JP2531114B2 - 光強度分布解析方法 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光強度分布解析方法に関
し、特にホトリソグラフィに利用できる光強度分布解析
方法に関する。
し、特にホトリソグラフィに利用できる光強度分布解析
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光学プロジェクションシステムによるホ
トリソグラフィは、集積回路等の半導体デバイスの製造
工程において、基板表面上に所望のパターンのレジスト
膜を形成する最も基本的で重要な工程として広く用いら
れている。
トリソグラフィは、集積回路等の半導体デバイスの製造
工程において、基板表面上に所望のパターンのレジスト
膜を形成する最も基本的で重要な工程として広く用いら
れている。
【0003】上記光学プロジェクションシステムの構成
例を示す図3を参照すると、このプロジェクションシス
テムは、光源1と、光源1からの光を平行光線に変換す
るコンデンサレンズ2と、所望パターン101を含むマ
スク3と、パターン101の像を集光するレンズ4と、
レンズ4からの光の通過を制限する瞳5と、瞳5の通過
光を集光するレンズ6と、リソグラフィ対象の基板上の
イメージ面7とを含む。
例を示す図3を参照すると、このプロジェクションシス
テムは、光源1と、光源1からの光を平行光線に変換す
るコンデンサレンズ2と、所望パターン101を含むマ
スク3と、パターン101の像を集光するレンズ4と、
レンズ4からの光の通過を制限する瞳5と、瞳5の通過
光を集光するレンズ6と、リソグラフィ対象の基板上の
イメージ面7とを含む。
【0004】動作について説明すると、光源1上の1点
(pi ,qi )から出た光はコンデンサレンズ2で平行
光線になりマスク3を照明する。パターン101を透過
した光はレンズ4を通り瞳5上に至る。瞳5にできた光
の振幅分布は、パターン101のフーリエ変換F(f,
g)を(pi /λ,qi /λ)(λは光の波長)分だけ
平行移動したまのとしして次のように表される。
(pi ,qi )から出た光はコンデンサレンズ2で平行
光線になりマスク3を照明する。パターン101を透過
した光はレンズ4を通り瞳5上に至る。瞳5にできた光
の振幅分布は、パターン101のフーリエ変換F(f,
g)を(pi /λ,qi /λ)(λは光の波長)分だけ
平行移動したまのとしして次のように表される。
【0005】F(f−pi /λ,g−qi /λ) 瞳5には半円形の仕切り(アパーチャー)があり瞳5を
通過しようとする光を制限する。この表現のために光の
通過部分を1、不通過部分を0とする瞳関数P(−λZ
f,−λZg)を定義する。さらにレンズによる収差の
影響を次式で表し、瞳関数と共にK(f,g)を(1)
式で定義する。
通過しようとする光を制限する。この表現のために光の
通過部分を1、不通過部分を0とする瞳関数P(−λZ
f,−λZg)を定義する。さらにレンズによる収差の
影響を次式で表し、瞳関数と共にK(f,g)を(1)
式で定義する。
【0006】
【0007】
【0008】ただしZは瞳5とイメージ面7との距離で
ある。瞳5を通過した光は、F(f−pi /λ,g−q
i /λ)K(f,g)となる。上記光がレンズ6を通り
さらにイメージ面7に伝搬するとフーリエ変換されたか
たちになる。つまりイメージ面7の光の振幅分布は瞳5
の光の振幅分布のフーリエ変換である。プロジェクショ
ンシステムのイメージ面7での光強度分布は(2)式で
示される。
ある。瞳5を通過した光は、F(f−pi /λ,g−q
i /λ)K(f,g)となる。上記光がレンズ6を通り
さらにイメージ面7に伝搬するとフーリエ変換されたか
たちになる。つまりイメージ面7の光の振幅分布は瞳5
の光の振幅分布のフーリエ変換である。プロジェクショ
ンシステムのイメージ面7での光強度分布は(2)式で
示される。
【0009】
【0010】この種のプロジェクションシステムのCA
Dモデル解析に関する、プロジェクションによる2次元
イメージングモデルを生成する複数の手法と、レジスト
中の光線が表面に対し斜方向に伝搬する場合に対応する
3次元イメージングモデルの生成とを論じた、1985
年米国で発行のプロシーディングス・オフ・コダック・
マイクロエレクトニクス・セミナ・インターフエース’
85(Proceedings of Kodak M
icroelectronics Seminar I
NTERFACE’85)第115頁〜第126頁所載
の論文「モデリング・エーリアル・イメージズ・イン・
ツー・アンド・スリー・デメンションズ」(MODEL
ING AERIAL IMAGES IN TWO
ANDTHREE DIMENSIONS)(文献1)
に(2)式の計算方法が示されている。
Dモデル解析に関する、プロジェクションによる2次元
イメージングモデルを生成する複数の手法と、レジスト
中の光線が表面に対し斜方向に伝搬する場合に対応する
3次元イメージングモデルの生成とを論じた、1985
年米国で発行のプロシーディングス・オフ・コダック・
マイクロエレクトニクス・セミナ・インターフエース’
85(Proceedings of Kodak M
icroelectronics Seminar I
NTERFACE’85)第115頁〜第126頁所載
の論文「モデリング・エーリアル・イメージズ・イン・
ツー・アンド・スリー・デメンションズ」(MODEL
ING AERIAL IMAGES IN TWO
ANDTHREE DIMENSIONS)(文献1)
に(2)式の計算方法が示されている。
【0011】従来の光強度分布解析方法のフローチャー
トを示す図4を参照すると、文献1記載の(2)式の計
算方法はつぎの手順で行われる。
トを示す図4を参照すると、文献1記載の(2)式の計
算方法はつぎの手順で行われる。
【0012】ステップP2で、パターン101のフーリ
エ変換F(f,g)を算出する。ステップP3で、K
(f,g)を(1)式より求める。ステップP4で、上
記パターンのフーリーエ変換F(f,g)を光源1上の
点(pi ,qi )分平行移動しさらにK(f,g)を乗
じF(f−pi /λ,g−qi /λ)K(f,g)を生
成する。ステップP5で、ステップP4のフーリエ変換
をFFTにより行い、フーリェ変換T(FK)を求め
る。ステップP6で、ステップP4,P5を光源1上の
全ての点について行いステップP5の結果F(FK)の
絶対値の2乗の総和Σ|T(FK)|2 を求める。
エ変換F(f,g)を算出する。ステップP3で、K
(f,g)を(1)式より求める。ステップP4で、上
記パターンのフーリーエ変換F(f,g)を光源1上の
点(pi ,qi )分平行移動しさらにK(f,g)を乗
じF(f−pi /λ,g−qi /λ)K(f,g)を生
成する。ステップP5で、ステップP4のフーリエ変換
をFFTにより行い、フーリェ変換T(FK)を求め
る。ステップP6で、ステップP4,P5を光源1上の
全ての点について行いステップP5の結果F(FK)の
絶対値の2乗の総和Σ|T(FK)|2 を求める。
【0013】上記計算の手順では、始めにパターン10
1のフーリエ変換を行わなければならない。しかし、パ
ターン101の形状は任意に定義される多角形であり、
単純な長方形の場合もあるが、複雑な形状の場合も扱わ
なければならない。このような複雑な図形やその他の任
意に定義された多角形をフーリエ変換する方法について
論じたアイイーイーイー・トランザクション・オン・エ
レクトロン・デバイス(IEEE Transacti
ons on Electron Devices)第
ED−31,1984年,第6号,第753頁〜第76
2頁所載のM.D.レベンソンら(Levenson
et.al.)の論文「ザ・フエーズシフテイング・マ
スク2:イメージング・シミュレーションズ・アンド・
サブマイクロメータ・レジスト・エキスポジュァズ(T
he Phase−Shifting Mask I
I:Imaging Simulations and
Submicrometer Resist Exp
osures)(文献2)にこの種の計算方法が記載さ
れている。
1のフーリエ変換を行わなければならない。しかし、パ
ターン101の形状は任意に定義される多角形であり、
単純な長方形の場合もあるが、複雑な形状の場合も扱わ
なければならない。このような複雑な図形やその他の任
意に定義された多角形をフーリエ変換する方法について
論じたアイイーイーイー・トランザクション・オン・エ
レクトロン・デバイス(IEEE Transacti
ons on Electron Devices)第
ED−31,1984年,第6号,第753頁〜第76
2頁所載のM.D.レベンソンら(Levenson
et.al.)の論文「ザ・フエーズシフテイング・マ
スク2:イメージング・シミュレーションズ・アンド・
サブマイクロメータ・レジスト・エキスポジュァズ(T
he Phase−Shifting Mask I
I:Imaging Simulations and
Submicrometer Resist Exp
osures)(文献2)にこの種の計算方法が記載さ
れている。
【0014】図4を再度参照すると、文献2記載の従来
の光強度分布解析方法は、まず、図形をビットマップに
変換した後高速フーリエ変換(FFT)を行ない(ステ
ップP1)、その後ステップP2〜P6の手順に従い
(2)式の計算を行うというものである。
の光強度分布解析方法は、まず、図形をビットマップに
変換した後高速フーリエ変換(FFT)を行ない(ステ
ップP1)、その後ステップP2〜P6の手順に従い
(2)式の計算を行うというものである。
【0015】FFTは、周知のように、ある関数を一定
の間隔で標本化した離散値の各々毎にフーリエ変換した
離散フーリエ変換(DFT)の計算を、行列式の冗長性
を利用して効率よく行う手法である。したがって、FF
Tは任意の図形を変換できるという長所を有するが、上
記離散値を計算するため、本来のフーリエ変換とは厳密
には一致しない。
の間隔で標本化した離散値の各々毎にフーリエ変換した
離散フーリエ変換(DFT)の計算を、行列式の冗長性
を利用して効率よく行う手法である。したがって、FF
Tは任意の図形を変換できるという長所を有するが、上
記離散値を計算するため、本来のフーリエ変換とは厳密
には一致しない。
【0016】FFTの変換結果と本来のフーリエ変換と
の関係を示す図5を参照すると、ある関数のフーリエ変
換が図5(A)であると仮定する。その場合は上記関数
のFFT変換波形は図5(B)に示すような図5(A)
の波形の繰返し波形になる。また、波形の縁が重なり合
ってしまうため本来のフーリエ変換波形からずれてしま
う。
の関係を示す図5を参照すると、ある関数のフーリエ変
換が図5(A)であると仮定する。その場合は上記関数
のFFT変換波形は図5(B)に示すような図5(A)
の波形の繰返し波形になる。また、波形の縁が重なり合
ってしまうため本来のフーリエ変換波形からずれてしま
う。
【0017】上述のように、パターン101は光の通過
部分を1に不通過部分を0にそれぞれ設定したステップ
関数であり、このステップ関数のフーリエ変換は周波数
成分が高周波数領域にまで存在する。一方、このFFT
変換は標本化の過程で周波数制限され上記高周波成分が
除去されるので変換波形は必ず重なる。よってパターン
101のフーリエ変換にFFTを使うと計算の精度が低
下する。
部分を1に不通過部分を0にそれぞれ設定したステップ
関数であり、このステップ関数のフーリエ変換は周波数
成分が高周波数領域にまで存在する。一方、このFFT
変換は標本化の過程で周波数制限され上記高周波成分が
除去されるので変換波形は必ず重なる。よってパターン
101のフーリエ変換にFFTを使うと計算の精度が低
下する。
【0018】FFTを用いた場合、FFTを行う時の標
本化のメッシュの数が多いほど計算精度が増す。その理
由は、図5(B)の波形の繰返し周期が上記メッシュ数
を増加する程大きくなり重なりが小さくなるためであ
る。しかし、上記メッシュ数を多くすると、ステップP
5のフーリエ変換を行う時にメッシュ数N×Nに対して
Nlog2 N×Nlog2 Nに比例した時間がかかる。
このステップP5の計算は、光源1上の点全てについて
行うので回数が多く全計算時間のかなりの部分を占め
る。
本化のメッシュの数が多いほど計算精度が増す。その理
由は、図5(B)の波形の繰返し周期が上記メッシュ数
を増加する程大きくなり重なりが小さくなるためであ
る。しかし、上記メッシュ数を多くすると、ステップP
5のフーリエ変換を行う時にメッシュ数N×Nに対して
Nlog2 N×Nlog2 Nに比例した時間がかかる。
このステップP5の計算は、光源1上の点全てについて
行うので回数が多く全計算時間のかなりの部分を占め
る。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光強度
分布解析方法は、まず、ビットマップに変換したマスク
パターンをFFTによりフーリエ変換を行なうため、上
記FFT対応の標本化の過程における周波数制限により
計算精度が低下するという欠点があった。
分布解析方法は、まず、ビットマップに変換したマスク
パターンをFFTによりフーリエ変換を行なうため、上
記FFT対応の標本化の過程における周波数制限により
計算精度が低下するという欠点があった。
【0020】上記計算精度を向上するためには、FFT
の標本化する場合のメッシュ数を増加させる必要がある
が、上記メッシュ数を多くすると、上記マスクパターン
の平行移動および係数乗算後のFFTによるフーリエ変
換の時間が大幅に増加し全計算時間が遅くなるという欠
点があった。
の標本化する場合のメッシュ数を増加させる必要がある
が、上記メッシュ数を多くすると、上記マスクパターン
の平行移動および係数乗算後のFFTによるフーリエ変
換の時間が大幅に増加し全計算時間が遅くなるという欠
点があった。
【0021】本発明の光強度分布解析方法は、平行光を
供給する光源と、前記平行光の伝搬路中に配置され予め
定めた多角形のパターンを有するマスクと、前記マスク
の前記パターン対応の透過光の光量を予め定めた瞳関数
で制御する瞳と、前記瞳の通過光をイメージ面に集光す
るレンズとを含むプロジェクションシステムの前記イメ
ージ面における光強度の分布を解析する光強度分布解析
方法において、 前記多角形の全体を含む四角形又は三角形の外接図形を
設定しこの外接図形から前記多角形を除去した図形を分
解し三角形と四角形との組合せで表現するステップと、前記外接図形と 各々の前記三角形および前記四角形のフ
ーリェ変換を各々対応の解析式から算出するステップ
と、前記外接図形と 前記三角形および前記四角形のフーリェ
変換を加減算により合成し前記多角形のフーリェ変換を
得るステップと、 前記多角形のフーリェ変換と前記瞳関数との積を算出す
るステップと、 前記積をFFTにより逆変換するステップとを含むこと
を特徴とするものである。
供給する光源と、前記平行光の伝搬路中に配置され予め
定めた多角形のパターンを有するマスクと、前記マスク
の前記パターン対応の透過光の光量を予め定めた瞳関数
で制御する瞳と、前記瞳の通過光をイメージ面に集光す
るレンズとを含むプロジェクションシステムの前記イメ
ージ面における光強度の分布を解析する光強度分布解析
方法において、 前記多角形の全体を含む四角形又は三角形の外接図形を
設定しこの外接図形から前記多角形を除去した図形を分
解し三角形と四角形との組合せで表現するステップと、前記外接図形と 各々の前記三角形および前記四角形のフ
ーリェ変換を各々対応の解析式から算出するステップ
と、前記外接図形と 前記三角形および前記四角形のフーリェ
変換を加減算により合成し前記多角形のフーリェ変換を
得るステップと、 前記多角形のフーリェ変換と前記瞳関数との積を算出す
るステップと、 前記積をFFTにより逆変換するステップとを含むこと
を特徴とするものである。
【0022】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。
する。
【0023】図3のパターン101の一例を示す図2を
参照すると、この図に示す多角形のパターン101は、
パターン101の全体を含む矩形(以下四角形)100
から、直角三角形(以下三角形)102〜104および
四角形105〜107を除去した図形として定義され
る。これら四角形100,105〜107と三角形10
2〜104のフーリェ変換は角頂点の座標の関数として
解析的に与えられる。このように対象パターン101に
外接する四角形(外接図形)を設定しこの外接図形から
パターン101を除去した残余の図形を三角形および四
角形で分割して処理するのは、分割した三角形102〜
104や四角形105〜107の座標の基準点が外接四
角形100に接していることにより、パターン101を
直接三角形および四角形で分割する方法より分割処理の
アルゴリズムが単純化できるからである。
参照すると、この図に示す多角形のパターン101は、
パターン101の全体を含む矩形(以下四角形)100
から、直角三角形(以下三角形)102〜104および
四角形105〜107を除去した図形として定義され
る。これら四角形100,105〜107と三角形10
2〜104のフーリェ変換は角頂点の座標の関数として
解析的に与えられる。このように対象パターン101に
外接する四角形(外接図形)を設定しこの外接図形から
パターン101を除去した残余の図形を三角形および四
角形で分割して処理するのは、分割した三角形102〜
104や四角形105〜107の座標の基準点が外接四
角形100に接していることにより、パターン101を
直接三角形および四角形で分割する方法より分割処理の
アルゴリズムが単純化できるからである。
【0024】本発明の一実施例を示すフローチャートで
ある図1を参照して処理フローを説明すると、まず、ス
テップS1で、多角形のパターン101の全体を含む四
角形100を設定しこの四角形100からパターン10
1を除去した図形を四角形105〜107と三角形10
2〜104とに分解する。次に、ステップS2で、各々
の四角形100,105〜107および三角形102〜
104のフーリェ変換を対応する解析式により算出す
る。次に、ステップS3で、四角形100のフーリェ変
換から、三角形102〜104および四角形105〜1
07のそれぞれのフーリェ変換を減算することによりパ
ターン101のフーリェ変換を得ることができる。次
に、ステップS4で、このパターン101のフーリェ変
換と上述の従来の技術で説明した瞳5の瞳関数との積を
算出する。最後に、ステップS5で、上記積を用いて
(2)式を計算し光強度分布を得る。
ある図1を参照して処理フローを説明すると、まず、ス
テップS1で、多角形のパターン101の全体を含む四
角形100を設定しこの四角形100からパターン10
1を除去した図形を四角形105〜107と三角形10
2〜104とに分解する。次に、ステップS2で、各々
の四角形100,105〜107および三角形102〜
104のフーリェ変換を対応する解析式により算出す
る。次に、ステップS3で、四角形100のフーリェ変
換から、三角形102〜104および四角形105〜1
07のそれぞれのフーリェ変換を減算することによりパ
ターン101のフーリェ変換を得ることができる。次
に、ステップS4で、このパターン101のフーリェ変
換と上述の従来の技術で説明した瞳5の瞳関数との積を
算出する。最後に、ステップS5で、上記積を用いて
(2)式を計算し光強度分布を得る。
【0025】このように、パターン101のフーリエ変
換を求める場合、従来のビットマップ化したパターン1
01のFFTはまったく行わず、パターン101を直接
四角形と三角形との組合せに分解し、分解後の各々の図
形を解析的にフーリエ変換し、加減算によりパターン1
01のフーリエ変換を得る。
換を求める場合、従来のビットマップ化したパターン1
01のFFTはまったく行わず、パターン101を直接
四角形と三角形との組合せに分解し、分解後の各々の図
形を解析的にフーリエ変換し、加減算によりパターン1
01のフーリエ変換を得る。
【0026】本実施例により、パターン101の正確な
フーリエ変換が算出でき、この正確なマスクのフーリエ
変換を使って(2)式を計算できる。従来の技術で説明
したように、(2)式の計算の手順のステップP2〜P
6の中でフーリエ変換を行うのはステップP2,P5だ
けであり、他のステップP3,P4,P6は積分とは無
関係であり離散化による数値誤差は発生しない。ステッ
プP5は、FFTではなく本来のフーリエ変換を行えば
マスクパターン101による光強度分布の波形が1つ分
計算される。しかし、FFTによりフーリエ変換してい
るので、パターン101による光強度の繰返しが分布と
して計算されるがこれによる誤差は無視できる。したが
って、ステップP2のパターン101のフーリエ変換
を、本実施例のステップS1〜S3で解析式により行っ
た場合、全ての計算において離散化による誤差を含むこ
とがないので正確な計算ができる。
フーリエ変換が算出でき、この正確なマスクのフーリエ
変換を使って(2)式を計算できる。従来の技術で説明
したように、(2)式の計算の手順のステップP2〜P
6の中でフーリエ変換を行うのはステップP2,P5だ
けであり、他のステップP3,P4,P6は積分とは無
関係であり離散化による数値誤差は発生しない。ステッ
プP5は、FFTではなく本来のフーリエ変換を行えば
マスクパターン101による光強度分布の波形が1つ分
計算される。しかし、FFTによりフーリエ変換してい
るので、パターン101による光強度の繰返しが分布と
して計算されるがこれによる誤差は無視できる。したが
って、ステップP2のパターン101のフーリエ変換
を、本実施例のステップS1〜S3で解析式により行っ
た場合、全ての計算において離散化による誤差を含むこ
とがないので正確な計算ができる。
【0027】一方、FFTの計算時間は、パターン10
1をフーリエ変換するのにFFTあるいは解析的に算出
する方法のいずれの方法によるかに関係なく標本化のメ
ッシュ数が多い方が時間がかかる。パターン101をF
FTで変換する方法に比べて、解析的に求める方法は、
精度を上げるためにメッシュ数を増やす必要がないので
計算速度が速い。
1をフーリエ変換するのにFFTあるいは解析的に算出
する方法のいずれの方法によるかに関係なく標本化のメ
ッシュ数が多い方が時間がかかる。パターン101をF
FTで変換する方法に比べて、解析的に求める方法は、
精度を上げるためにメッシュ数を増やす必要がないので
計算速度が速い。
【0028】実際にマスクパターンの変換をFFTで行
うものとフーリエ変換によって行うものとについて光強
度分布の計算を実行した例では、後者の方が相当早いと
いう結果が得られている。また、標本化メッシュをそれ
ぞれ64×64,128×128,256×256と変
化させたところ、FFTの場合はメッシュ数によって光
強度分布が変わり、特にメッシュ数を少なくすると余分
なピークが出たが、マスクパターンを解析的にフーリエ
変換した場合は、メッシュ数によって光強度分布に変化
が見られず、また余分なピークも見られないという結果
が得られている。
うものとフーリエ変換によって行うものとについて光強
度分布の計算を実行した例では、後者の方が相当早いと
いう結果が得られている。また、標本化メッシュをそれ
ぞれ64×64,128×128,256×256と変
化させたところ、FFTの場合はメッシュ数によって光
強度分布が変わり、特にメッシュ数を少なくすると余分
なピークが出たが、マスクパターンを解析的にフーリエ
変換した場合は、メッシュ数によって光強度分布に変化
が見られず、また余分なピークも見られないという結果
が得られている。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光強度分
布解析方法は、多角形のマスクパターンの全体を含む外
接図形から上記マスクパターンを除去した図形を分解し
三角形と四角形との組合せで表現し、これら三角形と四
角形の各々毎に解析的にフーリェ変換を行うことにより
計算精度を向上できるという効果がある。また、このよ
うな分割方法を採用することにより分割アルゴリズムを
単純化できることと、計算精度向上のために標本化のメ
ッシュ数を増加する必要がないこととにより、計算速度
を向上できるという効果がある。
布解析方法は、多角形のマスクパターンの全体を含む外
接図形から上記マスクパターンを除去した図形を分解し
三角形と四角形との組合せで表現し、これら三角形と四
角形の各々毎に解析的にフーリェ変換を行うことにより
計算精度を向上できるという効果がある。また、このよ
うな分割方法を採用することにより分割アルゴリズムを
単純化できることと、計算精度向上のために標本化のメ
ッシュ数を増加する必要がないこととにより、計算速度
を向上できるという効果がある。
【図1】本発明の光強度分布解析方法の一実施例を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図2】本実施例の適用対象のマスクパターンの一例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図3】プロジェクションシステムの構成の一例を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図4】従来の光強度分布解析方法の一例を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図5】FFTによる変換とフーリエ変換との関係を示
す図である。
す図である。
1 光源 2 コンデンサレンズ 3 マスク 4,6 レンズ 5 瞳 7 イメージ面 100,105〜107 四角形 101 パターン 102〜104 三角形
Claims (2)
- 【請求項1】 平行光を供給する光源と、前記平行光の
伝搬路中に配置され予め定めた多角形のパターンを有す
るマスクと、前記マスクの前記パターン対応の透過光の
光量を予め定めた瞳関数で制御する瞳と、前記瞳の通過
光をイメージ面に集光するレンズとを含むプロジェクシ
ョンシステムの前記イメージ面における光強度の分布を
解析する光強度分布解析方法において、 前記多角形の全体を含む四角形又は三角形の外接図形を
設定しこの外接図形から前記多角形を除去した図形を分
解し三角形と四角形との組合せで表現するステップと、前記外接図形と 各々の前記三角形および前記四角形のフ
ーリェ変換を各々対応の解析式から算出するステップ
と、前記外接図形と 前記三角形および前記四角形のフーリェ
変換を加減算により合成し前記多角形のフーリェ変換を
得るステップと、 前記多角形のフーリェ変換と前記瞳関数との積を算出す
るステップと、 前記積をFFTにより逆変換するステップとを含むこと
を特徴とする光強度分布解析方法。 - 【請求項2】 前記外接図形を含む前記四角形が矩形又
は正方形であり、前記外接図形を含む前記三角形が直角
三角形であることを特徴とする請求項1記載の光強度分
布解析方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271111A JP2531114B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 光強度分布解析方法 |
| US08/332,144 US5502654A (en) | 1993-10-29 | 1994-10-31 | Method for analyzing light intensity distribution in projection systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271111A JP2531114B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 光強度分布解析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128138A JPH07128138A (ja) | 1995-05-19 |
| JP2531114B2 true JP2531114B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=17495495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5271111A Expired - Fee Related JP2531114B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 光強度分布解析方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5502654A (ja) |
| JP (1) | JP2531114B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6263299B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-07-17 | Lsi Logic Corporation | Geometric aerial image simulation |
| US6301697B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-10-09 | Nicolas B. Cobb | Streamlined IC mask layout optical and process correction through correction reuse |
| US6467076B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-10-15 | Nicolas Bailey Cobb | Method and apparatus for submicron IC design |
| JP4580134B2 (ja) * | 2000-01-20 | 2010-11-10 | エルエスアイ コーポレーション | 幾何学的エアリアルイメージシミュレーション |
| US7412676B2 (en) * | 2000-06-13 | 2008-08-12 | Nicolas B Cobb | Integrated OPC verification tool |
| US6425113B1 (en) * | 2000-06-13 | 2002-07-23 | Leigh C. Anderson | Integrated verification and manufacturability tool |
| US6430737B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-08-06 | Mentor Graphics Corp. | Convergence technique for model-based optical and process correction |
| JP4671473B2 (ja) * | 2000-07-14 | 2011-04-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マスクデータ補正装置、転写用マスクの製造方法、および、パターン構造を有する装置の製造方法 |
| US6574784B1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-06-03 | George P. Lippincott | Short edge management in rule based OPC |
| US7013439B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-03-14 | Juan Andres Torres Robles | Contrast based resolution enhancing technology |
| US7293249B2 (en) * | 2002-01-31 | 2007-11-06 | Juan Andres Torres Robles | Contrast based resolution enhancement for photolithographic processing |
| US6973633B2 (en) * | 2002-07-24 | 2005-12-06 | George Lippincott | Caching of lithography and etch simulation results |
| US6857109B2 (en) * | 2002-10-18 | 2005-02-15 | George P. Lippincott | Short edge smoothing for enhanced scatter bar placement |
| US6928634B2 (en) * | 2003-01-02 | 2005-08-09 | Yuri Granik | Matrix optical process correction |
| US7073162B2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-07-04 | Mentor Graphics Corporation | Site control for OPC |
| US7539954B2 (en) * | 2004-02-24 | 2009-05-26 | Konstantinos Adam | OPC simulation model using SOCS decomposition of edge fragments |
| US7536660B2 (en) * | 2004-02-24 | 2009-05-19 | Konstantinos Adam | OPC simulation model using SOCS decomposition of edge fragments |
| US7234130B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-06-19 | James Word | Long range corrections in integrated circuit layout designs |
| US7861207B2 (en) | 2004-02-25 | 2010-12-28 | Mentor Graphics Corporation | Fragmentation point and simulation site adjustment for resolution enhancement techniques |
| US8799830B2 (en) * | 2004-05-07 | 2014-08-05 | Mentor Graphics Corporation | Integrated circuit layout design methodology with process variation bands |
| US7240305B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-07-03 | Lippincott George P | OPC conflict identification and edge priority system |
| US7459248B2 (en) * | 2005-02-24 | 2008-12-02 | James Word | Performing OPC on structures with virtual edges |
| US8037429B2 (en) * | 2005-03-02 | 2011-10-11 | Mentor Graphics Corporation | Model-based SRAF insertion |
| US7493587B2 (en) * | 2005-03-02 | 2009-02-17 | James Word | Chromeless phase shifting mask for integrated circuits using interior region |
| US7434199B2 (en) * | 2005-09-27 | 2008-10-07 | Nicolas Bailey Cobb | Dense OPC |
| US7712068B2 (en) * | 2006-02-17 | 2010-05-04 | Zhuoxiang Ren | Computation of electrical properties of an IC layout |
| US7506285B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-03-17 | Mohamed Al-Imam | Multi-dimensional analysis for predicting RET model accuracy |
| US8056022B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-11-08 | Mentor Graphics Corporation | Analysis optimizer |
| US7966585B2 (en) | 2006-12-13 | 2011-06-21 | Mentor Graphics Corporation | Selective shielding for multiple exposure masks |
| US7802226B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-09-21 | Mentor Graphics Corporation | Data preparation for multiple mask printing |
| US7739650B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-06-15 | Juan Andres Torres Robles | Pre-bias optical proximity correction |
| US7799487B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-09-21 | Ayman Yehia Hamouda | Dual metric OPC |
| US8713483B2 (en) | 2007-06-05 | 2014-04-29 | Mentor Graphics Corporation | IC layout parsing for multiple masks |
| US7805699B2 (en) * | 2007-10-11 | 2010-09-28 | Mentor Graphics Corporation | Shape-based photolithographic model calibration |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286460A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | 2次元フ−リエ変換算出装置 |
| JPH0254372A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Hitachi Ltd | フォトリソグラフィシミュレーション方法 |
| US5075883A (en) * | 1991-01-03 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Analog and analytical computation method for determining detector MTF |
| US5420417A (en) * | 1991-10-08 | 1995-05-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with light distribution adjustment |
| JPH06109647A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP5271111A patent/JP2531114B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-31 US US08/332,144 patent/US5502654A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5502654A (en) | 1996-03-26 |
| JPH07128138A (ja) | 1995-05-19 |
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Legal Events
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