JP2019201345A - 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents

Abstract

【課題】周波数温度特性を向上させかつ損失を抑制すること。【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に設けられ、前記支持基板の位相速度より小さい位相速度を有する圧電基板と、前記支持基板と前記圧電基板との間に設けられ、前記支持基板の位相速度より小さい位相速度と、前記圧電基板の位相速度の温度係数の符号と逆の符号の位相速度の温度係数と、を有する温度補償膜と、前記圧電基板上に設けられ、各々複数の電極指を備え、一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチが前記温度補償膜と前記圧電基板の合計の厚さの１／２以上である一対の櫛型電極と、を備える弾性波共振器。【選択図】図２

Description

本発明は、弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば一対の櫛型電極を有する弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。

スマートフォン等の通信機器に用いられる弾性波共振器として、弾性表面波共振器が知られている。弾性表面波共振器を形成する圧電基板を支持基板に張り付けることが知られている。圧電基板の厚さを弾性表面波の波長以下とすることが知られている（例えば特許文献１）。

特開２０１７−０３４３６３号公報

圧電基板を支持基板に接合することにより、弾性波共振器の周波数温度係数（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）を小さくできる。圧電基板の厚さを弾性表面波の波長以下とすることにより、スプリアスおよび損失を抑制できる。しかしながら、周波数温度係数（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）および損失の抑制が十分ではない。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、周波数温度特性を向上させかつ損失を抑制することを目的とする。

本発明は、支持基板と、前記支持基板上に設けられ、前記支持基板の位相速度より小さい位相速度を有する圧電基板と、前記支持基板と前記圧電基板との間に設けられ、前記支持基板の位相速度より小さい位相速度と、前記圧電基板の位相速度の温度係数の符号と逆の符号の位相速度の温度係数と、を有する温度補償膜と、前記圧電基板上に設けられ、各々複数の電極指を備え、一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチが前記温度補償膜と前記圧電基板の合計の厚さの１／２以上である一対の櫛型電極と、を備える弾性波共振器である。

上記構成において、前記平均ピッチは前記圧電基板の厚さより大きい構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の電極指の配列方向における前記支持基板の線熱膨張係数は、前記配列方向における前記圧電基板の線熱膨張係数より小さい構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板の厚さと前記温度補償膜の厚さとは略等しい構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であり、前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、シリコン基板、水晶基板、石英基板、またはアルミナ基板でありかつ単結晶基板または多結晶基板であり、前記温度補償膜は酸化シリコン膜である構成とすることができる。

上記構成において、前記一対の櫛型電極は弾性表面波を励振する構成とすることができる。

上記構成において、前記一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチが前記温度補償膜と前記圧電基板の合計の厚さの１／１．５以上である構成とすることができる。

本発明は、上記弾性波共振器を含むフィルタである。

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。

本発明によれば、周波数温度特性を向上させかつ損失を抑制することができる。

図１は、実施例１に係る弾性波共振器の斜視図である。 図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図３は、実施例１に係る弾性波共振器の断面図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）は、シミュレーションＡおよびＢにおける弾性波共振器の断面図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は、シミュレーションＡおよびＢにおける位置Ｚに対する総変位分布を示す図である。 図６（ａ）から図６（ｃ）は、バルク波を説明する断面図である。 図７は、実施例１における弾性波共振器の周波数に対するアドミッタンスを示す図である。 図８（ａ）から図８（ｅ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その１）である。 図９（ａ）から図９（ｄ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その２）である。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その３）である。 図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例２およびその変形例１に係るフィルタの回路図、図１１（ｃ）は、実施例２の変形例２に係るデュプレクサの回路図である。

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

図１は、実施例１に係る弾性波共振器の斜視図、図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。電極指の配列方向をＸ方向、電極指の延伸方向をＹ方向、支持基板および圧電基板の積層方向をＺ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、圧電基板の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。

図１、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、支持基板１０上に接合膜１１を介し温度補償膜１４が接合されている。温度補償膜１４上に圧電基板１２が接合されている。圧電基板１２および温度補償膜１４の厚さをそれぞれＴ１およびＴ２とする。

圧電基板１２上に弾性波共振器２０が設けられている。弾性波共振器２０はＩＤＴ２２および反射器２４を有する。反射器２４はＩＤＴ２２のＸ方向の両側に設けられている。ＩＤＴ２２および反射器２４は、圧電基板１２上の金属膜１３により形成される。

ＩＤＴ２２は、対向する一対の櫛型電極１８を備える。櫛型電極１８は、複数の電極指１５と、複数の電極指１５が接続されたバスバー１６と、を備える。一対の櫛型電極１８の電極指１５が交差する領域が交差領域２５である。交差領域２５の長さが開口長である。一対の櫛型電極１８は、交差領域２５の少なくとも一部において電極指１５がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。交差領域２５において複数の電極指１５が励振する弾性波は、主にＸ方向に伝搬する。櫛型電極１８の電極指１５の２本分のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。反射器２４は、ＩＤＴ２２の電極指１５が励振した弾性波（弾性表面波）を反射する。これにより弾性波はＩＤＴ２２の交差領域２５内に閉じ込められる。

圧電基板１２としては、例えば、単結晶タンタル酸リチウム（ＴａＬｉＯ_３）基板または単結晶ニオブ酸リチウム（ＮｂＬｉＯ_３）基板であり、例えば回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板または回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である。

温度補償膜１４は、圧電基板１２の位相速度の温度係数（すなわち弾性率の温度係数）の符号と反対の符号の位相速度の温度係数を有する。例えば圧電基板１２の位相速度の温度係数は負であり、温度補償膜１４の位相速度の温度係数は正である。温度補償膜１４は、例えば無添加または添加元素を含む酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜であり、非結晶状である。

支持基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、シリコン基板、水晶基板、石英基板またはアルミナ基板である。サファイア基板は単結晶Ａｌ_２Ｏ_３基板であり、スピネル基板は単結晶もしくは多結晶ＭｇＡｌ_２Ｏ_４基板であり、シリコン基板は単結晶Ｓｉ基板であり、水晶基板は単結晶ＳｉＯ_２基板であり、石英基板は多結晶ＳｉＯ_２基板であり、アルミナ基板は多結晶Ａｌ_２Ｏ_３基板である。支持基板１０のＸ方向の線熱膨張係数は圧電基板１２のＸ方向の線熱膨張係数より小さい。

接合膜１１は、支持基板１０と温度補償膜１４とを接合するための層である。例えば、特許文献１に記載されているように、支持基板１０の上面と温度補償膜１４の下面をイオンビーム、中性ビームまたはプラズマにより活性化する。このとき、支持基板１０の上面と温度補償膜１４の下面とに各々アモルファス層が形成される。アモルファス層を接合することで、支持基板１０の上面に温度補償膜１４の下面が接合される。この場合、接合膜１１の厚さは１ｎｍから８ｎｍである。接合膜１１は厚さが１ｎｍから１００ｎｍの絶縁膜でもよい。接合膜１１は設けられていなくてもよい。温度補償膜１４と圧電基板１２との間に接合膜１１が設けられていてもよい。

金属膜１３は、例えばＡｌ（アルミニウム）またはＣｕ（銅）を主成分とする膜であり、例えばＡｌ膜またはＣｕ膜である。電極指１５と圧電基板１２との間にＴｉ（チタン）膜またはＣｒ（クロム）膜等の密着膜が設けられていてもよい。密着膜は電極指１５より薄い。電極指１５を覆うように絶縁膜が設けられていてもよい。絶縁膜は保護膜または温度補償膜として機能する。

［温度補償膜を設ける理由の説明］
以下、実施例１において周波数温度係数が０に近くなる理由について説明する。周波数温度係数ＴＣＦは以下の式により表される。
ＴＣＦ＝ＴＣＶ−ＣＴＥ
ＴＣＶ（Temperature Coefficient of Velocity）は、音速（位相速度）の温度係数である。ＣＴＥ（Coefficient of Thermal Expansion）は熱膨張係数である。圧電基板１２として用いるＸ伝搬タンタル酸リチウム基板のＸ軸方向の線熱膨張係数は約１６ｐｐｍ／Ｋである。支持基板１０として用いるサファイア基板のＣ軸（Ｘ軸に平行となる軸）の線熱膨張係数は約７．７ｐｐｍ／Ｋである。よって、圧電基板１２の厚さを小さくすると、弾性波共振器２０としてのＣＴＥは支持基板１０のＣＴＥに近づく。しかし、支持基板１０のＣＴＥより小さくはならない。

一般的に線熱膨張係数は材料によらず正である。また、一般的な圧電基板１２として用いられる材料ではＴＣＶは負である。このため、ＴＣＦは負となってしまう。そこで、温度補償膜１４として正のＴＣＶを有する材料を用いる。これにより、温度補償膜１４の正のＴＣＶが圧電基板１２の負のＴＣＶおよび支持基板１０の−ＣＴＥを補償する。よって、ＴＣＦを０付近にすることができる。

［圧電基板１２と温度補償膜１４の厚さの範囲の説明］
次に、圧電基板１２と温度補償膜１４の好ましい厚さについて説明する。図３は、実施例１に係る弾性波共振器の断面図である。図３に示すように、ＩＤＴ２２の電極指１５は弾性波５０を励振する。なお、図中の弾性波５０は変位のイメージを示しており実際の弾性波の変位とは異なる。例えば圧電基板１２が回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板の場合、ＩＤＴ２２は主にＳＨ（Shear Horizontal）波を励振する。ＳＨ波は圧電基板１２の表面に平行でかつＳＨ波の伝搬方向に直交方向に変位する波である。温度補償膜１４のＴＣＶが圧電基板１２の負のＴＣＶおよび支持基板１０の−ＣＴＥを補償するには、温度補償膜１４内に弾性表面波の変位が分布していることが求められる。

そこで、基板内の共振周波数における総変位分布をシミュレーションした。図４（ａ）および図４（ｂ）は、シミュレーションＡおよびＢにおける弾性波共振器の断面図である。図４（ａ）に示すように、シミュレーションＡでは、基板を圧電基板１２である４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板のみとし、支持基板１０および温度補償膜１４を設けていない。図４（ｂ）に示すように、シミュレーションＢでは、基板を支持基板１０であるサファイア基板と圧電基板１２である４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板とし、温度補償膜１４を設けていない。圧電基板１２の厚さＴ１は約０．７λとした。シミュレーションＡおよびＢとも電極指１５が接する圧電基板１２の表面を０とし、基板の深さ方向を位置Ｚとした。

図５（ａ）および図５（ｂ）は、シミュレーションＡおよびＢにおける位置Ｚに対する総変位分布を示す図である。図５（ａ）および図５（ｂ）の上に圧電基板１２および支持基板１０の範囲を示す両矢印を図示している。図５（ａ）に示すように、シミュレーションＡでは、Ｚ／λが２以下にほとんどの変位が収まる。特に、Ｚ／λが１．５以下にほとんどの変位の分布が収まる。これは、弾性表面波は圧電基板１２の表面から約２λ（特に１．５λ）までの範囲を伝搬することを示している。図５（ｂ）に示すように、シミュレーションＢでは、Ｚ／λが１以下にほとんどの変位が収まる。特に支持基板１０内にはほとんど変位が分布しない。これは、支持基板１０の位相速度が大きいためである。

以上のシミュレーションのように、弾性表面波は、基板表面から２λ（特に１．５λ）以内を伝搬する。よって、実施例１において、温度補償膜１４を機能させるためには、温度補償膜１４は、基板表面から２λ（特に１．５λ）以内に存在することが求められる。

次に、バルク波について説明する。図６（ａ）から図６（ｃ）は、バルク波を説明する断面図である。図６（ａ）に示すように、基板が圧電基板１２のみの場合、ＩＤＴ２２が圧電基板１２の表面にＳＨ波等の弾性表面波５２を励振する。弾性表面波５２の変位が存在する厚さＴ４は２λ程度である。ＩＤＴ２２が弾性表面波５２を励振するとき、ＩＤＴ２２は圧電基板１２内にバルク波５４を放出する。バルク波５４は主モードの弾性表面波５２に比べて１／１０の大きさである。バルク波５４が存在する厚さＴ５は１０λ程度である。バルク波５４が圧電基板１２内を伝搬すると弾性表面波５２のエネルギーがバルク波５４として失われる。よって、弾性波共振器の損失が大きくなる。

図６（ｂ）に示すように、圧電基板１２の下に温度補償膜１４を設け、温度補償膜１４の下に支持基板１０を設ける。圧電基板１２の厚さＴ１は厚さＴ４より小さい。これにより、弾性表面波５２の変位は圧電基板１２と温度補償膜１４の両方に分布する。よって、ＴＣＦを抑制できる。温度補償膜１４の厚さＴ２が大きいと、温度補償膜１４内をバルク波５４が伝搬する。これにより、弾性表面波５２のエネルギーがバルク波５４として失われる。よって、弾性波共振器の損失が大きくなる。矢印５６のように、支持基板１０内にバルク波が伝搬しない。

図６（ｃ）に示すように、実施例１では、温度補償膜１４を薄くし、厚さＴ１とＴ２との合計の厚さを厚さＴ４より小さくする。支持基板１０は、圧電基板１２および温度補償膜１４の位相速度より大きい位相速度を有する。例えば、タンタル酸リチウム、酸化シリコンおよびサファイアの速い横波の位相速度は約４２１１ｍ／秒、約５８４０ｍ／秒および６７６１ｍ／秒である。このため、矢印５６のように、支持基板１０内にバルク波が伝搬しない。弾性表面波５２およびバルク波５４ともに圧電基板１２および温度補償膜１４内に閉じ込められる。よって、弾性波共振器の損失を抑制できる。また、バルク波に起因したスプリアスを抑制できる。

［実験］
実施例１と比較例１の弾性波共振器を作製した。作製条件は以下である。
実施例１
支持基板１０：厚さが５００μｍのＲ面を上面とする単結晶サファイア基板
温度補償膜１４：厚さＴ２が１μｍの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜
圧電基板１２：厚さＴ１が１μｍの４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
弾性波の波長λ：４μｍ
比較例１
支持基板１０：厚さが５００μｍのＲ面を上面とする単結晶サファイア基板
温度補償膜１４：なし
圧電基板１２：厚さが３μｍの４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
弾性波の波長λ：４μｍ

実施例１および比較例１の共振周波数のＴＣＦを測定した。実施例１では、ＴＣＦ＝６ｐｐｍ／Ｋ、比較例１では、ＴＣＦ＝−１３．４ｐｐｍ／Ｋである。

図７は、実施例１における弾性波共振器の周波数に対するアドミッタンスを示す図である。図７に示すように、２５℃と８５℃においてアドミッタンス特性はほとんど変わらない。共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａの温度依存はほとんどない。このように、温度補償膜１４を設けることで、ＴＣＦを０に近づけることができる。

［実施例１の製造方法］
実施例１に係る弾性波共振器の製造方法について説明する。図８（ａ）から図１０（ｂ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図８（ａ）に示すように、圧電基板１２を準備する。図８（ｂ）に示すように、圧電基板１２上に温度補償膜１４をスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い形成する。図８（ｃ）に示すように、温度補償膜１４上に接合膜１１をスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成する。接合膜１１は、例えばシリコン膜、酸化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜である。図８（ｄ）に示すように、支持基板１０の上面および接合膜１１の下面を活性化する。活性化の方法は例えば特許文献１と同じである。図８（ｅ）に示すように、支持基板１０と接合膜１１とを常温において接合する。

図９（ａ）に示すように、圧電基板１２の上面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い薄膜化する。図９（ｂ）に示すように、圧電基板１２の上面に金属膜１３を形成する。金属膜１３により弾性波共振器２０が形成される。図９（ｃ）に示すように、弾性波共振器２０を覆うように保護膜２６を形成する。保護膜２６は例えば窒化シリコン膜または酸化シリコン膜等の絶縁膜である。図９（ｄ）に示すように、金属膜１３上に配線層２８を形成する。配線層２８は、例えば銅層または金層である。個片化することにより、チップを形成する。

図１０（ａ）に示すように、チップ４５では、圧電基板１２下に弾性波共振器２０およびパッド３２が設けられ、パッド３２下にバンプ３０が設けられている。パッド３２は、例えば図９（ｄ）の配線層の一部である。バンプ３０は例えば金バンプまたは半田バンプである。保護膜２６の図示は省略している。パッケージ基板４０上にパッド４２が設けられ、パッケージ基板４０下に端子４４が設けられている。バンプ３０をパッド４２に接合させる。図１０（ｂ）に示すように、パッケージ基板４０上にチップ４５を覆うよう封止部４８を形成する。封止部４８は、例えば樹脂等の絶縁体または半田等の金属である。封止部４８は、弾性波共振器２０を空隙４３に封止する。これにより弾性波デバイスが製造できる。

実施例１によれば、圧電基板１２は、支持基板１０上に設けられ、支持基板１０の位相速度より小さい位相速度を有する。温度補償膜１４は、支持基板１０と圧電基板１２との間に設けられ、支持基板１０の位相速度より小さい位相速度と、圧電基板１２の位相速度の温度係数（ＴＣＶ）の符号と逆の符号の位相速度の温度係数（ＴＣＶ）と、を有する。一対の櫛型電極１８は、圧電基板１２上に設けられ、各々複数の電極指１５を備え、一方の櫛型電極の電極指１５の平均ピッチが温度補償膜１４と圧電基板１２の合計の厚さ（Ｔ１＋Ｔ２）の１／２以上である。

温度補償膜１４のＴＣＶの符号を圧電基板１２のＴＣＶの符号と逆とする。これにより、図３において説明したようにＴＣＦを抑制できる。電極指１５の平均ピッチ（弾性波の波長λにほぼ相当する）を厚さＴ１＋Ｔ２の１／２以上とする。これにより、図５（ａ）および図５（ｂ）のように、弾性波は圧電基板１２および温度補償膜１４を伝搬するため、ＴＣＦを抑制できる。よって、周波数温度特性を向上できる。さらに、図６（ａ）から図６（ｃ）において説明したように、バルク波に起因する損失を抑制できる。

電極指１５の平均ピッチは、弾性波共振器２０のＸ方向の長さを電極指１５の対数（電極指１５の本数の１／２）で除することにより算出できる。電極指１５の平均ピッチは、温度補償膜１４と圧電基板１２の合計の厚さ（Ｔ１＋Ｔ２）の１／１．５倍以上が好ましく、１／１．２倍以上がより好ましく、１以上がさらに好ましい。弾性表面波を圧電基板１２および温度補償膜１４内を伝搬させるため、電極指１５の平均ピッチは、厚さ（Ｔ１＋Ｔ２）の１／０．１倍以下が好ましく、１／０．２倍以下がより好ましく、１倍以下がさらに好ましい。

電極指１５の平均ピッチは圧電基板１２の厚さＴ１より大きい。これにより、図５（ａ）および図５（ｂ）のように、弾性表面波の変位分布を温度補償膜１４内により存在させることができる。電極指１５の平均ピッチは圧電基板１２の厚さＴ１の１／０．８倍以上が好ましく、１／０．６倍以上がより好ましく、１／０．５倍以上がさらに好ましい。弾性表面波を圧電基板１２内を伝搬させるため、電極指１５の平均ピッチは圧電基板１２の厚さＴ１の１／０．１倍以下が好ましく、１／０．２倍以下がより好ましく、１／０．３倍以下がさらに好ましい。

複数の電極指１５の配列方向における支持基板１０の線熱膨張係数は、配列方向における圧電基板１２の線熱膨張係数より小さい。これにより、ＣＴＥを小さくできる。

ＴＣＦを抑制するため、圧電基板１２の厚さＴ１のＴ１＋Ｔ２に対する比は、０．１以上かつ０．９以下が好ましく、０．２以上かつ０．８以下がより好ましく、０．３以上かつ０．７以下がさらに好ましい。図７の実験のように、厚さＴ１とＴ２とはＴ１／（Ｔ１＋Ｔ２）が０．４以上かつ０．６以下となる程度に略等しいことが好ましい。

圧電基板１２は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。支持基板１０は、サファイア基板、スピネル基板、シリコン基板、水晶基板、石英基板、またはアルミナ基板でありかつ単結晶基板または多結晶基板である。温度補償膜１４は酸化シリコン膜である。これにより、周波数温度特性を向上できかつ損失を抑制できる。

図３において説明したように、一対の櫛型電極１８が弾性表面波（特にＳＨ波）を励振する場合、バルク波が生成されやすい。よって、弾性表面波がＳＨ波であるとき、Ｔ１＋Ｔ２を１．５λ以下とすることが好ましい。弾性表面波をＳＨ波とするため、圧電基板１２は、２０°から４８°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であることが好ましい。

図１１（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１１（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ３が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の並列共振器Ｐ１およびＰ２が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ３および１または複数の並列共振器Ｐ１およびＰ２の少なくとも１つに実施例１の弾性波共振器を用いることができる。ラダー型フィルタの共振器の個数等は適宜設定できる。

［実施例２の変形例１］
図１１（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るフィルタを示す平面図である。図１１（ｂ）に示すように、多重モード型フィルタＤＭＳは、ＩＤＴ２２ａから２２ｃおよび反射器２４を有している。ＩＤＴ２２ａから２２ｃおよび反射器２４は圧電基板１２上に設けられている。ＩＤＴ２２ａから２２ｃは弾性表面波の伝搬方向に配列されている。ＩＤＴ２２ａから２２ｃの外側に反射器２４が設けられている。ＩＤＴ２２ｂの一端は入力端子Ｔｉｎに接続され、他端はグランド端子に接続されている。ＩＤＴ２２ａの一端およびＩＤＴ２２ｃの一端は共通に出力端子Ｔｏｕｔに接続されている。ＩＤＴ２２ａの他端およびＩＤＴ２２ｃの他端はグランド端子に接続されている。多重モード型フィルタＤＭＳに実施例１の弾性波共振器の構造を用いることができる。

［実施例２の変形例２］
図１１（ｃ）は、実施例２の変形例２に係るデュプレクサの回路図である。図１１（ｃ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４６が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４７が接続されている。送信フィルタ４６は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４７は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４６および受信フィルタ４７の少なくとも一方を実施例２およびその変形例１のフィルタとすることができる。

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 支持基板
１１ 接合膜
１２ 圧電基板
１４ 温度補償膜
１５ 電極指
１８ 櫛型電極
２０ 弾性波共振器
２２ ＩＤＴ

Claims (9)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上に設けられ、前記支持基板の位相速度より小さい位相速度を有する圧電基板と、
   前記支持基板と前記圧電基板との間に設けられ、前記支持基板の位相速度より小さい位相速度と、前記圧電基板の位相速度の温度係数の符号と逆の符号の位相速度の温度係数と、を有する温度補償膜と、
   前記圧電基板上に設けられ、各々複数の電極指を備え、一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチが前記温度補償膜と前記圧電基板の合計の厚さの１／２以上である一対の櫛型電極と、
   を備える弾性波共振器。
2. 前記平均ピッチは前記圧電基板の厚さより大きい請求項１に記載の弾性波共振器。
3. 前記複数の電極指の配列方向における前記支持基板の線熱膨張係数は、前記配列方向における前記圧電基板の線熱膨張係数より小さい請求項１または２に記載の弾性波共振器。
4. 前記圧電基板の厚さと前記温度補償膜の厚さとは略等しい請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
5. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であり、
   前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、シリコン基板、水晶基板、石英基板、またはアルミナ基板でありかつ単結晶基板または多結晶基板であり、
   前記温度補償膜は酸化シリコン膜である請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
6. 前記一対の櫛型電極は弾性表面波を励振する請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
7. 前記一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチが前記温度補償膜と前記圧電基板の合計の厚さの１／１．５以上である請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
9. 請求項８に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。

Images