JP2525018B2 - プラズマド―ピング方法 - Google Patents
プラズマド―ピング方法Info
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- JP2525018B2 JP2525018B2 JP62299241A JP29924187A JP2525018B2 JP 2525018 B2 JP2525018 B2 JP 2525018B2 JP 62299241 A JP62299241 A JP 62299241A JP 29924187 A JP29924187 A JP 29924187A JP 2525018 B2 JP2525018 B2 JP 2525018B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- temperature
- doping method
- plasma doping
- discharge
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造プロセスなどにおいて、
不純物層を形成するためのプラズマドーピング方法に関
する。
不純物層を形成するためのプラズマドーピング方法に関
する。
従来の技術 従来、不純物層を形成する方法の一つとして、プラズ
マを利用するドーピング方法がある。これは、被処理物
が配置された容器内に、不純物を含んだ物質を導入し、
この容器内に放電を行い、この放電によって生ずる不純
物のイオンを、被処理物の表面に導入して、不純物層を
形成するものである。
マを利用するドーピング方法がある。これは、被処理物
が配置された容器内に、不純物を含んだ物質を導入し、
この容器内に放電を行い、この放電によって生ずる不純
物のイオンを、被処理物の表面に導入して、不純物層を
形成するものである。
発明が解決しようとする問題点 しかし、上記の構成によれば、通常安定した放電が得
られる真空域たとえば５×10-2torr〜5torrでは、被処
理物表面の温度が上昇し、フォトレジストが使用でき
ず、被処理物のS1表面にＢ膜が形成されやすく低濃度の
ドーピング制御が困難であり、問題点であった。
られる真空域たとえば５×10-2torr〜5torrでは、被処
理物表面の温度が上昇し、フォトレジストが使用でき
ず、被処理物のS1表面にＢ膜が形成されやすく低濃度の
ドーピング制御が困難であり、問題点であった。
本発明は上記問題点を解決するもので、被処理物の表
面に、深さ方向の濃度が異なるものであっても、不純物
を均一に精度よく導入することができるプラズマドーピ
ング方法を提供することを目的とする。
面に、深さ方向の濃度が異なるものであっても、不純物
を均一に精度よく導入することができるプラズマドーピ
ング方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明は、内部に被処
理物が配置された真空チャンバー内に、不純物が含有さ
れた気体を導入し、前記被処理物に対する高周波放電を
間欠的に反復して行うことにより、被処理物の温度を所
定温度に維持しながら被処理物の表面に不純物層を形成
する構成としたものである。
理物が配置された真空チャンバー内に、不純物が含有さ
れた気体を導入し、前記被処理物に対する高周波放電を
間欠的に反復して行うことにより、被処理物の温度を所
定温度に維持しながら被処理物の表面に不純物層を形成
する構成としたものである。
作用 上記構成により、間欠的に高周波放電を行なって被処
理物の表面における温度上昇を抑制し、一度に行う放電
時間と間欠時間とを適宜に設定することにより、被処理
物の表面温度を任意に温度に変化させて、被処理物の表
面に導入される不純物の深さ方向に対する濃度プロファ
イルを変化させることができる。
理物の表面における温度上昇を抑制し、一度に行う放電
時間と間欠時間とを適宜に設定することにより、被処理
物の表面温度を任意に温度に変化させて、被処理物の表
面に導入される不純物の深さ方向に対する濃度プロファ
イルを変化させることができる。
実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図において、真空チャンバー１には、ガス導入口２
が開口されており、真空チャンバー１の内部には電極３
が配置されている。この電極３の上には被処理物４とし
て６インチのSi基板が載置されており、電極３には高周
波電源５が接続されている。この高周波電源５は13.56M
Hzの高周波を発生させるものであり、また６は陰極降下
電圧測定用の電圧計である。
第１図において、真空チャンバー１には、ガス導入口２
が開口されており、真空チャンバー１の内部には電極３
が配置されている。この電極３の上には被処理物４とし
て６インチのSi基板が載置されており、電極３には高周
波電源５が接続されている。この高周波電源５は13.56M
Hzの高周波を発生させるものであり、また６は陰極降下
電圧測定用の電圧計である。
上記の構成によれば、被処理物４にドーピングするた
めの不純物を含む気体としてB2H6（Heベース５％）を使
用し、この気体を真空チャンバー１の内部にガス導入口
２より10sccm導入する状態で、真空チャンバー１の中を
２×10-3torrの真空に保ち、電圧計６の値が−700Vとな
る電圧のもとに、高周波電源５より供給される高周波を
間欠的に電極３から放電する。そして、一度に行う放電
時間と間欠時間とを適宜の値に設定し、被処理物４の表
面温度を120℃に維持する。そして、のべ放電時間が100
秒となるように高周波放電を行う。第２図のａは上記し
たドーピングにより得られた不純物層のSIMS分析結果で
あり、表面付近でボロン濃度が約１×1021cm-3存在して
いることがわかる。そして同様にして、被処理物４の表
面温度を100℃に維持し、のべ放電時間を100秒とすると
第２図のｂに示すような結果となる。また同様にして、
被処理物４の表面温度が80℃に維持し、のべ放電時間を
100秒とすると第２図のｃに示すような結果となる。
めの不純物を含む気体としてB2H6（Heベース５％）を使
用し、この気体を真空チャンバー１の内部にガス導入口
２より10sccm導入する状態で、真空チャンバー１の中を
２×10-3torrの真空に保ち、電圧計６の値が−700Vとな
る電圧のもとに、高周波電源５より供給される高周波を
間欠的に電極３から放電する。そして、一度に行う放電
時間と間欠時間とを適宜の値に設定し、被処理物４の表
面温度を120℃に維持する。そして、のべ放電時間が100
秒となるように高周波放電を行う。第２図のａは上記し
たドーピングにより得られた不純物層のSIMS分析結果で
あり、表面付近でボロン濃度が約１×1021cm-3存在して
いることがわかる。そして同様にして、被処理物４の表
面温度を100℃に維持し、のべ放電時間を100秒とすると
第２図のｂに示すような結果となる。また同様にして、
被処理物４の表面温度が80℃に維持し、のべ放電時間を
100秒とすると第２図のｃに示すような結果となる。
このように、高周波電源５による間欠的な放電を行
い、一度に行う放電時間と間欠時間とを制御して、被処
理物４の表面温度を任意の温度に維持することにより、
不純物の濃度プロファイルを調節することができる。こ
のことにより、被処理物４の表面に均一な不純物層を形
成することができる。
い、一度に行う放電時間と間欠時間とを制御して、被処
理物４の表面温度を任意の温度に維持することにより、
不純物の濃度プロファイルを調節することができる。こ
のことにより、被処理物４の表面に均一な不純物層を形
成することができる。
なお、この実施例においては、被処理物４はSi基板と
したが、ドーピングするときのマスク材料にフォトレジ
ストを使用しても問題はない。
したが、ドーピングするときのマスク材料にフォトレジ
ストを使用しても問題はない。
発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、高周波放電を間
欠的に行うことにより、被処理物の表面温度を一定に維
持し、一度に行う放電時間および間欠時間を制御するこ
とによって被処理物の表面温度を、任意のものとするこ
とができ、このことによって、被処理物の表面に形成さ
れる不純物層の深さ方向における濃度プロファイルを調
節して、均一な不純物層を形成することができる。
欠的に行うことにより、被処理物の表面温度を一定に維
持し、一度に行う放電時間および間欠時間を制御するこ
とによって被処理物の表面温度を、任意のものとするこ
とができ、このことによって、被処理物の表面に形成さ
れる不純物層の深さ方向における濃度プロファイルを調
節して、均一な不純物層を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例のプラズマドーピング装置の
断面図、第２図は被処理物表面付近のSIMS分析結果を示
す図である。 １……真空チャンバー、２……ガス導入口、３……電
極、４……被処理物、５……高周波電源。
断面図、第２図は被処理物表面付近のSIMS分析結果を示
す図である。 １……真空チャンバー、２……ガス導入口、３……電
極、４……被処理物、５……高周波電源。
Claims (1)
- 【請求項１】内部に被処理物が配置された真空チャンバ
ー内に、不純物が含有された気体を導入し、前記被処理
物に対する高周波放電を間欠的に反復して行うことによ
り、被処理物の温度を所定温度に維持しながら被処理物
の表面に不純物層を形成するプラズマドーピング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62299241A JP2525018B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | プラズマド―ピング方法 |
| KR1019880009791A KR930003857B1 (ko) | 1987-08-05 | 1988-08-01 | 플라즈마 도우핑방법 |
| US07/228,216 US4937205A (en) | 1987-08-05 | 1988-08-04 | Plasma doping process and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62299241A JP2525018B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | プラズマド―ピング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140716A JPH01140716A (ja) | 1989-06-01 |
| JP2525018B2 true JP2525018B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=17869976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62299241A Expired - Lifetime JP2525018B2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-11-27 | プラズマド―ピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525018B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008103A (en) * | 1998-02-27 | 1999-12-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for forming trench capacitors in an integrated circuit |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62299241A patent/JP2525018B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01140716A (ja) | 1989-06-01 |
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