JP2570948B2 - 光記録方法 - Google Patents
光記録方法Info
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- JP2570948B2 JP2570948B2 JP4209943A JP20994392A JP2570948B2 JP 2570948 B2 JP2570948 B2 JP 2570948B2 JP 4209943 A JP4209943 A JP 4209943A JP 20994392 A JP20994392 A JP 20994392A JP 2570948 B2 JP2570948 B2 JP 2570948B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光変調ダイレクト・
オーバライト可能な光磁気記録媒体の光記録方法に係
り、特に高密度記録性能の向上に関するものである。
オーバライト可能な光磁気記録媒体の光記録方法に係
り、特に高密度記録性能の向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は例えば特開平３−２１９４４９号
公報に示された従来の光磁気記録媒体を示す構成図、図
３は図２に示す光磁気記録媒体への記録を行う記録装置
の概要を示す斜視図である。図において、１は基板、２
はこの基板１上に形成され垂直磁気異方性を有する第１
磁性層、３はこの第１磁性層２に設けられ交換力で第１
磁性層２と結合される第２磁性層、４は第３磁性層、５
は第４磁性層で、これら１〜５で記録媒体１０を構成し
ている。６は記録媒体１０を回転駆動する駆動モータ、
７はレーザ光８を出射する半導体レーザ、９は半導体レ
ーザ７から出射されるレーザ光８を集光し、記録媒体１
０上に入射する集光レンズ、１１はバイアス磁界を発生
させるバイアス磁石である。
公報に示された従来の光磁気記録媒体を示す構成図、図
３は図２に示す光磁気記録媒体への記録を行う記録装置
の概要を示す斜視図である。図において、１は基板、２
はこの基板１上に形成され垂直磁気異方性を有する第１
磁性層、３はこの第１磁性層２に設けられ交換力で第１
磁性層２と結合される第２磁性層、４は第３磁性層、５
は第４磁性層で、これら１〜５で記録媒体１０を構成し
ている。６は記録媒体１０を回転駆動する駆動モータ、
７はレーザ光８を出射する半導体レーザ、９は半導体レ
ーザ７から出射されるレーザ光８を集光し、記録媒体１
０上に入射する集光レンズ、１１はバイアス磁界を発生
させるバイアス磁石である。
【０００３】次に、上記のように構成される従来の光磁
気記録媒体のオーバライト動作について説明する。ま
ず、記録媒体１０は成膜後、第２〜第４磁性層３、４、
５の遷移金属副格子磁気モーメントを最初に一度だけ下
向きに配向させておき、バイアス磁界はバイアス磁石１
１により上向きに発生させる。図４において、白抜き矢
印は磁化を、白抜き矢印中の矢印または単独で示す矢印
は遷移金属副格子磁気モーメントを、斜線部は各磁性層
間で磁壁が生じている状態を、横棒線はキュリー温度以
上に昇温し強磁性が失われている状態をそれぞれ示して
いる。
気記録媒体のオーバライト動作について説明する。ま
ず、記録媒体１０は成膜後、第２〜第４磁性層３、４、
５の遷移金属副格子磁気モーメントを最初に一度だけ下
向きに配向させておき、バイアス磁界はバイアス磁石１
１により上向きに発生させる。図４において、白抜き矢
印は磁化を、白抜き矢印中の矢印または単独で示す矢印
は遷移金属副格子磁気モーメントを、斜線部は各磁性層
間で磁壁が生じている状態を、横棒線はキュリー温度以
上に昇温し強磁性が失われている状態をそれぞれ示して
いる。
【０００４】図４（Ａ）において、まず、半導体レーザ
７の出力を再生時より上昇させ、レーザ光８の集光スポ
ット内の各磁性層を第１磁性層２のキュリー温度近傍ま
で昇温させると、第２磁性層３の副格子磁化方向は変化
せず、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁性層２に転写
され、第１磁性層２の副格子磁化は下向きになる。この
とき、第３および第４磁性層４、５は動作に対して特に
寄与することはなく、第３磁性層４の磁化が消失しても
第４磁性層５との交換力で再び同方向に磁化され、状態
「０」、すなわち低パワープロセスが行われる。
７の出力を再生時より上昇させ、レーザ光８の集光スポ
ット内の各磁性層を第１磁性層２のキュリー温度近傍ま
で昇温させると、第２磁性層３の副格子磁化方向は変化
せず、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁性層２に転写
され、第１磁性層２の副格子磁化は下向きになる。この
とき、第３および第４磁性層４、５は動作に対して特に
寄与することはなく、第３磁性層４の磁化が消失しても
第４磁性層５との交換力で再び同方向に磁化され、状態
「０」、すなわち低パワープロセスが行われる。
【０００５】又、図４（Ｂ）において、第２磁性層３の
キュリー温度近傍まで上記低パワープロセスと同様にし
て昇温させると、第１および第３磁性層２、４の磁化は
消失するが、第４磁性層５の副格子磁化方向は変化しな
い。そして、第１および第３磁性層２、４からの交換力
を受けず、第２磁性層３の副格子磁化はバイアス磁界に
より上向きになる。次に、第１磁性層２のキュリー温度
より降温させると、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁
性層２に転写され、第１磁性層２の副格子磁化は上向き
になる。又、第３磁性層４のキュリー温度より降温させ
ると、第３磁性層４の副格子磁化は第４磁性層５と揃い
下向きになる。さらに温度が下がり第２磁性層３の副格
子磁化は第３磁性層４を介して第４磁性層５の副格子磁
化と揃い下向きとなって、状態「１」、すなわち高パワ
ープロセスが行われる。以上のようにして、記録レーザ
光強度を少なくとも２値に変調することでオーバライト
が可能になる。
キュリー温度近傍まで上記低パワープロセスと同様にし
て昇温させると、第１および第３磁性層２、４の磁化は
消失するが、第４磁性層５の副格子磁化方向は変化しな
い。そして、第１および第３磁性層２、４からの交換力
を受けず、第２磁性層３の副格子磁化はバイアス磁界に
より上向きになる。次に、第１磁性層２のキュリー温度
より降温させると、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁
性層２に転写され、第１磁性層２の副格子磁化は上向き
になる。又、第３磁性層４のキュリー温度より降温させ
ると、第３磁性層４の副格子磁化は第４磁性層５と揃い
下向きになる。さらに温度が下がり第２磁性層３の副格
子磁化は第３磁性層４を介して第４磁性層５の副格子磁
化と揃い下向きとなって、状態「１」、すなわち高パワ
ープロセスが行われる。以上のようにして、記録レーザ
光強度を少なくとも２値に変調することでオーバライト
が可能になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の光磁気記録媒体
は以上のように構成されており、一定磁界と２値に強度
変調された記録レーザ光でオーバライトが可能となって
いるため、状態「１」、すなわち高パワープロセスが行
われる際に、図５に示すように熱分布のため記録マーク
Ｍの周辺Ｍ0は、状態「０」、すなわち低パワープロセ
スが必然的に行われてしまう。この作用は例えば相変化
光記録媒体についてＴ．Ｉｓｈｉｄａ等（Proc.Int.Sym
p.on Optical Memory,1989 J.J.A.P.28(1989)Suppl.28-
3）により開示され、セルフ・シャープニング効果と呼
ばれている。しかしながら、この作用が著しく大きな場
合には記録を行っている領域に隣接した領域の記録情報
を破壊することがあり、高密度記録が困難になるという
問題点があった。
は以上のように構成されており、一定磁界と２値に強度
変調された記録レーザ光でオーバライトが可能となって
いるため、状態「１」、すなわち高パワープロセスが行
われる際に、図５に示すように熱分布のため記録マーク
Ｍの周辺Ｍ0は、状態「０」、すなわち低パワープロセ
スが必然的に行われてしまう。この作用は例えば相変化
光記録媒体についてＴ．Ｉｓｈｉｄａ等（Proc.Int.Sym
p.on Optical Memory,1989 J.J.A.P.28(1989)Suppl.28-
3）により開示され、セルフ・シャープニング効果と呼
ばれている。しかしながら、この作用が著しく大きな場
合には記録を行っている領域に隣接した領域の記録情報
を破壊することがあり、高密度記録が困難になるという
問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高密度記録が可能であり、且
つ、オーバライトが可能な光記録方法を得ることを目的
とする。
ためになされたもので、高密度記録が可能であり、且
つ、オーバライトが可能な光記録方法を得ることを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光記録方
法は、少なくとも垂直磁気異方性を有し記録を保持する
第１磁性層、およびこの第１磁性層に設けられ第１磁性
層と交換力で結合された第２磁性層を有する光磁気記録
媒体を用い、記録レーザー光強度を少なくとも強弱の２
値に変調し、弱い光強度の記録レーザー光の照射によっ
て媒体温度を第１磁性層のキュリー温度近傍まで昇温さ
せて低パワープロセスを行い、強い光強度の記録レーザ
ー光の照射によって媒体温度を第２磁性層のキュリー温
度近傍まで昇温させて高パワープロセスを行い光変調ダ
イレクトオーバライトを行う光記録方法であって、強い
光強度の記録レーザー光を照射した際、記録媒体の最高
到達温度は高パワープロセスの行われる温度より高くな
るようにし、かつ高パワープロセスの行われる温度より
低く、低パワープロセスの行われる温度より高い温度領
域で生ずるセルフ・シャープニング効果の及ぼす範囲の
幅を１μｍ以下とする強度の記録レーザー光を照射する
ものである。
法は、少なくとも垂直磁気異方性を有し記録を保持する
第１磁性層、およびこの第１磁性層に設けられ第１磁性
層と交換力で結合された第２磁性層を有する光磁気記録
媒体を用い、記録レーザー光強度を少なくとも強弱の２
値に変調し、弱い光強度の記録レーザー光の照射によっ
て媒体温度を第１磁性層のキュリー温度近傍まで昇温さ
せて低パワープロセスを行い、強い光強度の記録レーザ
ー光の照射によって媒体温度を第２磁性層のキュリー温
度近傍まで昇温させて高パワープロセスを行い光変調ダ
イレクトオーバライトを行う光記録方法であって、強い
光強度の記録レーザー光を照射した際、記録媒体の最高
到達温度は高パワープロセスの行われる温度より高くな
るようにし、かつ高パワープロセスの行われる温度より
低く、低パワープロセスの行われる温度より高い温度領
域で生ずるセルフ・シャープニング効果の及ぼす範囲の
幅を１μｍ以下とする強度の記録レーザー光を照射する
ものである。
【０００９】
【作用】この発明における光記録方法によって記録され
た光磁気記録媒体の第１磁性層に記録された記録マーク
周辺のセルフ・シャープニング効果を及ぼす範囲の幅が
１μｍ以下になっているので、記録マーク周辺が状態
「０」、すなわち低パワープロセスが必然的に行われて
も、隣接した領域の記録情報を破壊することがない。
た光磁気記録媒体の第１磁性層に記録された記録マーク
周辺のセルフ・シャープニング効果を及ぼす範囲の幅が
１μｍ以下になっているので、記録マーク周辺が状態
「０」、すなわち低パワープロセスが必然的に行われて
も、隣接した領域の記録情報を破壊することがない。
【００１０】
【実施例】実施例１． 以下、この発明の実施例を図について説明する。図１は
この発明の実施例１における光磁気記録媒体を示す構成
図である。図において、１２は１．０μｍから１．６μ
ｍ間隔の溝を有するガラスで成る基板、１３は材料：Ｔ
ｂ 24 Ｆｅ72Ｃｏ4、膜厚：４００オングストロームの第
１磁性層、１４は材料：Ｄｙ25Ｆｅ45Ｃｏ30、膜厚：７
００オングストロームの第２磁性層、１５は材料：Ｔｂ
16Ｆｅ82Ｃｏ2、膜厚：２００オングストロームの第３
磁性層、１６は材料：Ｔｂ27Ｃｏ73、膜厚：４００オン
グストロームの第４磁性層、１７は第１磁性層２２およ
び第２磁性層２３間に介在され、材料：Ｇｄ32Ｆｅ48Ｃ
ｏ20、膜厚：２００オングストロームの第５磁性層で、
第１および第２磁性層１３、１４間の交換力を調整する
ためのものである。１８、１９は材料：ＳｉＮｘ、膜
厚：７００オングストロームの誘電体膜である。そし
て、上記各磁性層１３、１４、１５、１６、１７はそれ
ぞれ隣接するもの同士の交換力で結合し、誘電体膜１
８、１９で挟まれている。２０はこれら１２〜１９で構
成される記録媒体である。
この発明の実施例１における光磁気記録媒体を示す構成
図である。図において、１２は１．０μｍから１．６μ
ｍ間隔の溝を有するガラスで成る基板、１３は材料：Ｔ
ｂ 24 Ｆｅ72Ｃｏ4、膜厚：４００オングストロームの第
１磁性層、１４は材料：Ｄｙ25Ｆｅ45Ｃｏ30、膜厚：７
００オングストロームの第２磁性層、１５は材料：Ｔｂ
16Ｆｅ82Ｃｏ2、膜厚：２００オングストロームの第３
磁性層、１６は材料：Ｔｂ27Ｃｏ73、膜厚：４００オン
グストロームの第４磁性層、１７は第１磁性層２２およ
び第２磁性層２３間に介在され、材料：Ｇｄ32Ｆｅ48Ｃ
ｏ20、膜厚：２００オングストロームの第５磁性層で、
第１および第２磁性層１３、１４間の交換力を調整する
ためのものである。１８、１９は材料：ＳｉＮｘ、膜
厚：７００オングストロームの誘電体膜である。そし
て、上記各磁性層１３、１４、１５、１６、１７はそれ
ぞれ隣接するもの同士の交換力で結合し、誘電体膜１
８、１９で挟まれている。２０はこれら１２〜１９で構
成される記録媒体である。
【００１１】上記のように構成された記録媒体におい
て、線速度７．５ｍ／ｓｅｃにて記録周波数５ＭＨｚの
信号は、バイアス磁界３００ＯｅでＣＮＲ４５ｄＢ以上
の良好なオーバライト特性が得られた。この５ＭＨｚの
信号に隣接したトラックに１ＭＨｚの信号を記録し再び
５ＭＨｚの信号を再生したところ、１、２μｍから１．
６μｍ間隔の溝付き基板に至るまで記録信号の劣化は見
られず、溝間隔を小さくすることで高密度記録が可能な
ことが分かった。この記録媒体の溝なし鏡面に記録を行
った後に、偏光顕微鏡観察でみたセルフ・シャープニン
グ効果の及ぼす範囲の幅は０．９μｍであった。
て、線速度７．５ｍ／ｓｅｃにて記録周波数５ＭＨｚの
信号は、バイアス磁界３００ＯｅでＣＮＲ４５ｄＢ以上
の良好なオーバライト特性が得られた。この５ＭＨｚの
信号に隣接したトラックに１ＭＨｚの信号を記録し再び
５ＭＨｚの信号を再生したところ、１、２μｍから１．
６μｍ間隔の溝付き基板に至るまで記録信号の劣化は見
られず、溝間隔を小さくすることで高密度記録が可能な
ことが分かった。この記録媒体の溝なし鏡面に記録を行
った後に、偏光顕微鏡観察でみたセルフ・シャープニン
グ効果の及ぼす範囲の幅は０．９μｍであった。
【００１２】次にセルフ・シャープニング効果の及ぼす
範囲を変えて同様の実験を行った。図５からも分かるよ
うにセルフ・シャープニング効果の生じる幅ｌは、昇温
された記録媒体の最高到達温度と低パワープロセスおよ
び高パワープロセスの生じる温度の設定で決まる。ここ
では第１磁性層１３のキュリー温度を変化させて低パワ
ープロセスの生じる温度を変化させ、セルフ・シャープ
ニング効果の及ぼす範囲を変えた。ここで第１磁性層１
３の膜厚、第１磁性層１３の希土類金属と遷移金属の組
成比は一定とした。第１磁性層１３のキュリー温度を低
下するにつれて低パワープロセスの生じる温度が低下
し、鏡面に記録を行った後に偏光顕微鏡観察でみたセル
フ・シャープニング効果の及ぼす範囲の幅が１．１μｍ
である記録媒体は、１．２μｍ間隔の溝付き基板におい
て隣接トラックに記録した信号のキャリアレベルが低下
し、高密度記録に適さないことが分かった。この結果、
記録マーク周辺のセルフ・シャープニング効果を及ぼす
範囲の幅を１μｍ以下にしておけば、隣接した領域の記
録情報を破壊することもなく、高密度記録が可能になる
ことは明かである。
範囲を変えて同様の実験を行った。図５からも分かるよ
うにセルフ・シャープニング効果の生じる幅ｌは、昇温
された記録媒体の最高到達温度と低パワープロセスおよ
び高パワープロセスの生じる温度の設定で決まる。ここ
では第１磁性層１３のキュリー温度を変化させて低パワ
ープロセスの生じる温度を変化させ、セルフ・シャープ
ニング効果の及ぼす範囲を変えた。ここで第１磁性層１
３の膜厚、第１磁性層１３の希土類金属と遷移金属の組
成比は一定とした。第１磁性層１３のキュリー温度を低
下するにつれて低パワープロセスの生じる温度が低下
し、鏡面に記録を行った後に偏光顕微鏡観察でみたセル
フ・シャープニング効果の及ぼす範囲の幅が１．１μｍ
である記録媒体は、１．２μｍ間隔の溝付き基板におい
て隣接トラックに記録した信号のキャリアレベルが低下
し、高密度記録に適さないことが分かった。この結果、
記録マーク周辺のセルフ・シャープニング効果を及ぼす
範囲の幅を１μｍ以下にしておけば、隣接した領域の記
録情報を破壊することもなく、高密度記録が可能になる
ことは明かである。
【００１３】実施例２．尚、上記実施例１では、第５の
磁性層１７とともに積層した基本的に４層の磁性層１３
〜１６からなる光磁気記録媒体を示したが、第３磁性層
１５、第４磁性層１６を省いた基本的に２層の磁性層か
らなる光磁気記録媒体においても同様の効果を奏するこ
とは言うまでもない。
磁性層１７とともに積層した基本的に４層の磁性層１３
〜１６からなる光磁気記録媒体を示したが、第３磁性層
１５、第４磁性層１６を省いた基本的に２層の磁性層か
らなる光磁気記録媒体においても同様の効果を奏するこ
とは言うまでもない。
【００１４】実施例３．又、各磁性層１３〜１６は、Ｇ
ｄＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤ
ｙＦｅＣｏ、ＴｂＨｏＣｏ、ＤｙＣｏ等のフェリ磁性体
で構成してもよい。
ｄＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤ
ｙＦｅＣｏ、ＴｂＨｏＣｏ、ＤｙＣｏ等のフェリ磁性体
で構成してもよい。
【００１５】実施例４．さらに、キャリアレベルの増大
のために第１磁性層１３を積層する前にカー回転角が大
きなＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＣｏ等を第
１磁性層１３と交換結合させて積層してもよい。
のために第１磁性層１３を積層する前にカー回転角が大
きなＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＣｏ等を第
１磁性層１３と交換結合させて積層してもよい。
【００１６】実施例５．さらに又、上記各実施例では基
板に記録層を設けただけの単板記録媒体を示したが、２
枚の単板媒体をエポキシ系樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂等で貼合わせてもよく、又、媒体形状として例え
ばカード状等でもよい。
板に記録層を設けただけの単板記録媒体を示したが、２
枚の単板媒体をエポキシ系樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂等で貼合わせてもよく、又、媒体形状として例え
ばカード状等でもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば少なく
とも垂直磁気異方性を有し記録を保持する第１磁性層、
およびこの第１磁性層に設けられ第１磁性層と交換力で
結合された第２磁性層を有する光磁気記録媒体を用い、
記録レーザー光強度を少なくとも強弱の２値に変調し、
弱い光強度の記録レーザー光の照射によって媒体温度を
第１磁性層のキュリー温度近傍まで昇温させて低パワー
プロセスを行い、強い光強度の記録レーザー光の照射に
よって媒体温度を第２磁性層のキュリー温度近傍まで昇
温させて高パワープロセスを行い光変調ダイレクトオー
バライトを行う光記録方法であって、強い光強度の記録
レーザー光を照射した際、記録媒体の最高到達温度は高
パワープロセスの行われる温度より高くなるようにし、
かつ高パワープロセスの行われる温度より低く、低パワ
ープロセスの行われる温度より高い温度領域で生ずるセ
ルフ・シャープニング効果の及ぼす範囲の幅を１μｍ以
下とする強度の記録レーザー光を照射するようにしたこ
とにより、高密度記録が可能であり、且つオーバライト
が可能な光記録方法を得ることができる。
とも垂直磁気異方性を有し記録を保持する第１磁性層、
およびこの第１磁性層に設けられ第１磁性層と交換力で
結合された第２磁性層を有する光磁気記録媒体を用い、
記録レーザー光強度を少なくとも強弱の２値に変調し、
弱い光強度の記録レーザー光の照射によって媒体温度を
第１磁性層のキュリー温度近傍まで昇温させて低パワー
プロセスを行い、強い光強度の記録レーザー光の照射に
よって媒体温度を第２磁性層のキュリー温度近傍まで昇
温させて高パワープロセスを行い光変調ダイレクトオー
バライトを行う光記録方法であって、強い光強度の記録
レーザー光を照射した際、記録媒体の最高到達温度は高
パワープロセスの行われる温度より高くなるようにし、
かつ高パワープロセスの行われる温度より低く、低パワ
ープロセスの行われる温度より高い温度領域で生ずるセ
ルフ・シャープニング効果の及ぼす範囲の幅を１μｍ以
下とする強度の記録レーザー光を照射するようにしたこ
とにより、高密度記録が可能であり、且つオーバライト
が可能な光記録方法を得ることができる。
【図１】この発明の実施例１における光磁気記録媒体を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】従来の光磁気記録媒体を示す構成図である。
【図３】図２に示す光磁気記録媒体への記録を行う記録
装置の概要を示す斜視図である。
装置の概要を示す斜視図である。
【図４】図２に示す光磁気記録媒体への記録動作を説明
するための模式図である。
するための模式図である。
【図５】セルフ・シャープニング効果についての概念を
示す図である。
示す図である。
１、１２ 基板 ２、１３ 第１磁性層 ３、１４ 第２磁性層 ４、１５ 第３磁性層 ５、１６ 第４磁性層 ７ 半導体レーザ ８ レーザ光 ９ 集光レンズ １０、２０ 記録媒体 １１ バイアス磁石 １７ 第５磁性層 １８、１９ 誘電体膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川野 裕司 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (72)発明者 堤 和彦 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (56)参考文献 特開 昭54−834（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−44331（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも垂直磁気異方性を有し記録を
保持する第１磁性層、およびこの第１磁性層に設けられ
上記第１磁性層と交換力で結合された第２磁性層を有す
る光磁気記録媒体を用い、記録レーザー光強度を少なく
とも強弱の２値に変調し、弱い光強度の記録レーザー光
の照射によって媒体温度を第１磁性層のキュリー温度近
傍まで昇温させて低パワープロセスを行い、強い光強度
の記録レーザー光の照射によって媒体温度を第２磁性層
のキュリー温度近傍まで昇温させて高パワープロセスを
行い光変調ダイレクトオーバライトを行う光記録方法で
あって、強い光強度の記録レーザー光を照射した際、記
録媒体の最高到達温度は高パワープロセスの行われる温
度より高くなるようにし、かつ高パワープロセスの行わ
れる温度より低く、低パワープロセスの行われる温度よ
り高い温度領域で生ずるセルフ・シャープニング効果の
及ぼす範囲の幅を１μｍ以下とする強度の記録レーザー
光を照射することを特徴とする光記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4209943A JP2570948B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 光記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4209943A JP2570948B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 光記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660451A JPH0660451A (ja) | 1994-03-04 |
| JP2570948B2 true JP2570948B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16581236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4209943A Expired - Fee Related JP2570948B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 光記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570948B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3245040B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2002-01-07 | トリニティ工業株式会社 | 静電塗装機 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521908B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1996-08-07 | 株式会社ニコン | オ―バ―ライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP4209943A patent/JP2570948B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0660451A (ja) | 1994-03-04 |
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