JP2022008083A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 有機物からなる材質又は無機物及び有機物の双方からなる材質で構成されている芯材粒子の表面に導電層としてのニッケルめっき層が形成されてなる導電性粒子において、
走査型オージェ電子分光分析装置により測定した、前記導電層の表面から深さ方向５ｎｍ以内におけるニッケルとリンの合計に対する炭素のモル比（Ｃ／（Ｎｉ＋Ｐ））、又はニッケルとホウ素の合計に対する炭素のモル比（Ｃ／（Ｎｉ＋Ｂ））が０．０００２以上１．６５以下であり、ニッケルとリンの合計に対する酸素のモル比（Ｏ／（Ｎｉ＋Ｐ））、又はニッケルとホウ素の合計に対する酸素のモル比（Ｏ／（Ｎｉ＋Ｂ））が０．０００１以上２．０以下であり、且つ、ニッケルに対するリンのモル比（Ｐ／Ｎｉ）、又はニッケルに対するホウ素のモル比（Ｂ／Ｎｉ）が０．００３以上０．７以下である導電性粒子。 - 有機物からなる材質又は無機物及び有機物の双方からなる材質で構成されている芯材粒子の表面に導電層としてのニッケルめっき層が形成されてなる導電性粒子において、
飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）により測定した、前記導電層の表面から深さ方向１ｎｍ以内におけるＮｉ－の負イオンのカウント強度に対するＣ２Ｈ３Ｏ２ －の負イオンのカウント強度（Ｃ２Ｈ３Ｏ２ －／Ｎｉ－）が１０．０以下であるか、又はＮｉ－の負イオンのカウント強度に対するＰＯ２ －の負イオンのカウント強度（ＰＯ２ －／Ｎｉ－）が１０．０以下である導電性粒子。 - 前記導電層の厚みが５ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である請求項１又は２に記載の導電性粒子。
- 平均粒子径が０．１μｍ以上５０μｍ以下である請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
- 前記導電層の外表面に突起を有する請求項１～４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
- 前記導電層の外表面が平滑である請求項１～４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
- 請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電性材料。
- 請求項７に記載の導電性材料を介して被接続部材同士が接続されている接続構造体。
- 芯材粒子の表面に導電層を有する導電性粒子を、１０００Ｐａ以下の真空下、温度２００～６００℃で加熱する工程を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性粒子の製造方法。
- 前記芯材粒子の表面に無電解めっき法で前記導電層を形成して得られた導電性粒子を加熱する請求項９に記載の導電性粒子の製造方法。
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