JP2022008093A - 電子表示装置 - Google Patents
電子表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022008093A JP2022008093A JP2021083306A JP2021083306A JP2022008093A JP 2022008093 A JP2022008093 A JP 2022008093A JP 2021083306 A JP2021083306 A JP 2021083306A JP 2021083306 A JP2021083306 A JP 2021083306A JP 2022008093 A JP2022008093 A JP 2022008093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- polymer film
- electronic display
- inorganic substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
【課題】 タイリングにより大面積化が可能な狭額縁の電子表示装置を経済的に提供する方法を実現する。【解決手段】高分子フィルムを無機基板に貼り合わせ、該高分子フィルム上に配線層と電子表示デバイスを形成した後に、電子表示デバイスの外側に位置する高分子フィルムを配線層とともに無機基板の裏側に折り曲げ、シランカップリング剤を用いて高分子フィルムと無機基板の裏面を接着し、其ののちにドライバーＩＣを実装する。【選択図】図１
Description
本発明は狭額縁な電子表示装置に関し、特に表示パネルの裏面にドライバーＩＣを搭載するタイプの電子表示装置に関する。以下電子表示装置を単に表示装置と記す場合もある。
液晶表示装置、あるはＯＬＥＤ、マイクロＬＥＤのような自発光表示装置、電気泳動ディスプレイに代表される反射型表示装置の大画面化は留まるところを知らない。一方でこれら表示装置の製造には大面積微細加工技術と高度なクリーン環境が必要とされ、製造工場の建設には莫大な費用が必要となる。表示画素中に、たった一個の欠点画素があっても製品としては致命的な欠陥となるため表示装置は大画面化が進むほど収率が低下する。仮に欠点画素の発生頻度が１個／１平方ｍ、であったとしても、画面サイズが１平方ｍの表示デバイスであれば確率的にほとんどの製品が不良品となってしまう。一方、仮に製品サイズが１０ｃｍ四方、すなわち１００平方ｃｍであれば、確率的に１００製品中の不良品は１台のみとなり９９個の合格品を得ることができる。
かかる背景から、大面積の電子表示装置を、中小サイズの電子表示装置をタイリングして実現する試みが行われている。タイリングにおいて重視されるのは各電子表示装置の額縁の幅である。額縁が広いと、タイリングの継ぎ目が目立ってしまい、大面積化の趣がそがれてしまう。額縁の幅は、電子表示装置に実装される駆動回路など、周辺装置・部品の配置に依存する。
一般に、表示装置の駆動回路素子は（駆動用ＩＣ、以後ドライバーＩＣまたはドライバー素子とも云う）はＴＡＢ、ＣＯＦなどを用いて表示装置の周辺部に取り付けられる。折り曲げ可能なフィルム基材を用いているＴＡＢ、またはＣＯＦを、電子表示装置のエッジ部分において折り曲げ、電子表示装置の側面ないし裏面に駆動回路を配置する形態が提案されている（特許文献１、特許文献２）。 最近では表示デバイス部を高分子フィルム上に形成し、端部で折り曲げて、周辺回路などを電子表示装置の裏側に配置し、電子表示装置をコンパクトにする形態が提案されている（特許文献３、特許文献４）。
一般に、表示装置の駆動回路素子は（駆動用ＩＣ、以後ドライバーＩＣまたはドライバー素子とも云う）はＴＡＢ、ＣＯＦなどを用いて表示装置の周辺部に取り付けられる。折り曲げ可能なフィルム基材を用いているＴＡＢ、またはＣＯＦを、電子表示装置のエッジ部分において折り曲げ、電子表示装置の側面ないし裏面に駆動回路を配置する形態が提案されている（特許文献１、特許文献２）。 最近では表示デバイス部を高分子フィルム上に形成し、端部で折り曲げて、周辺回路などを電子表示装置の裏側に配置し、電子表示装置をコンパクトにする形態が提案されている（特許文献３、特許文献４）。
ＴＡＢまたはＣＯＦを用いたドライバー実装においては、電子表示デバイス（以下、単に表示デバイスともいう。）との電気的接続のため、表示装置に形成した電極と、ＴＡＢまたはＣＯＦの端子部分とをＡＣＦ（異方性導電膜）を用いて接続することが一般的である。すなわち電子表示装置の表示部の周辺部分にＴＡＢまたはＣＯＦとの接続を行うための電極を配置する必要があるため、額縁幅を電極幅より狭くすることはできない。
一方、電子表示装置の表示部をフィルム基材上に作製し、端部を折り曲げて裏に回す方法では、ドライバー素子を実装した後に、電子表示デバイス全体の変形を伴う加工を行う必要があり、ドライバー素子の破損、あるいはドライバー素子と表示デバイスとの接続部の破損などのおそれがある。またフィルム基材の電子表示デバイスの変形を伴う加工を行った後にドライバーＩＣの実装を行うためには、ドライバー素子実装時の圧力、加熱、超音波振動などが、フィルム基材を通して電子表示デバイスのバックプレーン側に伝わり、特に繊細な部分である電子表示デバイスのＴＦＴを破壊するおそれがある。
一方、電子表示装置の表示部をフィルム基材上に作製し、端部を折り曲げて裏に回す方法では、ドライバー素子を実装した後に、電子表示デバイス全体の変形を伴う加工を行う必要があり、ドライバー素子の破損、あるいはドライバー素子と表示デバイスとの接続部の破損などのおそれがある。またフィルム基材の電子表示デバイスの変形を伴う加工を行った後にドライバーＩＣの実装を行うためには、ドライバー素子実装時の圧力、加熱、超音波振動などが、フィルム基材を通して電子表示デバイスのバックプレーン側に伝わり、特に繊細な部分である電子表示デバイスのＴＦＴを破壊するおそれがある。
本発明者らはかかる課題を解決するために、鋭意研究を続けた結果、既存の電子表示デバイス製造設備を利用して製造可能であり、かつ狭額縁であり、駆動回路の実装についても高い良品率を得ることができる電子表示デバイスの構造を見出し、本発明に到達した。
すなわち本発明は以下の構成からなる。
［１］ 無機基板、
前記無機基板を挟むように折り曲げられ、前記無機基板の第一の面と第二の面の両方に接着された高分子フィルム、
前記無機基板の第一の面に接着された側の高分子フィルム表面に形成された電子表示デバイス、
前記無機基板の第二の面に接着された側の高分子フィルム表面に実装された電子表示デバイスの駆動回路素子、
前記高分子フィルム表面に形成され、前記電子表示デバイスと駆動回路素子を電気的に接続する配線、
を含み、
前記高分子フィルムと無機基板の接着面の一部または全部がシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする電子表示装置。
［２］ 前記高分子フィルムと前記無機基板の第一の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする［１］に記載の電子表示装置。
［３］ 前記高分子フィルムと前記無機基板の第二の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする［１］または［２］に記載の電子表示装置。
［４］ 前記高分子フィルムと前記無機基板の側面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする［１］～［３］のいずれかに記載の電子表示装置。
［５］ 前記折り曲げられて無機基板の側面に対向する高分子フィルムの一部または全部が薄肉化されていることを特徴とする［１］～［４］のいずれかに記載の電子表示装置。
［６］ 前記折り曲げられて無機基板の側面に対向する高分子フィルムの一部が取り除かれていることを特徴とする［１］～［４］のいずれかに記載の電子表示装置。
［７］ 前記高分子フィルムが、弾性率が３ＭＰａ以上、破断伸度が５％以上、厚さが３μｍ以上７５μｍ以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする［１］～［６］のいずれかに記載の電子表示装置。
［８］ 前記高分子フィルムが、全光線透過率８５％以上、イエローインデックスが５以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする［１］～［７］いずれかに記載の電子表示装置。
［１］ 無機基板、
前記無機基板を挟むように折り曲げられ、前記無機基板の第一の面と第二の面の両方に接着された高分子フィルム、
前記無機基板の第一の面に接着された側の高分子フィルム表面に形成された電子表示デバイス、
前記無機基板の第二の面に接着された側の高分子フィルム表面に実装された電子表示デバイスの駆動回路素子、
前記高分子フィルム表面に形成され、前記電子表示デバイスと駆動回路素子を電気的に接続する配線、
を含み、
前記高分子フィルムと無機基板の接着面の一部または全部がシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする電子表示装置。
［２］ 前記高分子フィルムと前記無機基板の第一の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする［１］に記載の電子表示装置。
［３］ 前記高分子フィルムと前記無機基板の第二の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする［１］または［２］に記載の電子表示装置。
［４］ 前記高分子フィルムと前記無機基板の側面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする［１］～［３］のいずれかに記載の電子表示装置。
［５］ 前記折り曲げられて無機基板の側面に対向する高分子フィルムの一部または全部が薄肉化されていることを特徴とする［１］～［４］のいずれかに記載の電子表示装置。
［６］ 前記折り曲げられて無機基板の側面に対向する高分子フィルムの一部が取り除かれていることを特徴とする［１］～［４］のいずれかに記載の電子表示装置。
［７］ 前記高分子フィルムが、弾性率が３ＭＰａ以上、破断伸度が５％以上、厚さが３μｍ以上７５μｍ以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする［１］～［６］のいずれかに記載の電子表示装置。
［８］ 前記高分子フィルムが、全光線透過率８５％以上、イエローインデックスが５以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする［１］～［７］いずれかに記載の電子表示装置。
本発明では、さらに以下の構成を含むことが好ましい。
［９］ 前記電子表示デバイスが自発光型表示デバイスであることを特徴とする［１］～［８］のいずれかに記載の電子表示装置。
［１０］ 前記電子表示デバイスが反射型表示デバイスであることを特徴とする［１］～［８］のいずれかに記載の電子表示装置。
［１１］ 前記高分子フィルムが、無機基板の第一の面から側面に向けて折り曲げられている角の曲率半径が高分子フィルムの厚さと配線厚さの合計の３倍以下であることを特徴とする［１］～［１０］のいずれかに記載の電子表示装置。
［９］ 前記電子表示デバイスが自発光型表示デバイスであることを特徴とする［１］～［８］のいずれかに記載の電子表示装置。
［１０］ 前記電子表示デバイスが反射型表示デバイスであることを特徴とする［１］～［８］のいずれかに記載の電子表示装置。
［１１］ 前記高分子フィルムが、無機基板の第一の面から側面に向けて折り曲げられている角の曲率半径が高分子フィルムの厚さと配線厚さの合計の３倍以下であることを特徴とする［１］～［１０］のいずれかに記載の電子表示装置。
本発明の電子表示装置において表示部である電子表示デバイスは、無機基板を挟むように折り曲げられた高分子フィルム上に形成されており、該高分子フィルムの一部または全部がシランカップリング剤の縮合物を介して無機基板に接着されている。シランカップリング剤縮合物層の存在はシランカップリング剤処理の結果である。かかるシランカップリング剤縮合物層の厚さは極めて薄く、無機基板、高分子フィルムの厚さに比較した場合には事実上無視できるレベルである。そのため、高分子フィルム層の平面性は、ほぼ無機基板に支配されるため極めて平滑な表面を得ることができる。これは大面積で高精細加工が必要な電子表示デバイスの形成においては必要不可欠な特性である。高分子フィルムを支持体（無機基板）なしで用いたり、あるいは数μｍ～数十μｍの厚さを持つ一般的な接着剤、または粘着剤により高分子フィルムを無機基板に接着した場合には、高分子フィルムを折り曲げた際、高分子フィルム表面にウネリが生じ、きわめて精細な露光操作が必要な微細加工においては、このうねりの存在が致命傷となる場合がある。
シランカップリング剤縮合物層の耐熱性は、一般的な有機物からなる接着剤に比較して高く、電子表示デバイスを形成するための諸工程、より具体的にはアモルファスシリコン薄膜、ポリシリコン薄膜、酸化物半導体薄膜、化合物半導体膜などの形成工程での高温環境に十分耐えることができる。さらに、露光、現像、エッチング、レジスト剥離などの加工プロセスに用いられる薬液、溶剤、あるいはプラズマ加工などに十分耐えることができる。そのため、本発明の電子表示装置は、無機基板にシランカップリング剤縮合物層を介して高分子フィルムを積層して得られた積層体の高分子フィルム上にて直接的に電子表示デバイスに必要な加工を実施することが可能である。この加工方法によれば、フレキシブルなフィルムを、あたかも一枚の無機基板と見なして、従来型表示デバイスの製造装置を用いて実施することが可能である。
なお、本発明は、無機基板上に高分子の前駆体（代表的な例としてはポリイミドの前駆体であるポリアミド酸）溶液を塗布し、乾燥硬化して基板上で高分子フィルムを形成するプロセスについても、精緻な厚さ制御を行えば適用が可能となる。
なお、本発明は、無機基板上に高分子の前駆体（代表的な例としてはポリイミドの前駆体であるポリアミド酸）溶液を塗布し、乾燥硬化して基板上で高分子フィルムを形成するプロセスについても、精緻な厚さ制御を行えば適用が可能となる。
本発明では、電子表示デバイスの表示部分と、電子表示デバイス周辺に配置される引き出し配線層が共通の高分子フィルム基板上に形成されることになる。そのため、ＴＡＢまたはＣＯＦのように接続に要する端子部分が存在しない。したがって、引き出し配線層が表示部分から引き出される根本近傍で引き出し配線層を折り曲げることができるため、額縁を狭くすることが可能となる。
さらに、本発明では、電子表示デバイスの基板である高分子フィルムを無機基板で支持しているため電子表示デバイスの平面性が保たれる。さらに電子表示デバイス周辺から折り曲げて無機基板の裏に回した引き出し配線層部分を、基材である高分子フィルムごと、無機基板の裏面に接着することができる。高分子フィルムは硬い無機基板に支持されているため、ドライバーＩＣを接着後の高分子フィルム上の端子に直接的にボンディング可能となる。高分子フィルムに支持体（無機基板）が無い場合、あるいは支持体の剛性が低い場合にはボンディング精度が低下することが多い。一方、本発明の電子表示装置では、高いボンディング精度を得ることが可能となる。
さらに、本発明では、電子表示デバイスの基板である高分子フィルムを無機基板で支持しているため電子表示デバイスの平面性が保たれる。さらに電子表示デバイス周辺から折り曲げて無機基板の裏に回した引き出し配線層部分を、基材である高分子フィルムごと、無機基板の裏面に接着することができる。高分子フィルムは硬い無機基板に支持されているため、ドライバーＩＣを接着後の高分子フィルム上の端子に直接的にボンディング可能となる。高分子フィルムに支持体（無機基板）が無い場合、あるいは支持体の剛性が低い場合にはボンディング精度が低下することが多い。一方、本発明の電子表示装置では、高いボンディング精度を得ることが可能となる。
以下、図を用いて本発明を詳細に説明する。図１は本発明の電子表示装置の、代表的な態様の断面構成を示す概略模式図である。
無機基板１０は、本発明の電子表示装置１全体を支える重要な要素である。無機基板１０としてはガラス基板、金属基板、金属箔、シリコンウエハ、その他の半導体ウエハなどを用いることができる。実用的には平面のガラス基板を用いることができる。ガラス基板として、厚さが数１０μｍ程度のフレキシブルガラスを用いることもできる。無機基板１０の好ましい厚さとしては、２０μｍ以上であり、より好ましくは４５μｍ以上であり、さらに好ましくは３００μｍ以上である。また、５ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．２ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．７ｍｍ以下である。無機基板の厚さを上記範囲内とすることで、耐久性およびハンドリング性が良好となる。
ガラス基板としては、石英ガラス、高ケイ酸ガラス（９６％シリカ）、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス（パイレックス（登録商標））、ホウケイ酸ガラス（無アルカリ）、ホウケイ酸ガラス（マイクロシート）、アルミノケイ酸塩ガラス等が含まれる。これらの中でも、線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下のものが望ましく、市販品であれば、液晶用ガラスであるコーニング社製の「コーニング（登録商標）７０５９」や「コーニング（登録商標）１７３７」、「ＥＡＧＬＥ」、旭硝子社製の「ＡＮ１００」、日本電気硝子社製の「ＯＡ１０」、ＳＣＨＯＴＴ社製の「ＡＦ３２」などが望ましい。
またこれら無機基板、好ましくはガラス基板の表面に、クロム、ニッケル、ニクロム、モリブデン、タングステンなどの金属や、金属酸化物、金属窒化物、窒化ケイ素、窒化アルミ、炭化ケイ素などの薄膜を形成した基板を用いても良い。
また表面に陽極酸化被膜を形成した金属基板、金属箔、あるいはフッ素樹脂コーティング、シリコーン樹脂コーティングなどを行った無機基板を用いてもよい。
無機基板１０は、本発明の電子表示装置１全体を支える重要な要素である。無機基板１０としてはガラス基板、金属基板、金属箔、シリコンウエハ、その他の半導体ウエハなどを用いることができる。実用的には平面のガラス基板を用いることができる。ガラス基板として、厚さが数１０μｍ程度のフレキシブルガラスを用いることもできる。無機基板１０の好ましい厚さとしては、２０μｍ以上であり、より好ましくは４５μｍ以上であり、さらに好ましくは３００μｍ以上である。また、５ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．２ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．７ｍｍ以下である。無機基板の厚さを上記範囲内とすることで、耐久性およびハンドリング性が良好となる。
ガラス基板としては、石英ガラス、高ケイ酸ガラス（９６％シリカ）、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス（パイレックス（登録商標））、ホウケイ酸ガラス（無アルカリ）、ホウケイ酸ガラス（マイクロシート）、アルミノケイ酸塩ガラス等が含まれる。これらの中でも、線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下のものが望ましく、市販品であれば、液晶用ガラスであるコーニング社製の「コーニング（登録商標）７０５９」や「コーニング（登録商標）１７３７」、「ＥＡＧＬＥ」、旭硝子社製の「ＡＮ１００」、日本電気硝子社製の「ＯＡ１０」、ＳＣＨＯＴＴ社製の「ＡＦ３２」などが望ましい。
またこれら無機基板、好ましくはガラス基板の表面に、クロム、ニッケル、ニクロム、モリブデン、タングステンなどの金属や、金属酸化物、金属窒化物、窒化ケイ素、窒化アルミ、炭化ケイ素などの薄膜を形成した基板を用いても良い。
また表面に陽極酸化被膜を形成した金属基板、金属箔、あるいはフッ素樹脂コーティング、シリコーン樹脂コーティングなどを行った無機基板を用いてもよい。
＜高分子フィルム＞
高分子フィルム３０としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、全芳香族ポリエステル、その他の共重合ポリエステル、ポリメチルメタクリレート、その他の共重合アクリレート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、芳香族ポリイミド、脂環族ポリイミド、フッ素化ポリイミド、酢酸セルロース、硝酸セルロース、芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリフェノール、ポリアリレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキシド、ポリスチレン、液晶ポリマー等のフィルムを用いることが出来る。
本発明ではこれら高分子フィルムのうち、縮重合反応により得られる高分子フィルム（縮合系の高分子フィルム）が好ましい。本発明において特に効果が顕著・有用であるものは耐熱性が１００℃以上、好ましくは１５０℃以上の高分子、所謂エンジニアリングプラスチックのフィルムである。ここに耐熱性とはガラス転移温度ないしは熱変形温度が１００℃以上（好ましくは１５０℃以上）である性質を云う。本発明で好ましく用いられる縮重合高分子フィルム（縮合系の高分子フィルム）はポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリベンザゾール、ポリイミドベンザゾール、ポリエチレンナフタレートフィルム、液晶ポリマーフィルムであり、より好ましくはポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム又は液晶ポリマーフィルムである。
高分子フィルム３０としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、全芳香族ポリエステル、その他の共重合ポリエステル、ポリメチルメタクリレート、その他の共重合アクリレート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、芳香族ポリイミド、脂環族ポリイミド、フッ素化ポリイミド、酢酸セルロース、硝酸セルロース、芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリフェノール、ポリアリレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキシド、ポリスチレン、液晶ポリマー等のフィルムを用いることが出来る。
本発明ではこれら高分子フィルムのうち、縮重合反応により得られる高分子フィルム（縮合系の高分子フィルム）が好ましい。本発明において特に効果が顕著・有用であるものは耐熱性が１００℃以上、好ましくは１５０℃以上の高分子、所謂エンジニアリングプラスチックのフィルムである。ここに耐熱性とはガラス転移温度ないしは熱変形温度が１００℃以上（好ましくは１５０℃以上）である性質を云う。本発明で好ましく用いられる縮重合高分子フィルム（縮合系の高分子フィルム）はポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリベンザゾール、ポリイミドベンザゾール、ポリエチレンナフタレートフィルム、液晶ポリマーフィルムであり、より好ましくはポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム又は液晶ポリマーフィルムである。
本発明で好ましく用いられる高分子フィルムはポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリベンゾオキサゾールフィルム、ポリイミドベンゾオキサゾールフィルムであり、芳香族ポリイミド、脂環族ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドなどを用いることが出来る。本発明を特にフレキシブルディスプレイ素子製造に用いる場合には、無色透明性を有するポリイミド系樹脂フィルムを用いることが好ましいが、反射型、ないし自発光型のディスプレイの背面素子を形成する場合においては、特にこの限りではない。
一般にポリイミドフィルムは、溶媒中でジアミン類とテトラカルボン酸類とを反応させて得られるポリアミド酸（ポリイミド前駆体）溶液を、ポリイミドフィルム作製用支持体に塗布、乾燥してグリーンフィルム（「前駆体フィルム」または「ポリアミド酸フィルム」ともいう）となし、さらにポリイミドフィルム作製用支持体上で、あるいは該支持体から剥がした状態でグリーンフィルムを高温熱処理して脱水閉環反応を行わせることによって得られる。
本発明において好ましく用いられるポリイミドフィルムとしては、以下の化学組成を含むポリイミド樹脂から得られるポリイミドフィルムを例示できる。
・ピロメリット酸とジアミノジフェニルエーテルから得られるポリイミド樹脂、
・ビフェニルテトラカルボンとフェニレンジアミンから得られるポリイミド樹脂、
・ピロメリット酸とフェニレンジアミンから得られるポリイミド樹脂、
・ジアミン成分にベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン化合物を用いたポリイミド樹脂、
・シクロヘキシルテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸を用いたポリイミド樹脂、
・脂環族テトラカルボン酸と、アミド結合を有する芳香族ジアミンを用いたポリイミド樹脂
・フッ素を含有する単量体を用いたポリイミド樹脂、
・イオンを含有する単量体を用いたポリイミド樹脂
これらはテトラカルボン酸またはジアミンのそれぞれにおいて主たる成分を例示したものであって、第二第三の成分を配合して共重合化したポリイミド樹脂、あるいは複数組成のポリイミドを組み合わせてポリマーブレンド、またはポリマーアロイ化したポリイミド樹脂、さらに無機フィラーやポリジメチルシロキサン成分を導入したポリイミド樹脂などを用いても良い。また異なる組成のポリイミド樹脂が厚さ方向に積層された構造を有するポリイミドフィルムを用いることもできる。
本発明において好ましく用いられるポリイミドフィルムとしては、以下の化学組成を含むポリイミド樹脂から得られるポリイミドフィルムを例示できる。
・ピロメリット酸とジアミノジフェニルエーテルから得られるポリイミド樹脂、
・ビフェニルテトラカルボンとフェニレンジアミンから得られるポリイミド樹脂、
・ピロメリット酸とフェニレンジアミンから得られるポリイミド樹脂、
・ジアミン成分にベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン化合物を用いたポリイミド樹脂、
・シクロヘキシルテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸を用いたポリイミド樹脂、
・脂環族テトラカルボン酸と、アミド結合を有する芳香族ジアミンを用いたポリイミド樹脂
・フッ素を含有する単量体を用いたポリイミド樹脂、
・イオンを含有する単量体を用いたポリイミド樹脂
これらはテトラカルボン酸またはジアミンのそれぞれにおいて主たる成分を例示したものであって、第二第三の成分を配合して共重合化したポリイミド樹脂、あるいは複数組成のポリイミドを組み合わせてポリマーブレンド、またはポリマーアロイ化したポリイミド樹脂、さらに無機フィラーやポリジメチルシロキサン成分を導入したポリイミド樹脂などを用いても良い。また異なる組成のポリイミド樹脂が厚さ方向に積層された構造を有するポリイミドフィルムを用いることもできる。
本発明では高分子フィルムとして、弾性率が好ましくは３ＧＰａ以上、より好ましくは４ＧＰａ以上、さらに好ましくは５ＧＰａ以上であり、好ましくは１５ＧＰａ以下、さらに好ましくは１２ＧＰａ以下のポリイミドフィルムを用いることが好ましい。弾性率がこの範囲にあると、無機基板端部での折り曲げが可能で、かつ配線層へのダメージを最小限に留めることができる。弾性率がこの範囲より低いと折り曲げの際に高分子フィルムが大きく変形し、配線層の断線を生じる場合がある。一方で弾性率が高すぎると折り曲げが困難になる場合がある。
本発明の高分子フィルムは破断伸度が好ましくは３％以上、好ましくは５％以上、より好ましくは７％以上、さらに好ましくは９％以上のポリイミドフィルムであることが好ましい。破断伸度は折り曲げ性の尺度でもあり、破断伸度が低いと脆く割れやすいため、折り曲げの際にフィルムに割れ生じる場合があるが３％以上であれば折り曲げが可能である。
さらに本発明の高分子フィルムとしては厚さが３μｍ以上７５μｍ以下のポリイミドフィルムであることが好ましい。フィルム厚さは６μｍ以上が好ましく、１２μｍ以上がさらに好ましい。また上限は６０μｍが好ましく４５μｍ以下であることがさらに好ましい。フィルム厚さは折り曲げ性に関係し、所定の範囲であれば折り曲げが比較的容易となる。
さらに本発明の高分子フィルムの線膨張係数は３５ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましくは１８ｐｐｍ／Ｋ以下が、なお好ましく、なおさらに９ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましい。線膨張係数の下限は－５ｐｐｍ／Ｋであり、好ましくは－２ｐｐｍ／Ｋである。さらに高分子フィルムと基板の線膨張係数の差が１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがこのましい。線膨張係数を所定範囲に収めることにより、積層体の反りが抑えられ、生産時の不良率が低減される。
本発明の高分子フィルムは破断伸度が好ましくは３％以上、好ましくは５％以上、より好ましくは７％以上、さらに好ましくは９％以上のポリイミドフィルムであることが好ましい。破断伸度は折り曲げ性の尺度でもあり、破断伸度が低いと脆く割れやすいため、折り曲げの際にフィルムに割れ生じる場合があるが３％以上であれば折り曲げが可能である。
さらに本発明の高分子フィルムとしては厚さが３μｍ以上７５μｍ以下のポリイミドフィルムであることが好ましい。フィルム厚さは６μｍ以上が好ましく、１２μｍ以上がさらに好ましい。また上限は６０μｍが好ましく４５μｍ以下であることがさらに好ましい。フィルム厚さは折り曲げ性に関係し、所定の範囲であれば折り曲げが比較的容易となる。
さらに本発明の高分子フィルムの線膨張係数は３５ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましくは１８ｐｐｍ／Ｋ以下が、なお好ましく、なおさらに９ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましい。線膨張係数の下限は－５ｐｐｍ／Ｋであり、好ましくは－２ｐｐｍ／Ｋである。さらに高分子フィルムと基板の線膨張係数の差が１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがこのましい。線膨張係数を所定範囲に収めることにより、積層体の反りが抑えられ、生産時の不良率が低減される。
本発明において高分子フィルムをストレスなく無機基板側面に沿って折り曲げるためには高分子フィルムの引張強度より、ｌ高分子フィルムの圧縮強度が弱くなるように調整することが好ましい。具体的には、高分子フィルムにボイドを意図的に形成し、圧縮応力に対して座屈しやすくする態様を例示できる。
本発明では前記高分子フィルムが、全光線透過率８５％以上、イエローインデックスが５以下のポリイミドフィルムであることが好ましい。全光線透過率は８８％以上が好ましく、さらに９１％以上が好ましい。上限は特に限定されないが、電子表示装置に使用するためには９９％以上であれば十分であり、９８％以下でも差し支えない。イエローインデックスは４以下が好ましく、さらに３以下であることが好ましい。これはすなわちポリイミドフィルムが無色透明性を有することを意味する。イエローインデックスの下限は特に限定されないが、電子表示装置に使用するためには1以上であれば十分である。無色透明性を有するポリイミドフィルムを用いた場合には、光透過型の表示方式である液晶電子表示デバイスに本発明を適用することが可能となる。
本発明の電子表示装置を製造するための、好ましい製造方法においては、行程中で基板と高分子フィルムが接着された積層体の状態を経由する。かかる積層体を得るための手法としてフィルムラミネート法とワニス法を例示することができる。
＜フィルムラミネート法＞
高分子フィルムと基板を接着剤ないし粘着剤などで貼り合わせて積層体を得る。接着剤としてはエポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、および粘着剤を用いることができる。が、電子表示デバイス形成に高温プロセスが適用される場合には高耐熱の接着剤を用いる必要がある。さらに本発明では高耐熱な接着手法として、シランカップリング剤縮合物を介して基板と高分子フィルムを接着する手法を用いることができる。電子表示デバイス形成に高温が必要な場合には、基板にも耐熱性が要求されることから、無機基板、好ましくはガラス基板との組み合わせにおいて用いられることが好ましい。
シランカップリング剤を用いる接着法においては、高分子フィルムあるいは基板のいずれか、または両方の接着面にシランカップリング剤を塗布し、両者を重ね合わせて加熱すればよい。シランカップリング剤の有機基が高分子フィルム面と反応し、シランカップリング剤のメトキシ基、エトキシ基が無機基板表面の水酸基などと反応し、さらにシランカップリングどうしが自己縮合して縮合物層を形成して接着が行われる。本手法においては、例えば特許５２２４０１１号公報に開示される技術と組み合わせることにより、接着強度を制御し、接着強度が強い部分と弱い部分をパターン状に形成することがすることが可能であり、基板と高分子フィルムとを部分的に剥離する場面において適用することができる。
高分子フィルムと基板を接着剤ないし粘着剤などで貼り合わせて積層体を得る。接着剤としてはエポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、および粘着剤を用いることができる。が、電子表示デバイス形成に高温プロセスが適用される場合には高耐熱の接着剤を用いる必要がある。さらに本発明では高耐熱な接着手法として、シランカップリング剤縮合物を介して基板と高分子フィルムを接着する手法を用いることができる。電子表示デバイス形成に高温が必要な場合には、基板にも耐熱性が要求されることから、無機基板、好ましくはガラス基板との組み合わせにおいて用いられることが好ましい。
シランカップリング剤を用いる接着法においては、高分子フィルムあるいは基板のいずれか、または両方の接着面にシランカップリング剤を塗布し、両者を重ね合わせて加熱すればよい。シランカップリング剤の有機基が高分子フィルム面と反応し、シランカップリング剤のメトキシ基、エトキシ基が無機基板表面の水酸基などと反応し、さらにシランカップリングどうしが自己縮合して縮合物層を形成して接着が行われる。本手法においては、例えば特許５２２４０１１号公報に開示される技術と組み合わせることにより、接着強度を制御し、接着強度が強い部分と弱い部分をパターン状に形成することがすることが可能であり、基板と高分子フィルムとを部分的に剥離する場面において適用することができる。
＜ワニス法＞
基板に高分子フィルムを構成する樹脂溶液、あるいは高分子の前駆体溶液を塗布し、基板上で乾燥、必要に応じて化学反応を行って高分子フィルムを得る方法である。代表的な例としてポリイミドフィルムを得るために、ポリイミド樹脂溶液ないしはポリイミド前駆体であるポリアミド酸の溶液を用いる例をあげることができる。
ワニス法においても、たとえば特許５８６２８６６号公報に開示される手法を用いて、基板と高分子フィルムの接着力を制御し、接着強度が強い部分と弱い部分をパターン状に形成することがすることが可能である。
基板に高分子フィルムを構成する樹脂溶液、あるいは高分子の前駆体溶液を塗布し、基板上で乾燥、必要に応じて化学反応を行って高分子フィルムを得る方法である。代表的な例としてポリイミドフィルムを得るために、ポリイミド樹脂溶液ないしはポリイミド前駆体であるポリアミド酸の溶液を用いる例をあげることができる。
ワニス法においても、たとえば特許５８６２８６６号公報に開示される手法を用いて、基板と高分子フィルムの接着力を制御し、接着強度が強い部分と弱い部分をパターン状に形成することがすることが可能である。
なお、本発明において規定される高分子フィルムの諸特性は以下の方法で求められたものである。
＜基板の厚さ、高分子フィルムの厚さ＞
高分子フィルムの厚さは、マイクロメーター（ファインリューフ社製「ミリトロン１２４５Ｄ」）を用いて測定し、１０点の平均値を求めた。
＜基板の厚さ、高分子フィルムの厚さ＞
高分子フィルムの厚さは、マイクロメーター（ファインリューフ社製「ミリトロン１２４５Ｄ」）を用いて測定し、１０点の平均値を求めた。
＜高分子フィルムの引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度＞
測定対象とする高分子フィルムから、流れ方向（ＭＤ方向）及び幅方向（ＴＤ方向）がそれぞれ１００ｍｍ×１０ｍｍである短冊状の試験片を切り出し、引張試験機（島津製作所社製「オートグラフ（登録商標）；機種名ＡＧ－５０００Ａ」）を用い、引張速度５０ｍｍ／分、チャック間距離４０ｍｍの条件で、ＭＤ方向、ＴＤ方向それぞれについて、引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度を測定し、ＭＤ方向およびＴＤ方向で測定した全測定値の平均値を得た。
測定対象とする高分子フィルムから、流れ方向（ＭＤ方向）及び幅方向（ＴＤ方向）がそれぞれ１００ｍｍ×１０ｍｍである短冊状の試験片を切り出し、引張試験機（島津製作所社製「オートグラフ（登録商標）；機種名ＡＧ－５０００Ａ」）を用い、引張速度５０ｍｍ／分、チャック間距離４０ｍｍの条件で、ＭＤ方向、ＴＤ方向それぞれについて、引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度を測定し、ＭＤ方向およびＴＤ方向で測定した全測定値の平均値を得た。
＜高分子フィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）＞
測定対象とする高分子フィルムの流れ方向（ＭＤ方向）および幅方向（ＴＤ方向）について、下記条件にて伸縮率を測定し、１５℃の間隔（３０℃～４５℃、４５℃～６０℃、…）での伸縮率／温度を測定し、この測定を３００℃まで行って、ＭＤ方向およびＴＤ方向で測定した全測定値の平均値を線膨張係数（ＣＴＥ）として算出した。
機器名 ； ＭＡＣサイエンス社製「ＴＭＡ４０００Ｓ」
試料長さ ； ２０ｍｍ
試料幅 ； ２ｍｍ
昇温開始温度 ； ２５℃
昇温終了温度 ； ４００℃
昇温速度 ； ５℃／分
雰囲気 ； アルゴン
初荷重 ； ３４．５ｇ／ｍｍ２
＜全光線透過率＞
ＨＡＺＥＭＥＴＥＲ（ＮＤＨ５０００、日本電色社製）を用いてフィルムの全光線透過率（ＴＴ）を測定した。光源としてはＤ６５ランプを使用した。尚、同様の測定を３回行い、その算術平均値を採用した。
結果を表２～６に示す。
測定対象とする高分子フィルムの流れ方向（ＭＤ方向）および幅方向（ＴＤ方向）について、下記条件にて伸縮率を測定し、１５℃の間隔（３０℃～４５℃、４５℃～６０℃、…）での伸縮率／温度を測定し、この測定を３００℃まで行って、ＭＤ方向およびＴＤ方向で測定した全測定値の平均値を線膨張係数（ＣＴＥ）として算出した。
機器名 ； ＭＡＣサイエンス社製「ＴＭＡ４０００Ｓ」
試料長さ ； ２０ｍｍ
試料幅 ； ２ｍｍ
昇温開始温度 ； ２５℃
昇温終了温度 ； ４００℃
昇温速度 ； ５℃／分
雰囲気 ； アルゴン
初荷重 ； ３４．５ｇ／ｍｍ２
＜全光線透過率＞
ＨＡＺＥＭＥＴＥＲ（ＮＤＨ５０００、日本電色社製）を用いてフィルムの全光線透過率（ＴＴ）を測定した。光源としてはＤ６５ランプを使用した。尚、同様の測定を３回行い、その算術平均値を採用した。
結果を表２～６に示す。
＜イエローインデックス＞
カラーメーター（ＺＥ６０００、日本電色社製）およびＣ２光源を使用して、ＡＳＴＭ Ｄ１９２５に準じてフィルムの三刺激値ＸＹＺ値を測定し、下記式により黄色度指数（ＹＩ）を算出した。尚、同様の測定を３回行い、その算術平均値を採用した。
ＹＩ＝１００×（１．２８Ｘ－１．０６Ｚ）／Ｙ
カラーメーター（ＺＥ６０００、日本電色社製）およびＣ２光源を使用して、ＡＳＴＭ Ｄ１９２５に準じてフィルムの三刺激値ＸＹＺ値を測定し、下記式により黄色度指数（ＹＩ）を算出した。尚、同様の測定を３回行い、その算術平均値を採用した。
ＹＩ＝１００×（１．２８Ｘ－１．０６Ｚ）／Ｙ
＜シランカップリング剤縮合物層＞
シランカップリング剤縮合物層２０は、文字通りシランカップリング剤の縮合物からなる層である。シランカップリング剤層は無機基板１０と高分子フィルム２０を接着する働きを有する。高分子フィルムと無機基板の接着面の一部または全部がシランカップリング剤縮合物層を介して接着されている。シランカップリング剤縮合物層は、無機基板の第一の面および／または第二の面に存在していることが好ましく、無機基板の第一の面および第二の面に存在していることがより好ましい。また、無機基板の第１の面の全部および第二の面の全部に存在していることがさらに好ましい。また、高分子フィルムと無機基板の側面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることも好ましい。
シランカップリング剤は、主には無機物表面などに存在する水酸基と、シランカップリング剤の分子内に含まれるメトキシ基、エトキシ基などとの間の脱アルコール縮合反応により、無機物表面を有機化する化合物の総称である。かかる脱アルコール反応はシランカップリング剤とシランカップリング剤との間でも生じ、結果としてシランカップリング剤間がシロキサン結合により連結された縮合物となる。
シランカップリング剤縮合物層２０は、文字通りシランカップリング剤の縮合物からなる層である。シランカップリング剤層は無機基板１０と高分子フィルム２０を接着する働きを有する。高分子フィルムと無機基板の接着面の一部または全部がシランカップリング剤縮合物層を介して接着されている。シランカップリング剤縮合物層は、無機基板の第一の面および／または第二の面に存在していることが好ましく、無機基板の第一の面および第二の面に存在していることがより好ましい。また、無機基板の第１の面の全部および第二の面の全部に存在していることがさらに好ましい。また、高分子フィルムと無機基板の側面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることも好ましい。
シランカップリング剤は、主には無機物表面などに存在する水酸基と、シランカップリング剤の分子内に含まれるメトキシ基、エトキシ基などとの間の脱アルコール縮合反応により、無機物表面を有機化する化合物の総称である。かかる脱アルコール反応はシランカップリング剤とシランカップリング剤との間でも生じ、結果としてシランカップリング剤間がシロキサン結合により連結された縮合物となる。
本発明において、シランカップリング剤とは、Ｓｉ（ケイ素）の成分を１０質量％以上含有する化合物であることが好ましい。さらに構造中にアルコキシ基を有するものであることが好ましい。本発明で好ましく使用できるシランカップリング剤の具体例としては、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（ビニルベンジル）－２－アミノエチル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシランなどが挙げられる。
前記シランカップリング剤のなかでも、１つの分子中に１個のケイ素原子を有するシランカップリング剤が特に好ましく、例えば、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシランなどが挙げられる。プロセスで特に高い耐熱性が要求される場合、Ｓｉとアミノ基の間を芳香族基でつないだものが望ましい。前記カップリング剤としては、前記のほかに、１１－アミノ－１－ウンデセンチオールも使用することができる。
シランカップリング剤は一般に液体であり、無機基板あるいは高分子フィルムに塗布することにより層を得る。塗布する方法としてはウェットコーティングや蒸着法などの気相塗布方法を用いることができる。
シランカップリング剤をウェットコーティングする方法としては、シランカップリング剤の原液、あるいはアルコール溶液、水溶液などの溶媒で希釈した溶液を用いて、スピンコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スリットダイコート法、グラビアコート法、バーコート法、コンマコート法、アプリケーター法、スクリーン印刷法、スプレーコート法等の従来公知の溶液の塗布手段（従来公知の塗布装置）を適宜用いることができる。
また、スポット的にシランカップリング剤を塗布する方法としてディスペンサ、スポイト、あるいは筆による描画塗布などを用いることもできる。
シランカップリング剤をウェットコーティングする方法としては、シランカップリング剤の原液、あるいはアルコール溶液、水溶液などの溶媒で希釈した溶液を用いて、スピンコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スリットダイコート法、グラビアコート法、バーコート法、コンマコート法、アプリケーター法、スクリーン印刷法、スプレーコート法等の従来公知の溶液の塗布手段（従来公知の塗布装置）を適宜用いることができる。
また、スポット的にシランカップリング剤を塗布する方法としてディスペンサ、スポイト、あるいは筆による描画塗布などを用いることもできる。
また、シランカップリング剤層を蒸着法の様に気相を介して塗布することもできる。具体的には、前記無機基板または高分子フィルムをシランカップリング剤の蒸気、すなわち実質的に気体状態のシランカップリング剤に暴露して形成する。シランカップリング剤の蒸気は、液体状態のシランカップリング剤を４０℃～シランカップリング剤の沸点程度までの温度に加温することによって得ることができる。シランカップリング剤の沸点は、化学構造によって異なるが、概ね１００～２５０℃の範囲である。ただし２００℃以上の加熱は、シランカップリング剤の有機基側の副反応を招く恐れがあるため好ましくない。またシランカップリング剤の塗布は無機基板、高分子フィルムの両面に行っても良い。
＜配線層＞
配線層４０は、前記高分子フィルム３０の表面に形成され、表示デバイス６０と駆動回路素子５０（ドライバーＩＣ）とを電気的に接続する配線である。配線層は、実際には表示デバイス内に網の目の様に張り巡らされており、多層配線構造を有しているが、図では便宜上、表示デバイスの周辺部のみを示している。配線層は原則的に金属層であることが好ましく、導電率の高い、銅、銀、アルミニウム、金、銀、ニッケル、クロム、錫、鉛など、あるいは線膨張係数の低いモリブデン、タングステンなどが主に用いられる。また必要に応じて黄銅、白銅、青銅、インバー、ステンレス鋼、半田などの合金を用いても良い。かかる配線層は、蒸着、スパッタリング、などの真空メタライジング技術、あるいは無電解メッキなどの湿式メタライジング、あるいはプラズマ溶射などのメタライジング技術を単独で、あるいは複数組み合わせて形成される。 さらに配線層はエッチング、あるいはマスキング法などによりパターニングされている。
なお、図面では簡素化のために省略しているが、配線層は樹脂などにより絶縁保護されることが好ましい。絶縁保護は、配線層の上面、下面、側面に行われることが好ましい。
配線層４０は、前記高分子フィルム３０の表面に形成され、表示デバイス６０と駆動回路素子５０（ドライバーＩＣ）とを電気的に接続する配線である。配線層は、実際には表示デバイス内に網の目の様に張り巡らされており、多層配線構造を有しているが、図では便宜上、表示デバイスの周辺部のみを示している。配線層は原則的に金属層であることが好ましく、導電率の高い、銅、銀、アルミニウム、金、銀、ニッケル、クロム、錫、鉛など、あるいは線膨張係数の低いモリブデン、タングステンなどが主に用いられる。また必要に応じて黄銅、白銅、青銅、インバー、ステンレス鋼、半田などの合金を用いても良い。かかる配線層は、蒸着、スパッタリング、などの真空メタライジング技術、あるいは無電解メッキなどの湿式メタライジング、あるいはプラズマ溶射などのメタライジング技術を単独で、あるいは複数組み合わせて形成される。 さらに配線層はエッチング、あるいはマスキング法などによりパターニングされている。
なお、図面では簡素化のために省略しているが、配線層は樹脂などにより絶縁保護されることが好ましい。絶縁保護は、配線層の上面、下面、側面に行われることが好ましい。
＜駆動回路素子（ドライバーＩＣ）＞
電子表示デバイスの駆動回路素子（ドライバーＩＣ）５０は、電子表示デバイスに画像信号と電力を供給する集積電子回路素子である。ドライバーＩＣは従来型の半導体素子を用いればよく、ベアチップの形で実装されるものであることが好ましい。ドライバーＩＣ５０は、前記無機基板の第二の面に接着された側の高分子フィルム表面に実装（搭載）される。図では省略されているが、フェイスダウンボンディングであれば、配線層に接続用のバンプなどが形成される。またフェイスアップ分ディングであれば、ワイヤボンディング適性の有る表面処理が配線層に加えられる。配線層の表面処理として金メッキ、錫メッキなどを行うことは好ましい態様である。またドライバーＩＣ実装後にはアンダーフィル剤、あるいはオーバーコート、あるいはポッド封止してもよい。
電子表示デバイスの駆動回路素子（ドライバーＩＣ）５０は、電子表示デバイスに画像信号と電力を供給する集積電子回路素子である。ドライバーＩＣは従来型の半導体素子を用いればよく、ベアチップの形で実装されるものであることが好ましい。ドライバーＩＣ５０は、前記無機基板の第二の面に接着された側の高分子フィルム表面に実装（搭載）される。図では省略されているが、フェイスダウンボンディングであれば、配線層に接続用のバンプなどが形成される。またフェイスアップ分ディングであれば、ワイヤボンディング適性の有る表面処理が配線層に加えられる。配線層の表面処理として金メッキ、錫メッキなどを行うことは好ましい態様である。またドライバーＩＣ実装後にはアンダーフィル剤、あるいはオーバーコート、あるいはポッド封止してもよい。
＜電子表示デバイス＞
本発明における電子表示デバイス６０は、液晶表示装置、ＯＬＥＤ（有機ＥＬ素子）、マイクロＬＥＤアレイ、電気泳動ディスプレイなど、一般にＦＰＤ：フラットパネルディスプレイと呼ばれる表示デバイスを指し、本発明の電子表示装置における画像表示を行う部分である。ＣＲＴ（ブラウン管）は含まない。原理的にはＦＥＤ、ＰＤＰ、蛍光表示管などに適用することも可能である。本発明はタイリングによる大面積化技術と組み合わせることが好ましく、自発光型であるＯＬＥＤ、マイクロＬＥＤアレイ、あるいは電気泳動表示デバイス、反射型液晶表示装置のような反射型表示装置との組み合わせが好ましい。電子表示デバイス６０は、前記無機基板の第一の面に接着された側の高分子フィルム表面に形成される。すなわち、前記高分子フィルム表面上で構築されるものであることが好ましい。
一般に電子表示デバイスはバックプレーンとフロントプレーンで構成されている。本発明における電子表示デバイス形成の一例として以下のプロセスを例示する。まず、無機基板に接着された高分子フィルム上に、必要に応じてガスバリア膜、アンカー層、などを形成した後に、各画素信号を直接取り扱う薄膜半導体素子と画素駆動電極などを形成し、発光体ないし電気泳動体を配置した後、対面電極、あるいは必要に応じてカラーフィルターなどを備えたフロントプレーンをビルドアップ的に形成するか、または別途作製したフロントプレーンを貼り付けることで表示デバイスを得る。
本発明における電子表示デバイス６０は、液晶表示装置、ＯＬＥＤ（有機ＥＬ素子）、マイクロＬＥＤアレイ、電気泳動ディスプレイなど、一般にＦＰＤ：フラットパネルディスプレイと呼ばれる表示デバイスを指し、本発明の電子表示装置における画像表示を行う部分である。ＣＲＴ（ブラウン管）は含まない。原理的にはＦＥＤ、ＰＤＰ、蛍光表示管などに適用することも可能である。本発明はタイリングによる大面積化技術と組み合わせることが好ましく、自発光型であるＯＬＥＤ、マイクロＬＥＤアレイ、あるいは電気泳動表示デバイス、反射型液晶表示装置のような反射型表示装置との組み合わせが好ましい。電子表示デバイス６０は、前記無機基板の第一の面に接着された側の高分子フィルム表面に形成される。すなわち、前記高分子フィルム表面上で構築されるものであることが好ましい。
一般に電子表示デバイスはバックプレーンとフロントプレーンで構成されている。本発明における電子表示デバイス形成の一例として以下のプロセスを例示する。まず、無機基板に接着された高分子フィルム上に、必要に応じてガスバリア膜、アンカー層、などを形成した後に、各画素信号を直接取り扱う薄膜半導体素子と画素駆動電極などを形成し、発光体ないし電気泳動体を配置した後、対面電極、あるいは必要に応じてカラーフィルターなどを備えたフロントプレーンをビルドアップ的に形成するか、または別途作製したフロントプレーンを貼り付けることで表示デバイスを得る。
＜接着剤層＞
本発明において、高分子フィルムと無機基板とをシランカップリング剤を用いずに接着する必要がある場合には接着剤により接着し、接着剤層７０を形成しても良い。接着剤としてはエレクトロニクス分野で一般的に使用されている、たとえばエポキシ樹脂系、あるいはシリコーン樹脂系などの、比較的耐熱性の高い接着剤を用いることが好ましい。本発明において、接着剤とは、Ｓｉ（ケイ素）成分の含有量が１０質量％未満ものであることが好ましい。さらに構造中にアルコキシ基を有さないものであることが好ましい。
本発明において、高分子フィルムと無機基板とをシランカップリング剤を用いずに接着する必要がある場合には接着剤により接着し、接着剤層７０を形成しても良い。接着剤としてはエレクトロニクス分野で一般的に使用されている、たとえばエポキシ樹脂系、あるいはシリコーン樹脂系などの、比較的耐熱性の高い接着剤を用いることが好ましい。本発明において、接着剤とは、Ｓｉ（ケイ素）成分の含有量が１０質量％未満ものであることが好ましい。さらに構造中にアルコキシ基を有さないものであることが好ましい。
図６、図７を用いて、本発明の電子表示装置１を製造するプロセスを説明する。
図６の工程Ａは加工前の無機基板１０である。
図６の工程Ｂは無機基板１０表面にシランカップリング剤縮合物層２０を形成した状態である。ただし、この状態ではシランカップリング剤は完全に縮合していない。この段階において特許５２２４０１１号公報に記載される接着強度の強弱パターン化のための予備処理を加えることができる。
図６の工程Ｃはさらに高分子フィルム３０を接着した状態である。高分子フィルム３０の接着面は好ましくはプラズマ処理などで化学的に活性化した状態、すなわちカルボキシル基、水酸基、アミノ基、カルボニル基などの化学的活性度が高い官能基が存在する状態とすることが好ましい。シランカップリング剤の有機部分とかかる官能基が反応し、一方のシランカップリング剤のメトキシ基、エトキシ基が脱アルコール反応を生じつつ無機基板の表面の水酸基などと反応して両者は接着される。またシランカップリング剤どうしも縮合して縮合物層を形成する。
図６の工程Ｄでは、高分子フィルム３０上に配線層４０が形成される。便宜上周辺部のみを図示してある。
図６の工程Ｅでは表示デバイス６０が形成される。配線層４０は、実際には表示デバイス６０内に網の目状に伸びている。
図６のＦ工程では、無機基板１０の一部が取り除かれる。取り除かれる部分は表示デバイス６０が形成されたエリアの外側である。これにより、配線層４０を伴う高分子フィルム３０が表示デバイス６０の周囲を額縁状に取り巻く形態となる。無機基板１０の所定の部分を取り除くには、機械的に、あるいはレーザー照射などにより無機基板１０を切断、ないし、切り欠けを生成した後に割分けすればよい。
金属基板の場合には必要箇所をエッチングで除去することも可能である。不要部分の溶解除去は、ガラス基板の場合においても、理論上は強アルカリないしフッ酸などを用いることにより可能である。
図６の工程Ａは加工前の無機基板１０である。
図６の工程Ｂは無機基板１０表面にシランカップリング剤縮合物層２０を形成した状態である。ただし、この状態ではシランカップリング剤は完全に縮合していない。この段階において特許５２２４０１１号公報に記載される接着強度の強弱パターン化のための予備処理を加えることができる。
図６の工程Ｃはさらに高分子フィルム３０を接着した状態である。高分子フィルム３０の接着面は好ましくはプラズマ処理などで化学的に活性化した状態、すなわちカルボキシル基、水酸基、アミノ基、カルボニル基などの化学的活性度が高い官能基が存在する状態とすることが好ましい。シランカップリング剤の有機部分とかかる官能基が反応し、一方のシランカップリング剤のメトキシ基、エトキシ基が脱アルコール反応を生じつつ無機基板の表面の水酸基などと反応して両者は接着される。またシランカップリング剤どうしも縮合して縮合物層を形成する。
図６の工程Ｄでは、高分子フィルム３０上に配線層４０が形成される。便宜上周辺部のみを図示してある。
図６の工程Ｅでは表示デバイス６０が形成される。配線層４０は、実際には表示デバイス６０内に網の目状に伸びている。
図６のＦ工程では、無機基板１０の一部が取り除かれる。取り除かれる部分は表示デバイス６０が形成されたエリアの外側である。これにより、配線層４０を伴う高分子フィルム３０が表示デバイス６０の周囲を額縁状に取り巻く形態となる。無機基板１０の所定の部分を取り除くには、機械的に、あるいはレーザー照射などにより無機基板１０を切断、ないし、切り欠けを生成した後に割分けすればよい。
金属基板の場合には必要箇所をエッチングで除去することも可能である。不要部分の溶解除去は、ガラス基板の場合においても、理論上は強アルカリないしフッ酸などを用いることにより可能である。
図７の工程Ｇ１は、表示デバイス周辺を取り巻く高分子フィルムに、配線層のある面の逆面からスリット３１を入れた状態を表す。スリットはハーフカット的に、高分子フィルムの途中までないしは高分子フィルムと配線層の境界まで入れることができる。なお、図では便宜上、スリットが鋭角的に書かれているが、９０度の開きを有するスリットをいれれば、スリットケ所で高分子フィルムを直角に折り曲げることが可能となる。
図７の工程Ｇ２は、表示デバイス周辺を取り巻く高分子フィルムの配線層のある面の逆面側から薄肉化処理を行った状態を表す。薄肉化する場合、高分子フィルムの厚さの９０％以下とすることが好ましく、より好ましくは６０％以下であり、さらに好ましくは３０％以下である。また、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上であり、さらに好ましくは１０％以上である。
工程Ｇ１または工程Ｇ２、は高分子フィルムを折り曲げる際に、高分子フィルムを鋭角的に折り曲げることを可能とし、加えて配線層に与えるダメージを最小限にするために行う。スリット形成、および薄肉化はいずれか片方だけでも良く、両方を適宜併用しても良い。
なお、高分子フィルムに熱可塑性がある場合には、高分子フィルム部分を好ましくは局所的に熱変形温度以上に加熱して折り曲げることも可能であり、前記スリットや薄肉化なしでも配線部にストレスを加えることなく高分子フィルムを曲げることができる。
図７の工程Ｈでは、工程Ｇ２により配線層を薄肉化した場合について示している。無機基板の第二の面（裏面）の、折り曲げられた高分子フィルムが接する箇所には、あらかじめシランカップリング剤２１が塗布されている。この場合、ディスペンサなどで必要箇所に必要量を塗布すればよい。実験室的にはスポイトや絵筆を用いて塗布することも可能である。
図７の工程Ｉは、高分子フィルムが折り曲げられ、無機基板の第二の面（裏面）に高分子フィルムの該当箇所がシランカップリング剤層を介して接着されている状態を示す。この場合も工程Ａ～工程Ｃと同様、シランカップリング剤が無機基板と高分子フィルムを接着する反応と自己縮合する反応とが同時並行的に進み、シランカップリング剤層が形成される。
図７のＪは、電子表示デバイスの駆動回路素子（ドライバーＩＣ）を実装した状態を示す。
図７の工程Ｇ２は、表示デバイス周辺を取り巻く高分子フィルムの配線層のある面の逆面側から薄肉化処理を行った状態を表す。薄肉化する場合、高分子フィルムの厚さの９０％以下とすることが好ましく、より好ましくは６０％以下であり、さらに好ましくは３０％以下である。また、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上であり、さらに好ましくは１０％以上である。
工程Ｇ１または工程Ｇ２、は高分子フィルムを折り曲げる際に、高分子フィルムを鋭角的に折り曲げることを可能とし、加えて配線層に与えるダメージを最小限にするために行う。スリット形成、および薄肉化はいずれか片方だけでも良く、両方を適宜併用しても良い。
なお、高分子フィルムに熱可塑性がある場合には、高分子フィルム部分を好ましくは局所的に熱変形温度以上に加熱して折り曲げることも可能であり、前記スリットや薄肉化なしでも配線部にストレスを加えることなく高分子フィルムを曲げることができる。
図７の工程Ｈでは、工程Ｇ２により配線層を薄肉化した場合について示している。無機基板の第二の面（裏面）の、折り曲げられた高分子フィルムが接する箇所には、あらかじめシランカップリング剤２１が塗布されている。この場合、ディスペンサなどで必要箇所に必要量を塗布すればよい。実験室的にはスポイトや絵筆を用いて塗布することも可能である。
図７の工程Ｉは、高分子フィルムが折り曲げられ、無機基板の第二の面（裏面）に高分子フィルムの該当箇所がシランカップリング剤層を介して接着されている状態を示す。この場合も工程Ａ～工程Ｃと同様、シランカップリング剤が無機基板と高分子フィルムを接着する反応と自己縮合する反応とが同時並行的に進み、シランカップリング剤層が形成される。
図７のＪは、電子表示デバイスの駆動回路素子（ドライバーＩＣ）を実装した状態を示す。
以上により、図５に例示した側面の配線層が薄肉化された形態の電子表示装置を得ることができる。
なお、ここでは高分子フィルムを無機基板に接着し、電子表示デバイス部は無機基板から剥がさず、製造に用いた無機基板部を電子表示装置に取り込む形を例示したが、工程Eまで進めた段階で高分子フィルム全体を無機基板から剥離し、新たに所定サイズの基板を用意して再接着して工程Fに進むことも可能である。製造工程適性から、電子表示デバイスの製造には耐熱性の高い無機基板の使用が好ましいが、製品として軽量化、フレキシブル化が求められる場合には高分子板、高分子シート、FRP板などの、より軽量で薄い基板を用いることは選択しうる態様の一つである。
ここに工程Ｇ２に相当する薄肉化を行わない場合については、図１の形態となる。９０度のスリットを二か所に入れた場合にも、概略図的には図１の形態となる。
図２は、図７の工程Ｈ～Ｉにおいてシランカップリング剤では無く、接着剤を用いた場合になる。無機基板の第二の面と高分子フィルムとの接着にシランカップリング剤を用いた場合には、シランカップリング剤層は極めて薄いため、高分子フィルムを剛体と見なせる無機基板が事実上直接支持する形となる。そのため、配線層を支える弾性層は高分子フィルム層だけであり、ボンディング時の加熱、加圧、超音波振動が必要以上に吸収されず、結果として低不良率のボンディングが行える。
一方で接着剤を用いる場合には、弾性層が高分子フィルムと接着剤層の二層となり、ボンディング時の超音波振動が減衰しやすい傾向となる。しかしながら図２の場合には、無機基板の第一の面側において表示素子部分の高分子フィルムと無機基板がごく薄いシランカップリング剤層で接着されているため、装置全体として超音波振動の減衰が抑えられているため、十分に高いボンディング良品率を確保することが可能である。ただし、接着剤を用いる場合には、できるだけ薄く塗布するとともに、硬化物として高弾性率を示す接着剤を用いることが好ましい。
なお、ここでは高分子フィルムを無機基板に接着し、電子表示デバイス部は無機基板から剥がさず、製造に用いた無機基板部を電子表示装置に取り込む形を例示したが、工程Eまで進めた段階で高分子フィルム全体を無機基板から剥離し、新たに所定サイズの基板を用意して再接着して工程Fに進むことも可能である。製造工程適性から、電子表示デバイスの製造には耐熱性の高い無機基板の使用が好ましいが、製品として軽量化、フレキシブル化が求められる場合には高分子板、高分子シート、FRP板などの、より軽量で薄い基板を用いることは選択しうる態様の一つである。
ここに工程Ｇ２に相当する薄肉化を行わない場合については、図１の形態となる。９０度のスリットを二か所に入れた場合にも、概略図的には図１の形態となる。
図２は、図７の工程Ｈ～Ｉにおいてシランカップリング剤では無く、接着剤を用いた場合になる。無機基板の第二の面と高分子フィルムとの接着にシランカップリング剤を用いた場合には、シランカップリング剤層は極めて薄いため、高分子フィルムを剛体と見なせる無機基板が事実上直接支持する形となる。そのため、配線層を支える弾性層は高分子フィルム層だけであり、ボンディング時の加熱、加圧、超音波振動が必要以上に吸収されず、結果として低不良率のボンディングが行える。
一方で接着剤を用いる場合には、弾性層が高分子フィルムと接着剤層の二層となり、ボンディング時の超音波振動が減衰しやすい傾向となる。しかしながら図２の場合には、無機基板の第一の面側において表示素子部分の高分子フィルムと無機基板がごく薄いシランカップリング剤層で接着されているため、装置全体として超音波振動の減衰が抑えられているため、十分に高いボンディング良品率を確保することが可能である。ただし、接着剤を用いる場合には、できるだけ薄く塗布するとともに、硬化物として高弾性率を示す接着剤を用いることが好ましい。
図３は、工程Ｂにおいてシランカップリング剤では無く、接着剤を用いて高分子フィルムを無機基板に接着した場合である。この場合図２とは逆に、表示装置全体として、広い面積を占める接着剤層による振動吸収が生じてしまう。しかしながら、ボンディングを行う直下の接着がごく薄いシランカップリング剤層であるため、図２の場合と同様に十分に高いボンディング良品率を確保することが可能である
図４は、高分子フィルムと無機基板の側面部分も、シランカップリング剤縮合物により接着されている状態を示す。本発明で得られた電子表示装置をタイリング的に並べる際に、表示装置の側面は破損しやすいため、側面を無機基板に確実に接着固定することは好ましい態様のひとつである。図７の工程Ｇのフライングリード化を行わず、Ｈにおいてシランカップリング剤を無機基板の側面にも塗布して、高分子フィルムを無機基板側面に沿うように折り曲げれば図４の形態を実現することができる。
図８は、無機基板の第二の面全面にシランカップリング剤を塗布した場合に得られる形態である。シランカップリング剤は液体であるため、実際の形態は図１と図８の中間的な形態となることが多い。
図１０は、図７の工程G2において、高分子フィルムの一部を配線層に至るまでエッチングした形態であり、配線層は部分的にフライングリードになっている例である。
図４は、高分子フィルムと無機基板の側面部分も、シランカップリング剤縮合物により接着されている状態を示す。本発明で得られた電子表示装置をタイリング的に並べる際に、表示装置の側面は破損しやすいため、側面を無機基板に確実に接着固定することは好ましい態様のひとつである。図７の工程Ｇのフライングリード化を行わず、Ｈにおいてシランカップリング剤を無機基板の側面にも塗布して、高分子フィルムを無機基板側面に沿うように折り曲げれば図４の形態を実現することができる。
図８は、無機基板の第二の面全面にシランカップリング剤を塗布した場合に得られる形態である。シランカップリング剤は液体であるため、実際の形態は図１と図８の中間的な形態となることが多い。
図１０は、図７の工程G2において、高分子フィルムの一部を配線層に至るまでエッチングした形態であり、配線層は部分的にフライングリードになっている例である。
図９は従来技術であるＴＡＢを用いた電子表示装置において、ＴＡＢ基材である高分子フィルムと無機基板の第二の面との接着にシランカップリング剤を用いた場合を示している。ＴＡＢと電子表示デバイスとはＡＣＦ（異方性導電膜）８０により接続されている、ＡＣＦ部分は表示に使えないため、額縁にＡＣＦ幅が含まれてしまうため、狭額縁化が阻害されている。
以下に実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
＜ポリアミド酸の還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）＞
ポリマー（ポリアミド酸）濃度が０．２ｇ／ｄｌとなるようにＮ－メチル－２－ピロリドンに溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により３０℃で測定した。
ポリマー（ポリアミド酸）濃度が０．２ｇ／ｄｌとなるようにＮ－メチル－２－ピロリドンに溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により３０℃で測定した。
（ポリアミド酸溶液（ＰＡＡ１）および滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ１）の調製）
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、２２３質量部の５－アミノ－２－（ｐ－アミノフェニル）ベンゾオキサゾール（ＤＡＭＢＯ）を入れた。次いで、４０００質量部のＮ－メチル－２－ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を４２０質量部と２１７質量部のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を加えて、２５℃にて４８時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液（ＰＡＡ１）が得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は５．５ｄｌ／ｇであった。得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ１）に、滑剤としてコロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなる分散体（日産化学工業製「スノーテックス（登録商標）ＤＭＡＣ－ＳＴ－ＺＬ」）とをシリカ（滑剤）がポリアミド酸溶液中のポリマー固形分総量にて０．５質量％）になるように加え滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ１）を得た。
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、２２３質量部の５－アミノ－２－（ｐ－アミノフェニル）ベンゾオキサゾール（ＤＡＭＢＯ）を入れた。次いで、４０００質量部のＮ－メチル－２－ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を４２０質量部と２１７質量部のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を加えて、２５℃にて４８時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液（ＰＡＡ１）が得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は５．５ｄｌ／ｇであった。得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ１）に、滑剤としてコロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなる分散体（日産化学工業製「スノーテックス（登録商標）ＤＭＡＣ－ＳＴ－ＺＬ」）とをシリカ（滑剤）がポリアミド酸溶液中のポリマー固形分総量にて０．５質量％）になるように加え滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ１）を得た。
（ポリアミド酸溶液（ＰＡＡ２）および滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ２）の調製）
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、１０８質量部のフェニレンジアミン（ＰＤＡ）を入れた。次いで、３６００質量部のＮ－メチル－２－ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を４２０質量部と２９２．５質量部のジフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を加えて、２５℃にて１２時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液（ＰＡＡ２）が得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は４．５ｄｌ／ｇであった。以下ポリアミド酸溶液（Ｖ１）の調製と同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ２）を得た。
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、１０８質量部のフェニレンジアミン（ＰＤＡ）を入れた。次いで、３６００質量部のＮ－メチル－２－ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を４２０質量部と２９２．５質量部のジフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を加えて、２５℃にて１２時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液（ＰＡＡ２）が得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は４．５ｄｌ／ｇであった。以下ポリアミド酸溶液（Ｖ１）の調製と同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ２）を得た。
（ポリアミド酸溶液（ＰＡＡ３）および滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ３）の調製）
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、２００質量部のジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）を入れた。次いで、３８００質量部のＮ－メチル－２－ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を３９０質量部と２１７質量部のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を加えて、２５℃にて５時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液（ＰＡＡ３）が得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は３．７ｄｌ／ｇであった。以下同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ３）を得た。
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、２００質量部のジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）を入れた。次いで、３８００質量部のＮ－メチル－２－ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を３９０質量部と２１７質量部のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を加えて、２５℃にて５時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液（ＰＡＡ３）が得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は３．７ｄｌ／ｇであった。以下同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ３）を得た。
〔ポリアミド酸溶液（ＰＡＡ４）および滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ４）の調製〕
窒素導入管，温度計，攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、反応容器に窒素雰囲気下、１７６５質量部の１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸二無水物（ＣＢＤＡ）、３１０質量部の４，４’－オキシジフタル酸（ＯＤＰＡ）、１６０１質量部の２，２’－ジトリフルオロメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）、１１３６質量部の４－アミノ－Ｎ－（４－アミノフェニル）ベンズアミド（ＤＡＢＡＮ）、２００００質量部のＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドを仕込んで溶解させた後、室温で２４時間攪拌した。その後、適正粘度となるように適当量のＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドで希釈し、還元粘度４．５０ｄｌ／ｇのポリアミド酸溶液（ＰＡＡ４）を得た。以下同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ４）を得た。
窒素導入管，温度計，攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、反応容器に窒素雰囲気下、１７６５質量部の１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸二無水物（ＣＢＤＡ）、３１０質量部の４，４’－オキシジフタル酸（ＯＤＰＡ）、１６０１質量部の２，２’－ジトリフルオロメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）、１１３６質量部の４－アミノ－Ｎ－（４－アミノフェニル）ベンズアミド（ＤＡＢＡＮ）、２００００質量部のＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドを仕込んで溶解させた後、室温で２４時間攪拌した。その後、適正粘度となるように適当量のＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドで希釈し、還元粘度４．５０ｄｌ／ｇのポリアミド酸溶液（ＰＡＡ４）を得た。以下同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ４）を得た。
〔ポリイミド溶液（ＰＩ５）および滑剤入りポリイミド溶液（Ｖ５）の調製〕
窒素導入管，温度計，攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、反応容器に窒素雰囲気下、４６１０質量部のＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）と６４０質量部の２，２’－ジトリフルオロメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）を入れて攪拌し、ＴＦＭＢをＤＭＡＣ中に溶解させた。次いで、反応容器内を攪拌しながら、窒素気流下で、８９７．３７質量部の４，４’－（２，２－ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸２無水物（６ＦＤＡ）を１０分程度かけて投入し、そのまま温度が２０～４０℃の温度範囲となるように調整しながら６時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリアミド酸溶液（ＰＡＡ５）を得た。
次に、得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ５）に４１００質量部のＤＭＡＣを加えて希釈した後、イミド化促進剤として２５８．３質量部のイソキノリンを加えて、ポリアミド酸溶液を攪拌しながら３０～４０℃の温度範囲に保ち、そこにイミド化剤として、１２２５質量部の無水酢酸を約１０分間かけてゆっくりと滴下しながら投入し、その後更に液温を３０～４０℃に保って１２時間攪拌を続けて化学イミド化反応を行って、ポリイミド溶液（ＰＩ５ａ）を得た。
窒素導入管，温度計，攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、反応容器に窒素雰囲気下、４６１０質量部のＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）と６４０質量部の２，２’－ジトリフルオロメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）を入れて攪拌し、ＴＦＭＢをＤＭＡＣ中に溶解させた。次いで、反応容器内を攪拌しながら、窒素気流下で、８９７．３７質量部の４，４’－（２，２－ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸２無水物（６ＦＤＡ）を１０分程度かけて投入し、そのまま温度が２０～４０℃の温度範囲となるように調整しながら６時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリアミド酸溶液（ＰＡＡ５）を得た。
次に、得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ５）に４１００質量部のＤＭＡＣを加えて希釈した後、イミド化促進剤として２５８．３質量部のイソキノリンを加えて、ポリアミド酸溶液を攪拌しながら３０～４０℃の温度範囲に保ち、そこにイミド化剤として、１２２５質量部の無水酢酸を約１０分間かけてゆっくりと滴下しながら投入し、その後更に液温を３０～４０℃に保って１２時間攪拌を続けて化学イミド化反応を行って、ポリイミド溶液（ＰＩ５ａ）を得た。
次に、得られたイミド化剤およびイミド化促進剤を含むポリイミド溶液（ＰＩ５ａ）１００００質量部を、攪拌装置と攪拌翼を備えた反応容器に移し変え、１２０ｒｐｍの速度で攪拌しながら１５～２５℃の温度に保ち、そこに１５０００質量部のメタノールを１０ｇ／分の速度で滴下させた。約８０００質量部のメタノールを投入したところでポリイミド溶液の濁りが確認され、粉体状のポリイミド樹脂の析出が確認された。引き続き１５０００質量部全量のメタノールを投入し、ポリイミド樹脂の析出を完了させた。続いて、反応容器の内容物を、吸引濾過装置により濾別し、更に１００００質量部のメタノールを用いて洗浄・濾別してポリイミド樹脂粉体を得た。得られたポリイミド樹脂粉体を局所排気装置のついた乾燥機を用いて、５０℃で２４時間乾燥させ、更に２６０℃で２時間乾燥させて、残りの揮発成分を除去して、乾燥ポリイミド粉体を得た。得られた乾燥ポリイミド粉体の還元粘度は５．４０ｄｌ／ｇであった。次に、得られた乾燥ポリイミド粉体４００質量部を３０００質量部のＤＭＡｃに溶解させて、ポリイミド溶液（ＰＩ５）を得た。以下同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリイミド溶液（Ｖ５）を得た。
得られたポリアミド酸溶液、またはポリイミド溶液、および滑剤入りの溶液の一覧を表１、表２に示す。
得られたポリアミド酸溶液、またはポリイミド溶液、および滑剤入りの溶液の一覧を表１、表２に示す。
［フィルムの製造例］
前記滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ１）を送液し、ポリエチレンテレフタレート製フィルムの支持体上に最終厚さが３８μｍとなるようにコーティングし、１１０℃にて３０分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリアミド酸フィルムを支持体から剥離してポリアミド酸フィルム（グリーンフィルム）を得た。
得られたグリーンフィルムを、連続式の熱処理炉に通し、第１段が２００℃で３分、昇温速度４℃／秒で昇温して第２段として４８０℃で５分の条件で２段階の加熱を施して、イミド化反応を進行させた。その後、５分間で室温にまで冷却し、さらに両端部（耳部）をスリットし、中央部のみの幅５２４ｍｍ、長さ約２００ｍ、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムＦ１を得た。
前記滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ１）を送液し、ポリエチレンテレフタレート製フィルムの支持体上に最終厚さが３８μｍとなるようにコーティングし、１１０℃にて３０分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリアミド酸フィルムを支持体から剥離してポリアミド酸フィルム（グリーンフィルム）を得た。
得られたグリーンフィルムを、連続式の熱処理炉に通し、第１段が２００℃で３分、昇温速度４℃／秒で昇温して第２段として４８０℃で５分の条件で２段階の加熱を施して、イミド化反応を進行させた。その後、５分間で室温にまで冷却し、さらに両端部（耳部）をスリットし、中央部のみの幅５２４ｍｍ、長さ約２００ｍ、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムＦ１を得た。
以下同様に滑剤入りポリアミド酸溶液（Ｖ２）、（Ｖ３）、（Ｖ４）滑剤入りポリイミド溶液（Ｖ５）を用い、塗布厚、熱処理条件を適宜調整し、滑剤入りポリアミド酸溶液Ｖ２からポリイミドフィルムＦ２を、滑剤入りポリアミド酸溶液Ｖ３からポリイミドフィルムＦ３を、滑剤入りポリアミド酸溶液Ｖ４からポリイミドフィルムＦ４を、滑剤入りポリアミド酸溶液Ｖ５からポリイミドフィルムＦ５を得た。得られたポリイミドフィルムの特性一覧を表３に示す。なお表中の数値は、ＭＤ方向とＴＤ方向の平均値である。ＭＤはフィルム製膜時の長手方向、ＴＤはフィルム製膜時の幅方向である。
［ポリイミドフィルム／ガラス基板積層体］
＜ポリイミドフィルムの真空プラズマ処理＞
ポリイミドフィルムＦ１に真空プラズマ処理を行った。真空プラズマ処理は長尺フィルム処理用の装置を用い、真空チャンバー内を１×１０－３Ｐａ以下になるまで真空排気し、真空チャンバー内にアルゴンガスを導入して、放電電力１００Ｗ、周波数１５ｋＨｚの条件で２０秒間、アルゴンガスのプラズマ処理を行った。
＜ポリイミドフィルムの真空プラズマ処理＞
ポリイミドフィルムＦ１に真空プラズマ処理を行った。真空プラズマ処理は長尺フィルム処理用の装置を用い、真空チャンバー内を１×１０－３Ｐａ以下になるまで真空排気し、真空チャンバー内にアルゴンガスを導入して、放電電力１００Ｗ、周波数１５ｋＨｚの条件で２０秒間、アルゴンガスのプラズマ処理を行った。
＜ガラス基板のシランカップリング剤処理＞
ガラス基板［Ｇ］として４７０ｍｍ×３７０ｍｍ、厚さ ０．７ｍｍの日本電気硝子製ＯＭ１０Ｇを用いた。 ホットプレートと無機基板の支持台とを備えたチャンバーをクリーンな乾燥窒素で置換した後、ＵＶ／オゾン処理を行ったガラス基板を支持台に設置し、ガラス基板の２００ｍｍ下方に液面が位置するようにシランカップリング剤（３－アミノプロピルトリメトキシシラン）を満たしたシャーレを置き、シャーレをホットプレートにて１００℃に加熱し、ガラス基板の下面をシランカップリング剤蒸気に３分間暴露した後にチャンバーから取り出し、クリーンベンチ内に設置し、１２０℃に調温されたホットプレートにガラス基板の暴露面とは逆側を熱板に接するように乗せ、１分間の熱処理を行い、シランカップリング剤処理とした。
ガラス基板［Ｇ］として４７０ｍｍ×３７０ｍｍ、厚さ ０．７ｍｍの日本電気硝子製ＯＭ１０Ｇを用いた。 ホットプレートと無機基板の支持台とを備えたチャンバーをクリーンな乾燥窒素で置換した後、ＵＶ／オゾン処理を行ったガラス基板を支持台に設置し、ガラス基板の２００ｍｍ下方に液面が位置するようにシランカップリング剤（３－アミノプロピルトリメトキシシラン）を満たしたシャーレを置き、シャーレをホットプレートにて１００℃に加熱し、ガラス基板の下面をシランカップリング剤蒸気に３分間暴露した後にチャンバーから取り出し、クリーンベンチ内に設置し、１２０℃に調温されたホットプレートにガラス基板の暴露面とは逆側を熱板に接するように乗せ、１分間の熱処理を行い、シランカップリング剤処理とした。
＜ラミネート＞
シランカップリング剤処理を行ったガラス基板のシランカップリング剤処理面に重なるようにポリイミドフィルムのプラズマ処理面を重ね、ロールラミネータにて仮圧着した後、クリーンベンチ内に設置し、１５０℃に調温されたホットプレートに無機基板側を熱板に接するように乗せ、３分間熱処理を行い、ポリイミドフィルム／ガラス基板積層体（ＬＦ１）を得た。得られたポリイミド／ガラス基板の積層体は、温度２０～２５℃、相対湿度６５±３０％の環境下で保管した。
以下同様にフィルムＦ２とガラス基板から、ポリイミドフィルム／ガラス基板積層体（ＬＦ２）を、得た。さらに同様にフィルムＦ３、Ｆ４、Ｆ５とガラス基板から、ポリイミドフィルムガラス基板積層体（ＬＦ３）、（ＬＦ４）、（ＬＦ５）を得た。
シランカップリング剤処理を行ったガラス基板のシランカップリング剤処理面に重なるようにポリイミドフィルムのプラズマ処理面を重ね、ロールラミネータにて仮圧着した後、クリーンベンチ内に設置し、１５０℃に調温されたホットプレートに無機基板側を熱板に接するように乗せ、３分間熱処理を行い、ポリイミドフィルム／ガラス基板積層体（ＬＦ１）を得た。得られたポリイミド／ガラス基板の積層体は、温度２０～２５℃、相対湿度６５±３０％の環境下で保管した。
以下同様にフィルムＦ２とガラス基板から、ポリイミドフィルム／ガラス基板積層体（ＬＦ２）を、得た。さらに同様にフィルムＦ３、Ｆ４、Ｆ５とガラス基板から、ポリイミドフィルムガラス基板積層体（ＬＦ３）、（ＬＦ４）、（ＬＦ５）を得た。
得られたポリイミドフィルム／ガラス基板積層体を用いて、図６、図７に示すプロセスにより、模擬的に表示パネルを作製した。便宜上、このプロセスをフィルム法と呼ぶ。ガラス基板が図６の工程Ａに、シランカップリング剤処理を行ったガラス基板が工程Ｂに、ポリイミドフィルム／ガラス積層体が工程Ｃに相当する。配線層４０としてはスパッタリング法によりニッケルクロム合金層を形成した後に、スパッタリング法にて銅薄膜を形成し、その後ネガパターンのレジストを形成し、さらに電気メッキ法により銅を厚付けした後に、レジスト剥離、薄膜銅とニッケルクロム合金層をフラッシュエッチングで除去する、いわゆるセミアディティブ法によりパターニングを行って配線層４０を形成した。
電子表示デバイス層６０としてはアモルファスシリコン薄膜を半導体として用いたＴＦＴにより駆動される電気泳動素子を形成し、レーザーカッターによりガラス基板をカットして不要部分を除去し、工程Ｇ２においてレーザー加工機を用いてフィルム厚の２０％まで薄肉化を行い、配線層をフィルムごとガラス基板の裏側まで折り曲げた。シランカップリング剤溶液２１としては、３－アミノプロピルトリメトキシシランの１質量％メタノール溶液を用い、ディスペンサにて所定位置に滴下し（便宜上、表示デバイス層を上面にして図示してあるが、実際には本工程以後は上下を逆にして操作している）、乾燥したのちに折り曲げたポリイミドフィルムを、ポリイミドフィルム／ガラス基板積層体の作製に倣ってガラス基板裏側に圧着後に加熱して接着を完了し、最後にドライバーＩＣを実装して模擬パネル（ＰＦ１）を得た。
同様にして複数の（ＰＦ１）を作製し、タイル状に並べて大面積化し、画像信号を送って表示を確認した。各模擬パネル間においても、特に画素欠陥などは無く、良好な品位の画像表示が行われることが確認できた。
同様にして複数の（ＰＦ１）を作製し、タイル状に並べて大面積化し、画像信号を送って表示を確認した。各模擬パネル間においても、特に画素欠陥などは無く、良好な品位の画像表示が行われることが確認できた。
以後、ポリイミドフィルムガラス積層体（ＬＦ２）、（ＬＦ３）、（ＬＦ４）、（ＬＦ５）を用いて、同様にそれぞれから模擬パネル（ＰＦ２）、（ＰＦ３）、（ＰＦ４）、（ＰＦ５）を得た。いずれもタイリングにより大面積で良好な画像表示結果を得た。
ガラス基板にポリアミド酸溶液を直接塗布し、乾燥・熱処理することによりポリイミドフィルム化することにより、ポリイミドフィルム／ガラス基板積層体を得る方法を、本発明に応用した場合について実施例を示す。便宜上このプロセスをワニス法と呼ぶ。なお、フィルム法との区別のため、フィルム法におけるポリイミドフィルムに相当する部分をポリイミド層と呼ぶことにする。
図６の工程Ａはガラス基板である。工程Ｂについては省くこととし、表示デバイス形成面側のポリイミド層はシランカップリング剤縮合物層を経ることなく、直接ガラス基板に接着している。工程Ｃにおいて、ガラス基板にポリアミド酸溶液（ＰＡＡ１）を所定の厚さに塗布し、乾燥後にイナートオーブンにて加熱することによりポリイミド層と成し、すなわち、ポリイミド層／ガラス基板積層体（ＬＳ１）としている。以後はフィルム法と同様に操作し、模擬パネル（ＰＳ１）を作製した。こちらもフィルム法の場合と同様にタイリングして表示画像品位を観察し、良好な画質を得ていることが確認されている。
以下同様にポリアミド酸溶液（ＰＡＡ２）、（ＰＡＡ３）、（ＰＡＡ４）から模擬パネル（ＰＳ２）、（ＰＳ３）、（ＰＳ４）を得た。いずれもタイリングにより良好な画像表示結果を得た。
以上述べてきたように、本発明の電子表示装置においては狭額縁化が可能で、ドライバーＩＣ実装の不良率が低く、好ましくは自発光型素子、反射型素子に適用可能であり、結果としてタイリング用途に好適な表示装置を実現できる。本発明は、特に大面積の表示装置を経済的に製造する技術として産業界に寄与するところは極めて大である。
１：電子表示装置
１０：無機基板
２０：シランカップリング剤縮合物層
２１：シランカップリング剤（溶液）
３０：高分子フィルム
３１：スリット部（ハーフカット部）
３２：ポリイミドエッチング部
４０：配線層
４１：薄肉化部
４２：フライングリード部
５０：電子表示デバイスの駆動回路素子
６０：電子表示デバイス
７０：接着剤層
８０：異方性導電膜（ＡＣＦ）
１０：無機基板
２０：シランカップリング剤縮合物層
２１：シランカップリング剤（溶液）
３０：高分子フィルム
３１：スリット部（ハーフカット部）
３２：ポリイミドエッチング部
４０：配線層
４１：薄肉化部
４２：フライングリード部
５０：電子表示デバイスの駆動回路素子
６０：電子表示デバイス
７０：接着剤層
８０：異方性導電膜（ＡＣＦ）
Claims (8)
- 無機基板、
前記無機基板を挟むように折り曲げられ、前記無機基板の第一の面と第二の面の両方に接着された高分子フィルム、
前記無機基板の第一の面に接着された側の高分子フィルム表面に形成された電子表示デバイス、
前記無機基板の第二の面に接着された側の高分子フィルム表面に実装された電子表示デバイスの駆動回路素子、
前記高分子フィルム表面に形成され、前記電子表示デバイスと駆動回路素子を電気的に接続する配線層、
を含み、
前記高分子フィルムと無機基板の接着面の一部または全部がシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする電子表示装置。 - 前記高分子フィルムと前記無機基板の第一の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする請求項１に記載の電子表示装置。
- 前記高分子フィルムと前記無機基板の第二の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子表示装置。
- 前記高分子フィルムと前記無機基板の側面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の電子表示装置。
- 前記折り曲げられて無機基板の側面に対向する高分子フィルムの一部または全部が薄肉化されていることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の電子表示装置。
- 前記折り曲げられて無機基板の側面に対向する高分子フィルムの一部が取り除かれていることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の電子表示装置。
- 前記高分子フィルムが、弾性率が３ＧＰａ以上、破断伸度が３％以上、厚さが３μｍ以上７５μｍ以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の電子表示装置。
- 前記高分子フィルムが、全光線透過率８５％以上、イエローインデックスが５以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の電子表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020110837 | 2020-06-26 | ||
| JP2020110837 | 2020-06-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022008093A true JP2022008093A (ja) | 2022-01-13 |
Family
ID=80110079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021083306A Pending JP2022008093A (ja) | 2020-06-26 | 2021-05-17 | 電子表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022008093A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7355891B1 (ja) | 2022-06-16 | 2023-10-03 | 住友化学株式会社 | 積層体、前面板、フレキシブル表示装置、樹脂組成物、およびフッ素原子含有ポリイミド系樹脂 |
Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011011455A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Toyobo Co Ltd | 積層体およびその製造方法 |
| JP2011047977A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電子機器 |
| US20130076268A1 (en) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Jung-mi Choi | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| US20140126228A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-05-08 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Display device |
| JP2015204239A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US20160093683A1 (en) * | 2012-12-28 | 2016-03-31 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device and method of manufacturing the same |
| US20170263887A1 (en) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| JP2017219844A (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
| JP2018054736A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2018120087A (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP2018137347A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 東洋紡株式会社 | デバイス形成用仮支持基板およびデバイスの製造方法 |
| JP2018138940A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2018180413A (ja) * | 2017-04-19 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
| US20190025620A1 (en) * | 2017-07-19 | 2019-01-24 | Innolux Corporation | Display device and manufacturing method thereof |
| WO2019065164A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | 東レ株式会社 | ポリイミド前駆体樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、積層体の製造方法、カラーフィルタの製造方法、液晶素子の製造方法および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US20190280245A1 (en) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2019195991A (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 住友化学株式会社 | 積層体およびその製造方法 |
| CN110570764A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| JP2020513579A (ja) * | 2017-01-09 | 2020-05-14 | 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Ｋｕｎｓｈａｎ Ｎｅｗ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 可撓性ディスプレイ |
-
2021
- 2021-05-17 JP JP2021083306A patent/JP2022008093A/ja active Pending
Patent Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011011455A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Toyobo Co Ltd | 積層体およびその製造方法 |
| JP2011047977A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電子機器 |
| US20130076268A1 (en) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Jung-mi Choi | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| US20140126228A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-05-08 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Display device |
| US20160093683A1 (en) * | 2012-12-28 | 2016-03-31 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device and method of manufacturing the same |
| JP2015204239A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US20170263887A1 (en) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| JP2017219844A (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
| JP2018054736A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2020513579A (ja) * | 2017-01-09 | 2020-05-14 | 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Ｋｕｎｓｈａｎ Ｎｅｗ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 可撓性ディスプレイ |
| JP2018120087A (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP2018137347A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 東洋紡株式会社 | デバイス形成用仮支持基板およびデバイスの製造方法 |
| JP2018138940A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2018180413A (ja) * | 2017-04-19 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
| US20190025620A1 (en) * | 2017-07-19 | 2019-01-24 | Innolux Corporation | Display device and manufacturing method thereof |
| WO2019065164A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | 東レ株式会社 | ポリイミド前駆体樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、積層体の製造方法、カラーフィルタの製造方法、液晶素子の製造方法および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US20190280245A1 (en) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2019195991A (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 住友化学株式会社 | 積層体およびその製造方法 |
| CN110570764A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7355891B1 (ja) | 2022-06-16 | 2023-10-03 | 住友化学株式会社 | 積層体、前面板、フレキシブル表示装置、樹脂組成物、およびフッ素原子含有ポリイミド系樹脂 |
| JP2023183786A (ja) * | 2022-06-16 | 2023-12-28 | 住友化学株式会社 | 積層体、前面板、フレキシブル表示装置、樹脂組成物、およびフッ素原子含有ポリイミド系樹脂 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102256785B (zh) | 层叠体及其制造方法、层叠体电路板 | |
| KR101827071B1 (ko) | 폴리아마이드산 및 이것을 포함하는 바니쉬, 및 폴리이미드 필름 | |
| JP6407362B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP2025075033A (ja) | 電子表示装置およびその製造方法 | |
| JP6332616B2 (ja) | 高分子前駆体フィルム層／無機基板積層体、およびその製造方法、高分子フィルム層／無機基板積層体の製造方法、およびフレキシブル電子デバイスの製造方法 | |
| JP6784329B2 (ja) | ポリイミドフィルムと無機基板の積層体 | |
| JP6332617B2 (ja) | ポリイミド前駆体フィルム層／無機基板積層体、およびその製造方法、ポリイミドフィルム層／無機基板積層体の製造方法、およびフレキシブル電子デバイスの製造方法 | |
| CN107073883A (zh) | 层叠体及柔性器件的制造方法 | |
| JPWO2015098888A1 (ja) | ガラス積層体、および電子デバイスの製造方法 | |
| KR102476038B1 (ko) | 고분자 필름 적층 기판 및 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법 | |
| JP2022008093A (ja) | 電子表示装置 | |
| JP7596919B2 (ja) | 電子表示装置およびその製造方法 | |
| JP5238594B2 (ja) | 表示素子用基板およびその製造方法 | |
| WO2015166880A1 (ja) | ガラス積層体、樹脂層付きガラス基板、樹脂層付き支持基材 | |
| JP2018137347A (ja) | デバイス形成用仮支持基板およびデバイスの製造方法 | |
| JP7705092B2 (ja) | 積層体 | |
| CN115803122B (zh) | 层叠体的制造方法 | |
| KR101611660B1 (ko) | 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자 | |
| US20230173800A1 (en) | Multilayer body comprising highly heat-resistant transparent film | |
| JP2020165996A (ja) | 有機電子デバイスの製造方法 | |
| JP2018137345A (ja) | デバイス形成用仮支持基板およびデバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240304 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20241023 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20241029 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20241224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20250226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20250415 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20250613 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20250708 |