JP2640954B2 - サブマウントに対するチップの位置決め方法および装置 - Google Patents
サブマウントに対するチップの位置決め方法および装置Info
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- JP2640954B2 JP2640954B2 JP1533288A JP1533288A JP2640954B2 JP 2640954 B2 JP2640954 B2 JP 2640954B2 JP 1533288 A JP1533288 A JP 1533288A JP 1533288 A JP1533288 A JP 1533288A JP 2640954 B2 JP2640954 B2 JP 2640954B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
この発明は、レーザダイオードの製造過程において、
サブマウントに対するレーザダイオードチップの位置決
めをより効率よく行える方法および装置に関する。
サブマウントに対するレーザダイオードチップの位置決
めをより効率よく行える方法および装置に関する。
レーザダイオードは、レーザダイオードチップ(以
下、単にレーザチップという。)を担持するシリコーン
製のサブマウントを、チップのへき開面が上下方向を向
くようにしてステム上にマウントし、モニタ素子の装
着、ワイヤボンディングを行なった後、頂部に透明窓部
を有する円筒キャップ状のケースによってステム上の部
品をカンシールして作製される。 ところで、レーザチップaは、サブマウントbに対し
て第5図および第6図に示すように一方のへき開面がサ
ブマウントbの端面から若干オーバハングするようにし
てボンディングされる。サブマウントbは、レーザチッ
プaがきわめて小さいことから、その取り扱いを容易に
するためと、チップからの放熱を効率よく行わせるため
に使用される。ステムに対するレーザチップaの位置、
とくにへき開面上の発光点の位置は、利用機器における
対象に正確に焦点を結ばせる必要から、通常、数μmオ
ーダの精度が要求されるが、サブマウントbに対するレ
ーザチップaの位置、とくに第6図上のXの寸法も、同
様にきわめて厳しい精度が要求される。 従来、上記のようなサブマウントbに対するレーザチ
ップaの位置決めは、高倍率の認識カメラによってサブ
マウントの映像をとらえながら、チップaを保持するコ
レットを高精度テーブルによって手動で移動させて行な
われていた。 このような位置決め方法は、手動であることから非常
に効率が悪いことはあきらかである。また、一方向から
サブマウントbおよびコレットに保持されたレーザチッ
プaの映像をとらえながらの位置決めにおいては、サブ
マウントbのボンディング面と直交する軸線回りについ
てのチップaの位置決めを正確に行なうことが困難であ
り、位置決め精度を一定化することも難しい。 この発明は、上述の事情のもとで考え出されたもので
あって、従来の問題を解決し、簡単な構成により、サブ
マウントに対するレーザチップの位置決めを、効率よ
く、かつ正確に行なえる方法および装置を提供すること
をその目的とする。
下、単にレーザチップという。)を担持するシリコーン
製のサブマウントを、チップのへき開面が上下方向を向
くようにしてステム上にマウントし、モニタ素子の装
着、ワイヤボンディングを行なった後、頂部に透明窓部
を有する円筒キャップ状のケースによってステム上の部
品をカンシールして作製される。 ところで、レーザチップaは、サブマウントbに対し
て第5図および第6図に示すように一方のへき開面がサ
ブマウントbの端面から若干オーバハングするようにし
てボンディングされる。サブマウントbは、レーザチッ
プaがきわめて小さいことから、その取り扱いを容易に
するためと、チップからの放熱を効率よく行わせるため
に使用される。ステムに対するレーザチップaの位置、
とくにへき開面上の発光点の位置は、利用機器における
対象に正確に焦点を結ばせる必要から、通常、数μmオ
ーダの精度が要求されるが、サブマウントbに対するレ
ーザチップaの位置、とくに第6図上のXの寸法も、同
様にきわめて厳しい精度が要求される。 従来、上記のようなサブマウントbに対するレーザチ
ップaの位置決めは、高倍率の認識カメラによってサブ
マウントの映像をとらえながら、チップaを保持するコ
レットを高精度テーブルによって手動で移動させて行な
われていた。 このような位置決め方法は、手動であることから非常
に効率が悪いことはあきらかである。また、一方向から
サブマウントbおよびコレットに保持されたレーザチッ
プaの映像をとらえながらの位置決めにおいては、サブ
マウントbのボンディング面と直交する軸線回りについ
てのチップaの位置決めを正確に行なうことが困難であ
り、位置決め精度を一定化することも難しい。 この発明は、上述の事情のもとで考え出されたもので
あって、従来の問題を解決し、簡単な構成により、サブ
マウントに対するレーザチップの位置決めを、効率よ
く、かつ正確に行なえる方法および装置を提供すること
をその目的とする。
上記の問題を解決するために、この発明では、次の技
術的手段を講じている。 本願発明のサブマウントに対するレーザチップの位置
決め方法は、放熱板上にチップボンディング面が上面を
向くサブマウントを載置するとともに、このサブマウン
トの一端面に当接する基準当接面と、この基準当接面に
対して水平方向に一定の位置関係にあるチップ当接面
と、上記基準当接面に対して水平方向に一定の位置関係
にあるコレットガイドとを備えるヒータブロックを、水
平方向に移動させて上記基準当接面を上記サブマウント
の一端面に当接させ、レーザチップを保持するコレット
を、レーザチップのへき開面をチップ当接面に当接させ
ながらコレットガイドの案内をうけて下動させ、上記レ
ーザチップをサブマウントのボンディング面にボンディ
ングするようにしたことを特徴とする。 そうして、本願発明のサブマウントに対するレーザチ
ップの位置決め装置は、サブマウントを載置する放熱
板、および、水平方向に移動可能であり、かつ、放熱板
上のサブマウントの一端面に当接しうる基準当接面と、
この基準当接面に対して水平方向に一定の位置関係にあ
り、かつレーザチップを搬送するコレットを上下方向に
案内するコレットガイドと、上記基準当接面に対して水
平方向に一定の位置関係にあり、かつ上記コレットに保
持されるレーザチップのへき開面に当接するチップ当接
面とを一体的に備えるヒータブロック、を備えて構成さ
れている。
術的手段を講じている。 本願発明のサブマウントに対するレーザチップの位置
決め方法は、放熱板上にチップボンディング面が上面を
向くサブマウントを載置するとともに、このサブマウン
トの一端面に当接する基準当接面と、この基準当接面に
対して水平方向に一定の位置関係にあるチップ当接面
と、上記基準当接面に対して水平方向に一定の位置関係
にあるコレットガイドとを備えるヒータブロックを、水
平方向に移動させて上記基準当接面を上記サブマウント
の一端面に当接させ、レーザチップを保持するコレット
を、レーザチップのへき開面をチップ当接面に当接させ
ながらコレットガイドの案内をうけて下動させ、上記レ
ーザチップをサブマウントのボンディング面にボンディ
ングするようにしたことを特徴とする。 そうして、本願発明のサブマウントに対するレーザチ
ップの位置決め装置は、サブマウントを載置する放熱
板、および、水平方向に移動可能であり、かつ、放熱板
上のサブマウントの一端面に当接しうる基準当接面と、
この基準当接面に対して水平方向に一定の位置関係にあ
り、かつレーザチップを搬送するコレットを上下方向に
案内するコレットガイドと、上記基準当接面に対して水
平方向に一定の位置関係にあり、かつ上記コレットに保
持されるレーザチップのへき開面に当接するチップ当接
面とを一体的に備えるヒータブロック、を備えて構成さ
れている。
本願発明において最も特徴的な点は、サブマウントの
一端面に対して当接する基準当接面と、レーザチップに
当接するチップ当接面と、コレットを案内するコレット
ガイドとが一体的に形成されたヒータブロックを用いて
サブマウントに対するレーザチップの位置決めを行なう
ようにしている点である。 放熱板上に載置されたサブマウントに対し、ヒータブ
ロックが水平方向に移動してその基準当接面がサブマウ
ントの一端面に当接する。そうして、この状態において
レーザチップを保持するコレットが下動するのである
が、このとき、コレットそれ自体がヒータブロック上の
コレットガイドに案内されながら、サブマウントに対し
て一定の位置関係を維持しつつ下動する。コレットの下
動時、レーザチップは、ヒータブロック上のチップ当接
面に案内されながら、サブマウントに対して所定の水平
位置関係を保持されながら下動し、最終的に、サブマウ
ントのボンディング面に、これに対して正確に位置決め
されながらボンディングされる。 このように、本願発明によれば、ヒータブロックに、
サブマウントに当接する基準当接面と、チップ当接面と
が一体に形成されているから、コレットによるチップボ
ンディング時に、ボンディング後のレーザチップとサブ
マウントとの水平方向の位置関係が、上記基準当接面と
チップ当接面との位置関係によって定まる一定の関係に
保持される。また、本願発明においては、ヒータブロッ
クに、基準当接面に対して水平方向に一定の位置関係に
あるコレットガイドをも形成してあるので、まず、コレ
ットの水平方向の位置を規制しつつチップの位置をチッ
プ当接面で修正することとなる。したがって、チップ当
接面によるチップの位置の修正量が少なくなり、コレッ
トによるレーザチップのハンドリングミスを回避するこ
とができる。このことは、チップの位置決めを問題なく
ほぼ完全自動としうることを意味する。 さらに、本願発明では、ヒータブロックに基準当接面
とチップ当接面を一体的に形成しているので、熱膨脹に
よる位置決め精度への悪影響を完全に排除することがで
きる。
一端面に対して当接する基準当接面と、レーザチップに
当接するチップ当接面と、コレットを案内するコレット
ガイドとが一体的に形成されたヒータブロックを用いて
サブマウントに対するレーザチップの位置決めを行なう
ようにしている点である。 放熱板上に載置されたサブマウントに対し、ヒータブ
ロックが水平方向に移動してその基準当接面がサブマウ
ントの一端面に当接する。そうして、この状態において
レーザチップを保持するコレットが下動するのである
が、このとき、コレットそれ自体がヒータブロック上の
コレットガイドに案内されながら、サブマウントに対し
て一定の位置関係を維持しつつ下動する。コレットの下
動時、レーザチップは、ヒータブロック上のチップ当接
面に案内されながら、サブマウントに対して所定の水平
位置関係を保持されながら下動し、最終的に、サブマウ
ントのボンディング面に、これに対して正確に位置決め
されながらボンディングされる。 このように、本願発明によれば、ヒータブロックに、
サブマウントに当接する基準当接面と、チップ当接面と
が一体に形成されているから、コレットによるチップボ
ンディング時に、ボンディング後のレーザチップとサブ
マウントとの水平方向の位置関係が、上記基準当接面と
チップ当接面との位置関係によって定まる一定の関係に
保持される。また、本願発明においては、ヒータブロッ
クに、基準当接面に対して水平方向に一定の位置関係に
あるコレットガイドをも形成してあるので、まず、コレ
ットの水平方向の位置を規制しつつチップの位置をチッ
プ当接面で修正することとなる。したがって、チップ当
接面によるチップの位置の修正量が少なくなり、コレッ
トによるレーザチップのハンドリングミスを回避するこ
とができる。このことは、チップの位置決めを問題なく
ほぼ完全自動としうることを意味する。 さらに、本願発明では、ヒータブロックに基準当接面
とチップ当接面を一体的に形成しているので、熱膨脹に
よる位置決め精度への悪影響を完全に排除することがで
きる。
以下、本願発明の実施例を図面を参照しつつ具体的に
説明する。 まず、図におてい符号1は、サブマウントキャリヤと
しての放熱板を示し、この上面の一縁には、第1図に示
すように、シリコーンでできたサブマウント2…が、そ
の一端面2a…が放熱板の側縁面から若干オーバハングす
るようにして、インジウムなどの低融点ろう材によって
等ピッチで取付けられている。 上記の放熱板1は、第1図において紙面と直交する方
向にピッチ送りされるように搬送路C上に指示されてい
る。搬送路ないし放熱板1の側方には、放熱板1の搬送
方向と直交する方向に水平に移動しうるヒータブロック
3が配置されている。このヒータブロック3には、放熱
板1上の各サブマウント2の一端面2aに当接する垂直平
面状の基準当接面4と、これの上方において、基準当接
面4から一定距離(X)退避するようにして、後記する
コレット5によって搬送されるレーザチップ6のへき開
面に当接するチップ当接面7が垂直平面状に形成され
る。このチップ当接面7は、コレットとともに下動する
チップ6の位置決め作用をなすものであり、その上下長
さは、チップ6の上下高さより長くしてある。さらに、
チップ当接面7の上方には、コレット5の側面に当接し
てこれを案内するコレットガイド8が設けてある。本例
においてこのコレットガイド8は、上記搬送路Cの送り
方向の示軸9回りに回転支持された高精度ベアリング8a
によって構成されている。 なお、チップ当接面7は、第3図に詳示するように、
チップのへき開面のうち、発光点を保護するために、幅
方向中央部に凹陥部10を形成してある。また、ヒータブ
ロック3は、サブマウント2に対してレーザチップ8を
接着するためのろう材である、たとえば金・錫共晶合金
の融点よりやや高い温度にまで加熱されている。 放熱板1が搬送路C上をピッチ送りされてチップボン
ディング前のサブマウントが第1図紙面直交方向の所定
の位置まで送られると、まず、仮想線で示すように、サ
ブマウント2の他端面2aをバックアップする押えロッド
11が進出する。この押えロッド11は、ヒータブロック3
と連動し、このヒータブロック3との間に各サブマウン
ト2を挟圧するようにして、サブマウント2に対するヒ
ータブロック3のずれを回避するものである。 ついで、図示しないチップ供給部からレーザチップ6
を受け取り、かつこれを真空吸着するコレット5が、ほ
ぼチップ6がサブマウント上のボンディング位置の上方
に位置するように水平移動してくる。このとき、チップ
6の高さは、ヒータブロック3のチップ当接面7の高さ
範囲にあるようにする。 そして、第2図に示すように、ヒータブロック3が、
その基準当接面4がサブマウント2の一端面2aに当接す
るまで進出する。このとき、コレットガイド8がコレッ
ト5の側面に当接してその水平方向位置を修正するとと
もに、チップ当接面7がレーザチップ6のへき開面に当
接して、このへき開面のサブマウント2の一端からのオ
ーバハング量をXに規定する。 ついで、コレット5が下動させられ、上述のように水
平方向の位置規定がなされたレーザチップ6がサブマウ
ント2上のボンディング位置にボンディングされる。 なお、チップの裏面には金メッキが、サブマウントの
ボンディング面には金・錫メッキがあらかじめ施されて
おり、ヒータが組み込まれた搬送路Cないしはヒータブ
ロック3による加熱により、チップのボンディング時、
これらが共晶合金を形成してサブマウント2に対してレ
ーザチップ6を装着する。 一のサブマウント2に対するレーザチップ6のボンデ
ィングが終了すると、ヒータブロック3、押えロッド11
およびコレット5が退避し、放熱板1が1ピッチ進めら
れて、上記と同様の動作を繰り返す。 このようにして、放熱板1上に等ピッチで取付けられ
た各サブマウント2…に対し、レーザチップ6…が正確
に位置決めされながら、しかも効率良くボンディングさ
れる。そうして、チップ6を担持するサブマウント2を
ステムにボンディングする際には、サブマウント2に対
してチップ6を保持しているインジウムの融点である約
160℃まで放熱板を加熱し、各サブマウント2をチャッ
クして対ステムボンディングに供すればよい。この場
合、サブマウント2に対してチップ6を接着する金・錫
共晶合金の融点はインジウムの融点より高いので、上記
の加熱がサブマウントに対するチップ6のボンディング
状態になんら悪影響を及ぼさない。 なお、上述のように本願発明の実施に際して複数のサ
ブマウント2を担持する放熱板1を導入すると、これが
次工程である対ステムボンディングにおいてサブマウン
トキャリヤとして機能するため、レーザダイオードの製
造工程が自動化に適するように簡略化され、全体とし
て、レーザダイオードの製造効率の飛躍的な向上に貢献
する。 以上のように、本願発明によれば、サブマウントに対
するレーザチップの高精度ボンディングが、効率よく行
なえる。
説明する。 まず、図におてい符号1は、サブマウントキャリヤと
しての放熱板を示し、この上面の一縁には、第1図に示
すように、シリコーンでできたサブマウント2…が、そ
の一端面2a…が放熱板の側縁面から若干オーバハングす
るようにして、インジウムなどの低融点ろう材によって
等ピッチで取付けられている。 上記の放熱板1は、第1図において紙面と直交する方
向にピッチ送りされるように搬送路C上に指示されてい
る。搬送路ないし放熱板1の側方には、放熱板1の搬送
方向と直交する方向に水平に移動しうるヒータブロック
3が配置されている。このヒータブロック3には、放熱
板1上の各サブマウント2の一端面2aに当接する垂直平
面状の基準当接面4と、これの上方において、基準当接
面4から一定距離(X)退避するようにして、後記する
コレット5によって搬送されるレーザチップ6のへき開
面に当接するチップ当接面7が垂直平面状に形成され
る。このチップ当接面7は、コレットとともに下動する
チップ6の位置決め作用をなすものであり、その上下長
さは、チップ6の上下高さより長くしてある。さらに、
チップ当接面7の上方には、コレット5の側面に当接し
てこれを案内するコレットガイド8が設けてある。本例
においてこのコレットガイド8は、上記搬送路Cの送り
方向の示軸9回りに回転支持された高精度ベアリング8a
によって構成されている。 なお、チップ当接面7は、第3図に詳示するように、
チップのへき開面のうち、発光点を保護するために、幅
方向中央部に凹陥部10を形成してある。また、ヒータブ
ロック3は、サブマウント2に対してレーザチップ8を
接着するためのろう材である、たとえば金・錫共晶合金
の融点よりやや高い温度にまで加熱されている。 放熱板1が搬送路C上をピッチ送りされてチップボン
ディング前のサブマウントが第1図紙面直交方向の所定
の位置まで送られると、まず、仮想線で示すように、サ
ブマウント2の他端面2aをバックアップする押えロッド
11が進出する。この押えロッド11は、ヒータブロック3
と連動し、このヒータブロック3との間に各サブマウン
ト2を挟圧するようにして、サブマウント2に対するヒ
ータブロック3のずれを回避するものである。 ついで、図示しないチップ供給部からレーザチップ6
を受け取り、かつこれを真空吸着するコレット5が、ほ
ぼチップ6がサブマウント上のボンディング位置の上方
に位置するように水平移動してくる。このとき、チップ
6の高さは、ヒータブロック3のチップ当接面7の高さ
範囲にあるようにする。 そして、第2図に示すように、ヒータブロック3が、
その基準当接面4がサブマウント2の一端面2aに当接す
るまで進出する。このとき、コレットガイド8がコレッ
ト5の側面に当接してその水平方向位置を修正するとと
もに、チップ当接面7がレーザチップ6のへき開面に当
接して、このへき開面のサブマウント2の一端からのオ
ーバハング量をXに規定する。 ついで、コレット5が下動させられ、上述のように水
平方向の位置規定がなされたレーザチップ6がサブマウ
ント2上のボンディング位置にボンディングされる。 なお、チップの裏面には金メッキが、サブマウントの
ボンディング面には金・錫メッキがあらかじめ施されて
おり、ヒータが組み込まれた搬送路Cないしはヒータブ
ロック3による加熱により、チップのボンディング時、
これらが共晶合金を形成してサブマウント2に対してレ
ーザチップ6を装着する。 一のサブマウント2に対するレーザチップ6のボンデ
ィングが終了すると、ヒータブロック3、押えロッド11
およびコレット5が退避し、放熱板1が1ピッチ進めら
れて、上記と同様の動作を繰り返す。 このようにして、放熱板1上に等ピッチで取付けられ
た各サブマウント2…に対し、レーザチップ6…が正確
に位置決めされながら、しかも効率良くボンディングさ
れる。そうして、チップ6を担持するサブマウント2を
ステムにボンディングする際には、サブマウント2に対
してチップ6を保持しているインジウムの融点である約
160℃まで放熱板を加熱し、各サブマウント2をチャッ
クして対ステムボンディングに供すればよい。この場
合、サブマウント2に対してチップ6を接着する金・錫
共晶合金の融点はインジウムの融点より高いので、上記
の加熱がサブマウントに対するチップ6のボンディング
状態になんら悪影響を及ぼさない。 なお、上述のように本願発明の実施に際して複数のサ
ブマウント2を担持する放熱板1を導入すると、これが
次工程である対ステムボンディングにおいてサブマウン
トキャリヤとして機能するため、レーザダイオードの製
造工程が自動化に適するように簡略化され、全体とし
て、レーザダイオードの製造効率の飛躍的な向上に貢献
する。 以上のように、本願発明によれば、サブマウントに対
するレーザチップの高精度ボンディングが、効率よく行
なえる。
第1図は本願発明の一実施例の断面図、第2図は作用説
明図、第3図は第1図のIII−III線に沿う断面図、第4
図は本願発明方法の一実施例において使用される放熱板
の斜視図、第5図および第6図は従来例の説明図であ
る。 1……放熱板、2……サブマウント、3……ヒータブロ
ック、4……基準当接面、5……コレット、6……レー
ザチップ、7……チップ当接面、8……コレットガイ
ド。
明図、第3図は第1図のIII−III線に沿う断面図、第4
図は本願発明方法の一実施例において使用される放熱板
の斜視図、第5図および第6図は従来例の説明図であ
る。 1……放熱板、2……サブマウント、3……ヒータブロ
ック、4……基準当接面、5……コレット、6……レー
ザチップ、7……チップ当接面、8……コレットガイ
ド。
Claims (2)
- 【請求項1】放熱板上にチップボンディング面が上面を
向くサブマウントを載置するとともに、このサブマウン
トの一端面に当接する基準当接面と、この基準当接面に
対して水平方向に一定の位置関係にあるチップ当接面
と、上記基準当接面に対して水平方向に一定の位置関係
にあるコレットガイドとを備えるヒータブロックを、水
平方向に移動させて上記基準当接面を上記サブマウント
の一端面に当接させ、レーザチップを保持するコレット
を、レーザチップのへき開面をチップ当接面に当接させ
ながらコレットガイドの案内をうけて下動させ、上記レ
ーザチップをサブマウントのボンディング面にボンディ
ングするようにしたことを特徴とする、サブマウントに
対するチップの位置決め方法。 - 【請求項2】サブマウントを載置する放熱板、および、
水平方向に移動可能であり、かつ、放熱板上のサブマウ
ントの一端面に当接しうる基準当接面と、この基準当接
面に対して水平方向に一定の位置関係にあり、かつレー
ザチップを搬送するコレットを上下方向に案内するコレ
ットガイドと、上記基準当接面に対して水平方向に一定
の位置関係にあり、かつ上記コレットに保持されるレー
ザチップのへき開面に当接するチップ当接面とを一体的
に備えるヒータブロック、 を備えることを特徴とする、サブマウントに対するチッ
プの位置決め装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1533288A JP2640954B2 (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | サブマウントに対するチップの位置決め方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1533288A JP2640954B2 (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | サブマウントに対するチップの位置決め方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189981A JPH01189981A (ja) | 1989-07-31 |
| JP2640954B2 true JP2640954B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=11885829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1533288A Expired - Lifetime JP2640954B2 (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | サブマウントに対するチップの位置決め方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2640954B2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP1533288A patent/JP2640954B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01189981A (ja) | 1989-07-31 |
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