JP2019046523A - 磁気ディスク装置及びライト処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 データの記録品質を向上する磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。【解決手段】 本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクにライトデータをライトするヘッドと、高周波パターンを含む第1データをライトし、ライトした前記第1データをリードした再生波形から第1極性の高周波パターンを消失した比率と前記第1極性が反転した第2極性の高周波パターンを消失した比率との差異を検出し、前記差異に基づいて前記ライトデータの前記第1極性の高周波パターン又は前記第2極性の高周波パターンを調整する、コントローラと、を備える。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びライト処理方法に関する。
磁気ディスク装置は、ライト処理において、高周波パターンを多く含むデータを符号化処理する。例えば、磁気ディスク装置は、NRZ(Non-Return to Zero)方式で1Tビットのデータパターンを含むデータを符号化処理する。磁気ディスク装置は、1Tビットのデータパターンを含むデータをディスクにライトする場合、1Tビットのデータパターンに基づいてライトするデータの物理長が短い等から、高い応答性が要求される。そのため、1Tビットのデータパターンを含むライトデータをディスクにライトした場合、ライトしたデータの記録品質は低下し得る。記録品質が低下したデータをリードする場合、磁気ディスク装置は、ディスクからリードしたデータを復号化処理する時にリードエラーと判定し得る。
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、データの記録品質を向上する磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクにライトデータをライトするヘッドと、高周波パターンを含む第1データをライトし、ライトした前記第1データをリードした再生波形から第1極性の高周波パターンを消失した比率と前記第1極性が反転した第2極性の高周波パターンを消失した比率との差異を検出し、前記差異に基づいて前記ライトデータの前記第1極性の高周波パターン又は前記第2極性の高周波パターンを調整する、コントローラと、を備える。
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る磁気ディスク装置1の構成を示すブロック図である。
図1は、第1実施形態に係る磁気ディスク装置1の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置1は、後述するヘッドディスクアセンブリ(HDA)と、ドライバIC20と、ヘッドアンプ集積回路(以下、ヘッドアンプIC、又はプリアンプ)60と、揮発性メモリ70と、バッファメモリ(バッファ)80と、不揮発性メモリ90と、1チップの集積回路であるシステムコントローラ130とを備える。また、磁気ディスク装置1は、ホストシステム(ホスト)100と接続される。
HDAは、磁気ディスク(以下、ディスク)10と、スピンドルモータ(SPM)12と、ヘッド15を搭載しているアーム13と、ボイスコイルモータ(VCM)14とを有する。ディスク10は、スピンドルモータ12により回転する。アーム13及びVCM14は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、VCM14の駆動により、アーム13に搭載されているヘッド15をディスク10上の目標位置まで移動制御する。ディスク10およびヘッド15は、2つ以上の数が設けられてもよい。
ディスク10は、その記録領域に、ユーザから利用可能な記録領域10aと、システム管理に必要な情報をライトするシステムエリア10bとが割り当てられている。
ヘッド15は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド15W、及びリードヘッド15Rを備える。ライトヘッド15Wは、ディスク10上にデータをライトする。リードヘッド15Rは、ディスク10上のデータトラックに記録されているデータをリードする。
ドライバIC20は、システムコントローラ130(詳細には、後述するMPU30)の制御に従って、SPM12およびVCM14の駆動を制御する。
揮発性メモリ70は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ70は、磁気ディスク装置1の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ70は、例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、又はSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)である。
バッファメモリ80は、磁気ディスク装置1とホスト100との間で送受信されるデータ等を一時的に記憶する半導体メモリである。なお、バッファメモリ80は、揮発性メモリ70と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ80は、例えば、DRAM、SRAM(Static Random Access Memory)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory)、又はMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)等である。
不揮発性メモリ90は、電力供給が断たれても保存しているデータを記憶する半導体メモリである。不揮発性メモリ90は、例えば、NOR型またはNAND型のフラッシュROM(Flash Read Only Memory :FROM)である。
システムコントローラ(コントローラ)130は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(SoC)と称される大規模集積回路(LSI)を用いて実現される。システムコントローラ130は、マイクロプロセッサ(MPU)30と、ハードディスクコントローラ(HDC)40と、リード/ライト(R/W)チャネル50と、を含む。MPU30、HDC40、及びR/Wチャネル50とは、それぞれ、バッファ(不図示)やレジスタ(不図示)を含む。システムコントローラ130は、ドライバIC20、ヘッドアンプIC60、揮発性メモリ70、バッファメモリ80、不揮発性メモリ90、及びホストシステム100に電気的に接続されている。
MPU30は、磁気ディスク装置1の各部を制御するメインコントローラである。MPU30は、ドライバIC20を介してVCM14を制御し、ヘッド15の位置決めを行なうサーボ制御を実行する。MPU30は、ディスク10へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト100から転送されるライトデータの保存先を選択する。また、MPU30は、ディスク10からのデータのリード動作を制御すると共に、ディスク10からホスト100に転送されるリードデータの処理を制御する。以下、ライトデータ及びリードデータを単にデータと称する場合もある。MPU30は、ファームウェアに基づいて処理を実行する。MPU30は、磁気ディスク装置1の各部に接続されている。例えば、MPU30は、HDC40、及びR/Wチャネル50に電気的に接続されている。なお、MPU30は、ヘッドアンプIC60に電気的に接続されていてもよい。
HDC40は、MPU30からの指示に応じて、ホスト100とR/Wチャネル50との間のデータ転送を制御する。HDC40は、MPU30、R/Wチャネル50、揮発性メモリ70、バッファメモリ80、不揮発性メモリ90、及びホストシステム100に電気的に接続されている。
R/Wチャネル50は、MPU30からの指示に応じて、リードデータ及びライトデータの信号処理を実行する。R/Wチャネル50は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。例えば、R/Wチャネル50は、ホスト100から転送されるライトデータに符号化処理を実行する。また、R/Wチャネル50は、ディスク10からリードしたリードデータに復号化処理を実行する。R/Wチャネル50は、MPU30、HDC40、及びヘッドアンプIC60に電気的に接続されている。
ヘッドアンプIC(プリアンプ)60は、ライト処理では、R/Wチャネル50から入力されるライトデータに対応するライト電流をライトヘッド15Wに出力する。また、ヘッドアンプIC60は、リード処理では、リードヘッド15Rでリードしたリードデータを増幅して、リード/ライト(R/W)チャネル50に出力する。ヘッドアンプIC60は、バッファ(不図示)、レジスタ(不図示)や、このレジスタに対して外部からアクセスするためのレジスタI/F(不図示)を含む。ヘッドアンプIC60は、ヘッド15及びR/Wチャネル50に電気的に接続されている。
図2は、第1実施形態に係る磁気ディスク装置1のR/Wチャネル50の構成例を示す模式図である。図2では、説明に必要な構成のみを図示している。
システムコントローラ130において、R/Wチャネル50は、検出部51と、選択部52と、メモリ53と、符号化部54とを備えている。これらは、例えば、回路で構成され、MPU30又はHDC40により動作を制御される。
検出部51は、ライトデータを転送する間の信号処理において、正の極性の高周波パターンを消失した比率と負の極性の高周波パターンを消失した比率とを検出し、正の極性の高周波パターンを消失した比率と負の極性の高周波パターンを消失した比率との差異を検出する。例えば、高周波パターンは、1Tのデータパターン等である。例えば、検出部51は、1Tのデータを含むライトデータをディスク10の所定のトラックにライトし、ライトしたデータをリードする。検出部51は、ヘッド15及びディスク10のゾーン毎に、リードした再生波形から正の極性の1Tのデータパターンを消失した比率と負の極性の1Tのデータパターンを消失した比率とを検出する。検出部51は、検出した正の極性の1Tのデータパターンを消失した比率と負の極性の1Tのデータパターンを消失した比率との差異を検出する。ゾーンは、ディスク10の複数のトラックで構成される記録領域である。例えば、検出部51は、検出結果をシステムエリア10bや不揮発性メモリ90等に記録することもできる。以下で、1Tのデータパターンを消失する比率を1T−Missingと称し、1T−Missingを検出する処理を1T−Missing処理と称し、所定のライトデータにおける正の極性の1T−Missingと負の極性の1T−Missingとの差異を1TM非対称性(又は、1TM非対称値と称する)と称する。
図3A及び図3Bは、ディスク10にライトしたデータをリードした再生波形の一例を示す図である。図3A及び図3Bにおいて、横軸が時間を示し、縦軸が振幅(以下、信号レベルと称する場合もある)を示している。図3A及び図3Bにおいて、振幅Aが正の値(正の極性の値)に対応し、振幅―Aが負の値(負の極性の値)に対応する。
図3Aにおいて、波形WV0は、ディスク10にライトした所定のデータをリードした再生波形を示している。所定のデータは、例えば、正の極性のデータパターンと負の極性のデータパターンとが完全ランダムなNRZ(Non-Return to Zero)方式のライトデータに対応するデータである。波形WV1は、波形WV0を形成する所定のデータから正の極性の1Tのデータパターンを消去してディスク10にライトしたデータをリードした再生波形を示している。波形WV2は、波形WV1のライトデータの正負の極性を反転させてディスク10にライトしたデータをリードした再生波形を示している。
図3Bにおいて、波形WV2Rは、図3Aに示した波形W2を極性反転した再生波形を示している。波形WV1は図3Aに示した波形W1と同一のものを示している。
図3Bに示すように、波形W2を極性反転した波形WV2Rは、波形WV1とほぼ同じ形状であるが、波形WV1と比較して全体的に、特に1Tのような高周波パターンの振幅が小さい。つまり、波形WV2Rは、波形WV1よりもディスク10にライトされたデータの記録品質が劣化している可能性がある。言い換えると、波形WV2は、波形WV1よりもディスク10にライトされたデータの記録品質が劣化している可能性がある。このような波形WV1と波形WV2R(波形WV2)との差異は、データパターンの極性によるデータのディスク10へのライトし易さの違いが生じていることを示している。データパターンの極性に依存するデータのディスク10へのライトし易さの違いは、ヘッド15及びディスク10のゾーンの特性やデータ転送の条件等に起因し得る。
図4A、図4B、及び図4Cは、ライトデータのデータパターンの極性とディスク10にライトしたデータをリードしたときの誤り率との関係の一例を示す図である。以下で、ディスク10にライトしたデータをリードしたときの誤り率(Bit Error Rate : BER)をエラーレートと称する場合もある。図4A乃至図4Cにおいて、縦軸は、ディスク10にライトしたデータをリードしたときのnTのデータパターンの誤り率[%]を示し、横軸は、ディスク10にライトしたデータをリードしたときの1Tのデータパターンのエラーレート(以下、1Tビットエラーと称する)[%]を示している。ここで、nは、1を除く正の整数(2、3…)である。図4A乃至図4Cは、それぞれ、異なるヘッド15を使用して測定した結果を示している。図4A乃至図4Cにおいて、エラーレートE40A、E40B、及びE40Cは、ディスク10にライトした図3Aに示した波形WV0を形成するような所定のデータをリードしたときのエラーレート(以下、通常のエラーレートと称する)を示している。図4A乃至図4Cにおいて、エラーレートE41A、E41B、及びE41Cは、図3Aに示した波形WV1を形成するような所定のデータから正の極性の1Tのデータパターンを消去してディスク10にライトしたデータをリードしたときのエラーレート(以下、負の極性の1Tを含むエラーレートと称する)を示している。図4A乃至図4Cにおいて、エラーレートE42A、E42B、及びE42Cは、図3Aに示した波形WV2(WV2R)を形成するような波形WV1に対応するデータのNRZ極性を反転させたパターンをディスク10にライトしたデータをリードしたときのエラーレート(以下、正の極性の1Tを含むエラーレートと称する)を示している。
図4Aに示した例では、通常のエラーレートE40A及び正の極性の1Tを含むエラーレートE42Aは、負の極性の1Tを含むエラーレートE41Aよりも大きい。通常のエラーレートE40Aと正の極性の1Tを含むエラーレート42Aとは、近い値である。図4Bに示した例では、通常のエラーレートE40B及び正の極性の1Tを含むエラーレートE42Bは、負の極性の1Tを含むエラーレートE41Bよりも大きい。通常のエラーレートE40Bと正の極性の1Tを含むエラーレート42Bとは、近い値である。図4Cに示した例では、通常のエラーレートE40C及び正の極性の1Tを含むエラーレートE42Cは、負の極性の1Tを含むエラーレートE41Cよりも大きい。通常のエラーレートE40Cと正の極性の1Tを含むエラーレート42Cとは、近い値である。図4A乃至図4Cに示した例では、正の極性の1Tのデータパターンを含むデータをリードしたときの1Tビットエラー(以下、正の極性の1Tビットエラーと称する)が、通常のエラーレートに支配的に影響していると考えられる。また、図4A乃至図4Cに示した例では、負の極性の1Tのデータパターンを含むデータをリードしたときの1ビットエラー(以下、負の極性の1Tビットエラーと称する)は、通常のエラーレートにあまり影響していないと考えられる。つまり、負の極性の1Tビットエラーは、正の極性の1Tビットエラーと比べて通常のエラーレートに影響を与えるまで余裕(マージン)があると考えられる。図4A乃至図4Cに示した例では、正の極性の1Tビットエラーを小さくし、負の極性の1Tビットエラーを大きくすることができると考えられる。正の極性の1Tビットエラーを小さくし、負の極性の1Tビットエラーを大きくすることで、通常のエラーレートが改善されると考えられる。なお、通常のエラーレート及び負の極性の1Tを含むエラーレートが、正の極性の1Tを含むエラーレートよりも大きい場合もあり得る。この場合、正の極性の1Tビットエラーは、負の極性の1Tビットエラーと比べて通常のエラーレートに影響を与えるまでマージンがあると考えられる。そのため、正の極性の1Tビットエラーを大きくし、負の極性の1Tビットエラーを小さくすることで、通常のエラーレートが改善されると考えられる。このように、正の極性の1Tビットエラーと負の極性の1Tビットエラーとの差異(以下、1Tビットエラーの非対称性、又は1Tビットエラーの非対称値と称する)を調整することで、通常のエラーレートも改善し得る。言い換えると、ライトデータにおける正の極性の1Tのデータパターンの発生頻度(出現頻度)と負の極性の1Tのデータパターンの発生頻度との差異を調整することで、通常のエラーレートが改善し得る。
図3A乃至図4Cに示した例から、正の極性の1Tビットエラーと負の極性の1Tビットエラーとを検出し、1Tビットエラーの非対称性を調整することで通常のエラーレートを改善することができる。しかし、正の極性の1Tビットエラー及び負の極性の1Tビットエラーを検出することは、実用上困難である。そのため、本実施形態では、1TM非対称性から1Tビットエラーの非対称性を推定する。
図5は、1T−Missing処理で使用するデータパターンの一例を示す図である。図5(a)は、4Tのデータパターンが極性反転しながら繰り返されるデータ(以下、4Tデータと称する)を示す図である。図5(b)は、2−1−1Tのデータパターンが極性反転しながら繰り返されるデータ(以下、2−1−1Tデータと称する)を示す図である。ここで、2−1−1Tのデータパターンは、2Tのデータパターンと、2Tのデータパターンの後で2Tのデータパターンと極性が反転した1Tのデータパターンと、1Tのデータパターンの後で前の1Tのデータパターンと極性が反転した1Tのデータパターンと含む。例えば、2−1−1Tのデータパターン(以下、負の極性の2−1−1Tのデータパターンと称する場合もある)は、正の極性の2Tのデータパターンと、負の極性の1Tのデータパターンと、正の極性の1Tのデータパターンとを含む。また、2−1−1Tのデータパターン(以下、正の極性の2−1−1Tのデータパターンと称する場合もある)は、負の極性の2Tのデータパターンと、正の極性の1Tのデータパターンと、負の極性の1Tのデータパターンと含む。図5(c)は、図5(b)に示した2−1−1Tのデータパターンから負の極性の1Tのデータパターンを消去したデータパターンが極性反転しながら繰り返されるデータ(以下、正の極性の2−1−1Tデータと称する)を示す図である。つまり、正の極性の2−1−1Tデータは、4Tのデータパターンと、正の極性の2−1−1Tのデータパターンとが繰り返されるデータである。図5(d)は、図5(b)に示した2−1−1Tのデータパターンから正の極性の1Tのデータパターンを消去したデータパターンが極性反転しながら繰り返されるデータ(以下、負の極性の2−1−1Tデータと称する)の再生波形を示す図である。つまり、負の極性の2−1−1Tデータは、負の極性の2−1−1Tのデータパターンと、4Tのデータパターンとが繰り返されるデータである。図5(a)乃至図5(d)において、横軸は、時間Tを示している。図5(a)乃至図5(d)において、信号レベル(電圧レベル、電流レベル、又は振幅)H5は、信号レベルL5よりも高い。
通常、1T―Missingは、図5(a)に示した4Tデータに基づいて出力された再生波形における4T周波数成分の信号出力(以下、4T出力と称する)と図5(b)に示した2−1−1Tデータに基づいて出力された再生波形における4T出力との比から検出される。2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号において4Tのデータパターンが出力されていることは、記録品質劣化により1Tの再生信号が出力されていないことを示している。そのため、1T−Missingは、2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力が大きくなると大きくなり、2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力が小さくなると小さくなる。本実施形態では、図5(a)に示した4Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力と、図5(c)に示した正の極性の2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力との比から正の極性の1T−Missingを検出する。例えば、検出部51は、4T出力の検出には、HSC(Harmonic Sensor Circuit)を利用する。HSCは、例えば、R/Wチャネル50に搭載されている。また、図5(a)に示した4Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力と、図5(d)に示した負の極性の2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力との比から負の極性の1T−Missingを検出する。
検出部51は、図5(a)に示した4Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力と、図5(c)に示した正の極性の2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力とを検出する。検出部51は、4Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力と正の極性の2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力との比から正の極性の1T−Missingを検出する。
また、検出部51は、図5(a)に示した4Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力と、図5(d)に示した負の極性の2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力とを検出する。検出部51は、4Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力と負の極性の2−1−1Tデータに基づいて出力された再生信号における4T出力との比から負の極性の1T−Missingを検出する。
検出部51は、正の極性の1T−Missingと負の極性の1T−Missingとの差から1TM非対称性(1TM非対称値)を検出する。例えば、1TM非対称値が正の値の場合、正の極性の1T−Missingが大きいことを示す。また、1TM非対称値が負の値の場合、負の極性の1T−Missingが大きいことを示す。
図6は、エラーレートと1TM非対称性との相関の一例を示す図である。図6において、縦軸は、エラーレート[%]を示し、横軸は、1TM非対称値[%]を示している。図6は、ヘッド150、151、152、153、154、155、156、及び157でディスク10にライトしたデータをリードしたときのエラーレートの測定結果を示している。図6において、エラーレートは、1TM非対称値を調整しながら測定されている。なお、ヘッド15は、複数のヘッド150乃至157を含んでいてもよい。
図6に示した例では、1TM非対称値の正の値が大きくなるに従って、エラーレートが大きくなっている。1TM非対称値の負の値が小さくなるに従って、エラーレートが大きくなっている。1TM非対称値が0となる場合に、エラーレートが最も小さくなっている。図6に示した測定結果から、1TM非対称値を0に近づけることで、エラーレートが改善されることが判る。
図7は、1Tビットエラーの非対称値と1TM非対称値との相関の一例を示す図である。図7において、縦軸は、1Tビットエラーの非対称値[%]を示している。1Tビットエラーの非対称値は、正の極性の1Tビットエラーと負の極性の1Tビットエラーの差で規定される。横軸は、1TM非対称値[%]を示している。図7において、1Tビットエラーの非対称値P71、P72、P73、及びP74は、ヘッド15でディスク10にライトしたデータをリードしたときの1Tビットエラーの非対称値の測定結果を示している。例えば、ヘッド15は、図6に示したヘッド150乃至157のいずれか1つであってもよい。図7において、1Tビットエラーの非対称値は、1TM非対称値を調整しながら測定されている。また、図7において、線L71は、1Tビットエラーの非対称値P71乃至P74の近似直線である。
図7に示した例では、1TM非対称値が大きくなるに従って、1Tビットエラーの非対称値が大きくなっている。また、図7に示した線L71から、1TM非対称値と1Tビットエラーの非対称値とは、比例関係にあることが判る。このことから、1TM非対称値から1ビットエラーの非対称値を推定することが可能である。また、1TM非対称値を改善することで、1ビットエラーの非対称値を改善することが可能である。
選択部52は、検出部51の検出結果に基づいて、1TM非対称値を調整するためのライトデータのデータパターンの調整方法(Code)を選択する。例えば、1TM非対称値が閾値より小さい場合、選択部52は、データパターンを調整しないで通常の信号処理を実行するためのSymmetry Code(以下、CodeAと称する)を選択する。1TM非対称値が正の値で、且つ閾値以上である場合、選択部52は、正の極性の1Tのデータパターンを調整するためのAsymmetry Code(以下、CodeBと称する)を選択する。また、1TM非対称値が負の値で、且つ閾値より小さい場合、選択部52は、負の極性の1Tのデータパターンを調整するためのAsymmetry Code(以下、CodeCと称する)を選択する。CodeA、CodeB、及びCodeCは、テーブルとして、例えば、メモリ53に記録されていてもよい。また、CodeA、CodeB、及びCodeCは、テーブルとして、例えば、不揮発性メモリ90に記録されていてもよい。閾値は、絶対値が同じ正負の1T非対称値である。一例として、閾値は、+10%及び−10%である。閾値は、例えば、メモリ53に記録されている。また、閾値は、例えば、不揮発性メモリ90に記録されていてもよい。また、メモリ53はなくともよい。
符号化部54は、ライトデータに符号化処理を実行する。符号化部54は、調整部541を備えている。
調整部541は、選択部52に従って、1TM非対称値に対応する極性のライトデータのデータパターンを調整する。例えば、調整部541は、選択部52に従って、正の極性の1Tのデータパターンの発生頻度と負の極性の1Tのデータパターンの発生頻度とを調整するAsymmetry Codeにより、1TM非対称値に対応する極性のライトデータのデータパターンを調整する。なお、調整部541は、符号化部54と別体でR/Wチャネル50に備えられていてもよい。
図8A及び図8Bは、Asymmetry Codeの一例を示す図である。図8A及び図8Bにおいて、縦軸は、ライトデータのNRZ振幅(データの極性)を示し、横軸は、時間を示している。図8Aは、Asymmetry Codeで調整する前のライトデータのNRZ系列を示している。図8Bは、Asymmetry Codeで調整した後のライトデータのNRZ系列を示している。
Asymmetry Codeでは、調整部541は、閾値を超えた1TM非対称値に対応する極性の1Tのデータパターンの発生頻度を低減する。図示した例では、調整部541は、mT−1T−oT(m、o>1)のデータパターンの極性を反転させることで正の極性及び負の極性の1Tのデータパターンの発生頻度を調整している。例えば、1TM非対称値が正の値で、且つ閾値を超えた場合、調整部541は、図8Aに示したデータの1Tのデータパターンを含む5TのデータパターンWE1、WE2、及びWE3を図8Bに示した5TのデータパターンWF1、WF2、及びWF3に極性反転する処理を実行する。言い換えると、図示した例では、調整部541は、正の極性の1Tのデータパターンの発生頻度を低減し、負の極性の1Tのデータパターンの発生頻度を増加させている。
図9A及び図9Bは、それぞれ、図8A及び図8Bに示したライトデータにおけるnTのデータパターンの発生頻度の分布の一例を示す図である。図9A及び図9Bにおいて、縦軸は、図8A及び図8Bに示したライトデータ全体に対する各nT周波数の割合(以下、データパターンの割合と称する)[%]を示し、横軸は、nTのデータパターンを示している。図9A及び図9Bでは、nTのデータパターンでの図8A及び図8Bに示したライトデータ全体に対する正の極性のデータパターンの割合(以下、正の極性のデータパターンの割合と称する)と図8A及び図8Bに示したライトデータ全体に対する負の極性のデータパターンの割合(以下、負の極性のデータパターンの割合と称する)とを示している。図9A及び図9Bにおいて、正の極性のデータパターンの割合は、斜線で示し、負の極性のデータパターンの割合は、網目状の模様で示している。図9Aは、図8Aに示したAsymmetry Codeで調整する前のライトデータにおけるnTのデータパターンの発生頻度の分布の一例を示している。図9Bは、図8Bに示したAsymmetry Codeで調整した後のライトデータにおけるnTのデータパターンの発生頻度の分布の一例を示している。
図8A及び図8Bで説明したように、調整部541は、例えば、mT−1T−oTのデータパターンを極性反転させることで、正の極性の1Tのデータパターンの発生頻度と負の極性の1Tのデータパターンの発生頻度とを調整する。そのため、図9Aに示すように正の極性の1Tのデータパターンの割合と負の極性の1Tのデータパターンの割合とがほぼ同じ状態から図9Bに示すように負の極性の1Tのデータパターンの割合が負の極性の1Tのデータパターンの割合よりも大きくなっている。図9Aに示した1Tのデータパターンの割合と図9Bに示した1Tのデータパターンの割合とは、ほとんど変わっていない。このように、調整部541は、正の極性の1Tのデータパターンの発生頻度と負の極性の1Tのデータパターンの発生頻度とを調整することで、データ全体の1Tのデータパターンの発生頻度をほぼ変えずに、正の極性の1Tのデータパターンの発生頻度、又は負の極性のデータパターンの発生頻度を低減できる。データ全体の1Tのデータパターンの発生頻度をほぼ変えていないため、ライトデータの符号化率にもほぼ影響がない。なお、2T以上のデータパターンは、エラーレートに大きく影響しない。
図10は、第1実施形態に係るライト処理のフローチャートである。
コントローラ130は、ヘッド15及びディスク10のゾーン毎にホスト100から転送されるライトデータのライト処理を実行する(B1001)。コントローラ130は、1TM非対称値を検出する(B1002)。コントローラ130は、1TM非対称値の絶対値が閾値よりも小さいか閾値以上かを判定する(B1003)。1TM非対称値の絶対値が閾値よりも小さいと判定した場合(B1003のYES)、コントローラ130は、CodeAを選択し(B1004)、B1008の処理へ進む。例えば、コントローラ130は、データパターンを調整しないで通常の信号処理をライトデータに実行する。1TM非対称値の絶対値が閾値以上であると判定した場合(B1003のNO)、コントローラ130は、1TM非対称値が0よりも大きいか小さいかを判定する(B1005)。1TM非対称値が0よりも大きいと判定した場合(B1005のYES)、コントローラ130は、CodeBを選択し(B1006)、B1008の処理に進む。例えば、コントローラ130は、正の極性の1Tのデータパターンの発生頻度を低減する。1TM非対称値が0よりも小さいと判定した場合(B1005のNO)、コントローラ130は、CodeCを選択し(B1007)、B1008の処理に進む。例えば、コントローラ130は、負の極性の1Tのデータパターンの数を低減する。コントローラ130は、設定を最適化する(B1008)。例えば、B1008の最適化の処理として、コントローラ130は、Code選択により実質的な記録品質が変化するため、R/Wチャネルパラメータ(WPCやFIR等)を再調整する。コントローラ130は、ホスト100から転送されるライトデータのライト処理が終了するまでヘッド15及びディスク10のゾーン毎にB1002からB1008までの処理を繰り返し、ライト処理を終了する。
本実施形態によれば、磁気ディスク装置1は、ライトデータの信号処理において、正の極性の高周波パターンを消失した比率と負の極性の高周波パターンを消失した比率とを検出し、正の極性の高周波パターンを消失した比率と負の極性の高周波パターンを消失した比率との差異を検出する。磁気ディスク装置1は、検出した差異の絶対値が閾値より小さいか、閾値以上であるかを判定する。磁気ディスク装置1は、検出した差異の絶対値が閾値以上であると判定した場合、検出した差異が正の値であるか負の値であるかを判定する。検出した差異が正の値である場合、磁気ディスク装置1は、ライトデータの正の極性の高周波パターンの発生頻度を調整する。また、検出した差異が負の値である場合、磁気ディスク装置1は、ライトデータの負の極性の高周波パターンの発生頻度を調整する。磁気ディスク装置1は、検出した差異に対応する極性のライトデータの高周波パターンを調整することで、検出した差異を低減できる。検出した差異は、エラーレートと相関関係を有する。そのため、差異を低減することで、エラーレートが低減される。したがって、データの記録品質を向上する磁気ディスク装置が提供される。
次に、変形例に係る磁気ディスク装置について説明する。変形例において、前述の実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
(変形例1)
変形例1の磁気ディスク装置1は、1TM非対称性を調整するためのライトデータのデータパターンを調整する方法が異なる点が第1実施形態の磁気ディスク装置1と異なる。
変形例1の磁気ディスク装置1は、1TM非対称性を調整するためのライトデータのデータパターンを調整する方法が異なる点が第1実施形態の磁気ディスク装置1と異なる。
図11は、変形例1に係る磁気ディスク装置1のR/Wチャネル50の構成例を示す模式図である。図11では、説明に必要な構成のみを図示している。
システムコントローラ130において、R/Wチャネル50は、検出部51と、ライトデータ制御部55とを備えている。これらは、例えば、回路で構成され、MPU30又はHDC40により動作を制御される。
ライトデータ制御部55は、ライトデータにライト補償(記録補償)(Write Pre-Compensation : WPC)処理を実行する。ライト補償(記録補償)は、ライトデータのデータパターンの極性反転のタイミング(立ち上がりのタイミング、及び立ち下がりのタイミング)をNLTS(Non Linear Transition Shift)の時間分予めずらす処理である。一例として、ライトデータ制御部55は、疑似ECL(PECL)ドライバを含んでいる。
また、ライトデータ制御部55は、検出部51の検出結果に基づいて、1TM非対称値に対応する極性のライトデータのデータパターンを調整する。例えば、ライトデータ制御部55は、Pulse−Pairing WPC処理により、1TM非対称値に対応する極性のライトデータのデータパターンを調整する。なお、ライトデータ制御部55は、ライトデータに記録補償処理を実行した後に、Pulse−Pairing WPC処理により1TM非対称値に対応する極性のライトデータのデータパターンを調整するように構成されていてもよい。また、ライトデータ制御部55は、システムコントローラ130において、HDC40に備えられていてもよい。
図12及び図13は、Pulse−Pairing WPC処理の一例を示す図である。図12(a)は、Pulse−Pairing WPC処理で調整する前の正の極性の1Tのデータパターン、例えば、[011]系列(dibitパターン)を含むデータの一例を示す図であり、図12(b)は、図12(a)に示した正の極性の1TのデータパターンをPulse−Pairing WPC処理で調整したデータパターンの一例を示す図である。図13(a)は、Pulse−Pairing WPC処理で調整する前の負の極性の1Tのデータパターンを含むデータの一例を示す図であり、図13(b)は、図13(a)に示した負の極性の1TのデータパターンをPulse−Pairing WPC処理で調整したデータパターンの一例を示す図である。図12(a)、図12(b)、図13(a)、及び図13(b)において、横軸は、時間Tを示している。図12(a)及び図12(b)において、信号レベルH12は、信号レベルL12よりも大きい。図12(a)及び図12(b)において、タイミングT122は、タイミングT121の後のタイミングであり、タイミングT123は、タイミングT122の後のタイミングであり、タイミングT124は、タイミングT123の後のタイミングであり、タイミングT125は、タイミングT124の後のタイミングであり、タイミングT126は、タイミングT125の後のタイミングである。また、タイミングT121とタイミングT122との間の時間間隔は、1Tである。図13(a)及び図13(b)において、信号レベルH13は、信号レベルL13よりも大きい。図13(a)及び図13(b)において、タイミングT132は、タイミングT131の後のタイミングであり、タイミングT133は、タイミングT132の後のタイミングであり、タイミングT134は、タイミングT133の後のタイミングであり、タイミングT135は、タイミングT134の後のタイミングであり、タイミングT136は、タイミングT135の後のタイミングである。また、タイミングT135とタイミングT137との間の時間間隔は、1Tである。
Pulse−Pairing WPC処理では、ライトデータ制御部55は、閾値を超えた1TM非対称値に対応する極性に限定して1Tのデータパターンの立ち下がり又は立ち上がりのタイミングをずらす処理を実行する。つまり、ライトデータ制御部55は、dibitパターンの幅を広げる処理を実行する。例えば、1TM非対称値が正の値で、且つ閾値を超えた場合、ライトデータ制御部55は、図12(a)に示したタイミングT121で立ち上がり、タイミングT122で立ち下がる1Tのデータパターンを図12(b)に示したタイミングT123で立ち下がる1Tより大きい時間間隔の広いデータパターンに調整する。また、1TM非対称値が負の値で、且つ閾値を超えた場合、ライトデータ制御部55は、図13(a)に示したタイミングT135で立ち下がり、タイミングT136で立ち上がる1Tのデータパターンを図13(b)に示したタイミングT137で立ち上がる1Tより大きい時間間隔の広いデータパターンに調整する。
図14は、変形例1に係るライト処理のフローチャートである。
コントローラ130は、B1001からB1003までの処理を実行する。1TM非対称値の絶対値が閾値よりも小さいと判定した場合(B1003のYES)、コントローラ130は、ライトデータのデータパターンを調整せず(B1401)、B1008の処理へ進む。1TM非対称値の絶対値が閾値以上であると判定した場合(B1003のNO)、コントローラ130は、1TM非対称値が0よりも大きいか小さいかを判定する(B1005)。1TM非対称値が0よりも大きいと判定した場合(B1005のYES)、コントローラ130は、正の極性の1Tのデータパターンの立ち下がりのタイミングを調整し(B1402)、B1008の処理に進む。1TM非対称値が0よりも小さいと判定した場合(B1005のNO)、コントローラ130は、負の極性の1Tのデータパターンの立ち上がりのタイミングを調整し(B1403)、B1008の処理に進む。コントローラ130は、B1008及びB1009の処理を実行し、ライト処理を終了する。
変形例1によれば、磁気ディスク装置1は、ライトデータの信号処理において、正の極性の高周波パターンを消失した比率と負の極性の高周波パターンを消失した比率とを検出し、正の極性の高周波パターンを消失した比率と負の極性の高周波パターンを消失した比率との差異を検出する。磁気ディスク装置1は、検出した差異の絶対値が閾値より小さいか、閾値以上であるかを判定する。磁気ディスク装置1は、検出した差異の絶対値が閾値以上であると判定した場合、検出した差異が正の値であるか負の値であるかを判定する。検出した差異が正の値である場合、磁気ディスク装置1は、ライトデータの正の極性の高周波パターンの極性反転のタイミングを調整する。また、検出した差異が負の値である場合、磁気ディスク装置1は、ライトデータの負の極性の高周波パターンの極性反転のタイミングを調整する。磁気ディスク装置1は、検出した差異に対応する極性のライトデータの高周波パターンを調整することで、検出した差異を低減できる。したがって、データの記録品質を向上する磁気ディスク装置が提供される。
(変形例2)
変形例2の磁気ディスク装置1は、1TM非対称性を調整するためのライトデータのデータパターンを調整する方法が異なる点が前述の実施形態の磁気ディスク装置1と異なる。
変形例2の磁気ディスク装置1は、1TM非対称性を調整するためのライトデータのデータパターンを調整する方法が異なる点が前述の実施形態の磁気ディスク装置1と異なる。
図15は、変形例2に係る磁気ディスク装置1のR/Wチャネル50の構成例を示す模式図である。図15では、説明に必要な構成のみを図示している。
システムコントローラ130において、R/Wチャネル50は、検出部51を備えている。
ヘッドアンプIC60は、ライトドライバ61を備えている。ライトドライバ61は、例えば、回路で構成され、MPU30又はHDC40により動作を制御される。
ライトドライバ61は、R/Wチャネル50から入力されたライトデータに基づいてライト電流を生成し、生成したライト電流をライトヘッド15Wに出力する。
また、ライトドライバ61は、検出部51の検出結果に基づいて、1TM非対称値に対応する極性のライトデータのデータパターンを調整する。例えば、ライトドライバ61は、Write Asymmetry処理により、1TM非対称値に対応する極性のライト電流のデータパターンを調整する。なお、ライトドライバ61は、R/Wチャネル50から入力されたライトデータに基づいて通常の処理でライト電流を生成した後に、Write Asymmetry処理により、1TM非対称値に対応する極性のライト電流のデータパターンを調整するように構成されていてもよい。
図16は、Write Asymmetry処理の一例を示す図である。図16(a)は、Write Asymmetry処理で調整する前の正の極性の1Tのデータパターンと負の極性の1Tのデータパターンとを含むライト電流の一例を示す図である。図16(b)及び図16(c)は、Write Asymmetry処理で調整した後の図15(a)に示したライト電流の一例を示す図である。図16(a)乃至図16(c)において、0は、信号レベルが0レベルであることを示している。信号レベル(振幅)H161は、正の信号レベルである。信号レベル(振幅)H162は、正の信号レベルであり、信号レベル(振幅)H161よりも大きい。信号レベル(振幅)L161は、負の信号レベルである。信号レベルL162は、信号レベル(振幅)L161よりも小さい。
Write Asymmetry処理では、ライトドライバ61は、閾値を超えた1TM非対称値に対応する極性の1Tのデータパターンのライト電流の信号レベルを調整する処理を実行する。例えば、1TM非対称値が、正の値で、且つ閾値を超えた場合、ライトドライバ61は、図16(a)に示した正の極性の1TのデータパターンW161の信号レベルH161を図16(b)に示すように信号レベルH162に増大させる。例えば、1TM非対称値が、負の値で、且つ閾値を超えた場合、ライトドライバ61は、図16(a)に示した負の極性の1TのデータパターンW162の信号レベルL161を図16(c)に示すように信号レベルL162に低減(負のレベル側にシフト)させる。
なお、Write Asymmetry処理では、ライトドライバ61は、閾値を超えた1TM非対称値に対応する極性と反転した極性の1Tのデータパターンのライト電流の信号レベルを調整する処理も実行できる。1TM非対称値が正の値で、且つ閾値を超えた場合、ライトドライバ61は、負の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを増大(正の信号レベル側にシフト)させる。1TM非対称値が負の値で、且つ閾値を超えた場合、ライトドライバ61は、正の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを減少させる。このように、1TM非対称値に対応する極性と反転した極性の1Tデータパターンの信号レベルを抑制することで、1TM非対称値を0に近づけることもできる。
図17は、変形例2に係るライト処理のフローチャートである。
コントローラ130は、B1001からB1005までの処理を実行する。1TM非対称値が0よりも大きいと判定した場合(B1005のYES)、コントローラ130は、正の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを調整し(B1701)、B1008の処理に進む。例えば、コントローラ130は、正の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを増大し、B1008の処理に進む。1TM非対称値が0よりも小さいと判定した場合(B1005のNO)、コントローラ130は、負の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを調整し(B1702)、B1008の処理に進む。例えば、コントローラ130は、負の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを低減(負の信号レベル側にシフト)し、B1008の処理に進む。コントローラ130は、B1008及びB1009の処理を実行し、ライト処理を終了する。
図18、変形例2に係るライト処理のフローチャートである。
コントローラ130は、B1001からB1005までの処理を実行する。1TM非対称値が0よりも大きいと判定した場合(B1005のYES)、コントローラ130は、負の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを調整し(B1801)、B1008の処理に進む。例えば、コントローラ130は、負の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを増大(正の信号レベル側にシフト)し、B1008の処理に進む。1TM非対称値が0よりも小さいと判定した場合(B1005のNO)、コントローラ130は、正の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを調整し(B1802)、B1008の処理に進む。例えば、コントローラ130は、正の極性の1Tのデータパターンの信号レベルを低減し、B1008の処理に進む。コントローラ130は、B1008及びB1009の処理を実行し、ライト処理を終了する。
変形例2によれば、磁気ディスク装置1は、ライトデータの信号処理において、正の極性の高周波パターンを消失した比率と負の極性の高周波パターンを消失した比率とを検出し、正の極性の高周波パターンを消失した比率と負の極性の高周波パターンを消失した比率との差異を検出する。磁気ディスク装置1は、検出した差異の絶対値が閾値より小さいか、閾値以上であるかを判定する。磁気ディスク装置1は、検出した差異の絶対値が閾値以上であると判定した場合、検出した差異が正の値であるか負の値であるかを判定する。検出した差異が正の値である場合、磁気ディスク装置1は、ライトデータの正又は負の極性の高周波パターンの信号レベルを調整する。また、検出した差異が負の値である場合、磁気ディスク装置1は、ライトデータの正又は負の極性の高周波パターンの信号レベルを調整する。磁気ディスク装置1は、検出した差異に対応する極性のライトデータの高周波パターンを調整することで、検出した差異を低減できる。したがって、データの記録品質を向上する磁気ディスク装置が提供される。
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…磁気ディスク装置、10…磁気ディスク、10a…記録領域、10b…システムエリア、12…スピンドルモータ(SPM)、13…アーム、14…ボイスコイルモータ(VCM)、15…ヘッド、15W…ライトヘッド、15R…リードヘッド、20…ドライバIC、30…マイクロプロセッサ(MPU)、40…ハードディスクコントローラ(HDC)、50…リード/ライト(R/W)チャネル、60…ヘッドアンプIC、70…揮発性メモリ、80…バッファメモリ、90…不揮発性メモリ、100…ホストシステム(ホスト)、130…システムコントローラ。
Claims (9)
- ディスクと、
前記ディスクにライトデータをライトするヘッドと、
高周波パターンを含む第1データをライトし、ライトした前記第1データをリードした再生波形から第1極性の高周波パターンを消失した比率と前記第1極性が反転した第2極性の高周波パターンを消失した比率との差異を検出し、前記差異に基づいて前記ライトデータの前記第1極性の高周波パターン又は前記第2極性の高周波パターンを調整する、コントローラと、を備える磁気ディスク装置。 - 前記コントローラは、前記差異が閾値よりも小さいか、閾値以上かを判定し、前記閾値以上と判定した場合、前記差異が第1値か前記第1値と反対符号である第2値かを判定し、前記差異が前記第1値であると判定した場合、前記第1極性の高周波パターンを調整する、請求項1に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記第1データにおいて、前記第1極性の高周波パターンの発生頻度を低減する、請求項2に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記第1データにおいて、前記第1極性の高周波パターンの極性を反転させる、請求項3に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記第1データにおいて、前記第1極性の高周波パターンの極性反転のタイミングをずらす、請求項2に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記第1データにおいて、前記第1極性の高周波パターンの電流を調整する、請求項2に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記第1データにおいて、前記第2極性の高周波パターンの電流を調整する、請求項2に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記差異が閾値よりも小さいか、閾値以上かを判定し、前記閾値以上と判定した場合、前記差異が第1値か前記第1値と反対符号の第2値かを判定し、前記差異が前記第2値であると判定した場合、前記第2極性の高周波パターンを調整する、請求項1に記載の磁気ディスク装置。
- ディスクと、前記ディスクにライトデータをライトするヘッドとを備える磁気ディスク装置に適用されるライト処理方法であって、
高周波パターンを含む第1データをライトし、ライトした前記第1データをリードした再生波形から第1極性の高周波パターンを消失した比率と前記第1極性が反転した第2極性の高周波パターンを消失した比率との差異を検出し、
前記差異に基づいて前記ライトデータの前記第1極性の高周波パターン又は前記第2極性の高周波パターンを調整する、ライト処理方法。
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