | 2022-07-12 | インテグリス・インコーポレーテッド | アミノヨードシラン、及び当該アミノヨードシランの合成方法 |
| JP7399211B2 (ja) | 2018-01-12 | 2023-12-15 | インテグリス・インコーポレーテッド | アミノヨードシラン、及び当該アミノヨードシランの合成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3149011A4 (en) | 2018-06-13 |
| KR20190006603A (ko) | 2019-01-18 |
| US20170029446A1 (en) | 2017-02-02 |
| EP3149011A1 (en) | 2017-04-05 |
| CN106459099A (zh) | 2017-02-22 |
| KR20170013348A (ko) | 2017-02-06 |
| TW201605874A (zh) | 2016-02-16 |
| KR102199525B1 (ko) | 2021-01-08 |
| US9840523B2 (en) | 2017-12-12 |
| KR102065329B1 (ko) | 2020-01-13 |
| WO2015184214A1 (en) | 2015-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102199525B1 (ko) | 다이아이소프로필아미노-다이실란의 합성 공정 | |
| KR101362903B1 (ko) | 아미노실란 및 이를 제조하는 방법 | |
| JP6937799B2 (ja) | ジアミノシラン化合物 | |
| WO2013052673A2 (en) | Apparatus and method for the condensed phase production of trisilylamine | |
| US10030038B2 (en) | Monoaminosilane compounds | |
| JP2019532061A (ja) | チオ(ジ)シラン | |
| JP2016141631A (ja) | トリメチルアルミニウム−ジメチルアルミニウムハイドライド組成物の製造方法 | |
| TWI782989B (zh) | 製造鹵矽氧烷的方法 | |
| JP7132397B2 (ja) | 1,1,1-トリクロロジシランの合成 | |
| CN111094181B (zh) | 1,1,1-三(有机氨基)二硅烷化合物及其制备方法 | |
| TW201708235A (zh) | 二異丙基胺基五氯二矽烷 | |
| US11117807B2 (en) | Method of making aluminum-free neopentasilane | |
| TWI788360B (zh) | 製造鹵矽氧烷的方法 | |
| KR101796758B1 (ko) | 혼합 알킬아민 및 클로로실란을 이용한 알킬아미노실란의 제조방법 | |
| JP2008208049A (ja) | ボラジン化合物の製造方法、及びボラジン化合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161128 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171113 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180604 |
