JP2019111446A - 放射線画像撮影システム、画像処理装置、放射線画像撮影システムの制御方法、及び放射線画像撮影システムの制御プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】、補正用画像と撮影画像とで放射線の入射方向が変化した場合であっても、撮影画像に生じた段差成分の補正を適切に行うことができる、放射線画像撮影システム、画像処理装置、放射線画像撮影システムの制御方法、及び放射線画像撮影システムの制御プログラムを提供する。【解決手段】放射線画像撮影システム１０は、第１放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置１４１と、放射線画像撮影装置１４１よりも放射線照射装置１６から遠い側に放射線の入射方向に対して一部が重ね合わされた状態で配置され、第２放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置１４２とを備える。制御部３０は、第２放射線画像に対して、放射線画像撮影装置１４１のシンチレータ９８に起因して生じる変換層段差成分が示す変換層段差、及び放射線画像撮影装置１４１のＴＦＴガラス基板９０に起因して生じる基板段差成分が示す基板段差の各々を異なる補正方法により低減する補正を行う。【選択図】図１０

Description

本開示は、放射線画像撮影システム、画像処理装置、放射線画像撮影システムの制御方法、及び放射線画像撮影システムの制御プログラムに関する。

従来、被写体を撮影する放射線画像撮影装置として、例えば医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。放射線画像撮影装置は、放射線照射装置から照射され、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像を撮影する。放射線画像撮影装置は、照射された放射線に応じて発生した電荷を収集して読み出すことにより放射線画像の撮影を行う。

大きな被写体、例えば、長尺の被写体を撮影するため等、放射線画像撮影装置を複数用いて撮影を行う技術が知られている。複数の放射線画像撮影装置を隣接して配置する場合は、隣接部分に放射線画像の欠陥が生じないように、放射線画像撮影装置の端部（一部）を重ね合わせて重複させることが行われている。

撮影された放射線画像の重複部分では、放射線画像撮影装置の端部の段差に起因した段差成分が生じ、段差アーチファクトとして現れる。

そのため、例えば、特許文献１には、基準となる被写体をＸ線撮影して得られる画像の濃淡をあらわす輝度データから求めた補正係数を用いて、被写体を撮影した放射線画像の輝度を補正することにより、放射線画像撮影装置の重複領域の輝度の低下を補正する記述が記載されている。

また、特許文献２には、放射線画像撮影装置の重複方法（重複する領域）を工夫することにより、重複部分で発生する輝度変動を抑制し、撮影後の画像処理を容易にする技術が記載されている。

特開２０００−２７８６０７号公報 特開２０００−２９２５４６号公報

上記技術では、放射線画像撮影装置に入射する放射線の入射方向が変化してしまうと、段差成分を適切に補正することができなくなるという問題が生じる場合がある。

本開示は、上記問題点を解決するために成されたものであり、補正用画像と撮影画像とで放射線の入射方向が変化した場合であっても、撮影画像に生じた段差成分の補正を適切に行うことができる、放射線画像撮影システム、画像処理装置、放射線画像撮影システムの制御方法、及び放射線画像撮影システムの制御プログラムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本開示の放射線画像撮影システムは、放射線照射装置から入射された放射線を光に変換する第１変換層と、第１変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第１画素が形成された第１基板とを備えた第１放射線画像を撮影する第１放射線画像撮影装置と、第１放射線画像撮影装置よりも放射線照射装置から遠い側に、放射線の入射方向に対して一部が重ね合わされた状態で配置され、放射線を光に変換する第２変換層と、第２変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第２画素が形成された第２基板とを備え、第２放射線画像を撮影する第２放射線画像撮影装置と、第１放射線画像及び第２放射線画像を取得し、第２放射線画像に対して、第１放射線画像撮影装置の第１変換層に起因して生じる変換層段差成分が示す変換層段差、及び第１放射線画像撮影装置の第１基板に起因して生じる基板段差成分が示す基板段差の各々を、異なる補正方法により低減する補正を行う補正部と、を備える。

本開示の放射線画像撮影システムの補正部は、変換層段差について、第１放射線画像により低減する補正を行ってもよい。

本開示の放射線画像撮影システムの補正部は、変換層段差成分のうち、第１放射線画像に画像情報が存在するオーバーラップ領域について、第１放射線画像のオーバーラップ領域に対応する領域の画像を流用することで補正を行ってもよい。

本開示の放射線画像撮影システムの補正部は、変換層段差成分のうち、オーバーラップ領域と異なる領域について、流用した第１放射線画像と変換層段差とを滑らかに接続するための補正量を導出し、導出した補正量により補正を行ってもよい。

本開示の放射線画像撮影システムの補正部は、基板段差の補正を行った後、変換層段差の補正を行ってもよい。

また、本開示の画像処理装置は、放射線照射装置から入射された放射線を光に変換する第１変換層と、第１変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第１画素が形成された第１基板とを備えた第１放射線画像撮影装置により撮影された第１放射線画像、及び第１放射線画像撮影装置よりも放射線照射装置から遠い側に、放射線の入射方向に対して一部が重ね合わされた状態で配置され、放射線を光に変換する第２変換層と、第２変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第２画素が形成された第２基板とを備えた第２放射線画像撮影装置により撮影された第２放射線画像を取得し、第２放射線画像に対して、第１放射線画像撮影装置の第１変換層に起因して生じる変換層段差成分が示す変換層段差、及び第１放射線画像撮影装置の第１基板に起因して生じる基板段差成分が示す基板段差の各々を、異なる補正方法により低減する補正を行う補正部を備える。

また、本開示の放射線画像撮影システムの制御方法は、放射線照射装置から入射された放射線を光に変換する第１変換層と、第１変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第１画素が形成された第１基板とを備えた第１放射線画像を撮影する第１放射線画像撮影装置と、第１放射線画像撮影装置よりも放射線照射装置から遠い側に、放射線の入射方向に対して一部が重ね合わされた状態で配置され、放射線を光に変換する第２変換層と、第２変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第２画素が形成された第２基板とを備え、第２放射線画像を撮影する第２放射線画像撮影装置と、を備えた放射線画像撮影システムの制御方法であって、第１放射線画像及び第２放射線画像を取得するステップと、第２放射線画像に対して、第１放射線画像撮影装置の第１変換層に起因して生じる変換層段差成分が示す変換層段差、及び第１放射線画像撮影装置の第１基板に起因して生じる基板段差成分が示す基板段差の各々を、異なる補正方法により低減する補正を行うステップと、を備える。

また、本開示の放射線画像撮影システムの制御プログラムは、コンピュータに、本開示の制御方法の各ステップを実行させるためのものである。

本開示によれば、補正用画像と撮影画像とで放射線の入射方向が変化した場合であっても、撮影画像に生じた段差成分の補正を適切に行うことができる、という効果が得られる。

本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの一例の概略構成を示す概略構成図である。 本実施の形態に係る各種の補正を含む画像処理機能を説明するためのコンソールの一例を示す概略構成図である。 本実施の形態に係る放射線画像撮影装置の構成の一例を表す構成図である。 本実施の形態に係る放射線検出器の画素の一例の線断面図である。 本実施の形態に係る放射線照射装置と電子カセッテとの関係を説明するための説明図であり、横から見た状態を表している。 本実施の形態に係る放射線照射装置と電子カセッテとの関係を説明するための説明図であり、放射線照射装置側から見た放射線画像撮影装置を表している。 本実施の形態に係る放射線照射装置と電子カセッテとの関係を説明するための説明図であり、図５Ｂにおいて放射線画像撮影装置が動いた（移動した）状態を表している。 本実施の形態に係る各放射線画像撮影装置により撮影された放射線画像を説明するための説明図である。（１）は、上側の放射線画像撮影装置により撮影された放射線画像を示している。（２）は、下側の放射線画像撮影装置により撮影された放射線画像を示している。 本実施の形態に係るシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置の変化を説明するための説明図である。（１）は、撮影領域に入射する放射線Ｘの角度が異なる場合を示している。（２）は、放射線画像撮影装置が動いた（移動した）場合を示している。 本実施の形態に係る上側の放射線画像撮影装置で撮影された撮影画像に対する補正を行う画像処理の流れの一例を表したフローチャートである。 本実施の形態に係る下側の放射線画像撮影装置で撮影された撮影画像に対する補正を行う画像処理の流れの一例を表したフローチャートである。 本実施の形態に係る下側の放射線画像撮影装置で撮影された撮影画像に対する補正を行う画像処理の流れの一例を説明するための模式図である。 複数の電子カセッテを隣接して配置した一例を説明するための概略構成図である。 複数の電子カセッテを隣接して配置したその他の一例を説明するための概略構成図である。

以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。

まず、本実施の形態の放射線画像処理装置を備えた放射線画像撮影システム全体の概略構成について説明する。図１には、本実施の形態の放射線画像撮影システムの一例の全体構成の概略の概略構成図を示す。本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、電子カセッテ１２が複数の放射線画像撮影装置１４を備えている。

本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、コンソール２０を介して例えば、ＲＩＳ（Radiology Information System：放射線情報システム）等の外部のシステムから入力された指示（撮影メニュー）に基づいて、医師や放射線技師等の操作により放射線画像の撮影を行う機能を有する。

また、本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、電子カセッテ１２により撮影された放射線画像をコンソール２０の表示部（図２参照）や放射線画像読影装置（図示省略）に表示させることにより、医師や放射線技師等に放射線画像を読影させる機能を有する。なお、図示を省略した放射線画像読取装置とは、撮影された放射線画像を読影者が読影するための機能を有する装置であり、特に限定されないが、いわゆる、読影ビューワ、ディスプレイ、携帯端末、及びタブレット端末等が挙げられる。

本実施の形態の放射線画像撮影システム１０は、電子カセッテ１２、放射線照射装置１６、及びコンソール２０を備えている。

放射線照射装置１６は、コンソール２０の制御に基づいて放射線照射源である管球（図示省略）から放射線Ｘを被検体１８の撮影対象部位に照射させる機能を有している。なお、放射線照射装置１６は、ユーザが、管電圧、管電流および照射時間等の放射線Ｘの照射条件を放射線照射装置１６に対して直接手動で設定するための操作入力部や、設定された照射条件等を表示するための表示部を備えていてもよい。また、放射線照射装置１６は、手動設定されたこと、手動設定による設定値、現在のステータス（待機状態、準備状態、曝射中、及び曝射終了等）を示す情報をコンソール２０に送信する。なお、以下の説明では、管球の位置は、放射線照射装置１６の位置と等しいものとしている。

被検体１８を透過した放射線Ｘは、電子カセッテ１２に照射される。電子カセッテ１２の放射線画像撮影装置１４は、被検体１８を透過した放射線Ｘの線量に応じた電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成して出力する機能を有する。本実施の形態では、画像情報を生成して出力することを撮影という。本実施の形態の電子カセッテ１２は、筐体１３内に、複数の放射線画像撮影装置１４（１４_１〜１４_３）を備えている（詳細後述）。

本実施の形態では、電子カセッテ１２により出力された放射線画像を示す画像情報は、コンソール２０に入力される。本実施の形態のコンソール２０は、無線通信ＬＡＮ（Local Area Network）等を介して外部システム等から取得した撮影メニューや各種情報等を用いて、電子カセッテ１２及び放射線照射装置１６の制御を行う機能を有している。また、本実施の形態のコンソール２０は、電子カセッテ１２との間で各種情報の送受信を行う機能を有している。また、コンソール２０は、電子カセッテ１２から取得した放射線画像をＰＡＣＳ(Picture Archiving and Communication System：画像保存通信システム）２２に出力する機能を有している。電子カセッテ１２により撮影された放射線画像は、ＰＡＣＳ２２によって管理される。

本実施の形態のコンソール２０は、サーバー・コンピュータである。図２には、各種の補正を含む画像処理機能を説明するためのコンソール２０の概略構成図の一例を示す。コンソール２０は、制御部３０、表示部駆動部３２、表示部３４、操作入力検出部３６、操作入力部３８、Ｉ／Ｏ（Input Output）部４０、Ｉ／Ｆ（Interface)部４２、Ｉ／Ｆ部４４、及び記憶部５０を備えている。

制御部３０は、コンソール２０全体の動作を制御する機能を有しており、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、及びＨＤＤ（Hard disk drive）を備えている。ＣＰＵは、コンソール２０全体の動作を制御する機能を有しており、ＲＯＭには、ＣＰＵで使用される画像処理プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されている。ＲＡＭは、各種データを一時的に記憶する機能を有しており、ＨＤＤは、各種データを記憶して保持する機能を有している。また、制御部３０は、補正用画像取得部及び撮影画像取得部として機能する。また、制御部３０は、各種画像に対して各種の補正を含む画像処理を施す機能を有している。

表示部駆動部３２は、表示部３４への各種情報の表示を制御する機能を有している。本実施の形態の表示部３４は、撮影メニューや撮影された放射線画像等を表示する機能を有している。操作入力検出部３６は、操作入力部３８に対する操作状態や処理操作を検出する機能を有している。操作入力部３８は、放射線画像の撮影や撮影された放射線画像の画像処理に関する処理操作を、ユーザが入力するために用いられる。操作入力部３８は、一例としてキーボードの形態を有するものであってもよいし、表示部３４と一体化されたタッチパネルの形態を有するものであってもよい。また、操作入力部３８は、カメラを含んで構成され、このカメラにユーザのジェスチャーを認識させることにより各種指示を入力する形態を有するものであってもよい。

また、Ｉ／Ｏ部４０及びＩ／Ｆ部４２は、無線通信等により、ＰＡＣＳ２２及びＲＩＳとの間で各種情報の送受信を行う機能を有している。また、Ｉ／Ｆ部４４は、放射線画像撮影装置１４及び放射線照射装置１６との間で、各種情報の送受信を行う機能を有している。

記憶部５０は、撮影画像やゲインキャリブ画像等（詳細後述）を記憶する機能を有している。

制御部３０、表示部駆動部３２、操作入力検出部３６、Ｉ／Ｏ部４０、及び記憶部５０は、システムバスやコントロールバス等のバス４６を介して相互に情報等の授受が可能に接続されている。

次に、本実施の形態の電子カセッテ１２の概略構成について説明する。電子カセッテ１２は、複数の放射線画像撮影装置１４を備えている。なお、本実施の形態では、具体的一例として、図１に示すように、電子カセッテ１２が３個の放射線画像撮影装置１４（１４_１〜１４_３）を備えている場合について説明するが、放射線画像撮影装置１４の数は、本実施の形態に限定されない。なお、放射線画像撮影装置１４_１、１４_２、及び１４_３を区別しない場合や総称する場合には放射線画像撮影装置１４と表記する。

３個の放射線画像撮影装置１４は筐体１３内に収納されている。図１に示すように本実施の形態では、放射線画像撮影装置１４は、撮影領域（撮影面）が被検体１８に対向しており、隣接して配置されている。なお、本実施の形態の電子カセッテ１２では、図１に示すように放射線画像撮影装置１４の端部（一部）が隣接する放射線画像撮影装置１４と重ね合わせて配置している（詳細後述）。

このように複数（３個）の放射線画像撮影装置１４を配置することにより、電子カセッテ１２全体では、長尺の撮影領域を有することとなる。

図３には、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置１４の構成の一例を表す構成図を示す。本実施の形態では、Ｘ線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線画像撮影装置１４に本発明を適用した場合について説明する。なお、図３では、放射線を光に変換するシンチレータ９８（図４参照）は省略している。

本実施の形態の放射線画像撮影装置１４は、放射線検出器２６、スキャン信号制御回路１０４、信号検出回路１０５、制御部１０６、及び電源１１０を備えている。

放射線検出器２６は、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部１０３と、センサ部１０３に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）スイッチ７４と、を含んで構成される画素１００を備えている。本実施の形態では、シンチレータ９８（図４参照）によって変換された光が照射されることにより、センサ部１０３で、電荷が発生する。

画素１００は、一方向（図３のゲート配線方向）及びゲート配線方向に対する交差方向（図３の信号配線方向）にマトリクス状に複数配置されている。図３では、画素１００の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１００はゲート配線方向及び信号配線方向に１０２４個×１０２４個配置されている。

また、放射線検出器２６には、ＴＦＴスイッチ７４をオン／オフするための複数のゲート配線１０１と、上記センサ部１０３に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線７３と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、一方向の各画素列に信号配線７３が１本ずつ設けられ、交差方向の各画素列にゲート配線１０１が１本ずつ設けられている。例えば、画素１００がゲート配線方向及び信号配線方向に１０２４個×１０２４個配置されている場合、信号配線７３及びゲート配線１０１は１０２４本ずつ設けられている。

さらに、放射線検出器２６には、各信号配線７３と並列に共通電極配線９５が設けられている。共通電極配線９５は、一端及び他端が並列に接続されており、一端が所定のバイアス電圧を供給する電源１１０に接続されている。センサ部１０３は共通電極配線９５に接続されており、共通電極配線９５を介してバイアス電圧が印加されている。

ゲート配線１０１には、各ＴＦＴスイッチ７４をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各ゲート配線１０１に流れることによって、各ＴＦＴスイッチ７４がスイッチングされる。

信号配線７３には、各画素１００のＴＦＴスイッチ７４のスイッチング状態に応じて、各画素１００に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる。より具体的には、各信号配線７３には、信号配線７３に接続された画素１００の何れかのＴＦＴスイッチ７４がオンされることにより蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。

各信号配線７３には、各信号配線７３に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路１０５が接続されている。また、各ゲート配線１０１には、各ゲート配線１０１にＴＦＴスイッチ７４をオン／オフするための制御信号を出力するスキャン信号制御回路１０４が接続されている。図３では、信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４を１つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４を複数設けて所定本（例えば、２５６本）毎に信号配線７３又はゲート配線１０１を接続する。例えば、信号配線７３及びゲート配線１０１が１０２４本ずつ設けられている場合、スキャン信号制御回路１０４を４個設けて２５６本ずつゲート配線１０１を接続し、信号検出回路１０５も４個設けて２５６本ずつ信号配線７３を接続する。

信号検出回路１０５は、各信号配線７３毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路（図示省略）を内蔵している。信号検出回路１０５では、各信号配線７３より入力される電気信号を増幅回路により増幅し、ＡＤＣ（アナログ・デジタル変換器）によりデジタル信号へ変換する。

信号検出回路１０５及びスキャン信号制御回路１０４には、信号検出回路１０５において変換されたデジタル信号に対してノイズ除去などの所定の処理を施すとともに、信号検出回路１０５に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御回路１０４に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する制御部１０６が接続されている。

本実施の形態の制御部１０６は、マイクロコンピュータであり、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＯＭおよびＲＡＭ、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている（図示省略）。制御部１０６は、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＣＰＵで実行することにより、放射線画像の撮影のための制御を行う。

図４には、画素１００の断面図が示されている。図４に示すように、画素１００（放射線検出器２６）は、ＴＦＴガラス基板９０及びシンチレータ９８を備える。図４に示すように、ＴＦＴガラス基板９０は、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板７１上に、ゲート配線１０１（図３参照）及びゲート電極７２が形成されている。ゲート配線１０１とゲート電極７２とは接続されている。ゲート配線１０１、及びゲート電極７２が形成された配線層（以下、「第１信号配線層」ともいう）は、Ａｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。

第１信号配線層上には、一面に絶縁膜８５が形成されており、ゲート電極７２上に位置する部位がＴＦＴスイッチ７４におけるゲート絶縁膜として作用する。絶縁膜８５は、例えば、ＳｉＮｘ等からなっており、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）成膜により形成される。

絶縁膜８５上のゲート電極７２上には、半導体活性層７８が島状に形成されている。半導体活性層７８は、ＴＦＴスイッチ７４のチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。

これらの上層には、ソース電極７９、及びドレイン電極８３が形成されている。ソース電極７９及びドレイン電極８３が形成された配線層には、ソース電極７９、ドレイン電極８３とともに、信号配線７３が形成されている。ソース電極７９は信号配線７３に接続されている。ソース電極７９、ドレイン電極８３、及び信号配線７３が形成された配線層（以下、「第２信号配線層」ともいう）は、Ａｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜を用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。ソース電極７９及びドレイン電極８３と半導体活性層７８との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（図示省略）が形成されている。これらによりスイッチング用のＴＦＴスイッチ７４が構成される。なお、ＴＦＴスイッチ７４は後述する下部電極８１により収集、蓄積される電荷の極性によってソース電極７９とドレイン電極８３が逆となる。

これら第２信号配線層を覆い、基板７１上の画素１００が設けられた領域のほぼ全面（ほぼ全領域）には、ＴＦＴスイッチ７４や信号配線７３を保護するために、ＴＦＴ保護膜層８８が形成されている。ＴＦＴ保護膜層８８は、例えば、ＳｉＮｘ等からなっており、例えば、ＣＶＤ成膜により形成される。

ＴＦＴ保護膜層８８上には、塗布型の層間絶縁膜８２が形成されている。層間絶縁膜８２は、低誘電率（比誘電率εｒ＝２〜４）の感光性の有機材料（例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂：メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料など）により１〜４μｍの膜厚で形成されている。

本実施の形態に係るＴＦＴガラス基板９０では、層間絶縁膜８２によって層間絶縁膜８２上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。また、一般的にこのような材料は平坦化膜としての機能も有しており、下層の段差が平坦化される効果も有する。本実施の形態に係るＴＦＴガラス基板９０では、層間絶縁膜８２及びＴＦＴ保護膜層８８のドレイン電極８３と対向する位置にコンタクトホール８７が形成されている。

層間絶縁膜８２上には、コンタクトホール８７を埋めつつ、画素領域を覆うようにセンサ部１０３の下部電極８１が形成されており、下部電極８１は、ＴＦＴスイッチ７４のドレイン電極８３と接続されている。下部電極８１は、後述する半導体層９１が１μｍ前後と厚い場合には導電性があれば材料に制限がほとんどない。このため、Ａｌ系材料、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）など導電性の金属を用いて形成すれば問題ない。

一方、半導体層９１の膜厚が薄い場合（０．２〜０．５μｍ前後）、半導体層９１で光が吸収が十分でないため、ＴＦＴスイッチ７４への光照射によるリーク電流の増加を防ぐため、遮光性メタルを主体とする合金、若しくは積層膜とすることが好ましい。

下部電極８１上には、フォトダイオードとして機能する半導体層９１が形成されている。本実施の形態では、半導体層９１として、ｎ＋層、ｉ層、ｐ＋層（ｎ＋アモルファスシリコン、アモルファスシリコン、ｐ＋アモルファスシリコン）を積層したＰＩＮ構造のフォトダイオードを採用している。半導体層９１は、下層からｎ＋層９１Ａ、ｉ層９１Ｂ、ｐ＋層９１Ｃを順に積層して形成する。ｉ層９１Ｂは、光が照射されることにより電荷（一対の自由電子と自由正孔）が発生する。ｎ＋層９１Ａ及びｐ＋層９１Ｃは、コンタクト層として機能し、下部電極８１及び後述する上部電極９２とｉ層９１Ｂをと電気的に接続する。

各半導体層９１上には、それぞれ個別に上部電極９２が形成されている。上部電極９２には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：酸化亜鉛インジウム）などの光透過性の高い材料を用いている。本実施の形態に係るＴＦＴガラス基板９０では、上部電極９２や半導体層９１、下部電極８１を含んでセンサ部１０３が構成されている。

層間絶縁膜８２、半導体層９１及び上部電極９２上には、上部電極９２に対応する一部で開口９７Ａを持ち、各半導体層９１を覆うように、塗布型の層間絶縁膜９３が形成されている。

層間絶縁膜９３上には、共通電極配線９５がＡｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした合金あるいは積層膜で形成されている。共通電極配線９５は、開口９７Ａ付近にコンタクトパッド９７が形成され、層間絶縁膜９３の開口９７Ａを介して上部電極９２と電気的に接続される。

このように形成されたＴＦＴガラス基板９０には、必要に応じてさらに光吸収性の低い絶縁性の材料により保護膜が形成されて、その表面に光吸収性の低い接着樹脂を用いて放射線変換層であるシンチレータ９８が貼り付けられる。または、真空蒸着法により、シンチレータ９８が形成される。シンチレータ９８としては、吸収可能な波長領域の光を発生できるような、比較的広範囲の波長領域を有した蛍光を発生するシンチレータが望ましい。このようなシンチレータ９８としては、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣａＷＯ_４、ＹＴａＯ_４：Ｎｂ、ＢａＦＸ：Ｅｕ（ＸはＢｒまたはＣｌ）、または、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、及びＧＯＳ等がある。具体的には、放射線ＸとしてＸ線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが好ましく、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ〜７００ｎｍにあるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａを用いることが特に好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。なお、シンチレータ９８としてＣｓＩを含むシンチレータを用いる場合、真空蒸着法で短冊状の柱状結晶構造として形成したものを用いることが好ましい。

放射線検出器２６は、図４に示すように、半導体層９１が形成された側から放射線Ｘが照射されて、放射線Ｘの入射面の裏面側に設けられたＴＦＴガラス基板９０により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式（ＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式）とされた場合、半導体層９１上に設けられたシンチレータ９８の同図上面側でより強く発光する。一方、ＴＦＴガラス基板９０側から放射線Ｘが照射されて、放射線Ｘの入射面の表面側に設けられたＴＦＴガラス基板９０により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式（ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）方式）とされた場合、ＴＦＴガラス基板９０を透過した放射線Ｘがシンチレータ９８に入射してシンチレータ９８のＴＦＴガラス基板９０側がより強く発光する。ＴＦＴガラス基板９０に設けられた各画素１００のセンサ部１０３には、シンチレータ９８で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器２６は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもＴＦＴガラス基板９０に対するシンチレータ９８の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。

なお、放射線検出器２６は、図３及び図４に示したものに限らず、種々の変形が可能である。例えば、裏面読取方式の場合、放射線Ｘが到達する可能性が低いため、上述のものに代えて、放射線Ｘに対する耐性が低い、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の他の撮影素子とＴＦＴとを組み合わせてもよい。また、ＴＦＴのゲート信号に相当するシフトパルスにより電荷をシフトしながら転送するＣＣＤ（Charge-Coupled Device）イメージセンサに置き換えてもよい。

また例えば、フレキシブル基板を用いたものでもよい。フレキシブル基板としては、近年開発されたフロート法による超薄板ガラスを基材として用いたものを適用することが、放射線の透過率を向上させるうえで好ましい。なお、この際に適用できる超薄板ガラスについては、例えば、「旭硝子株式会社、"フロート法による世界最薄０．１ミリ厚の超薄板ガラスの開発に成功"、[online]、[平成２３年８月２０日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.agc.com/news/2011/0516.pdf＞」に開示されている。

次に、本実施の形態の電子カセッテ１２における放射線画像撮影装置１４について説明する。なお、以下では具体的一例として、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１４を用いた場合について説明する。図５Ａ〜図５Ｃには、放射線照射装置１６と電子カセッテ１２との関係を説明するための説明図を示す。図５Ａは、横から見た状態を表しており、図５Ｂは、放射線照射装置１６側から見た放射線画像撮影装置１４を表している。図５Ｃは、図５Ｂにおいて放射線画像撮影装置１４が動いた（移動した）状態を表している。なお、図５Ａ〜図５Ｃでは、筐体１３の記載は省略している。

本実施の形態の放射線画像撮影装置１４は、具体的一例として、図５Ｂに示したように、放射線検出器２６の撮影領域の長尺となる側の一辺にスキャン信号制御回路１０４が設けられている（図５Ａでは、スキャン信号制御回路１０４の図示省略）。また、図５Ｂに示したように、放射線検出器２６のスキャン信号制御回路１０４が設けられている辺と交差する側の一辺に、信号検出回路１０５が設けられている。信号検出回路１０５は、図５Ａに示すように、放射線検出器２６に積層されている。撮影を行う際には、各放射線画像撮影装置１４の放射線検出器２６が設けられている側（撮影領域）が放射線照射装置１６と対向するように電子カセッテ１２が配置される（図５Ａ参照）。

また、本実施の形態の放射線画像撮影装置１４は、具体的一例として、図５Ａに示すように、ＴＦＴガラス基板９０の方がシンチレータ９８よりも大きい。より具体的には、放射線照射装置１６に対向する面積は、ＴＦＴガラス基板９０の方がシンチレータ９８よりも大きい。本実施の形態では、放射線照射装置１６に対向するシンチレータ９８の面積に応じて、撮影領域の範囲（大きさ）が定まる。

本実施の形態の電子カセッテ１２では、下記（１）〜（３）の理由等に起因して、図５Ａに示すように、放射線画像撮影装置１４の撮影領域の端部（一部）と隣接する放射線画像撮影装置１４の端部とが重なり合わされて配置されている。具体的には、放射線Ｘの入射方向に対して撮影領域が重複するように重なり合わされている。

（１）各放射線画像撮影装置１４の撮影領域同士の間隔が空いてしまうと、被検体１８の撮影部位に撮影されない部分が生じる場合がある。このような場合、放射線画像撮影装置１４_１〜１４_３の各々で撮影された放射線画像をつなげた長尺の放射線画像（電子カセッテ１２全体の放射線画像）としては、欠陥が生じることになる。

（２）また、放射線画像撮影装置１４（放射線検出器２６）を量産する場合、放射線画像撮影装置１４（放射線検出器２６）の製造上のばらつきにより、隣接する放射線検出器２６同士を密着させて、隙間無く配置することが困難となる。

さらに、放射線画像撮影装置１４（放射線検出器２６）は、温度により膨張する場合がある。このような場合に隣接する放射線検出器２６同士を密着させて、隙間無く配置していると、ＴＦＴガラス基板９０が損傷してしまう懸念がある。

（３）また、放射線画像撮影装置１４同士の温度が異なると、膨張率が異なる。そのため、本実施の形態の電子カセッテ１２では、各放射線画像撮影装置１４を筐体１３に固定する一方、各放射線画像撮影装置１４同士は固定せずに配置している。互いに固定されていないため、放射線画像撮影装置１４（放射線検出器２６）が動く（移動する、図５Ｃ参照）。

なお、重ね合わせた重複部分の撮影領域の範囲（大きさ）は、放射線照射装置１６から照射される放射線Ｘの斜入、放射線画像撮影装置１４の動き（移動、図５Ｃ参照）等に応じて定めればよい。

図５Ａに示したように、本実施の形態の放射線画像撮影システム１０では、放射線照射装置１６の位置が電子カセッテ１２の長尺方向に沿った方向に移動可能とされている。そのため、撮影する被検体１８（図１参照）の撮影部位や撮影の種類等に応じて、放射線照射装置１６の位置が異なり、電子カセッテ１２の長尺の撮影領域に対する相対的な位置が変位する。そのため、放射線照射装置１６の位置に応じて各放射線画像撮影装置１４では、入射する放射線Ｘの角度が異なる。具体的に図５Ａでは、放射線画像撮影装置１４_１及び放射線画像撮影装置１４_２の重複部分では、位置Ｂから照射された放射線Ｘは、撮影領域に対してほぼ直交するように入射するが、位置Ａから照射された放射線Ｘは、撮影領域に対して斜めに入射（斜入）する。また、図５Ｃに示したように、放射線画像撮影装置１４が動く（移動する）と、重複部分の撮影領域が変化する。

これらのような種々の場合を考慮し、本実施の形態の電子カセッテ１２では、撮影領域同士の重複がなくならないように、重複部分の撮影領域の範囲を余裕をもって定めている。

本実施の形態の電子カセッテ１２では、図５Ａに示したように、具体的一例として、放射線画像撮影装置１４_１及び１４_３が上（放射線照射装置１６側から見て上側、放射線照射装置１６に近い側）、放射線画像撮影装置１４_２が下（放射線照射装置１６側から見て下側、放射線照射装置１６に遠い側）となるいわゆる段丘状に端部が重ね合わされている。

なお、放射線画像撮影装置１４同士の間に、信号検出回路１０５が挟まるように設けられていると、信号検出回路１０５が放射線画像に写り込んでしまう場合があるため、本実施の形態のように、信号検出回路１０５が挟まらないように重ね合わせることが好ましい。

次に、電子カセッテ１２による放射線画像の撮影について説明する。本実施の形態の電子カセッテ１２では、放射線Ｘの１回の照射（１ショット）により、全放射線画像撮影装置１４で放射線画像の撮影が行われる。図６は、各放射線画像撮影装置１４により撮影された放射線画像を説明するための説明図を示している。図６（１）は、放射線画像撮影装置１４_１により撮影された放射線画像を示している。図６（２）は、放射線画像撮影装置１４_２により撮影された放射線画像を示している。

上側に配置された放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）では、撮影された放射線画像は、図６（１）に示したように単独の放射線画像撮影装置１４を用いて撮影された放射線画像と同様になる。

一方、下側に配置された放射線画像撮影装置１４_２では、上述のように、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）の重複部分では、段差が生じる。段差に起因して、図６（２）に示したように、撮影された放射線画像に、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）の重複部分の影が映り込んでしまい段差成分が生じる。本実施の形態の放射線画像撮影装置１４_２では、放射線検出器２６のＴＦＴガラス基板９０とシンチレータ９８との端部の位置が異なるため、ＴＦＴガラス基板９０による段差に起因した段差成分、及びシンチレータ９８による段差に起因した段差成分の２種類の段差成分が発生する。なお、以下では、放射線画像における２種類の段差成分以外の部分の領域の画像に対応する成分を通常成分という。

なお、本実施の形態では、シンチレータ９８による段差に起因した段差成分をシンチ段差成分といい、ＴＦＴガラス基板９０による段差に起因した段差成分をガラス段差成分という。また、シンチ段差成分及びガラス段差成分を区別しない場合は、段差成分と総称する。さらに、シンチ段差成分とガラス段差成分との境界を表す画像をシンチ段差といい、ガラス段差成分と通常成分との境界を表す画像をガラス段差という。また、シンチ段差及びガラス段差を区別しない場合は、段差と総称する。

上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）の影が写り込んでしまうため、シンチ段差成分、ガラス段差成分、及び通常成分では、対応する領域（画像）の濃度が異なっている。

図７には、シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置の変化を説明するための説明図を示す。図７は、放射線画像撮影装置１４_２により撮影された放射線画像における放射線画像撮影装置１４_１の端部に起因するシンチ段差成分及びガラス段差成分を含む端部領域を示している。図７（１）は、撮影領域に入射する放射線Ｘの角度が異なる場合を示している。撮影領域に入射する放射線Ｘの角度が異なると、シンチ段差成分及びガラス段差成分は、入射角度に応じて位置が異なってしまい、シンチ段差及びガラス段差の位置が異なる。図７（１）に示したように、位置Ａ（図５Ａ参照）から放射線Ｘが照射された場合のシンチ段差及びガラス段差と、位置Ｂ（図５Ａ参照）から放射線Ｘが照射された場合のシンチ段差及びガラス段差とでは、位置が異なる。

また、図７（２）は、図５Ｃに示したように、放射線画像撮影装置１４が動いた（移動した）場合を示している。放射線画像撮影装置１４が動く（移動する）と、シンチ段差成分及びガラス段差成分は、動き（移動）に応じて角度が異なってしまい、シンチ段差及びガラス段差が、移動前のシンチ段差及びガラス段差に対して非平行になる。図７（２）に示したように、図５Ｂの状態（移動前）で撮影された場合のシンチ段差及びガラス段差と、図５Ｃの状態（移動後）で撮影された場合のシンチ段差及びガラス段差とは、非平行になっている。

このように、本実施の形態の放射線画像撮影装置１４_２により撮影された放射線画像では、放射線照射装置１６の位置（放射線の入射角度）及び放射線画像撮影装置１４の動き（移動）に応じて、シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置が変化する。すなわち、シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置ずれが生じる。

放射線画像撮影装置１４_２により撮影された放射線画像では、放射線照射装置１６の位置（放射線の入射角度）に応じて、シンチ段差及びガラス段差の位置が長尺方向に略平行移動する。また、放射線画像撮影装置１４_２により撮影された放射線画像では、放射線画像撮影装置１４の動き（移動）に応じて、シンチ段差及びガラス段差の角度が変化する。

次に、本実施の形態の放射線画像撮影システム１０における、電子カセッテ１２の各放射線画像撮影装置１４で撮影した放射線画像に対する補正について説明する。放射線画像撮影装置１４で撮影された放射線画像には、画像処理により種々の補正が行われる。

本実施の形態の放射線画像撮影システム１０では、電子カセッテ１２の各放射線画像撮影装置１４で撮影された放射線画像は、各放射線画像撮影装置１４の制御部１０６からコンソール２０にそれぞれ出力される。コンソール２０は、各放射線画像撮影装置１４から入力された放射線画像に対して、種々の補正や段差成分の位置ずれの修正を含む画像処理を行う修正部等の各機能部として機能する。なお、修正部としての機能はコンソール２０の制御部３０に限らず、その他のコンソール２０の機能部や有していてもよいし、電子カセッテ１２または放射線画像撮影装置１４が有していてもよい。また、補正の種類により補正を実施する機能部を異ならせてもよい。

コンソール２０により行われる補正の種類は、放射線画像撮影装置１４の配置（上側及び下側）により異なる。

本実施の形態のコンソール２０には、放射線画像撮影装置１４を示すＩＤ等の情報と配置（上側、下側）との対応関係が記憶部５０に予め記憶されている。また、コンソール２０に入力された放射線画像は、一旦、記憶部５０に記憶される。放射線画像撮影装置１４は、自装置を示すＩＤを放射線画像に対応付けてコンソール２０に出力する。コンソール２０は、記憶部５０に記憶されている対応関係を参照することにより、放射線画像が上側及び下側の放射線画像撮影装置１４のいずれで撮影されたものであるかを認識することができる。

なお、放射線画像を撮影した放射線画像撮影装置１４が上側及び下側のいずれに配置されたものであるかを認識する方法としては、本実施の形態に限らない。例えば、各放射線画像撮影装置１４が自装置が上側及び下側のいずれであるかを示す情報を放射線画像に付加してコンソール２０に出力するようにしてもよい。

本実施の形態のコンソール２０は、下側の放射線画像撮影装置１４（１４_２）で被検体１８を撮影した放射線画像（以下、撮影画像という）に対する補正（段差補正、詳細後述）を行う場合、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）の補正済みの撮影画像を参照する。そのため、まず、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）で撮影された撮影画像に対して補正を行う。

上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）で撮影された撮影画像に対する補正について説明する。図８には、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）で撮影された撮影画像に対する補正を行う画像処理の流れの一例を表したフローチャートを示す。本実施の形態のコンソール２０では、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）で撮影された撮影画像に対して、オフセット補正、ゲイン補正、及び欠陥補正の３種類の補正を行う。

ステップＳ１００では、コンソール２０の制御部３０は、記憶部５０から一旦記憶しておいた、上側の放射線画像撮影装置１４の撮影画像を取得する。具体的に本実施の形態の制御部３０は、放射線画像撮影装置１４_１、１４_３のいずれかの撮影画像を取得する。なお、以下では、放射線画像撮影装置１４により撮影された撮影画像の具体的一例として、位置Ｂ（図５Ａ参照）から照射された放射線Ｘにより被検体１８を撮影した撮影画像（放射線画像）について説明する。

次のステップＳ１０２では、制御部３０が、取得した撮影画像（放射線画像撮影装置１４_１、１４_３）に対応するゲインキャリブ画像（詳細後述）を記憶部５０から取得する。

次のステップＳ１０４では、制御部３０は、撮影画像のオフセット補正を行う。オフセット補正は、放射線Ｘが照射されていない状態で撮影されたオフセット（零点）のばらつきを補正することである。オフセット成分には、放射線画像撮影装置１４の放射線検出器２６の各画素１００が有する暗電流や信号検出回路１０５が内蔵する増幅回路のアンプのオフセット等があり、温度に応じて変化する。

次のステップＳ１０６では、制御部３０は、撮影画像のゲイン補正及び欠陥補正を行った後、本処理を終了する。

ゲイン補正（ゲインキャリブレーション）は、放射線検出器２６の撮影領域全面の各画素１００の感度のばらつきを補正することである。ゲイン補正では、撮影領域に遮蔽物が存在していない状態、または基準の被写体が存在する状態で撮影領域に放射線Ｘを照射して撮影された放射線画像（以下、ゲインキャリブ画像という）に基づいて、撮影画像を補正する。ゲイン成分には、放射線照射装置１６から照射される放射線Ｘの強度分布、放射線検出器２６の各画素１００の感度のばらつき、及び信号検出回路１０５が内蔵する増幅回路のアンプのゲインのばらつき等がある。

本実施の形態のコンソール２０は、撮影領域に遮蔽物が存在していない状態で位置Ａ（図５Ａ参照）から放射線Ｘを照射して撮影された各放射線画像撮影装置１４のゲインキャリブ画像を取得し、放射線画像撮影装置１４を示すＩＤ等の情報に対応付けて予め記憶部５０に記憶させておく。制御部３０は、記憶部５０に記憶されているゲインキャリブ画像に基づいて、放射線検出器２６の各画素１００の感度のばらつきを補正することにより、撮影画像のゲイン補正を行う。

ゲインキャリブ画像と撮影画像とでは、放射線Ｘの照射位置が異なっているが、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）では、段差成分が生じていないため、適切にゲイン補正を行うことができる。

欠陥補正は、欠陥が生じている画素１００の画素値を補正することである。欠陥補正では、欠陥画素の画素値を周囲の画素の画素値に基づいて補間する。

このようにしてオフセット補正、ゲイン補正、及び欠陥補正が行われた撮影画像は、記憶部５０に記憶される。

次に、コンソール２０の制御部３０は、下側の放射線画像撮影装置１４（１４_２）で撮影された撮影画像に対して補正を行う。

下側の放射線画像撮影装置１４（１４_２）で撮影された撮影画像に対する補正について説明する。図９には、下側の放射線画像撮影装置１４（１４_２）で撮影された撮影画像に対する補正を行う画像処理の流れの一例を表したフローチャートを示す。

本実施の形態のコンソール２０では、下側の放射線画像撮影装置１４（１４_２）で撮影された撮影画像に対して、上述のオフセット補正、ゲイン補正、及び欠陥補正に加えて段差補正の４種類の補正を行う。

なお、以下では、説明が煩雑になるのを避けるため、放射線画像撮影装置１４_１に起因する段差補正を行う場合について説明する。また、具体的一例として、ゲインキャリブ画像の撮影時（位置Ａ）と撮影画像の撮影時(位置Ｂ）とで放射線照射装置１６の位置（放射線の入射角度）が異なり、また、図５Ｃに示したように放射線画像撮影装置１４が動いた（移動した）場合について説明する。

図１０には、下側の放射線画像撮影装置１４（１４_２）で撮影された撮影画像に対する補正を行う画像処理の流れの一例を説明するための模式図を示す。

なお、コンソール２０の制御部３０では、図１０に示した画像処理を行う前に、予め、ゲインキャリブ画像からシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を検出する。ゲインキャリブ画像からシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を検出する方法は特に限定されない。

シンチ段差を検出する具体的一例として、本実施の形態の制御部３０は、ノイズを除去する処理を行った後のゲインキャリブ画像に対してシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置の検出を行っている。ノイズを除去する処理としては、高周波除去処理として、例えば、主方向メディアンフィルタ処理を行う。主方向とは、電子カセッテ１２の副方向と交差する方向である。また、副方向とは、放射線照射装置１６の移動する方向であり本実施の形態では電子カセッテ１２の長尺方向である。また例えば、移動平均フィルタ処理を適用してもよいし、また、その他高周波除去フィルタを適用してもよい。

ノイズを除去する処理を行った後のゲインキャリブ画像に対してシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置の検出する方法としては、例えば、ゲインキャリブ画像から直線（直線を表す画像）を検出することにより、シンチ段差及びガラス段差を検出し、検出したシンチ段差及びガラス段差に基づいて、シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を検出すればよい。直線の検出方法は特に限定されず、一般的な手法を用いればよく、例えば、ハフ変換（Hough変換）等を用いればよい。

画像処理のステップＳ２００では、上述したステップＳ１００と同様に、コンソール２０の制御部３０は、記憶部５０から一旦記憶しておいた、下側の放射線画像撮影装置１４の撮影画像を取得する。具体的に本実施の形態の制御部３０は、放射線画像撮影装置１４_２の撮影画像を取得する。

次のステップＳ２０２では、上述したステップＳ１０２と同様に、制御部３０が、取得した撮影画像（放射線画像撮影装置１４_２）に対応するゲインキャリブ画像を記憶部５０から取得する。

本実施の形態のコンソール２０では、撮影画像から段差の位置を検出しやすくするために、段差の位置の検出を行う前にオフセット補正及び欠陥補正を行っておく。そのため、次のステップＳ２０４では、上述したステップＳ１０４と同様に、制御部３０は、撮影画像のオフセット補正を行う。

次のステップＳ２０６では、撮影画像のゲイン補正及び欠陥補正を行う。なお、本ステップにおけるゲイン補正では、ステップＳ２０２で取得したゲインキャリブ画像（何も補正されていないゲインキャリブ画像）に基づいて、ステップＳ２０４によりオフセット補正済みの撮影画像のゲイン補正を行う。

ゲイン補正及び欠陥補正の方法は、特に限定されない。なお、取得した撮影画像及びゲインキャリブ画像には、段差成分が含まれているため、段差成分部分のＱＬ値（画素値）は通常成分部分に比べて低下する。そのため、段差成分部分のＱＬ値の低下を考慮してゲイン補正及び欠陥補正を行うことが好ましい。

本実施の形態の制御部３０が行うゲイン補正の具体的一例について説明するが、ゲイン補正の方法は特に限定されるものではない。ゲイン補正は、画素毎の感度のばらつきを補正するものであるため、照射野は、放射線検出器２６上では絞られることは好ましくない。また、ＳＩＤ（Source Image Distance：焦点と撮影面との距離）が短すぎてヒール効果の影響により放射線Ｘの減衰が過度にあると望ましくない。そのため、本実施の形態の制御部３０で実行されるゲイン補正では、照射野絞りを検出したり、過度なヒール効果による放射線Ｘの減衰を検出すべく、画素値が大きすぎたり、小さすぎたりした場合はエラーとして判定する。段差成分部分では、ＱＬ値が大きく低下するため、これを考慮したエラー判定を行う。放射線画像撮影装置１４が重複する段差成分部分では、画素値が大きく下がるため、あらかじめ重複している領域と重複していない領域との画素値の比を設定値として求めておき、エラーと判定する上限及び下限の閾値に設定値の比を乗じておけば、重複領域の放射線吸収による影響を除去して画素値の異常を判定することができる。このようにして画素値の異常を判定した後、ゲインキャリブ画像に基づいて、オフセット補正済みの撮影画像のゲイン補正を行う。

上述したようにゲインキャリブ画像と撮影画像とでは、撮影時の放射線照射装置１６の位置（放射線の入射角度）が異なる。また、放射線画像撮影装置１４が動いて（移動した）いる。そのため、上述したように、ゲインキャリブ画像に生じた段差成分の位置と、撮影画像に生じた段差成分の位置とが異なっている。ゲインキャリブ画像と撮影画像とでは、段差成分の位置が異なっているため、ゲイン補正を行うと、補正後の画像にはゲインキャリブ画像の段差成分と撮影画像の段差成分と２つの段差成分が生じる。本実施の形態の段差成分は、シンチ段差成分及びガラス段差成分を含むため、ゲイン補正後の画像には、４つの段差が生じる（図１０、図７（２）参照）。

また、本実施の形態の制御部３０が行う欠陥補正の具体的一例について説明するが欠陥方正の方法は特に限定されるものではない。本実施の形態の制御部３０では、オフセット補正済みの撮影画像に対して、主方向及び副方向のメディアンフィルタや、移動平均フィルタ、及び高周波フィルタ等による処理により周囲の統計処理を行った後の撮影画像と、処理前の撮影画像との差分を閾値判定するアルゴリズムにより、欠陥補正を行っている。画素１００毎に閾値を比較して閾値に基づいて欠陥画素であるか否かを判定する。閾値は、メディアンフィルタをかけて周囲の統計処理を行った結果の画素値と、通常成分の画素値との比をとり、閾値に比を乗算したものを重複部分の閾値として用いている。

次のステップＳ２０８では、制御部３０は、撮影画像に逆数の係数を乗じる。なお、本実施の形態では、逆数の係数の具体的一例として、逆ゲイン補正を行う。本ステップで逆ゲイン補正を行う対象となる撮影画像には、上述したように、４つの段差が発生している。

本実施の形態の制御部３０では、予め取得しておいた逆ゲイン補正用のゲインキャリブ画像に基づいて逆ゲイン補正を行う。なお、逆ゲイン補正用のゲインキャリブ画像は、高周波ノイズ等のノイズを高周波除去処理を行って除去したゲインキャリブ画像を予め取得しておく。ノイズを除去する方法としては、特に限定されず、例えば、点欠陥及び線欠陥が除去できるマスクサイズのメディアンフィルタ処理を主方向及び副方向に適用してもよいし、移動平均フィルタ処理を適用してもよいし、また、その他高周波除去フィルタを適用してもよい。

その後、本実施の形態の制御部３０では、具体的一例として、ノイズを除去したゲインキャリブ画像に対して、段差成分（シンチレータ９８による放射線Ｘ吸収起因の段差成分、及びＴＦＴガラス基板９０による放射線Ｘ吸収起因の段差成分）を切り出す。実際には、段差成分の位置は正確に分かってはいないが、設計上、または実験等により、段差成分が生じる領域が得られるため、得られた領域が全て含まれる領域をトリミングすることにより、段差成分のトリミングを行う。なお、図１０に示したゲインキャリブ画像では、放射線画像撮影装置１４_１により生じる段差成分を示しているが、実際には、ゲインキャリブ画像には放射線画像撮影装置１４_３による段差成分も生じている。そのため、制御部３０は、両方の段差成分の切り出しを行う。すなわち、制御部３０は、ゲインキャリブ画像の両端部から、段差成分のトリミングを行う。

制御部３０は、トリミングした両段差成分の間の画像（通常成分に対応）と両段差成分とがスムーズに接続されるようにＱＬ値を調整して逆ゲイン補正用のゲインキャリブ画像を生成する。制御部３０は、予め取得しておいた逆ゲイン補正用のゲインキャリブ画像をステップＳ２０６の処理により欠陥補正済みの撮影画像に乗算して、逆ゲイン補正を行う。

逆ゲイン補正に用いたゲインキャリブ画像の段差成分の位置は、撮影画像とは異なっているが、ステップＳ２０６のゲイン補正に用いたゲインキャリブ画像と同様である。そのため、逆ゲイン補正を行うことにより、ゲインキャリブ画像に起因する段差成分が除去されるため、撮影画像に生じていた４つの段差が２つの段差に戻る。

また、逆ゲイン補正を行ったことにより、撮影画像は、各画素１００のゲインについて、ゲイン補正前の画像と同様になる。

次のステップＳ２１０では、ステップＳ２０８により得られた撮影画像からシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を検出する。シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置の検出方法は特に限定されない。本実施の形態の制御部３０は、具体的一例として、撮影画像から直線（直線を表す画像）を検出することにより、シンチ段差及びガラス段差を検出し、検出したシンチ段差及びガラス段差に基づいて、シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を検出する。直線の検出方法は特に限定されず、一般的な手法を用いればよく、例えば、ハフ変換（Hough変換）等を用いればよい。

なお、撮影画像から直線を検出する際に、撮影画像全体に対して直線を検出する処理を行ってもよいが、シンチ段差及びガラス段差の位置を推測し、推測した位置が含まれる領域に対して直線を検出する処理を行うことが好ましい。例えば、設計上、または実験等により、シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置が取り得る範囲を得ておき、範囲内にシンチ段差及びガラス段差があると推測するようにしてもよい。また例えば、設計上、または実験等により、シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置ずれ量を得ておき、予めゲインキャリブ画像から検出しておいたシンチ段差及びガラス段差と位置ずれ量とに基づいた範囲内にシンチ段差及びガラス段差があると推測するようにしてもよい。このように、推測した位置が含まれる領域に対して直線を検出する処理を行うほうが、撮影画像全体に対して直線を検出する処理を行う場合に比べて検出精度を向上させることができる。

なお、ガラス段差はシンチ段差に比べて放射線Ｘの透過率の差異が小さいため、ガラス段差成分と通常成分との濃度差が小さい。そのため、先にシンチ段差成分(シンチ段差）を検出し、その後、検出したシンチ段差の位置に基づいてガラス段差成分の位置を検出するようにしてもよい。

次のステップＳ２１２では、欠陥補正後のゲインキャリブ画像の座標を変換することにより、ゲインキャリブ画像の段差成分の位置を、ステップＳ２１０で検出した撮影画像の段差成分の位置に合わせるように修正する。なお、本実施の形態において画像の座標とは、画素の座標（位置）であり、ｙ方向が放射線照射装置１６が移動する長尺方向（副方向）であり、ｘ方向が長尺方向と交差する方向（主方向）である。座標の変換方法は、限定されるものではなく、例えば、ゲインキャリブ画像の段差成分を平行移動する方法や、回転する方法、段差成分の形を変形させる方法等が挙げられる。段差成分の形を変形させる方法の具体的一例としては、検出したゲインキャリブ画像の段差と撮影画像の段差との角度ずれに応じて、ゲインキャリブ画像の段差成分を副方向に平行四辺形状に変形させることが挙げられる（図１０参照）。このように平行四辺形状に変形させた場合は、矩形のゲインキャリブ画像に当てはめた際に矩形からはみ出した領域の画像情報は考慮しなくてよい。

なお、図１０に示したゲインキャリブ画像では、放射線画像撮影装置１４_１により生じる段差成分を示しているが、実際には、放射線画像撮影装置１４_３による段差成分も生じている。そのため、制御部３０は、ゲインキャリブ画像の両方の段差成分の座標を変換して、段差成分の位置を修正する。なお、撮影画像の端部の一方のみに段差成分が生じている場合は、撮影画像全体の座標を変換させて段差成分の位置の修正を行ってもよい。

ゲイン補正用のゲインキャリブ画像の生成には、座標変換した両段差成分の間の画像（通常成分に対応）と各段差成分とがスムーズに接続される処理を行うことが好ましい。

次のステップＳ２１４では、制御部３０は、ステップＳ２１２の処理により段差成分の位置を修正したゲインキャリブ画像に基づいて、ステップＳ２０８により逆ゲイン補正を行った撮影画像のゲイン補正を行う。

本ステップにおけるゲイン補正では、ゲインキャリブ画像の段差成分の位置が撮影画像の段差成分の位置に合わせてあるため、上記ステップＳ２０６で行ったゲイン補正のように、段差が４つになることなく、適切にゲイン補正を行うことができる。

さらに、本実施の形態のコンソール２０では、撮影画像に生じた段差成分の補正（段差補正）を行う。本実施の形態において、段差補正とは、段差成分の濃度と通常成分の濃度との濃度差を低減するための補正のことをいう。オフセット補正、ゲイン補正、及び欠陥画素補正を先に行っておくことにより、段差補正を適切に行うことができる。

そのため、次のステップＳ２１６では、まず、制御部３０は、ガラス段差成分の段差補正を行う。本実施の形態の制御部３０が行うガラス段差成分の段差補正の具体的一例について説明する。段差は、一般的に水平（ｙ座標が一定）ではなく、斜めであるため、ｙ座標が一定であるｘレンジにおいて、例えば、特開２００９−２８５３５４号公報に記載の技術を参照して、段差補正を行う。ｙ座標が変化するｘレンジ境界で縦スジが発生するため、補正画像（境界の隣接ｙ座標の画素値の差分を主方向にスムージングすることにより計算する）をｘ方向にスムージングすることにより、縦スジ発生を防止することができる。

なお、ガラス段差成分の段差補正の方法は、本実施の形態の具体的一例に限定されず、ガラス段差成分の濃度と、通常成分の濃度との濃度差を低減させることができるものであればよい。

次のステップＳ２１８では、制御部３０は、シンチ段差成分の段差補正を行う。本実施の形態の制御部３０が行うシンチ段差成分の段差補正の具体的一例について説明する。本実施の形態の制御部３０は、シンチ段差成分を２つの領域に分けて段差補正を行っている。

撮影画像上で、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）の撮影画像に画像情報が存在する領域（オーバーラップ領域）については、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）の画像情報を流用する。そのため、本実施の形態では、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）の撮影画像に対する補正を先に行っている。流用する画像情報の領域（オーバーラップ領域）の座標（アドレス）は、設定値または実験等により得られた値を予め得ておき、コンソール２０の記憶部５０、各放射線画像撮影装置１４内、及び電子カセッテ１２内の制御部や記憶部（図示省略）等に記憶させておけばよい。

また、図５Ａに示したように、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）と、下側の放射線画像撮影装置１４（１４_２）とでは、ＳＩＤが異なるため、流用する上側の撮影画像の拡大率を下側の撮影画像に合わせることが好ましい。拡大率は、流用する画像情報の領域と同様に、設定値または実験等により得られた値を予め得ておき、コンソール２０の記憶部５０、各放射線画像撮影装置１４内、及び電子カセッテ１２内の制御部や記憶部（図示省略）等に記憶させておけばよい。

また、オーバーラップ領域以外の領域は、オーバーラップ領域とシンチ段差とを滑らかに接続するように補正量を算出し、算出した補正量を減算する。

このようにして、撮影画像に生じたシンチ段差成分の段差補正が終了すると、制御部３０は、本画像処理を終了する。本処理後（段差補正後）の撮影画像は、記憶部５０に記憶しておく。

なお、段差成分であった部分が、通常成分部分に対して違和感のある画像である場合がある。例えば、段差成分であった部分と通常成分部分とで画像の粒状が異なる場合がある。そのため、本処理後の撮影画像に対して、さらに画質を向上させるための種々の処理を行うことが好ましい。

制御部３０は、このようにして補正された各放射線画像撮影装置１４の撮影画像をコンソール２０の表示部３４に表示させたり、読影装置（図示省略）に表示させるよう出力したり、ＰＡＣＳ２２に出力したりする。なお、制御部３０は、各放射線画像撮影装置１４による撮影画像（補正後）をつなげて１枚の放射線画像として表示または出力してもよいし、それぞれ個別に表示または出力するようにしてもよい。

以上説明したように本実施の形態の電子カセッテ１２は、３個の放射線画像撮影装置１４（１４_１〜１４_３）を備えている。放射線画像撮影装置１４_１、１４_３が上側（放射線照射装置１６に近い側）、放射線画像撮影装置１４_２が下側（放射線照射装置１６に遠い側）となるいわゆる段丘状に配置されている。

コンソール２０の制御部３０は、位置Ａから照射された放射線Ｘにより撮影された各放射線画像撮影装置１４のゲインキャリブ画像を予め取得し、記憶部５０に記憶させておく。被検体１８の撮影が行われると、制御部３０は、各放射線画像撮影装置１４から撮影画像を取得し、一旦、記憶部５０に記憶させる。

制御部３０は、記憶部５０に記憶させておいたゲインキャリブ画像に基づいて、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）の撮影画像のゲイン補正を行う。

一方、下側の放射線画像撮影装置１４（１４_２）の撮影画像には、上側の放射線画像撮影装置１４（１４_１、１４_３）のシンチレータ９８及びＴＦＴガラス基板９０の端部の段差に起因する段差成分（シンチ段差成分及びガラス段差成分）が生じている。制御部３０は、撮影画像及びゲインキャリブ画像からシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を検出する。制御部３０は、撮影画像のシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置に合わせて、ゲインキャリブ画像のシンチ段差成分及びガラス段差成分の座標を変換させることによりシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を修正する。制御部３０は、修正後のゲインキャリブ画像に基づいて、撮影画像のゲイン補正を行う。

本実施の形態では、放射線照射装置１６の位置（放射線の入射角度）及び放射線画像撮影装置１４の動き（移動）に応じてシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置が変化する。放射線照射装置１６の位置（放射線の入射角度）に応じて、シンチ段差及びガラス段差の位置が長尺方向に略平行移動する。また、放射線画像撮影装置１４の動き（移動）に応じて、シンチ段差及びガラス段差の角度が変化する。そのため、ゲインキャリブ画像と撮影画像とでは、シンチ段差成分及びガラス段差成分の位置が異なる場合がある。段差成分の位置が異なるゲインキャリブ画像により撮影画像のゲイン補正を行うと、両者の段差成分に起因し、ゲイン補正後の撮影画像には、４つの段差が発生してしまう。

これに対して本実施の形態の制御部３０は、ゲインキャリブ画像のシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を撮影画像のシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置に合わせて修正している。修正後のゲインキャリブ画像に基づいて、撮影画像のゲイン補正を行うため、適切に撮影画像のゲイン補正を行うことができる。さらに、撮影画像から適切に段差成分を検出することができるようになるため、シンチ段差成分及びガラス段差成分の段差補正を適切に行うことができる。

従って、本実施の形態の放射線画像撮影システム１０（コンソール２０）では、ゲインキャリブ画像と撮影画像とで放射線の入射方向が変化した場合であっても、撮影画像に生じた段差成分の補正を適切に行うことができる。

なお、予め検出しておいたゲインキャリブ画像のシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置と、ステップＳ２１０で検出した撮影画像のシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置とが一致する場合は、ステップＳ２１２の処理を省略してもよい。このようにゲインキャリブ画像及び撮影画像のシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置が一致する場合は、ゲインキャリブ画像に基づいて撮影画像のゲイン補正を行っても上述したように段差が４つになることがない。そのため、ゲインキャリブ画像に基づいて適切に撮影画像のゲイン補正を行うことができる。

また、本実施の形態では、シンチレータ９８の端部とＴＦＴガラス基板９０の端部とが異なるため、それぞれに起因して段差が生じる（２つの段差が生じる）場合について説明したが、段差の数は、放射線検出器２６の構造等により定まるものであり、本実施の形態に限定されるものではない。段差の数にかかわらず、本発明が適用できることはいうまでもない。

また、ゲインキャリブ画像に限らず、その他の補正用の画像であっても、補正用の画像の撮影時と撮影画像の撮影時とで放射線照射装置１６の位置（放射線Ｘの照射位置）が異なる場合に対して、本発明が適用できることはいうまでもない。

また、上記ステップＳ２０６のゲイン補正及びステップＳ２０８の逆ゲイン補正を省略し、欠陥補正のみを行うようにしてもよい。なお、本実施の形態のようにステップＳ２０６及びＳ２０８を行うことにより、ステップＳ２１０においてより適切にシンチ段差成分及びガラス段差成分の位置を検出することができるようになる。

また、本実施の形態では、段差成分の位置ずれの修正方法として、ゲインキャリブ画像の座標を変換することにより、ゲインキャリブ画像の段差成分の位置を、撮影画像の段差成分の位置に合わせるように修正しているが修正方法は限定されない。例えば、ゲインキャリブ画像に替わり、撮影画像の座標を変換するようにしてもよい。また、ゲインキャリブ画像及び撮影画像の両方の座標を変換するようにしてもよい。なお、撮影画像の座標を変換した場合は、撮影画像のゲイン補正後に、座標を元に戻す（逆変換）するようにするとよい。

また、本実施の形態では、電子カセッテ１２が３個の放射線画像撮影装置１４を備える場合について説明したが放射線画像撮影装置１４の数は特に限定されるものではない。また、放射線画像撮影装置１４の重ね合わせ方も、本実施の形態の電子カセッテ１２（図５参照）に限らない。

また、本実施の形態では、１つの電子カセッテ１２の筐体１３中に複数の放射線画像撮影装置１４（１４_１〜１４_３）が備えられている場合について説明したが、複数の電子カセッテを備えた放射線画像撮影システムに本発明を適用してもよい。例えば、１つの放射線画像撮影装置を備えた電子カセッテを複数隣接して配置することにより、長尺の撮影領域を有するように構成してもよい。複数の電子カセッテを隣接して配置する場合の具体的構成例を図１１及び図１２に示す。図１１及び図１２では、３つの電子カセッテ６２（６２_１〜６２_３）を隣接して配置した場合を示している。また、図１１は、本実施の形態の電子カセッテ１２の放射線画像撮影装置１４と同様に、電子カセッテ１２を段丘状に配置した場合を示している。図１２は、電子カセッテ１２を階段状に配置した場合を示している。

また、上記各実施の形態では、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器２６に本発明を適用した場合について説明したが、これに限定されない。例えば、放射線を吸収して電荷に変換する光電変換層としてアモルファスセレン等の放射線を直接電荷に変換する材料を使用した直接変換方式の放射線検出器に本発明を適用してもよい。

その他、本実施の形態で説明した放射線画像撮影システム１０、電子カセッテ１２、放射線画像撮影装置１４、及びコンソール２０等の構成、動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。

また、本実施の形態では、本発明の放射線は、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。

１０ 放射線画像撮影システム
１２、６２ 電子カセッテ
１４、１４_１〜１４_３ 放射線画像撮影装置
１６ 放射線照射装置
１８ 被検体
２０ コンソール
２６ 放射線検出器
３０ 制御部
５０ 記憶部
９０ ＴＦＴガラス基板
９８ シンチレータ
１００ 画素

Claims (8)

1. 放射線照射装置から入射された放射線を光に変換する第１変換層と、前記第１変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第１画素が形成された第１基板とを備えた第１放射線画像を撮影する第１放射線画像撮影装置と、
   前記第１放射線画像撮影装置よりも前記放射線照射装置から遠い側に、前記放射線の入射方向に対して一部が重ね合わされた状態で配置され、前記放射線を光に変換する第２変換層と、前記第２変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第２画素が形成された第２基板とを備え、第２放射線画像を撮影する第２放射線画像撮影装置と、
   前記第１放射線画像及び第２放射線画像を取得し、前記第２放射線画像に対して、前記第１放射線画像撮影装置の前記第１変換層に起因して生じる変換層段差成分が示す変換層段差、及び前記第１放射線画像撮影装置の前記第１基板に起因して生じる基板段差成分が示す基板段差の各々を、異なる補正方法により低減する補正を行う補正部と、
   を備えた放射線画像撮影システム。
2. 前記補正部は、前記変換層段差について、前記第１放射線画像により低減する補正を行う、
   請求項１に記載の放射線画像撮影システム。
3. 前記補正部は、前記変換層段差成分のうち、前記第１放射線画像に画像情報が存在するオーバーラップ領域について、前記第１放射線画像の前記オーバーラップ領域に対応する領域の画像を流用することで補正を行う、
   請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影システム。
4. 前記補正部は、前記変換層段差成分のうち、前記オーバーラップ領域と異なる領域について、流用した前記第１放射線画像と前記変換層段差とを滑らかに接続するための補正量を導出し、導出した補正量により補正を行う、
   請求項３に記載の放射線画像撮影システム。
5. 前記補正部は、前記基板段差の補正を行った後、前記変換層段差の補正を行う、
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像撮影システム。
6. 放射線照射装置から入射された放射線を光に変換する第１変換層と、前記第１変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第１画素が形成された第１基板とを備えた第１放射線画像撮影装置により撮影された第１放射線画像、及び前記第１放射線画像撮影装置よりも前記放射線照射装置から遠い側に、前記放射線の入射方向に対して一部が重ね合わされた状態で配置され、前記放射線を光に変換する第２変換層と、前記第２変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第２画素が形成された第２基板とを備えた第２放射線画像撮影装置により撮影された第２放射線画像を取得し、前記第２放射線画像に対して、前記第１放射線画像撮影装置の前記第１変換層に起因して生じる変換層段差成分が示す変換層段差、及び前記第１放射線画像撮影装置の前記第１基板に起因して生じる基板段差成分が示す基板段差の各々を、異なる補正方法により低減する補正を行う補正部
   を備えた画像処理装置。
7. 放射線照射装置から入射された放射線を光に変換する第１変換層と、前記第１変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第１画素が形成された第１基板とを備えた第１放射線画像を撮影する第１放射線画像撮影装置と、前記第１放射線画像撮影装置よりも前記放射線照射装置から遠い側に、前記放射線の入射方向に対して一部が重ね合わされた状態で配置され、前記放射線を光に変換する第２変換層と、前記第２変換層により変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の第２画素が形成された第２基板とを備え、第２放射線画像を撮影する第２放射線画像撮影装置と、を備えた放射線画像撮影システムの制御方法であって、
   前記第１放射線画像及び第２放射線画像を取得するステップと、
   前記第２放射線画像に対して、前記第１放射線画像撮影装置の前記第１変換層に起因して生じる変換層段差成分が示す変換層段差、及び前記第１放射線画像撮影装置の前記第１基板に起因して生じる基板段差成分が示す基板段差の各々を、異なる補正方法により低減する補正を行うステップと、
   を備えた放射線画像撮影システムの制御方法。
8. コンピュータに、請求項７に記載の放射線画像撮影システムの制御方法の各ステップを実行させるための放射線画像撮影システムの制御プログラム。