JP2571990Y2 - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、消磁回路に用いられる正特性サーミスタ装
置に関し、給電用端子の構造を、正特性サーミスタの電
極に接触する接触部と、外部接続用の端子部との間に迂
回部を設けた構造とすると共に、端子とケースとの間
に、接触部の位置決めを行なう位置決め部を設けること
により、電極接触部から端子部への熱伝導を抑制すると
共に、電極接触部と迂回部との間の機械的な接触を阻止
し、端子部の温度上昇を抑制し、消磁回路用として使用
した場合には残留電流を低く抑え、消磁作用を向上でき
るようにしたものである。

〈従来の技術〉 消磁回路に使用される正特性サーミスタ装置として
は、消磁用の正特性サーミスタと、加熱用の正特性サー
ミスタとを、金属板でなる平板状の共通の端子を間に挟
んで重ね合せると共に、弾性端子で弾力的に挾持した構
造のものがもっともよく知られている。各端子は正特性
サーミスタの電極に接触する接触部と、接触部に連続す
る端子部とを備え、端子部をケースを貫通して外部に導
出する。

前述の正特性サーミスタ装置を使用した消磁回路の動
作はよく知られている。消磁用の正特性サーミスタが加
熱用の正特性サーミスタによって加熱され、消磁用正特
性サーミスタの動作温度が、単独で動作する温度よりも
高い温度に移行する。このため、消磁用の正特性サーミ
スタによって制御されて消磁コイルに流れる平衡点電流
が消磁用の正特性サーミスタを単独で用いる場合よりも
減少し、消磁作用が向上する。

〈考案が解決しようとする課題〉 消磁回路において、平衡点電流を減少させるには、消
磁用の正特性サーミスタの抵抗値をできるだけ高い値に
持ち上げる必要がある。消磁用の正特性サーミスタの抵
抗値を上昇させるには、加熱用の正特性サーミスタとし
て、抵抗値及びスイッチング温度TSの高いもの使用する
ことの他に、放熱量を減少させることが重要である。各
種の放熱経路のうち、正特性サーミスタに直接接触する
端子を通した放熱が最も大きくなる。従って、放熱量を
減少させるためには、端子をどのような構造にするか
が、極めて重要な事項となる。

端子は、また、ケースによって支持されて外部に導出
され、外部回路に接続される部分である。従って、端子
の、特に外部導出部となる端子部は、ケース及び外部回
路に対する熱的悪影響を軽減するため、できるだけ低い
温度となるように抑制する必要がある。

端子の放熱量を減少させることと、端子の温度を低く
抑えることとは、互いに二律背反の関係にあり、両者を
同時に満足する端子構造をとることは必ずしも容易では
ない。

上述の放熱量減少と端子温度上昇の問題を同時に解決
しようとする試みは、例えば、特開平1-208803号公報、
特開平1-220403号公報及び実開平1-130502号公報等で公
知である。

しかしながら、特開平1-220403号公報に記載された考
案は、端子に対し、独立する複数の丸孔を間隔を隔てて
設けて伝熱狭窄部を形成する構造であり、充分な放熱量
減少及び端子温度上昇抑制作用が得られない。

特開平1-208803号公報に開示された考案は、細長いス
リットを設けてある点で特開平1-220403号と異なり、優
れた放熱量減少及び端子温度上昇抑制の作用が得られる
が、それでも、充分ではない。

実開平1-130502号に開示された考案は、熱結合板と端
子とを分離し両者間の熱抵抗部材で接続する構造である
ので、構造の複雑化、組立の困難化、部品点数の増大等
を招く。

そこで、本考案の課題は、上述する従来技術よりも優
れた放熱量減少作用及び端子温度上昇抑制作用が得ら
れ、消磁回路に使用した場合の平衡点電流が小さく、ケ
ース及び外部回路に対する熱的悪影響の小さな正特性サ
ーミスタ装置を提供することである。

〈課題を解決するための手段〉 上述した課題解決のため、本考案に係る正特性サーミ
スタ装置は、ケースと、前記ケース内に収納された２つ
の正特性サーミスタと、前記正特性サーミスタの電極に
導通する複数の端子とを備え、消磁回路に用いられる。
前記２つの正特性サーミスタは、互いに重ね合わされて
いる。

前記端子の内の１つは、前記２つの正特性サーミスタ
の間に配置され、前記２つの正特性サーミスタの電極に
面接触する接触部と、迂回部と、前記ケースの外部に導
出される端子部とを有しており、 前記迂回部は、前記接触部よりは狭幅であって、前記
接触部の側方に間隔を隔てて配置され、前記接触部及び
前記端子部を直接に接続するように、一端部が前記接触
部の一端側に連接されるとともに、他端部が前記端子部
に連接されている。

好ましくは、前記ケースの内底面と前記接触部の端縁
との間に、凹凸嵌合部を有する。

更に上記の構成に加えて、前記内底面と対向する前記
ケースの内面に前記正特性サーミスタ及び前記端子の前
記接触部の配置領域内において突出する突起を有するこ
ともある。

〈作用〉 端子は迂回部を有していて、迂回部は接触部よりは狭
幅であって、接触部の側方に間隔を隔てて配置され、接
触部及び端子部を直列に接続するように、一端部が接触
部に連接されるとともに、他端部が端子部に連接されて
いるから、接触部から端子部への熱伝導が迂回部によっ
て抑制され、端子部の温度が低く抑えられる。このた
め、正特性サーミスタの発熱温度が上昇すると共に、端
子部の温度が低くなり、消磁回路において、平衡点抵抗
が大きくなって、残留電流が低くなる。

ケースの内底面と、端子の接触部の端縁との間に凹凸
嵌合部を有する場合は、端子の接触部が凹凸嵌合によっ
てケースの内底面に位置決めされる。このため、接触部
が迂回部に接触することがなくなり、端子部の温度上昇
が一層確実に防止できるようになる。

上記構成とは別に、または上記構成と共に、ケースの
内底面に正特性サーミスタを受ける突起を有することに
より、ケースの内底面を基準にした正特性サーミスタの
高さが位置決めされ、ケース内での正特性サーミスタの
上下方向の位置ずれが防止される。このため、正特性サ
ーミスタの上下方向の位置ずれによる迂回部に対する正
特性サーミスタの接触を回避することができる。

同様に、上記構成とは別に、または上記構成と共に、
ケースの内底面に、端子の接触部の面と対向するように
配置された突起を有することにより、端子の接触部の位
置ずれ、及び、いわゆるガタが防止される。このため、
接触部と迂回部の接触を回避できるようになる。

更に、上記各構成の下で、内底面と対向するケースの
内面に、正特性サーミスタ及び前記端子の接触部の配置
領域内において突出する突起を有することにより、正特
性サーミスタとケースの内面との間の接触面積が小さく
なり、正特性サーミスタによるケースの加熱作用が低下
し、ケースの温度上昇が抑制される。同時に、端子の接
触部の移動範囲が制限され、端子が所定位置に位置決め
される。

〈実施例〉 第１図は本考案に係る正特性サーミスタ装置の部分断
面図、第２図は第１図A1-A1線における断面図、第３図
は第１図A2-A2線上における部分断面図、第４図は第２
図B1-B1線上における部分断面図、第５図は第２図B2-B2
線上における部分断面図である。図において、１はケー
ス、２及び３は正特性サーミスタ、４〜６は端子であ
る。

ケース１は、底部材11とカバー部材12との組合せで構
成されている。底部材11及びカバー部材12は適当な耐熱
絶縁プラスチックの成形品として構成されている。第６
図は底部材11の平面図、第７図は第６図C1-C1線上にお
ける断面図である。111は底部材11の内底面、112〜116
は内底面111に突設された突起である。突起112は内底面
111の略中央部に設けられており、突起113、114と突起1
15、116は突起112の両側方向に、間隔を隔てて設けられ
ている。後述するように、突起112は正特性サーミスタ
２、３の電極面と平行する方向への端子移動を阻止し、
突起113、114は正特性サーミスタ２の電極面に対して垂
直となる方向への端子移動を阻止する凹凸嵌合部とな
る。突起115、116は、底部材11の内底面111に対して正
特性サーミスタ２をある一定の間隔を保って支持する。
突起112〜116の個数は任意であり、図示の個数に限定す
る必要はない。117、118は底部材11の周辺に突設された
受部で、カバー部材12はこの受部117、118に嵌合して組
立てられている。

正特性サーミスタ２、３は、正特性サーミスタ素体2
1、31の厚み方向の両面に電極（22、23）、（32、33）
を設けた構造となっている。これらの正特性サーミスタ
２、３のうち、正特性サーミスタ２は消磁用として備え
られており、正特性サーミスタ３は加熱用として備えら
れている。正特性サーミスタ２、３は、金属板でなる平
板状の共通の端子５を間に挟んで重ね合せると共に、弾
力性のある端子４、６で弾力的に挾持した構造となって
いる。

端子４、６は、正特性サーミスタ２、３の電極23、32
に接触するバネ性の接触部41、61と、ケース１の外部に
導出される端子部42、62を有している。

端子５は、正特性サーミスタ２の電極22及び正特性サ
ーミスタ３の電極33に共通に接触する接触部51と、ケー
ス１の底部材11を貫通して外部に導出される端子部52
と、迂回部53とを有している。これらは、同一の金属板
材にプレス加工等を施して同体に形成されている。

第８図は端子５の正面図、第９図は同じくその側面図
である。接触部51は、ケース１を構成する底部材11の内
底面111と向き合う一端縁に切欠55が設けられている。
切欠55は内底面111上に形成された突起112と噛み合う形
状及び位置に形成されている。

迂回部53は、接触部51よりは狭い幅の狭幅路路となっ
ていて、接触部51の側方に間隔G1を隔てて配置されてい
る。迂回部53の一端部は、接触部51の上方に連接され、
他端部は端子部52に連接され、接触部51及び端子部52に
対して、電気的、熱的な直列回路を形成している。実施
例において、迂回部53は接触部51の面から浮かしてあ
り、正特性サーミスタ２との接触を防止してある。ま
た、上述のようにして浮かされた迂回部53に正特性サー
ミスタ３が接触するのを阻止するため、迂回部53と対向
する接触部51の端縁に阻止辺54を突設してある。

更に、迂回部53、及び端子部52は、その機械的強度を
増大させるため、面に凹または凸による補強部531、521
がスジ状に設けられている。端子５は、機械的強度を補
うために、全体に電気メッキを施すのが望ましい。

組立において、共通端子５は、切欠55が底部材11の内
底面111に突設された突起112に嵌合する。これにより、
共通端子５の接触部51は正特性サーミスタ２、３の面と
平行する方向の移動が禁止された状態で位置決めされ
る。このため、接触部51が迂回部53に接触する等の事故
を起すことがなくなり、端子部52の温度上昇が抑制され
る。

共通端子５の接触部51の表面には、底部材11の内底面
111に突設された突起113、114が当接している。これに
より、接触部51の面と直交する方向の移動も阻止され
る。

しかも、正特性サーミスタ２は、突起115、116によっ
て受けられていて、内底面111から浮いた状態で保持さ
れている。このため、上下方向の位置ずれによる迂回部
53に対する正特性サーミスタ２の接触を回避することが
できるようになる。また、内底面111に対する正特性サ
ーミスタ２の接触を招くことがなくなり、放熱特性が一
定の値に安定に保持される。

内底面111と対向するカバー部材12の内面121には、正
特性サーミスタ３及び接触部51の配置領域内において突
出する突起122、123が条状に設けられている。突起12
2、123により、正特性サーミスタ２がカバー部材12に接
触するような状態で配置された場合でも、接触面積は、
突起122、123による小さな接触面積となる。このため、
正特性サーミスタ２によるカバー部材12の加熱作用が低
下し、カバー部材12の温度上昇が抑制される。同時に、
端子５の接触部51の移動範囲が、突起122、123によって
制限される。このため、外部機器への装着に当って、端
子部52に対して、上向きの力F1（第２図参照）が作用し
た場合にも、端子５の移動が突起122、123によって規制
され、所定位置に位置決めされる。突起122、123の位置
及び数は任意である。

第10図は本考案に係る正特性サーミスタ装置を使用し
たカラーテレビ消磁回路を示し、Ｃが当該正特性サーミ
スタ装置である。７は交流電源、８は電源投入用のスイ
ッチ、９は消磁コイルである。第11図は正特性サーミス
タ２、３の抵抗温度特性、第12図は時間−電流特性をそ
れぞれ示している。

正特性サーミスタ３による加熱作用がなく、正特性サ
ーミスタ２が単独で動作している場合を仮定すると、第
11図の曲線Ａで示す抵抗温度特性なり、正特性サーミス
タ２は温度TA、抵抗値RAで安定する。従って、消磁コイ
ル９には第12図の曲線IAに示す平衡点電流が流れる。こ
の正特性サーミスタ２に対して、第11図の曲線Ｂで示す
ような抵抗温度特性を持つ正特性サーミスタ３を熱結合
させた場合、正特性サーミスタ２が正特性サーミスタ３
によって加熱され、正特性サーミスタ２の動作温度が温
度TAよりも高い温度がTBに移行する。このため、正特性
サーミスタ２の安定動作時抵抗値が抵抗値RAよりも高い
抵抗値RBになり、消磁コイル９に流れる平衡点電流が第
12図の曲線IBで示すように低下する。

平衡点電流を減少させるには、正特性サーミスタ２の
抵抗値をできるだけ高い値に持ち上げる必要があり、正
特性サーミスタ３としては、正特性サーミスタ２より
も、抵抗値及びスイッチング温度TSの高いものが使用さ
れる。従って、正特性サーミスタ２と正特性サーミスタ
３との間にある共通の端子５はかなり高い温度で加熱さ
れる。

ここで、本考案においては、上述の迂回部53を有して
いるので、正特性サーミスタ２−３間において端子５の
接触部51が高温加熱された場合でも、接触部51から端子
部52への熱伝導が迂回部53によって抑制される。このた
め、正特性サーミスタの発熱温度が上昇すると共に、端
子部52の温度が低くなり、平衡点抵抗が大きくなって、
残留電流が低くなると共に、ケース１の耐熱設計が容易
になる。

また、ケース１を構成する底部材11の内底面111と端
子５の接触部51との間に、突起112と切欠55による凹凸
嵌合が形成されているので、端子５の接触部51が迂回部
53に接触することがなくなり、端子部52の温度上昇が一
層確実に防止できるようになる。

〈考案の効果〉 以上述べたように、本考案によれば、次のような効果
が得られる。

（ａ） 消磁回路に使用した場合に残留電流が低く消磁
作用の優れた正特性サーミスタ装置を提供できる。

（ｂ） 接触部から端子部への熱伝導を迂回部によって
抑制し、端子部の温度を低く抑え、ケースの熱的劣化が
小さく、耐熱設計が容易であり、省電力型で電気的特性
の優れた正特性サーミスタ装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る正特性サーミスタ装置の部分断面
図、第２図は第１図A1-A1線における断面図、第３図は
第１図A2-A2線上における部分断面図、第４図は第２図B
1-B1線上における部分断面図、第５図は第２図B2-B2線
上における部分断面図、第６図は底部材11の平面図、第
７図は第６図C1-C1線上における断面図、第８図は端子
の正面図、第９図は同じくその側面図、第10図は本考案
に係る正特性サーミスタ装置を使用した消磁回路図、第
11図は第10図に示した消磁回路の動作を説明する抵抗温
度特性図、第12図は同じく電流減衰特性図である。 １……ケース、11……底部材 12……カバー部材 111……内底面 112〜116……突起 ２、３……正特性サーミスタ ４〜６……端子 41、51、61……接触部 42、52……62……端子部 53……迂回部 55……切欠

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−208803（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−55304（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−98202（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01C 7/00 - 7/22

Claims (5)

(57)【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】ケースと、前記ケース内に収納された２つ
   の正特性サーミスタと、前記正特性サーミスタの電極に
   導通する複数の端子とを備え、消磁回路に用いられる正
   特性サーミスタ装置であって、 前記２つの正特性サーミスタは、互いに重ね合わされて
   おり、 前記端子の内の１つは、前記２つの正特性サーミスタの
   間に配置され、前記２つの正特性サーミスタの電極に面
   接触する接触部と、迂回部と、前記ケースの外部に導出
   される端子部とを有しており、 前記迂回部は、前記接触部よりは狭幅であって、前記接
   触部の側方に間隔を隔てて配置され、前記接触部及び前
   記端子部を直列に接続するように、一端部が前記接触部
   の一端側に連接されるとともに、他端部が前記端子部に
   連接されている正特性サーミスタ装置。
2. 【請求項２】前記ケースの内底面と前記接触部の端縁と
   の間に、凹凸嵌合部を有することを特徴とする請求項１
   に記載の正特性サーミスタ装置。
3. 【請求項３】前記ケースの内底面に、前記正特性サーミ
   スタを受ける突起を有することを特徴とする請求項１ま
   たは２の何れかに記載の正特性サーミスタ装置。
4. 【請求項４】前記ケースの内底面に、前記接触部の面と
   対向するように配置された突起を有すること を特徴とする請求項１、２または３の何れかに記載の正
   特性サーミスタ装置。
5. 【請求項５】前記迂回部は、面に付与された凹凸による
   補強部を有すること を特徴とする請求項１、２、３または４項の何れかに記
   載の正特性サーミスタ装置。