JP2023102012A - 金属の精製方法及び金属の精製装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】精製純度を高めつつ、安全性の向上及び精製コストの低減が可能な金属の精製方法を提供する。【解決手段】本開示の一態様は、ステンレス製の精製容器に収容された精製対象金属と精製対象金属以外の元素とを含む溶湯を、回転磁場によって回転させつつ冷却することで、固相率が0.2以上0.7以下の成形体を製造する工程と、精製容器内で成形体に圧力を加えることで、成形体を精製対象金属が含まれる純化鋳塊と、濃化溶湯とに分離する工程と、を備える金属の精製方法である。【選択図】図2

Description

本開示は、溶湯から所定の金属を精製するための金属の精製方法及び金属の精製装置に関する。
産業機器、輸送機器、電子機器などを廃棄する際には、金属スクラップが発生する。この金属スクラップには複数種類の金属が混在しているが、有用性の高い金属を精製することでリサイクルが実現できる。
このような金属スクラップの精製に対し、精製容器に収容した溶湯をα-Alの凝固点直上の温度まで冷却した後、この精製容器の上部から複数の孔を有する押し固め板を下降させて圧力を付与し、α-Alと不純物とを分離する方法が提案されている(特許文献1及び特許文献2参照)。
特開平7-054065号公報 特開2012-201917号公報
図1は、共晶凝固の一例を示す状態図である。共晶凝固が起きる合金が亜共晶組成(つまり、共晶組成よりも溶質元素濃度の低い組成)を有する場合は、濃度が高い元素が先に初晶として晶出する。そのため、初晶のみを取り出すことで、純度の高い金属がリサイクルできる。
例えば、Al-Si系合金において、図1のC組成の合金溶湯を固液共存状態となるT℃まで冷却すると、濃度Cの固体と濃度Cの液体とに分離し、固体と液体との比率はW:Wlとなる。この合金溶湯から不純物濃度が低い、濃度Cの固体を取り出すことにより、Alの精製が可能となる。
一方、例えばSiなどの不純物濃度が高い場合、例えば図1のC組成の合金溶湯では、固体晶出量が最大となる温度T℃まで冷却しても固体の晶出量はW’/(W’l+W’)であり、分離できる精製金属の量が少なくなる。
上述した特許文献1の方法では、電磁撹拌を用いることで不純物濃度が高い場合でも精製金属の分離量を高められる。しかしながら、この方法では撹拌時に耐火物製の精製容器を用いているため、圧搾による分離時に精製容器が消耗し易く、安全面及びコスト面で課題が生じる。
また、上述した特許文献2の方法では、黒鉛製の精製容器を用いているため、電磁撹拌を行うことができない。また、特許文献1の方法と同様、圧搾による分離時に精製容器が消耗し易い。
本開示の一局面は、精製純度を高めつつ、安全性の向上及び精製コストの低減が可能な金属の精製方法を提供することを目的とする。
本開示の一態様は、ステンレス製の精製容器に収容された精製対象金属と精製対象金属以外の元素とを含む溶湯を、回転磁場によって回転させつつ冷却することで、固相率が0.2以上0.7以下の成形体を製造する工程と、精製容器内で成形体に圧力を加えることで、成形体を精製対象金属が含まれる純化鋳塊と、濃化溶湯とに分離する工程と、を備える金属の精製方法である。
本開示の別の態様は、ステンレス製の精製容器と、精製容器に収容された精製対象金属と精製対象金属以外の元素とを含む溶湯を、回転磁場によって回転させつつ冷却することで、固相率が0.2以上0.7以下の成形体を製造するように構成された成形部と、精製容器内で成形体に圧力を加えることで、成形体を精製対象金属が含まれる純化鋳塊と、濃化溶湯とに分離するように構成された分離部と、を備える金属の精製装置である。
これらのような構成によれば、回転磁場による電磁撹拌によって金属の精製純度を高められる。また、ステンレス製の精製容器内で成形体の製造及び圧搾分離が行われるため、安全性の向上及び精製コストの低減を図ることができる。
図1は、共晶凝固の一例を示す状態図である。 図2は、実施形態における金属の精製装置の模式図である。 図3Aは、精製容器における溶湯の収容状態を示す模式図であり、図3Bは、電磁撹拌による成形体の製造工程を示す模式図であり、図3C及び図3Dは、圧搾による成形体の分離工程を示す模式図である。 図4は、実施形態における金属の精製方法のフロー図である。 図5Aは、実施例1における純化鋳塊の凝固組織であり、図5Bは、実施例1における濃化溶湯の凝固組織である。
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
[1.第1実施形態]
[1-1.構成]
図2に示す金属の精製装置1は、複数種類の元素を含む溶湯から目的の金属を精製するために用いられる。精製装置1は、精製容器2と、成形部3と、分離部4とを備える。
<溶湯>
精製装置1で精製が行われる溶湯としては、例えば金属スクラップを溶融したものが用いられる。
溶湯は、精製対象金属と、精製対象金属以外の元素(以下、「不純物」ともいう。)とを含む。溶湯は、精製材料の金属を溶融温度以上に加熱することで得られる。
溶湯に含まれる精製対象金属としては、例えば、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、銅(Cu)、マグネシウム(Mg)、スズ(Sn)、鉛(Pb)が挙げられる。この中でもリサイクルの経済性が高いAlが好ましい。また、溶湯におけるAlの質量濃度が、溶湯に含まれる他の金属元素の質量濃度よりも大きいとよい。
溶湯に含まれる不純物としては、例えば、精製対象金属として上述した金属に加えて、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、チタン(Ti)、シリコン(Si)等が挙げられる。
溶湯全体に対する不純物の濃度の下限としては、1.0質量%が好ましく、1.5質量%がより好ましく、3.0質量%以上がさらに好ましい。溶湯全体に対する不純物の濃度の上限としては、15.0質量%が好ましく、11.0質量%がより好ましい。精製装置1によれば、不純物の濃度がこのような範囲の溶湯に対し、精製対象金属の高純度精製が可能である。
溶湯は、共晶凝固を生じる精製対象金属と不純物との組合せを含むとよい。精製装置1は、このような組合せの溶湯に対し精製を効果的に行える。また、溶湯には、上述した元素以外に、貴金属又はレアメタルがそれぞれ1種以上含まれてもよい。
精製対象金属がAlの場合、不純物にSi(つまりケイ素)が含まれるとよい。AlとSiとの組合せは、広く鋳造用合金として用いられており、金属スクラップとしての発生量が多い。精製装置1は、このような元素の組合せを含む溶湯からAlを高純度で精製することができる。
金属元素としてAlを最も多く含む溶湯において、溶湯全体に対するSiの濃度の下限としては、1.0質量%が好ましく、3.0質量%がより好ましい。溶湯全体に対するSiの濃度の上限としては、11.0質量%が好ましい。Siの濃度をこのような範囲とすることで、アルミニウム合金を含む金属スクラップにおけるAlの精製効率を高めることができる。また、Siの濃度の上限を11.0質量%とすることで、α-Alの晶出温度と、AlとSiとの共晶相の晶出温度とに差を設けられるため、Alを精製することが容易となる。
さらに、溶湯は、Fe、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn及びTiの少なくとも1つを含むとよい。また、溶湯におけるFe、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn及びTiの質量濃度の合計の下限としては、0.5質量%が好ましい。溶湯におけるFe、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn及びTiの質量濃度の合計の上限としては、6.0質量%が好ましく、4.0質量%がより好ましい。
Fe、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn及びTiの質量濃度の合計をこのような範囲とすることで、鋳造用アルミニウム合金と展伸用アルミニウム合金とが混合した金属スクラップにおけるAlの精製効率を高めることができる。
<精製容器>
精製容器2は、溶湯を保持可能な耐熱性を有する、るつぼである。具体的には、精製容器2は、磁性を有しないステンレス製の有底の円筒体である。精製容器2の材質としては、例えば、JIS-G-4303:2015に規定されるSUS304を用いることができる。
精製容器2は、成形部3による溶湯の電磁撹拌が可能となるように、外部の磁気を内部に通過させる。また、精製容器2は、分離部4から圧力を受けた際に破損しない強度を有する。
図3Aに示すように、溶湯M1は、精製容器2の内部に収容される。また、溶湯M1の温度は、温度計2Aによって測定される。
<成形部>
成形部3は、精製容器2に収容された精製対象金属と精製対象金属以外の元素とを含む溶湯を、回転磁場によって回転させつつ冷却することで、固相率が一定範囲の成形体を製造するように構成されている。
成形部3は、図3Bに示すように、回転磁場付与装置31を有する。回転磁場付与装置31は、精製容器2の周囲に、S極とN極との対が中心軸周りに回転するように極性が変化する回転磁場を発生させる。回転磁場が与えられた溶湯は、精製容器2内で回転する。回転磁場付与装置31としては、例えば3つのステータコイルを備えた公知の装置が使用できる。
回転磁場付与装置31によって生成される回転磁場の中心軸は、精製容器2の内部を通る。また、回転磁場の中心軸は、上下方向と平行である。回転磁場の中心軸は、精製容器2の中心軸と一致することが好ましい。
回転磁場の周波数の下限としては、1Hzが好ましく、5Hzがより好ましい。回転磁場の周波数の上限としては、100Hzが好ましい。周波数をこの範囲とすることで、溶湯の冷却によって発生する初晶の形態を効率よく制御できる。
溶湯の回転磁場の周方向に沿った表面(つまり最外面)における磁束密度の最大値としては、20mT以上120mT以下が好ましい。磁束密度をこの範囲とすることで、消費電力を抑制しつつ溶湯を十分に撹拌することができる。なお、磁束密度は、直接測定のほか、電磁場解析等で測定できる。
溶湯の回転磁場の周方向に沿った表面における回転磁場の回転速度としては、0.5m/s以上10m/s以下が好ましい。回転速度をこの範囲とすることで、溶湯の冷却によって発生する初晶の量を効率よく増加させることができる。
溶湯を撹拌せずに冷却した場合には、精製対象金属は樹枝状組織を有する。これに対し、回転磁場によって溶湯を電磁撹拌しつつ冷却することで、精製容器2内の溶湯温度のばらつきが低減されると共に、初晶が微細かつ球形に近い形状となる。そのため、樹枝状組織の場合に比べて、分離工程における圧力損失が減少する。その結果、精製対象金属と濃化溶湯(つまり濃化液相)とを効率よく分離できる。
成形部3は、溶湯が、固相率が0.2以上0.7以下である固液共存状態の成形体M2となるまで溶湯の撹拌及び冷却を続ける。成形体M2には、温度低下によって晶出した個体Sと、溶融状態の液体Lとが含まれる。冷却の方法は特に限定されず、空冷、風冷、冷媒による冷却等の公知の方法が使用できる。
成形体M2の固相率を上述の範囲とすることで、精製効率(つまり目的金属の回収率)を高めつつ、分離部4における圧力損失の低減により分離効率を高めることができる。成形体M2の固相率の下限としては、0.4が好ましい。なお、「成形体の固相率」とは、液相と固相とを含む成形体全体に対する、晶出した固相全体の質量割合を意味する。
また、成形部3は、精製対象金属(例えばAl)の固相率が0.2以上0.7以下の成形体を製造するとよい。これにより、初晶として晶出する精製対象金属の濃度が高い成形体M2を得ることができる。なお、「精製対象金属の固相率」とは、液相と固相とを含む成形体全体に対する、晶出した精製対象金属(つまり初晶)の質量割合を意味する。
<分離部>
分離部4は、精製容器2内で成形部3が製造した成形体M2に圧力を加えることで、成形体M2を精製対象金属が含まれる純化鋳塊I1と、溶質元素の濃度が高い濃化溶湯I2とに分離するように構成されている。
分離部4は、図3Cに示すように、プレス機41と、フィルター42とを有する。プレス機41は、フィルター42を下方に押圧することで、フィルター42を上方から成形体M2に押し当てる。
フィルター42は、複数の孔を有する押し固め板である。図3Dに示すように、成形体M2に上方から押し当てられたフィルター42は、純化鋳塊I1を下方に押圧しつつ、濃化溶湯I2を上方に通過させる。これにより、成形体M2が圧搾され、濃化溶湯I2がフィルター42の上方において純化鋳塊I1と分離される。
純化鋳塊I1は、精製対象金属が多く含まれる固相である。純化鋳塊I1における精製対象金属の濃度は、濃化溶湯I2における精製対象金属の濃度よりも大きい。濃化溶湯I2は、不純物が多く含まれる液相である。濃化溶湯I2は、冷却により濃化鋳塊となる。
分離部4が成形体M2に加える圧力としては、0.5MPa以上30.0MPa以下が好ましい。また、圧力を加える際の成形体M2の温度としては、500℃以上700℃以下が好ましい。
<金属の精製方法>
図4に、精製装置1を用いた金属の精製方法のフローを示す。本実施形態の金属の精製方法は、溶融工程S10と、成形体製造工程S20と、圧搾分離工程S30とを有する。なお、各工程は、1つの精製容器2に対し行われるバッチ処理である。
(溶融工程)
本工程では、精製材料(例えばアルミニウム合金を含む金属スクラップ)を精製容器2に投入し、溶融温度まで加熱する。精製材料の溶融により溶湯が得られる。
(成形体製造工程)
本工程では、精製容器2に収容された溶湯を、回転磁場によって回転させつつ冷却することで、固相率が0.2以上0.7以下の成形体を製造する。
(圧搾分離工程)
本工程では、精製容器2内で成形体に圧力を加えることで、成形体を精製対象金属が含まれる純化鋳塊と、濃化溶湯とに分離する。
[1-2.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1a)回転磁場による電磁撹拌によって金属の精製純度を高められる。また、ステンレス製の精製容器2内で成形体の製造及び圧搾分離が行われるため、安全性の向上及び精製コストの低減を図ることができる。
[2.他の実施形態]
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
(2a)上記実施形態の金属の精製装置において、分離部の構成は一例であり、上述のものに限定されない。
(2b)上記実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
[3.実施例]
以下に、本開示の効果を確認するために行った試験の内容とその評価とについて説明する。
<実施例1-3>
表1に示す組成のAl-4%Si合金100gを精製材料として精製容器に投入した。この合金は、鋳造用アルミニウム合金と展伸用アルミニウム合金とが混合した金属スクラップを想定したものである。なお、表1中の数値は、溶湯全体に対する質量%である。
Figure 2023102012000002
次に、精製容器を680℃まで加熱し、精製材料を溶融させることで溶湯を得た。この溶湯を空冷し、溶湯の温度が630℃になった時点で回転磁場を付与し、溶湯を電磁撹拌した。
回転磁場付与装置としては、三相交流モータのコイルを用いた。回転磁場の周波数、溶湯の回転磁場の周方向に沿った表面における磁束密度の最大値、及び溶湯の回転磁場の周方向に沿った表面における回転磁場の回転速度は、表2に示す通りとした。回転磁場は、溶湯の温度が610℃に到達するまで継続して付与した。
Figure 2023102012000003
回転磁場の付与停止後(つまり電磁撹拌の終了後)、フィルター(つまり押し固め板)が取り付けられたプレス機に精製容器を設置した。その後、表2に示す圧搾温度に到達した時点で、成形体の固相率を測定した。また、表2に示す圧搾圧力によって精製容器内の成形体を加圧し、純化鋳塊と濃化溶湯とに分離した。
図5Aに、実施例1にて得られた純化鋳塊の凝固組織を示す。また、図5Bに、実施例1にて得られた濃化溶湯の凝固組織を示す。純化鋳塊の凝固組織では、白色のα-Alが組織の大部分を占めており、α-Alが純化精製されていた。一方、濃化溶湯の凝固組織では、灰色のAl-Si共晶組織が大部分を占めている。この結果から、本開示の精製方法によりα―Alが純化精製されていることが確認された。
<比較例1-3>
実施例1-3と同じAl-4%合金100gを精製容器にて溶融して溶湯を得た。この溶湯を空冷し、フィルターが取り付けられたプレス機に精製容器を設置した。
その後、表2に示す圧搾温度に到達した時点で、成形体の固相率を測定した。また、表2に示す圧搾圧力によって精製容器内の成形体を加圧し、純化鋳塊と濃化溶湯とに分離した。
<評価>
表2に、実施例1-3及び比較例1-3で得られた純化鋳塊におけるSi濃度と、純化鋳塊の回収率とを示す。Si濃度は、純化鋳塊全体におけるSiの質量割合である。回収率は、溶湯(つまり精製材料)全体における純化鋳塊の質量割合である。
表2から、実施例1-3では、比較例1-3よりもSi濃度が低減されている。つまり、実施例1-3では、濃化した液相が効率よく分離されることで、Si濃度が3.0質量%以下のα-Alが精製されている。
1…精製装置、2…精製容器、2A…温度計、3…成形部、4…分離部、
31…回転磁場付与装置、41…プレス機、42…フィルター。

Claims (14)

  1. ステンレス製の精製容器に収容された精製対象金属と前記精製対象金属以外の元素とを含む溶湯を、回転磁場によって回転させつつ冷却することで、固相率が0.2以上0.7以下の成形体を製造する工程と、
    前記精製容器内で前記成形体に圧力を加えることで、前記成形体を前記精製対象金属が含まれる純化鋳塊と、濃化溶湯とに分離する工程と、
    を備える、金属の精製方法。
  2. 請求項1に記載の金属の精製方法であって、
    前記製造する工程では、前記精製対象金属の固相率が0.2以上0.7以下の前記成形体を製造する、金属の精製方法。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の金属の精製方法であって、
    前記回転磁場の周波数は、1Hz以上である、金属の精製方法。
  4. 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の金属の精製方法であって、
    前記溶湯の前記回転磁場の周方向に沿った表面における磁束密度の最大値は、20mT以上である、金属の精製方法。
  5. 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の金属の精製方法であって、
    前記溶湯は、アルミニウム(Al)を含み、
    前記溶湯におけるAlの質量濃度は、前記溶湯に含まれる他の金属元素の質量濃度よりも大きい、金属の精製方法。
  6. 請求項5に記載の金属の精製方法であって、
    前記溶湯は、シリコン(Si)を含み、
    前記溶湯におけるSiの質量濃度は、1.0質量%以上11.0質量%以下である、金属の精製方法。
  7. 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の金属の精製方法であって、
    前記溶湯は、鉄(Fe)、銅(Cu)、マンガン(Mn)、マグネシウム(Mg)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、及びチタン(Ti)の少なくとも1つを含み、
    前記溶湯におけるFe、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn及びTiの質量濃度の合計は、0.5質量%以上6.0質量%以下である、金属の精製方法。
  8. ステンレス製の精製容器と、
    前記精製容器に収容された精製対象金属と前記精製対象金属以外の元素とを含む溶湯を、回転磁場によって回転させつつ冷却することで、固相率が0.2以上0.7以下の成形体を製造するように構成された成形部と、
    前記精製容器内で前記成形体に圧力を加えることで、前記成形体を前記精製対象金属が含まれる純化鋳塊と、濃化溶湯とに分離するように構成された分離部と、
    を備える、金属の精製装置。
  9. 請求項8に記載の金属の精製装置であって、
    前記成形部は、前記精製対象金属の固相率が0.2以上0.7以下の前記成形体を製造する、金属の精製装置。
  10. 請求項8又は請求項9に記載の金属の精製装置であって、
    前記回転磁場の周波数は、1Hz以上である、金属の精製装置。
  11. 請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の金属の精製装置であって、
    前記溶湯の前記回転磁場の周方向に沿った表面における磁束密度の最大値は、20mT以上である、金属の精製装置。
  12. 請求項8から請求項11のいずれか1項に記載の金属の精製装置であって、
    前記溶湯は、アルミニウム(Al)を含み、
    前記溶湯におけるAlの質量濃度は、前記溶湯に含まれる他の金属元素の質量濃度よりも大きい、金属の精製装置。
  13. 請求項12に記載の金属の精製装置であって、
    前記溶湯は、シリコン(Si)を含み、
    前記溶湯におけるSiの質量濃度は、1.0質量%以上11.0質量%以下である、金属の精製装置。
  14. 請求項8から請求項13のいずれか1項に記載の金属の精製装置であって、
    前記溶湯は、鉄(Fe)、銅(Cu)、マンガン(Mn)、マグネシウム(Mg)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、及びチタン(Ti)の少なくとも1つを含み、
    前記溶湯におけるFe、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn及びTiの質量濃度の合計は、0.5質量%以上6.0質量%以下である、金属の精製装置。
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