JP2020145461A - 低温でのＳｉＮの蒸着用Ｓｉ前駆体 - Google Patents

低温でのＳｉＮの蒸着用Ｓｉ前駆体 Download PDF

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Abstract

【課題】原子層堆積（ＡＬＤ）により窒化ケイ素フィルムを蒸着するための方法および前駆体を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素フィルムは、ケイ素前駆体はヨウ素リガンドを含み、ＦｉｎＦＥＴまたは他のマルチゲート型のＦＥＴなどの三次元構造上に蒸着されるとき、垂直部位および水平部位の両方への比較的均一なエッチング速度を有する。また、窒化ケイ素フィルムは、希ＨＦ（０．５％）での熱酸化除去速度の半分未満のエッチング速度を有する。
【選択図】なし

Description

本願は、一般的に半導体装置製造の分野に関し、より具体的には、窒化ケイ素フィルムの低温蒸着および窒化ケイ素フィルムの蒸着において使用するための前駆体に関する。
スペーサは、構造として、半導体製造において広く用いられ、連続の製造工程に対して保護する。例えば、ゲート電極のそばに形成される窒化物スペーサは、ドーピング段階またはインプラント段階の間、下のソース／ドレイン領域を保護するマスクとして用いられうる。
半導体装置の物理的形状は収縮するので、ゲート電極のスペーサはどんどん小さくなる。そのスペーサの幅は、密集したゲート電極線上にならって蒸着され得る窒化物の厚さにより制限される。そのため、窒化物スペーサのエッチングプロセスは、蒸着された窒化物層の厚さに対し、高い割合のスペーサの幅を有するのが好ましい。
最新のＰＥＡＬＤ窒化ケイ素プロセスは、三次元構造（溝構造など）に蒸着されるとき、一般に異方性のエッチング挙動を受ける。換言すれば、溝もしくは羽根または別の三次元機構の側壁へ蒸着されたフィルムは、上記機構の最上部の領域におけるフィルムと比べて劣ったフィルム特性を示す。当該フィルムの性質は、溝の最上部、または構造化されたウェーハの平面領域を標的とした利用に十分であるかもしれないが、側壁または他の水平でないまたは垂直な表面においては十分でないかもしれない。
図１Ａおよび図１Ｂは、スペーサ利用において用いられうる窒化ケイ素フィルムの典型例を示す。フィルムは、本願に記載されるプロセス以外のＰＥＡＬＤプロセスを用いて４００℃で蒸着された。図１Ａは、三次元表面上に蒸着された後で、ＨＦによってエッチングされる前のフィルムを示す。それゆえ、エッチングプロセスは、約６０秒間ＨＦ（０．５％）中、ワークピースを浸漬することにより行われた。図１Ｂは、窒化ケイ素フィルムの垂直部位への範囲が、フィルムの水平部位超の範囲へのエッチングであることを示す。その膜厚は、ナノメートルで示されている。これらの構造は、一般的に、ＦｉｎＦＥＴスペーサ利用における工程のようなさらなる工程を残存させないだろう。
いくつかの態様において、窒化ケイ素フィルムを形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法が提供される。ＡＬＤ方法は、プラズマにより増幅されたＡＬＤ方法または熱的ＡＬＤ方法であってよい。当該方法は、望ましい性質（良好なステップカバレッジおよびパターン負荷効果および望ましいエッチングの特徴を有する窒化ケイ素フィルムの蒸着を可能とする。いくつかの実施形態によれば、三次元構造上に蒸着されるとき、窒化ケイ素フィルムは、垂直部分および水平部分の両方に相対的に均一なエッチング速度を有する。そのような三次元構造は、例えば、これに限定されないが、ＦｉｎＦＥＴまたは他のマルチゲート型のＦＥＴを包含してよい。いくつかの実施形態において、本発明の種々の窒化ケイ素フィルムは、希ＨＦ（０．５％）で約２〜３ｎｍ／分の熱酸化除去速度の半分未満のエッチング速度を有する。
いくつかの実施形態において、反応チャンバー中の基板上に窒化ケイ素フィルムを蒸着する方法は、基板表面上にケイ素前駆体を吸着させるために、気相ケイ素反応物質を反応空間に導入する工程、過剰のケイ素反応物質を除去する工程、吸着されたケイ素反応物質をプラズマにより窒素前駆体から発生した反応種と接触させる工程、および過剰の反応種および反応副生成物を除去する工程を含む。これらの段階は、所望の厚さの窒化ケイ素フィルムを得るために繰り返される。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、本願明細書に記載される式（１）〜（８）の前駆体を含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨ５Ｓｉ２Ｉからなる群から選択される。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、Ｈ２ＳｉＩ２である。反応種は、例えば、水素、水素原子、水素プラズマ、水素ラジカル、Ｎ＊ラジカル、ＮＨ＊ラジカルまたはＮＨ２＊ラジカルを含んでよい。
いくつかの実施形態において、窒化ケイ素フィルムは三次元構造上に蒸着される。いくつかの実施形態において、窒化ケイ素フィルムは、少なくとも約８０％のステップカバレッジおよびパターン負荷効果を示す。いくつかの実施形態において、上記三次元構造は、側壁および最上部領域を含み、その最上部領域のウェットエッチング速度（ＷＥＲ）に対する窒化ケイ素フィルムの側面のＷＥＲは、０．５％ｄＨＦ中、約３未満である。いくつかの実施形態において、化ケイ素フィルムのエッチング速度は、０．５％のＨＦ水溶液中、約０．４ｎｍ／分未満である。
いくつかの実施形態において、窒化ケイ素フィルムの蒸着方法は、少なくとも１つの三次元機構を含む基板を反応空間に充填する工程、ケイ素前駆体が基板の表面に吸着されるように反応空間にケイ素前駆体を導入する工程、過剰のケイ素前駆体の反応空間をパージする工程、過剰の窒素前駆体の反応空間をパージする工程、反応空間に窒素前駆体を導入する工程および上記段階を繰り返して、所望の厚さのフィルムを製造する工程を含む。いくつかの実施形態において、フィルムは、三次元機構上の約５０％超のステップカバレッジを有する。いくつかの実施形態において、窒化ケイ素フィルムのウェットエッチング速度は、５％のＨＦ水溶液中で約５ｎｍ／分未満である。いくつかの実施形態において、三次元構造の上面における窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する、三次元構造の側壁における窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合は約４未満である。いくつかの実施形態において、ステップカバレッジは、少なくとも約８０％または９０％である。
いくつかの実施形態において、基板上における窒化ケイ素フィルムの蒸着方法は、ケイ素前駆体が基板の表面に吸着されるように気相ケイ素前駆体に基板を曝す工程、その基板をパージガスおよび／または真空に曝して、基板表面から過剰の前駆体および反応副生成物を除去する工程、吸着されたケイ素前駆体を窒素プラズマにより発生した種と接触させる工程、上記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、その基板表面およびその基板表面付近から窒素含有プラズマおよび反応副生成物の種を除去する工程、ならびに上記段階を繰り返して、所望の厚さのフィルムを製造する工程を含む。
いくつかの実施形態において、基板上における窒化ケイ素フィルムの蒸着方法は、気相ケイ素反応物質が基板表面に吸着されるように、基板を気相のケイ素反応物質に曝す工程、基板をパージガスおよび／または真空に曝して、基板表面から過剰の前駆体および反応副生成物を除去する工程、吸着されたケイ素反応物質を窒素前駆体と接触させる工程、基板をパージガスおよび／または真空に曝して、基板表面および基板表面付近から過剰の窒素前駆体および反応副生成物を除去する工程、ならびに当該段階を繰り返して、所望の厚さのフィルムを製造する工程、を含む。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ヨウ素または臭素を含む。いくつかの実施形態において、フィルムは約５０％超のステップカバレッジを有する。いくつかの実施形態において、窒化ケイ素のエッチング速度は０．５％のＨＦ水溶液中で約５ｎｍ／分未満である。いくつかの実施形態において、三次元構造の上面における窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する三次元構造の側壁における窒化ケイ素のエッチング速度の割合が約４未満である。
本発明は、本発明を説明するものであって、本発明を限定することを意図しない、好ましい実施形態および添付する図面から理解されるだろう。
窒化ケイ素フィルム上でのエッチングプロセスの結果を示す図である。 窒化ケイ素フィルム上でのエッチングプロセスの結果を示す図である。 本発明のいくつかの実施形態におけるＡＬＤプロセスによる窒化ケイ素フィルムの形成方法を一般的に示す図である。 本発明のいくつかの実施形態におけるＰＥＡＬＤプロセスによる窒化ケイ素薄膜の形成方法を示すフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態における熱的ＡＬＤプロセスによる窒化ケイ素薄膜の形成方法を示すフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態の蒸着された種々の窒化ケイ素フィルムの電界放射型走査電子顕微鏡法（ＦＥＳＥＭ）イメージを示す図である。 本発明のいくつかの実施形態の蒸着された種々の窒化ケイ素フィルムの電界放射型走査電子顕微鏡法（ＦＥＳＥＭ）イメージを示す図である。 本発明のいくつかの実施形態の蒸着された種々の窒化ケイ素フィルムの電界放射型走査電子顕微鏡法（ＦＥＳＥＭ）イメージを示す図である。 図６Ａ〜６Ｂの窒化ケイ素フィルムを２分間ｄＨＦ ｄｉｐに曝した後のＦＥＳＥＭイメージを示す図である。 図６Ａ〜６Ｂの窒化ケイ素フィルムを２分間ｄＨＦ ｄｉｐに曝した後のＦＥＳＥＭイメージを示す図である。 図６Ａ〜６Ｂの窒化ケイ素フィルムを２分間ｄＨＦ ｄｉｐに曝した後のＦＥＳＥＭイメージを示す図である。
窒化ケイ素フィルムは、当業者に明らかであるように、平面理論におけるＤＲＡＭ、およびＮＡＮＤ型フラッシュ装置のように、実に様々な用途がある。より具体的には、均一なエッチング挙動を示す共形窒化ケイ素薄膜は実に様々な用途を有し、半導体工業および半導体工業以外でも、実に様々な用途を有する。本発明のいくつかの実施形態によれば、種々の窒化ケイ素フィルムおよび前駆体ならびに原子層堆積（ＡＬＤ）によるそれらのフィルムの蒸着方法が提供される。重要なことに、いくつかの実施形態において、窒化ケイ素フィルムは、三次元構造上に蒸着されるとき、垂直部分および水平部分の両方に相対的に均一なエッチング速度を有する。いくつかの実施形態において、そのような三次元構造は、例えば、これらに限定されないが、ＦｉｎＦＥＴまたは他のマルチゲート型のＦＥＴを包含してよい。いくつかの実施形態において、本発明の種々の窒化ケイ素フィルムは、希ＨＦ（０．５％）を用いて、熱的酸化除去速度の半分未満の約２〜３ｎｍ／分のエッチング速度を有する。
窒化ケイ素を含む薄膜層は、プラズマにより増幅される原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）型プロセスまたは熱的ＡＬＤプロセスにより蒸着され得る。いくつかの実施形態において、窒化ケイ素薄膜は、ＰＥＡＬＤにより基板上に蒸着される。いくつかの実施形態において、窒化ケイ素薄膜は、熱的ＡＬＤプロセスにより基板上に蒸着される。窒化ケイ素薄膜は、三次元構造上に蒸着される。いくつかの実施形態において、窒化ケイ素薄膜は、三次元構造（ｆｉｎＦＥＴ装置の形成における羽根など）上に蒸着される。
上記の窒化ケイ素の化学式は、本願明細書において、便宜かつ簡素化のため、一般的に言及される。しかしながら、当業者は、フィルム中、水素または他の不純物を除いたＳｉ：Ｎの割合を表す窒化ケイ素の実際の化学式は、いくつかＳｉ−Ｎ結合が形成される限り、ＳｉＮｘ式中、Ｘは約０．５〜約２．０で変動する）と表される。ある場合には、Ｘは、約０．９〜約１．７、約１．０〜約１．５、または約１．２〜約１．４で変動してよい。いくつかの実施形態において、Ｓｉは＋ＩＶの酸化状態であり、物質中の窒化物の量は変動してよい窒化ケイ素が形成される。
ＡＬＤ型のプロセスは、制御された、一般的に自己制御的な表面反応に基づく。気相反応は、典型的には、基板を交互にかつ連続に前記反応物質と接触させることにより、典型的には避けられる。気相反応物質は、例えば、反応物質パルス間の過剰の反応物質および／または反応物質の副生成物を除去することにより、反応チャンバー中互いに分離される。反応物質は、パージガスおよび／または真空を用いて基板表面に近接から除去されてよい。いくつかの実施形態において、過剰の反応物質および／または反応物質の副生成物は、例えば不活性ガスをパージすることにより反応空間から除去される。
本願で開示される方法は、基板表面にＳｉＮ薄膜の蒸着を提供する。形状に困難な利用も、ＡＬＤ型のプロセスの性質により可能である。いくつかの実施形態によれば、ＡＬＤ型のプロセスは、集積回路ワークピースなどの基板、およびいくつかの実施形態において、基板上の三次元構造上にＳｉＮ薄膜を形成するために用いられる。
図２は、一般的に、いくつかの実施形態の窒化ケイ素薄膜を蒸着するために使用することができる窒化ケイ素のＡＬＤ蒸着サイクルを説明するフローチャートである。特定の実施形態において、窒化ケイ素薄膜は、多様な窒化ケイ素蒸着サイクルを含むＡＬＤ型のプロセスにより基板上に形成され、各窒化ケイ素蒸着サイクル２００は、
（１）ケイ素前駆体が、基板表面上に吸着されるように、基板をケイ素前駆体と接触させる工程２１０、
（２）基板を窒素前駆体と接触させる工程２２０、ならびに
（３）所望の厚さおよび組成物の薄膜を得るために、必要に応じて何回でも工程２１０および２００を繰り返す工程、を含む。
過剰の反応物質は、例えば、各接触工程の後に不活性ガスを反応空間からパージして、基板の近くから除去されてよい。以下の記載は、これらの段階のそれぞれをより詳細に説明する。
（ＰＥＡＬＤプロセス）
いくつかの実施形態において、プラズマ増幅ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）プロセスは、ＳｉＮ膜を蒸着するために用いられる。要するに、基板またはワークピースは、反応チャンバーに配置され、交互の繰り返し表面反応を受ける。いくつかの実施形態において、ＳｉＮ薄膜は、自己制御的なＡＬＤサイクルの繰り返しにより形成される。好ましくは、ＳｉＮ膜を形成するため、各ＡＬＤサイクルは、少なくとも２つの異なる相を含む。反応空間からの反応物質の供給および反応空間からの反応物質の除去は、相を考えられてよい。第一相において、ケイ素を含む第一反応物質は、提供され、そして基板表面にわずかに約１つの単層を形成する。この反応物質は、本願明細書において、「ケイ素前駆体」、「ケイ素含有前駆体」、または「ケイ素反応物質」とも称され、例えばＨ２ＳｉＩ２であってよい。
第二相において、反応種を含む第二反応物質が提供され、吸収されたケイ素を窒化ケイ素に変換するかもしれない。いくつかの実施形態において、第二反応物質が窒素前駆体を含む。いくつかの実施形態において、反応種は、励起種を含む。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、窒素含有プラズマを含む。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、窒素ラジカル、窒素原子および／または窒素プラズマを含む。第二反応物質は、窒素前駆体ではない他の種を含んでよい。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、１つの形態または別の形態に水素のプラズマ、水素のラジカルまたは原子水素を含むかもしれない。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、またはＸｅ、好ましくはＡｒまたはＨｅ）など由来の種を、例えばラジカルとして、プラズマ形態で、または原子形態で含んでよい。希ガス由来のこれらの反応種は、蒸着フィルムに物質を必然的に寄与しないが、ある環境においてフィルム成長に寄与し、プラズマの形成および発火を補助しうる。いくつかの実施形態において、プラズマを形成するために用いられるガスは、蒸着プロセスの全体にわたって一定に流れるが、断続的に活性化されるだけであるかもしれない。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、希ガス（Ａｒなど）由来の種を含まない。したがって、いくつかの実施形態において、吸着されたケイ素前駆体は、Ａｒのプラズマにより発生した反応種と接触しないようにされる。
追加相は、追加されてよく、かつ相は要望通り除去され最終フィルムの組成物を調製する。
１以上の反応物質は、キャリアガス（ＡｒまたはＨｅなど）を用いて提供されてよい。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体および第二反応物質は、キャリアガスを用いて提供される。
いくつかの実施形態において、２つの相は、重なっていてよくまたは結合していてよい。例えば、ケイ素前駆体および第二反応物質は、部分的にまたは完全に重なっているパルス中に同時に提供されてよい。加えて、第一および第二の相、および第一および第二の反応物質として言及されるが、上記相の順番は変更されてよく、ＡＬＤサイクルは上記相のいずれか１つで始まってよい。つまり、他に特段の記載がない限り、反応物質は、任意の順番で提供され得、プロセスは、任意の反応物質で始まってよい。
以下により詳細に説明されるように、窒化ケイ素フィルムを蒸着するいくつかの実施形態において、１以上の蒸着サイクルはケイ素前駆体の提供で始まり、第二前駆体が続く。他の実施形態において、蒸着は第二前駆体の提供で始まりケイ素前駆体が続いてよい。
いくつかの実施形態において、蒸着が望ましい基板（半導体ワークピースなど）は、反応機に入れられる。反応器は、集積回路の形成における様々な異なるプロセスが行われるクラスターツールの一部であってよい。いくつかの実施形態において、フロー型反応器が用いられる。いくつかの実施形態において、反応器のシャワーヘッド型が用いられる。くつかの実施形態において、空間分離型反応器が用いられる。いくつかの実施形態において、高容量の製造可能な枚葉式ＡＬＤ反応器が用いられる。他の実施形態において、複数の基板を含むバッチ反応器が用いられる。バッチＡＬＤ反応器が用いられる実施形態において、基板の数は、好ましくは１０〜２００、より好ましくは５０〜１５０、最も好ましくは１００〜１３０である。
ＡＬＤプロセスを増幅するために具体的に設計された例となる枚葉式反応器は、ＡＳＭアメリカ株式会社（フェニックス（Ｐｈｏｅｎｉｘ）、アリゾナ州）から、商品名プルサー（Ｐｕｌｓａｒ）（登録商標）２０００およびプルサー（登録商標）３０００で、ＡＳＭジャパン株式会社（東京、日本）から商品名イーグル（Ｅａｇｌｅ）（登録商標）ＸＰ、ＸＰ８およびドラゴン（Ｄｒａｇｏｎ）（登録商標）で市販されている。ＡＬＤプロセスを増幅するために具体的に設計されている例となるバッチＡＬＤ反応器は、ＡＳＭヨーロッパＢ．Ｖ（アルメレ、オランダ）から商品名Ａ４００（商標）およびＡ４１２（商標）で市販されている。
いくつかの実施形態において、必要に応じて、ワークピースのむきだしの表面は、前処理され、ＡＬＤプロセスの第一相と反応する反応性部位を与える。いくつかの実施形態において、分離した前処理段階は必要ない。いくつかの実施形態において、基板は、前処理され、所望の表面終端を与える。いくつかの実施形態において、基板は、プラズマで前処理される。
もしあるなら、過剰の反応物質および反応副生成物は、基板付近から、特に、反応物質パルス間の基板表面から除去される。いくつかの実施形態において、反応チャンバーは、例えば、不活性ガスをパージして反応物質パルスの間にパージされる。除去段階は、フィルムの性質および種々の特性の制御を可能とするので、各反応物質の流量および時間は、調節可能である。
上記のように、いくつかの実施形態において、気体は、各蒸着サイクルの間またはＡＬＤプロセス全体の間連続的に反応チャンバーに供給され、反応種は気体中、反応チャンバーまたは反応チャンバーの上流のいずれかにプラズマを発生することにより供給される。いくつかの実施形態において、気体は、窒素を含む。いくつかの実施形態において、気体は、窒素である。他の実施形態において、気体は、ヘリウムまたはアルゴンを含んでよい。いくつかの実施形態において、気体は、ヘリウムまたは窒素である。気体は、第一反応物質および／または第二反応物質（または反応種）のパージガスとしての機能も果たしてよい。例えば、フローする窒素は第一ケイ素前駆体のパージガスとして機能を果たし、第二反応物質（反応種源）としての機能を果たしてもよい。いくつかの実施形態において、窒素、アルゴン、またはヘリウムは、第一前駆体およびケイ素前駆体を窒化ケイ素フィルムに変換するための励起種源用のパージガスとして機能してよい。いくつかの実施形態において、プラズマが中で発生する気体はアルゴンを含まず、吸着されたケイ素前駆体は、Ａｒ由来のプラズマにより発生した反応種と接していない。
上記サイクルは、所望の厚さおよび組成物のフィルムが得られるまで繰り返される。いくつかの実施形態において、蒸着パラメータ（流量、流下時間、パージ時間、および／または反応物質自体）は、所望の特徴を有するフィルムを得るためにＡＬＤプロセスの間の１以上の蒸着サイクルにおいて変更されてよい。いくつかの実施形態において、水素および／または水素プラズマは、蒸着サイクルまたは蒸着プロセスにおいて提供されない。
用語「パルス（ｐｕｌｓｅ）」は、反応物質を所定時間反応チャンバーに反応物質を供給する工程を含むと理解されてよい。用語「パルス」は、パルスの長さまたは継続期間を制限せず、任意の長さの時間であり得る。
いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質は、まず提供される。必要に応じてまたは所望に応じて、最初の表面終端の後、第一ケイ素反応物質パルスがワークピースに用いられる。供給される。いくつかの実施形態によれば、第一反応物質パルスは、注目するワークピース表面と反応性である、キャリアガスフローおよび揮発性のケイ素種（Ｈ２ＳｉＩ２など）を含む。したがって、ケイ素反応物質はこれらのワークピース表面上に吸着する。第一反応物質パルスは、第一反応物質パルスの過剰の成分がこのプロセスで形成された分子層とさらに反応しないように、ワークピース表面を自己充満（ｓｅｌｆ−ｓａｔｕｒａｔｅ）させる。
第一ケイ素反応物質パルスは、好ましくは気体形態で用いられる。ケイ素前駆体気体は、反応種（ｓｐｅｃｉｅｓ）が、反応種（ｓｐｅｃｉｅｓ）をワークピースに十分な濃度で運び、さらされる表面を満たすプロセス条件下、十分な蒸気圧を示す場合、本発明の目的のための「揮発性」と考えられる。
いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質パルスは、約０．０５秒〜約５．０秒、約０．１秒〜約３秒、約０．２秒〜約１．０秒である。最適のパルス時間は、特定の環境に基づき当業者によって容易に決定され得る。
いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質消費速度は、所望の前駆体用量を反応空間に与えるために選択される。反応物質の消費は、反応物質源（反応物質源ボトルなど）から消費される反応物質の量を言及し、特定の回数の蒸着サイクルの前後の反応物質源の重量を測定し、そしてサイクルの数で重さの差を割ることにより決定され得る。いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質の消費は、約０．１ｍｇ／サイクル超である。いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質の消費は、約０．１ｍｇ／サイクル〜約５０ｍｇ／サイクル、約０．５ｍｇ／サイクル〜約３０ｍｇ／サイクルまたは約２ｍｇ／サイクル〜約２０ｍｇ／サイクルである。いくつかの実施形態において、最小の好ましいケイ素反応物質の消費は、反応器の寸法（反応器の加熱表面積）により少なくとも部分的に提供されてよい。３００ｍｍのシリコンウェーハに設計されているシャワーヘッド反応器におけるいくつかの実施形態において、ケイ素反応物質の消費は、約０．５ｍｇ／サイクル超または約２．０ｍｇ／サイクル超である。いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質の消費は、３００ｍｍのシリコンウェーハのために設定されたシャワーヘッド反応器において、約５ｍｇ／サイクル超である。いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質の消費は、３００ｍｍのシリコンウェーハ用に設定されたシャワーヘッド反応器において、約４００℃以下の反応温度で、約１ｍｇ／サイクル超、好ましくは５ｍｇ／サイクル超である。
分子層が基板表面上に吸着するのに十分な時間の後、過剰の第一ケイ素反応物質は反応空間から除去される。いくつかの実施形態において、過剰の第一反応物質は、第一化学物質のフローを停止することによりパージされ、十分な時間キャリアガスまたはパージガスをフローし続け、もしある場合、反応空間から過剰の反応物質および反応物質の副生成物を分散またはパージする。いくつかの実施形態において、過剰の第一前駆体は、不活性ガス（窒素またはアルゴン）を用いてパージされ、ＡＬＤサイクルの全体にわたって流れる。
いくつかの実施形態において、第一反応物質は、約０．１秒〜約１０秒、約０．３秒〜約５秒、約０．３秒〜約１秒間パージされる。ケイ素反応物質の供給および除去は、ＡＬＤサイクルの第一相またはケイ素相であり得る。
第二相において、反応種を含む第二反応物質（窒素プラズマなど）は、ワークピースに供給される。窒素（Ｎ２）は、いくつかの実施形態において、各ＡＬＤサイクルの間に連続的に反応チャンバーに流される。窒素プラズマは、例えば遠隔プラズマ精製を通して窒素をフローすることにより、反応チャンバーまたは反応チャンバーの上流において窒素中にプラズマを発生することにより形成されてよい。
いくつかの実施形態においてプラズマは、Ｈ２ガスおよびＮ２ガスを流して発生される。いくつかの実施形態において、Ｈ２およびＮ２は、プラズマが発火され、または窒素原子および水素原子もしくは窒素ラジカルおよび水素ラジカルが形成される前に反応チャンバーに提供される。何らかの理論に結び付けられるわけではないが、水素は、リガンド除去段階において有効な効果を有するかもしれない（すなわち、残存するリガンドのいくつかを除去する）こと、またはフィルムの性質上に他の有益な効果を有するかもしれないと考えられている。いくつかの実施形態において、Ｈ２およびＮ２は、反応チャンバーに連続的供給され、プラズマ、原子またはラジカルを含有する窒素および水素は、必要な時に生成され、または供給される。
典型的には、例えば窒素プラズマを含む第二反応物質は、約０．１秒〜約１０秒間提供される。いくつかの実施形態において、第二反応物質（窒素プラズマなど）は、約０．１秒〜約１０秒、０．５秒〜約５秒、０．５秒〜約２．０秒間提供される。しかしながら、反応器の型に応じて、基板型およびその表面積、第二反応物質のパルス時間は、さらに約１０秒より高いかもしれない。いくつかの実施形態において、パルス時間は、分の単位であり得る。最適のパルス時間は、特定の環境に基づいて、容易に当業者に測定され得る。
いくつかの実施形態において、第二反応物質は、２つ以上のパルスのいずれかの間に別の反応物質を導入することなく、２以上の異なるパルスに供給される。例えば、いくつかの実施形態において、窒素プラズマは、連続するパルスにおけるＳｉ前駆体を導入することなく、２つ以上、好ましくは２つの連続するパルスにおいて提供される。いくつかの実施形態において、窒素プラズマを供給する間、２つ以上の連続するプラズマのパルスが第一の時間の間のプラズマ放電を提供することにより発生される間、第二の時間の間（例えば、約０．１秒〜約１０秒、約０．５秒〜約５秒、約１．０秒〜約４．０秒）プラズマ放電を消化し、別の前駆体を導入しまたは除去する工程の導入前（Ｓｉ−前駆体またはパージ工程の前など）の第三の時間に再度それを活性化することにより発生される。プラズマの追加パルスは、同じ方向に導入され得る。いくつかの実施形態において、プラズマは、各パルスのそれぞれにおける等しい時間に点火される。
窒素プラズマは、いくつかの実施形態において、約１０Ｗ〜約２０００Ｗ、好ましくは約５０Ｗ〜約１０００Ｗ、より好ましくは約１００Ｗ〜約５００ＷのＲＦ電圧をかけることにより発生されてよい。いくつかの実施形態において、ＲＦ電圧密度は、約０．０２Ｗ／ｃｍ２〜約２．０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは約０．０５Ｗ／ｃｍ２〜約１．５Ｗ／ｃｍ２であってよい。ＲＦ電圧は、窒素プラズマパルス時間の間に流れる、反応チャンバーを通って連続的に流れるおよび／または遠隔プラズマ発生装置を通して流れる窒素にかけられてよい。したがって、いくつかの実施形態において、プラズマは、インシチュで発生され、他の実施形態において、プラズマは遠隔に発生される。いくつかの実施形態において、シャワーヘッド反応器が用いられ、プラズマはサセプタ（基板が配置された上部）およびシャワーヘッドプレートの間に発生される。いくつかの実施形態において、サセプタおよびシャワーヘッドプレートの間の間隔は、約０．１ｃｍ〜約２０ｃｍ、約０．５ｃｍ〜約５ｃｍｃｍ、または約０．８ｃｍ〜約３．０ｃｍである。
前もって吸着された分子層に窒素プラズマパルスを満たし、反応させるのに十分な時間の後、任意の過剰の反応物質および反応副生成物は反応空間から除去される。第一反応物質の除去と同様、この段階は反応種の生成を停止する工程および過剰の反応種および揮発性の反応副生成物が反応空間から拡散しおよびパージされるのに十分な期間、不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）を流し続ける工程を含むかもしれない。他の実施形態において、分離したパージガスは用いられてよい。いくつかの実施形態において、パージは約０．１秒〜約１０秒、約０．１秒〜約４秒、約０．１秒〜約０．５秒であってよい。同時に、窒素プラズマの供給および除去は窒化ケイ素原子層堆積サイクルにおける第二反応種の相を表す。
同時に、第２相は、所望の厚さの窒化ケイ素薄膜を繰り返し形成する１つのＡＬＤサイクルを表す。一方で、ＡＬＤサイクルは、本願明細書において、ケイ素相から始まると一般的に言及され、他の実施形態において、サイクルは反応種相から始まるかもしれないということが企図される。当業者は、第一前駆体相は、以前のサイクルにおける最後の相により残る末端と一般的に反応すると理解するだろう。したがって、反応種相が、第一ＡＬＤサイクルにおける第一相である場合、いずれの反応物質は、前もって基板表面に吸着されずまたは反応空間に存在しないが、その後のサイクルにおいて、反応種相は、有効にケイ素相に続くだろう。いくつかの実施形態において、１以上の異なるＡＬＤサイクルは、蒸着プロセスにおいて提供される。
本発明のいくつかの実施形態によれば、ＰＥＡＬＤ反応は、約２５℃〜約７００℃、好ましくは約５０℃〜約６００℃、より好ましくは約１００℃〜約４５０℃、最も好ましくは約２００℃〜約４００℃で行われてよい。いくつかの実施形態において、最適の反応器の温度は、最大の許容される熱収支に限定されるかもしれない。それゆえ、いくつかの実施形態において、反応温度は、約３００℃〜約４００℃である。いくつかの応用において、最大温度は、約４００℃くらいであり、それゆえＰＥＡＬＤプロセスは、当該反応温度で進行する。
本発明のいくつかの実施形態によれば、行程中の反応チャンバーの圧力は、約０．０１ｔｏｒｒ〜約５０ｔｏｒｒ、好ましくは約０．１ｔｏｒｒ〜約１０ｔｏｒｒで維持される。
（Ｓｉ前駆体）
いくつかの好適なケイ素前駆体は、現在開示されているＰＥＡＬＤプロセスに用いられうる。少なくともいくつかの好適な前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲンであり、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。
いくつかの実施形態によれば、ケイ素前駆体は、１以上の環状化合物を含んでよい。いくつかの実施形態によれば、ケイ素前駆体は、１以上の環状化合物を含んでよい。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、化学式（２）の化合物は環状化合物であり、ｎ＝３〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ−ｚ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲンであり、好ましくはｎ＝３〜６である。
いくつかの実施形態によれば、ケイ素前駆体は、１以上のヨードシランを含んでよい。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ）、ＡはＩ以外のハロゲンであり、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、いくつかのケイ素前駆体は、１以上の環状ヨードシランを含んでよい。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、化学式（４）の化合物は環状化合物であり、ｎ＝３〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ−ｚ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ）、ＡはＩ以外のハロゲンであり、好ましくはｎ＝３〜６である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、１以上のブロモシランを含んでよい。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ）、ＡはＢｒ以外のハロゲンであり、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、１以上の環状ブロモシランを含んでよい。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、化学式（６）の化合物は環状化合物であり、ｎ＝３〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ−ｚ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ）、ＡはＢｒ以外のハロゲンであり、好ましくはｎ＝３〜６である。
いくつかの実施形態によれば、好ましいケイ素前駆体は、１以上のヨードシランを含む。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜５、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２）、好ましくはｎ＝１〜３、およびより好ましくはｎ＝１〜２である。
いくつかの実施形態によれば、好ましいケイ素前駆体は、１以上のブロモシランを含む。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜５、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２）、好ましくはｎ＝１〜３、およびより好ましくはｎ＝１〜２である。
いくつかのＰＥＡＬＤプロセスの実施形態によれば、好適なケイ素前駆体は、一般式（１）〜（８）のいずれか１つを有する少なくとも化合物を包含しうる。一般式（１）〜（８）において、ハロゲン化物／ハロゲンは、ハロゲン化物／ハロゲンはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩを包含しうる。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ＳｉＩ４、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｓｉ２Ｉ６、ＨＳｉ２Ｉ５、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ３Ｓｉ２Ｉ３、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ５Ｓｉ２Ｉ、またはＳｉ３Ｉ８を含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨ５Ｓｉ２Ｉの１つを含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨ５Ｓｉ２Ｉ、およびこれらの組み合わせの２、３、４、５または６個を含む。
ある実施形態において、Ｓｉ前駆体はＨ２ＳｉＩ２である。
いくつかの実施形態において、以下の化学式（９）〜（２８）のＳｉ前駆体は、ＰＥＡＬＤプロセスに用いられうる。
（Ｎ前駆体）
上で論じたように本発明のＰＥＡＬＤプロセスにおける第二反応物質は、反応種を含んでよい窒素前駆体を含んでよい。好適なプラズマ組成物は、１つの形態または別の形態において窒素プラズマ、窒素ラジカル、または原子窒素を包含する。１つの形態または別の形態において、水素プラズマ、水素ラジカル、または原子水素も提供される。いくつかの実施形態において、プラズマは、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅ、好ましくはＡｒまたはＨｅ）をプラズマ形態で、ラジカルとして、または原子形態で含有されてもよい。いくつかの実施形態において、第二反応物質は希ガス（Ａｒなど）由来のいずれの種も含まない。したがって、いくつかの実施形態において、プラズマは、希ガスを含む気体中で発生されない。
したがって、いくつかの実施形態において、第二反応物質は、ＮおよびＨの両方を有する化合物（ＮＨ３およびＮ２Ｈ４、Ｎ２／Ｈ２の混合物またはＮ−Ｈ結合を有する他の前駆体）から形成されるプラズマを含んでよい。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、少なくとも一部は、Ｎ２から形成されるかもしれない。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、少なくとも一部は、Ｎ２およびＨ２から形成されてよく、Ｎ２およびＨ２は約２０：１〜約１：２０、好ましくは約１０：１〜約１：１０、より好ましくは約５：１〜約１：５、最も好ましくは約１：２〜約４：１、ある場合には１：１の流量比（Ｎ２／Ｈ２）で供給される。
第二反応物質は、いくつかの実施形態において、基板または反応空間から離れたプラズマ放電（「遠隔プラズマ」）を介して遠隔的に形成されるかもしれない。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、基板の近くまたは基板上に直接形成されるかもしれない（「直流プラズマ」）。
図３は、一般的に、いくつかの実施形態の窒化ケイ素薄膜を蒸着するために使用することができる窒化ケイ素ＰＥＡＬＤ蒸着サイクルを一般的に説明するフローチャートである。特定の実施形態において、窒化ケイ素薄膜は多様な窒化ケイ素蒸着サイクルを含み、各窒化ケイ素蒸着サイクル３００が以下を含むＰＥＡＬＤ型のプロセスにより基板上に形成される：
（１）ケイ素化合物が基板表面上に吸着するように、基板を蒸発されたケイ素前駆体３１０と接触する工程、
（２）反応空間３２０に窒素前駆体を導入する工程、
（３）窒素前駆体３３０から反応種を生成する工程、および
（４）基板を反応種と接触させる工程３４０であって、これにより吸着されたケイ素化合物を窒化ケイ素に変換する工程。
窒素は、形成される窒素プラズマと共に、適切な時間でサイクルの全体にわたって連続的に流され、吸着されたケイ素化合物を窒化ケイ素に変換してよい。
上記のように、いくつかの実施形態において、基板はケイ素化合物および反応種と同時に接触されてよく、他の実施形態においてこれらの反応物質は、分けて提供される。
接触させる工程は、所望の厚さの薄膜および組成物が得られるまで、繰り返される（３５０）。過剰の反応物質は、各接触工程（すなわち、工程３１０および３４０）の後反応空間からパージされるかもしれない。
いくつかの実施形態によれば、窒化ケイ素薄膜は、三次元機構を有する基板におけるＰＥＡＬＤプロセス（ＦｉｎＦＥＴの利用など）を用いて蒸着される。ＰＥＡＬＤプロセスは、以下の段階を含んでよい：
（１）三次元構造を含む基板は、反応空間に提供される工程、
（２）ケイ素含有前駆体（ＳｉＩ２Ｈ２など）は、ケイ素含有前駆体が基板の表面に吸着される反応空間に導入される工程、
（３）過剰のケイ素含有前駆体および反応副生成物は、反応空間から除去される工程、
（４）窒素含有前駆体（Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、またはＮ２およびＨ２など）は反応空間に導入される工程、
（５）窒素前駆体から反応種を生成する工程、
（６）基板を反応種と接触させる工程、および
（７）過剰の窒素原子、プラズマ、またはラジカルおよび反応副生成物を除去する工程。
段階（２）〜（７）は、所望の厚さの窒化ケイ素フィルムが形成されるまで繰り返されてよい。
いくつかの実施形態において、段階（５）および（６）は、窒素原子、プラズマまたはラジカルが遠隔的に形成されおよび反応空間に提供される段階によって置換される。
いくつかの実施形態において、ＰＥＡＬＤプロセスは、約２００℃〜約４００℃、約３００℃〜約４００℃、または約４００℃で行われる。
（熱的ＡＬＤプロセス）
本発明で提供される方法は、熱的ＡＬＤプロセスにより、基板表面上への窒化ケイ素フィルムの蒸着も可能とする。三次元構造など幾何学的に困難な利用は、これらの熱的プロセスで可能でもある。いくつかの実施形態によれば、熱的原子層堆積（ＡＬＤ）型プロセスは、集積回路ワークピースなどの基板上に窒化ケイ素フィルムを形成するために用いられる。
基板またはワークピースは、反応チャンバー内に配置され、交互に繰り返して自己制御的な表面反応を受ける。好ましくは、窒化ケイ素フィルムを形成するために、各熱ＡＬＤサイクルは少なくとも二次元相を含む。上記提供および反応空間から反応物質の除去は相と考えられるかもしれない。第一相において、ケイ素を含む第一反応物質は、基板表面上に提供され、およびわずかに約１つの単層を形成する。この反応物質は、「ケイ素前駆体」または「ケイ素反応物質」として本願明細書に言及されてもよく、例えば、Ｈ２ＳｉＩ２であってもよい。第二相において、窒素含有化合物を含む第二反応物質は、提供され、吸着されたケイ素前駆体と反応してＳｉＮを形成する。この第二反応物質は、「窒素前駆体」または「窒素反応物質」として言及されてもよい。第二反応物質は、ＮＨ３または別の好適な窒素含有化合物を含んでよい。追加相は追加されてよく、相は要望通り除去され、最終フィルムの組成物を調節してよい。
１以上の反応物質は、キャリアガス（ＡｒまたはＨｅなど）を用いて提供されてよい。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体および窒素前駆体は、キャリアガスを用いて提供される。
いくつかの実施形態において、２つの相は重なりまたは結合されていてよい。例えば、ケイ素前駆体および窒素前駆体は、部分的にまたは完全に重なっているパルス中に同時に提供さてよい。加えて、第一および第二の相、および第一および第二の反応物質として言及されているが、相の順番および反応物質の提供の順番は変化してよく、ＡＬＤサイクルは相または反応物質のいずれか１つと共に始まってよい。つまり、他に特段の記載がない限り、反応物質は、任意の順番で提供され得、プロセスは、任意の反応物質を用いて始まるかもしれない。
以下により詳細に説明されるように、窒化ケイ素フィルムを蒸着するいくつかの実施形態において、１以上の蒸着サイクルは、典型的には窒素前駆体により続けられるケイ素前駆体の提供と共に始まる。いくつかの実施形態において、１以上の蒸着サイクルは、窒素前駆体の提供で始まり、ケイ素前駆体が続く。
再び、１以上の反応物質は、キャリアガス（ＡｒまたはＨｅなど）を用いて提供されてよい。いくつかの実施形態において、窒素前駆体は、キャリアガスを用いて提供される。いくつかの実施形態において、第一相および第二相ならびに第一および第二の反応物質として言及されるが、当該相の順番、従って反応物質の提供の順番は変更されてよく、ＡＬＤサイクルは当該相のいずれか１つで始まってよい。
いくつかの実施形態において、蒸着が所望の基板の上にある基板（半導体ワークピースなど）は、反応器に充填される。反応器は、その中で集積回路の形成における様々な異なるプロセスが実施されるクラスターツールの部分であってよい。いくつかの実施形態において、フロー型反応器が用いられる。いくつかの実施形態において、反応器のシャワーヘッド型が用いられる。いくつかの実施形態において、空間分離型反応器が用いられる。いくつかの実施形態において、高容量の製造可能な枚葉式ＡＬＤ反応器が用いられる。他の実施形態において、複数の基板を含むバッチ反応器が用いられる。バッチＡＬＤ反応器が用いられる実施形態において、基板の数は、好ましくは１０〜２００、より好ましくは５０〜１５０、最も好ましくは１００〜１３０である。他の実施形態において、複数の基板を含むバッチ反応器が用いられる。バッチＡＬＤ反応器が用いられる実施形態において、基板の数は、好ましくは１０〜２００、より好ましくは５０〜１５０、最も好ましくは１００〜１３０である。
ＡＬＤプロセスを増幅するために具体的に設定された例となる枚葉式反応器は、ＡＳＭアメリカ株式会社（フェニックス、アリゾナ州）から、商品名プルサー（登録商標）２０００およびプルサー（登録商標）３０００で、ＡＳＭジャパン株式会社（東京、日本）から商品名イーグル（登録商標）ＸＰ、ＸＰ８およびドラゴン（登録商標）で市販されている。例となるバッチＡＬＤ反応器は、ＡＬＤプロセスを増幅するために具体的に設計されている例となるバッチＡＬＤ反応器は、ＡＳＭヨーロッパＢ．Ｖ（アルメレ、オランダ）から商品名Ａ４００（商標）およびＡ４１２（商標）で市販されている。例となるバッチＡＬＤ反応器は、ＡＬＤプロセスを増幅するために具体的に設計され、ＡＳＭヨーロッパＢ．Ｖ（アルメレ、オランダ）から商品名Ａ４００（商標）およびＡ４１２（商標）で市販されている。
いくつかの実施形態において、必要に応じて、ワークピースのむきだしの表面は、前処理され、ＡＬＤプロセスの第一相と反応する反応性部位を与える。いくつかの実施形態において、分離した前処理段階は必要ない。いくつかの実施形態において、基板は、前処理され、所望の表面終端を与える。
いくつかの実施形態において、もしあるなら、過剰の反応物質および反応副生成物は、反応物質パルス間の基板表面などの前駆体付近から除去される。いくつかの実施形態において、過剰の反応物質および反応副生成物は、反応物質パルスの間に、例えば不活性ガスをパージすることで反応チャンバーから除去される。各反応物質の流量および時間は、調節可能であり、パージ段階は、フィルムの性質および特性の制御を可能とする。いくつかの実施形態において、過剰の反応物質および／または反応副生成物を除去する工程は、基板を移動することを含む。
除去段階は、フィルムの性質および種々の特性を可能とするので、各反応物質の流量および時間は、調節可能である。
上記のように、いくつかの実施形態において、気体は、各蒸着サイクルまたはＡＬＤプロセス全体の間連続的に反応チャンバーに提供される。他の実施形態において、気体は、窒素、ヘリウムまたはアルゴンであってよい。
ＡＬＤサイクルは、）所望の厚さのフィルムおよび組成物が得られるまで繰り返される。いくつかの実施形態において、蒸着パラメータ（流量、流下時間、パージ時間、および／または前駆体自体）は、所望の特徴を有するフィルムを得るためにＡＬＤプロセスの間の１以上の蒸着サイクルにおいて変更されてよい。
用語「パルス」は、事前に決定した時間の反応チャンバーに反応物質を供給する工程を含むと理解されてよい。用語「パルス」は、パルスの長さまたは継続期間を制限せず、任意の長さの時間であり得る。
いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質は、まず提供される。必要に応じてまたは所望に応じて、初期表面終端の後、第一ケイ素反応物質パルスがワークピースに用いられる。供給される。いくつかの実施形態によれば、第一反応物質パルスは、注目するワークピース表面と反応性である、キャリアガスフローおよび揮発性のケイ素種（Ｈ２ＳｉＩ２など）を含む。したがって、ケイ素反応物質はワークピース表面上に吸着する。第一反応物質パルスは、第一反応物質パルスの過剰の成分がさらにこのプロセスで形成された分子層と実質的に反応しないように、ワークピース表面を自己充満させる。
第一ケイ素反応物質パルスは、好ましくは気体形態で供給される。ケイ素前駆体気体は、反応種（ｓｐｅｃｉｅｓ）が、反応種（ｓｐｅｃｉｅｓ）をワークピースに十分な濃度で運び、曝される表面を満たすプロセス条件下、十分な蒸気圧を示す場合、本発明の目的のための「揮発性」と考えられる。
いくつかの実施形態において、ケイ素反応物質パルスは、約０．０５秒〜約５．０秒、約０．１秒〜約３秒、約０．２秒〜約１．０秒である。バッチプロセスにおいて、ケイ素前駆体パルスは、特定の環境により与えられる当業者により決定され得るのと実質的に同等の長さであり得る。
分子層が基板表面上に吸着するのに十分な時間の後、過剰の第一前駆体は、その後反応空間から除去される。いくつかの実施形態において、過剰の第一前駆体は、第一前駆体の流れを停止することによりパージされ、キャリアガスまたはパージガスを十分な時間流し続け、もしあるなら、反応空間から過剰の反応物質および反応物質の副生成物を拡散またはパージする。
いくつかの実施形態において、第一前駆体は、約０．１秒〜約１０秒、約０．３秒〜約５秒、約０．３秒〜約１秒の間パージされる。ケイ素前駆体の提供および除去は、ＡＬＤサイクルの第一またはケイ素相と考えられうる。バッチプロセスにおいて、第一前駆体のパージは、実質的に具体的な環境で与えられる当業者によって決定され得る。
第二窒素前駆体は、反応空間に律動的に送り込まれ、基板表面に接触する。窒素前駆体はキャリアガスを用いて提供されてよい。窒素前駆体は、例えばＮＨ３またはＮ２Ｈ４であってよい。窒素前駆体パルスは好ましくは気体形態で供給される。窒素前駆体は、露出している表面を満たすのに十分な濃度でワークピースへ反応種（ｓｐｅｃｉｅｓ）を輸送するプロセス条件まで反応種（ｓｐｅｃｉｅｓ）が十分な蒸気圧を示す場合、本願の記載の目的のため、「揮発性」と考えられる。
いくつかの実施形態において、窒素前駆体パルスは、約０．０５秒〜約５．０秒、０．１秒〜約３．０秒または約０．２秒〜約１．０秒である。バッチプロセスにおいて、窒素前駆体パルスは、特定の環境を与えられている当業者により測定されうるより実質的により長い。
利用可能な結合部位で基板表面に吸着する分子層の十分な時間の後、第二窒素前駆体は、反応空間から除去される。いくつかの実施形態において、第二窒素前駆体の流れは止められ、十分な時間キャリアガスを流し続け、もしあるなら、反応空間から、好ましくはパージガスの約２つの反応チャンバーの体積より大きい反応空間から、さらにより好ましくは約３つの反応チャンバーの体積より大きい反応空間から過剰な反応物質および反応副生成物を拡散またはパージする。窒素前駆体の供給および除去はＡＬＤサイクルの第二または窒素相と考えられうる。
いくつかの実施形態において、窒素前駆体は、約０．１秒〜約１０．０秒、約０．３秒〜約５．０秒または約０．３秒〜約１．０秒の間パージされる。バッチプロセスにおいて第一前駆体パージは、特定の環境を与えられる当業者により測定され得るより実質的に長くあり得る。
窒素相の除去工程またはパージ工程と窒素前駆体パルスの流量および時間は窒化ケイ素フィルムにおける所望の組成物を達成するために調節可能である。基板表面への窒素前駆体の吸着は典型的には自己制御的であるので、限られた数の結合部位のせいで、パルスパラメータは窒素の単分子層未満が１以上のサイクルに吸着されるように調節され得る。
２つの相は共に、１つのＡＬＤサイクルを表し、所望の厚さの窒化ケイ素薄膜を繰り返し形成する。ＡＬＤサイクルは、ケイ素相から始めると本願明細書で一般的に言及され、他の実施形態において、サイクルは窒素相で始まってよいということが企図される。当業者は、第一前駆体相が一般的に、事前サイクル中の最終層に残った末端と反応すると理解するだろう。いくつかの実施形態において、１以上の異なるＡＬＤサイクルは蒸着プロセスにおいて提供される。
本発明のいくつかの実施形態によれば、ＡＬＤ反応は、約２５℃〜約１０００℃、好ましくは約１００℃〜約８００℃、より好ましくは約２００℃〜約６５０℃、最も好ましくは、約３００℃〜約５００℃の温度でも行われてよい。いくつかの実施形態において、最適の反応器の温度は、最大に許容される熱収支により限定されてよい。それゆえ、反応温度は約３００℃〜約４００℃であり得る。ある利用において、最大温度は約４００℃くらいであり、それゆえプロセスはその反応温度で進行する。
（Ｓｉ前駆体）
いくつかの好適なケイ素前駆体は、現在開示されている熱的プロセス（熱的ＡＬＤプロセスなど）に用いられてよい。いくつかの実施形態において、これらの前駆体は、所望の性質（所望のＷＥＲ、ＷＥＲＲ、パターン負荷効果または／およびステップカバレッジ、以下に記載されている機構のうちの少なくとも１つ）をフィルムが蒸着されるプラズマＡＬＤプロセスにおいて用いられてもよい。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、ヨウ素を含み、その前駆体を用いて蒸着されたフィルムは、少なくとも１つの所望の性質（例えば、所望のＷＥＲ、ＷＥＲＲ、パターン負荷効果または／およびステップカバレッジ、以下に記載されている機構のうちの少なくとも１つ）を有する。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、臭素を含み、その前駆体を用いて蒸着されたフィルムは、少なくとも１つの所望の性質（例えば、所望のＷＥＲ、ＷＥＲＲ、パターン負荷効果または／およびステップカバレッジ、以下に記載されている機構のうちの少なくとも１つ）を有する。
少なくともいくつかの好適な前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、およびアルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、１以上の環状化合物を含む。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝３〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、アルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝３〜６、好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、１以上のヨードシランを含む。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＡはＩ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、およびアルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、１以上の環状ヨードシランを含む。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝３〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ−ｚ）、ＡはＩ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、およびアルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝３〜６である。好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、１以上のブロモシランを含む。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＡはＢｒ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、およびアルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、１以上の環状ブロモシランを含む。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝３〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大２ｎ−ｙ−ｚ）、ＡはＢｒ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、およびアルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝３〜６である。好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピル）である。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、ヨウ素または臭素が化合物中のケイ素に結合されていない１以上のヨードシランまたはブロモシランを含む。したがって、いくつかの好適な化合物は、ヨウ素／臭素置換アルキル基を含んでよい。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲン、ＲＩＩはＩまたはＢｒを含有する有機リガンドであってＩまたはＢｒで置換されたアルコキシド、アルキルシリル、アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくはＲＩＩは、ヨウ素置換Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンドである。
いくつかの実施形態によれば、いくつかのケイ素前駆体は、１以上の環状ヨードシランまたはブロモシランを含む。したがって、いくつかの好適な環状化合物は、ヨウ素／臭素置換アルキル基を有してよい。そのような前駆体は、以下の一般式であってよい。
式中、ｎ＝３〜１０、ｙ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲンであり、ＲＩＩはＩまたはＢｒを含有する有機リガンドであり、ＩまたはＢｒで置換されるアルコキシド、アルキルシリル、アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝３〜６である。好ましくはＲは、ヨウ素で置換されるＣ１〜Ｃ３アルキルリガンドである。
いくつかの実施形態によれば、いくつかの好適なケイ素前駆体は、以下の一般式のうちの少なくとも１つを有してよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｎは窒素、Ｒ１およびＲ２は独立に水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリルおよび不飽和炭化水素からなる群から選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくは、Ｒ１およびＲ２は水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルおよびｎ−ブチルなど）である。より好ましくは、Ｒ１およびＲ２は、水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。（ＮＲ１Ｒ２）ｗリガンドは、それぞれ、互いに独立に選択され得る。
式中、ｙ＝１またはそれ以上（最大３−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大３−ｙ−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大３−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｎは窒素、Ｒ１およびＲ２は、水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から独立に選択されうる。好ましくは、Ｒ１およびＲ２は水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルおよびｎ−ブチルなど）である。より好ましくは、Ｒ１およびＲ２は、水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。（ＮＲ１Ｒ２）ｗリガンドのそれぞれは互いから独立に選択され得る。３つのＨ３−ｙ−ｚ−ｗＸｙＡｚ（ＮＲ１Ｒ２）ｗＳｉリガンドは互いから独立に選択され得る。
いくつかの実施形態において、いくつかの好適な前駆体は、以下のより具体的な化学式のうちの少なくとも１つを有してよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ）、Ｎは窒素、ならびにＲ１およびＲ２は、独立に水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくは、Ｒ１およびＲ２は水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルおよびｎ−ブチルなど）である。より好ましくは、Ｒ１およびＲ２は、水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。（ＮＲ１Ｒ２）ｗリガンドのそれぞれは互いから独立に選択され得る。
式中、ｙ＝１またはそれ以上（最大３−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大３−ｙ）、Ｎは窒素であり、およびＲ１およびＲ２は水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から独立に選択されうる。好ましくは、Ｒ１およびＲ２は水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルおよびｎ−ブチルなど）であり、より好ましくは、Ｒ１およびＲ２は、水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。３つのＨ３−ｙ−ｗＩｙ（ＮＲ１Ｒ２）ｗＳｉリガンドはのそれぞれは、互いに独立に選択され得る。
いくつかの実施形態によれば、いくつかの好適なケイ素前駆体は、以下の一般式のうちの少なくとも１つを有してよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｎは窒素であり、Ｒ１は独立に水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から選択され、およびＲ２は、独立にアルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリルおよび不飽和炭化水素からなる群から選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２であり得る。好ましくはＲ１は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｎ−ブチルなど）である。より好ましくは、Ｒ１は水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、またはイソプロピルなど）である。好ましくはＲ２は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｎ−ブチルである。（ＮＲ１Ｒ２）ｗリガンドのそれぞれは互いから独立に選択され得る。
式中、ｙ＝１またはそれ以上（最大３−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大３−ｙ−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大３−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｎは窒素、Ｒ１は、水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、Ｒ２は、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくはＲ１は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｎ−ブチルなど）である。より好ましくは、Ｒ１は水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、またはイソプロピルなど）である。好ましくはＲ２は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｎ−ブチルである。より好ましくはＲ２はＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、またはイソプロピルなど）である。（ＮＲ１Ｒ２）ｗリガンドのそれぞれは互いから独立に選択され得る。
いくつかの実施形態において、いくつかの好適な前駆体は、以下のより具体的な化学式のうちの少なくとも１つを有してよい。
式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ）、Ｎは窒素であり、Ｒ１は、水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、Ｒ２は、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくはＲ１は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｎ−ブチルなど）である。より好ましくは、Ｒ１は水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、またはイソプロピルなど）である。好ましくはＲ２は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｎ−ブチルなど）である。より好ましくは、Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、またはイソプロピルなど）である。（ＮＲ１Ｒ２）ｗリガンドのそれぞれは互いから独立に選択され得る。
式中、ｙ＝１またはそれ以上（最大３−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大３−ｙ）、Ｎは窒素であり、Ｒ１は、水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、Ｒ２は、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝１〜５、より好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくは１〜２である。好ましくはＲ１は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｎ−ブチルなど）である。より好ましくは、Ｒ１は水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、またはイソプロピルなど）である。好ましくはＲ２は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｎ−ブチルである。より好ましくはＲ２はＣ１〜Ｃ３アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、またはイソプロピルなど）である。（ＮＲ１Ｒ２）ｗリガンドのそれぞれは互いから独立に選択され得る。
熱的ＡＬＤプロセスのいくつかの実施形態によれば、好適なケイ素前駆体は、熱的ＡＬＤプロセスのいくつかの実施形態によれば、一般式（９）〜（２４）のいずれか１つを有する化合物を少なくとも包含しうる。一般式（９）〜（１８）ならびに一般式（２１）および（２２）において、ハロゲン化物／ハロゲンはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩを包含しうる。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：ＳｉＩ４、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｓｉ２Ｉ６、ＨＳｉ２Ｉ５、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ３Ｓｉ２Ｉ３、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ５Ｓｉ２Ｉ、Ｓｉ３Ｉ８、ＨＳｉ２Ｉ５、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ３Ｓｉ２Ｉ３、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ５Ｓｉ２Ｉ、ＭｅＳｉＩ３、Ｍｅ２ＳｉＩ２、Ｍｅ３ＳｉＩ、ＭｅＳｉ２Ｉ５、Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｍｅ３Ｓｉ２Ｉ３、Ｍｅ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｍｅ５Ｓｉ２Ｉ、ＨＭｅＳｉＩ２、ＨＭｅ２ＳｉＩ、ＨＭｅＳｉ２Ｉ４、ＨＭｅ２Ｓｉ２Ｉ３、ＨＭｅ３Ｓｉ２Ｉ２、ＨＭｅ４Ｓｉ２Ｉ、Ｈ２ＭｅＳｉＩ、Ｈ２ＭｅＳｉ２Ｉ３、Ｈ２Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ２Ｍｅ３Ｓｉ２Ｉ、Ｈ３ＭｅＳｉ２Ｉ２、Ｈ３Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ、Ｈ４ＭｅＳｉ２Ｉ、ＥｔＳｉＩ３、Ｅｔ２ＳｉＩ２、Ｅｔ３ＳｉＩ、ＥｔＳｉ２Ｉ５、Ｅｔ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｅｔ３Ｓｉ２Ｉ３、Ｅｔ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｅｔ５Ｓｉ２Ｉ、ＨＥｔＳｉＩ２、ＨＥｔ２ＳｉＩ、ＨＥｔＳｉ２Ｉ４、ＨＥｔ２Ｓｉ２Ｉ３、ＨＥｔ３Ｓｉ２Ｉ２、ＨＥｔ４Ｓｉ２Ｉ、Ｈ２ＥｔＳｉＩ、Ｈ２ＥｔＳｉ２Ｉ３、Ｈ２Ｅｔ２Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ２Ｅｔ３Ｓｉ２Ｉ、Ｈ３ＥｔＳｉ２Ｉ２、Ｈ３Ｅｔ２Ｓｉ２Ｉ、およびＨ４ＥｔＳｉ２Ｉ。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：ＥｔＭｅＳｉＩ２、Ｅｔ２ＭｅＳｉＩ、ＥｔＭｅ２ＳｉＩ、ＥｔＭｅＳｉ２Ｉ４、Ｅｔ２ＭｅＳｉ２Ｉ３、ＥｔＭｅ２Ｓｉ２Ｉ３、Ｅｔ３ＭｅＳｉ２Ｉ２、Ｅｔ２Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ２、ＥｔＭｅ３Ｓｉ２Ｉ２、Ｅｔ４ＭｅＳｉ２Ｉ、Ｅｔ３Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ、Ｅｔ２Ｍｅ３Ｓｉ２Ｉ、ＥｔＭｅ４Ｓｉ２Ｉ、ＨＥｔＭｅＳｉＩ、ＨＥｔＭｅＳｉ２Ｉ３、ＨＥｔ２ＭｅＳｉ２Ｉ２、ＨＥｔＭｅ２Ｓｉ２Ｉ２、ＨＥｔ３ＭｅＳｉ２Ｉ、ＨＥｔ２Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ、ＨＥｔＭｅ３Ｓｉ２Ｉ、Ｈ２ＥｔＭｅＳｉ２Ｉ２、Ｈ２Ｅｔ２ＭｅＳｉ２Ｉ、Ｈ２ＥｔＭｅ２Ｓｉ２Ｉ、Ｈ３ＥｔＭｅＳｉ２Ｉ。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ５Ｓｉ２Ｉ、ＭｅＳｉＩ３、Ｍｅ２ＳｉＩ２、Ｍｅ３ＳｉＩ、Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｍｅ４Ｓｉ２Ｉ２、ＨＭｅＳｉＩ２、Ｈ２Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ２、ＥｔＳｉＩ３、Ｅｔ２ＳｉＩ２、Ｅｔ３ＳｉＩ、Ｅｔ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｅｔ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨＥｔＳｉＩ２。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ５Ｓｉ２Ｉ、ＭｅＳｉＩ３、Ｍｅ２ＳｉＩ２、Ｍｅ３ＳｉＩ、Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｍｅ４Ｓｉ２Ｉ２、ＨＭｅＳｉＩ２、Ｈ２Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ２、ＥｔＳｉＩ３、Ｅｔ２ＳｉＩ２、Ｅｔ３ＳｉＩ、Ｅｔ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｅｔ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨＥｔＳｉＩ２ならびに任意のこれらの組み合わせから選択される２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９またはそれ以上の化合物を含む。ある実施形態において、ケイ素前駆体は、Ｈ２ＳｉＩ２である。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ケイ素に結合した３つのヨウ素および１つのアミンリガンドまたはアルキルアミンリガンドを含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：（ＳｉＩ３）ＮＨ２、（ＳｉＩ３）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩ３）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩ３）ＮＨｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＨｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅ２、（ＳｉＩ３）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮＥｔ２、（ＳｉＩ３）ＮＥｔｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＥｔｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮｉＰｒ２、（ＳｉＩ３）ＮｉＰｒｔＢｕ、および（ＳｉＩ３）ＮｔＢｕ２。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：（ＳｉＩ３）ＮＨ２、（ＳｉＩ３）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩ３）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩ３）ＮＨｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＨｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅ２、（ＳｉＩ３）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮＥｔ２、（ＳｉＩ３）ＮＥｔｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＥｔｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮｉＰｒ２、（ＳｉＩ３）ＮｉＰｒｔＢｕ、および（ＳｉＩ３）ＮｔＢｕ２。 いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、（ＳｉＩ３）ＮＨ２、（ＳｉＩ３）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩ３）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩ３）ＮＨｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＨｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅ２、（ＳｉＩ３）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＭｅｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮＥｔ２、（ＳｉＩ３）ＮＥｔｉＰｒ、（ＳｉＩ３）ＮＥｔｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮｉＰｒ２、（ＳｉＩ３）ＮｉＰｒｔＢｕ、（ＳｉＩ３）ＮｔＢｕ２、およびこれらの組み合わせから選択される２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５またはそれ以上の化合物を含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ケイ素に結合した２つのヨウ素および２つのアミンリガンドまたはアルキルアミンリガンドを含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：（ＳｉＩ２）（ＮＨ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨＭｅ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨＥｔ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨｉＰｒ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨｔＢｕ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅＥｔ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅｉＰｒ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅｔＢｕ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＥｔ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＥｔｉＰｒ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＥｔｔＢｕ）２、（ＳｉＩ２）（ＮｉＰｒ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮｉＰｒｔＢｕ）２、および（ＳｉＩ２）（ＮｔＢｕ）２。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、（ＳｉＩ２）（ＮＨ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨＭｅ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨＥｔ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨｉＰｒ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨｔＢｕ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅＥｔ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅｉＰｒ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅｔＢｕ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＥｔ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＥｔｉＰｒ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＥｔｔＢｕ）２、（ＳｉＩ２）（ＮｉＰｒ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮｉＰｒｔＢｕ）２、（ＳｉＩ２）（ＮｔＢｕ）２、およびこれらの組み合わせから選択される２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５またはそれ以上の化合物を含む。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ケイ素に結合した２つのヨウ素、１つの水素および１つのアミンリガンドまたはアルキルアミンリガンドを含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨｉＰｒ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨｔＢｕ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅｉＰｒ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅｔＢｕ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＥｔ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＥｔｉＰｒ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＥｔｔＢｕ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮｉＰｒ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮｉＰｒｔＢｕ、および（ＳｉＩ２Ｈ）ＮｔＢｕ２。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨｉＰｒ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨｔＢｕ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅｉＰｒ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅｔＢｕ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＥｔ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＥｔｉＰｒ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＥｔｔＢｕ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮｉＰｒ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮｉＰｒｔＢｕ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮｔＢｕ２、およびこれらの組み合わせから選択される２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５またはそれ以上の化合物を含む。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ケイ素に結合した１つのヨウ素、１つの水素および２つのアミンリガンドまたはアルキルアミンリガンドを含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：（ＳｉＩＨ）（ＮＨ２）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＨＭｅ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＨＥｔ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＨｉＰｒ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＨｔＢｕ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＭｅ２）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＭｅＥｔ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＭｅｉＰｒ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＭｅｔＢｕ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＥｔ２）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＥｔｉＰｒ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＥｔｔＢｕ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮｉＰｒ２）２、（ＳｉＩＨ）（ＮｉＰｒｔＢｕ）２、および（ＳｉＩＨ）（ＮｔＢｕ）２。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、（ＳｉＩＨ）（ＮＨ２）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＨＭｅ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＨＥｔ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＨｉＰｒ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＨｔＢｕ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＭｅ２）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＭｅＥｔ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＭｅｉＰｒ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＭｅｔＢｕ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＥｔ２）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＥｔｉＰｒ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮＥｔｔＢｕ）２、（ＳｉＩＨ）（ＮｉＰｒ２）２、（ＳｉＩＨ）（ＮｉＰｒｔＢｕ）２、および（ＳｉＩＨ）（ＮｔＢｕ）２、およびこれらの組み合わせから選択される２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５またはそれ以上の化合物を含む。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ケイ素に結合した１つのヨウ素、２つの水素および１つのアミンリガンドまたはアルキルアミンリガンドを含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：（ＳｉＩＨ２）ＮＨ２、（ＳｉＩＨ２）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩＨ２）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩＨ２）ＮＨｉＰｒ、（ＳｉＩＨ２）ＮＨｔＢｕ、（ＳｉＩＨ２）ＮＭｅ２、（ＳｉＩＨ２）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩＨ２）ＮＭｅｉＰｒ、（ＳｉＩＨ２）ＮＭｅｔＢｕ、（ＳｉＩＨ２）ＮＥｔ２、（ＳｉＩＨ２）ＮＥｔｉＰｒ、（ＳｉＩＨ２）ＮＥｔｔＢｕ、（ＳｉＩＨ２）ＮｉＰｒ２、（ＳｉＩＨ２）ＮｉＰｒｔＢｕ、および（ＳｉＩＨ２）ＮｔＢｕ２。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、（ＳｉＩＨ２）ＮＨ２、（ＳｉＩＨ２）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩＨ２）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩＨ２）ＮＨｉＰｒ、（ＳｉＩＨ２）ＮＨｔＢｕ、（ＳｉＩＨ２）ＮＭｅ２、（ＳｉＩＨ２）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩＨ２）ＮＭｅｉＰｒ、（ＳｉＩＨ２）ＮＭｅｔＢｕ、（ＳｉＩＨ２）ＮＥｔ２、（ＳｉＩＨ２）ＮＥｔｉＰｒ、（ＳｉＩＨ２）ＮＥｔｔＢｕ、（ＳｉＩＨ２）ＮｉＰｒ２、（ＳｉＩＨ２）ＮｉＰｒｔＢｕ、（ＳｉＩＨ２）ＮｔＢｕ２、およびこれらの組み合わせから選択される２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５またはそれ以上の化合物を含む。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ケイ素に結合した１つのヨウ素、３つのアミンリガンドまたはアルキルアミンリガンドを含む。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：（ＳｉＩ）（ＮＨ２）３、（ＳｉＩ）（ＮＨＭｅ）３、（ＳｉＩ）（ＮＨＥｔ）３、（ＳｉＩ）（ＮＨｉＰｒ）３、（ＳｉＩ）（ＮＨｔＢｕ）３、（ＳｉＩ）（ＮＭｅ２）３、（ＳｉＩ）（ＮＭｅＥｔ）３、（ＳｉＩ）（ＮＭｅｉＰｒ）３、（ＳｉＩ）（ＮＭｅｔＢｕ）３、（ＳｉＩ）（ＮＥｔ２）３、（ＳｉＩ）（ＮＥｔｉＰｒ）３、（ＳｉＩ）（ＮＥｔｔＢｕ）３、（ＳｉＩ）（ＮｉＰｒ２）３、（ＳｉＩ）（ＮｉＰｒｔＢｕ）３、および（ＳｉＩ）（ＮｔＢｕ）３。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、（ＳｉＩ）（ＮＨ２）３、（ＳｉＩ）（ＮＨＭｅ）３、（ＳｉＩ）（ＮＨＥｔ）３、（ＳｉＩ）（ＮＨｉＰｒ）３、（ＳｉＩ）（ＮＨｔＢｕ）３、（ＳｉＩ）（ＮＭｅ２）３、（ＳｉＩ）（ＮＭｅＥｔ）３、（ＳｉＩ）（ＮＭｅｉＰｒ）３、（ＳｉＩ）（ＮＭｅｔＢｕ）３、（ＳｉＩ）（ＮＥｔ２）３、（ＳｉＩ）（ＮＥｔｉＰｒ）３、（ＳｉＩ）（ＮＥｔｔＢｕ）３、（ＳｉＩ）（ＮｉＰｒ２）３、（ＳｉＩ）（ＮｉＰｒｔＢｕ）３、（ＳｉＩ）（ＮｔＢｕ）３、およびこれらの組み合わせから選択される２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５またはそれ以上の化合物を含む。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ケイ素に結合した２つのヨウ素、水素および１つのアミンリガンドまたはアルキルアミンリガンドまたは２つのヨウ素および２つのアルキルアミンリガンドを含み、ここで、アミンまたはアルキルアミンリガンドは、アミンＮＨ２−、メチルアミンＭｅＮＨ−、ジメチルアミンＭｅ２Ｎ−、エチルメチルアミンＥｔＭｅＮ−、エチルアミンＥｔＮＨ−、およびジエチルアミンＥｔ２Ｎ−から選択される。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、以下を１以上含む：（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＥｔ２、（ＳｉＩ２）（ＮＨ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨＭｅ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨＥｔ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅＥｔ）２、および（ＳｉＩ２）（ＮＥｔ２）２。いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨＭｅ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＨＥｔ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅ２、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＭｅＥｔ、（ＳｉＩ２Ｈ）ＮＥｔ２、（ＳｉＩ２）（ＮＨ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨＭｅ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＨＥｔ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅ２）２、（ＳｉＩ２）（ＮＭｅＥｔ）２、（ＳｉＩ２）（ＮＥｔ２）２、およびこれらの組み合わせから選択される２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２またはそれ以上の化合物を含む。
（ＩまたはＢｒを含有する他のＳｉ前駆体型）
窒素を含有するいくつかの好適なケイ素前駆体（ヨウ素または臭素置換シラザンなど）または硫黄を含有するいくつかの好適なケイ素前駆体は、現在開示されている熱的かつプラズマＡＬＤプロセスにおいて用いられてよい。いくつかの実施形態において、窒素を含有するケイ素前駆体（ヨウ素または臭素置換シラザンなど）は、所望の性質（例えば、所望のＷＥＲ、ＷＥＲＲ、パターン負荷効果または／および以下に記載されている機構のステップカバレッジのうちの少なくとも１つ）を有するフィルムが蒸着されている現在開示されている熱的かつプラズマＡＬＤプロセスにおいて用いられてよい。
少なくともいくつかの好適なヨウ素または臭素置換ケイ素前駆体は、以下の一般式を有してよい。
式中、ｎ＝２〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＥはＮまたはＳ、好ましくはＮ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、アルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝２〜５およびより好ましくはｎ＝２〜３、最も好ましくは、１〜２である。好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。
少なくともいくつかの好適なヨウ素または臭素置換シラザン前駆体は、以下の一般式を有してよい。
式中、ｎ＝２〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、アルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され、好ましくはｎ＝２〜５およびより好ましくはｎ＝２〜３、最も好ましくは、２である。好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ＩまたはＢｒを含むＳｉ化合物（複素環式Ｓｉ化合物など）を含む。そのような環状前駆体は、以下の下部構造を含んでいてよい。
式中ＥはＮまたはＳ、好ましくはＮである。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、式（２７）に係る下部構造を含み、この種の化合物の例は、例えば、ヨウ素または臭素置換シクロシラザン（ヨウ素または臭素置換シクロトリシラザンなど）である。
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は、ＩまたはＢｒを含むＳｉ化合物（シリルアミンベースの化合物）を含む。そのようなシリルアミンベースのＳｉ前駆体は以下の一般式であってよい。
式中、ｙ＝１またはそれ以上（最大３−ｚ−ｗ）、ｚ＝０またはそれ以上（最大３−ｙ−ｗ）、ｗ＝０またはそれ以上（最大３−ｙ−ｚ）、ＸはＩまたはＢｒ、ＡはＸ以外のハロゲン、Ｒは有機リガンドであり、アルコキシド、アルキルシリル、アルキル、置換アルキル、アルキルアミンおよび不飽和炭化水素からなる群から独立に選択され得る。好ましくはＲは、Ｃ１〜Ｃ３アルキルリガンド（メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルなど）である。３つのＨ３−ｙ−ｚ−ｗＸｙＡｚＲｗＳｉリガンドのそれぞれは、独立に、互いにから選択され得る。
（Ｎ前駆体）
いくつかの実施形態によれば、熱的ＡＬＤプロセスにおける第二反応物質または窒素前駆体はＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、またはＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、またはＮ−Ｈ結合を有する他の好適な窒素化合物の数であってよい。
図４は、一般的に、いくつかの実施形態の窒化ケイ素薄膜を蒸着するために使用することができる、一般的に窒化ケイ素熱的ＡＬＤ蒸着サイクルを説明するフローチャートである。特定の実施形態において、窒化ケイ素薄膜は、多様な窒化ケイ素蒸着サイクルを含むＡＬＤ型のプロセスにより基板上に形成され、各窒化ケイ素蒸着サイクル４００は以下を含む：
（１）ケイ素化合物が基板表面上に吸着するように蒸発されたケイ素前駆体４１０を基板に接触させる工程、
（２）過剰のケイ素反応物質および任意の副生成物４２０を除去する工程、
（３）基板を窒素前駆体４３０と接触させる工程、ならびに
（４）過剰の窒素前駆体および反応副生成物４４０を除去する工程。
接触工程は、所望の厚さの薄膜および組成物が得られるまで４５０回繰り返される。上記のように、いくつかの実施形態において、基板は、ケイ素化合物および窒素前駆体と同時に接触されてよく、他の実施形態においてこれらの反応物質は分離して提供されてよい。
いくつかの実施形態によれば、窒化ケイ素薄膜は、三次元機構を有する基板上に熱的ＡＬＤプロセスを用いて蒸着される（ＦｉｎＦＥＴの利用など）。プロセスは、以下の順序で行われることを必須としないが、以下の段階を含んでよい：
（１）反応空間に充填される基板、
（２）ケイ素含有前駆体（Ｈ２ＳｉＩ２など）は、ケイ素含有前駆体が基板の表面に吸着されるように反応空間に導入される、
（３）過剰のケイ素含有前駆体および反応副生成物を除去する工程はパージする工程などにより除去される、
（４）窒素含有前駆体（ＮＨ３またはＮ２Ｈ４など）は反応空間に導入され、基板上でケイ素含有前駆体と反応する、
（５）パージするなどにより、過剰の窒素含有前駆体および反応副生成物を除去する工程、および
（６）段階（２）〜（５）が、所望の厚さの窒化ケイ素フィルムが形成されるまで繰り返されてよい。
いくつかの実施形態において、ＡＬＤプロセスは、約１００℃〜約８００℃、約２００℃〜約６００℃または約３００℃〜約５００℃の温度で行われる。ある利用において、反応温度は約４００℃である。
（ＳｉＦフィルムの特徴）
本願明細書で論じられる実施形態のいくつかにより蒸着される窒化ケイ素薄膜（ケイ素前駆体が臭素またはヨウ素を含有しているかどうかに関わりなく）は、約３ａｔ−％未満、好ましくは約１ａｔ−％未満、より好ましくは約０．５ａｔ−％未満、最も好ましくは、約０．１ａｔ−％未満の不純物レベルまたは濃度を達成するかもしれない。ある薄膜において、水素を除く全不純物レベルは約５ａｔ−％未満、好ましくは約２ａｔ−％未満、より好ましくは約１ａｔ−％未満、最も好ましくは、約０．２ａｔ−％未満であってよい。そして、ある薄膜において、水素レベルは約３０ａｔ−％未満、好ましくは約２０ａｔ−％未満、より好ましくは約１５ａｔ−％未満、最も好ましくは、約１０ａｔ−％未満であってよい。
いくつかの実施形態において蒸着されたＳｉＮ膜は、適当な量の炭素を含まない。しかしながら、いくつかの実施形態において、炭素を含むＳｉＮフィルムは蒸着される。例えば、いくつかの実施形態において、ＡＬＤ反応は炭素を含むケイ素前駆体を用いて実施され、炭素を含む薄い窒化ケイ素フィルムが蒸着される。いくつかの実施形態において、炭素を含むＳｉＮフィルムは、アルキル基を含む前駆体または他の炭素含有リガンドを用いて蒸着される。いくつかの実施形態において、式（９）〜（２８）の１つのケイ素前駆体およびアルキル基を含むケイ素前駆体は、上記のとおり、ＰＥＡＬＤまたは熱的ＡＬＤプロセスに用いられ、炭素を含むＳｉＮフィルムを蒸着する。異なるアルキル基または他の炭素含有リガンドは、異なる反応機構のせいでフィルムに異なる炭素濃度を製造するかもしれない。したがって、異なる前駆体は、蒸着されたＳｉＮ膜において異なる炭素濃度を製造するために選択され得る。いくつかの実施形態において、炭素を含む薄いＳｉＮフィルムは、例えば低ｋスペーサとして用いられてよい。いくつかの実施形態において、薄膜はアルゴンを含まない。
図５Ａ〜５Ｂは、本発明の蒸着された種々の窒化ケイ素薄膜のＦＥＳＥＭイメージを示す。フィルムは蒸着された後、２分間ＨＦディップされた。図６Ａ〜６Ｃは、ｄＨＦ ドリッププロセスの後同じ窒化ケイ素フィルムを示す。均一なエッチングが見られうる。
いくつかの実施形態によれば、窒化ケイ素薄膜は、約５０％超、好ましくは約８０％超、より好ましくは約９０％超、最も好ましくは、約９５％超のステップカバレッジおよびパターン負荷効果を示すかもしれない。ある場合には、ステップカバレッジおよびパターン負荷効果は、約９８％超およびある場合において約１００％であり得る（測定手段または方法の精度の範囲内で）。これらの値はアスペクト比２超、好ましくはアスペクト比３超、より好ましくはアスペクト比５超、最も好ましくは、アスペクト比８超で成し遂げることができる。
本願明細書で使用する場合、「パターン負荷効果」は、当該分野における普通の意味に従って用いられる。パターン負荷効果は、構造が現在する基板領域におけるフィルム厚さのばらつきを言及するために本願明細書で使用されるとき、他に用語パターン負荷効果を示さない限り、不純物成分、密度、電気特性およびエッチング速度に関して示されるかもしれない。したがって、パターン負荷効果は、広い分野に直面する三次元構造／三次元機構の膜厚に対して三次元構造内部の特徴の側壁または底における膜厚として与えられうる。本願明細書で使用する場合、１００％のパターン負荷効果（または１の割合）は、機構に関わらず、基板の全体にわたるほぼ完全に均一なフィルムの性質を表す（すなわち、換言すれば、パターン負荷効果（特徴部対広い分野における特定のフィルムの性質（厚さなど）における変化）はないことを示すだろう）。
いくつかの実施形態において、窒化ケイ素フィルムは、約３ｎｍ〜約５０ｎｍ、好ましくは約５ｎｍ〜約３０ｎｍ、より好ましくは約５ｎｍ〜約２０ｎｍの厚さに蒸着される。これらの厚さは、約１００ｎｍ未満、好ましくは約５０ｎｍ未満、より好ましくは約３０ｎｍ未満、最も好ましくは約２０ｎｍ未満、およびある場合には約１５ｎｍ未満の形状寸法（幅）において成し遂げることができる。いくつかの実施形態によれば、ＳｉＮフィルムは、三次元構造上に蒸着され、側壁の厚さは１０ｎｍ超わずかに均等であってよい。
いくつかの実施形態によれば、種々のウェットエッチング速度（ＷＥＲ）を有する窒化ケイ素フィルムは蒸着されてよい。０．５％ｄＨＦ（ｎｍ／分）における包括的なＷＥＲを用いるとき、窒化ケイ素フィルムは、約５未満、好ましくは約４未満、より好ましくは約２未満、最も好ましくは、約１未満のＷＥＲ値を有してよい。いくつかの実施形態において、ＷＥＲ値は約０．３未満であり得る。
熱酸化物のＷＥＲに対する０．５％ｄＨＦ（ｎｍ／分）における包括的なＷＥＲは、約３未満、好ましくは約２未満、より好ましくは約１未満、最も好ましくは、約０．５未満であってよい。
そして、いくつかの実施形態において、最上部領域のＷＥＲに対する三次元機構の側壁ＷＥＲ（三次元機構（羽根または溝など））は、約４未満、好ましくは約３未満、より好ましくは約２未満、最も好ましくは約１であってよい。
本発明の窒化ケイ素薄膜の使用において、改善されたフィルムの性質およびエッチング特性に起因して、最上部および側壁の厚さの差異はある用途において重大でないかもしれないということが見いだされた。それにもかかわらず、いくつかの実施形態において、側壁に沿った厚さの勾配は、連続する利用またはプロセスに極めて重要であるかもしれない。
いくつかの実施形態において、本発明の窒化ケイ素フィルムのエッチングする量は、０．５％ＨＦ−ｄｉｐプロセスにおいて熱ＳｉＯ２（ＴＯＸ）で観測されるエッチングの約１倍または２倍未満の量であってよい（例えば、約２〜約３ｎｍのＴＯＸが除去されるプロセスにおいて、１倍または２倍未満のＳｉＮは、本願明細書に開示される方法に応じて蒸着されるときに改善される）。好ましい窒化ケイ素フィルムのＷＥＲは先行技術の熱酸化物フィルムのＷＥＲ未満であってよい。
（ＳｉＮ膜の使用における具体的な事情）
本願明細書に記載される方法および物質は向上した性質を有するフィルムを提供し得、改善されたエッチング特性は、水平ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）およびゲート表面を有する伝統的な側部のトランジスタデザインだけでなく、非水平（例えば、垂直）表面および複雑な三次元（３Ｄ）構造に用いられるｅ改善されたＳｉＮフィルムも提供もし得る。ある実施形態において、ＳｉＮ膜は、集積回路製作中に三次元構造上に開示された方法により蒸着される。三次元トランジスタは、例えば、二重ゲート電界効果トランジスタ（ＤＧ ＦＥＴ）、およびＦｉｎＦＥＴを包含している他の型の多点ゲートＦＥＴを包含するかもしれない。例えば、本発明の窒化ケイ素薄膜は、非平面多点ゲートトランジスタ（ＦｉｎＦＥＴなど）において有用であり得、ゲート、ソース、およびドレイン領域の最上部に加えて垂直な壁上にケイ化物を形成するのも望ましいかもしれない。
本願明細書で教示されるＳｉＮ蒸着技術が特に有用である別の三次元構造は、Ｓｈｉｆｒｅｎらにより米国特許出願公開第号２００９／０３１５１２０（Ａ１）に教示されている三次元の高度なソース／ドレイン構造であり、その開示の全体を参照により本願明細書に援用したものとする。Ｓｈｉｆｒｅｎらは垂直な側壁を含む高度なソース／ドレイン構造を教示する。
（実施例１）
シラン前駆体としてＨ２ＳｉＩ２および窒素前駆体としてＨ２＋Ｎ２プラズマを用いるＰＥＡＬＤプロセスによる本願明細書の記載に基づき、窒化ケイ素薄膜を４００℃で蒸着した。このフィルムは、ＡＬＤ反応型（典型的な高品質のＰＥＡＬＤ ＳｉＮ膜）と熱ＡＬＤフィルムの等方性のエッチング態様と両方の最高の性質のいくつかの組み合わせを示した。しかしこれらの結果は完全には理解されず、フィルム特性およびエッチング態様は、それにもかかわらず高品質スペーサ層用途のスペックにあった。
本願において、アスペクト比２の溝構造におけるステップカバレッジおよびパターン負荷効果は、９５％超であり、ウェットエッチング速度（ＷＥＲ）は、熱酸化ケイ素（ＳｉＯ２、ＴＯＸ）のＷＥＲの５０％未満であり、そのエッチング速度は溝構造の水平および垂直の壁上におよそ同じであるべきである。最後に、成長速度は０．５ｎｍ／分超であり、可能な限り不純物成分は低い。
４００℃でのフィルム成長速度は０．５２Å／サイクルであり、厚さの非均一性は６．２％（１−σ）であった。屈折率は、０．７％（１−σ）の非均一性を有する２．０４であった。１分ごとの成長速度は、まだ最適化されてなく、０．１３ｎｍ／分だった。
平面フィルムのウェットエッチング速度は１．１３ｎｍ／分であり、ＴｏｘのＷＥＲ（２．４３ｎｍ／分）の４６．７％である。溝構造において、フィルム共形性は、約９１．０〜約９３．１％であり、パターン負荷効果は、蒸着されたもの（エッチングする前）として約９５．７〜約９９．３％であった。２分間の希薄な（０．５％）ＨＦのエッチングの後、共形性の値は約９１．５〜約９４．６％であり、パターン負荷効果は約９７．４〜約９９．５％％であった。溝の最上部領域での）ウェットエッチング速度は、３２ｎｍ／分であり（Ａ）、溝側壁において２．９８ｎｍ／分であり（Ｂ）、溝底面上において３．０３ｎｍ／分であった（Ｃ）。フィールド領域は２．６３ｎｍ／分エッチング速度を示した（Ｄ）。
いずれの特定の理論に縛られることなく、ヨウ素または臭素のリガンド除去段階はプラズマ放電の前になされることは有利であると考えられている。残ったリガンドが分解し、不純物としてフィルムに入りこんでしまうことを避けることができ、ハロゲン化物の場合において、ハロゲン化物を活性化させるプラズマの形成も避けられる。
本発明により蒸着された窒化ケイ素薄膜の組成物はＨＦＳ−ＲＢＳにより分析された。当該結果を以下の表１に示す。したがって、ＸＲＲデータを同じフィルムから得た。そのフィルムの厚さは約１１７ｎｍと測定された。その質量密度は２．６３（±０．１）ｇ／ｃｍ３と測定された。そしてその表面ＲＭＳ荒さは１．７６（±０．１）ｎｍであると測定された。
（実施例２）
改善されたエッチング特性および不純物含有量を含む窒化ケイ素薄膜（実施例１との比較）を、直流プラズマＡＬＤシャワーヘッド反応器中、本発明のＰＥＡＬＤプロセスにより蒸着した。２００℃および４００℃のサセプタ温度を用いた。Ｈ２ＳｉＩ２をケイ素前駆体として用い、Ｈ２＋Ｎ２プラズマを窒素前駆体として用いた。プラズマ出力は約２００Ｗ〜約２２０Ｗであり、シャワーヘッドプレートおよびサセプタの間の空間（すなわち、プラズマが発生する空間）は、１０ｍｍだった。プラズマはＡｒを含有していなかった。窒素をキャリアガスとして用い、蒸着プロセスの全体にわたって流した。Ｈ２ＳｉＩ２消費は約９．０ｍｇ／サイクルだった。
４００℃で、フィルム成長速度は０．７Å／サイクルであり、蒸着フィルムは正角であった。屈折率は、１．９２〜１．９３だった。１００：１ｄＨＦにおける平面フィルムのウェットエッチング速度（ＷＥＲ）は熱酸化物（ＳｉＯ２）のＷＥＲの約２０〜３０％だった。溝構造において溝頂部に対する溝側壁のフィルムのウェットエッチング速度の割合は約０．８〜約１．０で変動した。
２００℃で蒸着された窒化ケイ素薄膜の不純物含有量を、ＴＸＲＦにより分析した。フィルムは、Ｈ２＋Ｎ２プラズマに加えてＡｒを含有するプラズマを用いて蒸着されたフィルムのわずかに不純物含有量未満（１．４１８×１０１３ヨウ素原子／ｃｍ２）である８．４３×１０１２ヨウ素原子／ｃｍ２を含有していた。加えて、Ａｒ含有プラズマを用いて４００℃で蒸着されたフィルムは、ＴＸＲＦ分析から明らかに、Ａｒ（８．０６７×１０１３アルゴン原子／ｃｍ２）を不純物として含んでいた。いかなる特定の理論にも拘束されることなく、アルゴンはフィルム内部に捕捉され、アルゴンを含有しないプラズマを用いて、不純物が含まれるのを回避しうる。
当該技術分野の技術を有する者に、多くのかつ種々の変更が本発明の精神から逸脱せずになされることが理解されるだろう。開示される特徴部、構造、特性および前駆体は、任意の好適な方法により組み合され得る。それゆえ、本発明の形態は例示目的のみであり、本発明の範囲を限定することを意図しない、と明確に理解されるべきである。全修飾および変更は、添付の特許請求の範囲によって定められる本発明の範囲内に含まれることを意図する。
第二反応物質は、いくつかの実施形態において、基板または反応空間から離れたプラズマ放電（「遠隔プラズマ」）を介して遠隔的に形成されるかもしれない。いくつかの実施形態において、第二反応物質は、基板の近くまたは基板の上方において直接形成されるかもしれない（「直接プラズマ」）。
平面フィルムのウェットエッチング速度は１．１３ｎｍ／分であり、ＴｏｘのＷＥＲ（２．４３ｎｍ／分）の４６．７％である。溝構造において、フィルム共形性は、約９１．０〜約９３．１％であり、パターン負荷効果は、蒸着されたもの（エッチングする前）として約９５．７〜約９９．３％であった。２分間の希薄な（０．５％）ＨＦのエッチングの後、共形性の値は約９１．５〜約９４．６％であり、パターン負荷効果は約９７．４〜約９９．５％であった。溝の最上部領域でのウェットエッチング速度は、４．３２ｎｍ／分であり（Ａ）、溝側壁において２．９８ｎｍ／分であり（Ｂ）、溝底面上において３．０３ｎｍ／分であった（Ｃ）。フィールド領域は２．６３ｎｍ／分のエッチング速度を示した（Ｄ）。

Claims (36)

  1. （ａ）ケイ素前駆体が基板の表面に吸着されるように反応空間に気相のケイ素反応物質を導入する工程、
    （ｂ）過剰のケイ素反応物質および反応副生成物を除去する工程、
    （ｃ）吸着された前記ケイ素前駆体を窒素前駆体からのプラズマにより生成される反応種と接触させる工程、
    （ｄ）過剰の反応種および反応副生成物を除去する工程、
    を含み、
    ここで、工程（ａ）〜（ｄ）が所望の厚さの窒化ケイ素フィルムが形成されるまで繰り返され、ならびに前記ケイ素反応物質がヨウ素または臭素を含む、
    反応空間における基板上への窒化ケイ素薄膜の蒸着方法。
  2. 前記ケイ素反応物質が式（１）〜（８）の１つの式を有する前駆体を含む、請求項１に記載の蒸着方法。
  3. 前記反応種が、水素、水素原子、水素プラズマ、水素ラジカル、Ｎ＊ラジカル、ＮＨ＊ラジカルまたはＮＨ２＊ラジカルを含む、請求項１に記載の蒸着方法。
  4. 前記反応種が前記基板上に直接発生される、請求項１に記載の蒸着方法。
  5. 前記反応種が前記基板から離れて発生される、請求項１に記載の蒸着方法。
  6. 遠隔プラズマ発生器が、前記反応種を発生するために用いられる、請求項５に記載の方法。
  7. 前記ケイ素反応物質が、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨ５Ｓｉ２Ｉからなる群から選択される、請求項１に記載の蒸着方法。
  8. 前記ケイ素反応物質がＨ２ＳｉＩ２である、請求項７に記載の方法。
  9. 約３００℃〜約４００℃の温度で行われる、請求項１に記載の蒸着方法。
  10. 前記窒素前駆体が、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、Ｎ２／Ｈ２の混合物、Ｎ２、およびこれらの任意の混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の蒸着方法。
  11. 前記窒化ケイ素薄膜が、少なくとも約８０％のステップカバレッジおよびパターン負荷効果を示す、請求項１に記載の蒸着方法。
  12. 前記窒化ケイ素薄膜が三次元構造上に形成される、請求項１に記載の蒸着方法。
  13. 前記三次元構造が、側壁および最上部領域を含み、ならびに、前記最上部領域のウェットエッチング速度（ＷＥＲ）に対する前記窒化ケイ素フィルムの側面のＷＥＲが、０．５％ｄＨＦ中、約３未満である、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が０．５％のＨＦ水溶液中約４ｎｍ／分未満である、請求項１に記載の蒸着方法。
  15. 前記窒化ケイ素薄膜がＦｉｎＦＥＴの成形の間に蒸着される、請求項１に記載の蒸着方法。
  16. 前記吸着されたケイ素前駆体がＡｒのプラズマにより発生した反応種と接触しない、請求項１に記載の蒸着方法。
  17. 前記反応空間がシャワーヘッド反応器の部分であり、シャワーヘッドおよびサセプタを含む、請求項１に記載の蒸着方法。
  18. 前記シャワーヘッドおよびサセプタの間に約０．５ｃｍ〜約５ｃｍの隙間がある、請求項１７に記載の方法。
  19. （ａ）少なくとも１つの三次元の形を有する基板を反応空間に充填する工程、
    （ｂ）ケイ素前駆体が、前記基板の表面に吸着されるように前記ケイ素前駆体を前記反応空間に導入する工程、
    （ｃ）過剰のケイ素含有前駆体および反応副生成物の前記反応空間をパージする工程、
    （ｄ）窒素前駆体を前記反応空間に導入する工程、
    （ｅ）前記反応空間の過剰の窒素前駆体および反応副生成物をパージする工程、
    を含む窒化ケイ素薄膜の蒸着方法であって、
    所望の厚さの窒化ケイ素薄膜が形成されるまで段階（ｂ）〜（ｅ）を繰り返し、
    前記ケイ素含有前駆体が、ヨウ素または臭素を含み、
    前記窒化ケイ素薄膜が、少なくとも１つの三次元機構に約５０％超のステップカバレッジを有し、
    前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が０．５％のＨＦ水溶液中約５ｎｍ／分未満であり、
    前記少なくとも１つの三次元機構の上面における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する前記少なくとも１つの三次元機構の側壁における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合が約４未満である、窒化ケイ素薄膜の蒸着方法。
  20. 前記窒化ケイ素薄膜が、約８０％超のステップカバレッジを有する、請求項１９に記載の蒸着方法。
  21. 前記窒化ケイ素薄膜が、約９０％超のステップカバレッジを有する、請求項１９に記載の蒸着方法。
  22. 前記プロセスが熱的原子層堆積プロセスである、請求項１９に記載の蒸着方法。
  23. 前記プロセスがプラズマで増幅された熱的原子層堆積プロセスである、請求項１９に記載の蒸着方法。
  24. 前記ケイ素含有前駆体が、一般式（９）〜（２０）の１つの式を有する、請求項１９に記載の蒸着方法。
  25. 前記ケイ素含有前駆体が、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ５Ｓｉ２Ｉ、ＭｅＳｉＩ３、Ｍｅ２ＳｉＩ２、Ｍｅ３ＳｉＩ、Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｍｅ４Ｓｉ２Ｉ２、ＨＭｅＳｉＩ２、Ｈ２Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ２、ＥｔＳｉＩ３、Ｅｔ２ＳｉＩ２、Ｅｔ３ＳｉＩ、Ｅｔ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｅｔ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨＥｔＳｉＩ２からなる群から選択される、請求項１９に記載の蒸着方法。
  26. 前記ケイ素含有前駆体がＨ２ＳｉＩ２である、請求項２５に記載の蒸着方法。
  27. 前記方法が、約３００℃〜約４００℃の温度で行われる、請求項１９に記載の蒸着方法。
  28. 前記窒化ケイ素薄膜が、ステップカバレッジおよび少なくとも約８０％のパターン負荷効果を示す、請求項１９に記載の蒸着方法。
  29. 前記少なくとも１つの三次元機構の上面／領域における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する前記少なくとも１つの三次元機構の側壁における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が約３未満である、請求項１９に記載の蒸着方法。
  30. 前記少なくとも１つの三次元機構の上面／領域における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する前記少なくとも１つの三次元機構の側壁における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が、約１である、請求項１９に記載の蒸着方法。
  31. 前記エッチング速度が、約３ｎｍ／分未満である、請求項１９に記載の蒸着方法。
  32. （ａ）前記ケイ素前駆体が前記基板の表面に吸着されるように、前記基板を気相のケイ素前駆体に曝す工程、
    （ｂ）前記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、前記基板表面から過剰のケイ素前駆体および反応副生成物を除去する工程、
    （ｃ）前記吸着されたケイ素反応物質を窒素前駆体と接触させる工程、ならびに
    （ｄ）前記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、前記基板表面および前記基板表面付近からの窒素を含有するプラズマおよび反応副生成物の種を除去する工程、
    を含む基板上への窒化ケイ素薄膜の蒸着方法であって、
    工程（ａ）〜（ｄ）が所望の厚さの窒化ケイ素フィルムが形成されるまで繰り返され、
    前記ケイ素反応物質がヨウ素または臭素を含む、窒化ケイ素薄膜の蒸着方法。
  33. （ａ）前記ケイ素反応物質が前記基板表面に吸着されるように、前記基板を気相ケイ素反応物質に曝す工程、
    （ｂ）前記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、前記基板表面から過剰のケイ素反応物質および反応副生成物を除去する工程、
    （ｃ）前記吸着されたケイ素反応物質を窒素含有プラズマにより生成された種と接触させる工程、
    （ｄ）前記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、前記基板表面および前記基板表面付近から前記過剰の窒素前駆体を除去する工程、
    を含む、少なくとも１つの三次元機構を含む基板上への窒化ケイ素薄膜の蒸着方法であって、
    所望の厚さの窒化ケイ素薄膜が形成されるまで段階（ａ）〜（ｄ）を繰り返し、
    ここで、前記ケイ素含有前駆体がヨウ素または臭素を含有し、
    前記窒化ケイ素薄膜が、約５０％超のステップカバレッジを有し、
    前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が０．５％のＨＦ水溶液中約５ｎｍ／分未満であり、ならびに
    前記少なくとも１つの三次元機構の上面における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する前記少なくとも１つの三次元機構の側壁における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合は約４未満である、窒化ケイ素薄膜の蒸着方法。
  34. 窒化ケイ素薄膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法であって、前記方法は、複数のサイクルを含み、各サイクルは、反応空間中の基板をケイ素反応物質と第二反応物質との気相パルスを交互にかつ連続的に接触させる工程を含み、
    ここで、前記ケイ素反応物質は、以下の式を有する前駆体を含む、原子層堆積（ＡＬＤ）方法。
    （式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ）、Ｎは窒素、ならびにＲ１およびＲ２は、独立に水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から選択されうる。）
  35. 前記第二反応物質が窒素前駆体を含む、請求項３４に記載の方法。
  36. 前記窒素前駆体が、窒素含有プラズマ由来の反応種を含む、請求項３５に記載の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
SG2013083654A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Methods for depositing films on sensitive substrates
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9564309B2 (en) * 2013-03-14 2017-02-07 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
US9824881B2 (en) * 2013-03-14 2017-11-21 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
TW201441408A (zh) * 2013-03-15 2014-11-01 應用材料股份有限公司 包含氮化矽之膜的電漿輔助原子層沉積
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9543140B2 (en) 2013-10-16 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Deposition of boron and carbon containing materials
US9576790B2 (en) 2013-10-16 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of boron and carbon containing materials
US10023958B2 (en) 2013-11-22 2018-07-17 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of films comprising silicon, carbon and nitrogen using halogenated silicon precursors
US11549181B2 (en) * 2013-11-22 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Methods for atomic layer deposition of SiCO(N) using halogenated silylamides
US9401273B2 (en) 2013-12-11 2016-07-26 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9576792B2 (en) 2014-09-17 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of SiN
US9214333B1 (en) * 2014-09-24 2015-12-15 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US9589790B2 (en) * 2014-11-24 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10246772B2 (en) * 2015-04-01 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3D NAND memory devices
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
EP3310942B1 (en) * 2015-06-16 2022-07-13 Versum Materials US, LLC Processes for depositing silicon-containing films
KR102410146B1 (ko) 2015-06-26 2022-06-16 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
KR102505242B1 (ko) 2015-07-21 2023-03-06 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
KR20180032678A (ko) * 2015-08-21 2018-03-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 열적 ald 실리콘 질화물 막들
US10410857B2 (en) * 2015-08-24 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiN thin films
US9601693B1 (en) * 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786492B2 (en) * 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10053775B2 (en) 2015-12-30 2018-08-21 L'air Liquide, Societé Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude Methods of using amino(bromo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
US9701695B1 (en) 2015-12-30 2017-07-11 American Air Liquide, Inc. Synthesis methods for amino(halo)silanes
US9777373B2 (en) 2015-12-30 2017-10-03 American Air Liquide, Inc. Amino(iodo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same
US10699897B2 (en) * 2016-01-24 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Acetylide-based silicon precursors and their use as ALD/CVD precursors
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) * 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
JP6946320B2 (ja) * 2016-03-13 2021-10-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ スペーサ用の窒化ケイ素膜の選択的堆積
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102378021B1 (ko) 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US9812319B1 (en) * 2016-07-06 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film filled in trench without seam or void
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9929006B2 (en) 2016-07-20 2018-03-27 Micron Technology, Inc. Silicon chalcogenate precursors, methods of forming the silicon chalcogenate precursors, and related methods of forming silicon nitride and semiconductor structures
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US9865456B1 (en) * 2016-08-12 2018-01-09 Micron Technology, Inc. Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
KR102698026B1 (ko) * 2016-09-28 2024-08-21 삼성전자주식회사 유전막 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10153156B2 (en) * 2016-12-15 2018-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Plasma enhanced atomic layer deposition
USD834686S1 (en) 2016-12-15 2018-11-27 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10801106B2 (en) 2016-12-15 2020-10-13 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for exhausting deposition inhibiting gas
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
WO2018119121A1 (en) * 2016-12-21 2018-06-28 Applied Materials, Inc. Conformal hermetic film deposition by cvd
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
CN110178201B (zh) * 2017-01-13 2023-06-16 应用材料公司 用于低温氮化硅膜的方法及设备
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
EP3588538B1 (en) 2017-02-14 2024-03-27 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Method of forming nitride films
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US9911595B1 (en) * 2017-03-17 2018-03-06 Lam Research Corporation Selective growth of silicon nitride
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
KR102269470B1 (ko) * 2017-04-04 2021-06-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 실리콘 갭충전을 위한 2-단계 프로세스
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
CN110546302B (zh) * 2017-05-05 2022-05-27 Asm Ip 控股有限公司 用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法
US11501965B2 (en) 2017-05-05 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) * 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
JP6807278B2 (ja) * 2017-05-24 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法および成膜装置
US10950498B2 (en) 2017-05-31 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Selective and self-limiting tungsten etch process
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US11056353B2 (en) 2017-06-01 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Method and structure for wet etch utilizing etch protection layer comprising boron and carbon
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10991573B2 (en) 2017-12-04 2021-04-27 Asm Ip Holding B.V. Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10640523B2 (en) * 2018-01-12 2020-05-05 Entegris, Inc. Aminoiodosilanes and methods of synthesizing these aminoiodosilanes
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102899918B1 (ko) 2018-03-02 2025-12-12 램 리써치 코포레이션 가수분해를 사용한 선택적인 증착
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10580645B2 (en) 2018-04-30 2020-03-03 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) of SiN using silicon-hydrohalide precursors
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
US11393674B2 (en) 2018-05-18 2022-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Forming low-stress silicon nitride layer through hydrogen treatment
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10720526B2 (en) 2018-06-29 2020-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stress modulation for dielectric layers
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) * 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11600530B2 (en) * 2018-07-31 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of manufacture
DE102019116860B4 (de) 2018-07-31 2024-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelements
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11239420B2 (en) 2018-08-24 2022-02-01 Lam Research Corporation Conformal damage-free encapsulation of chalcogenide materials
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US12482648B2 (en) 2018-10-02 2025-11-25 Asm Ip Holding B.V. Selective passivation and selective deposition
JP2020056104A (ja) 2018-10-02 2020-04-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) * 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
EP3680245A4 (en) * 2018-11-30 2020-07-22 Hansol Chemical Co., Ltd SILICON PRECURSOR AND PROCESS FOR MANUFACTURING THIN LAYER CONTAINING SILICON USING IT
JP6921799B2 (ja) * 2018-11-30 2021-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理システム
KR102157137B1 (ko) 2018-11-30 2020-09-17 주식회사 한솔케미칼 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102882032B1 (ko) * 2019-02-14 2025-11-07 엔테그리스, 아이엔씨. 질화규소의 선택적 증착
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
SG11202111962QA (en) 2019-05-01 2021-11-29 Lam Res Corp Modulated atomic layer deposition
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US20200381623A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-03 Applied Materials, Inc. Methods of forming silicon nitride encapsulation layers
US12237175B2 (en) 2019-06-04 2025-02-25 Lam Research Corporation Polymerization protective liner for reactive ion etch in patterning
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
JP2022534793A (ja) 2019-06-07 2022-08-03 ラム リサーチ コーポレーション 原子層堆積時における膜特性の原位置制御
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI853988B (zh) 2019-07-29 2024-09-01 美商應用材料股份有限公司 原子層沉積之多層封裝堆疊
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20220042442A (ko) 2019-08-06 2022-04-05 램 리써치 코포레이션 실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
US10988490B1 (en) * 2019-10-03 2021-04-27 Entegris, Inc. Triiodosilylamine precursor compounds
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
CN112908846B (zh) * 2019-12-02 2024-06-11 财团法人金属工业研究发展中心 形成半导体结构的方法及半导体结构
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
US12341005B2 (en) * 2020-01-17 2025-06-24 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiCN thin films
US12142479B2 (en) 2020-01-17 2024-11-12 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
KR20210094462A (ko) * 2020-01-20 2021-07-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전처리를 사용하여 실리콘 질화물 층을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조체, 및 상기 방법을 수행하기 위한 시스템
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102364476B1 (ko) * 2020-05-08 2022-02-18 주식회사 한솔케미칼 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
KR102855013B1 (ko) 2020-05-27 2025-09-05 젤리스트 인코퍼레이티드 N-알킬 치환된 퍼하이드리도사이클로트리실라잔으로부터의 실리콘-기반 박막
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12598930B2 (en) 2020-07-23 2026-04-07 Lam Research Corporation Conformal thermal CVD with controlled film properties and high deposition rate
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
CN115735261A (zh) 2020-07-28 2023-03-03 朗姆研究公司 含硅膜中的杂质减量
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
US11979171B2 (en) 2020-10-13 2024-05-07 Microchip Technology Incorporated Reduced complexity encoders and related systems, methods, and devices
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
US11447865B2 (en) 2020-11-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Deposition of low-κ films
JP7540867B2 (ja) * 2020-11-18 2024-08-27 東京エレクトロン株式会社 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
KR20220081905A (ko) * 2020-12-09 2022-06-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 증착용 실리콘 전구체
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
US11658025B2 (en) * 2021-01-18 2023-05-23 Applied Materials, Inc. Chalcogen precursors for deposition of silicon nitride
US11551926B2 (en) 2021-01-22 2023-01-10 Micron Technology, Inc. Methods of forming a microelectronic device, and related systems and additional methods
JP7603460B2 (ja) * 2021-01-25 2024-12-20 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US11800824B2 (en) 2021-03-24 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon nitride/silicon oxynitride stack film with tunable dielectric constant
TW202316488A (zh) 2021-04-06 2023-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、裝置結構、及形成結構之系統
TWI912502B (zh) 2021-04-06 2026-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成包括氮化矽之圖案化結構的方法及利用方法形成的裝置結構
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US12473633B2 (en) 2021-07-09 2025-11-18 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films
TW202330973A (zh) * 2021-09-07 2023-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 拓樸選擇性沉積方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN118140009A (zh) * 2021-09-23 2024-06-04 朗姆研究公司 具有静电夹持的远程等离子体沉积
KR20240090742A (ko) 2021-10-27 2024-06-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이중 기능 자기-조립 단분자층들을 사용한 금속 표면들의 선택적 차단
KR20230065900A (ko) 2021-11-05 2023-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 시스템
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
US12592369B2 (en) 2022-05-12 2026-03-31 Applied Materials, Inc. Integrated method and tool for high quality selective silicon nitride deposition
US20240304679A1 (en) * 2023-03-07 2024-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Selective sin capping on metal gate for metal oxidation prevention
KR20260021659A (ko) * 2023-06-09 2026-02-13 램 리써치 코포레이션 로직 및 메모리 애플리케이션을 위한 무공극 트렌치 충전을 제공하는 방법
KR20250009119A (ko) * 2023-07-10 2025-01-17 한화정밀기계 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN117219506B (zh) * 2023-11-09 2024-03-12 深圳基本半导体有限公司 一种消除刻蚀负载效应的方法
CN118866661B (zh) * 2024-09-20 2024-12-27 杭州积海半导体有限公司 半导体器件及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11150110A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
US20050145177A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Mcswiney Michael Method and apparatus for low temperature silicon nitride deposition
KR20050115067A (ko) * 2004-06-03 2005-12-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법
US20120028454A1 (en) * 2010-04-15 2012-02-02 Shankar Swaminathan Plasma activated conformal dielectric film deposition
JP2012138641A (ja) * 2012-04-23 2012-07-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

Family Cites Families (174)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5759441U (ja) * 1980-09-24 1982-04-08
US4683147A (en) * 1984-04-16 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming deposition film
US4668365A (en) 1984-10-25 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
JPS61252932A (ja) 1985-04-30 1986-11-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ワイヤチエ−ンコネクタ
US4696834A (en) * 1986-02-28 1987-09-29 Dow Corning Corporation Silicon-containing coatings and a method for their preparation
JPH01103844A (ja) * 1987-10-16 1989-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 絶縁体薄膜の製造方法
US5024716A (en) * 1988-01-20 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation
JPH0570957A (ja) * 1991-09-19 1993-03-23 Nec Corp プラズマ気相成長装置
US5939333A (en) 1996-05-30 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Silicon nitride deposition method
KR100385946B1 (ko) 1999-12-08 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자
AU1592899A (en) * 1997-12-02 1999-06-16 Gelest, Inc. Silicon based films formed from iodosilane precursors and method of making th e same
JP2000058483A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6475276B1 (en) 1999-10-15 2002-11-05 Asm Microchemistry Oy Production of elemental thin films using a boron-containing reducing agent
KR20010074387A (ko) * 2000-01-25 2001-08-04 황 철 주 실리콘질화막 형성방법
JP3420205B2 (ja) * 2000-11-20 2003-06-23 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR100385947B1 (ko) 2000-12-06 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법
JP5068402B2 (ja) 2000-12-28 2012-11-07 公益財団法人国際科学振興財団 誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法
JP2002308643A (ja) * 2001-02-01 2002-10-23 Nippon Electric Glass Co Ltd 無アルカリガラス及びディスプレイ用ガラス基板
US7084080B2 (en) * 2001-03-30 2006-08-01 Advanced Technology Materials, Inc. Silicon source reagent compositions, and method of making and using same for microelectronic device structure
US7005392B2 (en) 2001-03-30 2006-02-28 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same
GB0113751D0 (en) 2001-06-06 2001-07-25 Dow Corning Surface treatment
US6391803B1 (en) 2001-06-20 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US9708707B2 (en) 2001-09-10 2017-07-18 Asm International N.V. Nanolayer deposition using bias power treatment
US6756318B2 (en) 2001-09-10 2004-06-29 Tegal Corporation Nanolayer thick film processing system and method
US6929831B2 (en) 2001-09-15 2005-08-16 Trikon Holdings Limited Methods of forming nitride films
JP4121269B2 (ja) * 2001-11-27 2008-07-23 日本エー・エス・エム株式会社 セルフクリーニングを実行するプラズマｃｖｄ装置及び方法
US20030215570A1 (en) * 2002-05-16 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon nitride
KR100469126B1 (ko) * 2002-06-05 2005-01-29 삼성전자주식회사 수소 함유량이 적은 박막 형성방법
WO2004009861A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Asm America, Inc. Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers
US7540920B2 (en) 2002-10-18 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Silicon-containing layer deposition with silicon compounds
CN100471991C (zh) 2002-10-18 2009-03-25 应用材料有限公司 采用硅化合物进行的含硅层沉积
WO2004040630A1 (ja) * 2002-10-30 2004-05-13 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
US7531679B2 (en) 2002-11-14 2009-05-12 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride
US7446217B2 (en) * 2002-11-14 2008-11-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films
KR100496265B1 (ko) * 2002-11-29 2005-06-17 한국전자통신연구원 반도체 소자의 박막 형성방법
US7172792B2 (en) * 2002-12-20 2007-02-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a high quality low temperature silicon nitride film
US7122222B2 (en) 2003-01-23 2006-10-17 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof
US7713592B2 (en) 2003-02-04 2010-05-11 Tegal Corporation Nanolayer deposition process
US9121098B2 (en) 2003-02-04 2015-09-01 Asm International N.V. NanoLayer Deposition process for composite films
KR100965758B1 (ko) * 2003-05-22 2010-06-24 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리
US7125582B2 (en) * 2003-07-30 2006-10-24 Intel Corporation Low-temperature silicon nitride deposition
KR100560654B1 (ko) * 2004-01-08 2006-03-16 삼성전자주식회사 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법
US20050181633A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 Hochberg Arthur K. Precursors for depositing silicon-containing films and processes thereof
TW200603287A (en) 2004-03-26 2006-01-16 Ulvac Inc Unit layer posttreating catalytic chemical vapor deposition apparatus and method of film formation therewith
US20050282350A1 (en) 2004-06-22 2005-12-22 You-Hua Chou Atomic layer deposition for filling a gap between devices
US20060019032A1 (en) 2004-07-23 2006-01-26 Yaxin Wang Low thermal budget silicon nitride formation for advance transistor fabrication
JP4669679B2 (ja) * 2004-07-29 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 窒化珪素膜の製造方法及び半導体装置の製造方法
US7629270B2 (en) 2004-08-27 2009-12-08 Asm America, Inc. Remote plasma activated nitridation
US20060084283A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 Paranjpe Ajit P Low temperature sin deposition methods
US20060255315A1 (en) * 2004-11-19 2006-11-16 Yellowaga Deborah L Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof
JP2006190770A (ja) 2005-01-05 2006-07-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100841866B1 (ko) * 2005-02-17 2008-06-27 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US7608549B2 (en) 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
US20060213437A1 (en) 2005-03-28 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system
JP4607637B2 (ja) 2005-03-28 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム
US8138104B2 (en) * 2005-05-26 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Method to increase silicon nitride tensile stress using nitrogen plasma in-situ treatment and ex-situ UV cure
US7473655B2 (en) * 2005-06-17 2009-01-06 Applied Materials, Inc. Method for silicon based dielectric chemical vapor deposition
US7651955B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US7429538B2 (en) 2005-06-27 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Manufacturing method for two-step post nitridation annealing of plasma nitrided gate dielectric
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7785658B2 (en) 2005-10-07 2010-08-31 Asm Japan K.K. Method for forming metal wiring structure
US20070116888A1 (en) 2005-11-18 2007-05-24 Tokyo Electron Limited Method and system for performing different deposition processes within a single chamber
US20070264427A1 (en) * 2005-12-21 2007-11-15 Asm Japan K.K. Thin film formation by atomic layer growth and chemical vapor deposition
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US7780865B2 (en) * 2006-03-31 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
FR2900276B1 (fr) 2006-04-25 2008-09-12 St Microelectronics Sa Depot peald d'un materiau a base de silicium
US7795160B2 (en) * 2006-07-21 2010-09-14 Asm America Inc. ALD of metal silicate films
KR100752190B1 (ko) 2006-09-04 2007-08-27 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 갭필 방법
US7531452B2 (en) 2007-03-30 2009-05-12 Tokyo Electron Limited Strained metal silicon nitride films and method of forming
US7651961B2 (en) * 2007-03-30 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films
US7713874B2 (en) 2007-05-02 2010-05-11 Asm America, Inc. Periodic plasma annealing in an ALD-type process
US8084105B2 (en) 2007-05-23 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Method of depositing boron nitride and boron nitride-derived materials
JP5151260B2 (ja) * 2007-06-11 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
CN100590803C (zh) * 2007-06-22 2010-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 原子层沉积方法以及形成的半导体器件
US20090041952A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-12 Asm Genitech Korea Ltd. Method of depositing silicon oxide films
US7867923B2 (en) * 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US20090155606A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Asm Genitech Korea Ltd. Methods of depositing a silicon nitride film
US7678715B2 (en) * 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
JP4935684B2 (ja) 2008-01-12 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US8129288B2 (en) * 2008-05-02 2012-03-06 Intermolecular, Inc. Combinatorial plasma enhanced deposition techniques
JP4935687B2 (ja) 2008-01-19 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US7871942B2 (en) * 2008-03-27 2011-01-18 Applied Materials, Inc. Methods for manufacturing high dielectric constant film
US8148269B2 (en) * 2008-04-04 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Boron nitride and boron-nitride derived materials deposition method
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
US8298628B2 (en) * 2008-06-02 2012-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature deposition of silicon-containing films
KR101444707B1 (ko) 2008-06-03 2014-09-26 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 실리콘 함유 막의 저온 증착
US8129555B2 (en) 2008-08-12 2012-03-06 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same
US8726838B2 (en) 2010-03-31 2014-05-20 Intermolecular, Inc. Combinatorial plasma enhanced deposition and etch techniques
JP2010103484A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Adeka Corp 半導体デバイス、その製造装置及び製造方法
US20120153442A1 (en) 2008-09-30 2012-06-21 Tokyo Electron Limited Silicon nitride film and process for production thereof, computer-readable storage medium, and plasma cvd device
KR101491726B1 (ko) 2008-10-08 2015-02-17 주성엔지니어링(주) 반도체 소자의 갭필 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US7919416B2 (en) 2009-01-21 2011-04-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
JP5547418B2 (ja) * 2009-03-19 2014-07-16 株式会社Ａｄｅｋａ 化学気相成長用原料及びこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法
JP2011023718A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Asm Japan Kk ＰＥＡＬＤによってＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法
US8415259B2 (en) 2009-10-14 2013-04-09 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film by modified PEALD method
US8173554B2 (en) * 2009-10-14 2012-05-08 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film having Si-N bonds by modified peald method
US20110136347A1 (en) * 2009-10-21 2011-06-09 Applied Materials, Inc. Point-of-use silylamine generation
JP5346904B2 (ja) 2009-11-27 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 縦型成膜装置およびその使用方法
US8114761B2 (en) 2009-11-30 2012-02-14 Applied Materials, Inc. Method for doping non-planar transistors
US20110151677A1 (en) 2009-12-21 2011-06-23 Applied Materials, Inc. Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable cvd process
US8937353B2 (en) 2010-03-01 2015-01-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dual epitaxial process for a finFET device
US20130157466A1 (en) 2010-03-25 2013-06-20 Keith Fox Silicon nitride films for semiconductor device applications
US8728956B2 (en) * 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US9076646B2 (en) * 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US8956983B2 (en) * 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US9611544B2 (en) * 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8993460B2 (en) 2013-01-10 2015-03-31 Novellus Systems, Inc. Apparatuses and methods for depositing SiC/SiCN films via cross-metathesis reactions with organometallic co-reactants
US20110272008A1 (en) 2010-05-07 2011-11-10 Applied Materials, Inc. Oxide nitride stack for backside reflector of solar cell
JPWO2011162255A1 (ja) * 2010-06-22 2013-08-22 株式会社アルバック バリア膜の形成方法及び金属配線膜の形成方法
WO2011162136A1 (en) * 2010-06-23 2011-12-29 Tokyo Electron Limited Film formation method, semiconductor-device fabrication method, insulating film and semiconductor device
DE112011102417T5 (de) * 2010-07-19 2013-05-16 Rec Silicon Inc. Herstellung von polykristallinem Silizium
US8669185B2 (en) 2010-07-30 2014-03-11 Asm Japan K.K. Method of tailoring conformality of Si-containing film
US20120213940A1 (en) * 2010-10-04 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of silicon nitride using dual-source precursor and interleaved plasma
US20120277457A1 (en) * 2010-10-12 2012-11-01 Air Products And Chemicals, Inc. Aminosilanes and methods for making same
US20120149213A1 (en) 2010-12-09 2012-06-14 Lakshminarayana Nittala Bottom up fill in high aspect ratio trenches
JP5689398B2 (ja) 2010-12-21 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
JP2012142386A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Elpida Memory Inc 窒化膜の形成方法
US8465811B2 (en) 2011-01-28 2013-06-18 Asm Japan K.K. Method of depositing film by atomic layer deposition with pulse-time-modulated plasma
US8329599B2 (en) 2011-02-18 2012-12-11 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen
US8563443B2 (en) 2011-02-18 2013-10-22 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen
US8580664B2 (en) 2011-03-31 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Method for forming ultra-shallow boron doping regions by solid phase diffusion
JP2012216631A (ja) 2011-03-31 2012-11-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ窒化処理方法
TW201306082A (zh) * 2011-04-18 2013-02-01 東京威力科創股份有限公司 電漿評估方法、電漿處理方法及電漿處理裝置
KR101657341B1 (ko) 2011-04-25 2016-09-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법
EP2714960B1 (en) * 2011-06-03 2018-02-28 Versum Materials US, LLC Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films
WO2013027549A1 (ja) 2011-08-25 2013-02-28 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
US8476743B2 (en) 2011-09-09 2013-07-02 International Business Machines Corporation C-rich carbon boron nitride dielectric films for use in electronic devices
US8557666B2 (en) 2011-09-13 2013-10-15 GlobalFoundries, Inc. Methods for fabricating integrated circuits
US8993072B2 (en) * 2011-09-27 2015-03-31 Air Products And Chemicals, Inc. Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US8569184B2 (en) 2011-09-30 2013-10-29 Asm Japan K.K. Method for forming single-phase multi-element film by PEALD
JP6088178B2 (ja) 2011-10-07 2017-03-01 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6202798B2 (ja) 2011-10-12 2017-09-27 エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー．Ａｓｍ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｎ．Ｖ． 酸化アンチモン膜の原子層堆積
TWI627303B (zh) * 2011-11-04 2018-06-21 Ａｓｍ國際股份有限公司 將摻雜氧化矽沉積在反應室內的基底上的方法
JP2013125762A (ja) 2011-12-13 2013-06-24 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、および成膜方法
US8698199B2 (en) * 2012-01-11 2014-04-15 United Microelectronics Corp. FinFET structure
US8586487B2 (en) * 2012-01-18 2013-11-19 Applied Materials, Inc. Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
JP5912637B2 (ja) 2012-02-17 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
US20130224964A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Asm Ip Holding B.V. Method for Forming Dielectric Film Containing Si-C bonds by Atomic Layer Deposition Using Precursor Containing Si-C-Si bond
KR20140143151A (ko) 2012-03-15 2014-12-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법 및 성막 장치
US8912101B2 (en) * 2012-03-15 2014-12-16 Asm Ip Holding B.V. Method for forming Si-containing film using two precursors by ALD
JP6105967B2 (ja) 2012-03-21 2017-03-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
US9337018B2 (en) * 2012-06-01 2016-05-10 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors
US8722546B2 (en) 2012-06-11 2014-05-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon-containing dielectric film by cyclic deposition with side wall coverage control
WO2014015237A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications
US20140023794A1 (en) 2012-07-23 2014-01-23 Maitreyee Mahajani Method And Apparatus For Low Temperature ALD Deposition
US20140030444A1 (en) 2012-07-30 2014-01-30 Novellus Systems, Inc. High pressure, high power plasma activated conformal film deposition
JP2014060378A (ja) 2012-08-23 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd シリコン窒化膜の成膜方法、有機電子デバイスの製造方法及びシリコン窒化膜の成膜装置
US8742668B2 (en) * 2012-09-05 2014-06-03 Asm Ip Holdings B.V. Method for stabilizing plasma ignition
US8889566B2 (en) * 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US8772101B2 (en) * 2012-11-08 2014-07-08 Globalfoundries Inc. Methods of forming replacement gate structures on semiconductor devices and the resulting device
US8784951B2 (en) 2012-11-16 2014-07-22 Asm Ip Holding B.V. Method for forming insulation film using non-halide precursor having four or more silicons
JP2016509662A (ja) * 2012-12-21 2016-03-31 アールイーシー シリコン インコーポレイテッド 流動床反応器のための高温グレードの鋼
CN103915341B (zh) * 2013-01-08 2016-12-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶体管及其形成方法
US20140273526A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 David Thompson Atomic Layer Deposition Of Films Comprising Si(C)N Using Hydrazine, Azide And/Or Silyl Amine Derivatives
US10573511B2 (en) 2013-03-13 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon nitride thin films
US9824881B2 (en) 2013-03-14 2017-11-21 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
US20140273531A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Asm Ip Holding B.V. Si PRECURSORS FOR DEPOSITION OF SiN AT LOW TEMPERATURES
US9564309B2 (en) * 2013-03-14 2017-02-07 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
US20140273530A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Victor Nguyen Post-Deposition Treatment Methods For Silicon Nitride
TW201441408A (zh) 2013-03-15 2014-11-01 應用材料股份有限公司 包含氮化矽之膜的電漿輔助原子層沉積
US8828866B1 (en) 2013-06-26 2014-09-09 Applied Materials, Inc. Methods for depositing a tantalum silicon nitride film
US9576790B2 (en) 2013-10-16 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of boron and carbon containing materials
US9543140B2 (en) 2013-10-16 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Deposition of boron and carbon containing materials
US20150125628A1 (en) 2013-11-06 2015-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing thin film
US9401273B2 (en) 2013-12-11 2016-07-26 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials
US20150255324A1 (en) 2014-03-06 2015-09-10 Applied Materials, Inc. Seamless gap-fill with spatial atomic layer deposition
US9576792B2 (en) * 2014-09-17 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of SiN
US10410857B2 (en) * 2015-08-24 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiN thin films
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US10269558B2 (en) * 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10580645B2 (en) * 2018-04-30 2020-03-03 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) of SiN using silicon-hydrohalide precursors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11150110A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
US20050145177A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Mcswiney Michael Method and apparatus for low temperature silicon nitride deposition
KR20050115067A (ko) * 2004-06-03 2005-12-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법
US20120028454A1 (en) * 2010-04-15 2012-02-02 Shankar Swaminathan Plasma activated conformal dielectric film deposition
JP2012138641A (ja) * 2012-04-23 2012-07-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

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