JP2020004817A - 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】作業者の負担を軽減することができる補正方法を提供する。【解決手段】補正方法は、取得ステップと、生成ステップと、補正ステップとを含む。取得ステップでは、エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも１つの実行条件と、エッチングの実行結果を示す少なくとも１つの特徴量とを取得する。生成ステップでは、少なくとも１つの実行条件と、少なくとも１つの特徴量とに基づいて、基板処理装置１００の設定条件のうちの少なくとも１つの設定条件を補正する補正データを生成する。補正ステップでは、基板処理装置１００が、補正データに基づいて、少なくとも１つの設定条件を補正する。【選択図】図１３

Description

本発明は、補正方法、基板処理装置、及び基板処理システムに関する。

基板をエッチングする基板処理装置が知られている。基板処理装置の状態は、基板処理装置を構成する部品の経年劣化や、基板処理装置を構成する部品の交換に起因する部品の位置のバラツキ等に基づいて変動する。このため、最適なエッチングが実行されるように、基板処理装置の各種の設定条件を適宜補正する必要がある。具体的には、エッチング処理した基板の膜厚を測定し、エッチング量が所期の値を示さない場合に、設定条件を補正する必要がある。基板の膜厚は、膜厚測定装置を用いて測定される（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１３−１３４０６５号公報

しかしながら、設定条件の補正は、長い時間を費やして作業者が手動で行っており、作業者の負担となっていた。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、作業者の負担を軽減することができる補正方法、基板処理装置、及び基板処理システムを提供することにある。

本発明の補正方法は、基板をエッチングする基板処理装置の設定条件を補正する補正方法であって、前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも１つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも１つの特徴量とを取得する取得ステップと、前記少なくとも１つの実行条件と前記少なくとも１つの特徴量とに基づいて、前記設定条件のうちの少なくとも１つの設定条件を補正する補正データを生成する生成ステップと、前記基板処理装置が前記補正データに基づいて前記少なくとも１つの設定条件を補正する補正ステップとを含む。

ある実施形態では、前記取得ステップにおいて、機械学習によって生成された学習済みモデルに、前記少なくとも１つの実行条件と前記少なくとも１つの特徴量とが入力される。

ある実施形態では、前記生成ステップにおいて、前記学習済みモデルから前記補正データが出力される。

ある実施形態では、補正方法は、教師情報を機械学習させて前記学習済みモデルを生成する学習ステップを更に含む。

ある実施形態では、前記教師情報は、前記少なくとも１つの特徴量が最適な値を示す場合に得た情報であり、前記少なくとも１つの特徴量と、前記少なくとも１つの実行条件と、前記少なくとも１つの設定条件とを含む。

ある実施形態では、前記少なくとも１つの特徴量は、エッチング量と、エッチング量の均一性とのうちの少なくとも一方を含む。

ある実施形態では、前記基板処理装置は、処理室と、第１ノズルと、供給流路と、液受け部と、第２ノズルと、ファンフィルタユニットと、排気ファンとを備える。前記処理室は、前記基板を収容する。前記第１ノズルは、前記基板をエッチングする処理液を前記基板に向けて吐出する。前記供給流路は、前記第１ノズルに前記処理液を供給する。前記液受け部は、前記基板から飛散した前記処理液を受ける。前記第２ノズルは、前記基板に向けてガスを噴出する。前記ファンフィルタユニットは、前記処理室内へ空気を送る。前記排気ファンは、前記処理室から気体を排気する。

ある実施形態では、前記エッチング実行時の実行条件は、前記第１ノズルの先端における前記処理液の温度と、前記第２ノズルの先端における前記ガスの温度と、前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量と、前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量と、前記第１ノズルから前記処理液が吐出を開始するタイミングと、前記第２ノズルから前記ガスが噴出を開始するタイミングと、前記第１ノズルからの前記処理液の吐出が停止するタイミングと、前記第２ノズルからの前記ガスの噴出が停止するタイミングと、前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の変更タイミングと、前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の変更タイミングと、前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち上がり特性と、前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち上がり特性と、前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち下がり特性と、前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち下がり特性と、前記第１ノズルの先端から前記処理液がボタ落ちしているか否かを示す情報と、前記供給流路を流れる前記処理液の濃度と、前記処理液の吐出が停止した後に前記第１ノズルから前記供給流路の上流側に向けて前記処理液が吸い込まれる速度と、吸い込まれた前記処理液が停止する位置と、前記基板を覆う前記処理液の膜厚分布と、前記第１ノズルの位置と、前記第１ノズルの移動速度と、前記第１ノズルの加速度と、前記第１ノズルの位置の変更タイミングと、前記第１ノズルの移動速度の変更タイミングと、前記液受け部への前記処理液の付着の有無を示す情報と、前記液受け部に付着している前記処理液の量と、前記基板の回転速度と、前記基板の加速度と、前記基板の回転速度の変更タイミングと、前記基板の表面温度と、前記基板の偏心量と、前記基板の面振れ量と、前記液受け部の位置と、前記液受け部の移動速度と、前記液受け部の加速度と、前記液受け部の位置の変更タイミングと、前記液受け部の移動速度の変更タイミングと、前記ファンフィルタユニットが前記処理室内に送る空気の風速と、前記ファンフィルタユニットが前記処理室内に送る空気の風量と、前記処理室から排気される気体の風速と、前記処理室から排気される気体の風量とのうちの少なくとも１つを含む。

ある実施形態では、前記基板処理装置は、処理室と、第１ノズルと、第１供給流路と、循環流路と、第２供給流路と、加熱部と、液受け部と、第２ノズルと、第３供給流路と、ファンフィルタユニットと、排気ファンと、排気ダクトと、バルブとを備える。前記処理室は、前記基板を収容する。前記第１ノズルは、前記基板をエッチングする処理液を前記基板に向けて吐出する。前記第１供給流路は、前記第１ノズルに前記処理液を供給する。前記循環流路は、前記第１供給流路に接続し、前記処理液が循環する。前記第２供給流路は、前記循環流路に前記処理液を供給する。前記加熱部は、前記基板を加熱する。前記液受け部は、前記基板から飛散した前記処理液を受け止める。前記第２ノズルは、前記基板に向けてガスを噴出する。前記第３供給流路は、前記第２ノズルに前記ガスを供給する。前記ファンフィルタユニットは、前記処理室内へ空気を送る。前記排気ファンは、前記処理室から気体を排気する。前記排気ダクトには、前記処理室から排気される気体が流れる。前記バルブは、前記排気ダクトに設置される。

ある実施形態では、前記基板処理装置の設定条件は、前記循環流路における前記処理液の温度と、前記第１供給流路における前記処理液の温度と、前記第３供給流路における前記ガスの温度と、前記循環流路における前記処理液の濃度と、前記第１供給流路における前記処理液の濃度と、前記第２供給流路の圧力と、前記第３供給流路の圧力と、前記循環流路の圧力と、前記循環流路を流れる前記処理液の流量と、前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量と、前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量と、前記第１ノズルからの前記処理液の吐出を開始させる信号の発生タイミングと、前記第２ノズルからの前記ガスの噴出を開始させる信号の発生タイミングと、前記第１ノズルからの前記処理液の吐出を停止させる信号の発生タイミングと、前記第２ノズルからの前記ガスの噴出を停止させる信号の発生タイミングと、前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量を変更する信号の発生タイミングと、前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量を変更する信号の発生タイミングと、前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち上がり特性と、前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち上がり特性と、前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち下がり特性と、前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち下がり特性と、前記処理液の吐出が停止した後に前記第１ノズルから前記第１供給流路の上流側に向けて前記処理液が吸い込まれる速度と、吸い込まれた前記処理液が停止する位置と、前記基板の回転速度と、前記基板の加速度と、前記基板の回転速度の変更タイミングと、前記第１ノズルの位置と、前記第１ノズルの移動速度と、前記第１ノズルの加速度と、前記第１ノズルの位置の変更タイミングと、前記第１ノズルの移動速度の変更タイミングと、前記基板を加熱する温度と、前記液受け部の位置と、前記液受け部の移動速度と、前記液受け部の加速度と、前記液受け部の位置の変更タイミングと、前記液受け部の移動速度の変更タイミングと、前記ファンフィルタユニットの差圧と、前記バルブの差圧と、前記処理室から排気される気体の風速と、前記処理室から排気される気体の風量と、前記処理室内の光量とのうちの少なくとも１つを含む。

本発明の基板処理装置は、基板をエッチングする。前記基板処理装置は、制御部を備える。前記制御部は、前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも１つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも１つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも１つの設定条件を補正する補正データを生成する。前記制御部は、前記補正データに基づいて前記少なくとも１つの設定条件を補正する。

本実施形態の基板処理システムは、基板処理装置と、補正データ生成装置とを備える。前記基板処理装置は、基板をエッチングする。前記補正データ生成装置は、前記基板処理装置の設定条件を補正する補正データを出力する。前記補正データ生成装置は、制御部を備える。前記制御部は、前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも１つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも１つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも１つの設定条件を補正する補正データを生成する。前記基板処理装置は、前記補正データに基づいて前記少なくとも１つの設定条件を補正する。

本発明によれば、作業者の負担を軽減することができる。

本発明の実施形態１における基板処理装置の模式図である。 本発明の実施形態１における基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態１における基板処理装置のブロック図である。 エッチング処理時における処理液ノズルの位置の変化及び移動速度の変化の一例を示す図である。 本発明の実施形態１における基板処理装置のブロック図である。 本発明の実施形態１における処理液供給部の模式図である。 本発明の実施形態１におけるガス供給部の模式図である。 本発明の実施形態１における処理液循環部、第１処理液成分供給部、第２処理液成分供給部、及び処理液回収部を示す模式図である。 本発明の実施形態１における基板処理装置のブロック図である。 本発明の実施形態１における基板処理システムの模式図である。 処理済み基板の半径位置ごとのエッチング量の一例を示す図である。 本発明の実施形態１における基板処理装置のブロック図である。 本発明の実施形態１における補正方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態１における学習済みモデルの模式図である。 本発明の実施形態１における学習方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２における基板処理システムの模式図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

［実施形態１］
図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。基板処理装置１００は、基板Ｗに処理液Ｌを供給して処理液Ｌで基板Ｗをエッチングする。本実施形態の基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつエッチングする枚葉式の装置である。また、本実施形態において、基板Ｗは半導体ウエハである。基板Ｗは略円板状である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、箱型の隔壁２１と、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２２と、排気部２３とを備える。隔壁２１は、基板Ｗを収容する処理室２（チャンバー）を区画する。

ＦＦＵ２２は、隔壁２１の上部から処理室２に清浄空気を送る。具体的には、ＦＦＵ２２は、給気ファンと、フィルタとを有する。ＦＦＵ２２は、フィルタによってろ過された空気を処理室２に送る。

排気部２３は、処理室２の下部に配置される。排気部２３は、処理室２内の気体を排気する。ＦＦＵ２２及び排気部２３によって、処理室２内を上方から下方に流れるダウンフロー（下降流）が形成される。基板Ｗのエッチングは、処理室２内にダウンフローが形成されている状態で行われる。

排気部２３は、排気ファン２３１と、排気ダクト２３２と、バルブ２３３とを備える。排気ファン２３１は、排気ダクト２３２に配置される。排気ファン２３１は、処理室２から気体を排気する。具体的には、排気ファン２３１が駆動することにより、処理室２内の気体が排気ダクト２３２に流入する。この結果、処理室２から排気される気体が排気ダクト２３２を流れる。

排気ダクト２３２は、基板処理装置１００が設置される工場に設けられた排気設備に気体を案内する。したがって、排気ファン２３１が駆動することにより、処理室２内の気体が排気ダクト２３２を介して排気設備に案内される。

バルブ２３３は、排気ダクト２３２に設置される。詳しくは、バルブ２３３は、気体が排気ダクト２３２を流れる方向に対して排気ファン２３１よりも下流側に配置される。バルブ２３３は、排気ダクト２３２によって形成される気体の流路（排気流路）の圧力（排気圧）を制御する。バルブ２３３は、例えば、オートバルブである。

図１に示すように、基板処理装置１００は、スピンチャック３を更に備える。スピンチャック３は基板Ｗを水平に保持する。また、スピンチャック３は、基板Ｗを保持した状態で、鉛直方向に延びる回転軸線ＡＸ１を中心に基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンチャック３は、スピンベース３１と、複数のチャックピン３２と、回転軸３３と、スピンモータ３４、モータエンコーダ３５とを備える。

本実施形態のスピンベース３１は、円板状である。スピンベース３１は水平な姿勢で保持される。複数のチャックピン３２のそれぞれは、スピンベース３１の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する。回転軸３３は、スピンベース３１の中央部から下方に延びる。スピンモータ３４は、回転軸３３を回転方向Ｄｒに回転させることにより、回転軸線ＡＸ１を中心に基板Ｗ及びスピンベース３１を回転させる。モータエンコーダ３５は、スピンモータ３４の回転速度を示す信号を生成する。換言すると、モータエンコーダ３５は、基板Ｗの回転速度を示す信号を生成する。

図１に示すように、基板処理装置１００は、処理液ノズル４１と、処理液供給配管４２と、ノズルアーム４３と、ノズル移動部４４とを更に備える。

処理液ノズル４１は、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに向けて処理液Ｌを吐出する。基板Ｗに処理液Ｌが供給されることで、基板Ｗがエッチングされる。処理液Ｌは、例えば、燐酸（エッチング成分）を主成分とする水溶液、フッ酸（エッチング成分）を主成分とする水溶液、硝酸（エッチング成分）を主成分とする水溶液、フッ酸（エッチング成分）と硝酸（エッチング成分）とを混合した水溶液、水酸化アンモニウム（エッチング成分）を主成分とする水溶液、及び、水酸化アンモニウム（エッチング成分）と過酸化水素水（エッチング成分）とを混合した水溶液のいずれかである。

処理液供給配管４２は、処理液ノズル４１に処理液Ｌを供給する。処理液供給配管４２は、処理液ノズル４１に向けて処理液Ｌが流れる処理液供給流路を形成する。

ノズルアーム４３は、処理液ノズル４１を支持する。具体的には、処理液ノズル４１は、ノズルアーム４３の先端部に取り付けられる。ノズル移動部４４は、スピンチャック３の周囲で鉛直方向に延びる回転軸線ＡＸ２を中心にノズルアーム４３を回動させる。この結果、処理液ノズル４１が、回転軸線ＡＸ２を中心に回動する。処理液ノズル４１は、回転軸線ＡＸ２を中心に回動しながら、基板Ｗに向けて処理液Ｌを吐出する。換言すると、処理液ノズル４１は、スキャンノズルである。

図１に示すように、基板処理装置１００は、加熱部５を更に備える。加熱部５は、基板Ｗを加熱する。具体的には、加熱部５は、赤外線ヒータ５１と、ヒータアーム５２と、ヒータ移動部５３とを備える。

赤外線ヒータ５１は、赤外線を基板Ｗに照射する。より詳しくは、赤外線ヒータ５１は、赤外線ランプ５１ａを有する。赤外線ランプ５１ａは、赤外線を発生する。

ヒータアーム５２は、赤外線ヒータ５１を支持する。具体的には、赤外線ヒータ５１は、ヒータアーム５２の先端部に取り付けられる。ヒータ移動部５３は、スピンチャック３の周囲で鉛直方向に延びる回転軸線ＡＸ３を中心にヒータアーム５２を回動させる。この結果、赤外線ヒータ５１が、回転軸線ＡＸ３を中心に回動する。赤外線ヒータ５１は、回転軸線ＡＸ３を中心に回動しながら、基板Ｗを加熱する。

図１に示すように、基板処理装置１００は、リンス液供給部６を更に備える。リンス液供給部６は、基板Ｗにリンス液を供給する。基板Ｗにリンス液が供給されることで、基板Ｗがリンス処理される。リンス液は、例えば、純水（脱イオン水：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ）である。なお、リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、及び希釈濃度（例えば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

具体的には、リンス液供給部６は、リンス液ノズル６１と、リンス液供給配管６２と、リンス液バルブ６３とを備える。リンス液ノズル６１は、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。リンス液供給配管６２は、リンス液ノズル６１にリンス液を供給する。本実施形態のリンス液ノズル６１は、リンス液ノズル６１の吐出口が静止された状態でリンス液を吐出する固定ノズルである。なお、リンス液ノズル６１は、スキャンノズルであってもよい。

リンス液バルブ６３は、リンス液ノズル６１へのリンス液の供給及び供給停止を切り替える。詳しくは、リンス液バルブ６３が開くと、リンス液ノズル６１から基板Ｗに向けてリンス液が吐出される。一方、リンス液バルブ６３が閉じると、リンス液の吐出が停止する。リンス液バルブ６３は、例えば、モータバルブである。

図１に示すように、基板処理装置１００は、ガスノズル７１と、ガス供給配管７２と、液受け部８とを更に備える。

ガスノズル７１は、基板Ｗに向けてガスＧを噴出する。ガスＧは、窒素のような不活性成分を含む不活性ガスである。詳しくは、ガスノズル７１は、基板Ｗを乾燥させる際に、基板Ｗに向けてガスＧを噴出する。

ガス供給配管７２は、ガスノズル７１にガスＧを供給する。ガス供給配管７２は、ガスノズル７１に向けてガスＧが流れるガス供給流路を形成する。

液受け部８は、スピンチャック３に保持されている基板Ｗよりも外方に配置される。液受け部８は略筒形状を有する。液受け部８は、鉛直方向に移動可能である。液受け部８は、基板Ｗから飛散した処理液Ｌを受け止める。詳しくは、スピンチャック３が基板Ｗを回転させている状態で、処理液Ｌが基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液Ｌが基板Ｗの周囲に振り切られる。この結果、基板Ｗの周囲に処理液Ｌが飛散して、基板Ｗから飛散した処理液Ｌが液受け部８によって受け止められる。液受け部８に受け止められた処理液Ｌは、図８を参照して説明する処理液回収部６００に送られる。なお、液受け部８は、基板Ｗから飛散するリンス液も、処理液Ｌと同様に受け止める。

ここで、図１及び図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００が実行する基板処理方法を説明する。図２は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。図２に示すように、本実施形態の基板処理方法は、ステップＳ１〜ステップＳ５を含む。

基板処理装置１００が基板Ｗを処理する場合、まず、基板Ｗが処理室２に搬入される（ステップＳ１）。詳しくは、搬送ロボットが基板Ｗを処理室２に搬入する。搬入された基板Ｗは、スピンチャック３によって保持される。なお、基板Ｗを処理室２に搬入する際、液受け部８は退避位置に位置する。液受け部８が退避位置に位置する場合、液受け部８の上端部８ａ（図１）は、スピンベース３１よりも下方に位置する。スピンチャック３が基板Ｗを保持すると、液受け部８は、基板Ｗから飛散する処理液Ｌ及びリンス液を受け止めることができる液受け位置まで上方に移動する。液受け部８が液受け位置に位置する場合、液受け部８の上端部８ａはスピンベース３１よりも上方に位置する。

スピンチャック３が基板Ｗを保持した後に、基板Ｗが処理液Ｌでエッチングされる（ステップＳ２）。具体的には、基板Ｗに処理液Ｌを供給する前に、スピンチャック３が基板Ｗを回転させる。基板Ｗの回転速度が所定の回転速度に達した後に、処理液Ｌの供給が開始される。

詳しくは、処理液ノズル４１が、回転軸線ＡＸ２を中心に回動しながら、処理液Ｌを吐出する。処理液ノズル４１は、少なくとも基板Ｗの上面全域が処理液Ｌで覆われまで、処理液Ｌを吐出する。なお、本実施形態では、処理液Ｌの吐出が停止した後、処理液ノズル４１から処理液供給配管４２の上流側に向けて処理液Ｌが吸い込まれる（サックバック）。

処理液ノズル４１による処理液Ｌの吐出が停止すると、加熱部５が基板Ｗ及び処理液Ｌを加熱する。具体的には、赤外線ヒータ５１が、回転軸線ＡＸ３を中心に回動しながら、基板Ｗ及び処理液Ｌを加熱する。

基板Ｗ及び処理液Ｌの加熱後、基板Ｗにリンス液が供給される（ステップＳ３）。基板Ｗにリンス液を供給することにより、基板Ｗの表面上の処理液Ｌが除去される。具体的には、処理液Ｌはリンス液によって基板Ｗの外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。この結果、基板Ｗ上の処理液Ｌの液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換される。

基板Ｗの表面上の処理液Ｌをリンス液に置換した後、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ４）。具体的には、基板Ｗの回転速度を、エッチング処理時及びリンス処理時の回転速度よりも増大させる。この結果、基板Ｗ上のリンス液に大きな遠心力が付与され、基板Ｗに付着しているリンス液が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗからリンス液を除去し、基板Ｗを乾燥させる。また、基板Ｗを乾燥させる際には、ガスノズル７１から基板Ｗに向けてガスＧを噴出させる。この結果、基板Ｗの表面に向かう不活性ガスの気流が形成されて、基板Ｗの乾燥が促進される。また、基板Ｗの乾燥が促進されることで、ウォーターマークの発生を抑制することができる。スピンチャック３は、例えば、基板Ｗの高速回転を開始してから所定時間が経過した後、基板Ｗの回転を停止させる。

基板Ｗの回転を停止させた後、処理室２から基板Ｗを搬出して（ステップＳ５）、図２に示す処理を終了する。具体的には、基板Ｗの回転が停止した後、液受け部８が液受け位置から退避位置まで移動する。また、スピンチャック３による基板Ｗの保持が解除される。液受け部８が退避位置まで移動し、かつスピンチャック３による基板Ｗの保持が解除されると、搬送ロボットが基板Ｗを処理室２から搬出する。この結果、基板処理装置１００による１枚の基板Ｗの処理が終了する。

続いて、再び図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１に示すように、基板処理装置１００は、サーモグラフィカメラ１０１と、ビデオカメラ１０２と、調光ランプ１０３とを更に備える。

サーモグラフィカメラ１０１は、処理室２内の温度分布を検出する。処理室２内の温度分布は、処理液ノズル４１の先端における処理液Ｌの温度、ガスノズル７１の先端におけるガスＧの温度、基板Ｗの表面の温度、隔壁２１の温度、液受け部８の温度、ノズルアーム４３の温度、及びスピンベース３１の温度等を示す。

ビデオカメラ１０２は、処理室２内を撮像する。具体的には、ビデオカメラ１０２は、処理液ノズル４１、処理液供給配管４２、ノズルアーム４３、チャックピン３２、液受け部８、及び基板Ｗ等を撮像する。調光ランプ１０３は、処理室２を照らす光を発生する。

続いて図１及び図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、基板処理装置１００のブロック図である。図３に示すように、基板処理装置１００は、液受け移動部８１と、制御部１０とを更に備える。

制御部１０は、プロセッサ１１及び記憶部１２を備える。プロセッサ１１は、例えば、中央処理演算機（ＣＰＵ）である。あるいは、プロセッサ１１は、汎用演算機である。記憶部１２は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶部１２は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーによって構成される。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリー及び／又はハードディスクドライブによって構成される。記憶部１２は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。

プロセッサ１１は、記憶部１２が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、ＦＦＵ２２と、排気部２３と、スピンチャック３と、ノズル移動部４４と、加熱部５と、リンス液供給部６と、液受け移動部８１と、調光ランプ１０３と、サーモグラフィカメラ１０１と、ビデオカメラ１０２とを制御する。

具体的には、プロセッサ１１は、ＦＦＵ２２が備える給気ファンを制御する。プロセッサ１１は、給気ファンを制御して、ＦＦＵ２２の差圧を調整することができる。ＦＦＵ２２の差圧は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、排気部２３が備える排気ファン２３１及びバルブ２３３を制御する。プロセッサ１１は、排気ファン２３１を制御して、排気ダクト２３２を流れる気体の風速（排気風速）、及び排気ダクト２３２を流れる気体の風量（排気風量）を調整することができる。また、プロセッサ１１は、バルブ２３３を制御して、排気圧を調整することができる。排気風速、排気風量及び排気圧は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、スピンチャック３が備えるチャックピン３２及びスピンモータ３４を制御する。プロセッサ１１は、スピンモータ３４を制御して、基板Ｗの回転速度、基板Ｗの回転加速度、及び基板Ｗの回転速度の変更タイミングを調整することができる。基板Ｗの回転速度等は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、スピンチャック３が備えるモータエンコーダ３５から信号を受信する。図１を参照して説明したように、モータエンコーダ３５は、基板Ｗの回転速度を示す信号を出力する。プロセッサ１１は、モータエンコーダ３５から受信した信号に基づいて、基板Ｗの回転速度、基板Ｗの回転加速度、及び基板Ｗの回転加速度の変更タイミングを検出する。検出された基板Ｗの回転速度等は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、検出した基板Ｗの回転速度等を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

ノズル移動部４４は、モータ４４１及びモータエンコーダ４４２を備える。以下、モータ４４１を「ノズルモータ４４１」と記載する。ノズルモータ４４１が駆動することにより、処理液ノズル４１が回転軸線Ａ２を中心に回動する。モータエンコーダ４４２は、ノズルモータ４４１の回転速度及び回転位置を示す信号を生成する。換言すると、モータエンコーダ４４２は、処理液ノズル４１の移動速度及び半径方向の位置を示す信号を生成する。

プロセッサ１１は、ノズルモータ４４１を制御する。プロセッサ１１は、ノズルモータ４４１を制御して、処理液ノズル４１の半径方向の位置、処理液ノズル４１の移動速度、処理液ノズル４１の加速度、処理液ノズル４１の位置の変更タイミング、及び処理液ノズル４１の移動速度の変更タイミングを調整することができる。処理液ノズル４１の半径方向の位置等は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、モータエンコーダ４４２から、ノズルモータ４４１の回転速度及び回転位置を示す信号を受信する。プロセッサ１１は、モータエンコーダ４４２から受信した信号に基づいて、処理液ノズル４１の半径方向の位置、処理液ノズル４１の移動速度、処理液ノズル４１の加速度、処理液ノズル４１の位置の変更タイミング、及び処理液ノズル４１の移動速度の変更タイミングを検出する。検出された処理液ノズル４１の半径方向の位置等は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、検出した処理液ノズル４１の半径方向の位置等を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、リンス液供給部６が備えるリンス液バルブ６３を制御する。また、プロセッサ１１は、加熱部５が備える赤外線ランプ５１ａ及びヒータ移動部５３を制御する。プロセッサ１１は、赤外線ランプ５１ａを制御して、基板Ｗを加熱する温度（基板加熱温度）を調整することができる。基板加熱温度は、基板処理装置１００の設定条件である。

液受け移動部８１は、液受け部８を鉛直方向に移動させる。液受け移動部８１は、モータ８１１及びモータエンコーダ８１２を備える。以下、モータ８１１を「液受けモータ８１１」と記載する。液受けモータ８１１が駆動することにより、液受け部８が鉛直方向に移動する。モータエンコーダ８１２は、液受けモータ８１１の回転速度及び回転位置を示す信号を生成する。換言すると、モータエンコーダ８１２は、液受け部８の移動速度及び鉛直方向の位置を示す信号を生成する。

プロセッサ１１は、液受けモータ８１１を制御する。プロセッサ１１は、液受けモータ８１１を制御して、液受け部８の鉛直方向の位置、液受け部８の移動速度、液受け部８の加速度、液受け部８の位置の変更タイミング、及び液受け部８の移動速度の変更タイミングを調整することができる。液受け部８の鉛直方向の位置等は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、モータエンコーダ８１２から、液受けモータ８１１の回転速度及び回転位置を示す信号を受信する。プロセッサ１１は、モータエンコーダ８１２から受信した信号に基づいて、液受け部８の鉛直方向の位置、液受け部８の移動速度、液受け部８の加速度、液受け部８の位置の変更タイミング、及び液受け部８の移動速度の変更タイミングを検出する。検出された液受け部８の鉛直方向の位置等は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、検出した液受け部８の鉛直方向の位置等を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、調光ランプ１０３を制御して、処理室２内の光量を調整することができる。処理室２内の光量は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、サーモグラフィカメラ１０１から、処理室２内の温度分布を示す画像信号を受信する。プロセッサ１１は、サーモグラフィカメラ１０１から受信した画像信号に基づいて、処理液ノズル４１の先端における処理液Ｌの温度、ガスノズル７１の先端におけるガスＧの温度、基板Ｗの表面の温度、隔壁２１の温度、液受け部８の温度、ノズルアーム４３の温度、及びスピンベース３１の温度等を検出する。検出された温度は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、検出した温度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、ビデオカメラ１０２から撮像信号を受信する。以下、プロセッサ１１が撮像信号に基づいて検出する情報について説明する。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、処理液ノズル４１から処理液Ｌが吐出を開始するタイミング（処理液Ｌの吐出開始タイミング）と、処理液ノズル４１からの処理液Ｌの吐出が停止するタイミング（処理液Ｌの吐出停止タイミング）と、処理液ノズル４１から処理液Ｌが吐出する流量の変更タイミング（処理液Ｌの吐出流量変更タイミング）と、処理液ノズル４１から処理液Ｌが吐出する流量の立ち上がり特性（処理液Ｌの吐出流量立ち上がり特性）と、処理液ノズル４１から処理液Ｌが吐出する流量の立ち下がり特性（処理液Ｌの吐出流量立ち下がり特性）と、ガスノズル７１からガスＧが噴出を開始するタイミング（ガスＧの噴出開始タイミング）と、ガスノズル７１からのガスＧの噴出が停止するタイミング（ガスＧの噴出停止タイミング）と、ガスノズル７１からガスＧが噴出する流量の変更タイミング（ガスＧの噴出流量変更タイミング）と、ガスノズル７１からガスＧが噴出する流量の立ち上がり特性（ガスＧの噴出流量立ち上がり特性）と、ガスノズル７１からガスＧが噴出する流量の立ち下がり特性（ガスＧの噴出流量立ち下がり特性）とを検出する。検出された処理液Ｌの吐出開始タイミング等は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、検出した処理液Ｌの吐出開始タイミング等を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、処理液ノズル４１から処理液供給配管４２の上流側に向けて吸い込まれる処理液Ｌの移動速度（サックバック速度）と、吸い込まれた処理液Ｌの停止位置（サックバック停止位置）とを検出する。検出されたサックバック速度及びサックバック停止位置は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、検出したサックバック速度及びサックバック停止位置を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、処理液ノズル４１の先端から処理液Ｌがボタ落ちしているか否か（ボタ落ちの有無）を検出する。ボタ落ちの有無は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、ボタ落ちの有無を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、基板Ｗの表面全域を覆う処理液Ｌの膜厚分布を検出する。処理液Ｌの膜厚分布は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、処理液Ｌの膜厚分布を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、液受け部８の上面及び外側面における処理液Ｌの付着の有無を検出する。液受け部８の上面及び外側面における処理液Ｌの付着の有無は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、液受け部８の上面及び外側面における処理液Ｌの付着の有無を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、液受け部８の上面及び外側面に付着している処理液Ｌの量を検出する。液受け部８の上面及び外側面に付着している処理液Ｌの量は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、液受け部８の上面及び外側面に付着している処理液Ｌの量を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、処理液ノズル４１の位置と、ノズルアーム４３の形状と、ヒータアーム５２の形状と、リンス液ノズル６１の位置と、ガスノズル７１の位置とを検出する。更に、プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて検出した処理液ノズル４１の位置と、記憶部１２に記憶されている処理液ノズル４１の規定位置とに基づいて、処理液ノズル４１の位置の規定位置からのずれ量を検出する。換言すると、処理液ノズル４１の位置の変化を検出する。同様に、プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて検出したノズルアーム４３の形状、ヒータアーム５２の形状、リンス液ノズル６１の位置、及びガスノズル７１の位置と、記憶部１２に記憶されているノズルアーム４３の規定形状、ヒータアーム５２の規定形状、リンス液ノズル６１の規定位置、及びガスノズル７１の規定位置とに基づいて、ノズルアーム４３の形状の変化、ヒータアーム５２の形状の変化、リンス液ノズル６１の位置の変化、及びガスノズル７１の位置の変化を検出する。処理液ノズル４１の位置の変化等は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、処理液ノズル４１の位置の変化等を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、液受け部８の位置と、液受け部８の形状とを検出する。更に、プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて検出した液受け部８の位置と、記憶部１２に記憶されている液受け部８の規定位置とに基づいて、液受け部８の位置の規定位置からのずれ量、すなわち液受け部８の位置の変化を検出する。同様に、プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて検出した液受け部８の形状と、記憶部１２に記憶されている液受け部８の規定形状とに基づいて、液受け部８の形状の変化を検出する。液受け部８の位置の変化、及び液受け部８の形状の変化は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、液受け部８の位置の変化、及び液受け部８の形状の変化を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、チャックピン３２の形状を検出する。更に、プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて検出したチャックピン３２の形状と、記憶部１２に記憶されているチャックピン３２の規定形状とに基づいて、チャックピン３２の形状の規定形状からの変化量、すなわちチャックピン３２の形状の変化を検出する。プロセッサ１１は更に、チャックピン３２の形状の変化から、チャックピン３２の摩耗度を検出する。チャックピン３２の形状の変化、及びチャックピン３２の摩耗度は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、チャックピン３２の形状の変化、及びチャックピン３２の摩耗度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、処理室２内を流れる気体の気流の分布（気流分布）を検出する。気流分布は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、気流分布を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、撮像信号に基づいて、基板Ｗの偏心量と、基板Ｗの面振れ量とを検出する。基板Ｗの偏心量、及び基板Ｗの面振れ量は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、基板Ｗの偏心量、及び基板Ｗの面振れ量を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

以上、図１及び図３を参照して基板処理装置１００を説明した。続いて、図４を参照して、エッチング処理時における処理液ノズル４１の移動について説明する。図４は、エッチング処理時における処理液ノズル４１の位置の変化及び移動速度の変化の一例を示す図である。図４において、縦軸は処理液ノズル４１の移動速度を示し、横軸は基板Ｗの半径位置を示す。

図４に示すように、エッチング処理時に、処理液ノズル４１は、基板Ｗの中心から半径位置ｃまで移動する。具体的には、処理液ノズル４１は、基板Ｗの中心から半径位置ａまで加速しながら移動する。半径位置ａに到達したときの処理液ノズル４１の移動速度は「Ｖａ」である。その後、処理液ノズル４１は、半径位置ａから半径位置ｂまで減速しながら移動する。半径位置ｂに到達したときの処理液ノズル４１の移動速度は「Ｖｂ」である。処理液ノズル４１は、半径位置ｂに到達すると、半径位置ｂから半径位置ｃまで更に減速しながら移動して、半径位置ｃにおいて停止する。このように、処理液ノズル４１は、エッチング処理時に加速し、且つ減速する。

続いて図１及び図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図５は、基板処理装置１００のブロック図である。図５に示すように、基板処理装置１００は、表面温度センサ１０４と、表面電位センサ１０５とを更に備える。

表面温度センサ１０４は、赤外線ヒータ５１が基板Ｗを加熱する温度を検出する。具体的には、表面温度センサ１０４は、赤外線ヒータ５１の表面温度を検出する。プロセッサ１１は、表面温度センサ１０４から、赤外線ヒータ５１が基板Ｗを加熱する温度（基板加熱温度）を示す信号を受信する。基板加熱温度は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、基板加熱温度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

表面電位センサ１０５は、基板Ｗの表面の電位を検出する。プロセッサ１１は、表面電位センサ１０５から、基板Ｗの表面の電位（基板表面電位）を示す信号を受信する。基板表面電位は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、基板表面電位を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

図５に示すように、基板処理装置１００は、第１差圧計１０６と、給気風速計１０７と、給気風量計１０８とを更に備える。

第１差圧計１０６は、ＦＦＵ２２の差圧を検出する。第１差圧計１０６は、例えば、微差圧計である。プロセッサ１１は、第１差圧計１０６から、ＦＦＵ２２の差圧を示す信号を受信する。ＦＦＵ２１の差圧は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、ＦＦＵ２２の差圧を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

給気風速計１０７は、ＦＦＵ２２が処理室２内に送る空気の風速（給気風速）を検出する。プロセッサ１１は、給気風速計１０７から、給気風速を示す信号を受信する。給気風速は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、給気風速を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

給気風量計１０８は、ＦＦＵ２２が処理室２内に送る空気の風量（給気風量）を検出する。プロセッサ１１は、給気風量計１０８から、給気風量を示す信号を受信する。給気風量は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、給気風量を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

図５に示すように、基板処理装置１００は、第２差圧計１０９と、排気風速計１１０と、排気風量計１１１とを更に備える。

第２差圧計１０９は、バルブ２３３の差圧を検出する。第２差圧計１０９は、例えば、微差圧計である。プロセッサ１１は、第２差圧計１０９から、バルブ２３３の差圧を示す信号を受信する。バルブ２３３の差圧は、排気圧に対応する。排気圧は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、バルブ２３３の差圧（排気圧）を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

排気風速計１１０は、処理室２から排気される気体の風速（排気風速）を検出する。プロセッサ１１は、排気風速計１１０から、排気風速を示す信号を受信する。排気風速は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、排気風速を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

排気風量計１１１は、処理室２から排気される気体の風量（排気風量）を検出する。プロセッサ１１は、排気風量計１１１から、排気風量を示す信号を受信する。排気風量は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、排気風量を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

図５に示すように、基板処理装置１００は、光量センサ１１２と、雰囲気濃度センサ１１３と、湿度センサ１１４と、酸素濃度センサ１１５と、アンモニア濃度センサ１１６と、ＶＯＣ濃度センサ１１７とを更に備える。

光量センサ１１２は、処理室２内の光量を検出する。プロセッサ１１は、光量センサ１１２から、処理室２内の光量を示す信号を受信する。処理室２内の光量は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、処理室２内の光量を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

雰囲気濃度センサ１１３は、処理室２内で気体となった処理液Ｌの濃度（処理液雰囲気濃度）を検出する。プロセッサ１１は、雰囲気濃度センサ１１３から、処理液雰囲気濃度を示す信号を受信する。処理液雰囲気濃度は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、処理液雰囲気濃度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

湿度センサ１１４は、処理室２内の湿度を検出する。プロセッサ１１は、湿度センサ１１４から、処理室２内の湿度を示す信号を受信する。処理室２内の湿度は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、処理室２内の湿度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

酸素濃度センサ１１５は、処理室２内の酸素濃度を検出する。プロセッサ１１は、酸素濃度センサ１１５から、処理室２内の酸素濃度を示す信号を受信する。処理室２内の酸素濃度は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、処理室２内の酸素濃度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

アンモニア濃度センサ１１６は、処理室２内のアンモニア濃度を検出する。プロセッサ１１は、アンモニア濃度センサ１１６から、処理室２内のアンモニア濃度を示す信号を受信する。処理室２内のアンモニア濃度は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、処理室２内のアンモニア濃度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

ＶＯＣ濃度センサ１１７は、処理室２内の揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の濃度（ＶＯＣ濃度）を検出する。プロセッサ１１は、ＶＯＣ濃度センサ１１７から、処理室２内のＶＯＣ濃度を示す信号を受信する。処理室２内のＶＯＣ濃度は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、処理室２内のＶＯＣ濃度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

続いて図６を参照して、本実施形態の処理液供給部４０を説明する。図６は、本実施形態の処理液供給部４０の模式図である。図６に示すように、基板処理装置１００は処理液供給部４０を備える。処理液供給部４０は、処理液ノズル４１に処理液Ｌを供給する。処理液供給部４０は、図１を参照して説明した処理液供給配管４２に加えて、温度センサ４２１と、濃度センサ４２２と、バルブ４２３と、ミキシングバルブ４２４と、流量計４２５と、加熱ヒータ４２６と、サックバックバルブ４２７とを更に備える。

温度センサ４２１は、処理液供給配管４２を流れる処理液Ｌの温度を検出する。濃度センサ４２２は、処理液供給配管４２を流れる処理液Ｌに含まれるエッチング成分の濃度を検出する。以下、処理液供給配管４２を流れる処理液Ｌに含まれるエッチング成分の濃度を「第１処理液濃度」と記載する場合がある。

バルブ４２３は、処理液供給配管４２に配置される。バルブ４２３は、処理液ノズル４１への処理液Ｌの供給及び供給停止を切り替える。また、バルブ４２３は、処理液供給配管４２においてバルブ４２３よりも下流へ流れる処理液Ｌの流量を制御する。更に、バルブ４２３は、処理液ノズル４１から吐出する処理液Ｌの吐出流量を制御する。また、バルブ４２３は、処理液Ｌの吐出流量の立ち上がり特性及び立ち下がり特性を制御する。詳しくは、バルブ４２３が開くと、処理液ノズル４１から基板Ｗに向けて処理液Ｌが吐出される。一方、バルブ４２３が閉じると、処理液Ｌの吐出が停止する。また、バルブ４２３の開度に応じて、バルブ４２３よりも下流へ流れる処理液Ｌの流量が調整される。したがって、バルブ４２３の開度に応じて、処理液Ｌの吐出流量が調整される。また、バルブ４２３を開く速度に応じて、処理液Ｌの吐出流量の立ち上がり特性が調整され、バルブ４２３を閉じる速度に応じて、処理液Ｌの吐出流量の立ち下がり特性が調整される。バルブ４２３は、例えば、モータバルブである。

ミキシングバルブ４２４は、処理液供給配管４２に配置される。ミキシングバルブ４２４が開くと、処理液供給配管４２に純水が流入して、第１処理液濃度が希釈される。

流量計４２５は、処理液供給配管４２を流れる処理液Ｌの流量を検出する。換言すると、処理液Ｌの吐出流量を検出する。加熱ヒータ４２６は、処理液供給配管４２を流れる処理液Ｌを加熱する。

サックバックバルブ４２７は、処理液供給配管４２に配置される。サックバックバルブ４２７は、バルブ４２３よりも下流側に設けられて処理液供給流路の容積を変化させる。より具体的には、サックバックバルブ４２７は、ダイヤフラムを有し、加圧空気を流入させてダイヤフラムを変形させることで、処理液供給流路の容積を変化させる。加圧空気の流入により処理液供給流路の容積が大きくなると、処理液ノズル４１が有する流路の圧力、及び処理液供給流路の圧力が瞬間的に小さくなり、処理液ノズル４１の開口付近に残留している処理液Ｌに対して吸引力が作用する。本実施形態では、処理液Ｌの吐出が停止した後、図３及び図５を参照して説明した制御部１０（プロセッサ１１）が、サックバックバルブ４２７を制御して、サックバックバルブ４２７に加圧空気を流入させる。この結果、処理液ノズル４１から処理液供給配管４２の上流側に向けて処理液Ｌが吸い込まれる。

続いて図７を参照して、ガス供給部７０を説明する。図７は、ガス供給部７０の模式図である。図７に示すように、基板処理装置１００はガス供給部７０を備える。ガス供給部７０は、図１を参照して説明したガス供給配管７２に加えて、レギュレータ７２１と、温度センサ７２２と、圧力センサ７２３と、濃度センサ７２４と、バルブ７２５と、流量計７２６と、加熱ヒータ７２７とを更に備える。

レギュレータ７２１は、ガス供給配管７２に配置される。レギュレータ７２１は、ガス供給流路の圧力を調整する。レギュレータ７２１は、例えば、電空レギュレータである。

温度センサ７２２は、ガス供給配管７２を流れるガスＧの温度を検出する。圧力センサ７２３は、ガス供給流路の圧力を検出する。濃度センサ７２４は、ガスＧに含まれる不活性成分の濃度を検出する。以下、ガス供給配管７２を流れるガスＧの温度を「ガスＧの温度」と記載する場合がある。また、ガスＧに含まれる不活性成分の濃度を「ガスＧの濃度」と記載する場合がある。

バルブ７２５は、ガス供給配管７２に配置される。バルブ７２５は、ガスノズル７１から噴出するガスＧの噴出流量を制御する。また、バルブ７２５は、ガスＧの噴出流量の立ち上がり特性及び立ち下がり特性を制御する。詳しくは、バルブ７２５の開度に応じて、ガスＧの噴出流量が調整される。また、バルブ７２５を開く速度に応じて、ガスＧの噴出流量の立ち上がり特性が調整され、バルブ７２５を閉じる速度に応じて、ガスＧの噴出流量の立ち下がり特性が調整される。バルブ７２５は、例えば、モータバルブである。

流量計７２６は、ガス供給配管７２を流れるガスＧの流量を検出する。換言すると、ガスＧの噴出流量を検出する。加熱ヒータ７２７は、ガス供給配管７２を流れるガスＧを加熱する。

続いて図８を参照して、処理液循環部３００と、第１処理液成分供給部５１０と、第２処理液成分供給部５２０と、処理液回収部６００とを説明する。図８は、本実施形態の処理液循環部３００、第１処理液成分供給部５１０、第２処理液成分供給部５２０、及び処理液回収部６００を示す模式図である。図８に示すように、基板処理装置１００は、処理液循環部３００、第１処理液成分供給部５１０、第２処理液成分供給部５２０、及び処理液回収部６００を更に備える。

処理液循環部３００は、処理液Ｌを循環させる。具体的には、処理液循環部３００は、調合槽３０１と、循環配管３０２と、加熱ヒータ３０３と、ポンプ３０４と、バルブ３０５と、リリーフバルブ３０６と、リリーフ配管３０７と、温度センサ３０８と、濃度センサ３０９と、圧力センサ３１０と、流量計３１１とを備える。

調合槽３０１は、処理液Ｌを収容する。循環配管３０２は、処理液Ｌが循環する循環流路を形成する。循環配管３０２に、処理液供給配管４２が接続する。

加熱ヒータ３０３は、循環配管３０２を流れる処理液Ｌを加熱する。ポンプ３０４は、循環配管３０２に配置される。ポンプ３０４は、調合槽３０１から処理液Ｌを吸い上げて、循環配管３０２に処理液Ｌを送る。

バルブ３０５は、循環配管３０２に配置される。バルブ３０５は、循環配管３０２を流れる処理液Ｌの流量を制御する。詳しくは、バルブ３０５の開度に応じて、循環配管３０２を流れる処理液Ｌの流量が調整される。バルブ３０５は、例えば、モータバルブである。以下、循環配管３０２を流れる処理液Ｌの流量を「処理液循環流量」と記載する場合がある。

リリーフバルブ３０６は、循環配管３０２に配置される。リリーフ配管３０７は、リリーフバルブ３０６に接続する。リリーフバルブ３０６が開くと、循環配管３０２からリリーフ配管３０７に処理液Ｌが流入する。リリーフ配管３０７は、リリーフバルブ３０６から流入した処理液Ｌを調合槽３０１へ案内する。リリーフバルブ３０６の開度に応じて、循環流路の圧力が調整される。

温度センサ３０８は、循環配管３０２を流れる処理液Ｌの温度を検出する。濃度センサ３０９は、循環配管３０２を流れる処理液Ｌに含まれるエッチング成分の濃度を検出する。圧力センサ３１０は、循環流路の圧力を検出する。流量計３１１は、処理液循環流量を検出する。以下、循環配管３０２を流れる処理液Ｌの温度を「第２処理液温度」と記載する場合がある。また、循環配管３０２を流れる処理液Ｌに含まれるエッチング成分の濃度を「第２処理液濃度」と記載する場合がある。

第１処理液成分供給部５１０は、調合槽３０１に第１処理液成分Ｌ１を供給する。第２処理液成分供給部５２０は、調合槽３０１に第２処理液成分Ｌ２を供給する。調合槽３０１において、第１処理液成分Ｌ１と第２処理液成分Ｌ２とが調合されて、処理液Ｌが生成される。例えば、第１処理液成分Ｌ１は燐酸、フッ酸、硝酸、又は水酸化アンモニウムであり、第２処理液成分Ｌ２は純水である。あるいは、第１処理液成分Ｌ１はフッ酸であり、第２処理液成分Ｌ２は硝酸水溶液である。あるいは、第１処理液成分Ｌ１は硝酸水溶液であり、第２処理液成分Ｌ２はフッ酸である。あるいは、第１処理液成分Ｌ１は水酸化アンモニウムであり、第２処理液成分Ｌ２は過酸化水素水である。あるいは、第１処理液成分Ｌ１は過酸化水素水であり、第２処理液成分Ｌ２は水酸化アンモニウムである。

第１処理液成分供給部５１０は、配管５１１と、レギュレータ５１２と、圧力センサ５１３と、定量吐出ポンプ５１４とを備える。配管５１１は、第１処理液成分Ｌ１が流れる第１処理液成分供給流路を形成する。配管５１１は、第１処理液成分Ｌ１を調合槽３０１まで案内する。

レギュレータ５１２は、配管５１１に配置される。レギュレータ５１２は、第１処理液成分供給流路の圧力を調整する。レギュレータ５１２は、例えば、電空レギュレータである。

圧力センサ５１３は、第１処理液成分供給流路の圧力を検出する。定量吐出ポンプ５１４は、配管５１１に配置される。定量吐出ポンプ５１４は、第１処理液成分Ｌ１を一定量ずつ吐出する。

第２処理液成分供給部５２０は、配管５２１と、レギュレータ５２２と、圧力センサ５２３とを備える。配管５２１は、第２処理液成分Ｌ２が流れる第２処理液成分供給流路を形成する。配管５２１は、第２処理液成分Ｌ２を調合槽３０１まで案内する。

レギュレータ５２２は、配管５２１に配置される。レギュレータ５２２は、第２処理液成分供給流路の圧力を調整する。レギュレータ５２２は、例えば、電空レギュレータである。圧力センサ５２３は、第２処理液成分供給流路の圧力を検出する。

処理液回収部６００は、処理室２から送られてくる使用後の処理液Ｌを調合槽３０１へ供給する。処理液回収部６００は、回収槽６０１と、第１回収配管６０２と、第２回収配管６０３と、ポンプ６０４とを備える。

第１回収配管６０２は、処理室２から回収槽６０１まで使用後の処理液Ｌを案内する。回収槽６０１は、使用後の処理液Ｌを収容する。第２回収配管６０３は、回収槽６０１から調合槽３０１まで使用後の処理液Ｌを案内する。ポンプ６０４は、第２回収配管６０３に配置される。ポンプ６０４は、回収槽６０１から使用後の処理液Ｌを吸い上げて、第２回収配管６０３に使用後の処理液Ｌを送る。

続いて図６〜図９を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図９は基板処理装置１００のブロック図である。図９に示すように、プロセッサ１１は、記憶部１２に記憶されているコンピュータープログラムを実行して、処理液供給部４０、ガス供給部７０、処理液循環部３００、第１処理液成分供給部５１０、第２処理液成分供給部５２０、及び処理液回収部６００を制御する。

具体的には、プロセッサ１１は、処理液供給部４０が備えるバルブ４２３、ミキシングバルブ４２４、加熱ヒータ４２６、及びサックバックバルブ４２７を制御する。

プロセッサ１１は、バルブ４２３及びミキシングバルブ４２４を制御して、処理液供給配管４２を流れる処理液Ｌに含まれるエッチング成分の濃度（第１処理液濃度）を調整することができる。第１処理液濃度は、基板処理装置１００の設定条件である。更に、プロセッサ１１は、バルブ４２３を制御して、処理液ノズル４１から吐出する処理液Ｌの吐出流量を調整することができる。また、プロセッサ１１は、バルブ４２３を制御して、処理液Ｌの吐出流量の立ち上がり特性及び立ち下がり特性を調整することができる。処理液Ｌの吐出流量、処理液Ｌの吐出流量の立ち上がり特性、及び処理液Ｌの吐出流量の立ち下がり特性は、基板処理装置１００の設定条件である。

また、プロセッサ１１は、処理液ノズル４１からの処理液Ｌの吐出を開始させる信号の発生タイミングを調整して、処理液Ｌの吐出開始タイミングを調整することができる。具体的には、処理液Ｌの吐出を開始させる信号は、バルブ４２３を開く信号であり、バルブ４２３を開く信号の発生タイミングを調整して、処理液Ｌの吐出開始タイミングを調整することができる。バルブ４２３を開く信号の発生タイミングは、基板処理装置１００の設定条件である。

また、プロセッサ１１は、処理液ノズル４１からの処理液Ｌの吐出を停止させる信号の発生タイミングを調整して、処理液Ｌの吐出停止タイミングを調整することができる。具体的には、処理液Ｌの吐出を停止させる信号は、バルブ４２３を閉じる信号であり、バルブ４２３を閉じる信号の発生タイミングを調整して、処理液Ｌの吐出停止タイミングを調整することができる。バルブ４２３を閉じる信号の発生タイミングは、基板処理装置１００の設定条件である。

また、プロセッサ１１は、処理液ノズル４１から処理液Ｌが吐出する流量を変更させる信号の発生タイミングを調整して、処理液Ｌの吐出流量変更タイミングを調整することができる。具体的には、処理液Ｌが吐出する流量を変更させる信号は、バルブ４２３の開度を変更する信号であり、バルブ４２３の開度を変更する信号の発生タイミングを調整して、処理液Ｌの吐出流量変更タイミングを調整することができる。バルブ４２３の開度を変更する信号の発生タイミングは、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、加熱ヒータ４２６を制御して、処理液供給配管４２を流れる処理液Ｌの温度を調整することができる。以下、処理液供給配管４２を流れる処理液Ｌの温度を「第１処理液温度」と記載する場合がある。第１処理液温度は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、サックバックバルブ４２７を制御して、図１及び図３を参照して説明したサックバック速度及びサックバック停止位置を調整することができる。サックバック速度及びサックバック停止位置は、基板処理装置１００の設定条件である。

また、プロセッサ１１は、処理液供給部４０が備える温度センサ４２１、濃度センサ４２２、及び流量計４２５から信号を受信する。温度センサ４２１が出力する信号は、第１処理液温度を示す。濃度センサ４２２が出力する信号は、第１処理液濃度を示す。流量計４２５が出力する信号は、処理液Ｌの吐出流量を示す。第１処理液温度、第１処理液濃度、及び処理液Ｌの吐出流量は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、第１処理液温度、第１処理液濃度、及び処理液Ｌの吐出流量を示す情報を記憶部１２に記憶させる。更に、プロセッサ１１は、濃度センサ４２２が出力する信号に基づいて、処理液Ｌの純度を検出する。処理液Ｌの純度は、エッチング実行時の実行条件であり、プロセッサ１１は、処理液Ｌの純度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、ガス供給部７０が備えるレギュレータ７２１、バルブ７２５、及び加熱ヒータ７２７を制御する。

プロセッサ１１は、レギュレータ７２１を制御して、ガス供給流路の圧力を調整することができる。ガス供給流路の圧力は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、バルブ７２５を制御して、ガスノズル７１から噴出するガスＧの噴出流量を調整することができる。また、プロセッサ１１は、バルブ７２５を制御して、ガスＧの噴出流量の立ち上がり特性及び立ち下がり特性を調整することができる。ガスＧの噴出流量、ガスＧの噴出流量の立ち上がり特性、及びガスＧの噴出流量の立ち下がり特性は、基板処理装置１００の設定条件である。

また、プロセッサ１１は、ガスノズル７１からのガスＧの噴出を開始させる信号の発生タイミングを調整して、ガスＧの噴出開始タイミングを調整することができる。具体的には、ガスＧの噴出を開始させる信号は、バルブ７２５を開く信号であり、バルブ７２５を開く信号の発生タイミングを調整して、ガスＧの噴出開始タイミングを調整することができる。バルブ７２５を開く信号の発生タイミングは、基板処理装置１００の設定条件である。

また、プロセッサ１１は、ガスノズル７１からのガスＧの噴出を停止させる信号の発生タイミングを調整して、ガスＧの噴出停止タイミングを調整することができる。具体的には、ガスＧの噴出を停止させる信号は、バルブ７２５を閉じる信号であり、バルブ７２５を閉じる信号の発生タイミングを調整して、ガスＧの噴出停止タイミングを調整することができる。バルブ７２５を閉じる信号の発生タイミングは、基板処理装置１００の設定条件である。

また、プロセッサ１１は、ガスノズル７１からガスＧが噴出する流量を変更させる信号の発生タイミングを調整して、ガスＧの噴出流量変更タイミングを調整することができる。具体的には、ガスＧが噴出する流量を変更させる信号は、バルブ７２５の開度を変更する信号であり、バルブ７２５の開度を変更する信号の発生タイミングを調整して、ガスＧの噴出流量変更タイミングを調整することができる。バルブ７２５の開度を変更する信号の発生タイミングは、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、加熱ヒータ７２７を制御して、ガス供給配管７２を流れるガスＧの温度を調整することができる。ガスＧの温度は、基板処理装置１００の設定条件である。

また、プロセッサ１１は、処理液供給部４０が備える温度センサ７２２、圧力センサ７２３、濃度センサ７２４、及び流量計７２６から信号を受信する。温度センサ７２２が出力する信号は、ガス供給配管７２を流れるガスＧの温度を示す。圧力センサ７２３が出力する信号は、ガス供給流路の圧力を示す。濃度センサ７２４が出力する信号は、ガスＧに含まれる不活性成分の濃度（ガスＧの濃度）を示す。流量計７２６が出力する信号は、ガスＧの噴出流量を示す。ガスＧの温度、ガス供給流路の圧力、ガスＧの濃度、及びガスＧの噴出流量は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、ガスＧの温度、ガス供給流路の圧力、ガスＧの濃度、及びガスＧの噴出流量を示す情報を記憶部１２に記憶させる。更に、プロセッサ１１は、濃度センサ７２４が出力する信号に基づいて、ガスＧの純度を検出する。ガスＧの純度は、エッチング実行時の実行条件であり、プロセッサ１１は、ガスＧの純度を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、処理液循環部３００が備える加熱ヒータ３０３、ポンプ３０４、バルブ３０５、リリーフバルブ３０６を制御する。

プロセッサ１１は、加熱ヒータ３０３を制御して、循環配管３０２を流れる処理液Ｌの温度（第２処理液温度）を調整することができる。第２処理液温度は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、バルブ３０５を制御して、循環配管３０２を流れる処理液Ｌの流量（処理液循環流量）を調整することができる。処理液循環流量は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、リリーフバルブ３０６を制御して、循環流路の圧力を調整することができる。循環流路の圧力は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、処理液循環部３００が備える温度センサ３０８、濃度センサ３０９、圧力センサ３１０、及び流量計３１１から信号を受信する。温度センサ３０８が出力する信号は、循環配管３０２を流れる処理液Ｌの温度（第２処理液温度）を示す。濃度センサ３０９が出力する信号は、循環配管３０２を流れる処理液Ｌに含まれるエッチング成分の濃度（第２処理液濃度）を示す。圧力センサ３１０が出力する信号は、循環流路の圧力を示す。流量計３１１が出力する信号は、処理液循環流量を示す。第２処理液温度、第２処理液濃度、循環流路の圧力、及び処理液循環流量は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、第２処理液温度、第２処理液濃度、循環流路の圧力、及び処理液循環流量を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、第１処理液成分供給部５１０が備えるレギュレータ５１２及び定量吐出ポンプ５１４を制御する。プロセッサ１１は、レギュレータ５１２を制御して、第１処理液成分供給流路の圧力を調整することができる。また、プロセッサ１１は、定量吐出ポンプ５１４を制御して、第２処理液濃度を調整することができる。第１処理液成分供給流路の圧力、及び第２処理液濃度は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、第１処理液成分供給部５１０が備える圧力センサ５１３から信号を受信する。圧力センサ５１３が出力する信号は、第１処理液成分供給流路の圧力を示す。第１処理液成分供給流路の圧力は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、第１処理液成分供給流路の圧力を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

プロセッサ１１は、第２処理液成分供給部５２０が備えるレギュレータ５２２を制御して、第２処理液成分供給流路の圧力を調整することができる。第２処理液成分供給流路の圧力は、基板処理装置１００の設定条件である。

プロセッサ１１は、第２処理液成分供給部５２０が備える圧力センサ５２３から信号を受信する。圧力センサ５２３が出力する信号は、第２処理液成分供給流路の圧力を示す。第２処理液成分供給流路の圧力は、エッチング実行時の実行条件である。プロセッサ１１は、第２処理液成分供給流路の圧力を示す情報を記憶部１２に記憶させる。

続いて図１０を参照して、本実施形態の基板処理システム１０００を説明する。図１０は本実施形態の基板処理システム１０００の模式図である。図１０に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００と、検査装置２００とを備える。

基板処理装置１００は、図１及び図２を参照して説明したように、基板Ｗをエッチングする。以下、エッチングされる前の基板Ｗ（処理室２に搬入される前の基板Ｗ）を「未処理基板Ｗｂ」と記載する場合がある。また、エッチングされた後の基板Ｗを「処理済み基板Ｗａ」と記載する場合がある。

検査装置２００は、処理済み基板Ｗａを検査して、処理済み基板Ｗａの検査結果データを作成する。検査結果データは、エッチングの実行結果を示す。具体的には、検査装置２００は、処理済み基板Ｗａの半径位置ごとに膜厚を測定する。また、検査装置２００は、測定した膜厚のデータと、未処理基板Ｗｂの膜厚分布のデータとに基づいて、処理済み基板Ｗａの半径位置ごとのエッチング量を示すデータを作成する。

続いて図１１を参照して、処理済み基板Ｗａの半径位置ごとのエッチング量について説明する。図１１は、処理済み基板Ｗａの半径位置ごとのエッチング量の一例を示す図である。換言すると、図１１は、エッチングプロファイルの一例を示す。エッチングプロファイルは、処理済み基板Ｗａの半径位置ごとのエッチング量をプロットして作製される。図１１において、縦軸はエッチング量を示し、横軸は処理済み基板Ｗａの半径位置を示す。

エッチング量は、処理済み基板Ｗａの全域において目標値と一致していることが望ましいが、図１１に示すように、実際のエッチング量にはバラツキがある。したがって、エッチング量は、基板処理装置１００の性能又は状態の指標となる。換言すると、処理済み基板Ｗａの全域におけるエッチング量は、エッチングの実行結果の特徴量である。

また、エッチング量は、処理済み基板Ｗａの全域において均一であることが望ましい。したがって、エッチング量の均一性（分散）は、基板処理装置１００の状態又は性能の指標となる。換言すると、エッチング量の均一性は、エッチングの実行結果の特徴量である。

なお、エッチング量の均一性を示すデータは、分散に限定されない。例えば、エッチング量の最大値Ｅｍａｘ及び最小値Ｅｍｉｎ、並びにエッチング量の平均値も、エッチング量の均一性を示す。したがって、エッチング量の最大値Ｅｍａｘ及び最小値Ｅｍｉｎ、並びにエッチング量の平均値も、エッチングの実行結果の特徴量である。また、エッチングプロファイルもエッチング量の均一性を示す。したがって、エッチングプロファイルも、エッチングの実行結果の特徴量である。

続いて図１２を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１２は本実施形態の基板処理装置１００のブロック図である。図１２に示すように基板処理装置１００は入力部１３を更に備える。

入力部１３は、作業者が操作するユーザインタフェース装置である。入力部１３は、作業者の操作に応じたデータをプロセッサ１１に入力する。例えば、入力部１３は、キーボード及びマウスを含む。なお、入力部１３は、タッチディスプレイを含んでもよい。本実施形態において、作業者は、入力部１３を操作して、エッチングの実行結果の特徴量をプロセッサ１１に入力する。プロセッサ１１は、エッチングの実行結果の特徴量を記憶部１２に記憶させる。

具体的には、作業者は、入力部１３を操作して、処理済み基板Ｗａの全域におけるエッチング量を示すデータと、エッチング量の均一性を示すデータとを入力する。処理済み基板Ｗａの全域におけるエッチング量を示すデータは、エッチングプロファイルであり得る。なお、作業者は、処理済み基板Ｗａの全域におけるエッチング量と、エッチング量の均一性（分散）とのうちの一方を入力してもよい。また、作業者は、分散に替えて、あるいは分散に加えて、エッチング量の最大値Ｅｍａｘ及び最小値Ｅｍｉｎと、エッチング量の平均値とのうちの少なくとも一方を入力してもよい。エッチング量の均一性（分散）は、作業者が算出してもよいし、検査装置２００が算出してもよい。同様に、エッチング量の最大値Ｅｍａｘ及び最小値Ｅｍｉｎ、並びにエッチング量の平均値は、作業者が算出してもよいし、検査装置２００が算出してもよい。

プロセッサ１１は、図３、図５及び図９を参照して説明した各種の実行条件と、エッチングの実行結果の特徴量とを記憶部１２に記憶させる。また、記憶部１２には、実行条件として、未処理基板Ｗｂが有する膜の種類を示すデータと、未処理基板Ｗｂの膜厚分布を示すデータと、未処理基板Ｗｂの厚みを示すデータと、未処理基板Ｗｂの表面状態を示すデータとが予め記憶されている。膜の種類は、例えば、シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜のうちの少なくとも一方を含む。

プロセッサ１１は、各種の実行条件と、エッチングの実行結果の特徴量とに基づいて、図３及び図９を参照して説明した各種の設定条件のうちの少なくとも１つ設定条件を補正する補正データを生成する。

続いて図１３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００が実行する設定条件の補正方法について説明する。図１３は、本実施形態の補正方法を示すフローチャートである。図１３に示すように、本実施形態の補正方法は、ステップＳ１１〜ステップＳ１３を含む。

設定条件を補正する場合、プロセッサ１１は、まず、図３、図５、図９、及び図１２を参照して説明した実行条件と、図１２を参照して説明した特徴量とを記憶部１２に記憶させる（ステップＳ１１）。

次に、プロセッサ１１は、記憶部１２から実行条件及び特徴量を読み出して取得し、取得した実行条件及び特徴量に基づき、図３及び図９を参照して説明した各種の設定条件のうちの少なくとも１つ設定条件を補正する補正データを生成する（ステップＳ１２）。

次に、プロセッサ１１は、補正データに基づいて、対応する設定条件を補正して（ステップＳ１３）、図１３に示す処理を終了する。

本実施形態のプロセッサ１１は、機械学習によって生成された学習済みモデルを用いて、補正データを生成する。具体的には、プロセッサ１１は、記憶部１２から読み出して取得した実行条件及び特徴量を学習済みモデルに入力する。この結果、学習済みモデルから補正データが出力される。機械学習は、例えば、教師あり学習、教師なし学習、半教師あり学習、強化学習、及び深層学習のうちのいずれかである。

続いて図１４を参照して、本実施形態の学習済みモデル１３０を説明する。図１４は学習済みモデル１３０の模式図である。図１４に示すように、学習済みモデル１３０は、ニューラルネットワークである。プロセッサ１１は、ニューラルネットワークを用いて補正データを生成する。以下、学習済みモデル１３０を「ニューラルネットワーク１３０」と記載する場合がある。

図１４に示すように、ニューラルネットワーク１３０は、入力層１３１と、中間層１３２と、出力層１３３とを有する。プロセッサ１１は、記憶部１２から読み出して取得した実行条件及び特徴量を入力層１３１に入力する。この結果、出力層１３３から補正データが出力される。なお、補正対象となる設定条件は予め定められてもよいし、ニューラルネットワーク１３０が補正対象となる設定条件を決定してもよい。また、図１４に示すニューラルネットワーク１３０は中間層１３２が１層であるが、ニューラルネットワーク１３０は多層構造であってもよい。

続いて図１５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００が実行する機械学習について説明する。図１５は、本実施形態の学習方法を示すフローチャートである。図１５に示すように、本実施形態の学習方法は、ステップＳ２１〜ステップＳ２３を含む。

機械学習を実行する場合、プロセッサ１１に教師情報（教師データ）が入力される（ステップＳ２１）。プロセッサ１１は、入力された教師情報を記憶部１２に記憶させる。教師情報は、図１２を参照して説明した特徴量が最適な値を示す場合に得られる情報である。すなわち、教師情報は、特徴量が最適な値を示す場合に得た実行条件と、最適な値を示す特徴量とを含む。更に、教師情報は、特徴量が最適な値を示す場合に得た設定条件を含む。

次に、プロセッサ１１は、記憶部１２から教師情報（実行条件、特徴量及び設定条件）を読み出して取得し、取得した教師情報に基づいて機械学習を実行し（ステップＳ２２）、学習済みモデル１３０を生成して（ステップＳ２３）、図１５に示す処理を終了する。具体的には、プロセッサ１１は、複数の教師情報から、実行条件及び設定条件に応じたエッチング量の変化、並びに実行条件及び設定条件に応じたエッチング量の均一性の変化を測定し、測定結果に基づいて重み係数を更新する。

以上、実施形態１について説明した。本実施形態によれば、作業者が手動で設定条件を変更することなく、設定条件を補正（調整）することができる。したがって、作業者の負担を軽減することができる。

なお、設定条件は、本実施形態において説明した設定条件のうちの一部であってもよい。

また、実行条件に、基板処理装置１００が設置される工場の環境条件を加えてもよい。具体的には、基板処理装置１００が設置される雰囲気の温度、湿度、酸素濃度、アンモニア濃度、ＶＯＣ濃度及び気圧、並びに工場が設置されている場所の高度を示す情報を、実行条件としてプロセッサ１１に入力してもよい。この場合、工場に設置された温度センサ、湿度センサ、酸素濃度センサ、アンモニア濃度センサ、ＶＯＣ濃度センサ、気圧センサ、及び高度センサから、温度データ、湿度データ、酸素濃度データ、アンモニア濃度データ、ＶＯＣ濃度データ、気圧データ、及び高度データがプロセッサ１１に入力される。

［実施形態２］
続いて図１６を参照して、本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、補正データ生成装置１１００が補正データを生成する点で実施形態１と異なる。

図１６は、実施形態２に係る基板処理システム１０００の模式図である。図１６に示すように、実施形態２に係る基板処理システム１０００は、基板処理装置１００と、検査装置２００と、補正データ生成装置１１００とを備える。

基板処理装置１００は、通信インターフェイス１４を備える。通信インターフェイス１４は、補正データ生成装置１１００との間の通信を制御する。具体的には、通信インターフェイス１４は、実行条件を示すデータを補正データ生成装置１１００に送信する。また、通信インターフェイス１４は、補正データを補正データ生成装置１１００から受信する。通信インターフェイス１４は、例えば、ＬＡＮボード又は無線ＬＡＮボードである。基板処理装置１００は、補正データ生成装置１１００から受信した補正データに基づいて、補正対象の設定条件を補正（調整）する。

検査装置２００は、通信インターフェイス２０１を備える。通信インターフェイス２０１は、補正データ生成装置１１００との間の通信を制御する。具体的には、通信インターフェイス２０１は、特徴量を示すデータを補正データ生成装置１１００に送信する。通信インターフェイス２０１は、例えば、ＬＡＮボード又は無線ＬＡＮボードである。

補正データ生成装置１１００は、通信インターフェイス１１０１と、制御部１１１０とを備える。補正データ生成装置１１００は、例えば、サーバ装置である。

通信インターフェイス１１０１は、基板処理装置１００との間の通信、及び検査装置２００との間の通信を制御する。具体的には、通信インターフェイス１１０１は、基板処理装置１００から実行条件を示すデータを受信する。また、通信インターフェイス１１０１は、検査装置２００から特徴量を示すデータを受信する。更に、通信インターフェイス１１０１は、基板処理装置１００に対して補正データを送信する。

制御部１１１０は、基板処理装置１００から受信した実行条件と、検査装置２００から特徴量とに基づいて補正データを生成する。具体的には、制御部１１１０は、プロセッサ１１１１と、記憶部１１１２とを備える。プロセッサ１１１１は、例えば、中央処理演算機（ＣＰＵ）である。あるいは、プロセッサ１１１１は、汎用演算機である。記憶部１１１２は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶部１１１２は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーによって構成される。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリー及び／又はハードディスクドライブによって構成される。記憶部１１１２は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。

プロセッサ１１１１は、実施形態１において説明したプロセッサ１１と同様に、実行条件及び特徴量に基づいて補正データを生成する。プロセッサ１１１１は、補正データを生成すると、通信インターフェイス１１０１を介して、基板処理装置１００に補正データを送信する。また、プロセッサ１１１１は、実施形態１において説明したプロセッサ１１と同様に、教師情報（教師データ）に基づいて、学習済みモデル１３０を生成する。なお、教師情報のうち、実行条件を示すデータ及び設定条件を示すデータは、基板処理装置１００が補正データ生成装置１１００に送信する。また、教師情報のうち、特徴量を示すデータは、検査装置２００が補正データ生成装置１１００に送信する。

以上、実施形態２について説明した。本実施形態によれば、実施形態１と同様に、作業者が手動で設定条件を変更することなく、設定条件を補正（調整）することができる。したがって、作業者の負担を軽減することができる。

以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。

例えば、本発明の実施形態では、検査装置２００が膜厚を測定したが、基板処理装置１００が、膜厚を測定する膜厚測定センサを備えてもよい。

また、本発明の実施形態では、処理済み基板Ｗａの半径位置ごとのエッチング量をプロットしてエッチングプロファイルを作製したが、処理済み基板Ｗａの厚みの測定結果に基づいてエッチングプロファイルを作製してもよい。

また、本発明の実施形態では、サーモグラフィカメラ１０１が生成する画像信号（温度分布データ）に基づいて、プロセッサ１１が、処理液ノズル４１の先端における処理液Ｌの温度と、ガスノズル７１の先端におけるガスＧの温度とを検出したが、プロセッサ１１は、温度センサ４２１及び温度センサ７２２の出力信号に基づいて、処理液ノズル４１の先端における処理液Ｌの温度と、ガスノズル７１の先端におけるガスＧの温度とを検出してもよい。

また、本発明の実施形態では、プロセッサ１１は、ビデオカメラ１０２が生成する撮像信号に基づいて、処理液Ｌの吐出開始タイミング、処理液Ｌの吐出停止タイミング、処理液Ｌの吐出流量変更タイミング、処理液Ｌの吐出流量立ち上がり特性、処理液Ｌの吐出流量立ち下がり特性、ガスＧの噴出開始タイミング、ガスＧの噴出停止タイミング、ガスＧの噴出流量変更タイミング、ガスＧの噴出流量立ち上がり特性、及びガスＧの噴出流量立ち下がり特性を検出したが、プロセッサ１１は、流量計４２５及び流量計７２６の出力信号に基づいて、処理液Ｌの吐出開始タイミング等を検出してもよい。

また、本発明の実施形態では、濃度センサ４２２を用いて処理液Ｌの純度を検出したが、比抵抗計を用いて処理液Ｌの純度を検出してもよい。同様に、本発明の実施形態では、濃度センサ７２４を用いてガスＧの純度を検出したが、比抵抗計を用いてガスＧの純度を検出してもよい。

また、本発明の実施形態では、ビデオカメラ１０２を用いて基板Ｗの偏心量及び基板Ｗの面振れ量を検出したが、変位センサを用いて基板Ｗの偏心量及び基板Ｗの面振れ量を検出してもよい。

また、本発明の実施形態において説明した実行条件のうちの一部を用いて補正データを生成してもよい。なお、好ましくは、使用する実行条件は、排気風速、排気風量、基板Ｗの回転速度、基板Ｗの回転加速度、基板Ｗの回転速度の変更タイミング、処理液ノズル４１の半径方向の位置、処理液ノズル４１の移動速度、処理液ノズル４１の加速度、処理液ノズル４１の半径方向の位置の変更タイミング、処理液ノズル４１の移動速度の変更タイミング、液受け部８の鉛直方向の位置、液受け部８の移動速度、液受け部８の加速度、液受け部８の鉛直方向の位置の変更タイミング、液受け部８の移動速度の変更タイミング、処理液ノズル４１の先端における処理液Ｌの温度、ガスノズル７１の先端におけるガスＧの温度、基板表面温度、処理液Ｌの吐出開始タイミング、処理液Ｌの吐出停止タイミング、処理液Ｌの吐出流量変更タイミング、処理液Ｌの吐出流量立ち上がり特性、処理液Ｌの吐出流量立ち下がり特性、ガスＧの噴出開始タイミング、ガスＧの噴出停止タイミング、ガスＧの噴出流量変更タイミング、ガスＧの噴出流量立ち上がり特性、ガスＧの噴出流量立ち下がり特性、処理液Ｌのサックバック速度、処理液Ｌのサックバック停止位置、処理液Ｌのボタ落ちの有無、処理液Ｌの膜厚分布、液受け部８の上面及び外側面における処理液Ｌの付着の有無、液受け部８の上面及び外側面に付着している処理液Ｌの量、基板Ｗの偏心量、基板Ｗの面振れ量、給気風速、給気風量、第１処理液濃度、処理液Ｌの吐出流量、ガスＧの噴出流量、ＦＦＵ２１の差圧、基板加熱温度、処理室２内の光量、液受け部８の温度、ノズルアーム４３の温度、スピンベース３１の温度、隔壁２１の温度、処理液Ｌの純度、ガスＧの純度、処理液ノズル４１の位置の変化、ノズルアーム４３の形状の変化、ヒータアーム５２の形状の変化、リンス液ノズル６１の位置の変化、ガスノズル７１の位置の変化、液受け部８の位置の変化、液受け部８の形状の変化、チャックピン３２の形状の変化、チャックピン３２の摩耗度、気流分布、基板表面電位、バルブ２３３の差圧、処理液雰囲気濃度、処理室２内の湿度、処理室２内の酸素濃度、処理室２内のアンモニア濃度、処理室２内のＶＯＣ濃度、及び循環流路の圧力のうちの少なくとも１つを含む。より好ましくは、使用する実行条件は、排気風速、排気風量、基板Ｗの回転速度、基板Ｗの回転加速度、基板Ｗの回転速度の変更タイミング、処理液ノズル４１の半径方向の位置、処理液ノズル４１の移動速度、処理液ノズル４１の加速度、処理液ノズル４１の半径方向の位置の変更タイミング、処理液ノズル４１の移動速度の変更タイミング、液受け部８の鉛直方向の位置、液受け部８の移動速度、液受け部８の加速度、液受け部８の鉛直方向の位置の変更タイミング、液受け部８の移動速度の変更タイミング、処理液ノズル４１の先端における処理液Ｌの温度、ガスノズル７１の先端におけるガスＧの温度、基板表面温度、処理液Ｌの吐出開始タイミング、処理液Ｌの吐出停止タイミング、処理液Ｌの吐出流量変更タイミング、処理液Ｌの吐出流量立ち上がり特性、処理液Ｌの吐出流量立ち下がり特性、ガスＧの噴出開始タイミング、ガスＧの噴出停止タイミング、ガスＧの噴出流量変更タイミング、ガスＧの噴出流量立ち上がり特性、ガスＧの噴出流量立ち下がり特性、処理液Ｌのサックバック速度、処理液Ｌのサックバック停止位置、処理液Ｌのボタ落ちの有無、処理液Ｌの膜厚分布、液受け部８の上面及び外側面における処理液Ｌの付着の有無、液受け部８の上面及び外側面に付着している処理液Ｌの量、基板Ｗの偏心量、基板Ｗの面振れ量、給気風速、給気風量、第１処理液濃度、処理液Ｌの吐出流量、ガスＧの噴出流量のうちの少なくとも１つを含む。

また、本発明の実施形態において、基板Ｗは半導体ウエハであったが、基板Ｗは、液晶表示装置用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板及び太陽電池用基板のうちのいずれかであってもよい。

また、本発明の実施形態において、スピンチャック３は、複数のチャックピン３２を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックであったが、スピンチャック３は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース３１の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。

また、本発明の実施形態において、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であったが、基板処理装置１００は複数の基板Ｗを同時に処理するバッチ型であってもよい。

本発明は、基板を処理する基板処理装置に好適に用いられる。

２ 処理室
８ 液受け部
１０ 制御部
４０ 処理液供給部
４１ 処理液ノズル
７０ ガス供給部
７１ ガスノズル
７２ ガス供給配管
１００ 基板処理装置
２００ 検査装置
２３１ 排気ファン
２３２ 排気ダクト
２３３ バルブ
３００ 処理液循環部
５１０ 第１処理液成分供給部
５２０ 第２処理液成分供給部
１０００ 基板処理システム
１１００ 補正データ生成装置
１１１０ 制御部
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 基板をエッチングする基板処理装置の設定条件を補正する補正方法であって、
   前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも１つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも１つの特徴量とを取得する取得ステップと、
   前記少なくとも１つの実行条件と前記少なくとも１つの特徴量とに基づいて、前記設定条件のうちの少なくとも１つの設定条件を補正する補正データを生成する生成ステップと、
   前記基板処理装置が前記補正データに基づいて前記少なくとも１つの設定条件を補正する補正ステップと
   を含む補正方法。
2. 前記取得ステップにおいて、機械学習によって生成された学習済みモデルに、前記少なくとも１つの実行条件と前記少なくとも１つの特徴量とが入力され、
   前記生成ステップにおいて、前記学習済みモデルから前記補正データが出力される、請求項１に記載の補正方法。
3. 教師情報を機械学習させて前記学習済みモデルを生成する学習ステップを更に含み、
   前記教師情報は、前記少なくとも１つの特徴量が最適な値を示す場合に得た情報であり、前記少なくとも１つの特徴量と、前記少なくとも１つの実行条件と、前記少なくとも１つの設定条件とを含む、請求項２に記載の補正方法。
4. 前記少なくとも１つの特徴量は、エッチング量と、エッチング量の均一性とのうちの少なくとも一方を含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の補正方法。
5. 前記基板処理装置は、
   前記基板を収容する処理室と、
   前記基板をエッチングする処理液を前記基板に向けて吐出する第１ノズルと、
   前記第１ノズルに前記処理液を供給する供給流路と、
   前記基板から飛散した前記処理液を受ける液受け部と、
   前記基板に向けてガスを噴出する第２ノズルと、
   前記処理室内へ空気を送るファンフィルタユニットと、
   前記処理室から気体を排気する排気ファンと
   を備え、
   前記エッチング実行時の実行条件は、
   前記第１ノズルの先端における前記処理液の温度と、
   前記第２ノズルの先端における前記ガスの温度と、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量と、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量と、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出を開始するタイミングと、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出を開始するタイミングと、
   前記第１ノズルからの前記処理液の吐出が停止するタイミングと、
   前記第２ノズルからの前記ガスの噴出が停止するタイミングと、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の変更タイミングと、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の変更タイミングと、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち上がり特性と、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち上がり特性と、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち下がり特性と、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち下がり特性と、
   前記第１ノズルの先端から前記処理液がボタ落ちしているか否かを示す情報と、
   前記供給流路を流れる前記処理液の濃度と、
   前記処理液の吐出が停止した後に、前記第１ノズルから前記供給流路の上流側に向けて前記処理液が吸い込まれる速度と、
   吸い込まれた前記処理液が停止する位置と、
   前記基板を覆う前記処理液の膜厚分布と、
   前記第１ノズルの位置と、
   前記第１ノズルの移動速度と、
   前記第１ノズルの加速度と、
   前記第１ノズルの位置の変更タイミングと、
   前記第１ノズルの移動速度の変更タイミングと、
   前記液受け部への前記処理液の付着の有無を示す情報と、
   前記液受け部に付着している前記処理液の量と、
   前記基板の回転速度と、
   前記基板の加速度と、
   前記基板の回転速度の変更タイミングと、
   前記基板の表面温度と、
   前記基板の偏心量と、
   前記基板の面振れ量と、
   前記液受け部の位置と、
   前記液受け部の移動速度と、
   前記液受け部の加速度と、
   前記液受け部の位置の変更タイミングと、
   前記液受け部の移動速度の変更タイミングと、
   前記ファンフィルタユニットが前記処理室内に送る空気の風速と、
   前記ファンフィルタユニットが前記処理室内に送る空気の風量と、
   前記処理室から排気される気体の風速と、
   前記処理室から排気される気体の風量と
   のうちの少なくとも１つを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の補正方法。
6. 前記基板処理装置は、
   前記基板を収容する処理室と、
   前記基板をエッチングする処理液を前記基板に向けて吐出する第１ノズルと、
   前記第１ノズルに前記処理液を供給する第１供給流路と、
   前記第１供給流路に接続し、前記処理液が循環する循環流路と、
   前記循環流路に前記処理液を供給する第２供給流路と、
   前記基板を加熱する加熱部と、
   前記基板から飛散した前記処理液を受け止める液受け部と、
   前記基板に向けてガスを噴出する第２ノズルと、
   前記第２ノズルに前記ガスを供給する第３供給流路と、
   前記処理室内へ空気を送るファンフィルタユニットと、
   前記処理室から気体を排気する排気ファンと、
   前記処理室から排気される気体が流れる排気ダクトと、
   前記排気ダクトに設置されたバルブと
   を備え、
   前記基板処理装置の設定条件は、
   前記循環流路における前記処理液の温度と、
   前記第１供給流路における前記処理液の温度と、
   前記第３供給流路における前記ガスの温度と、
   前記循環流路における前記処理液の濃度と、
   前記第１供給流路における前記処理液の濃度と、
   前記第２供給流路の圧力と、
   前記第３供給流路の圧力と、
   前記循環流路の圧力と、
   前記循環流路を流れる前記処理液の流量と、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量と、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量と、
   前記第１ノズルからの前記処理液の吐出を開始させる信号の発生タイミングと、
   前記第２ノズルからの前記ガスの噴出を開始させる信号の発生タイミングと、
   前記第１ノズルからの前記処理液の吐出を停止させる信号の発生タイミングと、
   前記第２ノズルからの前記ガスの噴出を停止させる信号の発生タイミングと、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量を変更する信号の発生タイミングと、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量を変更する信号の発生タイミングと、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち上がり特性と、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち上がり特性と、
   前記第１ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち下がり特性と、
   前記第２ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち下がり特性と、
   前記処理液の吐出が停止した後に、前記第１ノズルから前記第１供給流路の上流側に向けて前記処理液が吸い込まれる速度と、
   吸い込まれた前記処理液が停止する位置と、
   前記基板の回転速度と、
   前記基板の加速度と、
   前記基板の回転速度の変更タイミングと、
   前記第１ノズルの位置と、
   前記第１ノズルの移動速度と、
   前記第１ノズルの加速度と、
   前記第１ノズルの位置の変更タイミングと、
   前記第１ノズルの移動速度の変更タイミングと、
   前記基板を加熱する温度と、
   前記液受け部の位置と、
   前記液受け部の移動速度と、
   前記液受け部の加速度と、
   前記液受け部の位置の変更タイミングと、
   前記液受け部の移動速度の変更タイミングと、
   前記ファンフィルタユニットの差圧と、
   前記バルブの差圧と、
   前記処理室から排気される気体の風速と、
   前記処理室から排気される気体の風量と、
   前記処理室内の光量と
   のうちの少なくとも１つを含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の補正方法。
7. 基板をエッチングする基板処理装置であって、
   前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも１つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも１つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも１つの設定条件を補正する補正データを生成する制御部を備え、
   前記制御部は、前記補正データに基づいて前記少なくとも１つの設定条件を補正する、基板処理装置。
8. 基板をエッチングする基板処理装置と、前記基板処理装置の設定条件を補正する補正データを出力する補正データ生成装置とを備える基板処理システムであって、
   前記補正データ生成装置は、前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも１つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも１つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも１つの設定条件を補正する補正データを生成する制御部を備え、
   前記基板処理装置は、前記補正データに基づいて前記少なくとも１つの設定条件を補正する、基板処理システム。

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