JP2025090318A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ウェハに対する処理の面内均一性を向上することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体製造装置は、ウェハを処理するための処理液を貯留し、貯留した前記処理液を循環させる処理槽と、前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第１ベルトコンベアと、前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第２ベルトコンベアと、前記ウェハの端部を挟さんで支持するように前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを開閉動作させるとともに、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動するように制御する駆動制御部とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
従来、ウェハを処理液に浸漬させて洗浄やエッチングの処理を行う半導体製造装置がある。このような半導体製造装置では、噴流管から処理液を吐出して処理槽内の処理液を循環させる。例えば、噴流管の吐出口付近では処理液の温度、エッチャントの濃度や流速が高いため、エッチングレートが増加することとなる。このため、ウェハの上下で処理量（例えばエッチング量）に差が生じることで、ウェハに対する処理の面内均一性が低下することとなる。
特開２００６－０３２６４０号公報
一つの実施形態は、ウェハに対する処理の面内均一性を向上することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
一つの実施形態に係る半導体製造装置は、
ウェハを処理するための処理液を貯留し、貯留した前記処理液を循環させる処理槽と、
前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第１ベルトコンベアと、
前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第２ベルトコンベアと、
前記ウェハの端部を挟さんで支持するように前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを開閉動作させるとともに、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動するように制御する駆動制御部と、を備え、
前記駆動制御部は、
前記処理槽に貯留された前記処理液に浸漬された前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟んで支持した状態で、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動させることで、前記ウェハを前記ウェハの面に垂直な方向を中心に回転させるとともに、前記ウェハを上下方向に移動させる。
図１は、ウェハを処理する状態の一例を模式的に示す第１の実施形態に係る半導体製造装置の構成図である。 図２は、図１に示す半導体製造装置の第１領域に注目した構成の一例を模式的に示す上面図である。 図３は、図１に示す半導体製造装置の第２領域に注目した構成の一例を模式的に示す断面図である。 図４Ａは、図１に示す半導体製造装置の第３領域に注目した構成の一例を模式的に示す断面図である。 図４Ｂは、図１に示す半導体製造装置の第３領域に注目した構成の他の例を模式的に示す断面図である。 図５は、図１に示す半導体製造装置においてウェハを処理槽の処理液で洗浄処理する状態の一例を模式的に示す図である。 図６Ａは、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。 図６Ｂは、図６Ａに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。 図７Ａは、図６Ｂに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。 図７Ｂは、図７Ａに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。 図８Ａは、図７Ｂに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。 図８Ｂは、図７Ａに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。 図９は、図８Ｂに続く、第１の実施形態に係る半導体製造装置による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
（第１の実施形態）
ここで、図１は、ウェハを処理する状態の一例を模式的に示す第１の実施形態に係る半導体製造装置１００の構成図である。また、図２は、図１に示す半導体製造装置１００の第１領域Ｑ１に注目した構成の一例を模式的に示す上面図である。また、図３は、図１に示す半導体製造装置１００の第２領域Ｑ２に注目した構成の一例を模式的に示す断面図である。また、図４Ａは、図１に示す半導体製造装置１００の第３領域Ｑ３に注目した構成の一例を模式的に示す断面図である。また、図４Ｂは、図１に示す半導体製造装置１００の第３領域Ｑ３に注目した構成の他の例を模式的に示す断面図である。また、図５は、図１に示す半導体製造装置１００においてウェハを処理槽の処理液で洗浄処理する状態の一例を模式的に示す図である。
なお、簡単のため、図１ないし図４においては、半導体製造装置１００の処理槽Ｓ内に貯留された処理液を図示していない。さらに、簡単のため、図１においては、図５に示す処理槽Ｓの補助槽Ｓａ、噴流管Ｈ、および吐出部Ｓａを省略している。また、簡単のため、図５においては、図１に示す第１ベルトコンベアＢ１、第２ベルトコンベアＢ２、駆動制御部ＤＸ、及びリフターＬを省略している。その他、便宜上、各図面において構成が省略されている場合がある。
また、この第１の実施形態に係る半導体製造装置１００の構成は、複数のウェハを処理するバッチ式の装置の構成の一例であるが、この構成に限定されるものではなく、例えば、枚様式の装置であってもよい。
［半導体製造装置］
例えば、図１ないし図５に示すように、半導体製造装置１００は、処理槽Ｓと、第１ベルトコンベアＢ１と、第２ベルトコンベアＢ２と、駆動制御部ＤＸと、リフターＬと、を備える。
この半導体製造装置１００は、洗浄液やエッチング液等の薬液である処理液を用いて、例えば、ウェハＷのエッチング処理又は洗浄処理等の処理を実行する。この場合、処理液は、例えば、フッ酸、リン酸、メタル混酸等の薬液である。
[処理槽Ｓ]
処理槽Ｓは、ウェハＷを処理するための処理液を貯留し、貯留した処理液を循環させるようになっている。
この処理槽Ｓは、例えば、図５に示すように、補助槽Ｓａと、噴流管Ｈと、吐出部Ｋと、を備える。
吐出部Ｋは、例えば、図５に示すように、処理槽Ｓから補助槽Ｓａに溢れた処理液を、噴流管Ｈを介して、ウェハＷに向けて吐出するようになっている。
特に、吐出部Ｋは、処理液に浸漬されたウェハＷの端部を第１ベルトコンベアＢ１と第２ベルトコンベアＢ２によって挟んで支持した状態で、処理液が処理槽Ｓ内をウェハＷの表面を通過して循環するように、ウェハＷに向けて処理液を吐出するようになっている。
[第１ベルトコンベア]
また、第１ベルトコンベアＢ１は、例えば、図１に示すように、処理槽Ｓ内に上下方向（Ｚ方向）に延在するように配置されている。
この第１ベルトコンベアＢ１の上部は、処理槽Ｓの上部よりの上方に位置している。そして、第１ベルトコンベアＢ１の上部は、処理槽Ｓに対して相対的に横方向（例えばＺ方向に直交するＸ方向）に移動可能である。第１ベルトコンベアＢ１の下部は、処理槽Ｓの筐体に固定されている。
また、この第１ベルトコンベアＢ１は、例えば、図２に示す第２ベルトコンベアＢ２の例と同様に、ウェハＷの横方向（Ｚ方向に直交するＸ方向）の端部を支持する溝Ｂｍが表面Ｂａに形成された第１ベルトＢＸを含んでいる。この第１ベルトＢＸ１は、用途に応じて、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の柔軟性、耐薬品、耐熱性を有する材質で構成される。
さらに、この第１ベルトコンベアＢ１は、例えば、図１に示すように、第１上側回転軸Ｇ１１と、第１下側回転軸Ｇ２１と、を含んでいる。
そして、第１上側回転軸Ｇ１１は、第１ベルトコンベアＢ１の上部に位置して、横方向（Ｘ方向及びＺ方向に直交するＹ方向）に延在している。さらに、この第１上側回転軸Ｇ１１は、第１ベルトＢＸ１の内側で第１ベルトＢＸ１に接するようになっている。
なお、図３に示す第２上側回転軸Ｇ１２の例と同様に、この第１上側回転軸Ｇ１１の表面には、凹凸が形成されており、この凹凸と第１ベルトＢＸ１の内面に形成された凹凸とが噛み合うようになっている。
この第１ベルトコンベアＢ１の第１上側回転軸Ｇ１１が回転することで、第１ベルトＢＸ１が回転して、当該第１ベルトコンベアＢ１が回転駆動することになる。
また、第１下側回転軸Ｇ２１は、第１ベルトコンベアＢ１の下部に位置して、横方向（Ｙ方向）に延在している。さらに、第１下側回転軸Ｇ２１は、第１ベルトＢＸ１の内側で第１ベルトＢＸ１に接するとともに、処理槽Ｓの筐体に固定されている。
[第２ベルトコンベア]
また、第２ベルトコンベアＢ２は、例えば、図１に示すように、処理槽Ｓ内に上下方向（図１のＺ方向）に延在するように配置されている。
この第２ベルトコンベアＢ２の上部は、例えば、図１に示すように、処理槽Ｓの上部よりの上方に位置している。第２ベルトコンベアＢ２の上部は、処理槽Ｓに対して相対的に横方向（例えば図１のＸ方向）に移動可能である。第２ベルトコンベアＢ２の下部は、処理槽Ｓの筐体に固定されている。
例えば、この第２ベルトコンベアＢ２は、図２に示すように、ウェハＷの横方向（図２のＸ方向）の端部を支持する溝Ｂｍが表面ＢＡに形成された第２ベルトＢＸ２を含んでいる。この第２ベルトＢＸ２は、用途に応じて、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の柔軟性、耐薬品、耐熱性を有する材質で構成される。
そして、ウェハＷの端部を挟さんで支持するように既述の第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２を閉状態とする。既述の第１ベルトコンベアＢ１の第１ベルトＢＸ１の溝Ｂｍと、第２ベルトコンベアＢ２の第２ベルトＢＸ２の溝Ｂｍとにより、ウェハＷが支持されることとなる。
また、第２ベルトコンベアＢ２は、例えば、図１に示すように、第２上側回転軸Ｇ１２と、第２下側回転軸Ｇ２２と、を含んでいる。
そして、第２上側回転軸Ｇ１２は、第２ベルトコンベアＢ２の上部に位置して、Ｙ方向に延在している。さらに、この第２上側回転軸Ｇ１２は、第２ベルトＢＸ２の内側で第２ベルトＢＸ２に接するようになっている。なお、図３に示す例では、この第２上側回転軸Ｇ１２の表面には、凹凸Ｇ１２ａが形成されており、この凹凸Ｇ１２ａと第２ベルトＢＸ２の内面に形成された凹凸ＢＸ２ａとが噛み合うようになっている。なお、この図３に示す第２ベルトＢＸ２の内側の凹凸は別の形状であってもよく、形成されていなくてもよい。
この第２ベルトコンベアＢ２の第２上側回転軸Ｇ１２が回転することで、第２ベルトＢＸ２が回転して、第２ベルトコンベアＢ２が回転駆動することになる。
また、例えば、図１に示すように、第２下側回転軸Ｇ２２は、第２ベルトコンベアＢ２の下部に位置して、横方向（Ｙ方向）に延在している。さらに、第２下側回転軸Ｇ２２は、第２ベルトＢＸ２の内側で第２ベルトＢＸ２に接するとともに、処理槽Ｓの筐体に固定されている。
ここで、図４Ａに示す例では、この第２下側回転軸Ｇ２２の表面には、凹凸Ｇ２２ａが形成されており、この凹凸Ｇ２２ａと第２ベルトＢＸ２の内面に形成された凹凸ＢＸ２ａとが噛み合うようになっている。この場合、第２下側回転軸Ｇ２２は、第２ベルトＢＸ２が回転することで、処理槽Ｓの筐体に位置が固定された状態で、Ｙ方向を中心として回転することとなる。
一方、図４Ｂに示す例では、この第２下側回転軸Ｇ２２の表面には、凹凸が形成されていない。この場合、第２下側回転軸Ｇ２２は、第２ベルトＢＸ２が回転しても、処理槽Ｓの筐体に位置が固定された状態で、回転しない、若しくは、Ｙ方向を中心として回転するようにしてもよい。
なお、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２は、内部にその剛性を確保するための固定板（図示せず）を備えてもよい。例えば、この固定版は、フッ素樹脂、石英等の材質で構成されていてもよい。
[リフター]
また、リフターＬは、ウェハＷを処理するために、ウェハＷを上方から処理槽Ｓ内に移動させて処理液に浸漬させ、一方、処理が完了したウェハＷを処理槽Ｓ内から上方に引き上げるようになっている。
このリフターＬは、例えば、ウェハＷを上下方向（Ｚ方向）に移動させる場合に、下方から支持する支持部ＬＳを備える。
[駆動制御部]
駆動制御部ＤＸは、例えば、図１に示すように、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２をウェハＷの端部を挟さんで支持するように開閉動作させるようになっている。また、この駆動制御部ＤＸは、必要に応じて、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２の動作の制御とともに、リフターＬの動作を制御するようにしてもよい。
駆動制御部ＤＸは、図１に示すように、第１上側回転軸Ｇ１１および第２上側回転軸Ｇ１２を横方向に移動させることで、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２の開閉動作を制御するようになっている。
例えば、駆動制御部ＤＸは、第１ベルトコンベアＢ１の上部と第２ベルトコンベアＢ２の上部とが離れるように駆動させることで、閉状態から開状態に制御するようになっている。
一方、駆動制御部ＤＸは、第１ベルトコンベアＢ１の上部と第２ベルトコンベアＢ２の上部とが近づくように駆動させることで、開状態から閉状態に制御するようになっている。
特に、駆動制御部ＤＸは、リフターＬによってウェハＷを上方から処理槽Ｓ内に移動させた状態で、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２をウェハＷの端部を挟さんで支持するように開状態から閉状態に動作させる。
このように、駆動制御部Ｄは、この開閉動作によって、処理槽Ｓに貯留された処理液に浸漬されたウェハＷの端部を第１ベルトコンベアＢ１と第２ベルトコンベアＢ２によって挟んで支持した状態に制御するようになっている。特に、駆動制御部ＤＸは、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２をウェハＷの端部を挟さんで支持するための圧力を調整するように、第１ベルトコンベアＢ１の上部および第２ベルトコンベアＢ２の上部を移動させるようになっている。
さらに、駆動制御部ＤＸは、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２を回転駆動するように制御するようになっている。
駆動制御部ＤＸは、図１に示す第１上側回転軸Ｇ１１および第２上側回転軸Ｇ１２を回転させることによって第１ベルトＢＸ１および第２ベルトＢＸ２を回転させることで、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２の回転駆動を制御するようになっている。
なお、この駆動制御部ＤＸは、第１上側回転軸Ｇ１１および第２上側回転軸Ｇ１２を回転させることで、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２を回転駆動させるモーター（図示せず）を含むようにしてもよい。
なお、駆動制御部ＤＸは、処理液に浸漬されたウェハＷの端部を第１ベルトコンベアＢ１と第２ベルトコンベアＢ２によって挟んで支持した状態で、ウェハＷの回転方向を反転するようにしてもよい。
このように、駆動制御部Ｄは、処理槽Ｓに貯留された処理液に浸漬されたウェハＷの端部を第１ベルトコンベアＢ１と第２ベルトコンベアＢ２によって挟んで支持した状態で、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２を回転駆動させる。こうして、駆動制御部Ｄは、ウェハＷをウェハＷの面に垂直な方向（Ｙ方向）を中心に回転させるとともに、ウェハＷを上下方向（Ｚ方向）に移動させる。
ここで、既述のように、第１実施形態に係る半導体製造装置１００では、噴流管から処理液を吐出して処理槽内の処理液を循環させる。例えば、噴流管Ｈの吐出部Ｋ付近では処理液の温度、エッチャントの濃度や流速が高いため、エッチングレートが増加することとなる。
しかしながら、この半導体製造装置１００は、この処理槽Ｓに貯留された処理液に浸漬されたウェハＷの端部を第１ベルトコンベアＢ１と第２ベルトコンベアＢ２によって挟んで支持した状態で、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２を回転駆動させることで、ウェハＷをウェハＷの面に垂直な方向（Ｙ方向）を中心に回転させるとともに、ウェハＷを上下方向（Ｚ方向）に移動させる。
これにより、ウェハＷの回転方向を処理中に制御することができるため、ウェハＷの処理中にウェハＷの下降、上昇、回転が可能になる。したがって、ウェハＷに対して処理液が当たる位置が分散されるため、ウェハＷの上下方向および横方向において処理量（例えばエッチング量）の面内における差が小さくなる。
すなわち、第１実施形態に係る半導体製造装置１００は、ウェハＷに対する処理の面内均一性を向上することができる。
［半導体装置の製造方法］
次に、既述のように、図６Ａないし図９を参照して、第１の実施形態に係る半導体製造装置１００を用いた半導体装置の製造方法の例について説明する。図６Ａないし図９は、図１に示す第１の実施形態に係る半導体製造装置１００による半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
なお、図６Ａないし図９では、簡単のため、駆動制御部ＤＸが省略され、第１、第２ベルトコンベアＢ１、Ｂ２の構成が簡略化されて表記されている。
まず、図６Ａに示すように、例えば、前の工程で処理されたウェハＷがリフターＬの支持部ＬＳに支持された状態になるように、ウェハＷがリフターＬに受け渡される。
次に、図６Ｂに示すように、駆動制御部ＤＸは、リフターＬを下降させるとともに、このリフターＬの動作に合わせて第１、第２ベルトコンベアを回転駆動させる。必要に応じて、駆動制御部ＤＸは、ウェハＷをリフターＬから処理槽Ｓ内の第１、第２ベルトコンベアＢ１、Ｂ２間へ移動できるように、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２をウェハＷの端部において開状態に動作させる。
その後、駆動制御部ＤＸは、リフターＬによってウェハＷを上方から処理槽Ｓ内に移動させた状態で、ウェハＷの端部を挟さんで支持するように第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２を開状態から閉状態に動作させる。
次に、図７Ａに示すように、駆動制御部ＤＸは、リフターＬからウェハＷを少し浮かすように、第１、第２ベルトコンベアＢ１、Ｂ２を回転駆動させる。若しくは、ウェハＷが第１、第２ベルトコンベアＢ１、Ｂ２によって支持された状態で、駆動制御部ＤＸは、リフターＬからウェハＷを少し浮かすように、リフターＬをさらに降下させるようにしてもよい。
これにより、ウェハＷがリフターＬから離れて第１、第２ベルトコンベアＢ１、Ｂ２で支持された状態になる。
次に、図７Ｂに示すように、駆動制御部Ｄは、処理槽Ｓに貯留された処理液に浸漬されたウェハＷの端部を第１ベルトコンベアＢ１と第２ベルトコンベアＢ２によって挟んで支持した状態で、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２を回転駆動させることで、ウェハＷをウェハＷの面に垂直な方向（Ｙ方向）を中心に回転させるとともに、ウェハＷを上下方向（Ｚ方向）に移動（上下に揺動）させる。
なお、既述のように、駆動制御部ＤＸは、処理液に浸漬されたウェハＷの端部を第１ベルトコンベアＢ１と第２ベルトコンベアＢ２によって挟んで支持した状態で、ウェハＷの回転方向を反転するようにしてもよい。
これにより、ウェハＷに対して処理液が当たる位置が分散されるため、ウェハＷの上下方向および横方向において処理量（例えばエッチング量）の面内における差が小さくなる。
次に、図８Ａに示すように、駆動制御部ＤＸは、リフターＬへウェハＷを積載するように、第１、第２ベルトコンベアＢ１、Ｂ２を回転駆動させる。若しくは、駆動制御部ＤＸは、リフターＬへウェハＷを積載するように、ウェハＷが第１、第２ベルトコンベアＢ１、Ｂ２によって支持された状態で、リフターＬをさらに上昇させるようにしてもよい。これにより、ウェハＷがリフターＬに積載された状態になる。
次に、図８Ｂに示すように、駆動制御部ＤＸは、リフターＬを上昇させるとともに、このリフターＬの上昇によるウェハＷの上昇に合わせて第１、第２ベルトコンベアを回転駆動させる。必要に応じて、駆動制御部ＤＸは、処理が完了したウェハＷをリフターＬによって処理槽Ｓ内から上方に引き上げられるように、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２をウェハＷの端部を挟さんで支持した閉状態から開状態に動作させる。
次に、図９に示すように、駆動制御部ＤＸは、ウェハＷがリフターＬの支持部ＬＳに支持された状態でリフターＬをさらに上昇させる。そして、この処理が完了したウェハＷがリフターＬから次の工程に受け渡されることとなる。
このように、第１の実施形態に係る半導体製造装置１００を用いた半導体装置の製造方法では、この処理槽Ｓに貯留された処理液に浸漬されたウェハＷの端部を第１ベルトコンベアＢ１と第２ベルトコンベアＢ２によって挟んで支持した状態で、第１ベルトコンベアＢ１および第２ベルトコンベアＢ２を回転駆動させる。こうして、ウェハＷをウェハＷの面に垂直な方向（Ｙ方向）を中心に回転させるとともに、ウェハＷを上下方向（Ｚ方向）に移動させる。
これにより、ウェハＷに対して処理液が当たる位置が分散されるため、ウェハＷの上下方向および横方向において処理量（例えばエッチング量）の面内における差が小さくなる。
以上のように、本実施形態に係る半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法によれば、ウェハＷに対する処理の面内均一性を向上することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１００ 半導体製造装置
Ｓ 処理槽
Ｂ１ 第１ベルトコンベア
Ｂ２ 第２ベルトコンベア
ＤＸ 駆動制御部
Ｌ リフター

Claims (6)

  1. ウェハを処理するための処理液を貯留し、貯留した前記処理液を循環させる処理槽と、
    前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第１ベルトコンベアと、
    前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第２ベルトコンベアと、
    前記ウェハの端部を挟さんで支持するように前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを開閉動作させるとともに、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動するように制御する駆動制御部と、を備え、
    前記駆動制御部は、
    前記処理槽に貯留された前記処理液に浸漬された前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟んで支持した状態で、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動させることで、前記ウェハを前記ウェハの面に垂直な方向を中心に回転させるとともに、前記ウェハを上下方向に移動させる、
    ことを特徴とする半導体製造装置。
  2. 前記駆動制御部は、前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟さんで支持するための圧力を調整するように、前記第１ベルトコンベアの上部および前記第２ベルトコンベアの上部を移動させる
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. 前記駆動制御部は、
    前記第１ベルトコンベアの上部と前記第２ベルトコンベアの上部とが離れるように駆動させることで、閉状態から開状態に制御し、
    一方、前記第１ベルトコンベアの上部と前記第２ベルトコンベアの上部とが近づくように駆動させることで、開状態から閉状態に制御する
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
  4. 前記ウェハを処理するために、前記ウェハを上方から前記処理槽内に移動させて前記処理液に浸漬させ、処理が完了した前記ウェハを前記処理槽内から上方に引き上げるリフターをさらに備え、
    前記駆動制御部は、前記リフターによって前記ウェハを上方から前記処理槽内に移動させた状態で、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを前記ウェハの端部を挟さんで支持するように開状態から閉状態に動作させ、
    前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟さんで支持した閉状態から開状態に動作させて、処理が完了した前記ウェハをリフターによって前記処理槽内から上方に引き上げさせる
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
  5. 前記処理槽は、前記処理液に浸漬された前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアによって挟んで支持した状態で、前記処理液が前記処理槽内を前記ウェハの表面を通過して循環するように、前記処理槽から溢れた処理液を前記ウェハに向けて吐出する吐出部を備える
    ことを特徴とする半導体製造装置。
  6. ウェハを処理するための処理液を貯留し、貯留した前記処理液を循環させる処理槽と、前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第１ベルトコンベアと、前記処理槽内に上下方向に延在するように配置された第２ベルトコンベアと、前記ウェハの端部を挟さんで支持するように前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを開閉動作させるとともに、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動するように制御する駆動制御部と、を備えた半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
    前記駆動制御部によって、前記処理槽に貯留された前記処理液に浸漬された前記ウェハの端部を前記第１ベルトコンベアと前記第２ベルトコンベアによって挟んで支持した状態で、前記第１ベルトコンベアおよび前記第２ベルトコンベアを回転駆動させることで、前記ウェハを前記ウェハの面に垂直な方向を中心に回転させるとともに、前記ウェハを上下方向に移動させる、
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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