JP2018100232A - 水酸基含有マレイミド化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
この様な背景の中、エポキシ樹脂の硬化剤として水酸基とマレイミド基を有するヒドロキシフェニルマレイミドを使用することで、エポキシ樹脂の優れた加工性に加え、耐熱性を向上させる試みがなされているが、架橋点間距離が短くなることから、機械強度が脆弱化する課題があった。
また,ヒドロキシフェニルマレイミドは低分子化合物にも関わらず,意外にエポキシ樹脂組成物に用いた場合,硬化性が遅いという課題があった。
本発明の水酸基含有マレイミド化合物は、前記式(1)で表される構造を有する。本発明の水酸基含有マレイミド化合物は、同一分子内にフェノール性水酸基とマレイミド基を有し,かつ少なくとも1つのフェノール性水酸基をマレイミド基が結合している核以外の核に有することを特徴する水酸基含有マレイミド化合物,およびこれとエポキシ樹脂を含む組成物,およびこの硬化物に関するものである。少なくとも1つのフェノール性水酸基をマレイミド基が結合している核以外の核に有することで,適切な架橋点間距離が確保され,機械強度が向上する。
式(2)中のXは直接結合または2価の連結基を表す。2価の連結基としては例えば置換基を有していても良い炭素数1〜3の炭化水素基、酸素原子、カルボニル基、硫黄原子、スルホン基、2価の脂環構造等が挙げられる。
式(2)中のYは3価の連結基を表す。3価の連結基としては、例えば置換基を有する炭素数1〜3の炭化水素基、窒素原子、3価の脂環構造等が挙げられる。
本発明の組成物は、本発明の水酸基含有マレイミド化合物を含有する。特に好ましくはエポキシ樹脂を含有する組成物である。
本発明の水酸基含有マレイミド化合物はエポキシ樹脂との反応性に優れるため、硬化速度が速くなる。また、芳香環を有しかつマレイミド基との複合架橋が可能なため、耐熱性にも優れる。
本発明の組成物は、更にフィラーを含有してもよい。フィラーとしては、無機フィラーと有機フィラーが挙げられる。無機フィラーとしては、例えば無機微粒子が挙げられる。
これらの無機微粒子は、用途によって適時選択すればよく、単独で使用しても、複数種組み合わせて使用してもかまわない。また、上記無機微粒子は、例に挙げた特性以外にも様々な特性を有することから、適時用途に合わせて選択すればよい。
また、市販のコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業(株)製メタノ−ルシリカゾル、IPA−ST、MEK−ST、NBA−ST、XBA−ST、DMAC−ST、ST−UP、ST−OUP、ST−20、ST−40、ST−C、ST−N、ST−O、ST−50、ST−OL等を挙げることができる。
本発明の組成物は、更に繊維質基質を含有してもよい。本発明の繊維質基質は、特に限定はないが、繊維強化樹脂に用いられるものが好ましく、無機繊維や有機繊維が挙げられる。
本発明の組成物は、組成物の固形分量や粘度を調整する目的として、分散媒を使用してもよい。分散媒としては、本発明の効果を損ねることのない液状媒体であればよく、各種有機溶剤、液状有機ポリマー等が挙げられる。
また、本発明の組成物は、本発明の前述した各種化合物以外の樹脂を有していてもよい。樹脂としては、本発明の効果を損なわない範囲であれば公知慣用の樹脂を配合すればよく、例えば熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることができる。
本発明の組成物がエポキシ樹脂を有している場合には、さらに別の硬化剤を配合してもかまわない。硬化剤としては、アミン系硬化剤、アミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、カルボキシル基含有硬化剤、チオール系硬化剤が挙げられる。
これらの硬化剤は、単独でも2種類以上の併用でも構わない。
本発明の組成物は、その他の配合物を有していてもかまわない。例えば、触媒、重合開始剤、無機顔料、有機顔料、体質顔料、粘土鉱物、ワックス、界面活性剤、安定剤、流動調整剤、カップリング剤、染料、レベリング剤、レオロジーコントロール剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、難燃剤、可塑剤等が挙げられる。
本発明の組成物を硬化して得られる硬化物は、耐熱分解性に優れることから、耐熱部材として好適に使用可能である。さらにエポキシ樹脂を含有する組成物は、版への密着性に優れることから、電子部材に好適に使用可能である。硬化物の成形方法は特に限定は無く、組成物単独で成形してもよいし、基材と積層することで積層体としてもかまわない。
熱硬化を行う場合、1回の加熱で硬化させてもよいし、多段階の加熱工程を経て硬化させてもかまわない。
本発明の硬化物は基材と積層することで積層体とすることができる。
積層体の基材としては、金属やガラス等の無機材料や、プラスチックや木材といった有機材料等、用途によって適時使用すればよく、積層体の形状としても、平板、シート状、あるいは三次元構造を有していても立体状であってもかまわない。全面にまたは一部に曲率を有するもの等目的に応じた任意の形状であってよい。また、基材の硬度、厚み等にも制限はない。また、本発明の硬化物を基材とし、更に本発明の硬化物を積層してもかまわない。
回路基板や半導体パッケージ基板といった用途の場合、金属箔を積層することが好ましく、金属箔としては銅箔、アルミ箔、金箔、銀箔などが挙げられ、加工性が良好なことから銅箔を用いることが好ましい。
成形された組成物を積層する場合、未硬化または半硬化された組成物層を積層してから硬化させてもよいし、組成物を完全硬化した硬化物層を基材に対し積層してもよい。
また、本発明の硬化物に対して、基材となりうる前駆体を塗工して硬化させることで積層させてもよく、基材となりうる前駆体または本発明の組成物が未硬化あるいは半硬化の状態で接着させた後に硬化させてもよい。基材となりうる前駆体としては特に限定はなく、各種硬化性樹脂組成物等が挙げられる。
本発明の組成物が繊維質基質を有し、該繊維質基質が強化繊維の場合、繊維質基質を含有する組成物は繊維強化樹脂として用いることができる。
組成物に対し繊維質基質を含有させる方法は、本発明の効果を損なわない範囲であればとくに限定はなく、繊維質基質と組成物とを、混練、塗布、含浸、注入、圧着、等の方法で複合化する方法が挙げられ、繊維の形態及び繊維強化樹脂の用途によって適時選択することができる。
本発明の繊維強化樹脂は、未硬化あるいは半硬化のプリプレグと呼ばれる状態を形成することができる。プリプレグの状態で製品を流通させた後、最終硬化をおこなって硬化物を形成してもよい。積層体を形成する場合は、プリプレグを形成した後、その他の層を積層してから最終硬化を行うことで、各層が密着した積層体を形成できるため、好ましい。
この時用いる組成物と繊維質基質の質量割合としては、特に限定されないが、通常、プリプレグ中の樹脂分が20〜60質量%となるように調製することが好ましい。
本発明の組成物は、その硬化物が、ガラス転移温度が高く、耐熱分解性に優れることから、耐熱部材に好適に使用可能である。また、基材への密着性に優れることから、特に電子部材に好適に使用可能である。特に、半導体封止材、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板等や、接着剤やレジスト材料に好適に使用可能である。また、繊維強化樹脂のマトリクス樹脂にも好適に使用可能であり、高耐熱性のプリプレグとして特に適している。こうして得られる耐熱部材や電子部材は、各種用途に好適に使用可能であり、例えば、産業用機械部品、一般機械部品、自動車・鉄道・車両等部品、宇宙・航空関連部品、電子・電気部品、建築材料、容器・包装部材、生活用品、スポーツ・レジャー用品、風力発電用筐体部材等が挙げられるが、これらに限定される物ではない。
本発明の組成物から半導体封止材料を得る方法としては、前記組成物、及び硬化促進剤、及び無機充填剤等の配合剤とを必要に応じて押出機、ニ−ダ、ロ−ル等を用いて均一になるまで充分に溶融混合する方法が挙げられる。その際、無機充填剤としては、通常、溶融シリカが用いられるが、パワートランジスタ、パワーIC用高熱伝導半導体封止材として用いる場合は、溶融シリカよりも熱伝導率の高い結晶シリカ,アルミナ,窒化ケイ素などの高充填化、または溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、窒化ケイ素などを用いるとよい。その充填率は硬化性樹脂組成物100質量部当たり、無機充填剤を30〜95質量%の範囲で用いることが好ましく、中でも、難燃性や耐湿性や耐ハンダクラック性の向上、線膨張係数の低下を図るためには、70質量部以上がより好ましく、80質量部以上であることがさらに好ましい。
本発明の硬化性樹脂組成物から半導体装置を得る半導体パッケージ成形としては、上記半導体封止材料を注型、或いはトランスファー成形機、射出成形機などを用いて成形し、さらに50〜250℃で2〜10時間の間、加熱する方法が挙げられる。
本発明の組成物からプリント回路基板を得る方法としては、上記プリプレグを、常法により積層し、適宜銅箔を重ねて、1〜10MPaの加圧下に170〜300℃で10分〜3時間、加熱圧着させる方法が挙げられる。
本発明の組成物からビルドアップ基板を得る方法は、例えば以下の工程が挙げられる。まず、ゴム、フィラーなどを適宜配合した上記組成物を、回路を形成した回路基板にスプレーコーティング法、カーテンコーティング法等を用いて塗布した後、硬化させる工程(工程1)。その後、必要に応じて所定のスルーホール部等の穴あけを行った後、粗化剤により処理し、その表面を湯洗することによって凹凸を形成させ、銅などの金属をめっき処理する工程(工程2)。このような操作を所望に応じて順次繰り返し、樹脂絶縁層及び所定の回路パターンの導体層を交互にビルドアップして形成する工程(工程3)。なお、スルーホール部の穴あけは、最外層の樹脂絶縁層の形成後に行う。また、本発明のビルドアップ基板は、銅箔上で当該樹脂組成物を半硬化させた樹脂付き銅箔を、回路を形成した配線基板上に、170〜300℃で加熱圧着することで、粗化面を形成、メッキ処理の工程を省き、ビルドアップ基板を作製することも可能である。
本発明の組成物からビルドアップフィルムを得る方法としては、基材である支持フィルム(Y)の表面に、上記組成物を塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて組成物の層(X)を形成させることにより製造することができる。
本発明の組成物から導電ペーストを得る方法としては、例えば、導電性粒子を該組成物中に分散させる方法が挙げられる。上記導電ペーストは、用いる導電性粒子の種類によって、回路接続用ペースト樹脂組成物や異方性導電接着剤とすることができる。
尚、高速液体クロマトグラフ(HPLC)、1Hおよび13C−NMR、FD−MSスペクトルは以下の条件にて測定した。
分析条件:下記表1
流量:1.0mL/分
使用カラム:Poroshell 120 EC−C18
磁場強度:600MHz
積算回数:32回
溶媒:DMSO−d6
試料濃度:30質量%
磁場強度:150MHz
積算回数:320回
溶媒:DMSO−d6
試料濃度:30質量%
測定範囲:m/z=50.00〜2000.00
変化率:25.6mA/min
最終電流値:40mA
カソード電圧:−10kV
雰囲気:窒素
昇温プログラム:30℃5分保持→昇温速度10℃/分→350℃2分保持
Polymer Vol.37 No.16,3721−3727;1996,の文献に記載の方法に従って、東京化成工業社製の4-アミノフェノールを原料としてヒドロキシフェニルマレイミド(A)を合成した。
13C−NMR:δ170.26ppm、156.98ppm、134.48ppm、128.35ppm、122.47ppm、115.37ppm
マススペクトル:M+=189
融点(DSCピークトップ):187℃
純度:95.0%(HPLC面積%、検出波長275nm)
温度計、冷却管、ディーンスタークトラップ、攪拌機を取り付けた1Lフラスコに東京化成工業社製の3−アミノフェノール109g(1.00mol)、4−ヒドロキシベンジルアルコール124g(1.00mol)を仕込み、140℃まで加熱し、溶融状態で脱水しながら撹拌した。同温度で7時間反応後、室温まで空冷し、固体状の芳香族アミノフェノール化合物(B)を213g得た。
マススペクトル:主成分としてM+=215および321を確認した。収率99%。
温度計、冷却管、ディーンスタークトラップ、攪拌機を取り付けた3Lフラスコに無水マレイン酸100.3g(1.02mol)、トルエン2.5Lを仕込み室温で攪拌した。フラスコを氷浴へ移し、多環芳香族アミノフェノール化合物(B)を200g(0.93mol)、DMF315mLの混合溶液を滴下した。滴下終了後、室温でさらに2時間反応させた。p−トルエンスルホン酸一水和物15gを加え、反応液を加熱し還流下で共沸してくる水とトルエンを冷却・分離した後、トルエンだけを系内に戻して脱水反応を9時間行った。室温まで空冷後、減圧濃縮し褐色溶液2480gを得た。酢酸エチル550mLに溶解させイオン交換水275mLで4回、2%炭酸水素ナトリウム水溶液330mLで5回洗浄し、硫酸ナトリウムを加え乾燥後、減圧濃縮し得られた反応物を80℃で11時間真空乾燥を行い、水酸基含有マレイミド化合物(C)を190g得た。主成分としてM+=295および401を確認した。150℃の溶融粘度は1.5dPa・s。
(1)組成物の作製
合成例1で得られたヒドロキシフェニルマレイミドおよび実施例1で得られた水酸基含有マレイミド化合物、エポキシ樹脂および触媒を、水酸基に対してエポキシ基が当量となるように表1に示す割合で配合し、組成物を調製した。
表2に示す割合で配合した組成物のゲルタイム(タック消失時間)を200℃で測定した。
実施例3及び比較例2で調整した各組成物を下記条件で加熱し、樹脂硬化物を得た。
硬化物板厚:2mm
<機械強度>
試験片を70mm×10mmの大きさに切り出し、JIS −K6911に従って、島津製作所株式会社製のAUTOGRAPH AG−Iを用いて測定し、曲げ弾性率、曲げ強さ、最大歪みを求めた。
N−655−EXP−S:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC株式会社製)
HP−4700:ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC株式会社製)
TPP:トリフェニルホスフィン(北興化学工業株式会社製)
Claims (17)
- 請求項1または2に記載の化合物を含有することを特徴とする組成物。
- さらに、エポキシ化合物を含有する、請求項1から3のいずれかに記載の組成物。
- 更に、フィラーを含有する、請求項1から4のいずれかに記載の組成物。
- 更に、繊維質基質を含有する、請求項1から5のいずれかに記載の組成物。
- 請求項1から6のいずれかに記載の組成物を硬化してなる硬化物。
- 基材と請求項7に記載の硬化物層とを有することを特徴とする積層体。
- 請求項1から6のいずれかに記載の組成物を含有することを特徴とする、耐熱材料用組成物。
- 請求項7に記載の硬化物を含有することを特徴とする耐熱部材。
- 請求項1から6のいずれかに記載の組成物を含有することを特徴とする、電子材料用組成物。
- 請求項7に記載の硬化物を含有することを特徴とする電子部材。
- 請求項1から6のいずれかに記載の組成物を含有することを特徴とする、半導体封止材。
- 請求項6に記載の、繊維質基質を含有する組成物を含有することを特徴とするプリプレグ。
- 請求項14に記載のプリプレグに更に銅箔層を有することを特徴とする回路基板。
- ビルドアップフィルムである、請求項8に記載の積層体。
- 請求項16に記載のビルドアップフィルムを有することを特徴とするビルドアップ基板。
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