JP2500953B2 - 超電導スイッチング・デバイス - Google Patents
超電導スイッチング・デバイスInfo
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- H10N60/20—Permanent superconducting devices
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般的には超電導物
質より成る電気デバイスに関し、特に超電導膜が平衡状
態から大幅に外れて駆動され、超電導体のエネルギ・ギ
ャップの異方性に従って動作する薄膜デバイスに関す
る。
質より成る電気デバイスに関し、特に超電導膜が平衡状
態から大幅に外れて駆動され、超電導体のエネルギ・ギ
ャップの異方性に従って動作する薄膜デバイスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超電導膜では、非消散的電流が、荷電キ
ャリア対によって運ばれる。荷電キャリア対は、準粒子
または単一キャリアの励起に分解できる。超電導体のエ
ネルギ・ギャップは準粒子の密度によって決まる。超電
導体が、その温度の上昇、外部の放射、またはトンネル
注入によって撹乱されると、準粒子密度は高くなり、エ
ネルギ・ギャップは減少する。遂には、エネルギ・ギャ
ップが消え、現在常態キャリアによって運ばれている電
流はもはや非消散的ではなくなる。その結果、被膜に電
圧が生じる。この現象を利用して、いろいろなスイッチ
ング・デバイスが得られている。
ャリア対によって運ばれる。荷電キャリア対は、準粒子
または単一キャリアの励起に分解できる。超電導体のエ
ネルギ・ギャップは準粒子の密度によって決まる。超電
導体が、その温度の上昇、外部の放射、またはトンネル
注入によって撹乱されると、準粒子密度は高くなり、エ
ネルギ・ギャップは減少する。遂には、エネルギ・ギャ
ップが消え、現在常態キャリアによって運ばれている電
流はもはや非消散的ではなくなる。その結果、被膜に電
圧が生じる。この現象を利用して、いろいろなスイッチ
ング・デバイスが得られている。
【０００３】平衡状態から大きく外れて駆動されること
によってスイッチング動作を起こす超電導物質の薄膜を
含む超電導デバイスが存在する。電流は、ある状態では
超電導電子対によって流れ、被膜に電圧は生じない。別
の状態では、電流は常態電子によって運ばれ、被膜に電
圧が生じる。後者の状態における超電導体の電流は、デ
バイスと負荷抵抗を適切に選ぶことで、前者の状態より
もかなり少なくすることができ、電流のほとんどは負荷
に切り替わる。
によってスイッチング動作を起こす超電導物質の薄膜を
含む超電導デバイスが存在する。電流は、ある状態では
超電導電子対によって流れ、被膜に電圧は生じない。別
の状態では、電流は常態電子によって運ばれ、被膜に電
圧が生じる。後者の状態における超電導体の電流は、デ
バイスと負荷抵抗を適切に選ぶことで、前者の状態より
もかなり少なくすることができ、電流のほとんどは負荷
に切り替わる。
【０００４】W. J. GallagherとS. I. Raiderによる“S
uperconducting Device” と題した米国特許第４８３１
４２１号明細書（1989年5月16日発行） は、非平衡注入
弱リンク・デバイスについて説明している。
uperconducting Device” と題した米国特許第４８３１
４２１号明細書（1989年5月16日発行） は、非平衡注入
弱リンク・デバイスについて説明している。
【０００５】この種の周知のすべてのデバイスに見られ
る問題として、注入された励起または準粒子には、どの
結晶方向にも等しく拡散する傾向がある。これは基本的
には超電導体の結晶構造の異方性による。その場合、最
も有望なデバイス構造では、撹乱された物質の量が、所
要量よりも多くなり、デバイス・ゲインとスイッチング
速度にとって逆効果となる。
る問題として、注入された励起または準粒子には、どの
結晶方向にも等しく拡散する傾向がある。これは基本的
には超電導体の結晶構造の異方性による。その場合、最
も有望なデバイス構造では、撹乱された物質の量が、所
要量よりも多くなり、デバイス・ゲインとスイッチング
速度にとって逆効果となる。
【０００６】Ｌａ1-xＳｒxＣｕＯ4、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ
7-xなど、遷移温度（Ｔc）の高いいくつかの酸化物超電
導体のエネルギ・ギャップは、かなりの異方性を示すこ
とが観測されている。この観測は、赤外線照射とトンネ
ル効果の測定による実験観測されているエネルギ・ギャ
ップの差と、大きいギャップが予測される結晶方向に被
膜を配向したときにトンネル効果測定値にみられる通常
は大きいギャップとによって、少なくとも部分的には確
認されている。エネルギ・ギャップの異方性の程度は現
在のところ充分には明らかにされていないが、ギャップ
は、超電導物質の結晶学上の底面と、該結晶学上の底面
に対して垂直な方向の間で２倍以上異なることが認めら
れる。たとえばＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの異方性について
は、T. R.DingerらによるPhysical Review. Lett. Vol.
58、No. 25、pp. 2687-2690（1987年6月22日）、T. K.
Worthingtonらによる Physical. Review. Lett.Vol. 5
9、No.10、pp.1160-1163（1987年9月7日）、及び D. E.
FarrellらによるPhysicalReview B、Vol. 36、No. 7、
pp. 4025-4027（1987年9月1日）に説明されている。ギ
ャップの異方性についての説明とデータは、Phys. Rev.
6 及びInt'l.J. Mod.Phys.、1/90に発表される論文に
みられる。
7-xなど、遷移温度（Ｔc）の高いいくつかの酸化物超電
導体のエネルギ・ギャップは、かなりの異方性を示すこ
とが観測されている。この観測は、赤外線照射とトンネ
ル効果の測定による実験観測されているエネルギ・ギャ
ップの差と、大きいギャップが予測される結晶方向に被
膜を配向したときにトンネル効果測定値にみられる通常
は大きいギャップとによって、少なくとも部分的には確
認されている。エネルギ・ギャップの異方性の程度は現
在のところ充分には明らかにされていないが、ギャップ
は、超電導物質の結晶学上の底面と、該結晶学上の底面
に対して垂直な方向の間で２倍以上異なることが認めら
れる。たとえばＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの異方性について
は、T. R.DingerらによるPhysical Review. Lett. Vol.
58、No. 25、pp. 2687-2690（1987年6月22日）、T. K.
Worthingtonらによる Physical. Review. Lett.Vol. 5
9、No.10、pp.1160-1163（1987年9月7日）、及び D. E.
FarrellらによるPhysicalReview B、Vol. 36、No. 7、
pp. 4025-4027（1987年9月1日）に説明されている。ギ
ャップの異方性についての説明とデータは、Phys. Rev.
6 及びInt'l.J. Mod.Phys.、1/90に発表される論文に
みられる。
【０００７】A. Davidsonらによる米国特許出願第５１
５５２号（1987年5月15日出願）“High Current Conduc
tors and High Field Magnets Using AnisotropicSuper
conductors”は、異方性超電導体を用いた磁石を示して
いる。
５５２号（1987年5月15日出願）“High Current Conduc
tors and High Field Magnets Using AnisotropicSuper
conductors”は、異方性超電導体を用いた磁石を示して
いる。
【０００８】しかし、この発明以前は、以下に述べるよ
うな独自の性質を持つ電子デバイスを得るように、この
ような遷移温度の高い酸化物超電導体について観測され
たエネルギ・ギャップの異方性を活用していなかった。
うな独自の性質を持つ電子デバイスを得るように、この
ような遷移温度の高い酸化物超電導体について観測され
たエネルギ・ギャップの異方性を活用していなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、デ
バイスを構成する超電導物質のエネルギ・ギャップの異
方性に従って動作する電気デバイスを提供することにあ
る。
バイスを構成する超電導物質のエネルギ・ギャップの異
方性に従って動作する電気デバイスを提供することにあ
る。
【００１０】この発明の他の目的は、薄膜構造を構成す
る、遷移温度の高い酸化物超電導体のエネルギ・ギャッ
プの異方性に従って動作する薄膜構造を提供することで
ある。
る、遷移温度の高い酸化物超電導体のエネルギ・ギャッ
プの異方性に従って動作する薄膜構造を提供することで
ある。
【００１１】この発明の更に他の目的は、薄膜デバイス
構造の電流を制御するために遷移温度の高い酸化物超電
導体のエネルギ・ギャップの異方性を活用する薄膜デバ
イス構造を提供することである。
構造の電流を制御するために遷移温度の高い酸化物超電
導体のエネルギ・ギャップの異方性を活用する薄膜デバ
イス構造を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の問題は、基板上に
形成され、異方性超電導物質の層または被膜より成る第
１電極またはベース電極を含む超電導スイッチング・デ
バイスによって克服される。ベース電極の物質は、第１
の結晶軸を持ち、この軸に沿った物質のエネルギ・ギャ
ップは他の結晶軸に沿った物質のエネルギ・ギャップよ
りも小さい。この超電導スイッチング・デバイスはこの
ほか、バイアス電圧ｅＶの影響下で、ベース電極に準粒
子を注入するために、ベース電極とのプレーナ・トンネ
ル接合またはエッジ・トンネル接合を成す少なくとも１
つの注入電極を含む。第１結晶軸は、本発明に従って、
トンネル接合の準粒子注入効率を最適化するために、所
定の方法でトンネル接合と整列される。
形成され、異方性超電導物質の層または被膜より成る第
１電極またはベース電極を含む超電導スイッチング・デ
バイスによって克服される。ベース電極の物質は、第１
の結晶軸を持ち、この軸に沿った物質のエネルギ・ギャ
ップは他の結晶軸に沿った物質のエネルギ・ギャップよ
りも小さい。この超電導スイッチング・デバイスはこの
ほか、バイアス電圧ｅＶの影響下で、ベース電極に準粒
子を注入するために、ベース電極とのプレーナ・トンネ
ル接合またはエッジ・トンネル接合を成す少なくとも１
つの注入電極を含む。第１結晶軸は、本発明に従って、
トンネル接合の準粒子注入効率を最適化するために、所
定の方法でトンネル接合と整列される。
【００１３】ベース電極の結晶学上の底面はａ−ｂ面と
する。下付き符号ａ、ｂ、ｃは、互いに直角な３つの結
晶軸を示すのに用いられる。物質のエネルギ・ギャップ
Δの各軸成分△ａ、△ｂ、△ｃの関係は、ΔａとΔｂの
各々がΔｃより大きい。前述の文献で論じられているよ
うに、異方性エネルギ・ギャップを示す代表的な超電導
物質では△ａおよび△ｂはそれぞれ△ｃの２倍またはそ
れ以上である。また、バイアス電圧（ｅＶ）はΔc＋Δi
＜ｅＶ＜Δa＋Δiとなるように選ばれる。ここでΔi は
注入電極のエネルギ・ギャップである。常態の物質より
成る注入電極の場合、Δiはゼロである。
する。下付き符号ａ、ｂ、ｃは、互いに直角な３つの結
晶軸を示すのに用いられる。物質のエネルギ・ギャップ
Δの各軸成分△ａ、△ｂ、△ｃの関係は、ΔａとΔｂの
各々がΔｃより大きい。前述の文献で論じられているよ
うに、異方性エネルギ・ギャップを示す代表的な超電導
物質では△ａおよび△ｂはそれぞれ△ｃの２倍またはそ
れ以上である。また、バイアス電圧（ｅＶ）はΔc＋Δi
＜ｅＶ＜Δa＋Δiとなるように選ばれる。ここでΔi は
注入電極のエネルギ・ギャップである。常態の物質より
成る注入電極の場合、Δiはゼロである。
【００１４】
【実施例】この発明では、超電導体、なかでも高遷移温
度の酸化物超電導体のエネルギ・ギャップ異方性に基づ
く非平衡薄膜デバイス構造の実施例をいくつか説明す
る。エネルギ・ギャップ異方性は、本発明に従って、薄
膜デバイスの電流を制御するために用いられる。ここに
述べる構造は、新規のデバイスに用いられるほか、既存
のデバイスの動作を改良するためにも用いられる。
度の酸化物超電導体のエネルギ・ギャップ異方性に基づ
く非平衡薄膜デバイス構造の実施例をいくつか説明す
る。エネルギ・ギャップ異方性は、本発明に従って、薄
膜デバイスの電流を制御するために用いられる。ここに
述べる構造は、新規のデバイスに用いられるほか、既存
のデバイスの動作を改良するためにも用いられる。
【００１５】図１は、非平衡薄膜デバイス１０の第１実
施例の平面拡大図である。デバイスは、ベース膜１２と
注入膜１４の間に形成されたプレーナ・トンネル接合１
６を含む。ベース膜１２は、バンクと呼ばれる広い２つ
の領域１２ｂとこれをつなぐ比較的狭いブリッジまたは
リンク１２ａに分けられている。デバイス１０の代表寸
法は、Ａが約０．５ミクロンないし約５．０ミクロンの
範囲、Ｂが約１．０ミクロンないし約３．０ミクロンの
範囲、Ｃが約１０ミクロン以下、Ｄが約２．０ミクロン
ないし約１０ミクロンの範囲、そしてＥが約０．５ミク
ロンないし約２．０ミクロンの範囲である。ここでわか
るように寸法ＣはＤ−２Ｅに等しい。ベース膜１２の高
遷移温度超電導物質の厚みは、約１００オングストロー
ムないし約１０００オングストロームの範囲である。ベ
ース膜１２と注入膜１４の間の少なくとも接合１６の領
域には、厚みが約１０オングストロームないし約１００
オングストロームの範囲の薄いトンネル・バリアが形成
される。代表的な例では、トンネル・バリアは、比較的
薄い酸化物層として形成されるが、ＢａＦ2 の層も適当
な物質である。デバイス１０は、先に引用した W. J.
Gallagher と S.I.Raiderによる“Superconducting D
evice” と題した米国特許第４８３１４２１号明細書
（1989年5月16日発行）に述べられているタイプの接合
弱リンク・デバイスとして動作可能である。
施例の平面拡大図である。デバイスは、ベース膜１２と
注入膜１４の間に形成されたプレーナ・トンネル接合１
６を含む。ベース膜１２は、バンクと呼ばれる広い２つ
の領域１２ｂとこれをつなぐ比較的狭いブリッジまたは
リンク１２ａに分けられている。デバイス１０の代表寸
法は、Ａが約０．５ミクロンないし約５．０ミクロンの
範囲、Ｂが約１．０ミクロンないし約３．０ミクロンの
範囲、Ｃが約１０ミクロン以下、Ｄが約２．０ミクロン
ないし約１０ミクロンの範囲、そしてＥが約０．５ミク
ロンないし約２．０ミクロンの範囲である。ここでわか
るように寸法ＣはＤ−２Ｅに等しい。ベース膜１２の高
遷移温度超電導物質の厚みは、約１００オングストロー
ムないし約１０００オングストロームの範囲である。ベ
ース膜１２と注入膜１４の間の少なくとも接合１６の領
域には、厚みが約１０オングストロームないし約１００
オングストロームの範囲の薄いトンネル・バリアが形成
される。代表的な例では、トンネル・バリアは、比較的
薄い酸化物層として形成されるが、ＢａＦ2 の層も適当
な物質である。デバイス１０は、先に引用した W. J.
Gallagher と S.I.Raiderによる“Superconducting D
evice” と題した米国特許第４８３１４２１号明細書
（1989年5月16日発行）に述べられているタイプの接合
弱リンク・デバイスとして動作可能である。
【００１６】少なくともベース膜１２は、本発明の実施
例に従って、Ｌａ1-xＳｒxＣｕＯ4、Ｅｕ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ
7-y、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-xなど、異方性高遷移温度酸化
物超電導体の薄膜から構成される。ここでベース膜１２
の結晶学上の底面は、下の基板１８の面に垂直に整列さ
れる。注入膜１４は、通常の物質でも、高遷移温度超電
導体でもよい。ベース膜１２は、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ3
など、適切な基板１８上に単結晶または少なくとも配向
多結晶膜を形成する薄膜成長法によって形成される。こ
こではトンネル接合１６は、ベース膜１２と注入膜１４
の間に形成されるものとする。
例に従って、Ｌａ1-xＳｒxＣｕＯ4、Ｅｕ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ
7-y、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-xなど、異方性高遷移温度酸化
物超電導体の薄膜から構成される。ここでベース膜１２
の結晶学上の底面は、下の基板１８の面に垂直に整列さ
れる。注入膜１４は、通常の物質でも、高遷移温度超電
導体でもよい。ベース膜１２は、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ3
など、適切な基板１８上に単結晶または少なくとも配向
多結晶膜を形成する薄膜成長法によって形成される。こ
こではトンネル接合１６は、ベース膜１２と注入膜１４
の間に形成されるものとする。
【００１７】高遷移温度超電導体は、バルクをつくる、
酸化物、炭酸塩、硝酸塩、粒体などの標準的なセラミッ
ク処理、薄膜を被着する気相搬送、プラズマ溶射など、
様々な手法により、様々な形のものが作製されている。
たとえば、P. Chaudhariらによる米国特許出願第２７５
８４号（1987年3月18日出願）は、 高遷移温度超電導体
の薄膜を形成する手法について述べている。
酸化物、炭酸塩、硝酸塩、粒体などの標準的なセラミッ
ク処理、薄膜を被着する気相搬送、プラズマ溶射など、
様々な手法により、様々な形のものが作製されている。
たとえば、P. Chaudhariらによる米国特許出願第２７５
８４号（1987年3月18日出願）は、 高遷移温度超電導体
の薄膜を形成する手法について述べている。
【００１８】この点について、Hidefumi Asano、Masayo
shi Asahi、及びOsamu Michikamiによる“Epitaxy and
Orientation of Eu1Ba2Cu3O7-x Films Grown In Situ b
yMagnetron Sputtering”と題したジャーナル記事（Jap
anese Journal of Applied Physics、Vol. 28、No. 6、
pp. 981-983、89年6月） は、化学量論酸化物のターゲ
ットからのマグネトロン・スパッタリングによる、Ｅｕ
1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-yの超電導膜のＳｒＴｉＯ3とＭｇＯ
（１００）の基板へのその場成長について説明してい
る。このスパッタリング・プロセスでは、ｃ軸配向だけ
でなくａ軸配向も完璧にエピタキシャル膜を形成できる
としている。エピタキシャル膜の配向は、基板温度、酸
素圧、及び膜の成長速度を選ぶことで制御されるとして
いる。
shi Asahi、及びOsamu Michikamiによる“Epitaxy and
Orientation of Eu1Ba2Cu3O7-x Films Grown In Situ b
yMagnetron Sputtering”と題したジャーナル記事（Jap
anese Journal of Applied Physics、Vol. 28、No. 6、
pp. 981-983、89年6月） は、化学量論酸化物のターゲ
ットからのマグネトロン・スパッタリングによる、Ｅｕ
1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-yの超電導膜のＳｒＴｉＯ3とＭｇＯ
（１００）の基板へのその場成長について説明してい
る。このスパッタリング・プロセスでは、ｃ軸配向だけ
でなくａ軸配向も完璧にエピタキシャル膜を形成できる
としている。エピタキシャル膜の配向は、基板温度、酸
素圧、及び膜の成長速度を選ぶことで制御されるとして
いる。
【００１９】以下の説明では次のような表記を用いる。
結晶学上の底面をａ−ｂ面と呼び、下付き符号ａ、ｂ、
ｃは、結晶軸の向きを示すのに用いる。本発明で使用す
る異方性エネルギ・ギャップを示す超電導物質の各軸に
沿ったエネルギ・ギャップは、Δａおよび ΔｂがΔｃ
の２倍またはそれ以上であるのが好ましい。
結晶学上の底面をａ−ｂ面と呼び、下付き符号ａ、ｂ、
ｃは、結晶軸の向きを示すのに用いる。本発明で使用す
る異方性エネルギ・ギャップを示す超電導物質の各軸に
沿ったエネルギ・ギャップは、Δａおよび ΔｂがΔｃ
の２倍またはそれ以上であるのが好ましい。
【００２０】上述の表記を用いると、幅Ｂ、長さＣの薄
い線形構造またはリンク１２ａが、マグネトロン・スパ
ッタリングなどによって形成される。リンク１２ａの長
軸は、異方性高遷移温度超電導物質のｃ軸または低エネ
ルギ・ギャップの方向に整列するように形成される。超
電導または常態の対電極（注入膜１４）を持つトンネル
接合１６は、バイアスがかけられて、下層のベース膜１
２、特にリンク１２ａに準粒子を注入する。バイアス電
圧（ｅＶ）は次式が得られるように選択される。
い線形構造またはリンク１２ａが、マグネトロン・スパ
ッタリングなどによって形成される。リンク１２ａの長
軸は、異方性高遷移温度超電導物質のｃ軸または低エネ
ルギ・ギャップの方向に整列するように形成される。超
電導または常態の対電極（注入膜１４）を持つトンネル
接合１６は、バイアスがかけられて、下層のベース膜１
２、特にリンク１２ａに準粒子を注入する。バイアス電
圧（ｅＶ）は次式が得られるように選択される。
【００２１】
【数１】 △ｃ ＋ △ｉ ＜ ｅＶ ＜ △ａ ＋ △ｉ （１） ここでΔｃとΔａは、それぞれｃ軸、ａ軸に沿ったエネ
ルギ・ギャップの値、Δｉ は超電導注入膜１６のエネ
ルギ・ギャップである。注入膜が常態物質から形成され
ていれば、Δｉはゼロ、式はΔｃ＜ｅＶ＜Δａ とな
る。ｅＶの代表値は、約１０ミリボルトないし約１００
ミリボルトの範囲である。注入膜１４の全体的な効果
は、下層の高遷移温度超電導物質の常態と超電導状態を
切り替えることである。
ルギ・ギャップの値、Δｉ は超電導注入膜１６のエネ
ルギ・ギャップである。注入膜が常態物質から形成され
ていれば、Δｉはゼロ、式はΔｃ＜ｅＶ＜Δａ とな
る。ｅＶの代表値は、約１０ミリボルトないし約１００
ミリボルトの範囲である。注入膜１４の全体的な効果
は、下層の高遷移温度超電導物質の常態と超電導状態を
切り替えることである。
【００２２】この発明の薄膜デバイス１０では、注入さ
れた準粒子はｃ軸の方向に拡散する。しかし、高遷移温
度物質の異方性及び被膜の各軸が整列することから、ａ
軸方向でエネルギ・ギャップが大きいのは、その方向に
は準粒子の状態が生じ得ないことを意味する。超電導状
態では、リンク１２ａを流れる電流は電子対によって運
ばれる。接合１６を介して注入した際、準粒子は、この
超電導膜に入り、拡散して注入領域から遠ざかる。これ
らの準粒子はリンク１２ａに閉じ込められ、超電導バン
ク１２ｂには拡散しない。そのエネルギがａ方向のエネ
ルギ・ギャップよりも小さいからである。準粒子がとも
かくバンク１２ｂに入るのは、Andreevスパッタリング
（準粒子が電子対に変換される）による場合だけであ
る。準粒子の非平衡分布は、最終的には、リンク１２ａ
の領域に閉じ込められ、デバイス１０の注入効率が大幅
に増加する。このようにリンク１２ａは常態へ簡単に移
行させることができる。そのとき高温超電導物質の抵抗
率が高く、リンク１２ａの線形ジオメトリが狭いことか
ら、リンク１２ａは大きい抵抗値を示す。
れた準粒子はｃ軸の方向に拡散する。しかし、高遷移温
度物質の異方性及び被膜の各軸が整列することから、ａ
軸方向でエネルギ・ギャップが大きいのは、その方向に
は準粒子の状態が生じ得ないことを意味する。超電導状
態では、リンク１２ａを流れる電流は電子対によって運
ばれる。接合１６を介して注入した際、準粒子は、この
超電導膜に入り、拡散して注入領域から遠ざかる。これ
らの準粒子はリンク１２ａに閉じ込められ、超電導バン
ク１２ｂには拡散しない。そのエネルギがａ方向のエネ
ルギ・ギャップよりも小さいからである。準粒子がとも
かくバンク１２ｂに入るのは、Andreevスパッタリング
（準粒子が電子対に変換される）による場合だけであ
る。準粒子の非平衡分布は、最終的には、リンク１２ａ
の領域に閉じ込められ、デバイス１０の注入効率が大幅
に増加する。このようにリンク１２ａは常態へ簡単に移
行させることができる。そのとき高温超電導物質の抵抗
率が高く、リンク１２ａの線形ジオメトリが狭いことか
ら、リンク１２ａは大きい抵抗値を示す。
【００２３】この種の非平衡スイッチング・デバイスの
場合、リンク１２ａの長さは、スイッチングを高速にす
るために短くするのが望ましい。これまでのデバイスで
は、注入電極領域から注入されたかなりの数にのぼる準
粒子がバンクに拡散するためにこうした短リンク・デバ
イスの動作が損なわれた。動作時には、バンクの撹乱は
最小限にするのが望ましい。この拡散はリンクの準粒子
密度を抑え、リンクを定常常態に移行させるために高い
注入電流が必要になる。すなわち従来の短リンク・デバ
イスでは、注入効率は下がる。しかし、この発明のデバ
イス１０は、注入された準粒子をリンク１２ａ自体に閉
じ込めることによって、これまでのデバイスを上回る注
入効率を示し、高いデバイス・ゲインが得られる。
場合、リンク１２ａの長さは、スイッチングを高速にす
るために短くするのが望ましい。これまでのデバイスで
は、注入電極領域から注入されたかなりの数にのぼる準
粒子がバンクに拡散するためにこうした短リンク・デバ
イスの動作が損なわれた。動作時には、バンクの撹乱は
最小限にするのが望ましい。この拡散はリンクの準粒子
密度を抑え、リンクを定常常態に移行させるために高い
注入電流が必要になる。すなわち従来の短リンク・デバ
イスでは、注入効率は下がる。しかし、この発明のデバ
イス１０は、注入された準粒子をリンク１２ａ自体に閉
じ込めることによって、これまでのデバイスを上回る注
入効率を示し、高いデバイス・ゲインが得られる。
【００２４】もう１つ、この発明によって得られる構造
上の重要な特性は、デバイス１０における結果的に得ら
れる物質の連続性により、非平衡フォノンがリンク領域
に閉じ込められないことである。すなわちフォノン・ト
ラップ効果（これはデバイスのターンオフ時間を制限す
ることが知られている）が減少する。さらにフォノン・
トラップ効果は、上層の高遷移温度膜と実質上同一の物
質の被膜を基板または下層として用いることによって、
実質上ゼロにまで抑えることができる。下層の物質で
は、わずかな位置変化または破損がその内部で発生し、
下層が絶縁状態となる。この方法は、下層と超電導体と
の間の音響整列性が優れていることから、フォノン・ト
ラップを実質上なくしてしまうのに用いることができ
る。上層も同様に使用できる。下層に変更を加えてこの
効果を実現するのに適した方法としては、酸素が不充分
なＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7を基板または下層として提供し、そ
の上にＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7の超電導薄膜を置くケースが考
えられる。
上の重要な特性は、デバイス１０における結果的に得ら
れる物質の連続性により、非平衡フォノンがリンク領域
に閉じ込められないことである。すなわちフォノン・ト
ラップ効果（これはデバイスのターンオフ時間を制限す
ることが知られている）が減少する。さらにフォノン・
トラップ効果は、上層の高遷移温度膜と実質上同一の物
質の被膜を基板または下層として用いることによって、
実質上ゼロにまで抑えることができる。下層の物質で
は、わずかな位置変化または破損がその内部で発生し、
下層が絶縁状態となる。この方法は、下層と超電導体と
の間の音響整列性が優れていることから、フォノン・ト
ラップを実質上なくしてしまうのに用いることができ
る。上層も同様に使用できる。下層に変更を加えてこの
効果を実現するのに適した方法としては、酸素が不充分
なＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7を基板または下層として提供し、そ
の上にＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7の超電導薄膜を置くケースが考
えられる。
【００２５】図３は、注入接合の別の構造を示す。これ
は自己整列型であるため、整列許容差の条件が緩和され
る。図３の例では、超電導リンク構造２０をつくるベー
ス膜は、上層の常態または超電導状態の対電極２２の下
に置かれ、リンク領域全体に延びるプレーナ接合２４を
つくるトンネル酸化物の層によって対電極２２と分離さ
れる。構造２０の超電導膜のｃ軸の向きは図１に示すと
おりである。すなわち、ベース膜の結晶学上の底面は基
板１８に対して直角に向けられ、ｃ軸は、ベース電極の
幅が狭いリンク領域の長軸に整列される。トンネル接合
の電圧は、先の式（１）であらわされるように、２つの
ギャップ値の間になるように選択され、大きいギャップ
の方向に運動量を示す準粒子は最小限に注入されるにと
どまる。したがって、準粒子密度がかなり高くなり、第
１実施例のように（図１）、対電極２２の下のリンク領
域に閉じ込められる。
は自己整列型であるため、整列許容差の条件が緩和され
る。図３の例では、超電導リンク構造２０をつくるベー
ス膜は、上層の常態または超電導状態の対電極２２の下
に置かれ、リンク領域全体に延びるプレーナ接合２４を
つくるトンネル酸化物の層によって対電極２２と分離さ
れる。構造２０の超電導膜のｃ軸の向きは図１に示すと
おりである。すなわち、ベース膜の結晶学上の底面は基
板１８に対して直角に向けられ、ｃ軸は、ベース電極の
幅が狭いリンク領域の長軸に整列される。トンネル接合
の電圧は、先の式（１）であらわされるように、２つの
ギャップ値の間になるように選択され、大きいギャップ
の方向に運動量を示す準粒子は最小限に注入されるにと
どまる。したがって、準粒子密度がかなり高くなり、第
１実施例のように（図１）、対電極２２の下のリンク領
域に閉じ込められる。
【００２６】図１、図３と同様のベース膜のジオメトリ
は、上層のトンネル領域がなくても採用できることに注
意されたい。図２のベース膜１２は入射電磁放射線を吸
収し、リンク１２ａの領域はフォトンの吸収によって撹
乱される。エネルギ・ギャップを超えるエネルギを有す
るフォトンは電子対を破壊するため、粒子密度が増加す
る。もし次式が満足されるならば、この発明に従って、
ｃ軸方向に運動量を示す準粒子だけが生成される。
は、上層のトンネル領域がなくても採用できることに注
意されたい。図２のベース膜１２は入射電磁放射線を吸
収し、リンク１２ａの領域はフォトンの吸収によって撹
乱される。エネルギ・ギャップを超えるエネルギを有す
るフォトンは電子対を破壊するため、粒子密度が増加す
る。もし次式が満足されるならば、この発明に従って、
ｃ軸方向に運動量を示す準粒子だけが生成される。
【００２７】
【数２】 ２△ｃ＜ξω＜２△ａ ここでξはプランク定数、ωは入射放射線の波長、これ
に代えて、リンク１２ａ領域の超電導膜を、磁界（これ
も方向効果を示す）によって撹乱することも可能であ
る。
に代えて、リンク１２ａ領域の超電導膜を、磁界（これ
も方向効果を示す）によって撹乱することも可能であ
る。
【００２８】この発明の他の弱リンク例を図４、図５に
示した。図４では、エネルギ・ギャップの小さいｃ軸が
基板１８の面に対して垂直になるように超電導ベース膜
２６を基板１８上に配置する。常態または超電導状態の
注入膜または対電極２８は、トンネル・バリアによって
ベース膜２６から分離され、プレーナ接合３０を形成す
る。電流は大きいギャップ（ａ、ｂ）の方向に流れ、小
さいギャップ（ｃ）の方向にトンネル注入が生じる。図
５では、超電導ベース膜３２は、小さいギャップ（ｃ）
の軸が基板１８の面にあって、注入膜３４の長軸に平行
になるように基板１８上に配置される。注入膜３４は、
トンネル・バリアによってベース膜３２から分離され、
２つのエッジ接合３６を成す。電流は大きいギャップ
（ａ、ｂ）の方向に流れ、小さいギャップ（ｃ）の方向
にトンネル接合が生じる。本発明に従って、準粒子の注
入にギャップの小さいｃ軸方向を用いるのは、リンクを
常態に移行させるのに必要な注入電流が少ないことを意
味する。
示した。図４では、エネルギ・ギャップの小さいｃ軸が
基板１８の面に対して垂直になるように超電導ベース膜
２６を基板１８上に配置する。常態または超電導状態の
注入膜または対電極２８は、トンネル・バリアによって
ベース膜２６から分離され、プレーナ接合３０を形成す
る。電流は大きいギャップ（ａ、ｂ）の方向に流れ、小
さいギャップ（ｃ）の方向にトンネル注入が生じる。図
５では、超電導ベース膜３２は、小さいギャップ（ｃ）
の軸が基板１８の面にあって、注入膜３４の長軸に平行
になるように基板１８上に配置される。注入膜３４は、
トンネル・バリアによってベース膜３２から分離され、
２つのエッジ接合３６を成す。電流は大きいギャップ
（ａ、ｂ）の方向に流れ、小さいギャップ（ｃ）の方向
にトンネル接合が生じる。本発明に従って、準粒子の注
入にギャップの小さいｃ軸方向を用いるのは、リンクを
常態に移行させるのに必要な注入電流が少ないことを意
味する。
【００２９】図４、図５に示したケースでは、注入によ
って準粒子密度が高くなり、注入エネルギが、ギャップ
がａ−ｂ面のギャップ値よりも小さい電子対を破壊する
のに充分な程度であっても、どの結晶方向においてもエ
ネルギ・ギャップが弱まる。これは、準粒子密度とエネ
ルギ・ギャップが、各結晶方向を結び付けるように関係
づけられているからである。したがって、１方向に運動
量を示す準粒子を追加することによって、エネルギ・ギ
ャップはどの方向でも弱まる。この他、１方向は常電導
性に、他の方向は超電導性とすることも可能である。こ
れは観測されていないケースである。
って準粒子密度が高くなり、注入エネルギが、ギャップ
がａ−ｂ面のギャップ値よりも小さい電子対を破壊する
のに充分な程度であっても、どの結晶方向においてもエ
ネルギ・ギャップが弱まる。これは、準粒子密度とエネ
ルギ・ギャップが、各結晶方向を結び付けるように関係
づけられているからである。したがって、１方向に運動
量を示す準粒子を追加することによって、エネルギ・ギ
ャップはどの方向でも弱まる。この他、１方向は常電導
性に、他の方向は超電導性とすることも可能である。こ
れは観測されていないケースである。
【００３０】図６は、電極が異方性超電導膜であるダブ
ル・トンネル接合構造を示す。２つのエッジ接合３８、
４０が超電導ベース電極４２を共有する。簡単のため、
結晶配向がベース膜４２、第１注入膜４４及び第２注入
膜４６において同一であるケースを考える。図６の構造
では、各膜は、結晶学上の底面が基板１８に対して垂直
になるように配向される。よってΔａ＞Δｃである。接
合３８、４０がエッジ接合であるときのＩ−Ｖ特性は図
７に示すとおりである。ここで曲線“Ａ”は接合３８
に、曲線“Ｂ”は接合４０に対応する。２つの電流・電
圧特性は、ｃ軸または小ギャップ方向（曲線Ａ）とａ軸
または大ギャップ方向（曲線Ｂ）にトンネル効果が生じ
るトンネル接合に関係する。バイアス電圧が、関連する
エネルギ・ギャップ２Δc（曲線Ａ）、２Δa（曲線Ｂ）
の２倍を超えるときに接合電流が急上昇する。
ル・トンネル接合構造を示す。２つのエッジ接合３８、
４０が超電導ベース電極４２を共有する。簡単のため、
結晶配向がベース膜４２、第１注入膜４４及び第２注入
膜４６において同一であるケースを考える。図６の構造
では、各膜は、結晶学上の底面が基板１８に対して垂直
になるように配向される。よってΔａ＞Δｃである。接
合３８、４０がエッジ接合であるときのＩ−Ｖ特性は図
７に示すとおりである。ここで曲線“Ａ”は接合３８
に、曲線“Ｂ”は接合４０に対応する。２つの電流・電
圧特性は、ｃ軸または小ギャップ方向（曲線Ａ）とａ軸
または大ギャップ方向（曲線Ｂ）にトンネル効果が生じ
るトンネル接合に関係する。バイアス電圧が、関連する
エネルギ・ギャップ２Δc（曲線Ａ）、２Δa（曲線Ｂ）
の２倍を超えるときに接合電流が急上昇する。
【００３１】図８は、図６のデバイスの一部断面を説明
するために、注入膜４６及びベース膜４２の勾配を持つ
エッジの間に形成された領域（破線）としてのエッジ接
合４０を示す。ベース膜のエッジ勾配は代表値で３０゜
ないし６０゜の範囲である。ベース膜４２と注入膜４６
の間には薄いトンネル・バリア４８が介在する。
するために、注入膜４６及びベース膜４２の勾配を持つ
エッジの間に形成された領域（破線）としてのエッジ接
合４０を示す。ベース膜のエッジ勾配は代表値で３０゜
ないし６０゜の範囲である。ベース膜４２と注入膜４６
の間には薄いトンネル・バリア４８が介在する。
【００３２】図９は、上記と同様のダブル・トンネル接
合構造を示す。電極は異方性超電導膜である。１つのエ
ッジ接合５０と１つのプレーナ接合５２が、超電導ベー
ス電極５４を共有し、プレーナ接合５２は、基板１８と
垂直に整列する小ギャップ（ｃ）方向をサンプリングす
る。ここでも簡単のため、結晶配向は、ベース膜５４、
第１注入膜５６及び第２注入膜５８において同一である
ケースを考える。図９の構造では、結晶学上の底面が基
板１８に平行になるように各膜を配向する。
合構造を示す。電極は異方性超電導膜である。１つのエ
ッジ接合５０と１つのプレーナ接合５２が、超電導ベー
ス電極５４を共有し、プレーナ接合５２は、基板１８と
垂直に整列する小ギャップ（ｃ）方向をサンプリングす
る。ここでも簡単のため、結晶配向は、ベース膜５４、
第１注入膜５６及び第２注入膜５８において同一である
ケースを考える。図９の構造では、結晶学上の底面が基
板１８に平行になるように各膜を配向する。
【００３３】図６、図９いずれの構造でも、ベース電極
膜の寸法は、準粒子拡散長すなわち数千オングストロー
ムのオーダである。小ギャップ（ｃ）接合に対して、２
Δc ＜ｅＶ＜２Δa となるようにバイアスがかかると、
ベース電極膜に非平衡準粒子が注入される。被膜のエネ
ルギ・ギャップは、注入された準粒子が、撹乱されてい
ない被膜のａ軸方向に準粒子として伝播するのに充分な
エネルギを有さなくても、大ギャップと小ギャップの両
方が少なくなるように、準粒子密度に自己整列的に関連
する。これらの構造は非平衡型デバイスに採用できる。
膜の寸法は、準粒子拡散長すなわち数千オングストロー
ムのオーダである。小ギャップ（ｃ）接合に対して、２
Δc ＜ｅＶ＜２Δa となるようにバイアスがかかると、
ベース電極膜に非平衡準粒子が注入される。被膜のエネ
ルギ・ギャップは、注入された準粒子が、撹乱されてい
ない被膜のａ軸方向に準粒子として伝播するのに充分な
エネルギを有さなくても、大ギャップと小ギャップの両
方が少なくなるように、準粒子密度に自己整列的に関連
する。これらの構造は非平衡型デバイスに採用できる。
【００３４】各構造は、この発明に従って、Δaをゼロ
に下げるのに２Δaよりも低い電圧における接合が利用
できるというユニークな性質を示す。つまり電圧ゲイン
が利用できる。また、同じ電圧を小ギャップ（ｃ）接合
ではなく大ギャップ接合に印加しても、準粒子がかなり
注入されることはないという意味で、２つの注入電極が
分離される。もちろん２つの接合の臨界電流密度は個別
に選択できる。さらに、超電導体の臨界温度よりもかな
り低い温度で動作する常態金属膜を注入電極に使用する
ことによっても、デバイスのＩ−Ｖ特性が明確な非線形
性を示す。
に下げるのに２Δaよりも低い電圧における接合が利用
できるというユニークな性質を示す。つまり電圧ゲイン
が利用できる。また、同じ電圧を小ギャップ（ｃ）接合
ではなく大ギャップ接合に印加しても、準粒子がかなり
注入されることはないという意味で、２つの注入電極が
分離される。もちろん２つの接合の臨界電流密度は個別
に選択できる。さらに、超電導体の臨界温度よりもかな
り低い温度で動作する常態金属膜を注入電極に使用する
ことによっても、デバイスのＩ−Ｖ特性が明確な非線形
性を示す。
【００３５】また、大ギャップの異方性は他の物質、な
かでも人工的に多層化された超格子においても得られる
と言える。ここから、この発明は、単一または名目上の
多結晶膜にのみ限定されるとみるものではない。さらに
この発明は、高遷移温度の超電導物質に限定されるもの
ではなく、異方性を示す遷移温度の低い超電導物質にも
適用できる。そしてこの発明の実施例を、ここで明示し
た高遷移温度の超電導化合物に限定する意図もない。
かでも人工的に多層化された超格子においても得られる
と言える。ここから、この発明は、単一または名目上の
多結晶膜にのみ限定されるとみるものではない。さらに
この発明は、高遷移温度の超電導物質に限定されるもの
ではなく、異方性を示す遷移温度の低い超電導物質にも
適用できる。そしてこの発明の実施例を、ここで明示し
た高遷移温度の超電導化合物に限定する意図もない。
【００３６】
【発明の効果】本発明は、デバイスを構成する超電導物
質のエネルギ・ギャップの異方性に従って動作する電気
デバイスを提供することができる。
質のエネルギ・ギャップの異方性に従って動作する電気
デバイスを提供することができる。
【図１】Ｔcの高い超電導物質より成るベース膜と、常
態またはＴcの高い超電導物質より成る上層の注入膜と
を含む薄膜デバイスの第１実施例の平面拡大図である。
態またはＴcの高い超電導物質より成る上層の注入膜と
を含む薄膜デバイスの第１実施例の平面拡大図である。
【図２】放射線の吸収によって準粒子を与える実施例の
平面拡大図である。
平面拡大図である。
【図３】Ｔc の高い超電導物質より成るベース膜を含む
薄膜デバイスの第２実施例の平面拡大図である。
薄膜デバイスの第２実施例の平面拡大図である。
【図４】上層の注入膜とのプレーナ・トンネル接合を作
る、Ｔc の高い超電導物質より成るベース膜を含む薄膜
デバイスの第３実施例の平面拡大図である。
る、Ｔc の高い超電導物質より成るベース膜を含む薄膜
デバイスの第３実施例の平面拡大図である。
【図５】上層の注入膜との間に２つのエッジ・トンネル
接合を形成する、Ｔc の高い超電導物質より成るベース
膜を含む薄膜デバイスの第４実施例の平面拡大図であ
る。
接合を形成する、Ｔc の高い超電導物質より成るベース
膜を含む薄膜デバイスの第４実施例の平面拡大図であ
る。
【図６】上層の２つの注入膜の各々との間にダブル・エ
ッジ・トンネル接合を形成する、Ｔc の高い超電導物質
より成るベース膜を含む薄膜デバイスの第５実施例の平
面拡大図である。
ッジ・トンネル接合を形成する、Ｔc の高い超電導物質
より成るベース膜を含む薄膜デバイスの第５実施例の平
面拡大図である。
【図７】図６の２つのエッジ・トンネル接合の各々のＩ
−Ｖ特性をあらわすＩ−Ｖ曲線の図である。
−Ｖ特性をあらわすＩ−Ｖ曲線の図である。
【図８】図６のエッジ・トンネル接合の１つの断面図で
ある。
ある。
【図９】上層の２つの注入膜との間に１つのエッジ・ト
ンネル接合と１つのプレーナ接合を形成する、Ｔc の高
い超電導物質より成るベース膜を含む薄膜デバイスの第
６実施例の平面拡大図である。
ンネル接合と１つのプレーナ接合を形成する、Ｔc の高
い超電導物質より成るベース膜を含む薄膜デバイスの第
６実施例の平面拡大図である。
フロントページの続き (72)発明者 アラン・ウィリス・クラインサッサ アメリカ合衆国ニューヨーク州、パトナ ム・ヴァリ、スターヴュ・アヴェニュ 68番地 (56)参考文献 特開 平１−101676（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−160675（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−76890（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−144688（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−27613（ＪＰ，Ａ)
Claims (13)
- 【請求項１】基板上に形成された超電導スイッチング・
デバイスであって、 第１結晶軸に沿ったエネルギ・ギャップが他の結晶軸に
沿ったエネルギ・ギャップよりも小さい異方性エネルギ
・ギャップの超電導物質層より成る第１電極手段と、 バイアス電圧の影響下で準粒子を上記第１電極手段に注
入するように、上記第１電極手段との間にトンネル接合
を形成する少なくとも１つの注入電極手段とを具備し、 上記第１結晶軸は上記第１電極手段を流れる電子対の電
流の方向と同一になるように配列されており、 上記超電導物質の互いに直交する結晶軸をａ，ｂ，ｃと
し、上記第１電極手段の結晶学上の底面をａ−ｂ面と
し、上記超電導物質の上記結晶軸ａ，ｂ，ｃに沿ったエ
ネルギ・ギャップを△a，△b、△cとしたとき、ΔaとΔ
bがそれぞれΔcの少なくとも２倍であり、上記バイアス
電圧ｅＶが、 △c ＋ △i ＜ ｅＶ ＜ △a ＋ △i ここでΔiは上記注入電極手段のエネルギ・ギャップを
満足するように選ばれていることを特徴とする超電導ス
イッチング・デバイス。 - 【請求項２】上記トンネル接合がプレーナ接合である、
請求項１記載の超電導スイッチング・デバイス。 - 【請求項３】上記トンネル接合がエッジ接合である、請
求項１記載の超電導スイッチング・デバイス。 - 【請求項４】上記第１電極手段との間に第２トンネル接
合を形成する第２注入電極手段を含む、請求項１記載の
超電導スイッチング・デバイス。 - 【請求項５】上記トンネル接合の両方がエッジ接合であ
る、請求項４記載の超電導スイッチング・デバイス。 - 【請求項６】上記トンネル接合の一方がエッジ接合であ
り、他方がプレーナ接合である、請求項４記載の超電導
スイッチング・デバイス。 - 【請求項７】上記少なくとも１つの注入電極手段が、上
記第１電極手段の他の部分よりも幅の狭い該第１電極手
段の部分において該第１電極手段との間にトンネル接合
を形成する、請求項１記載の超電導スイッチング・デバ
イス。 - 【請求項８】上記トンネル接合がプレーナ接合であり、
上記第１軸が、上記幅の狭い部分の長軸と平行に整列す
る、請求項７記載の超電導スイッチング・デバイス。 - 【請求項９】トンネル接合面積が、上記幅の狭い部分に
関係する全面積に等しい、請求項７記載の超電導スイッ
チング・デバイス。 - 【請求項１０】上記トンネル接合がプレーナ接合であ
り、上記第１軸が基板面と垂直に整列している、請求項
７記載の超電導スイッチング・デバイス。 - 【請求項１１】上記少なくとも１つの注入電極手段が、
上記第１電極手段の他の部分よりも幅の狭い該第１電極
手段の部分において該第１電極手段との間に２つのエッ
ジ・トンネル接合を形成する、請求項７記載の超電導ス
イッチング・デバイス。 - 【請求項１２】少なくとも上記第１電極手段が、結晶学
上の底面が基板面と垂直に整列している遷移温度の高い
異方性超電導層より成る、請求項１記載の超電導スイッ
チング・デバイス。 - 【請求項１３】少なくとも上記第１電極手段が、結晶学
上の底面が基板面と平行に整列している遷移温度の高い
異方性超電導層より成る、請求項１記載の超電導スイッ
チング・デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/526,402 US5101243A (en) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Superconducting device structures employing anisotropy of the material energy gap |
| US526402 | 1990-05-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229668A JPH04229668A (ja) | 1992-08-19 |
| JP2500953B2 true JP2500953B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=24097188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094898A Expired - Lifetime JP2500953B2 (ja) | 1990-05-21 | 1991-04-02 | 超電導スイッチング・デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5101243A (ja) |
| EP (1) | EP0458013B1 (ja) |
| JP (1) | JP2500953B2 (ja) |
| DE (1) | DE69115119D1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04130679A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導接合 |
| US5627139A (en) * | 1990-09-24 | 1997-05-06 | The Regents Of The University Of California | High-temperature superconducting josephson devices having a barrier layer of a doped, cubic crystalline, conductive oxide material |
| JP3123164B2 (ja) * | 1991-01-11 | 2001-01-09 | 株式会社日立製作所 | 超電導デバイス |
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1990
- 1990-05-21 US US07/526,402 patent/US5101243A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-12 EP EP91101941A patent/EP0458013B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-12 DE DE69115119T patent/DE69115119D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-02 JP JP3094898A patent/JP2500953B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5101243A (en) | 1992-03-31 |
| EP0458013B1 (en) | 1995-12-06 |
| JPH04229668A (ja) | 1992-08-19 |
| EP0458013A2 (en) | 1991-11-27 |
| DE69115119D1 (de) | 1996-01-18 |
| EP0458013A3 (en) | 1992-03-11 |
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|
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|
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