JP2676833B2 - フォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JP2676833B2 JP2676833B2 JP63258723A JP25872388A JP2676833B2 JP 2676833 B2 JP2676833 B2 JP 2676833B2 JP 63258723 A JP63258723 A JP 63258723A JP 25872388 A JP25872388 A JP 25872388A JP 2676833 B2 JP2676833 B2 JP 2676833B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photoresist
- photoresist film
- film
- exposed
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトレジストパターンの形成方法に関す
る。
る。
〔従来の技術〕 半導体装置の微細化を実施するにあたって、フォトレ
ジストパターンの微細化が必要である。従来の高解像の
フォトレジストパターンを得る方法としては、単層のフ
ォトレジストの成分組成、化学構造等を変える事により
解像性を高めてゆく方法、２層レジストプロセスや３層
レジストプロセスなどの多層レジストプロセスにより得
る方法などがある。
ジストパターンの微細化が必要である。従来の高解像の
フォトレジストパターンを得る方法としては、単層のフ
ォトレジストの成分組成、化学構造等を変える事により
解像性を高めてゆく方法、２層レジストプロセスや３層
レジストプロセスなどの多層レジストプロセスにより得
る方法などがある。
上述した従来の高解像のレジストパターンを得る技術
で、単層のフォトレジストを利用する技術は、微少投影
露光装置の露光波長が単一波長の為、定在波の影響によ
り解像度に限界がある。また単層でのフォーカスマージ
ンが少い為、段差のある半導体基板上に高解像のパター
ンを形成する場合、そのパターン形状を劣化させるとい
う可能性がある。
で、単層のフォトレジストを利用する技術は、微少投影
露光装置の露光波長が単一波長の為、定在波の影響によ
り解像度に限界がある。また単層でのフォーカスマージ
ンが少い為、段差のある半導体基板上に高解像のパター
ンを形成する場合、そのパターン形状を劣化させるとい
う可能性がある。
多層レジストプロセスを利用する技術は、そのフォト
レジストパターンの形成方法が複雑であることから、半
導体装置の量産製造には適さないという欠点がある。
レジストパターンの形成方法が複雑であることから、半
導体装置の量産製造には適さないという欠点がある。
本発明のフォトレジストパターンの形成方法は、半導
体基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フ
ォトレジスト膜の表面にのみに所望のパターンを露光し
転写する工程と、前記フォトレジスト膜のパターン未転
写部の表面に光学的不透明膜を形成する工程と、不透明
膜が形成された前記フォトレジスト膜に全面露光を行う
工程と、全面露光された前記フォトレジスト膜のパター
ン露光部を現像により取り除く工程とを含んで構成され
る。
体基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フ
ォトレジスト膜の表面にのみに所望のパターンを露光し
転写する工程と、前記フォトレジスト膜のパターン未転
写部の表面に光学的不透明膜を形成する工程と、不透明
膜が形成された前記フォトレジスト膜に全面露光を行う
工程と、全面露光された前記フォトレジスト膜のパター
ン露光部を現像により取り除く工程とを含んで構成され
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための工程順に
示した半導体チップの断面図である。
示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、半導体基板１上にフ
ォトレジスト膜２を回転塗布により形成する。次で所望
のパターンの描かれたフォトマスク３を介してフォトレ
ジスト膜２上に露光光A,例えば436nmの波長を有する光
で露光しフォトレジスト膜２表面にある感光剤のみを光
分解させ、露光部４を形成する。
ォトレジスト膜２を回転塗布により形成する。次で所望
のパターンの描かれたフォトマスク３を介してフォトレ
ジスト膜２上に露光光A,例えば436nmの波長を有する光
で露光しフォトレジスト膜２表面にある感光剤のみを光
分解させ、露光部４を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、芳香族アミンを水溶
液としたもの、あるいは非極性溶媒溶液としたものをフ
ォトレジスト膜の表面に浸漬させ処理し、未露光部の感
光剤と発色反応させる。この操作により光学的不透明膜
５をフォトレジスト膜２の表面に形成する。
液としたもの、あるいは非極性溶媒溶液としたものをフ
ォトレジスト膜の表面に浸漬させ処理し、未露光部の感
光剤と発色反応させる。この操作により光学的不透明膜
５をフォトレジスト膜２の表面に形成する。
次に第１図（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜２
に露光光Ｂを用いて全面露光を行う。光学的不透明膜５
で覆われた部分は露光光Ｂを通過させない為、これがそ
のままフォトマスクとして働く。そして表面が既に露光
されている部分４は、そのままパターンの得られる適正
露光時間で露光される。この時の露光光Ｂの波長を任意
に組み合わせる事で定在波の影響を低減させる事ができ
る。すなわち、露光光Ｂとしては、例えば436nmと365nm
の波長を有する光を用いることができる。
に露光光Ｂを用いて全面露光を行う。光学的不透明膜５
で覆われた部分は露光光Ｂを通過させない為、これがそ
のままフォトマスクとして働く。そして表面が既に露光
されている部分４は、そのままパターンの得られる適正
露光時間で露光される。この時の露光光Ｂの波長を任意
に組み合わせる事で定在波の影響を低減させる事ができ
る。すなわち、露光光Ｂとしては、例えば436nmと365nm
の波長を有する光を用いることができる。
次に第１図（ｄ）に示すように、露光されたフォトレ
ジスト膜２を現像することにより、高解像のフォトレジ
ストパターンが得られる。また表面に光学的不透明膜５
を形成したフォトレジスト膜は、従来のフォトレジスト
膜に比べ、広いフォーカスマージンを持つ単層のフォト
レジスト膜として使用できる。
ジスト膜２を現像することにより、高解像のフォトレジ
ストパターンが得られる。また表面に光学的不透明膜５
を形成したフォトレジスト膜は、従来のフォトレジスト
膜に比べ、広いフォーカスマージンを持つ単層のフォト
レジスト膜として使用できる。
尚、上記実施例においては、光学的不透明膜５を芳香
族アミンの水溶液または非極性溶媒溶液としたものを用
いて形成した場合について説明したが、これに限定され
るものではなく、アンモニア蒸気で表面処理を行い光学
的不透明膜５を形成してもよい。この場合非極性溶媒や
水溶液等によるフォトレジスト膜表面の膜減りや劣化を
低減できるため、より形状の良いパターン形成が可能で
ある。
族アミンの水溶液または非極性溶媒溶液としたものを用
いて形成した場合について説明したが、これに限定され
るものではなく、アンモニア蒸気で表面処理を行い光学
的不透明膜５を形成してもよい。この場合非極性溶媒や
水溶液等によるフォトレジスト膜表面の膜減りや劣化を
低減できるため、より形状の良いパターン形成が可能で
ある。
以上説明したように本発明は、フォトレジストの表面
にのみパターンを露光して転写し、次で未露光部に光学
的不透明膜を形成させた後、全面露光を行うことによ
り、単一波長の露光による定在波の影響を低減できる事
から高解像のフォトレジストパターンを得る事ができ
る。
にのみパターンを露光して転写し、次で未露光部に光学
的不透明膜を形成させた後、全面露光を行うことによ
り、単一波長の露光による定在波の影響を低減できる事
から高解像のフォトレジストパターンを得る事ができ
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図である。 １……半導体基板、２……フォトレジスト膜、３……フ
ォトマスク、４……露光部、５……光学的不透明膜。
めの半導体チップの断面図である。 １……半導体基板、２……フォトレジスト膜、３……フ
ォトマスク、４……露光部、５……光学的不透明膜。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上にフォトレジスト膜を形成す
る工程と、前記フォトレジスト膜の表面にのみに所望の
パターンを露光し転写する工程と、前記フォトレジスト
膜のパターン未転写部の表面に光学的不透明膜を形成す
る工程と、不透明膜が形成された前記フォトレジスト膜
に全面露光を行う工程と、全面露光された前記フォトレ
ジスト膜のパターン露光部を現像により取り除く工程と
を含むことを特徴とするフォトレジストパターンの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258723A JP2676833B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258723A JP2676833B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103551A JPH02103551A (ja) | 1990-04-16 |
| JP2676833B2 true JP2676833B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=17324193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258723A Expired - Lifetime JP2676833B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676833B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02264961A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH02264960A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258723A patent/JP2676833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02103551A (ja) | 1990-04-16 |
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