JP2019083261A - 磁気結合型コイル部品 - Google Patents

Abstract

【課題】結合が改善された磁気結合型コイル部品を提供する。
【解決手段】磁気結合型コイル部品１は、絶縁層１１ａと、絶縁層１１ａに埋設されており、第１上側コイル面２６ａ及び第１下側コイル面２７ａを有する第１のコイル導体２５ａと、絶縁層１１ｂに埋設されており、第２上側コイル面２６ｂ及び第２下側コイル面２７ｂを有する第２のコイル導体２５ｂと、絶縁層１１の第１の面に第１上側コイル面２６ａと対向するように設けられた第１のカバー層１８ａと、絶縁層１１の第１の面とは反対側の第２の面に第２下側コイル面２７ｂと対向するように設けられた第２のカバー層１８ｂと、を備える。第１カバー層１８ａ及び第２カバー層１８ｂの少なくとも一方は、絶縁層１１の透磁率よりも大きな透磁率を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、磁気結合型コイル部品に関する。

磁気結合型コイル部品は、互いに磁気結合する一組のコイル導体を有する。磁気結合型コイル部品として、コモンモードチョークコイル、トランス及びカップルドインダクタがある。磁気結合型コイル部品においては、一般に、一組のコイル導体間の結合が高いことが望ましい。

積層プロセスによって作製される磁気結合型コイル部品が特開２０１６−１３１２０８号公報（特許文献１）に記載されている。この結合型コイル部品は、絶縁体に埋め込まれた複数のコイルユニットを有している。この複数のコイルユニットは、各ユニットのコイル導体の巻回軸が略一致するとともに当該コイルユニット同士が密着するように互いに接合されており、これによりコイル導体間の結合が高められるとされている。

特開２０１６−１３１２０８号公報

従来の磁気結合型コイル部品においては、コイル導体から外部空間へ流れ出す漏れ磁束や、２つのコイル導体間を通過する漏れ磁束が存在する。このような漏れ磁束は、磁気結合型コイル部品における結合を悪化させる原因となる。

本発明の目的の一つは、結合が改善された磁気結合型コイル部品を提供することである。本発明のこれ以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。

本発明の一実施形態に係る磁気結合型コイル部品は、絶縁層と、前記絶縁層に埋設されており、第１上側コイル面及び第１下側コイル面を有する第１のコイル導体と、前記絶縁層に埋設されており、第２上側コイル面及び第２下側コイル面を有する第２のコイル導体と、前記絶縁層の第１の面に前記第１上側コイル面と対向するように設けられた第１のカバー層と、前記絶縁層の前記第１の面とは反対側の第２の面に前記第２下側コイル面と対向するように設けられた第２のカバー層と、を備える。当該実施形態において、前記第１カバー層及び前記第２カバー層の少なくとも一方は、前記絶縁層の透磁率よりも大きな透磁率を有する。前記第１カバー層及び前記第２カバー層はいずれも前記絶縁層の透磁率よりも大きな透磁率を有してもよい。

当該実施形態によれば、第１カバー層が絶縁層よりも高い透磁率を有するため、絶縁層に埋設された第１のコイル導体から発生して第１カバー層に入った磁束は、この第１カバー層内を通過しやすくなる。これにより、第１カバー層から磁気結合型コイル部品の外部に出る漏れ磁束が減少する。この第１カバー層を通過した磁束は、絶縁層及び第２カバー層を経由して、第２コイル導体と鎖交する。第２カバー層も絶縁層よりも高い透磁率を有する場合には、磁束は、第２カバー層から磁気結合型コイル部品の外部に漏れ出しにくい。このように、当該実施形態においては、第１カバー層及び第２カバー層の少なくとも一方から外部に漏れ出る漏れ磁束を減少させることができるので、当該磁気結合型コイル部品の結合を改善できる。

本発明の一実施形態において、前記絶縁層は、前記第１下側コイル面と前記第２上側コイル面との間に配された第１の領域と、前記第１の領域と前記第１のカバー層との間に配された第２の領域と、前記第１の領域と前記第２のカバー層との間に配された第３の領域と、を有する。当該実施形態において、前記第１の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率及び前記第３の領域の透磁率の少なくとも一方よりも小さい。前記第１の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率及び前記第３の領域の透磁率のいずれよりも小さくてもよい。

当該実施形態によれば、第１コイル導体から発生した磁束は、当該第１コイル導体と第２コイル導体との間にある第１の領域を通りにくく、第２コイル導体と鎖交する閉磁路を通りやすくなる。これにより、第１コイル導体と第２コイル導体との間を通る漏れ磁束の発生がさらに抑制される。したがって、当該磁気結合型コイル部品においては結合がさらに改善される。

本発明の他の実施形態による磁気結合型コイル部品は、絶縁層と、前記絶縁層に埋設されており、第１上側コイル面及び第１下側コイル面を有する第１コイル導体と、前記絶縁層に埋設されており、第２上側コイル面及び第２下側コイル面を有する第２コイル導体と、前記絶縁層の上面に前記第１上側コイル面と対向するように設けられた第１カバー層と、前記絶縁層の下面に前記第２下側コイル面と対向するように設けられた第２カバー層と、を備える。当該実施形態において、前記絶縁層は、前記第１下側コイル面と前記第２上側コイル面との間に配された第１の領域と、前記第１の領域と前記第１のカバー層との間に配された第２の領域と、前記第１の領域と前記第２のカバー層との間に配された第３の領域と、を有し、前記第１の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率及び前記第３の領域の透磁率の少なくとも一方よりも小さい。前記第１の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率及び前記第３の領域の透磁率のいずれよりも小さくてもよい。

当該実施形態によれば、第１コイル導体と第２コイル導体との間を通る漏れ磁束の発生が抑制される。したがって、上記実施形態による磁気結合型コイル部品においては結合が改善される。

本発明の一実施形態において、前記第１コイル導体は、前記第１下側コイル面が前記第１の領域と接しており、前記第２コイル導体は、前記第２上側コイル面が前記第１の領域と接している。

当該実施形態によれば、第１のコイル導体及び第２のコイル導体がいずれも透磁率の低い第１の領域に接しているため、第１コイル導体と第１の領域との間及び第２コイル導体と第１の領域との間に透磁率が高い部材が介在しない。これにより、第１コイル導体と第２コイル導体との間を通る漏れ磁束の発生がさらに抑制される。

本発明の一実施形態において、前記第前記絶縁層は、積層された複数の絶縁膜を含み、前記複数の絶縁膜のうちの一つである第１絶縁膜には、前記第１コイル導体の一部をなす導体パターンが形成されており、前記絶縁層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配され、前記第１絶縁膜を含む第４の領域をさらに有し、前記第４の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率よりも小さい。本発明の一実施形態において、前記複数の絶縁膜のうちの一つである第２絶縁膜には、前記第２コイル導体の一部をなす導体パターンが形成されており、前記絶縁層は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に配され、前記第２絶縁膜を含む第５の領域をさらに有し、前記第５の領域の透磁率は、前記第３の領域の透磁率よりも小さい。

絶縁層を構成する複数の絶縁膜の各々に形成された導体パターンは、１ターンよりも少ないターン数を有する。よって、第２の領域よりも第１の領域の近くに配されている第４の領域にある第１絶縁膜においては、当該第１絶縁膜のうち導体パターンが形成されていない部位から、第１コイル導体と第２コイル導体との間を通る磁束が漏れ出しやすい。上記実施形態によれば、第１絶縁膜が含まれる第４の領域の透磁率が第２の領域の透磁率よりも小さいため、第１コイル導体と第２コイル導体との間を通る漏れ磁束の発生が抑制される。第３の領域よりも第１の領域の近くに配されている第４の領域にある第２絶縁膜においても同様に、当該第２絶縁膜のうち導体パターンが形成されていない部位から、第１コイル導体と第２コイル導体との間を通る磁束が漏れ出しやすい。よって、当該実施形態によれば、第２絶縁膜が含まれる第５の領域の透磁率が第３の領域の透磁率よりも小さいため、第１コイル導体と第２コイル導体との間を通る漏れ磁束の発生が抑制される。

本発明の一実施形態によれば、結合が改善された磁気結合型コイル部品が得られる。

本発明の一実施形態に係るコイル部品の斜視図である。 図１のコイル部品に含まれる２つのコイルユニットのうち一方の分解斜視図である。 図１のコイル部品に含まれる２つのコイルユニットのうち他方の分解斜視図である。 図１のコイル部品をＩ−Ｉ線で切断した断面を模式的に示す図である。 本発明の他の実施形態に係るコイル部品の断面を模式的に示す図である。

以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。なお、複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。

図１から図４を参照して本発明の一実施形態に係るコイル部品１について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るコイル部品１の斜視図であり、図２は、図１のコイル部品１に含まれるコイルユニット１ａの分解斜視図であり、図３は、図１のコイル部品１に含まれるコイルユニット１ｂの分解斜視図であり、図４は、図１のコイル部品１をＩ−Ｉ線で切断した断面を模式的に示す図である。図２ないし図４においては、説明の便宜のために、外部電極の図示が省略されている。

本明細書においては、文脈上別に解される場合を除き、コイル部品１の「長さ」方向、「幅」方向、及び「厚さ」方向はそれぞれ、図１の「Ｌ」方向、「Ｗ」方向、及び「Ｔ」方向とする。

これらの図には、コイル部品１の一例として、差動信号を伝送する差動伝送回路からコモンモードノイズを除去するためのコモンモードチョークコイルが示されている。コモンモードチョークコイルは、本発明を適用可能な磁気結合型コイル部品の一例である。コモンモードチョークコイルは、後述するように積層プロセス又は薄膜プロセスによって作製される。本発明は、コモンモードチョークコイル以外にも、トランス、カップルドインダクタ及びこれら以外の様々なコイル部品に適用することができる。

図示のように、本発明の一実施形態におけるコイル部品１は、コイルユニット１ａとコイルユニット１ｂとを備える。

コイルユニット１ａは、絶縁性に優れた材料から直方体形状に形成された絶縁層１１ａと、当該絶縁層１１ａの上面に設けられた絶縁材料からなる上部カバー層１８ａと、当該絶縁層１１ａに埋設されたコイル導体２５ａと、当該コイル導体２５ａの一端と電気的に接続された外部電極２１と、当該コイル導体２５ａの他端と電気的に接続された外部電極２２と、を備える。絶縁層１１ａと上部カバー層１８ａとの境界は、コイルユニット１ａの製法によっては、明瞭に確認できないことがある。

コイルユニット１ｂは、コイルユニット１ａと同様に構成される。具体的には、コイルユニット１ｂは、絶縁性に優れた材料から直方体形状に形成された絶縁層１１ｂと、当該絶縁層１１ｂの下面に設けられた絶縁材料からなる下部カバー層１８ｂと、当該絶縁層１１ｂに埋設されたコイル導体２５ｂと、当該コイル導体２５ｂの一端と電気的に接続された外部電極２３と、当該コイル導体２５ｂの他端と電気的に接続された外部電極２４と、を備える。絶縁層１１ｂと下部カバー層１８ｂとの境界は、コイルユニット１ｂの製法によっては、明瞭に確認できないことがある。

絶縁層１１ａは、その下面において絶縁層１１ｂの上面と接合されている。この絶縁層１１ａ及び絶縁層１１ｂが、絶縁層１１を構成する。

上述した絶縁層１１ａ、絶縁層１１ｂ、上部カバー層１８ａ、及び下部カバー層１８ｂが、絶縁本体１０を構成する。図示の実施形態において、絶縁本体１０は、下部カバー層１８ｂ、絶縁層１１ｂ、絶縁層１１ａ、及び上部カバー層１８ａがＴ軸方向の負方向側から正方向側に向かって積層されることで構成されている。

絶縁本体１０は、第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第１の端面１０ｃ、第２の端面１０ｄ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆを有する。絶縁本体１０は、これらの６つの面によってその外面が画定される。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとは互いに対向し、第１の端面１０ｃと第２の端面１０ｄとは互いに対向し、第１の側面１０ｅと第２の側面１０ｆとは互いに対向している。

図１において第１の主面１０ａは絶縁本体１０の上側にあるため、第１の主面１０ａを「上面」と呼ぶことがある。同様に、第２の主面１０ｂを「下面」と呼ぶことがある。コイル部品１は、第２の主面１０ｂが回路基板（不図示）と対向するように配置されるので、第２の主面１０ｂを「実装面」と呼ぶこともある。また、コイル部品１の上下方向に言及する際には、図１の上下方向を基準とする。

外部電極２１及び外部電極２３は、絶縁本体１０の第１の端面１０ｃに設けられる。外部電極２２及び外部電極２４は、絶縁本体１０の第２の端面１０ｄに設けられる。各外部電極は、図示のように、絶縁本体１０の上面及び下面まで延伸する。各外部電極の形状及び配置は、図示された例には限定されない。例えば、外部電極２１〜外部電極２４はすべて絶縁本体１０の下面１０ｂに設けられてもよい。この場合、コイル導体２５ａ及びコイル導体２５ｂは、ビア導体を介して、絶縁本体１０の下面１０ｂに設けられた外部電極２１〜外部電極２４と接続される。

次に、主に図２を参照して、コイルユニット１ａについてさらに説明する。図２に示すように、コイルユニット１ａに備えられる絶縁層１１ａは、絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７及び絶縁積層体１１ａ８を備える。絶縁層１１ａにおいては、Ｔ軸方向の正方向側から負方向側に向かって、絶縁膜１１ａ１、絶縁膜１１ａ２、絶縁膜１１ａ３、絶縁膜１１ａ４、絶縁膜１１ａ５、絶縁膜１１ａ６、絶縁膜１１ａ７、絶縁積層体１１ａ８の順に積層されている。

絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７は、絶縁性に優れた材料からなる。絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７用の磁性材料として、フェライト材料、軟磁性合金、樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料、又はこれら以外の任意の公知の磁性材料を用いることができる。絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７用の非磁性材料としては、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子（ガラス系粒子）、樹脂にＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子（ガラス系粒子）、を分散させた複合材料、樹脂、又はガラス材料を用いることができる。

絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７用の材料となるフェライトには、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、又はこれら以外の任意のフェライトが含まれる。

絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７用の材料となる軟磁性合金には、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系合金、又はこれら以外の任意の軟磁性合金が含まれる。

絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７が樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料からなる場合、当該樹脂として、絶縁性に優れた熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）樹脂、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリフッ化ビニルデン（ＰＶＤＦ）樹脂、フェノール（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ）樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂を用いることができる。当該フィラー粒子として、フェライト材料の粒子、金属磁性粒子、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子、ガラス系粒子、又はこれら以外の任意の公知のフィラー粒子を用いることができる。本発明に適用可能なフェライト材料の粒子は、例えば、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粒子またはＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライトの粒子である。本発明に適用可能な金属磁性粒子は、例えば、（１）金属系のＦｅもしくはＮｉ、（２）合金系のＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、もしくはＦｅ−Ｎｉ、（３）非晶質のＦｅ―Ｓｉ−Ｃｒ−Ｂ−Ｃ、もしくはＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ、またはこれらの混合材料の粒子である。

絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７の各々の上面には、導体パターン２５ａ１〜２５ａ７が形成される。導体パターン２５ａ１〜２５ａ７は、導電性に優れた金属又は合金から成る導電ペーストを、スクリーン印刷法により印刷することにより形成される。この導電ペーストの材料としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金を用いることができる。導体パターン２５ａ１〜２５ａ７は、これ以外の材料及び方法により形成されてもよい。導体パターン２５ａ１〜２５ａ７は、例えば、スパッタ法、インクジェット法、又はこれら以外の公知の方法で形成されてもよい。

絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ６の所定の位置には、ビアＶａ１〜Ｖａ６がそれぞれ形成される。ビアＶａ１〜Ｖａ６は、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ６の所定の位置に、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ６をＴ軸方向に貫く貫通孔を形成し、当該貫通孔に導電材料を埋め込むことにより形成される。

導体パターン２５ａ１〜２５ａ７の各々は、隣接する導体パターンとビアＶａ１〜Ｖａ６を介して電気的に接続される。このようにして接続された導体パターン２５ａ１〜２５ａ７が、スパイラル状のコイル導体２５ａを形成する。すなわち、コイル導体２５ａは、導体パターン２５ａ１〜２５ａ７及びビアＶａ１〜Ｖａ６を有する。

導体パターン２５ａ１のビアＶａ１に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２２に接続される。導体パターン２５ａ７のビアＶａ６に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２１に接続される。

コイル導体２５ａは、Ｔ軸方向の一方の端部である上側コイル面２６ａと、Ｔ軸方向の他方の端部である下側コイル面２７ａと、を有する。

絶縁積層体１１ａ８は、複数の絶縁膜が積層された積層体であってもよい。絶縁積層体１１ａ８を構成する絶縁膜の各々は、絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７と同様に、様々な磁性材料又は非磁性材料から形成される。絶縁積層体１１ａ８を構成する絶縁膜に用いられる磁性材料には、フェライト、軟磁性合金、樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料、又はこれら以外の任意の公知の磁性材料が含まれる。絶縁積層体１１ａ８を構成する絶縁膜に用いられる非磁性材料には、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子（ガラス系粒子）、樹脂にＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子（ガラス系粒子）、を分散させた複合材料、樹脂、又はガラス材料が含まれる。

上部カバー層１８ａは、絶縁積層体１１ａ８と同様に、複数の絶縁膜が積層された積層体であってもよい。上部カバー層１８ａを構成する絶縁膜は、絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７と同様に、様々な磁性材料又は非磁性材料から形成される。絶縁積層体１１ａ８を構成する絶縁膜に用いられる磁性材料には、フェライト、樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料、又はこれら以外の任意の公知の磁性材料が含まれる。上部カバー層１８ａを構成する絶縁膜に用いられる非磁性材料には、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子（ガラス系粒子）、樹脂にＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子（ガラス系粒子）、を分散させた複合材料、樹脂、又はガラス材料が含まれる。

上部カバー層１８ａは、絶縁層１１ａの上面に、コイル導体２５ａの上側コイル面２６ａと対向するように設けられる。

次に、主に図３を参照して、コイルユニット１ｂについてさらに説明する。図３に示すように、コイルユニット１ｂに備えられる絶縁層１１ｂは、積層された絶縁膜１１ｂ１〜１１ｂ７及び絶縁積層体１１ｂ８を備える。絶縁層１１ｂにおいては、Ｔ軸方向の正方向側から負方向側に向かって、絶縁膜１１ｂ１、絶縁膜１１ｂ２、絶縁膜１１ｂ３、絶縁膜１１ｂ４、絶縁膜１１ｂ５、絶縁膜１１ｂ６、絶縁膜１１ｂ７、絶縁積層体１１ｂ８の順に積層されている。

絶縁膜１１ｂ１〜１１ｂ７の各々の上面には、導体パターン２５ｂ１〜２５ｂ７が形成される。導体パターン２５ｂ１〜２５ｂ７は、導電性に優れた金属又は合金から成る導電ペーストを、スクリーン印刷法により印刷することにより形成される。この導電ペーストの材料としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金を用いることができる。導体パターン２５ｂ１〜２５ｂ７は、これ以外の材料及び方法により形成されてもよい。導体パターン２５ｂ１〜２５ｂ７は、例えば、スパッタ法、インクジェット法、又はこれら以外の公知の方法で形成されてもよい。

絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ６の所定の位置には、ビアＶｂ１〜Ｖｂ６がそれぞれ形成される。ビアＶｂ１〜Ｖｂ６は、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ６の所定の位置に、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ６をＴ軸方向に貫く貫通孔を形成し、当該貫通孔に導電材料を埋め込むことにより形成される。

導体パターン２５ｂ１〜２５ｂ７の各々は、隣接する導体パターンとビアＶｂ１〜Ｖｂ６を介して電気的に接続される。このようにして接続された導体パターン２５ｂ１〜２５ｂ７が、スパイラル状のコイル導体２５ｂを形成する。すなわち、コイル導体２５ｂは、導体パターン２５ｂ１〜２５ｂ７及びビアＶｂ１〜Ｖｂ６を有する。

導体パターン２５ｂ１のビアＶｂ１に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２４に接続される。導体パターン２５ｂ７のビアＶｂ６に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２３に接続される。

絶縁積層体１１ｂ８は、複数の絶縁膜が積層された積層体であってもよい。

下部カバー層１８ｂは、絶縁積層体１１ａ８と同様に、複数の絶縁膜が積層された積層体であってもよい。下部カバー層１８ｂは、絶縁層１１ｂの下面に、コイル導体２５ｂの下側コイル面２７ｂと対向するように設けられる。

絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７、絶縁積層体１１ｂ８、下部カバー層１８ｂを構成する絶縁膜は、絶縁膜１１ａ１〜１１ａ７と同様に、様々な磁性材料又は非磁性材料から形成される。絶縁積層体１１ａ８を構成する絶縁膜に用いられる磁性材料には、フェライト、軟磁性合金、樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料、又はこれら以外の任意の公知の磁性材料が含まれる。絶縁積層体１１ａ８を構成する絶縁膜に用いられる非磁性材料には、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子（ガラス系粒子）、樹脂にＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃などの無機材料粒子（ガラス系粒子）、を分散させた複合材料、樹脂、又はガラス材料が含まれる。

絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７、絶縁積層体１１ａ８、上部カバー層１８ａ、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７、絶縁積層体１１ａ８、下部カバー層１８ｂを構成する絶縁膜は、その全てがフェライト材料から形成されてもよく、その全てが軟磁性合金材料から形成されてもよく、その全てが樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料から形成されてもよい。絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７、絶縁積層体１１ａ８、上部カバー層１８ａ、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７、絶縁積層体１１ａ８、下部カバー層１８ｂを構成する絶縁膜は、その一部の絶縁膜が他の絶縁膜と異なる材料から形成されてもよい。

コイル導体２５ｂは、Ｔ軸方向の一方の端部である上側コイル面２６ｂと、Ｔ軸方向の他方の端部である下面２７ｂと、を有する。コイル導体２５ａは、その下側コイル面２７ａがコイル導体２５ｂの上側コイル面２６ｂと対向するように設けられている。

コイル部品１は、上記のコイルユニット１ａとコイルユニット１ｂとを接合することにより得られる。このコイル部品１は、外部電極２１と外部電極２２との間に配されている第１コイル導体（コイル導体２５ａ）と、外部電極２３と外部電極２４との間に配されている第２コイル導体（コイル導体２５ｂ）と、を有する。この２つのコイルの各々は、例えば、差動伝送回路における２本の信号線とそれぞれ接続される。このようにして、コイル部品１は、コモンモードチョークコイルとして動作することができる。

コイル部品１は、第３のコイル（不図示）を含むことができる。第３のコイルを備えるコイル部品１は、コイルユニット１ａと同様に構成されたもう１つのコイルユニットを追加的に備える。当該追加のコイルユニットには、コイルユニット１ａ及びコイルユニット１ｂと同様にコイル導体が設けられ、当該コイル導体が追加的な外部電極と接続される。このような３つのコイルを含むコイル部品は、例えば、３本の信号線を有する差動伝送回路用のコモンモードチョークコイルとして用いられる。

次に、図４を参照して、コイル部品１お異なる領域における透磁率について説明する。図４は、図１のコイル部品をＩ−Ｉ線で切断した断面を模式的に示す図である。図４においては、コイル導体から発生する磁束（磁力線）が矢印で記載されている。また、図４においては、説明の便宜のために、個別の絶縁体層間の境界の図示は省略されている。

図示のように、コイル導体２５ａは、上側コイル面２６ａが絶縁層１１ａから上部カバー層１８ａ側に露出するように絶縁層１１ａに埋設されている。コイル導体２５ａは、絶縁層１１ａ内においてコイル軸ＣＬの周りに巻回されている。コイル軸ＣＬは、図１のＴ軸と平行に延伸している仮想的な軸線である。コイル軸ＣＬは、Ｔ軸と垂直に配されてもよい。コイル導体２５ｂは、下側コイル面２７ｂが絶縁層１ｂから下部カバー層１８ｂ側に露出するように絶縁層１１ｂに埋設されている。コイル導体２５ｂは、絶縁層１１ａと同様にコイル軸ＣＬの周りに巻回されている。

絶縁層１１ａは、コイル導体２５ａの下側コイル面２７ａとコイル導体２５ｂの上側コイル面２６ｂとの間に配された第１の領域３０と、当該第１の領域３０と上部カバー層１８ａとの間に配された第２の領域４０ａと、当該第１の領域３０と下部カバー層１８ｂとの間に配された第３の領域４０ｂと、を有する。

本発明の一実施形態において、第１の領域３０は、絶縁積層体１１ａ８及び絶縁積層体１１ｂ８を含む。第１の領域３０は、絶縁積層体１１ａ８及び絶縁積層体１１ａ８のみから構成されてもよい。第１の領域３０は、絶縁積層体１１ａ８及び絶縁積層体１１ｂ８に加えて、磁性材料からなる追加絶縁膜を含んでもよい。この追加絶縁膜は、例えば、絶縁積層体１１ａ８と絶縁積層体１１ｂ８との間、絶縁積層体１１ａ８と絶縁膜１１ａ７との間、又は絶縁積層体１１ｂ８と絶縁膜１１ｂ１との間に設けられてもよい。

本発明の一実施形態において、第２の領域４０ａは、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７を含む。第２の領域４０ａは、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７のみから構成されてもよい。第２の領域４０ａは、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７に加えて、磁性材料からなる追加絶縁膜を含んでもよい。

本発明の一実施形態において、第３の領域４０ｂは、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７を含む。第３の領域４０ｂは、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７のみから構成されてもよい。第３の領域４０ｂは、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７に加えて、磁性材料からなる追加絶縁膜を含んでもよい。

第２の領域４０ａは、第１の領域３０と直接に接していてもよい。第３の領域４０ｂは、第１の領域３０と直接に接していてもよい。

本発明の一実施形態において、第１の領域３０は透磁率μ１を有し、第２の領域４０ａは透磁率μ２を有し、第３の領域４０ｂは透磁率μ３を有し、上部カバー層１８ａは透磁率μ４を有し、下部カバー層１８ｂは透磁率μ５を有する。

本発明の一実施形態において、上部カバー層１８ａの透磁率μ４及び下部カバー層１８ｂの透磁率μ５の少なくとも一方は、絶縁層１１の透磁率よりも大きい。上記のように、絶縁層１１には、第１の領域３０、第２領域４０ａ、及び第３の領域４０ｂが含まれるので、上部カバー層１８ａの透磁率μ４及び下部カバー層１８ｂの透磁率μ５の少なくとも一方は、第１の領域３０の透磁率μ１、第２の領域４０ａの透磁率μ２、及び第３の領域４０ｂの透磁率μ３のいずれよりも大きい。上部カバー層１８ａの透磁率μ４及び下部カバー層１８ｂの透磁率μ５の両方が絶縁層１１の透磁率より大きくてもよい。

上部カバー層１８ａの透磁率μ４と下部カバー層１８ｂの透磁率μ５とは同じ値であってもよいし異なる値であってもよい。

当該実施形態によれば、上部カバー層１８ａ及び下部カバー層１８ｂの少なくとも一方が絶縁層１１よりも高い透磁率を有する。上部カバー層１８ａが絶縁層１１よりも高い透磁率を有する場合には、絶縁層１１に埋設されたコイル導体２５ａから発生して上部カバー層１８ａに入った磁束は、この上部カバー層１８ａ内を通過しやすくなる。これにより、上部カバー層１８ａからコイル部品１の外部に出る漏れ磁束が減少する。下部カバー層１８ｂが絶縁層１１よりも高い透磁率を有する場合には、コイル導体２５ａから発生した磁束が下部カバー層１８ｂ内を通過してコイル導体２５ｂのコア部へ戻りやすくなる。これにより、下部カバー層１８ｂからコイル部品１の外部に出る漏れ磁束が減少する。上部カバー層１８ａ及び下部カバー層１８ｂのいずれもが絶縁層１１よりも高い透磁率を有する場合には、コイル部品１の外部に出る漏れ磁束をより少なくすることができる。このように、上記の実施形態においては、上部カバー層１８ａ及び下部カバー層１８ｂから外部に漏れ出る漏れ磁束を減少させることができるので、コイル部品１の結合を改善できる。

本発明の別の一実施形態において、第１の領域３０の透磁率μ１は、第２の領域４０ａの透磁率μ２及び第３の領域４０ｂの透磁率μ３の少なくとも一方よりも小さい。第１の領域３０の透磁率μ１は、第２の領域４０ａの透磁率μ２及び第３の領域４０ｂの透磁率μ３のいずれよりも小さいてもよい。当該実施形態において、第２の領域４０ａの透磁率μ２と第３の領域４０ｂの透磁率μ３とは同じ値であってもよいし異なる値であってもよい。当該実施形態において、透磁率μ２及び透磁率μ３は、透磁率μ４と同じ値を有していてもよいし、透磁率μ４より小さな値を有していても良いし、透磁率μ４より大きな値を有していてもよい。同様に、透磁率μ２及び透磁率μ３は、透磁率μ５と同じ値を有していてもよいし、透磁率μ５より小さな値を有していても良いし、透磁率μ５より大きな値を有していてもよい。つまり、透磁率μ１〜μ３に関しては、μ２＞μ１又はμ３＞μ１のいずれか一方又は両方が成立している。

上記のμ２＞μ１又はμ３＞μ１が満たされている実施形態においては、図４に示されているように、コイル導体２５ａの下側コイル面２７ａ及びコイル導体２５ｂの上側コイル面２６ｂがいずれも第１の領域３０と接していてもよい。

上記のμ２＞μ１又はμ３＞μ１が満たされている実施形態によれば、第１コイル導体２５ａから発生した磁束は、当該第１コイル導体２５ａと第２コイル導体２５ｂとの間にある第１の領域を通りにくくなる。これにより、第１コイル導体２５ａと第２コイル導体２５ｂとの間を通る漏れ磁束の発生が抑制される。μ２＞μ１とμ３＞μ１が両方とも満たされていれば、第１コイル導体２５ａと第２コイル導体２５ｂとの間にある第１の領域を通る漏れ磁束はさらに抑制される。したがって、磁気結合型コイル部品１における結合が改善される。

コイル導体２５ａの下側コイル面２７ａ及びコイル導体２５ｂの上側コイル面２６ｂがいずれも第１の領域３０と接している場合には、コイル導体２５ａ及びコイル導体２５ｂがいずれも透磁率の低い第１の領域３０に接しているため、コイル導体２５ａと第１の領域３０との間及びコイル導体２５ｂ第１の領域３０ｂとの間に透磁率が高い部材が介在しない。これにより、コイル導体２５ａとコイル導体２５ｂとの間を通る漏れ磁束の発生がさらに抑制される。

上記の実施形態は、適宜組み合わせ可能である。例えば、上部カバー層１８ａの透磁率μ４及び下部カバー層１８ｂの透磁率μ５の少なくとも一方が絶縁層１１の透磁率よりも大きくなり、且つ、第１の領域３０の透磁率μ１が第２の領域４０ａの透磁率μ２及び第３の領域４０ｂの透磁率μ３の少なくとも一方よりも小さいくなるようにしてもよい。この場合、例えば、μ４＞μ２＞μ１、μ５＞μ３＞μ１といった関係が成り立つ。

第１の領域３０の透磁率μ１は、第１の領域３０がフェライトからなる場合には、そのフェライトの組成を通じて適宜調整することができる。例えば、第１の領域３０の素材としてＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを用いる場合、ＮｉとＺｎとの組成比を調整することにより、第１の領域３０の透磁率μ１を適宜調整することができる。同様に、フェライトからなる第２の領域４０ａの透磁率、フェライトからなる第３の領域４０ｂの透磁率、フェライトからなる上部カバー層１８ａの透磁率、及びフェライトからなる下部カバー層１８ｂの透磁率は、そのフェライトの組成を通じて適宜調整することができる。

第１の領域３０の透磁率μ１は、第１の領域３０が軟磁性金属からなる場合には、その軟磁性金属に含まれる鉄の含有比率を通じて適宜調整することができる。同様に、軟磁性金属からなる第２の領域４０ａの透磁率、軟磁性金属からなる第３の領域４０ｂの透磁率、軟磁性金属からなる上部カバー層１８ａの透磁率、及び軟磁性金属からなる下部カバー層１８ｂの透磁率は、その軟磁性金属における鉄の含有比率を通じて適宜調整することができる。

第１の領域３０の透磁率μ１は、第１の領域３０がフィラー粒子を分散させた樹脂からなる場合には、第１の領域３０における当該フィラー粒子の含有率や当該フィラー粒子の材料を通じて適宜調整することができる。例えば、第１の領域３０におけるフィラー粒子の含有率を高めることにより透磁率を高くすることができ、逆に、第１の領域３０におけるフィラー粒子の含有率を低くすることにより透磁率を低くすることができる。また、フィラー粒子を高透磁率の素材から形成することにより透磁率を高くすることができ、逆に、フィラー粒子を低透磁率の素材から形成することにより透磁率を低くすることができる。同様に、フィラー粒子を分散させた樹脂からなる第２の領域４０ａの透磁率、フィラー粒子を分散させた樹脂からなる第３の領域４０ｂの透磁率、フィラー粒子を分散させた樹脂からなる上部カバー層１８ａの透磁率、及びフィラー粒子を分散させた樹脂からなる下部カバー層１８ｂの透磁率は、当該フィラー粒子の含有率や当該フィラー粒子の材料を通じて適宜調整することができる。

本発明の一実施形態において、第１の領域３０は、第２の領域４０ａ及び第３の領域４０ｂよりも大きな抵抗値を有してもよい。これにより、第１の領域３０を薄くしても、コイル導体２５ａとコイル導体２５ｂとの間の電気的絶縁を確保することができる。その結果、低背のコイル部品１を得ることができる。

続いて、図５を参照して、本発明のさらに別の一実施形態について説明する。図５は、本発明の一実施形態によるコイル部品１０１の断面を模式的に示している。図５に示されているコイル部品１０１においては、第１の領域３０と第２の領域４０ａとの間に第４の領域５０が配され、第１の領域３０と第３の領域４０ｂとの間に第５の領域６０が配されている。第２の領域４０ａは、この第４の領域５０と上部カバー層１８ａとの間に配されている。第３の領域４０ｂは、この第５の領域６０と下部カバー層１８ｂとの間に配されている。コイル部品１０１は、第４の領域５０と第５の領域６０の両方を有して良いし、一方のみを有しても良い。

第４の領域５０には、絶縁膜１１ａ７が含まれる。第４の領域５０は、絶縁膜１１ａ７のみから構成されてもよい。絶縁膜１１ａ７には、第１コイル導体２５ａの一部をなす導体パターン２５ａ７が形成されている。第４の領域５０は、絶縁膜１１ａ７の全部を含んでもよいし、絶縁膜１１ａ７の一部のみを含んでもよい。例えば、絶縁膜１１ａ７のうち、平面視において、コイル軸ＣＬと絶縁膜１１ａ７の周縁との間に導体パターン２５ａ７が存在しない領域を第４の領域とすることができる。

第５の領域６０には、絶縁膜１１ｂ１が含まれる。第５の領域６０は、絶縁膜１１ｂ１のみから構成されてもよい。絶縁膜１１ｂ１には、第２コイル導体２５ｂの一部をなす導体パターン２５ｂ１が形成されている。第５の領域６０は、絶縁膜１１ｂ１の全部を含んでもよいし、絶縁膜１１ｂ１の一部のみを含んでもよい。例えば、絶縁膜１１ｂ１のうち、平面視において、コイル軸ＣＬと絶縁膜１１ｂ１の周縁との間に導体パターン２５ｂ１が存在しない領域を第５の領域とすることができる。

第４の領域５０は、透磁率μ６を有する。本発明の一実施形態において、第４の領域５０の透磁率μ６は、第２の領域４０ａの透磁率μ２よりも小さい。本発明の一実施形態において、第４の領域５０の透磁率μ６は、第３の領域４０ｂの透磁率μ３よりも小さい。第４の領域５０の透磁率μ６は、第１の領域３０の透磁率μ１と同じ値を有していてもよいし、透磁率μ１より小さな値を有していても良いし、透磁率μ１より大きな値を有していてもよい。

第５の領域６０は、透磁率μ７を有する。本発明の一実施形態において、第５の領域６０の透磁率μ７は、第３の領域４０ｂの透磁率μ３よりも小さい。本発明の一実施形態において、第５の領域６０の透磁率μ７は、第２の領域４０ａの透磁率μ２よりも小さい。第５の領域６０の透磁率μ７は、第１の領域３０の透磁率μ１と同じ値を有していてもよいし、透磁率μ１より小さな値を有していても良いし、透磁率μ１より大きな値を有していてもよい。

導体パターン２５ａ７は、１ターンよりも少ないターン数だけコイル軸ＣＬの周りに巻回されているため、第４の領域５０の透磁率μ６を第２の領域４０ａの透磁率μ２と同じかそれよりも小さくすると、第１コイル導体２５ａ及び第２コイル導体２５ｂのコアを通過する磁束は、絶縁膜１１ａ７のうち導体パターン２５ａ７が形成されていない部位を通過する漏れ磁束となりやすい。図示の実施形態においては、導体パターン２５ａ７は、外部電極２１への接続のため、導体パターン２５ａ１〜導体パターン２５ａ６と比べて少ないターン数だけ巻回されている。例えば、図２に示されている態様においては、導体パターン２５ａ１〜導体パターン２５ａ６の各々は概ね５／６ターンずつ巻回されている一方、導体パターン２５ａ７は概ね２／５だけ巻回されている。このように導体パターン２５ａ７のターン数が少ないため、磁束は、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ６に比べて、絶縁膜１１ａ７においてコイル軸ＣＬと垂直な方向への通過が容易になっている。上記のコイル部品１０１においては、絶縁膜１１ａ７を含む第４の領域５０の透磁率μ６を第２の領域４０ａの透磁率μ２よりも小さくすることにより、コイル導体２５ａとコイル導体２５ｂとの間を通過する漏れ磁束をさらに減少させることができる。

導体パターン２５ｂ１も導体パターン２５ａ７と同様に、１ターンよりも少ないターン数だけコイル軸ＣＬの周りに巻回されているため、第５の領域６０の透磁率μ７を第３の領域４０ｂの透磁率μ３と同じかそれよりも小さくすると、第１コイル導体２５ａ及び第２コイル導体２５ｂのコアを通過する磁束は、絶縁膜１１ｂ１のうち導体パターン２５ｂ１が形成されていない部位を通過する漏れ磁束となりやすい。上記のコイル部品１０１においては、絶縁膜１１ｂ１を含む第５の領域６０の透磁率μ７を第３の領域４０ｂの透磁率μ３よりも小さくすることにより、コイル導体２５ａとコイル導体２５ｂとの間を通過する漏れ磁束をさらに減少させることができる。

次に、コイル部品１の製造方法の一例を説明する。コイル部品１は、例えば積層プロセスによって製造することができる。まず、コイルユニット１ａ及びコイルユニット１ｂをそれぞれ作成する。

まず、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７、絶縁積層体１１ａ８を構成する各絶縁膜、絶縁積層体１１ｂ８を構成する各絶縁膜、上部カバー層１８ａを構成する各絶縁膜、及び下部カバー層１８ｂを構成する各絶縁膜となるグリーンシートを作成する。これらのグリーンシートは、例えば、フェライト、軟磁性合金、又はこれら以外の磁性材料から形成される。以下では、磁性体シートは、軟磁性合金から形成されるものとする。

まず、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系合金、又はこれら以外の任意の軟磁性合金から成る軟磁性金属粒子にバインダ樹脂及び溶剤を加えてスラリーを作成し、このスラリーをプラスチック製のベースフィルムの表面に塗布する。この塗布されたスラリーを乾燥させることでグリーンシートが作成される。

次に、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ６となる各グリーンシート及び絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ６となる各グリーンシートの所定の位置に、各グリーンシートをＴ軸方向に貫く貫通孔を形成する。

次に、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７となる各グリーンシートの上面及び絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７となる各グリーンシートの上面の各々に、導電ペーストをスクリーン印刷法により印刷することで、当該各磁性体シートに導体パターンを形成する。また、各磁性体シートに形成された各貫通孔に導電ペーストを埋め込む。このようにして絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７となるグリーンシートに形成された導体パターンは、それぞれ導体パターン２５ａ１〜導体パターン２５ａ７となり、各貫通孔に埋め込まれた金属がビアＶａ１〜Ｖａ６となる。また、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７となるグリーンシートに形成された導体パターンは、それぞれ導体パターン２５ｂ１〜導体パターン２５ｂ７となり、各貫通孔に埋め込まれた金属がビアＶｂ１〜Ｖｂ６となる。各導体パターン及び各ビアは、スクリーン印刷法以外にも公知の様々な方法で形成され得る。

次に、絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７となる各グリーンシートを積層して第１コイル積層体を得る。絶縁膜１１ａ１〜絶縁膜１１ａ７となる各グリーンシートは、当該各グリーンシートに形成されている導体パターン２５ａ１〜２５ａ７の各々が隣接する導体パターンとビアＶａ１〜Ｖａ１６を介して電気的に接続されるように積層される。同様に、絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７となる各グリーンシートを積層して第２コイル積層体を得る。絶縁膜１１ｂ１〜絶縁膜１１ｂ７となる各グリーンシートは、当該各グリーンシートに形成されている導体パターン２５ｂ１〜２５ｂ７の各々が隣接する導体パターンとビアＶｂ１〜Ｖｂ１６を介して電気的に接続されるように積層される。

次に、絶縁積層体１１ａ８用の各グリーンシートを積層して第１下部積層体を形成し、上部カバー層１８ａ用の各グリーンシートを積層して第１上部積層体を形成し、絶縁積層体１１ｂ８用の各グリーンシートを積層して第２上部積層体を形成し、下部カバー層１８ｂ用の各グリーンシートを積層して第２下部積層体を形成する。

次に、第２下部積層体、第２コイル積層体、第２上部積層体、第１下部積層体、第１コイル積層体、及び第１上部積層体をＴ軸方向の負方向側から正方向側に向かってこの順序で積層し、この積層された各積層体をプレス機により熱圧着することで本体積層体が得られる。本体積層体は、２下部積層体、第２コイル積層体、第２上部積層体、第１下部積層体、第１コイル積層体、及び第１上部積層体を形成せずに、準備したグリーンシート全てを順番に積層して、この積層されたグリーンシートを一括して熱圧着することにより形成しても良い。

次に、ダイシング機やレーザ加工機等の切断機を用いて上記本体積層体を所望のサイズに個片化することで、チップ積層体が得られる。次に、このチップ積層体を脱脂し、脱脂されたチップ積層体を加熱処理する。このチップ積層体の端部に対して、必要に応じて、バレル研磨等の研磨処理を行う。

次に、このチップ積層体の両端部に導体ペーストを塗布することにより、外部電極２１、外部電極２２、外部電極２３、及び外部電極２４を形成する。外部電極２１、外部電極２２、外部電極２３、及び外部電極２４には、必要に応じて、半田バリア層及び半田濡れ層の少なくとも一方が形成されてもよい。以上により、コイル部品１が得られる。

上記の製造方法に含まれる工程の一部は、適宜省略可能である。コイル部品１の製造方法においては、本明細書において明示的に説明されていない工程が必要に応じて実行され得る。上記のコイル部品１の製造方法に含まれる各工程の一部は、本発明の趣旨から逸脱しない限り、随時順番を入れ替えて実行され得る。上記のコイル部品１の製造方法に含まれる各工程の一部は、可能であれば、同時に又は並行して実行され得る。

コイル部品１に含まれる各絶縁膜は、各種のフィラー粒子を分散させた樹脂を仮硬化させた絶縁シートから形成されてもよい。かかる絶縁シートについては、脱脂を行う必要がない。

コイル部品１は、スラリービルド法又はこれ以外の任意の公知の方法により製造されてもよい。

コイル部品１は、積層プロセスによって形成されるので、従来の組立型のカップルドインダクタよりも小型化が容易である。

本明細書で説明された各構成要素の寸法、材料、及び配置は、実施形態中で明示的に説明されたものに限定されず、この各構成要素は、本発明の範囲に含まれうる任意の寸法、材料、及び配置を有するように変形することができる。また、本明細書において明示的に説明していない構成要素を、説明した実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。

１、１０１ コイル部品
１１ 絶縁層
１８ａ 上部カバー層
１８ｂ 下部カバー層
３０ 第１の領域
４０ａ 第２の領域
４０ｂ 第３の領域
５０ 第４の領域
６０ 第５の領域

Claims (12)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層に埋設されており、第１上側コイル面及び第１下側コイル面を有する第１コイル導体と、
   第２上側コイル面及び第２下側コイル面を有し、前記絶縁層に、前記第２上側コイル面が前記第１コイル導体の前記第１下側コイル面と対向するように埋設された第２コイル導体と、
   前記絶縁層の上面に前記第１上側コイル面と対向するように設けられた第１カバー層と、
   前記絶縁層の下面に前記第２下側コイル面と対向するように設けられた第２カバー層と、
   を備え、
   前記第１カバー層及び前記第２カバー層の少なくとも一方は、前記絶縁層の透磁率よりも大きな透磁率を有する、
   磁気結合型コイル部品。
2. 前記第１カバー層及び前記第２カバー層はいずれも前記絶縁層の透磁率よりも大きな透磁率を有する、請求項１に記載の磁気結合型コイル部品。
3. 前記絶縁層は、前記第１下側コイル面と前記第２上側コイル面との間に配された第１の領域と、前記第１の領域と前記第１のカバー層との間に配された第２の領域と、前記第１の領域と前記第２のカバー層との間に配された第３の領域と、を有し、
   前記第１の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率及び前記第３の領域の透磁率の少なくとも一方よりも小さい、
   請求項１又は請求項２に記載の磁気結合型コイル部品。
4. 前記第１の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率及び前記第３の領域の透磁率のいずれよりも小さい、請求項３に記載の磁気結合型コイル部品。
5. 前記絶縁層は、積層された複数の絶縁膜を含み、
   前記複数の絶縁膜のうちの一つである第１絶縁膜には、前記第１コイル導体の一部をなす導体パターンが形成されており、
   前記絶縁層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配され、前記第１絶縁膜を含む第４の領域をさらに有し、
   前記第４の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率よりも小さい、
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
6. 前記絶縁層は、積層された複数の絶縁膜を含み、
   前記複数の絶縁膜のうちの一つである第２絶縁膜には、前記第２コイル導体の一部をなす導体パターンが形成されており、
   前記絶縁層は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に配され、前記第２絶縁膜を含む第５の領域をさらに有し、
   前記第５の領域の透磁率は、前記第３の領域の透磁率よりも小さい、
   請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
7. 前記第１コイル導体は、前記第１下側コイル面が前記第１の領域と接しており、
   前記第２コイル導体は、前記第２上側コイル面が前記第１の領域と接している、
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
8. 絶縁層と、
   前記絶縁層に埋設されており、第１上側コイル面及び第１下側コイル面を有する第１コイル導体と、
   前記絶縁層に埋設されており、第２上側コイル面及び第２下側コイル面を有する第２コイル導体と、
   前記絶縁層の上面に前記第１上側コイル面と対向するように設けられた第１カバー層と、
   前記絶縁層の下面に前記第２下側コイル面と対向するように設けられた第２カバー層と、
   を備え、
   前記絶縁層は、前記第１下側コイル面と前記第２上側コイル面との間に配された第１の領域と、前記第１の領域と前記第１のカバー層との間に配された第２の領域と、前記第１の領域と前記第２のカバー層との間に配された第３の領域と、を有し、
   前記第１の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率及び前記第３の領域の透磁率の少なくとも一方よりも小さい、
   磁気結合型コイル部品。
9. 前記第１の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率及び前記第３の領域の透磁率のいずれよりも小さい、請求項８に記載の磁気結合型コイル部品。
10. 前記絶縁層は、積層された複数の絶縁膜を含み、
    前記複数の絶縁膜のうちの一つである第１絶縁膜には、前記第１コイル導体の一部をなす導体パターンが形成されており、
    前記絶縁層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配され、前記第１絶縁膜を含む第４の領域をさらに有し、
    前記第４の領域の透磁率は、前記第２の領域の透磁率よりも小さい、
    請求項８又は請求項９に記載の磁気結合型コイル部品。
11. 前記絶縁層は、積層された複数の絶縁膜を含み、
    前記複数の絶縁膜のうちの一つである第２絶縁膜には、前記第１コイル導体の一部をなす導体パターンが形成されており、
    前記絶縁層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配され、前記第２絶縁膜を含む第５の領域をさらに有し、
    前記第５の領域の透磁率は、前記第３の領域の透磁率よりも小さい、
    請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
12. 前記第１コイル導体は、前記第１下側コイル面が前記第１の領域と接しており、
    前記第２コイル導体は、前記第２上側コイル面が前記第１の領域と接している、
    請求項８又は請求項９に記載の磁気結合型コイル部品。