JP2020142959A - 疎水性シリカ粉末及びトナー樹脂粒子 - Google Patents
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Abstract
Description
項1.
レーザー回折法により測定される粒子径(D50)が300nm以下、粒度分布指標(D90/D10)が3.0以下、疎水化度が60容積%以上、及び有機酸の含有濃度が1〜300ppmである、疎水性シリカ粉末。
項2.
疎水化度が65容積%以上である、項1に記載の疎水性シリカ粉末。
項3.
飽和水分量が4.0質量%以上である、項1又は2に記載の疎水性シリカ粉末。
項4.
29Si−固体NMRスペクトルにおいて、10〜15ppmの範囲内に化学シフトの中心値を有するピークが存在する、項1〜3のいずれか一項に記載の疎水性シリカ粉末。
項5.
表面に項1〜4のいずれか一項に記載の疎水性シリカ粉末を含む、トナー樹脂粒子。
疎水性シリカ粉末は、下記(1)〜(4)の物性を有する:
(1)レーザー回折法により測定される粒子径(D50)が300nm以下、
(2)粒度分布指標(D90/D10)が3.0以下、
(3)疎水化度が60容積%以上、及び
(4)有機酸の含有濃度が1〜300ppm。
本発明の疎水性シリカ粉末のD50は300nm以下である。疎水性シリカ粉末のD50の上限は、例えばトナー樹脂粒子の表面を均一に被覆する点から、250nmが好ましく、220nmがより好ましい。また、疎水性シリカ粉末のD50の下限は、特に制限されず、通常、10nm程度であり、30nmが好ましく、50nmがより好ましく、70nmがさらに好ましい。
本発明の疎水性シリカ粉末のD90/D10は3.0以下である。疎水性シリカ粉末のD90/D10は、数値が小さいほど粒度分布が狭い(又は粗粒含有率が少ない)ことを意味する。疎水性シリカ粉末のD90/D10の上限は、2.8が好ましく、2.6がより好ましい。また、疎水性シリカ粉末のD90/D10の下限は、特に制限されず、通常、1.5程度である。
本発明の疎水性シリカ粉末は高度に疎水化されており、疎水化度60容積%以上である。疎水性シリカ粉末の疎水化度の下限は、65容積%が好ましく、より好ましくは68容積%であり、さらに好ましくは70容積%である。疎水性シリカ粉末の疎水化度の上限は、特に制限されず、通常、99容積%程度である。
本発明の疎水性シリカ粉末は、有機酸を微量含んでおり、有機酸の含有濃度は、疎水性シリカ粉末に対して1〜300ppmであり、5〜200ppmが好ましく、10〜100ppmがより好ましい。このような範囲では、疎水性シリカ粉末の疎水化度はより一層高く、且つ、優れた解砕性を有する。
本発明の疎水性シリカ粉末の飽和水分量は4.0質量%以上である。疎水性シリカ粉末の飽和水分量の下限は、4.5質量%が好ましく、5.0質量%がより好ましい。本発明では、飽和水分量が高いにもかかわらず、疎水化度を高くすることができる。また、疎水性シリカ粉末の飽和水分量の上限は、特に制限されず、通常、15質量%程度であり、より好ましくは12質量%である。
なお、飽和水分量は、次の式によって算出される。
飽和水分量(質量%)=(滴定試薬の力価(mg/mL))×(滴定量(mL))÷(粉末試料量(g))×0.1
疎水性シリカ粉末の29Si−固体NMRスペクトルにおいて、10〜15ppmの範囲内に化学シフトの中心値を有するピークが存在することが好ましい。該ピークは、下記式:
で表されるM構造に由来するピークである。シリカ粉末の化学構造にM構造が存在すると、疎水化度と解砕性をより一層高くすることができる。
で表されるT構造に由来するピークである。シリカ粉末中の粗粒の含有率を低減する点から、シリカ粉末の化学構造にT構造が存在しないことが好ましい。
粗粒とは、レーザー回折法により測定されたメジアン径の10倍以上の粒子径を有する粒子をいう。疎水性シリカ粉末中の粗粒含有率の上限は、10体積%が好ましく、8体積%がより好ましく、5体積%がさらに好ましい。また、疎水性シリカ粉末中の粗粒含有率の下限は、特に制限されず、通常、1体積%程度である。
疎水性シリカ粉末は、エタノール中で出力10Wの超音波を1分間照射することにより分散することが好ましい。このような疎水性シリカ粉末は、凝集体が少なく、トナー樹脂粒子などに添加した場合、トナー樹脂粒子の表面に均一に分散する。
疎水性シリカ粉末の長径/短径は、特に限定されるものではないが、1.00以上が好ましく、1.03以上がより好ましく、1.05以上がさらに好ましい。また、疎水性シリカ粉末の長径/短径は、2.00以下が好ましく、1.80以下がより好ましく、1.50以下がさらに好ましい。異形度の高い疎水性シリカ粉末は、一般に凝集しやすく、トナー樹脂粒子の外添剤として用いると、トナー樹脂粒子の表面にシリカ粒子を均一に分散させることが困難であるが、本発明の疎水性シリカ粉末は、凝集が抑制されており、トナー樹脂粒子の表面にシリカ粒子を均一に分散させることができる。
疎水性シリカ粉末の円形度は、特に限定されるものではないが、0.98以下が好ましく、0.96以下がより好ましく、0.94以下がさらに好ましい。また、疎水性シリカ粉末の円形度は、0.50以上が好ましく、0.60以上がより好ましく、0.70以上がさらに好ましい。
疎水性シリカ粉末の製造方法としては、特に限定されず、例えば、
(I)コロイダルシリカを調製する工程、
(II)上記コロイダルシリカを疎水化して、疎水性シリカ粒子の混合液を調製する工程、
(III)上記疎水性シリカ粒子の混合液を溶媒除去して、疎水性シリカ粉末を調製する工程、及び
(IV)上記疎水性シリカ粉末を粉砕する工程
を含む製造方法が挙げられる。
工程(I)は、コロイダルシリカを調製する工程である。コロイダルシリカは、通常、ゾルゲル法(特に、ストーバー法)により調製される。工程(I)は、下記工程(i)〜(iii)を含むことが好ましい。
(i)アルカリ触媒及び水を含む母液を調製する工程、
(ii)アルコキシシラン又はその加水分解物を含む液Aを前記母液に添加する工程、及び
(iii)アルカリ触媒及び水を含む液Bを前記母液に添加する工程。
工程(i)はアルカリ触媒及び水を含む母液を調製する工程である。このような母液は、例えば、水にアルカリ触媒を添加することにより調製すればよい。
工程(ii)はアルコキシシラン又はその加水分解物を含む液Aを前記母液に添加する工程である。
工程(iii)はアルカリ触媒及び水を含む液Bを前記母液に添加する工程である。アルカリ触媒は水で希釈してもよく、例えば、水にアルカリ触媒を添加することにより希釈液を調製することが出来る。
(平均一次粒子径D1)
コロイダルシリカをホットプレートの上で予備乾燥後、800℃で1時間熱処理して測定用サンプルを調製する。調製した測定用サンプルを用いて、BET比表面積を測定する。平均一次粒子径D1は、シリカの真比重を2.2として、式:2727/BET比表面積(m2/g)により求められる。
(平均二次粒子径D2)
動的光散乱法の測定用サンプルとして、コロイダルシリカを0.3質量%クエン酸水溶液に加えて均一化したものを調製する。平均二次粒子径D2は、当該測定用サンプルを用いて、動的光散乱法(大塚電子株式会社製「ELSZ−2000S」)により求められる。
工程(II)は、上記コロイダルシリカを疎水化して、疎水性シリカ粒子の混合液を調製する工程である。コロイダルシリカを疎水化する方法としては、工程(I)で調製されたコロイダルシリカに疎水化剤及び有機酸を添加し、加熱する方法が挙げられる。
工程(III)は、上記疎水性シリカ粒子の混合液を粉末化して、疎水性シリカ粉末を調製する工程である。疎水性シリカ粒子の混合液を粉末化する方法としては特に限定されず、従来公知の乾燥方法により乾燥させればよい。例えば、疎水性シリカ粒子の混合液を、水分含量が、例えば、3質量%以下、好ましくは1質量%以下になるまで乾燥する方法が挙げられる。乾燥は、通常、乾燥機を用いて行われる。
工程(IV)は、上記疎水性シリカ粉末を粉砕する工程である。疎水性シリカ粉末を粉砕する方法としては特に限定されず、従来公知の粉砕方法により粉砕すればよい。このような粉砕方法として、ジェットミル等が挙げられる。ジェットミルによる粉砕において、プッシャーノズル圧力は特に限定されないが、例えば、0.5〜2.0MPa、好ましくは1.0〜1.5MPaである。粉砕圧力は特に限定されないが、例えば、0.05〜0.5MPa、好ましくは0.1〜0.3MPaである。粉砕は繰り返し行ってもよいが、疎水性シリカ粉末の一次粒子への解砕性が優れるため、1回のみ行ってもよい。
本発明のトナー樹脂粒子は、表面に上記疎水性シリカ粉末を含むトナー樹脂粒子である。
レーザー回折法粒度分布計LA−950V2(株式会社堀場製作所製)を用いて疎水性シリカ粉末の粒子径を測定した。レーザー透過率93.0〜95.0%となるように疎水性シリカ粉末をエタノールに添加し、強度3(出力10W)で1分間超音波照射した。この分散液を、シリカの屈折率1.45、エタノールの屈折率1.36の条件で測定し、得られた体積基準粒度分布のメジアン値を粒子径(D50)として採用した。
また、この場合の90%体積径D90と10%体積径D10の比を粒度分布指標として、メジアン径の10倍以上の粒子の体積%を粗粒含有率として、それぞれ定義した。粒度分布指標と粗粒含有率は、次のように算出した。
粒度分布指標=D90/D10
粗粒含有率(%)=100−(メジアン径の10倍での積算頻度%)
300mLのビーカーに純水50mLを入れ、疎水性シリカ粉末0.2gを加え、マグネットスターラーで撹拌する。メタノールを入れたビュレットの先端を液中に入れ、撹拌下でメタノールを滴下し、疎水性シリカ粉末が完全に水中に分散するまでに要したメタノールの添加量XmLから疎水化度を算出した。具体的には、疎水化度は、次の式により算出した。
疎水化度(容積%)={(X)/(50+X)}×100
粉末試料0.3gにメタノールを3mL添加し振とうした後、純水27mLを加え室温にて1時間振とうし、抽出液を0.2μmフィルターでろ過したものを測定試料とした。これをイオンクロマトグラフィー(THERMO FISHER社製)により、抽出液中の有機酸を定量した(Yppm)。
疎水性シリカ粉末中の有機酸の含有濃度は、次の式から算出した。
有機酸含有濃度(ppm)=(Y)÷(粉末試料の仕込質量(g))×{(メタノールの仕込質量(g))+(水の仕込質量(g))}
疎水性シリカ粉末2.0gをシャーレへ精秤し、60℃,80%RHの環境下で48時間吸湿させた。その後、水分気化装置ADP−611(京都電子工業株式会社製)及びカールフィッシャー水分計MKV−710(京都電子工業株式会社製)を用いて10分間滴定を行い、次の式から飽和水分量を測定した。
飽和水分量(質量%)=(滴定試薬の力価(mg/mL))×(滴定量(mL))÷(粉末試料量(g))×0.1
なお、2回測定の平均値を飽和水分量とした。
疎水性シリカ粉末の29Si−固体NMRスペクトルを、JNM−ECA400(日本電子株式会社製)により、以下の条件により測定した。
・共鳴周波数:78.65Hz
・測定モード:CP/MAS法
・測定核:29Si
・試料回転数:6kHz
・測定温度:室温
・積算回数:16384回
得られたスペクトルからM構造(10〜15ppm)とT構造(−70〜−50ppm)の有無を確認した。
コロイダルシリカ濃縮液の平均二次粒子径D2と平均一次粒子径D1を用いて、次の式により会合度を算出した。
会合度=D2(nm)÷D1(nm)
なお、平均二次粒子径D2と平均一次粒子径D1は次のように測定した。
(平均一次粒子径D1)
コロイダルシリカ濃縮液をホットプレートの上で予備乾燥後、800℃で1時間熱処理して測定用サンプルを調製した。調製した測定用サンプルを用いて、BET比表面積を測定した。シリカの真比重を2.2として、2727/BET比表面積(m2/g)の値を換算して、平均一次粒子径D1(nm)を求めた。
(平均二次粒子径D2)
動的光散乱法の測定用サンプルとして、コロイダルシリカ濃縮液を0.3質量%クエン酸水溶液に加えて均一化したものを調製した。当該測定用サンプルを用いて、動的光散乱法(大塚電子株式会社製「ELSZ−2000S」)により平均二次粒子径D2(nm)を測定した。
疎水性シリカ粉末を走査型電子顕微鏡により観察し、画像解析によって疎水性シリカ粒子100個を解析し、長径/短径を次の式から算出した。長径/短径は、個別粒子に対して算出した値の平均値を使用した。
長径/短径=絶対最大長(nm)÷対角幅(nm)
疎水性シリカ粉末を走査型電子顕微鏡により観察し、画像解析によって疎水性シリカ粒子100個を解析し、円形度を次の式から算出した。円形度は、個別粒子に対して算出した値の平均値を使用した。
円形度=4π×面積÷(周囲長)2
トナー樹脂粒子に疎水性シリカ粉末を外添し、試料表面をSEM観察することでトナー外添状態を評価した。
トナー樹脂粒子はポリエステル系樹脂粒子(三笠産業株式会社製、平均粒子径9.2μm)を使用し、トナー樹脂粒子100質量部に対して疎水性シリカ粉末を2質量部添加したものをアイボーイ広口びん100mLへ10g量り取り、振とう機YS−8D(株式会社ヤヨイ製)を用いて8分間最大強度で振とうすることによって外添トナー粒子を調整した。
外添トナー粒子の表面を走査型電子顕微鏡(日本電子株式会社製:JSM−6700)で観察し、5万倍の観察視野から次のように外添状態を評価した。
○:シリカ粒子が均一に分散している。
△:シリカ粒子の凝集体がわずかに散見される、又はシリカ粒子による表面被覆率がやや低下している。
×:シリカ粒子の凝集体が多く見られる、又はシリカ粒子による表面被覆率が大幅に低下している。
純水327.9g、メタノール2704.7g及び28%アンモニア水86.0gを、フラスコ内で撹拌混合して母液を調整した。得られた母液にテトラメトキシシラン(TMOS)3292.6g及びメタノール893.3gで調整した液Aと、純水1611.6g及び28%アンモニア水197.8gで調整した液Bを別途準備し、19℃に加温した母液に、上記液A及び液Bを150分間かけて添加し、コロイダルシリカ1を得た。さらに、得られたコロイダルシリカ1を沸点下で留出してシリカ濃度20質量%に濃縮し、次いで、純水を添加しながら留出させることでコロイダルシリカ濃縮液1を調製した。
当該コロイダルシリカ濃縮液1000.0gに酢酸0.3g、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)66.6gを加えて撹拌し、60分かけて室温から80℃まで昇温し、さらに80℃で100分間加熱することで疎水化処理した。この後に、系中の液成分を加熱留去し、水分含量が1質量%以下になるまで真空乾燥した。これをジェットミル(徳寿工作所製:NJ−50)により、プッシャーノズル圧力1.40MPa、粉砕圧力0.20MPaの条件で1回解砕処理することで疎水性シリカ粉末1を得た。
表1の仕込量および反応条件となるように変更した以外は実施例1と同様にして、各例の疎水性シリカ粉末2〜6を作製した。
コロイダルシリカ濃縮液1を用いて疎水化処理する際に、酢酸を添加しなかったこと以外は実施例1と同様にして、疎水性シリカ粉末7を作製した。
実施例1で得たコロイダルシリカ濃縮液1を噴霧乾燥することで、親水性シリカ粉末1を調整した。この親水性シリカ粉末100.0gに対して、ヘキサメチルジシラザン30.0gを加えて撹拌し、120分かけて室温から150℃まで昇温し、さらに150℃で120分間加熱することで疎水化処理した。乾燥工程以降は実施例1と同様にして、疎水性シリカ粉末8を作製した。
比較例1の親水性シリカ粉末の作製において、噴霧乾燥を凍結乾燥に変更した以外は、比較例2と同様にして、疎水性シリカ粉末9を作製した。
コロイダルシリカ濃縮液1を用いて疎水化処理する際に、ヘキサメチルジシラザンの代わりにヘキシルトリメトキシシラン(HexTMS)を使用し、反応条件を変更したこと以外は実施例1と同様にして、疎水性シリカ粉末10を作製した。
市販品のヒュームドシリカSIS6962.0(GELEST社製、ヘキサメチルジシラザン修飾品)を疎水性シリカ粉末11として比較した。
市販品のヒュームドシリカSIS6961(GELEST社製、シロキサン修飾品)を疎水性シリカ粉末12として比較した。
Claims (5)
- レーザー回折法により測定される粒子径(D50)が300nm以下、粒度分布指標(D90/D10)が3.0以下、疎水化度が60容積%以上、及び有機酸の含有濃度が1〜300ppmである、疎水性シリカ粉末。
- 疎水化度が65容積%以上である、請求項1に記載の疎水性シリカ粉末。
- 飽和水分量が4.0質量%以上である、請求項1又は2に記載の疎水性シリカ粉末。
- 29Si−固体NMRスペクトルにおいて、10〜15ppmの範囲内に化学シフトの中心値を有するピークが存在する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の疎水性シリカ粉末。
- 表面に請求項1〜4のいずれか一項に記載の疎水性シリカ粉末を含む、トナー樹脂粒子。
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