JP2018090867A - 基板上に膜を形成する方法、及び、成膜システム - Google Patents

Abstract

【課題】成膜装置の処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構を不要とする成膜システムの提供。【解決手段】成膜システムは、成膜装置及び搬送モジュールを備える。成膜装置は、処理チャンバを提供するチャンバ本体と、処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、を有する。搬送モジュールは、処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、基板を搬送するための搬送装置と、を有する。方法は、搬送装置によって搬送チャンバから処理チャンバに基板を搬送する工程ＳＴ１と、搬送装置が処理チャンバ内において基板を支持し、且つ、基板を直線的に移動させている状態で、基板上に膜を形成するためにターゲットから粒子を放出させる工程ＳＴ３と、を含む成膜システム。【選択図】図１

Description

本開示の実施形態は、基板上に膜を形成する方法、及び、成膜システムに関するものである。

半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、基板上に膜を形成する成膜処理が行われる。成膜処理に用いられる成膜装置としては、例えば、特許文献１に記載された成膜装置が知られている。

特許文献１に記載された成膜装置は、真空容器、ステージ、及び、ターゲットを有している。ステージは、回転可能に構成されており、真空容器内に設けられている。ステージ上には基板が搭載される。ターゲットは、ステージの上方に設けられている。この成膜装置では、ステージが回転されつつ、ターゲットから粒子が放出される。これにより、基板上に膜が形成される。

国際公開２０１３／１７９５４４号

特許文献１に記載の成膜装置とは異なり、処理チャンバ内で基板を直線的に移動させつつ当該基板上に膜を形成することが考えられる。このような基板の直線的な移動のためには、通常、処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構が必要となる。しかしながら、このような機構の追加は装置のコストの増加をもたらす。

一態様においては、成膜システムにおいて基板上に膜を形成する方法が提供される。成膜システムは、成膜装置及び搬送モジュールを備える。成膜装置は、処理チャンバを提供するチャンバ本体と、処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、を有する。搬送モジュールは、処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、基板を搬送するための搬送装置であり、搬送チャンバ内に設けられた該搬送装置と、を有する。一態様に係る方法は、搬送モジュールの搬送装置によって搬送チャンバから処理チャンバに基板を搬送する工程と、搬送モジュールの搬送装置が処理チャンバ内において基板を直線的に移動させている状態で、基板上に膜を形成するためにターゲットから粒子を放出させる工程と、を含む。

一態様に係る方法では、通常の成膜システムに備えられている搬送モジュールの搬送装置によって、処理チャンバ内での基板の直線的な移動が実現される。したがって、処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構が不要となる。

一実施形態において、方法は、搬送チャンバから処理チャンバに基板が搬送された後、ターゲットから粒子を放出させる前に、基板を部分的に覆うマスクを搬送装置上に搭載する工程を更に含む。この実施形態の方法では、ターゲットから粒子を放出させている間、マスクから露出されている基板内の領域に膜が形成される。

別の態様においては成膜システムが提供される。成膜システムは、成膜装置、搬送モジュール、及び、制御部を備える。搬送モジュールは、基板の搬送を行うように構成されたモジュールである。制御部は、成膜装置及び搬送モジュールを制御するよう構成されている。成膜装置は、処理チャンバを提供するチャンバ本体と、処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、ターゲットから粒子を放出させるためにホルダに電圧を印加するように構成された電源と、を有する。搬送モジュールは、処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、基板を搬送するための搬送装置であり、搬送チャンバ内に設けられた該搬送装置と、を有する。制御部は、搬送チャンバから処理チャンバに基板を搬送するよう搬送装置を制御する。次いで、制御部は、処理チャンバ内で搬送装置上に搭載された基板を直線的に移動させるよう搬送装置を制御する。制御部は、搬送装置が処理チャンバ内で基板を直線的に移動させている状態で、ターゲットから粒子を放出させるためにホルダに電圧を印加するよう、搬送装置及び電源を制御する。この成膜システムによれば、処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構が不要となる。

一実施形態において、成膜装置は、基板を部分的に露出させるためのマスクを上下動可能に支持するリフト機構を更に備える。制御部は、基板を処理チャンバに搬入した後に、リフト機構によって支持されたマスクの下方のエリアに基板を配置するよう搬送装置を制御する。制御部は、ターゲットから粒子を放出させる前に、基板の上面をマスクによって部分的に覆うためにリフト機構から搬送装置にマスクを受け渡すようリフト機構を制御する。

一実施形態において、成膜装置は、処理チャンバ内に設けられたスリット板を更に有する。スリット板には、その板厚方向に貫通するスリットが形成されている。ホルダは、スリット板の上方に配置されたターゲットを保持する。制御部は、ターゲットから粒子が放出されているときに、基板がスリットの下方のエリアを直線的に通過するよう搬送装置を制御する。

以上説明したように、成膜装置の処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構が不要となる。

一実施形態に係る、基板上に膜を形成する方法を示す流れ図である。 一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図である。 一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。 一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板が処理チャンバに搬入された状態を示す図である。 一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板がマスクの下方に配置された状態を示す図である。 一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板を部分的に覆うように、マスクが搬送装置に受け渡された状態を示す図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一実施形態に係る、基板上に膜を形成する方法を示す流れ図である。図１に示す方法ＭＴは、スパッタによって基板上に膜を形成する方法である。この方法ＭＴでは、成膜装置と搬送モジュールを備える成膜システムが利用される。

図２は、一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図である。図２に示す成膜システム１００は、搬送モジュール１０８、及び、成膜装置を含む一以上の処理モジュールを備えている。図２に示す例では、成膜システム１００は、一以上の処理モジュールとして、複数の処理モジュール１１０ａ〜１１０ｈを備えている。複数の処理モジュール１１０ａ〜１１０ｈのうち少なくとも一つの処理モジュールは、成膜装置である。複数の処理モジュール１１０ａ〜１１０ｈのうち他の処理モジュールは、成膜装置であってもよく、或いは、他の基板処理装置であってもよい。他の基板処理装置は、プラズマエッチング装置、加熱処理装置といった任意の基板処理装置であり得る。一実施形態において、成膜システム１００は、ローダモジュール１０２、ロードロックモジュール１０４，１０６、及び、制御部１１２を更に備え得る。

ローダモジュール１０２は、大気圧環境下において基板を搬送する装置である。ローダモジュール１０２には、複数の台１１４が取り付けられている。複数の台１１４の各々の上には、複数の基板を収容可能な容器１１６がそれぞれ搭載される。容器１１６の各々は、例えばＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）であり得る。

ローダモジュール１０２は、チャンバ１０２ｃを提供している。チャンバ１０２ｃ内には搬送装置１０２ｔが設けられている。搬送装置１０２ｔは、基板を保持して当該基板を搬送するためのロボットアームを含み得る。このローダモジュール１０２には、ロードロックモジュール１０４及びロードロックモジュール１０６が接続されている。搬送装置１０２ｔは、容器１１６とロードロックモジュール１０４との間、又は、容器１１６とロードロックモジュール１０６との間において基板を搬送する。

ロードロックモジュール１０４及びロードロックモジュール１０６はそれぞれ、予備減圧のためのチャンバ１０４ｃ及びチャンバ１０６ｃを提供している。ロードロックモジュール１０４及びロードロックモジュール１０６には、搬送モジュール１０８が接続されている。搬送モジュール１０８は、チャンバ本体１０８ｍ、及び、搬送装置１０８ｔを有している。チャンバ本体１０８ｍは、その内部空間を、減圧可能な搬送チャンバ１０８ｃとして提供している。

搬送チャンバ１０８ｃ内には、搬送装置１０８ｔが設けられている。搬送装置１０８ｔは、基板を搬送する装置である。搬送装置１０８ｔは、一実施形態では、多関節アーム１０８ａ、支持部１０８ｓ、及び、駆動装置１０８ｄを有している。多関節アーム１０８ａの一端は駆動装置１０８ｄに接続されている。駆動装置１０８ｄは、多関節アーム１０８ａの他端を移動させる駆動力を発生する。多関節アーム１０８ａの他端には、支持部１０８ｓが結合されている。支持部１０８ｓは、その上に搭載した基板を支持するよう構成されている。支持部１０８ｓは、所謂ピック、又は、エンドエフェクタである。

搬送モジュール１０８には、複数の処理モジュール１１０ａ〜１１０ｈが接続されている。搬送モジュール１０８の搬送装置１０８ｔは、ロードロックモジュール１０４及びロードロックモジュール１０６の何れかと複数の処理モジュール１１０ａ〜１１０ｈの何れかとの間、及び、複数の処理モジュール１１０ａ〜１１０ｈのうち任意の二つの処理モジュール間で、基板を搬送する。また、搬送モジュール１０８の搬送装置１０８ｔは、後述する成膜装置の処理チャンバ内において、基板を直線的に移動させるように構成されている。

制御部１１２は、ローダモジュール１０２、搬送モジュール１０８、及び、複数の処理モジュール１１０ａ〜１１０ｈを制御するよう構成されている。制御部１１２は、例えば、プロセッサ、メモリといった記憶装置、制御信号の出力インタフェイス等を有するコンピュータ装置であり得る。記憶装置には、成膜システム１００の各部を制御するためのプログラム及び成膜システム１００において方法ＭＴを実施するためのレシピデータが記憶されている。プロセッサは、記憶装置に記憶されているプログラム及びレシピデータに従って動作し、成膜システム１００の各部を制御するための制御信号を当該各部に出力する。

以下、図３を参照して成膜システム１００の処理モジュールとして採用される一実施形態の成膜装置について説明する。図３は、一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。図３では、一実施形態に係る成膜装置が、部分的に破断されて示されている。また、図３には、一実施形態に係る成膜装置と共に、搬送モジュール１０８の一部が示されている。図３に示す成膜装置１０は、チャンバ本体１２、ホルダ１４、及び、電源１６を備えている。成膜装置１０は、スリット板１８、及び、リフト機構２０を更に備えていてもよい。

チャンバ本体１２は、その内部空間を処理チャンバ１２ｃとして提供している。一実施形態において、チャンバ本体１２は、本体１２ａ及び蓋体１２ｂを有している。本体１２ａは、略円筒形状を有し得る。本体１２ａの上端は開口されている。蓋体１２ｂは、本体１２ａの上端の開口を閉じるように、本体１２ａの上端の上に設けられている。

チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが形成されている。排気口１２ｅには、排気装置２２が接続されている。排気装置２２は、圧力制御装置、及び、ターボ分子ポンプ、ドライポンプといった減圧ポンプを含み得る。チャンバ本体１２には、処理チャンバ１２ｃにガスを導入するためのポート１２ｉが設けられている。処理チャンバ１２ｃには、ガス供給部からのガス、例えば、不活性ガスがポート１２ｉを介して導入される。

チャンバ本体１２の側壁には、開口１２ｐが形成されている。開口１２ｐは、処理チャンバ１２ｃ内への基板Ｗの搬入、及び、処理チャンバ１２ｃからの基板Ｗの搬出のために設けられている。開口１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉可能になっている。このゲートバルブ１２ｇは、処理チャンバ１２ｃと搬送チャンバ１０８ｃとの間に介在している。搬送チャンバ１０８ｃは、ゲートバルブ１２ｇが開かれているときには処理チャンバ１２ｃと連通する。即ち、搬送チャンバ１０８ｃは処理チャンバ１２ｃに接続可能となっている。

処理チャンバ１２ｃ内には、スリット板１８が設けられている。スリット板１８は、略板状の部材である。スリット板１８は、処理チャンバ１２ｃの高さ方向の中間において水平に延在している。スリット板１８の縁部はチャンバ本体１２に固定されている。スリット板１８は、処理チャンバ１２ｃを第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２に区画している。第１空間Ｓ１は、処理チャンバ１２ｃの一部の空間であり、スリット板１８の上方にある。第２空間Ｓ２は、処理チャンバ１２ｃの別の一部の空間であり、スリット板１８の下方にある。

スリット板１８には、スリット１８ｓが形成されている。スリット１８ｓは、スリット板１８をその板厚方向（図中では、Ｚ方向）に貫通している。成膜装置１０における成膜時には、基板Ｗは、スリット１８ｓの下方をＸ方向に直線的に移動する。Ｘ方向は、水平な一方向である。スリット１８ｓは、水平な別の一方向、即ちＹ方向に沿って長く延びており、例えば、略矩形の平面形状を有している。Ｙ方向は、スリット１８ｓの長手方向であり、Ｘ方向に直交する方向である。スリット１８ｓのＹ方向における中心は、成膜時における基板ＷのＹ方向における中心と略一致している。Ｙ方向におけるスリット１８ｓの幅は、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも長い。一方、Ｘ方向におけるスリット１８ｓの幅は、成膜時における基板ＷのＸ方向の幅（最大幅）よりも短い。

ホルダ１４は、スリット板１８の上方に設けられている。ホルダ１４は、導電性を有する材料から形成されている。ホルダ１４は、絶縁性の部材を介してチャンバ本体１２に取り付けられている。一実施形態では、ホルダ１４は、絶縁性の部材を介して蓋体１２ｂに取り付けられている。

ホルダ１４は、第１空間Ｓ１内に配置されたターゲット２４を保持するよう構成されている。ホルダ１４は、一実施形態では、スリット１８ｓに対して斜め上方にターゲット２４が位置するように、当該ターゲット２４を保持する。ターゲット２４は、例えば略矩形の平面形状を有する。一実施形態において、ターゲット２４のＹ方向における幅は、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも大きい。

ホルダ１４には、電源１６が電気的に接続されている。電源１６は、ターゲット２４が金属材料である場合には、直流電源であり得る。電源１６は、ターゲット２４が誘電体又は絶縁体である場合には、高周波電源であり、整合器を介してホルダ１４に電気的に接続される。

一実施形態において、成膜装置１０は、ステージ３０、駆動軸３４、及び、駆動装置３６を更に備え得る。ステージ３０は、第２空間Ｓ２内に設けられている。ステージ３０は、その上に基板を搭載することが可能であるように構成されている。ステージ３０は、駆動軸３４を介して駆動装置３６に接続されている。駆動軸３４は、その上端においてステージ３０に結合されている。駆動軸３４は、ステージ３０に結合された上端から下方に延びて、チャンバ本体１２の外側で駆動装置３６に接続されている。駆動装置３６は、駆動軸３４を介して、ステージ３０を上下動させ、及び／又は、回転させる。駆動装置３６は、ステージ３０の上下動及び／又は回転のための駆動力を発生する。駆動装置３６は、例えばモータである。このステージ３０は、基板Ｗを回転させつつ当該基板Ｗ上に膜を形成するときに用いることができる。

リフト機構２０は、マスクＭＫを上下動可能に支持するよう構成されている。マスクＭＫは、基板Ｗに対する成膜時に当該基板Ｗを部分的に覆う。例えば、基板Ｗが円盤形状である場合には、マスクＭＫは、平面視において矩形形状を有し、当該マスクＭＫを貫通する円形の開口を有する。この場合に、マスクＭＫは、基板Ｗのエッジを覆い、開口から基板Ｗのエッジの内側の領域を露出させる。一実施形態において、マスクＭＫは、基板Ｗの一部に加え、搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓ及び多関節アーム１０８ａの一部を覆うように構成されている。

リフト機構２０は、複数のリフトピン４０、支持体４２、駆動軸４４、及び、駆動装置４６を有している。複数のリフトピン４０は、鉛直方向（Ｚ方向）に延在している。複数のリフトピン４０は、それらの上端においてマスクＭＫを支持する。複数のリフトピン４０は、その下端側において支持体４２によって支持されている。支持体４２は、平面視において略馬蹄形をなしている。支持体４２は、駆動軸３４を囲むように設けられている。支持体４２は、駆動軸４４を介して駆動装置４６に接続されている。駆動軸４４は、その上端において支持体４２に結合されている。駆動軸４４は、支持体４２に結合された上端から下方に延在して、チャンバ本体１２の外側で駆動装置４６に接続されている。駆動装置４６は、駆動軸４４及び支持体４２を介して、複数のリフトピン４０を上下動させる。駆動装置４６は、複数のリフトピン４０の上下動のための駆動力を発生する。なお、複数のリフトピン４０がステージ３０から上方に突き出してマスクＭＫを支持できるように、ステージ３０には、当該複数のリフトピン４０が挿入される複数の貫通孔が形成されている。

このリフト機構２０は、その上下動により、当該リフト機構２０と搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓとの間で、マスクＭＫを受け渡すようになっている。支持部１０８ｓは、マスクＭＫを、当該支持部１０８ｓ上で支持するために、複数の支持ピン１０８ｐを有している。複数の支持ピン１０８ｐはそれらの上端においてマスクＭＫを支持する。複数の支持ピン１０８ｐの上端は、高さ方向におけるレベルとして、支持部１０８ｓに搭載された基板Ｗの上面のレベルと同一のレベルを有するか、或いは、基板Ｗの上面のレベルよりも高いレベルを有する。

成膜装置１０と搬送モジュール１０８を有する成膜システム１００では、基板Ｗ上に膜を形成する際に、搬送モジュール１０８の搬送装置１０８ｔにより、処理チャンバ１２ｃ内で基板Ｗを直線的に移動させることができる。以下、図１と共に、図３〜図６を参照して、方法ＭＴについて説明し、また、方法ＭＴの実行における成膜システム１００の動作について説明する。図４は、一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板が処理チャンバに搬入された状態を示す図である。図５は、一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板がマスクの下方に配置された状態を示す図である。図６は、一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板を部分的に覆うようにマスクが搬送装置に受け渡された状態を示す図である。

方法ＭＴの工程ＳＴ１の実行の前には、容器１１６から取り出された基板Ｗが、ローダモジュール１０２、並びに、ロードロックモジュール１０４及び１０６のうち一方を介して、搬送モジュール１０８の搬送チャンバ１０８ｃ内に収容される。搬送チャンバ１０８ｃ内では、基板Ｗは、搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓ上に搭載され、当該支持部１０８ｓによって支持される。

次いで、搬送チャンバ１０８ｃと処理チャンバ１２ｃとを連通させるために、ゲートバルブ１２ｇが開かれる。ゲートバルブ１２ｇは、制御部１１２による当該ゲートバルブ１２ｇの制御によって開かれる。

次いで、マスクＭＫが第２空間Ｓ２内で上方に退避される。マスクＭＫが上方に退避している状態については、図４を参照されたい。マスクＭＫの上方への退避においては、リフト機構２０の駆動装置４６が制御部１１２によって制御される。これにより、後述する工程ＳＴ２において、マスクＭＫが基板Ｗ及び支持部１０８ｓに干渉しないように、基板ＷをマスクＭＫの下方のエリアに移動させることが可能となる。なお、マスクＭＫの上方への退避は、後述する工程ＳＴ２の実行前であれば任意のタイミングで行われ得る。

次いで、方法ＭＴの工程ＳＴ１において、支持部１０８ｓ上に搭載された基板Ｗが、図４に示すように、搬送装置１０８ｔによって搬送チャンバ１０８ｃから開口１２ｐを介して処理チャンバ１２ｃ内に搬送される。この工程ＳＴ１において、搬送装置１０８ｔは、搬送チャンバ１０８ｃから処理チャンバ１２ｃ内に基板Ｗを搬送するよう、制御部１１２によって制御される。

続く方法ＭＴの工程ＳＴ２では、基板Ｗを部分的に覆うようにマスクＭＫが搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓ上に搭載される。工程ＳＴ２では、まず、図５に示すように基板ＷをマスクＭＫの下方のエリアに配置するよう、搬送装置１０８ｔが制御部１１２によって制御される。工程ＳＴ２では、次いで、リフト機構２０の複数のリフトピン４０から搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓにマスクＭＫを受け渡すために、リフト機構２０の駆動装置４６が制御部１１２によって制御される。制御部１１２による駆動装置４６の制御によって、複数のリフトピン４０が下方に移動し、図６に示すように、マスクＭＫが複数のリフトピン４０の上端から搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓに受け渡される。支持部１０８ｓ上では、マスクＭＫは複数の支持ピン１０８ｐ上に搭載される。なお、図６に示すように、工程ＳＴ２において、複数のリフトピン４０は、それらの上端がステージ３０よりも下方に位置するように、下方へ移動される。

続く方法ＭＴの工程ＳＴ３では、基板Ｗに対する成膜が行われる。方法ＭＴでは、工程ＳＴ３の実行時を含む期間において、ポート１２ｉから不活性ガス（例えば、窒素ガス又は希ガス）が処理チャンバ１２ｃに供給される。また、排気装置２２によって処理チャンバ１２ｃの圧力が指定された圧力に設定される。

工程ＳＴ３では、図６に示すようにその上に配置されたマスクＭＫによって部分的に覆われた基板Ｗが、搬送装置１０８ｔによって処理チャンバ１２ｃの第２空間Ｓ２内でＸ方向に沿って直線的に移動される。この移動により、基板Ｗは、スリット１８ｓの下方のエリアを直線的に通過する。工程ＳＴ３における基板Ｗの移動のために、搬送装置１０８ｔは制御部１１２によって制御される。また、工程ＳＴ３では、基板Ｗが直線的に移動されている状態で、電源１６からホルダ１４に電圧が印加される。ホルダ１４に対する電圧の印加のために、電源１６は制御部１１２によって制御される。

工程ＳＴ３では、ホルダ１４に対して電圧が印加されるので、ターゲット２４の周囲でガスが解離して、イオンがターゲット２４に引き付けられる。イオンがターゲット２４に衝突すると、ターゲット２４からその構成材料の粒子が放出される。また、工程ＳＴ３では、基板ＷがＸ方向に沿って直線的に移動されてスリット１８ｓの下方を通過するので、ターゲット２４から放出されてスリット１８ｓを通過した粒子が基板Ｗ上に堆積する。これにより、基板Ｗに膜が形成される。この膜は、マスクＭＫから露出されている基板Ｗの領域に形成される。

以上説明したように、基板Ｗに対する成膜の際には、成膜システム１００に備えられている搬送モジュール１０８の搬送装置１０８ｔによって、処理チャンバ１２ｃ内での基板Ｗの直線的な移動が実現される。したがって、処理チャンバ１２ｃ内において基板Ｗを直線的に移動させるための別途の機構が不要となる。

一実施形態では、マスクＭＫを支持部１０８ｓ上に搭載した状態で、基板Ｗに対する成膜が行われる。したがって、基板Ｗのエッジ及び当該基板Ｗの裏側に、ターゲット２４からの粒子が付着することが抑制される。また、マスクＭＫが搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓ及び多関節アーム１０８ａの一部を覆うので、支持部１０８ｓ及び多関節アーム１０８ａの一部にターゲット２４からの粒子が付着することが抑制される。

なお、マスクＭＫが処理チャンバ１２ｃ内に存在する状態を前提として実施形態の説明を行ってきたが、ステージ３０の上下動を利用して、搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓからステージ３０上にマスクＭＫを受け渡し、しかる後に、方法ＭＴを実行することも可能である。この例では、支持部１０８ｓからマスクＭＫを受け取るための複数のピンがステージ３０に設けられる。支持部１０８ｓ上に搭載されたマスクＭＫは、搬送チャンバ１０８ｃから処理チャンバ１２ｃ内に搬送され、当該支持部１０８ｓからステージ３０の複数のピン上に受け渡される。そして、支持部１０８ｓが処理チャンバ１２ｃから搬送チャンバ１０８ｃに移動される。しかる後に、方法ＭＴが実行される。なお、この例では、成膜装置１０は、リフト機構２０を備えていなくてもよい。

また、複数のリフトピン４０の上下動を利用して、搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓからステージ３０上にマスクＭＫを受け渡し、その後、方法ＭＴを実行することも可能である。具体的には、方法ＭＴの実行前に、複数のリフトピン４０が、それらの上端がステージ３０よりも下方に位置するように下方に配置される。次いで、支持部１０８ｓ上に搭載されたマスクＭＫが、搬送チャンバ１０８ｃから処理チャンバ１２ｃ内に搬送される。次いで、複数のリフトピン４０が上昇され、支持部１０８ｓから複数のリフトピン４０の上端の上にマスクＭＫが受け渡される。次いで、支持部１０８ｓが処理チャンバ１２ｃから搬送チャンバ１０８ｃに移動される。そして、複数のリフトピン４０が下方に移動されて、複数のリフトピン４０からステージ３０上にマスクＭＫが受け渡される。しかる後に、方法ＭＴが実行される。

１０…成膜装置、１２…チャンバ本体、１２ｃ…処理チャンバ、１４…ホルダ、１６…電源、１８…スリット板、１８ｓ…スリット、２０…リフト機構、４０…リフトピン、２４…ターゲット、３０…ステージ、１００…成膜システム、１０８…搬送モジュール、１０８ｍ…チャンバ本体、１０８ｃ…搬送チャンバ、１０８ｔ…搬送装置、１０８ａ…多関節アーム、１０８ｓ…支持部、１１０ａ〜１１０ｈ…処理モジュール、１１２…制御部、ＭＫ…マスク。

Claims (5)

1. 成膜装置及び搬送モジュールを備える成膜システムにおいて基板上に膜を形成する方法であって、
   前記成膜装置は、
   処理チャンバを提供するチャンバ本体と、
   前記処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、
   を有し、
   前記搬送モジュールは、
   前記処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、
   基板を搬送するための搬送装置であり、前記搬送チャンバ内に設けられた該搬送装置と、
   を有し、
   前記搬送装置によって前記搬送チャンバから前記処理チャンバに基板を搬送する工程と、
   前記搬送装置が前記処理チャンバ内で前記基板を直線的に移動させている状態で、前記基板上に膜を形成するために前記ターゲットから粒子を放出させる工程と、
   を含む方法。
2. 基板を搬送する前記工程と粒子を放出させる前記工程との間において、前記基板を部分的に覆うマスクを前記搬送装置上に搭載する工程を更に含み、
   粒子を放出させる前記工程では、前記マスクから露出されている前記基板内の領域に膜が形成される、
   請求項１に記載の方法。
3. 成膜装置と、
   基板の搬送を行うように構成された搬送モジュールと、
   前記成膜装置及び前記搬送モジュールを制御する制御部と、
   を備え、
   前記成膜装置は、
   処理チャンバを提供するチャンバ本体と、
   前記処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、
   前記ターゲットから粒子を放出させるために前記ホルダに電圧を印加するように構成された電源と、
   を有し、
   前記搬送モジュールは、
   前記処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、
   基板を搬送するための搬送装置であり、前記搬送チャンバ内に設けられた該搬送装置と、
   を有し、
   前記制御部は、
   前記搬送チャンバから前記処理チャンバに基板を搬送するよう前記搬送装置を制御し、
   前記搬送装置が前記処理チャンバ内で前記基板を直線的に移動させている状態で、前記ターゲットから粒子を放出させるために前記ホルダに電圧を印加するよう、前記搬送装置及び前記電源を制御する、
   成膜システム。
4. 前記成膜装置は、前記基板の上面を部分的に露出させるためのマスクを上下動可能に支持するリフト機構を更に有し、
   前記制御部は、
   前記基板を前記処理チャンバに搬入した後に、前記リフト機構によって支持された前記マスクの下方のエリアに前記基板を配置するよう前記搬送装置を制御し、
   前記ターゲットから粒子を放出させる前に、前記基板の上面を前記マスクによって部分的に覆うために前記リフト機構から前記搬送装置に前記マスクを受け渡すよう前記リフト機構を制御する、
   請求項３に記載の成膜システム。
5. 成膜装置は、前記処理チャンバ内に設けられたスリット板を更に有し、該スリット板には、その板厚方向に貫通するスリットが形成されており、
   前記ホルダは、前記スリット板の上方に配置された前記ターゲットを保持し、
   前記ターゲットから粒子が放出されているときに、前記制御部は、前記基板が前記スリットの下方のエリアを直線的に通過するよう前記搬送装置を制御する、
   請求項３又は４に記載の成膜システム。

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