JP2020200401A - 樹脂組成物およびそれを用いた光学フィルム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】樹脂成分としてフルオレン骨格を含むポリカーボネート系の重合体Aと、環上に置換基を有してもよいイソブチルα−シアノシンナメートに由来する特定の残基単位を含む共重合体Bを含むことを特徴とする樹脂組成物。該組成物は光学補償フィルムとして好適に使用することができる。
【選択図】なし
Description
qおよびrはそれぞれ独立して0〜4の整数である。
Wは、単結合、または、
sは1〜6の整数である。)
nは0〜4の整数である。
Aは単結合、炭素数1〜6のアルキル基、酸素原子、または無置換のいずれかである。)
R13〜R17はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、炭素数3〜14の環状基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基(−OX’5)、エステル基(−C(=O)OX’6)、アミド基(−C(=O)N(X’7)(X’8))、アシル基(−C(=O)X’9)、アミノ基(−N(X’10)(X’11))、またはスルホン酸基(−SOOX’12)のいずれかである。R13〜R17は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。X’5〜X’8は、それぞれ独立して炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜6の環状アルキル基のいずれかである。X’9〜X’12はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜6の環状アルキル基のいずれかである。)
R20〜R24はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、炭素数3〜14の環状基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、チオール基、スルホン酸基、アルコキシ基(−OX’14)、エステル基(−C(=O)OX’15)、スルホニル基(−SOOX’16)、アミド基(−C(=O)N(X’17)(X’18)または−NX’19C(=O)X’20)、アシル基(−C(=O)X’21)、アミノ基(−N(X’22)(X’23))、またはアシルオキシ基(−OC(=O)X’24)のいずれかである。R20〜R24は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。X’13〜X’16はそれぞれ独立して炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜14の環状基のいずれかである。X’17〜X’24はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜14の環状基のいずれかである。)
m、nはそれぞれ5〜10の整数を示す。)。
Zは炭素数1〜14のアルキレン基である。
nは0〜4の整数である。)
Zは炭素数1〜14のアルキレン基である。
nは0〜4の整数である。)。
本発明の一般式(3)におけるR9、R10としては、位相差特性および透明性により優れることから、いずれか一方がシアノ基;メチルエステル基、エチルエステル基、n−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、n−ブチルエステル基、sec−ブチルエステル基、イソブチルエステル基、tert−ブチルエステル基等のエステル基;ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジn−プロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基等のアミド基;アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等のアシル基からなる群より選択され、他方が水素原子またはシアノ基であることが好ましく、いずれか一方がシアノ基、エステル基、アミド基、アシル基からなる群より選択され、他方がシアノ基であることがさらに好ましく、いずれか一方がシアノ基またはエステル基であり、他方がシアノ基であることが特に好ましい。
qおよびrはそれぞれ独立して0〜4の整数である。
Wは、単結合、または、
sは1〜6の整数である。)。
R1およびR2におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
上記式(10)の原料となる化合物は、nが3のとき、プロパンジオール、nが10のとき、デカンジオールを表す。
R13〜R17における炭素数1〜12の直鎖状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられる。
基単位、2−カルボキシ−3−ヒドロキシ−ベンザルマロノニトリル残基単位、3−カルボキシ−2−ヒドロキシ−ベンザルマロノニトリル残基単位、3−カルボキシ−4−ヒドロキシ−ベンザルマロノニトリル残基単位、4−カルボキシ−3−ヒドロキシ−ベンザルマロノニトリル残基単位、2−スルファニル−ベンザルマロノニトリル残基単位、3−スルファニルベンザルマロノニトリル残基単位、4−スルファニルベンザルマロノニトリル残基単位、2−スルホン酸ベンザルマロノニトリル残基単位、3−スルホン酸ベンザルマロノニトリル残基単位、4−スルホン酸ベンザルマロノニトリル残基単位、2−メトキシカルボニルベンザルマロノニトリル残基単位、3−メトキシカルボニルベンザルマロノニトリル残基単位、4−メトキシカルボニルベンザルマロノニトリル残基単位、2−エトキシカルボニルベンザルマロノニトリル残基単位、3−エトキシカルボニルベンザルマロノニトリル残基単位、4−エトキシカルボニルベンザルマロノニトリル残基単位、2−ホルミルベンザルマロノニトリル残基単位、3−ホルミルベンザルマロノニトリル残基単位、4−ホルミルベンザルマロノニトリル残基単位、2−アセチルベンザルマロノニトリル残基単位、3−アセチルベンザルマロノニトリル残基単位、4−アセチルベンザルマロノニトリル残基単位、2−アミノベンザルマロノニトリル残基単位、3−アミノベンザルマロノニトリル残基単位、4−アミノベンザルマロノニトリル残基単位、2−メチルスルホニルベンザルマロノニトリル残基単位、3−メチルスルホニルベンザルマロノニトリル残基単位、4−メチルスルホニルベンザルマロノニトリル残基単位、シンナモニトリル残基単位、2−ヒドロキシシンナモニトリル残基単位、3−ヒドロキシシンナモニトリル残基単位、4−ヒドロキシシンナモニトリル残基単位、2,3−ジヒドロキシシンナモニトリル残基単位、3,4−ジヒドロキシシンナモニトリル残基単位、2−カルボキシシンナモニトリル残基単位、3−カルボキシシンナモニトリル残基単位、4−カルボキシシンナモニトリル残基単位、2,3−ジカルボキシシンナモニトリル残基単位、3,4−ジカルボキシシンナモニトリル残基単位、2−カルボキシシンナモニトリル残基単位、3−カルボキシ−2−ヒドロキシ−シンナモニトリル残基単位、3−カルボキシ−4−ヒドロキシ−シンナモニトリル残基単位、4−カルボキシ−3−ヒドロキシ−シンナモニトリル残基単位、2−カルボキシ−4−ヒドロキシ−シンナモニトリル残基単位、4−カルボキシ−3−ヒドロキシ−シンナモニトリル残基単位、カルコン残基単位、2−ヒドロキシカルコン残基単位、4−ヒドロキシカルコン残基単位、4−ヒドロキシカルコン残基単位、2,3−ジヒドロキシカルコン残基単位、3,4−ジヒドロキシカルコン残基単位、2−カルボキシカルコン残基単位、3−カルボキシカルコン残基単位、4−カルボキシカルコン残基単位、2,3−ジカルボキシカルコン残基単位、3,4−ジカルボキシカルコン残基単位、2−カルボキシカルコン残基単位、3−カルボキシ−2−ヒドロキシ−カルコン残基単位、3−カルボキシ−4−ヒドロキシ−カルコン残基単位、4−カルボキシ−3−ヒドロキシ−カルコン残基単位、2−カルボキシ−4−ヒドロキシ−カルコン残基単位、4−カルボキシ−2−ヒドロキシ−カルコン残基単位からなる群より選択される1種以上が挙げられる。
m、nはそれぞれ5〜10の整数を示す。
核磁気共鳴測定装置(日本電子製、商品名JNM−ECZ400S/L1)を用い、プロトン核磁気共鳴分光(1H−NMR)スペクトル分析より求めた。また、1H−NMRスペクトル分析により求めることが困難であるものについては、元素分析装置(Perkin Elmer製、商品名2400II)を用い、CHN元素分析により求めた。
<平均分子量の測定>
ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー(GPC)装置(東ソー製、商品名HLC8320GPC(カラムGMHHR―Hを装着))を用い、テトラヒドロフランまたはN,N―ジメチルホルムアミドを溶媒として、40℃で測定し、標準ポリスチレン換算値として求めた。
<位相差特性の測定>
試料傾斜型自動複屈折計(AXOMETRICS製、商品名:AxoScan)を用いて波長589nmの光を用いて光学補償フィルムの面内位相差Re、面外位相差Rth、Nz係数を測定した。
<波長分散特性の測定>
試料傾斜型自動複屈折計(AXOMETRICS製、商品名:AxoScan)を用い、波長450nmの光による位相差Re(450)と波長550nmの光による位相差Re(550)の比として光学補償フィルムの波長分散特性を測定した。
以下の試薬を反応容器に投入した。
ベンズアルデヒド 240.0g(2.26モル)
シアノ酢酸イソブチル 319.g(2.26モル)
臭化リチウム 86.8g(0.45モル)
ここで、ベンズアルデヒドは東京化成工業社製、シアノ酢酸イソブチルは東京化成工業社製、臭化リチウムは和光純薬社製を用いた。
上記試薬を80℃、18時間反応(Knoevenagel縮合)させた。得られた反応生成物に対してヘキサン洗浄および純水洗浄を行い、真空乾燥することでイソブチルα−シアノシンナメート(以下、「iBCC」ともいう)を得た。
以下試薬を反応容器に投入した。
4−カルボキシベンズアルデヒド 102.0g(0.68モル)
シアノ酢酸イソブチル 95.9g(0.68モル)
ピペリジン 5.79g(0.068モル)
ここで、4−カルボキシベンズアルデヒドは東京化成工業社製、ピペリジンは東京化成工業社製を用いた。
上記試薬を60℃、5時間反応(Knoevenagel縮合)させた。得られた反応生成物に対してメタノール洗浄を行い、真空乾燥することでイソブチルα−シアノ−4−カルボキシシンナメート(以下、「iBCCC」ともいう)を得た。
以下の試薬を反応容器に投入した。
BCF 14.8g(0.039モル)
BPA 10.7g(0.047モル)
6D 6.9g(0.059モル)
DPC 31.6g(0.15モル)
炭酸水素ナトリウム 0.073×10−3g(0.87×10−6モル)
ここで、BCFはビスクレゾールフルオレン(大阪ガスケミカル社製)を表す。BPAは2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(東京化成工業社製)を表す。6Dは1,6−ヘキサンジオール(東京化成工業社製)を表す。DPCはジフェニルカーボネート(東京化成工業社製)を表す。炭酸水素ナトリウム(和光純薬社製)は水溶液にして触媒として投入した。上記の試薬を、フェノ−ル回収用の冷却管と、攪拌機を具備した反応容器に投入した。容器内を窒素雰囲気下にして、反応の第1段目の工程として、加熱槽温度を200℃に加熱し、必要に応じて攪拌しながら、原料を溶解させた(約15分)。次いで、第2段目の工程として加熱槽温度を220℃に加熱し、発生するフェノ−ルを反応容器外へ抜き出した。さらに、第3段目の工程として圧力を常圧から13.3kPaにし、発生するフェノ−ルを反応容器外へ抜き出した。反応容器全体を15分保持した後、第4段目の工程として、反応容器内の圧力を6.67kPaとし、加熱槽温度を230℃まで15分で上昇させ、発生するフェノ−ルを反応容器外へ抜き出した。攪拌機の攪拌トルクが上昇してくるので、最終工程として、8分で250℃まで昇温し、反応容器内の圧力を0.200kPa以下に到達させた。重合反応終了後、生成した反応物を塩化メチレンに溶解させ、メタノ−ルの中へ投入し再沈殿した。得られた沈殿物をろ過し、メタノ−ルで洗浄した後、真空乾燥しポリカーボネート樹脂(重合体A)を得た(Mw=3.1×104)。
投入した試薬を以下の組成比とした以外は、実施例1と同様に重合反応を行い、ポリカーボネート樹脂(重合体A)を得た(Mw=6.0×104)。
BCF 19.4g(0.051モル)
BPP 11.7g(0.034モル)
8D 9.1g(0.064モル)
DPC 31.6g(0.15モル)
炭酸水素ナトリウム 0.073×10−3g(0.87×10−6モル)
ここで、BPPはビスフェノールP(東京化成工業社製)を表す。8Dは1,8−オクタンジオール(東京化成工業社製)を表す。
投入した試薬を以下の組成比とした以外は、実施例1と同様に重合反応を行い、ポリカーボネート樹脂(重合体A)を得た(Mw=5.2×104)。
BCF 9.85g(0.026モル)
BXP 6.99g(0.017モル)
CHDM 11.6g(0.081モル)
DPC 31.6g(0.15モル)
炭酸水素ナトリウム 0.073×10−3g(0.87×10−6モル)
ここで、BXPはα,α‘−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン(東京化成工業社製)を表す。CHDMはシクロヘキサンジメタノール(東京化成工業社製)を表す。
容量50mLのガラスアンプルに以下の試薬を投入した。
iBCC 4.34g(0.019モル)
9VK 3.66g(0.019モル)
2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン
0.27g(0.0003モル)
テトラヒドロフラン 7.10g
ここで、iBCCはイソブチルα−シアノシンナメートを表し、合成例1で得られたものを用いた。9VKは9−ビニルカルバゾール(東京化成工業社製社製)を表す。2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン(日本日油社製)は重合開始剤である。テトラヒドロフランは東京化成工業社製を用いた。
容量50mLのガラスアンプルに以下の試薬を投入した。
iBCCC 4.00g(0.015モル)
9VK 3.53g(0.018モル)
iBA 0.47g(0.004モル)
ドデシルメルカプタン 0.157g(0.007モル)
2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン
0.26g(0.0003モル)
N,N−ジメチルホルムアミド 7.10g
ここで、iBCCCはイソブチルα−シアノ−4−カルボキシシンナメートを表し、合成例2で得られたものを用いた。iBAはアクリル酸イソブチル(東京化成工業社製)を表す。ドデシルメルカプタン(東京化成社製)は連鎖移動剤である。N,N−ジメチルホルムアミドは東京化成社製を用いた。
該アンプルに対して窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを62℃の恒温槽に入れ、24時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフランに溶解させた。このポリマー溶液をメタノール中に滴下して析出させた後、60℃で10時間真空乾燥することにより、iBCCC/9VK/iBA共重合体(重合体B)6.95gを得た(収率:87%、Mw=7.1×104)。
投入した試薬を以下の組成比とした以外は、実施例5と同様の重合反応を行い、iBCCC/9VK/iBA共重合体(重合体B)7.24gを得た(収率91%、Mw=7.0×104)。
iBCCC 3.21g(0.012モル)
9VK 3.79g(0.020モル)
iBA 1.00g(0.008モル)
ドデシルメルカプタン 0.105g(0.005モル)
2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン
0.28g(0.0003モル)
N,N−ジメチルホルムアミド 7.10g
[実施例7]
投入した試薬を以下の組成比とした以外は、実施例5と同様の重合反応を行い、iBCCC/9VK/iBA共重合体(重合体B)7.24gを得た(収率91%、Mw=5.8×104)。
iBCCC 2.31g(0.008モル)
9VK 4.07g(0.021モル)
iBA 1.62g(0.013モル)
ドデシルメルカプタン 0.066g(0.0003モル)
2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン
0.30g(0.0004モル)
N,N−ジメチルホルムアミド 7.10g
[実施例8]
投入した試薬を以下の組成比とした以外は、実施例5と同様の重合反応を行い、iBCCC/9VK/EHA共重合体(重合体B)7.30gを得た(収率91%、Mw=6.2×104)。
iBCCC 2.11g(0.008モル)
9VK 3.74g(0.019モル)
EHA 2.14g(0.012モル)
ドデシルメルカプタン 0.032g(0.0002モル)
2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン
0.28g(0.0003モル)
N,N−ジメチルホルムアミド 7.10g
ここで、EHAはアクリル酸エチルヘキシル(東京化成工業社製)を表す。
投入した試薬を以下の組成比とした以外は、実施例5と同様の重合反応を行い、iBCCC/9VK/DnBI共重合体(重合体B)3.67gを得た(収率92%、Mw=6.9×104)。
iBCCC 1.44g(0.005モル)
9VK 1.70g(0.009モル)
DnBI 0.85g(0.004モル)
ドデシルメルカプタン 0.029g(0.0001モル)
2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン
0.12g(0.0001モル)
N,N−ジメチルホルムアミド 7.10g
ここで、DnBIはイタコン酸ジn−ブチル(東京化成工業社製)を表す。
以下の試薬を反応容器に投入した。
BPA 5.75g(0.015モル)
DPC 31.6g(0.15モル)
炭酸水素ナトリウム 0.073×10−3g(0.87×10−6モル)
炭酸水素ナトリウムを水溶液にして触媒として投入した。上記試薬を、フェノ−ル回収用の冷却管と、攪拌翼を具備した反応容器に投入した。窒素雰囲気下にて、反応の第1段目の工程として、加熱槽温度を200℃に加熱し、必要に応じて攪拌しながら、原料を溶解させた( 約15分)。次いで、第2段目の工程として加熱槽温度を220℃に加熱し、発生するフェノ−ルを反応容器外へ抜き出した。さらに、第3段目の工程として圧力を常圧から13.3kPaにし、発生するフェノ−ルを反応容器外へ抜き出した。反応容器全体を15分保持した後、第4段目の工程として、反応容器内の圧力を6.67kPaとし、加熱槽温度を230℃まで15分で上昇させ、発生するフェノ−ルを反応容器外へ抜き出した。攪拌機の攪拌トルクが上昇してくるので、最終工程として、8分で250℃ まで昇温し、反応容器内の圧力を0.200kPa以下に到達させた。重合反応終了後、生成した反応物を塩化メチレンに溶解させ、メタノ−ルの中へ投入し再沈殿した。沈殿したポリマ−をろ過し、メタノ−ルで洗浄した後、真空乾燥しポリカーボネート樹脂を得た(Mw=5.0×104)。
実施例1により得られた重合体A 9.0gおよび実施例4により得られた重合体B 1.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃、15分の後155℃、5分にて2段乾燥し、フィルムを得た(重合体A:90重量%、重合体B:10重量%)。得られたフィルムを50mm角に切り出し、123℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に示す。
得られた光学補償フィルムは、重合体Aのみの比較例1と比べ波長分散性が低下していた。このことから、実施例4により得られた重合体Bを添加することにより波長分散性を調整できていることがわかる。
実施例1により得られた重合体A 9.0gおよび実施例5により得られた重合体B 1.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た(重合体A:90重量%、重合体B:10重量%)。得られたフィルムを50mm角に切り出し、123℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムは、重合体Aのみの比較例1と比べ波長分散性が低下していた。このことから、実施例5により得られた重合体Bを添加することにより波長分散性を調整できていることがわかる。
実施例2により得られた重合体A 9.0gおよび実施例5により得られた重合体B 1.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た(重合体A:90重量%、重合体B:10重量%)。得られたフィルムを50mm角に切り出し、138℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムは、重合体Aのみの比較例2と比べ波長分散性が低下していた。このことから、実施例5により得られた重合体Bを添加することにより波長分散性を調整できていることがわかる。
実施例2により得られた重合体A 9.0gおよび実施例6により得られた重合体B 1.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た(重合体A:90重量%、重合体B:10重量%)。得られたフィルムを50mm角に切り出し、138℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムは、重合体Aのみの比較例2と比べ波長分散性が低下していた。このことから、実施例6により得られた共重合体Bを添加することにより波長分散性を調整できていることがわかる。
実施例2により得られた重合体A 9.0gおよび実施例7により得られた重合体B 1.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た(重合体A:90重量%、重合体B:10重量%)。得られたフィルムを50mm角に切り出し、127℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムは、重合体Aのみの比較例2と比べ波長分散性が低下していた。このことから、実施例7により得られた重合体Bを添加することにより波長分散性を調整できていることがわかる。
実施例2により得られた重合体A 9.0gおよび実施例8により得られた重合体B 1.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た(重合体A:90重量%、重合体B:10重量%)。得られたフィルムを50mm角に切り出し、117℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムは、重合体Aのみの比較例2と比べ波長分散性が低下していた。このことから、実施例8により得られた重合体Bを添加することにより波長分散性を調整できていることがわかる。
実施例2により得られた重合体A 9.0gおよび実施例9により得られた重合体B 1.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た(重合体A:90重量%、重合体B:10重量%)。得られたフィルムを50mm角に切り出し、127℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムは、重合体Aのみの比較例2と比べ波長分散性が低下していた。このことから、実施例9により得られた重合体Bを添加することにより波長分散性を調整できていることがわかる。
実施例3により得られた重合体A 9.0gおよび実施例7により得られた重合体B 1.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た(重合体A:90重量%、重合体B:10重量%)。得られたフィルムを50mm角に切り出し、119℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムは、重合体Aのみの比較例3と比べ波長分散性が低下していた。このことから、実施例7により得られた共重合体Bを添加することにより波長分散性を調整できていることがわかる。
実施例1により得られた重合体A 10.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た。得られたフィルムを50mm角に切り出し、119℃で2.5倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムの波長分散性は、R450/R550=1.03を示した。
実施例2により得られた重合体A 10.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た。得られたフィルムを50mm角に切り出し、119℃で2.5倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムの波長分散性は、R450/R550=1.03を示した。
実施例3により得られた重合体A 10.0gをメチルエチルケトン18.6gに溶解させて35重量%の透明樹脂溶液を得た。その透明樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後155℃にて2段乾燥し、フィルムを得た。得られたフィルムを50mm角に切り出し、119℃で2.0倍に一軸延伸した。得られた光学補償フィルムの位相差特性、波長分散特性を測定した。その結果を表1に合わせて示す。
得られた光学補償フィルムの波長分散性は、R450/R550=1.03を示した。
実施例1により得られた重合体A 9.0gとポリメタクリル酸メチル(東京化成工業社製、「PMMA」と略記する。Mw=12×104)をクロロホルム18.6gに溶解させて35重量%の白濁した樹脂溶液を得た。その樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後80℃にて2段乾燥し、フィルムを得た。得られたフィルムを50mm角に切り出し、123℃で2.0倍に一軸延伸したが、高ヘーズのため位相差特性、波長分散特性の測定が困難であった。
合成例3により得られたポリマー 9.0gと実施例7により得られた重合体B 1.0gをクロロホルム18.6gに溶解させて35重量%の白濁した樹脂溶液を得た。その樹脂溶液をコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム上に流涎し、乾燥温度40℃の後80℃にて2段乾燥し、フィルムを得た。得られたフィルムを50mm角に切り出し、150℃で2.0倍に一軸延伸したが、高ヘーズのため位相差特性、波長分散特性の測定が困難であった。
Claims (6)
- 下記一般式(1)、下記一般式(2)、下記一般式(3)からなる群の少なくとも1種の残基単位を含有する重合体Aと、下記一般式(4)、下記一般式(5)、下記一般式(6)からなる群の少なくとも1種の残基単位を含有する重合体Bを含む樹脂組成物。
(式中、R1およびR2はそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、炭素数1〜10の分岐状アルキル基、炭素数6〜12の環状アルキル基、アルコキシ基(−OX1)、炭素数6〜10のアリ−ル基、炭素数7〜20のアラルキル基、炭素数6〜10のアリ−ルオキシ基または炭素数7〜20のアラルキルオキシ基のいずれかである。X1は炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜6の環状アルキル基のいずれかである。
qおよびrはそれぞれ独立して0〜4の整数である。
Wは、単結合、または、
のいずれかである。R3〜R8はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、フェニル基、炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、炭素数1〜10の分岐状アルキル基、炭素数3〜6の環状アルキル基、アルコキシ基(−OX2)、アルキルカルボン酸(−X3COOH)、または炭素数1〜10のハロゲン化炭素のいずれかである。X2は炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜6の環状アルキル基のいずれかである。X3は炭素数1〜10の直鎖状アルキレン基、炭素数1〜10の分岐状アルキレン基のいずれかである。
sは1〜6の整数である。)
(式中、Yは炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数3〜20のシクロアルキレン基、炭素数1〜20のエーテル基、炭素数6〜20の環状エーテル基、炭素数1〜20のチオエーテル基、炭素数6〜20の環状チオエーテル基、炭素数1〜20のイミノ基、炭素数6〜20の環状イミノ基、炭素数1〜20のハロゲン化アルキレン基のいずれかである。)
(式中、R9〜R10はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基のいずれかである。Zは炭素数1〜14のアルキレン基である。
nは0〜4の整数である。
Aは単結合、炭素数1〜6のアルキル基、酸素原子、または無置換のいずれかである。)
(式中、R11、R12はそれぞれ独立して水素原子(ただし、R11、R12が共に水素原子である場合を除く。)、シアノ基、エステル基(−C(=O)OX’1)、アミド基(−C(=O)N(X’2)(X’3))、またはアシル基(−C(=O)X’4)のいずれかである。X’1〜X’3はそれぞれ独立して炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜6の環状アルキル基のいずれかである。X‘4は炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜14の環状基のいずれかである。
式中、R13〜R17はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、炭素数3〜14の環状基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基(−OX’5)、エステル基(−C(=O)OX’6)、アミド基(−C(=O)N(X’7)(X’8))、アシル基(−C(=O)X’9)、アミノ基(−N(X’10)(X’11))、またはスルホン酸基(−SOOX’12)のいずれかである。R13〜R17は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。X’5〜X’8は、それぞれ独立して炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜6の環状アルキル基のいずれかである。X’9〜X’12はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜6の環状アルキル基のいずれかである。))
(式中、R18は水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基または炭素数3〜14の環状基のいずれかである。
R19は水素原子、カルボキシ基またはエステル基(−C(=O)OX’13)のいずれかである。
R20〜R24はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、炭素数3〜14の環状アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、チオール基、スルホン酸基、アルコキシ基(−OX’14)、エステル基(−C(=O)OX’15)、スルホニル基(−SOOX’16)、アミド基(−C(=O)N(X’17)(X’18)または−NX19C(=O)X’20)、アシル基(−C(=O)X’21)、アミノ基(−N(X’22)(X’23))、またはアシルオキシ基(−OC(=O)X’24)のいずれかである。R20〜R24は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。X’13〜X’16はそれぞれ独立して炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜14の環状基のいずれかである。X’17〜X’24はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状アルキル基、炭素数1〜12の分岐状アルキル基、または炭素数3〜14の環状基のいずれかである
(式中、R25はヘテロ原子を1つ以上含むm員環複素環残基またはヘテロ原子を含まないn員環残基を示し、それぞれ置換基を有してもよい。前記m員環複素環残基および前記n員環残基は縮合環構造を形成してもよい。
m、nはそれぞれ5〜10の整数を示す。) - 樹脂組成物の全重量に対し、重合体Aの含有量が10重量%以上99重量%以下、重合体Bの含有量が1重量%以上90重量%以下である請求項1に記載の樹脂組成物。
- 重合体Aおよび重合体Bの重量平均分子量がそれぞれ3,000以上〜500,000以下である請求項1または2いずれかに記載の樹脂組成物。
- 重合体Aおよび重合体Bのガラス転移温度がそれぞれ90℃以上255℃以下である請求項1乃至3いずれか一項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1乃至4いずれか一項に記載の樹脂組成物を含む光学フィルム。
- 請求項5に記載の光学フィルムを一軸以上の方向に延伸してなる位相差フィルム。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024145565A (ja) * | 2023-03-31 | 2024-10-15 | 日東電工株式会社 | 樹脂フィルム、位相差フィルムおよび樹脂フィルムの製造方法 |
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-
2019
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