JP2679201B2 - 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 - Google Patents
酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は各種電子機器に利用される酸化ルテニウム系
薄膜のエッチング方法に関するものである。
薄膜のエッチング方法に関するものである。
従来の技術 各種電子機器に於て酸化ルテニウム系抵抗体はハイブ
リッドIC,サーマルヘッド，チップ抵抗，抵抗ネットワ
ーク部品，センサー等に広く使われている。これらの酸
化ルテニウム系抵抗体は一般にRuO2を主成分とする無機
物の粉末をガラスフリット、樹脂、有機溶剤と混合し、
ペースト化したものを印刷焼成することによって作成さ
れる厚膜抵抗体である。
リッドIC,サーマルヘッド，チップ抵抗，抵抗ネットワ
ーク部品，センサー等に広く使われている。これらの酸
化ルテニウム系抵抗体は一般にRuO2を主成分とする無機
物の粉末をガラスフリット、樹脂、有機溶剤と混合し、
ペースト化したものを印刷焼成することによって作成さ
れる厚膜抵抗体である。
これらは印刷によって作成されるため、当然パターン
形成は可能であるが、パターン幅は100μｍ程度が限界
であり、精度良く微細なパターンを出すことは不可能で
ある。また、これらは無機バインダーを使った分散系の
厚膜であり、薄膜に比べ抵抗特性のバラツキが大きく、
放熱性や耐電力性が劣っている。
形成は可能であるが、パターン幅は100μｍ程度が限界
であり、精度良く微細なパターンを出すことは不可能で
ある。また、これらは無機バインダーを使った分散系の
厚膜であり、薄膜に比べ抵抗特性のバラツキが大きく、
放熱性や耐電力性が劣っている。
発明が解決しようとする課題 薄膜抵抗体は一般に真空装置を使って作成されるた
め、パターン形成するためには薄膜抵抗体がエッチング
できることが必要である。厚膜と同様、印刷，焼成によ
り薄膜を得る方法はあるがパターンの精度や再現性は厚
膜と同程度のものしか得られない。エッチングには大き
く分けてウェットエッチングとドライエッチングがあ
る。ウェットエッチングとは液槽中で化学薬品溶液によ
りエッチングする方法である。また、ドライエッチング
とは中性ガス、気相のイオン、ラジカル等によりエッチ
ングする方法で、そのうち気体をプラズマ化させてエッ
チングする方法をプラズマエッチングと呼んでいる。
め、パターン形成するためには薄膜抵抗体がエッチング
できることが必要である。厚膜と同様、印刷，焼成によ
り薄膜を得る方法はあるがパターンの精度や再現性は厚
膜と同程度のものしか得られない。エッチングには大き
く分けてウェットエッチングとドライエッチングがあ
る。ウェットエッチングとは液槽中で化学薬品溶液によ
りエッチングする方法である。また、ドライエッチング
とは中性ガス、気相のイオン、ラジカル等によりエッチ
ングする方法で、そのうち気体をプラズマ化させてエッ
チングする方法をプラズマエッチングと呼んでいる。
薄膜抵抗体は厚膜に比べ抵抗体としての特性は優れて
いるが、RuO2が酸に不溶であり適当なエッチャントも無
いため、酸化ルテニウム系薄膜抵抗体はウェットエッチ
ングによるパターンだしができないという欠点があっ
た。また、酸化ルテニウム系範膜に関するドライエッチ
ングの報告例はなく、酸化ルテニウム系薄膜のファイン
パターンを精度良く作成する方法は知られていなかっ
た。
いるが、RuO2が酸に不溶であり適当なエッチャントも無
いため、酸化ルテニウム系薄膜抵抗体はウェットエッチ
ングによるパターンだしができないという欠点があっ
た。また、酸化ルテニウム系範膜に関するドライエッチ
ングの報告例はなく、酸化ルテニウム系薄膜のファイン
パターンを精度良く作成する方法は知られていなかっ
た。
そのため、酸化ルテニウム系薄膜抵抗体は良好な環境
安定性や抵抗値の制御のしやすさといった優れた特徴を
持ちながら、あまり使われていない。
安定性や抵抗値の制御のしやすさといった優れた特徴を
持ちながら、あまり使われていない。
それ故に、本発明の目的は酸化ルテニウム系薄膜抵抗
体のパターンニング方法を提供し、特性に優れた酸化ル
テニウム系薄膜のファインパターンを作成しようとする
ものである。
体のパターンニング方法を提供し、特性に優れた酸化ル
テニウム系薄膜のファインパターンを作成しようとする
ものである。
課題を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明はRuO2薄膜また
はＯ以外の元素のRuに対する組成比が10at％以下である
酸化ルテニウム系薄膜を、CF4を用いてリアクティブイ
オンエッチングし、パターンを形成するものである。
はＯ以外の元素のRuに対する組成比が10at％以下である
酸化ルテニウム系薄膜を、CF4を用いてリアクティブイ
オンエッチングし、パターンを形成するものである。
作 用 上記エッチング方法を取ることにより、RuO2薄膜また
は酸化ルテニウム系薄膜のファインパターンを作成する
ことができる。
は酸化ルテニウム系薄膜のファインパターンを作成する
ことができる。
実施例 以下本発明の実施例について説明する。
即ち本発明はRuO2薄膜またはＯ以外の元素のRuに対す
る組成比が10at％以下である酸化ルテニウム系薄膜を、
少なくとも構造中にＦを持つガスを用いてプラズマエッ
チングすることを特徴とする。
る組成比が10at％以下である酸化ルテニウム系薄膜を、
少なくとも構造中にＦを持つガスを用いてプラズマエッ
チングすることを特徴とする。
プラズマエッチングには様々な構成の装置が使われて
いるが、本発明では第１図に示すように反応室11内に平
行平板型電極であるカソードとアノード12及び14を持
ち、カソード12上に被エッチング物13をおく構成を取る
リアクティブイオンエッチング装置（高周波電力周波数
13.56MHz）を用いている。リアクティブイオンエッチン
グは以下のような特徴を持つ。
いるが、本発明では第１図に示すように反応室11内に平
行平板型電極であるカソードとアノード12及び14を持
ち、カソード12上に被エッチング物13をおく構成を取る
リアクティブイオンエッチング装置（高周波電力周波数
13.56MHz）を用いている。リアクティブイオンエッチン
グは以下のような特徴を持つ。
イオンがカソード12上のイオンシースで加速される
ため物理的効果によるエッチングがおこる。
ため物理的効果によるエッチングがおこる。
イオンが方向性を持つのでアンダーカットが少な
い。
い。
反応性のガスを用いるので、不活性ガスを用いるス
パッタエッチングに比べマスクや基板に対する選択比が
大きい。
パッタエッチングに比べマスクや基板に対する選択比が
大きい。
ドライエッチングのエッチング機構は基本的には物理
的反応、化学的反応、物理・化学複合反応の３つに分け
られる。リアクティブイオンエッチングの場合は物理・
化学複合反応によりエッチングがすすむ。
的反応、化学的反応、物理・化学複合反応の３つに分け
られる。リアクティブイオンエッチングの場合は物理・
化学複合反応によりエッチングがすすむ。
本発明はCF4を用いたRuO2のリアクティブイオンエッ
チングが可能であることを発見したことを基礎とする。
チングが可能であることを発見したことを基礎とする。
なお15は試料台、16は絶縁物、17は高周波電源、18は
ガス供給系、19は排気系である。
ガス供給系、19は排気系である。
以下の条件でエッチング速度のCF4流量依存性を測定
した結果を第２図にしめす。流量:10−40sccm,圧力:0.0
8torr,高周波電力:250W,電極温度:20℃，電極間隔:70m
m。CF4流量の増加にともないエッチング速度が増加して
おり、ガス供給律速になっていることを示している。反
応室11内の圧力は一定であり、単なるスパッタエッチン
グであるならばガス供給律速にはならないはずである。
これは化学反応により揮発性生成物ができているためと
考えられ、単なるスパッタ効果によるエッチングではな
くリアクティブイオンエッチングが起こっていることを
示している。次にCF4とArのRuO2薄膜に対するエッチン
グ速度を流量10sccmで比較した結果を第３図に示す。流
量以外の条件は第２図の場合と同じである。第３図のよ
うにCF4を用いた場合の方がエッチング速度が大きい。
プラズマ中の生成種としては、Ｆ＊,CF3 ＊,F-,CFX +（ｘ
＝１−３）が存在する（＊は活性化をしめす）。この内
スパッタリング効果に寄与するのはCFX ＊（ｘ＝１−
３）だけであり、CFX +(x ＝ 1-3)のSiに対するスパッタ率
についてはイオンエネルギーの低い領域（1000eV以下）
ではＣあるいはCFXの堆積の為Ar+よりスパッタ率が低く
なることが報告されている。本発明によるエッチングの
イオンのエネルギーは数100eVであるので、このことは
C,F,CFX等の堆積は起きず、表面では化学反応によりC,
F,Ru,Oに関する揮発性生成物ができていることを示して
いると考えられる。Ruの揮発性生成物としてはRuCXF
YOZ,RuCXFY,RuFX等が考えられるが、SiO2の場合などで
はＣの含まれたSiの揮発性生成物は存在せず、CFXに含
まれるＣはほとんどがSiO2中のＯと反応してCOXとなっ
ていることが確認されている。よって、RuO2のＯとCFX
が同様の反応を起こしていることは充分考えられ、Ruの
揮発性生成物はRuFXである可能性が高い。既知のフッ化
物の中ではRuF5が融点85.6℃，沸点227℃、RuF6が融点5
0.4℃とRuの化合物の中では比較的低く、気化しやすい
物質である。
した結果を第２図にしめす。流量:10−40sccm,圧力:0.0
8torr,高周波電力:250W,電極温度:20℃，電極間隔:70m
m。CF4流量の増加にともないエッチング速度が増加して
おり、ガス供給律速になっていることを示している。反
応室11内の圧力は一定であり、単なるスパッタエッチン
グであるならばガス供給律速にはならないはずである。
これは化学反応により揮発性生成物ができているためと
考えられ、単なるスパッタ効果によるエッチングではな
くリアクティブイオンエッチングが起こっていることを
示している。次にCF4とArのRuO2薄膜に対するエッチン
グ速度を流量10sccmで比較した結果を第３図に示す。流
量以外の条件は第２図の場合と同じである。第３図のよ
うにCF4を用いた場合の方がエッチング速度が大きい。
プラズマ中の生成種としては、Ｆ＊,CF3 ＊,F-,CFX +（ｘ
＝１−３）が存在する（＊は活性化をしめす）。この内
スパッタリング効果に寄与するのはCFX ＊（ｘ＝１−
３）だけであり、CFX +(x ＝ 1-3)のSiに対するスパッタ率
についてはイオンエネルギーの低い領域（1000eV以下）
ではＣあるいはCFXの堆積の為Ar+よりスパッタ率が低く
なることが報告されている。本発明によるエッチングの
イオンのエネルギーは数100eVであるので、このことは
C,F,CFX等の堆積は起きず、表面では化学反応によりC,
F,Ru,Oに関する揮発性生成物ができていることを示して
いると考えられる。Ruの揮発性生成物としてはRuCXF
YOZ,RuCXFY,RuFX等が考えられるが、SiO2の場合などで
はＣの含まれたSiの揮発性生成物は存在せず、CFXに含
まれるＣはほとんどがSiO2中のＯと反応してCOXとなっ
ていることが確認されている。よって、RuO2のＯとCFX
が同様の反応を起こしていることは充分考えられ、Ruの
揮発性生成物はRuFXである可能性が高い。既知のフッ化
物の中ではRuF5が融点85.6℃，沸点227℃、RuF6が融点5
0.4℃とRuの化合物の中では比較的低く、気化しやすい
物質である。
同じ様にCF4を用いても第４図に示すようなバレル型
のプラズマエッチング装置でRuO2はエッチングされなか
った。バレル型の反応室42の場合、被エッチング物41は
グロー放電中におかれ、接地とは実質的に切り放されて
おり、被エッチング物41の表面電位はその回りのグロー
の電位と10V程度の差しかない。リアクティブイオンエ
ッチングの場合イオンシースの電位勾配は数100Vである
ので、RuO2は主に数100eV程度の運動エネルギーを持つC
FX +（Ｘ＝１−３）によりエッチングされると考えられ
る。このことは平行平板型のリアクティブイオンエッチ
ング装置だけでなくイオンビーム型のプラズマエッチン
グ装置でもCF4によるRuO2のエッチングが可能であるこ
とを示している。
のプラズマエッチング装置でRuO2はエッチングされなか
った。バレル型の反応室42の場合、被エッチング物41は
グロー放電中におかれ、接地とは実質的に切り放されて
おり、被エッチング物41の表面電位はその回りのグロー
の電位と10V程度の差しかない。リアクティブイオンエ
ッチングの場合イオンシースの電位勾配は数100Vである
ので、RuO2は主に数100eV程度の運動エネルギーを持つC
FX +（Ｘ＝１−３）によりエッチングされると考えられ
る。このことは平行平板型のリアクティブイオンエッチ
ング装置だけでなくイオンビーム型のプラズマエッチン
グ装置でもCF4によるRuO2のエッチングが可能であるこ
とを示している。
また、リアクティブイオンエッチングではスパッタ効
果によるエッチングも起こるためRuO2に添加物を加えた
場合でもそれが少量であればCF4プラズマだけでもエッ
チングされる。２元系酸化物Ru−Zr−O,Ru−Al−O,Ru−
Ca−O,Ru−Ba−Ｏについて第３図と同じ条件でエッチン
グを行ったところ、Ｏ以外の元素のRuに対する組成比が
10at％以下であればRuO2のエッチング速度と比べて有意
の差は無かった。なお43は試料台、44は電極、45は高周
波電源、46はガス供給系、47は排気系である。
果によるエッチングも起こるためRuO2に添加物を加えた
場合でもそれが少量であればCF4プラズマだけでもエッ
チングされる。２元系酸化物Ru−Zr−O,Ru−Al−O,Ru−
Ca−O,Ru−Ba−Ｏについて第３図と同じ条件でエッチン
グを行ったところ、Ｏ以外の元素のRuに対する組成比が
10at％以下であればRuO2のエッチング速度と比べて有意
の差は無かった。なお43は試料台、44は電極、45は高周
波電源、46はガス供給系、47は排気系である。
以下具体的実施例について説明する。
（実施例１） 棚珪酸ガラス基板（コーニング社製7059）にRuO2焼結
体をターゲットとしてRFスパッタにより500ÅのRuO2薄
膜を形成し、その上にポジレジスト（東京応化製OFPR）
を塗布してフォトリソプロセスによりパターン幅20μ
ｍ、ピッチ５μｍのマスクを形成した。前記リアクティ
ブイオンエッチング装置によりCF4流量30sccm、圧力0.0
8torr、高周波電力250W、エッチング時間5minの条件で
エッチングを行ったところ、得られたパターン幅の精度
は18±0.5μｍであった。また同じ基板上にＯ以外の元
素のRuに対する組成比が10at％以下であるRu−Zr−O,Ru
−Al−O,Ru−Ca−O,Ru−Ba−Ｏ薄膜を混合物の焼結体タ
ーゲットをもちいてRFスパッタにより500Å形成し、同
様の方法でパターンニングを行ったところ、得られたパ
ターン幅の精度はどれも18.0±0.5μｍであった、リア
クティブイオンエッチングは前述のようにアンダーカッ
トが少ないという特徴があるため、この様にファインパ
ターンを精度良く得ることができ、本発明のエッチング
方法はハイブリッドIC、サーマルヘッド、センサー等の
酸化ルテニウム系薄膜抵抗体パターンの微細化にきわめ
て有用であるということができる。
体をターゲットとしてRFスパッタにより500ÅのRuO2薄
膜を形成し、その上にポジレジスト（東京応化製OFPR）
を塗布してフォトリソプロセスによりパターン幅20μ
ｍ、ピッチ５μｍのマスクを形成した。前記リアクティ
ブイオンエッチング装置によりCF4流量30sccm、圧力0.0
8torr、高周波電力250W、エッチング時間5minの条件で
エッチングを行ったところ、得られたパターン幅の精度
は18±0.5μｍであった。また同じ基板上にＯ以外の元
素のRuに対する組成比が10at％以下であるRu−Zr−O,Ru
−Al−O,Ru−Ca−O,Ru−Ba−Ｏ薄膜を混合物の焼結体タ
ーゲットをもちいてRFスパッタにより500Å形成し、同
様の方法でパターンニングを行ったところ、得られたパ
ターン幅の精度はどれも18.0±0.5μｍであった、リア
クティブイオンエッチングは前述のようにアンダーカッ
トが少ないという特徴があるため、この様にファインパ
ターンを精度良く得ることができ、本発明のエッチング
方法はハイブリッドIC、サーマルヘッド、センサー等の
酸化ルテニウム系薄膜抵抗体パターンの微細化にきわめ
て有用であるということができる。
（実施例２） 第５図ａに示すようにアルミナ基板51上にガラスグレ
ーズ層52を形成したいわゆるグレーズドアルミナ基板53
上に実施例１と同様の方法で500ÅのRuO2薄膜発熱抵抗
体54を形成し、この上にAuからなる配線用導体膜55を順
次積層形成し、ポジレジスト（東京応化製OFPR）を全面
に塗布し、ポジレジスト膜56を形成した。次に、フォト
リソプロセスによりポジレジストマスク57を形成し、配
線用導体膜55をエッチング除去して第５図ｂに示すよう
な配線パターン58を得た。更に、このポジレジストマス
ク57をマスクとしてCF4流量30sccm、圧力0.08torr、高
周波電力250W、エッチング時間5minの条件で前記リアク
ティブイオンエッチング装置によりエッチングを行い、
その後ポジレジストマスク57を除去して第５図ｃのよう
な薄膜発熱抵抗体のパターン59を得た。ポジレジストマ
スク57に対するアンダーカットの量は0.5μｍ以下で殆
ど無視できる程度であった。次に配線パターン58の不要
部分をフォトリソプロセスにより除去し、SiCによる耐
摩耗保護膜を形成した。その構成を第６図に示す。61が
アルミナ基板、62がガラスグレーズ層、63aおよび63bが
配線用導体膜、64が薄膜発熱抵抗体、65が耐摩耗保護
膜。なお説明の都合上耐摩耗膜65を一部形成していない
図としている。薄膜発熱抵抗体64は８本/mmの密度で並
んでおり、その抵抗値バラツキは±１パーセント以内で
あった。抵抗体膜64にTiC/SiO2を使いウェットエッチン
グにより同様の構成をもつ薄膜型サーマルヘッドを作成
した場合抵抗値バラツキは±10パーセント以内であり酸
化ルテニウム系薄膜抵抗体をもちいて本発明によるパタ
ーンニング方法で作成したサーマルヘッドの方が遥かに
優れている。
ーズ層52を形成したいわゆるグレーズドアルミナ基板53
上に実施例１と同様の方法で500ÅのRuO2薄膜発熱抵抗
体54を形成し、この上にAuからなる配線用導体膜55を順
次積層形成し、ポジレジスト（東京応化製OFPR）を全面
に塗布し、ポジレジスト膜56を形成した。次に、フォト
リソプロセスによりポジレジストマスク57を形成し、配
線用導体膜55をエッチング除去して第５図ｂに示すよう
な配線パターン58を得た。更に、このポジレジストマス
ク57をマスクとしてCF4流量30sccm、圧力0.08torr、高
周波電力250W、エッチング時間5minの条件で前記リアク
ティブイオンエッチング装置によりエッチングを行い、
その後ポジレジストマスク57を除去して第５図ｃのよう
な薄膜発熱抵抗体のパターン59を得た。ポジレジストマ
スク57に対するアンダーカットの量は0.5μｍ以下で殆
ど無視できる程度であった。次に配線パターン58の不要
部分をフォトリソプロセスにより除去し、SiCによる耐
摩耗保護膜を形成した。その構成を第６図に示す。61が
アルミナ基板、62がガラスグレーズ層、63aおよび63bが
配線用導体膜、64が薄膜発熱抵抗体、65が耐摩耗保護
膜。なお説明の都合上耐摩耗膜65を一部形成していない
図としている。薄膜発熱抵抗体64は８本/mmの密度で並
んでおり、その抵抗値バラツキは±１パーセント以内で
あった。抵抗体膜64にTiC/SiO2を使いウェットエッチン
グにより同様の構成をもつ薄膜型サーマルヘッドを作成
した場合抵抗値バラツキは±10パーセント以内であり酸
化ルテニウム系薄膜抵抗体をもちいて本発明によるパタ
ーンニング方法で作成したサーマルヘッドの方が遥かに
優れている。
また、両者をパルス幅1msec、パルス周期10msecで連
続パルス印加を行い耐久性を比較してみた。６＊104回
パルスを印可した際抵抗値変動10パーセットを与える薄
膜抵抗体の単位面積当りの電力（W/mm2）（→破断電
力）を比べると本発明のパターンニング方法により作成
したサーマルヘッドは70W/mm2、従来型は40W/mm2と大き
く向上した。また、RuO2にかえてZrのRuに対する組成比
が10at％であるRu−Zr−Ｏ薄膜を500Åグレーズドアル
ミナ基板上に形成し、同様の方法でサーマルヘッドを作
成したところ、抵抗値バラツキは±１％以内、破断電力
は68W/mm2とほぼ同様の性能であった。これは本発明に
よるサーマルヘッドは酸化物の抵抗体を使っているので
耐酸化性等の環境安定性が優れているためと考えられ
る。
続パルス印加を行い耐久性を比較してみた。６＊104回
パルスを印可した際抵抗値変動10パーセットを与える薄
膜抵抗体の単位面積当りの電力（W/mm2）（→破断電
力）を比べると本発明のパターンニング方法により作成
したサーマルヘッドは70W/mm2、従来型は40W/mm2と大き
く向上した。また、RuO2にかえてZrのRuに対する組成比
が10at％であるRu−Zr−Ｏ薄膜を500Åグレーズドアル
ミナ基板上に形成し、同様の方法でサーマルヘッドを作
成したところ、抵抗値バラツキは±１％以内、破断電力
は68W/mm2とほぼ同様の性能であった。これは本発明に
よるサーマルヘッドは酸化物の抵抗体を使っているので
耐酸化性等の環境安定性が優れているためと考えられ
る。
この様に従来は作成不可能であった酸化ルテニウム系
薄膜抵抗体のファインパターンを本発明によるエッチン
グ方法により作成することで、従来のより優れた特性を
持つサーマルヘッドを作成することができた。
薄膜抵抗体のファインパターンを本発明によるエッチン
グ方法により作成することで、従来のより優れた特性を
持つサーマルヘッドを作成することができた。
本実施例においてはRFスパッタにより薄膜を形成して
いるが、反応性蒸着や有機金属の熱分解により形成され
た薄膜に対しても有効であることは言うまでもない。
いるが、反応性蒸着や有機金属の熱分解により形成され
た薄膜に対しても有効であることは言うまでもない。
発明の効果 本発明は従来知られていなかった酸化ルテニウム系薄
膜のエッチング方法に関するものであり、これにより酸
化ルテニウム系薄膜のファインパターンを精度良く得る
ことができ産業上の効果は多大なものである。
膜のエッチング方法に関するものであり、これにより酸
化ルテニウム系薄膜のファインパターンを精度良く得る
ことができ産業上の効果は多大なものである。
第１図はリアクティブイオンエッチング装置の模式図、
第２図はエッチング時間とエッチング量の関係をCF4とA
rについて比較した図、第３図はエッチング速度のCF4流
量依存性を示した図、第４図はバレル型プラズマエッチ
ング装置の模式図、第５図はサーマルヘッドの薄膜発熱
抵抗体のパターンニング工程を示した模式図、第６図は
薄膜型サーマルヘッドの構成を示した斜視図である。 51……アルミナ基板、52……ガラスグレーズ層、53……
グレーズドアルミナ基板、54……薄膜発熱抵抗体、55…
…配線用導体膜、56……ポジレジスト膜、57……ポジレ
ジストマスク、58……配線パターン、59……薄膜発熱抵
抗体のパターン。
第２図はエッチング時間とエッチング量の関係をCF4とA
rについて比較した図、第３図はエッチング速度のCF4流
量依存性を示した図、第４図はバレル型プラズマエッチ
ング装置の模式図、第５図はサーマルヘッドの薄膜発熱
抵抗体のパターンニング工程を示した模式図、第６図は
薄膜型サーマルヘッドの構成を示した斜視図である。 51……アルミナ基板、52……ガラスグレーズ層、53……
グレーズドアルミナ基板、54……薄膜発熱抵抗体、55…
…配線用導体膜、56……ポジレジスト膜、57……ポジレ
ジストマスク、58……配線パターン、59……薄膜発熱抵
抗体のパターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/08 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆ Ｂ４１Ｊ 3/20 １１１Ａ １１１Ｈ (56)参考文献 特開 昭57−167602（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−61160（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−96704（ＪＰ，Ａ) 特公 昭51−42317（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (2)
- 【請求項１】RuO2薄膜またはＯ以外の元素のRuに対する
組成比が10at％以下である酸化ルテニウム系薄膜を、CF
4を用いて、リアクティブイオンエッチングすることを
特徴とする酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法。 - 【請求項２】RuとZr,Al,Ca,Baより選ばれた１種類また
は複数種類の元素からなる酸化ルテニウム系薄膜で、Ｏ
以外の元素のRuに対する組成比が10at％以下であるもの
をエッチングすることを特徴とする請求項１記載の酸化
ルテニウム系薄膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334448A JP2679201B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334448A JP2679201B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177509A JPH02177509A (ja) | 1990-07-10 |
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1988
- 1988-12-28 JP JP63334448A patent/JP2679201B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3041855B2 (ja) | 1988-12-28 | 2000-05-15 | 松下電器産業株式会社 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
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