JP2024528811A5 - - Google Patents
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- リチウム電池のアノードとしてのシリコン電極を製造するための方法であって、好ましくは銅（１４）である基材上に第１のシリコン層（１７）が堆積され、続いて前記第１のシリコン層（１７）に急速アニーリング（１１）が施される、前記方法において、更なるシリコン層（１７）の堆積及び続く急速アニーリング（１１）が少なくとも１回繰り返されることを特徴とする、方法。
- 前記更なるシリコン層（１７）の堆積及び前記続く急速アニーリング（１１）が２回又は２回以上繰り返されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記更なるシリコン層（１７）の前記堆積の前に、更なる層（１９）の薄い階層が適用され、前記更なる層（１９）の前記薄い階層は、炭素、金属、金属酸化物、又は金属窒化物であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記更なる層（１９）の前記薄い階層は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、及び／又は銅（Ｃｕ）である材料のうちの１つから形成されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
- 前記急速アニーリング（１１）はフラッシュ・ランプ・アニーリングであり、０．２ｍｓ～２０ｍｓのフラッシュ・ライト持続時間及び０．６Ｊ／ｃｍ２～１６０Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度を有するフラッシュ・ランプによって、並びに、更に４℃～２００℃の範囲内の予熱又は冷却によって、実行されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記急速アニーリング（１１）はレーザ・アニーリングであり、局所加熱部位の走査速度の設定による０．０１～１００ｍｓの範囲内のアニーリング時間及び０．１～１００Ｊ／ｃｍ２の範囲内のエネルギー密度を有するレーザによって、並びに、更に４℃～２００℃の範囲内の予熱又は冷却によって、実行されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記急速アニーリング（１１）の前に、前記更なるシリコン層（１７）上に金属層（２０）が堆積されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記金属層（２０）は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、及び／又はタングステン（Ｗ）である材料のうちの１つから形成されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
- 前記銅基材（１４）上での前記第１のシリコン層（１７）の前記堆積の前に、シリコン以外の、好ましくはニッケル（Ｎｉ）及び／又は銅（Ｃｕ）の層を堆積させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| DE102021120615.4 | 2021-08-09 | ||
| DE102021120615 | 2021-08-09 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024528811A JP2024528811A (ja) | 2024-08-01 |
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Family Applications (1)
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| JP2024501111A Pending JP2024528811A (ja) | 2021-08-09 | 2022-08-09 | リチウム電池のアノードとしてのシリコン電極を製造するための方法 |
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