JP2024531069A - 高分子固体電解質の製造方法及びこれより製造された高分子固体電解質 - Google Patents
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Abstract
Description
前記陰イオンはPF6 -、BF4 -、CF3SO3 -、N(CF3SO2)2 -、N(C2F5SO2)2 -、C(CF2SO2)3 -、AsF6 -、SbF6 -、AlCl4 -、NbF6 -、HSO4 -、ClO4 -、CH3SO3 -及びCF3CO2 -からなる群から選択された1種以上を含むものであってもよい。
本発明は高分子固体電解質の製造方法に関することで、(S1)高分子、非揮発性(non-volatile)液状化合物及びリチウム塩を溶媒に添加して高分子固体電解質形成用溶液を製造する段階と;(S2)前記高分子固体電解質形成用溶液を基材上に塗布してコーティング層を形成する段階と;(S3)前記コーティング層を乾燥させ、液相の膜と高分子固体電解質膜に相分離させる段階と;(S4)前記高分子固体電解質膜を分離する段階と;を含み、前記非揮発性液状化合物は前記高分子に対して非混和性(immiscible)で、前記液相の膜は前記非揮発性液状化合物を含み、前記高分子固体電解質膜は前記高分子及びリチウム塩を含む。
[化学式1]
Rは互いに同一であるか、または異なってもよく、それぞれ独立的に下記化学式1-1ないし1-4で表される基からなる群から選択される:
[化学式1-1]
L1ないしL5はC1ないしC30のアルキレン基で、
R1ないしR4は水素;ヒドロキシ基;アミノ基;チオール基;C1ないしC30のアルキル基;C2ないしC30のアルケニル基;C2ないしC30のアルキニル基;C1ないしC30のアルコキシ基;及びC1ないしC30のカルボキシル基;からなる群から選択され、
m及びnは互いに同一であるか、または異なってもよく、それぞれ独立的に0ないし10の整数で、
*は結合位置である。
本発明はまた、上述したような高分子固体電解質の製造方法によって製造された高分子固体電解質を提供する。
本発明はまた、前述した高分子固体電解質を含む全固体電池に関するもので、前記全固体電池は正極、負極及びこれらの間に介在された前記高分子固体電解質を含むことができる。
高分子固体電解質を製造するための原料物質として、高分子であるポリプロピレンカーボネート(PPC、polypropylene carbonate)、非揮発性液状化合物であるポリエチレングリコール-ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン(PEG-POSS、poly(ethylene glycol)-polyhedral oligomeric silsesquioxane)、リチウム塩であるLiTFSI及び溶媒であるNMPを準備した。前記高分子であるPPC、非揮発性液状化合物であるPEG-POSS、リチウム塩であるLiTFSIの重量比は1:1:1になるように使用した。
高分子及び非揮発性液状化合物で使われたPPCとPEG-POSSの重量比を1:2にしたことを除いて、実施例1と同様の方法で高分子固体電解質を製造した。
高分子及び非揮発性液状化合物で使われたPPCとPEG-POSSの重量比を1:5にしたことを除いて、実施例1と同様の方法で高分子固体電解質を製造した。
非揮発性液状化合物を使わないことを除いて、実施例1と同様の方法で高分子固体電解質を製造した。
非揮発性液状化合物を使わずに、基材としてSSホイルの代わりにポリエチレンテレフタレート(PET、polyethylene terephthalate)離型フィルムを使ったことを除いて、実施例1と同様の方法で高分子固体電解質を製造した。
高分子及び非揮発性液状化合物で使われたPPCとPEG-POSSの重量比を1:6にしたことを除いて、実施例1と同様の方法で高分子固体電解質を製造した。
高分子及び非揮発性液状化合物で使われたPPCとPEG-POSSの重量比を1:0.5にしたことを除いて、実施例1と同様の方法で高分子固体電解質を製造した。
実施例及び比較例で製造された高分子固体電解質に対し、以下のような方法でフリースタンディングフィルム形態の可能可否、厚さ、均一度及びイオン伝導度を測定し、その結果は下記表2に記載した。
基材から高分子固体電解質膜が分離されて膜で得られるか否かを確認し、高分子固体電解質のフリースタンディングフィルム形態の可能可否を評価した。
図3に示されたように、製作された高分子固体電解質を3*3cm2の大きさで打ち抜いたサンプルに対して、総9個の指定された位置で厚さを測定し、平均厚さを算出した。
前記(2)で得た、総9個の指定された位置の厚さの全体測定値で厚さの間の偏差を計算した。計算された厚さの偏差が小さいほど均一であると判断した。
前記(3)で得た高分子固体電解質のサンプルを前記サンプルと同一表面積のSS金属電極と接触させた後、常温でサンプル両面の電極を通じて交流電圧を印加した。この時、印加される条件として測定周波数0.01Hzないし1MHzの振幅範囲で設定し、BioLogic社のVMP3を利用してインピーダンスを測定した。測定されたインピーダンス軌跡の半円や直線が実軸と会う交点(Rb)から高分子固体電解質の抵抗を求め、サンプルの広さと厚さから80℃での高分子固体電解質のイオン伝導度を計算した。
Rb:インピーダンス軌跡が実軸との交点
A:サンプルの広さ
t:サンプルの厚さ
10:基材
20:液相の膜
30:高分子固体電解質膜
Claims (20)
- (S1)高分子、非揮発性(non-volatile)液状化合物及びリチウム塩を溶媒に添加して高分子固体電解質形成用溶液を製造する段階と;
(S2)前記高分子固体電解質形成用溶液を基材上に塗布してコーティング層を形成する段階と;
(S3)前記コーティング層を乾燥させて、液相の膜と高分子固体電解質膜に相分離させる段階と;
(S4)前記高分子固体電解質膜を分離する段階と;を含む、高分子固体電解質の製造方法。 - 前記液相の膜は前記非揮発性液状化合物を含み、前記高分子固体電解質膜は前記高分子及びリチウム塩を含み、
前記非揮発性液状化合物は前記高分子に対して非混和性(immiscible)で、
前記液相の膜は基材上に形成され、前記高分子固体電解質膜は前記液相の膜上に形成されるものである、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。 - 前記高分子固体電解質形成用溶液内の高分子と非揮発性液状化合物の重量比は1:0.8ないし1:5.5である、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記高分子は、ポリプロピレンカーボネート(polypropylene carbonate、PPC)、ポリアクリロニトリル(polyacrylonitrile、PAN)及びポリビニルピロリドン(polyvinylpyrrolidone、PVP)からなる群から選択された1種以上を含むものである、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記非揮発性液状化合物は、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン(POSS、polyhedral oligomeric silsesquioxane)及びイオン性液体(ionic liquid)からなる群から選択された1種以上を含むものである、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記POSSは一つ以上の官能基(functional group、R)を含み、前記官能基はO、N、S、Si及びPの中で選択される1種以上の元素を含む官能基であるか、またはリチウムイオンと結合することができる官能基である、請求項5に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記官能基は、ポリエチレングリコール(poly(ethylene glycol)、PEG)、アルコール(alcohol)、アミン(amine)、カルボン酸(carboxylic acid)、アリル(allyl)、エポキシド(epoxide)、チオール(thiol)、シラン(silane)またはシラノール(silanol)である、請求項6に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記イオン性液体は陽イオン及び陰イオンを含み、前記陽イオンは炭素数1ないし15のアルキル基によって置換されるか、または非置換されたイミダゾリウム、ピラゾリウム、トリアゾリウム、チアゾリウム、オキサゾリウム、ピリダジニウム、ピリミジニウム、ピラジニウム、アンモニウム、ホスホニウム、ピリジニウム及びピロリジニウムからなる群から選択された1種以上を含み、
前記陰イオンはPF6 -、BF4 -、CF3SO3 -、N(CF3SO2)2 -、N(C2F5SO2)2 -、C(CF2SO2)3 -、AsF6 -、SbF6 -、AlCl4 -、NbF6 -、HSO4 -、ClO4 -、CH3SO3 -及びCF3CO2 -からなる群から選択された1種以上を含むものである、請求項5に記載の高分子固体電解質の製造方法。 - 前記リチウム塩は、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(LiTFSI、Lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)、リチウムビス(フルオロスルホニル)イミド(LiFSI、Lithium bis(fluorosulfonyl)imide)、LiNO3、LiOH、LiCl、LiBr、LiI、LiClO4、LiBF4、LiB10Cl10、LiPF6、LiCF3SO3、LiCF3CO2、LiAsF6、LiSbF6、LiAlCl4、CH3SO3Li、CF3SO3Li、LiSCN、LiC(CF3SO2)3、(CF3SO2)2NLi及び(FSO2)2NLiからなる群から選択される1種以上を含むものである、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記基材はステンレススチール(Stainless Steel)、Cuホイル及びAlホイルからなる群から選択される1種以上を含むものである、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記コーティング層を形成する方法は、バーコーティング(bar coating)、ロールコーティング(roll coating)、スピンコーティング(spin coating)、スリットコーティング(slit coating)、ダイコーティング(die coating)、ブレードコーティング(blade coating)、コンマコーティング(comma coating)、スロットダイコーティング(slot die coating)、リップコーティング(lip coating)または溶液流延法(solution casting)である、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記高分子とリチウム塩の重量比は1:0.5ないし1:3である、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記溶媒は、プロピレンカーボネート(PC)、エチレンカーボネート(EC)、ブチレンカーボネート(BC)、ジエチルカーボネート(DEC)、ジメチルカーボネート(DMC)、ジプロピルカーボネート(DPC)、メチルプロピオネイト(MP)、ジメチルスルホキシド、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン、テトラヒドロフラン、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、エチルメチルカーボネート(EMC)、ビニレンカーボネート(VC)、ガンマブチロラクトン(GBL)、フルオロエチレンカーボネート(FEC)、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ペンチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸エチル及びプロピオン酸ブチルからなる群から選択された1種以上を含むものである、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 前記コーティング層の乾燥は150℃以下で遂行されるものである、請求項1に記載の高分子固体電解質の製造方法。
- 高分子及びリチウム塩を含む高分子固体電解質。
- 前記高分子固体電解質の厚さは23μmないし35μmである、請求項15に記載の高分子固体電解質。
- 前記高分子固体電解質の厚さ偏差は0.7μm以下であり、前記厚さ偏差は3×3cm2で打ち抜いた高分子固体電解質サンプル内の9個の位置で厚さを測定し、最も厚い厚さと最も薄い厚さとの間の偏差を計算したものである、請求項15に記載の高分子固体電解質。
- 前記高分子固体電解質はフリースタンディングフィルム(freestanding film)形態である、請求項15に記載の高分子固体電解質。
- 前記高分子固体電解質のイオン伝導度は1.2×10-5ないし4.5×10-5S/cmで、前記イオン伝導度は80℃で測定されたものである、請求項15に記載の高分子固体電解質。
- 請求項15に記載の高分子固体電解質を含む全固体電池。
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