JP2614246B2 - ブロッホラインメモリの書込み方法 - Google Patents
ブロッホラインメモリの書込み方法Info
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- JP2614246B2 JP2614246B2 JP62303983A JP30398387A JP2614246B2 JP 2614246 B2 JP2614246 B2 JP 2614246B2 JP 62303983 A JP62303983 A JP 62303983A JP 30398387 A JP30398387 A JP 30398387A JP 2614246 B2 JP2614246 B2 JP 2614246B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bloch line
- stripe domain
- writing
- line memory
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明はブロッホラインメモリの書込み方法に関し、
詳しくは、光誘起磁化物質を利用し高速で情報（ブロッ
ホライン対）をストライプドメイン磁壁に注入するよう
にしたブロッホラインメモリの書込み方法に関する。
詳しくは、光誘起磁化物質を利用し高速で情報（ブロッ
ホライン対）をストライプドメイン磁壁に注入するよう
にしたブロッホラインメモリの書込み方法に関する。
［従来技術］ 高密度記憶素子の開発に伴なって、ブロッホラインメ
モリがその記憶容量の膨大さ及び不揮発性であることか
ら、近似注目されている。
モリがその記憶容量の膨大さ及び不揮発性であることか
ら、近似注目されている。
ブロッホラインメモリは、情報記憶部をバルブドメイ
ンを細長く伸ばしたストライプドメイン周辺磁壁で構成
し、その中にブロッホライン対の有無のかたちで情報を
記録させたものである。そして、このブロッホラインメ
モリ（ブロッホラインメモリデバイス）は、大まかにい
えば、（ｉ）書込み部、（ii）記録転送部、（iii）読
出し部の三要素から成立っている。
ンを細長く伸ばしたストライプドメイン周辺磁壁で構成
し、その中にブロッホライン対の有無のかたちで情報を
記録させたものである。そして、このブロッホラインメ
モリ（ブロッホラインメモリデバイス）は、大まかにい
えば、（ｉ）書込み部、（ii）記録転送部、（iii）読
出し部の三要素から成立っている。
ところで、従来においては、情報の書込みは磁気バ
ブルの発生、記録転送部（ストライプドメイン）端部
へのバブル転送、局部磁界の印加、続いて、バブル
有無に対応したブロッホライン書込み、という手順で行
なわれている。
ブルの発生、記録転送部（ストライプドメイン）端部
へのバブル転送、局部磁界の印加、続いて、バブル
有無に対応したブロッホライン書込み、という手順で行
なわれている。
だが、こうした従来のブロッホラインメモリ書込み方
法では、書込み時間が多くかかり、また、デバイス自体
の構成が複雑になり勝ちで多くの作製工程を要する、等
の問題点を有している。
法では、書込み時間が多くかかり、また、デバイス自体
の構成が複雑になり勝ちで多くの作製工程を要する、等
の問題点を有している。
［目的］ 本発明は、書込み部の簡略化が行なえるとともに、高
速でブロッホラインメモリの書込みが可能な方法を提供
するものである。
速でブロッホラインメモリの書込みが可能な方法を提供
するものである。
［構成］ 本発明のブロッホラインメモリ書込み方法は、ストラ
イプドメイン端部に隣接して光誘起磁化物質を配置し、
該光誘起磁化物質にレーザ光の円偏光を照射して該スト
ライプドメインにブロッホラインを形成させることを特
徴とするものである。また、ストライプドメイン端部に
近接して光誘起磁化物質を配置し、かつ、ストライプド
メインと該光誘起磁化物質との間にブロッホライン書込
み用導体を配設し、該光誘起磁化物質にレーザ光の円偏
光を照射して該ストライプドメインにブロッホラインを
形成させることを特徴とするものである。
イプドメイン端部に隣接して光誘起磁化物質を配置し、
該光誘起磁化物質にレーザ光の円偏光を照射して該スト
ライプドメインにブロッホラインを形成させることを特
徴とするものである。また、ストライプドメイン端部に
近接して光誘起磁化物質を配置し、かつ、ストライプド
メインと該光誘起磁化物質との間にブロッホライン書込
み用導体を配設し、該光誘起磁化物質にレーザ光の円偏
光を照射して該ストライプドメインにブロッホラインを
形成させることを特徴とするものである。
ちなみに、本発明者らはブロッホラインメモリの書込
みについて鋭意検討・研究した結果、光誘起磁化効果が
書込みに利用できることを確めた。本発明方法はそれに
基づいてなされたものである。なお、光誘起磁化効果を
光磁気記録媒体への記録に応用することやバブルドメイ
ンの駆動用といて利用することは知られているが（特開
昭57−60504号公報）、この光誘起磁化効果をブロッホ
ラインメモリの書込みに応用した例は見当らない。
みについて鋭意検討・研究した結果、光誘起磁化効果が
書込みに利用できることを確めた。本発明方法はそれに
基づいてなされたものである。なお、光誘起磁化効果を
光磁気記録媒体への記録に応用することやバブルドメイ
ンの駆動用といて利用することは知られているが（特開
昭57−60504号公報）、この光誘起磁化効果をブロッホ
ラインメモリの書込みに応用した例は見当らない。
以下に、本発明方法を添付の図面に従がいながらさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第１図及び第２図は、本発明方法で用いられ二例のブ
ロッホラインメモリデバイスの書込み部の概略であり、
11は基板、12は磁性膜、13はストライプドメイン、14は
ブロッホライン書込み用導体、15は光誘起磁化物質を示
している。第１図の例では、ストライプドメイン13の端
部に光誘起磁化物質15が隣接して（接触するようにし
て）配置した携帯が採られており、ここにはブロッホラ
イン書込み用導体は設けられていない。第２図の例で
は、ストライプドメイン13の端部に光誘起磁化物質15が
近接して（距離ｄ＝10〜100μｍくらい離して）配置さ
れており、そのストライプドメイン13の端部と光誘起磁
化物質15との間にはブロッホライン書込み用導体14が配
設された形態が採られている。
ロッホラインメモリデバイスの書込み部の概略であり、
11は基板、12は磁性膜、13はストライプドメイン、14は
ブロッホライン書込み用導体、15は光誘起磁化物質を示
している。第１図の例では、ストライプドメイン13の端
部に光誘起磁化物質15が隣接して（接触するようにし
て）配置した携帯が採られており、ここにはブロッホラ
イン書込み用導体は設けられていない。第２図の例で
は、ストライプドメイン13の端部に光誘起磁化物質15が
近接して（距離ｄ＝10〜100μｍくらい離して）配置さ
れており、そのストライプドメイン13の端部と光誘起磁
化物質15との間にはブロッホライン書込み用導体14が配
設された形態が採られている。
基板11にはガドリニウム・ガリウム・ガーネット（GG
G）などが用いられる。そして基板11上にはストライプ
ドメイン13をもつ磁性膜12がLPE法などの薄膜形成技術
によって製膜される。この際、ストライプドメイン13の
安定化のためにグルービング形成、高保磁力膜形成など
の処理が採られてもよい。
G）などが用いられる。そして基板11上にはストライプ
ドメイン13をもつ磁性膜12がLPE法などの薄膜形成技術
によって製膜される。この際、ストライプドメイン13の
安定化のためにグルービング形成、高保磁力膜形成など
の処理が採られてもよい。
ストライプドメイン13の端部には隣接して又は幾分か
ら距離をおいて（近接して）光誘起磁化物質15が位置さ
れているが、ここにいう“光誘起磁化物質”とは光で磁
化を発生させ、その磁化の大きさ、向きを制御できる物
質を意味している。光誘起磁化物質15の代表例として
は、ルビー単結晶（Al2O3:Cr）があげられ、この光誘起
磁化物質15の磁性膜12上への形成はスパッタ法、LPE法
などの薄膜形成技術を応用して薄膜状になされる。
ら距離をおいて（近接して）光誘起磁化物質15が位置さ
れているが、ここにいう“光誘起磁化物質”とは光で磁
化を発生させ、その磁化の大きさ、向きを制御できる物
質を意味している。光誘起磁化物質15の代表例として
は、ルビー単結晶（Al2O3:Cr）があげられ、この光誘起
磁化物質15の磁性膜12上への形成はスパッタ法、LPE法
などの薄膜形成技術を応用して薄膜状になされる。
本発明方法におけるブロッホラインメモリの書込み
（記録）は、光誘起磁化物質15に円偏光を照射すること
により行なわれる。第３図はこの書込みの様子を概略的
に表わしている。
（記録）は、光誘起磁化物質15に円偏光を照射すること
により行なわれる。第３図はこの書込みの様子を概略的
に表わしている。
まず、第１図に示したデバイスに書込みを行なうこと
について説明を加える。第３図にみられるように、光源
21からのレーザ光をレンズ22、偏光子23、光変調器24を
通してストライプドメイン13端部に隣接した薄膜状光誘
起磁化物質15へと照射する。光源21にはルビーレーザを
用いるのが望ましい。なお、第３図中、１はブロッホラ
インメモリデバイスを示している。
について説明を加える。第３図にみられるように、光源
21からのレーザ光をレンズ22、偏光子23、光変調器24を
通してストライプドメイン13端部に隣接した薄膜状光誘
起磁化物質15へと照射する。光源21にはルビーレーザを
用いるのが望ましい。なお、第３図中、１はブロッホラ
インメモリデバイスを示している。
光源21から出されたコヒーレント光はレンズ22により
収束され、偏光子23を通して直線偏光光となる。光変調
器24は変調信号源からの電圧（図示していない）に応じ
て直線偏光光を左右円偏光に変調させるが、本発明方法
においては、信号電圧によって右円偏光又は左円偏光に
変調しておき、ルビー単結晶15上に順次照射する。
収束され、偏光子23を通して直線偏光光となる。光変調
器24は変調信号源からの電圧（図示していない）に応じ
て直線偏光光を左右円偏光に変調させるが、本発明方法
においては、信号電圧によって右円偏光又は左円偏光に
変調しておき、ルビー単結晶15上に順次照射する。
光誘起磁化物質15からは円偏光の回転方向（左右）に
より極性の異なる磁化が発生することから、信号の有無
を円偏光の回転方向に変換させれば向きの異なる磁界が
得られ、それによって信号の有無に応じて、ストライプ
ドメイン13にブロッホライン対の形成がなされる。
より極性の異なる磁化が発生することから、信号の有無
を円偏光の回転方向に変換させれば向きの異なる磁界が
得られ、それによって信号の有無に応じて、ストライプ
ドメイン13にブロッホライン対の形成がなされる。
一方、第２図に示したデバイスにおいては、前記と同
様に光誘起磁化物質15に円偏光を照射し磁界を発生させ
ると、この磁界に応じて、ストライプドメイン13の端部
は伸縮するが、その際、円偏光の回転方向をストライプ
ドメイン端部が伸びるように右回りの方向か左回りの方
向かのいずれかに固定しておく。
様に光誘起磁化物質15に円偏光を照射し磁界を発生させ
ると、この磁界に応じて、ストライプドメイン13の端部
は伸縮するが、その際、円偏光の回転方向をストライプ
ドメイン端部が伸びるように右回りの方向か左回りの方
向かのいずれかに固定しておく。
従って、ストライプドメイン13は円偏光照射時にブロ
ッホライン書込み用導体14にまで伸るため、円偏光照射
と同期させるように導体14に電流を流すことによってス
トライプドメイン13端部にはブロッホライン対が形成さ
れる。
ッホライン書込み用導体14にまで伸るため、円偏光照射
と同期させるように導体14に電流を流すことによってス
トライプドメイン13端部にはブロッホライン対が形成さ
れる。
次に実施例を示す。
実施例 １ 上記に示した方法により、膜厚２〜３μｍのガーネッ
ト膜をガドリウム・ガリウム・ガーネット基板（GGG基
板）に上に成膜にその上にストライプドメインの転送パ
ターンをイオン打込み法で形成し、また、そのストライ
プドメインの端部に接するように、膜厚100〜110μｍの
ルビー単結晶膜をLPE法で形成して第１図に示したタイ
プのブロッホラインメモリデバイスをつくった。
ト膜をガドリウム・ガリウム・ガーネット基板（GGG基
板）に上に成膜にその上にストライプドメインの転送パ
ターンをイオン打込み法で形成し、また、そのストライ
プドメインの端部に接するように、膜厚100〜110μｍの
ルビー単結晶膜をLPE法で形成して第１図に示したタイ
プのブロッホラインメモリデバイスをつくった。
続いて、このデバイスを第３図について説明した手段
によって書込みを行なったところ、きわめて簡単な構成
で信号書込部が得られ、ストライプドメインにブロッホ
ライン対からなる記録がなされた。
によって書込みを行なったところ、きわめて簡単な構成
で信号書込部が得られ、ストライプドメインにブロッホ
ライン対からなる記録がなされた。
実施例 ２ 実施例１と同様にGGG板上にガーネット膜を成膜し、
その上にストライプドメインを形成し、そのストライプ
ドメイン端部から約20μｍ離れたところに100〜110μｍ
厚のルビー単結晶膜を形成した。また、ストライプドメ
イン端部とルビー単結晶膜との間に約0.6μｍ厚のブロ
ッホライン書込み用導体（Al蒸着膜）を設けて第２図に
示したタイプのブロッホラインメモリデバイスをつくっ
た。
その上にストライプドメインを形成し、そのストライプ
ドメイン端部から約20μｍ離れたところに100〜110μｍ
厚のルビー単結晶膜を形成した。また、ストライプドメ
イン端部とルビー単結晶膜との間に約0.6μｍ厚のブロ
ッホライン書込み用導体（Al蒸着膜）を設けて第２図に
示したタイプのブロッホラインメモリデバイスをつくっ
た。
続いて、このデバイスを第３図について説明した手段
によって説明した手段によって書込みを行なったとこ
ろ、光誘起磁化物質の磁化発生がストライプドメイン端
部を伸ばすためのみに使用されて、磁化発生の精度をラ
フに設定することができ、ストライプドメインにブロッ
ホライン対からなる記録がなされた。
によって説明した手段によって書込みを行なったとこ
ろ、光誘起磁化物質の磁化発生がストライプドメイン端
部を伸ばすためのみに使用されて、磁化発生の精度をラ
フに設定することができ、ストライプドメインにブロッ
ホライン対からなる記録がなされた。
［効果］ 本発明方法によれば、デバイスの構成が簡略化され
て、加えて、信号書込みの高速化が実現される。
て、加えて、信号書込みの高速化が実現される。
第１図及び第２図は本発明方法で使用されるブロッホラ
インメモリデバイスの書込み部の二例の概略図である。
第３図はこれらデバイスに信号書込みを行なう手段を説
明するための図である。 １……ブロッホラインメモリデバイス 11……基板、12……磁性膜 13……ストライプドメイン 14……ブロッホライン書込み用導体 15……光誘起磁化物質、21……光源 22……レンズ、23……偏光子 24……光変調器
インメモリデバイスの書込み部の二例の概略図である。
第３図はこれらデバイスに信号書込みを行なう手段を説
明するための図である。 １……ブロッホラインメモリデバイス 11……基板、12……磁性膜 13……ストライプドメイン 14……ブロッホライン書込み用導体 15……光誘起磁化物質、21……光源 22……レンズ、23……偏光子 24……光変調器
Claims (2)
- 【請求項１】ストライプドメイン端部に隣接して光誘起
磁化物質を配置し、該光誘起磁化物質にレーザ光の円偏
光を照射して該ストライプドメインにブロッホラインを
形成させることを特徴とするブロッホラインメモリの書
込み方法。 - 【請求項２】ストライプドメイン端部に近接して光誘起
磁化物質を配置し、かつ、ストライプドメインと該光誘
起磁化物質との間にブロッホライン書込み用導体を配設
し、該光誘起磁化物質にレーザ光の円偏光を照射して該
ストライプドメインにブロッホラインを形成させること
を特徴とするブロッホラインメモリの書込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303983A JP2614246B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | ブロッホラインメモリの書込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303983A JP2614246B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | ブロッホラインメモリの書込み方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144289A JPH01144289A (ja) | 1989-06-06 |
| JP2614246B2 true JP2614246B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=17927628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62303983A Expired - Lifetime JP2614246B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | ブロッホラインメモリの書込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614246B2 (ja) |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62303983A patent/JP2614246B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01144289A (ja) | 1989-06-06 |
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