JP2687769B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JP2687769B2 JP2687769B2 JP3193621A JP19362191A JP2687769B2 JP 2687769 B2 JP2687769 B2 JP 2687769B2 JP 3193621 A JP3193621 A JP 3193621A JP 19362191 A JP19362191 A JP 19362191A JP 2687769 B2 JP2687769 B2 JP 2687769B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
下地のシリコン系材料層に汚染や損傷を発生させること
なく酸化シリコン系材料層を異方性エッチングする方法
に関する。
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
下地のシリコン系材料層に汚染や損傷を発生させること
なく酸化シリコン系材料層を異方性エッチングする方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられる
ように半導体装置の高集積化および高性能化が進展する
に伴い、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）に代表されるシリコ
ン化合物層のドライエッチング方法についても技術的要
求がますます厳しくなってきている。
ように半導体装置の高集積化および高性能化が進展する
に伴い、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）に代表されるシリコ
ン化合物層のドライエッチング方法についても技術的要
求がますます厳しくなってきている。
【０００３】まず、高集積化によりデバイス・チップの
面積が拡大しウェハが大口径化していること、形成すべ
きパターンが高度に微細化されウェハ面内の均一処理が
要求されていること、またＡＳＩＣに代表されるように
多品種少量生産が要求されていること等の背景から、ド
ライエッチング装置の主流は従来のバッチ式から枚葉式
に移行しつつある。この際、従来と同等の生産性を維持
するためには、大幅なエッチング速度の向上が必須とな
る。
面積が拡大しウェハが大口径化していること、形成すべ
きパターンが高度に微細化されウェハ面内の均一処理が
要求されていること、またＡＳＩＣに代表されるように
多品種少量生産が要求されていること等の背景から、ド
ライエッチング装置の主流は従来のバッチ式から枚葉式
に移行しつつある。この際、従来と同等の生産性を維持
するためには、大幅なエッチング速度の向上が必須とな
る。
【０００４】また、デバイスの高速化や微細化を図るた
めに不純物拡散領域の接合深さが浅くなり、また各種の
材料層も薄くなっている状況下では、従来以上に対下地
選択性に優れダメージの少ないエッチング技術が要求さ
れる。たとえば、半導体基板内に形成された不純物拡散
領域や、ＳＲＡＭの抵抗負荷素子として用いられるＰＭ
ＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等にコンタク
トを形成しようとする場合に、シリコン基板や多結晶シ
リコン層を下地として行われるＳｉＯ2 層間絶縁膜のエ
ッチング等がその例である。
めに不純物拡散領域の接合深さが浅くなり、また各種の
材料層も薄くなっている状況下では、従来以上に対下地
選択性に優れダメージの少ないエッチング技術が要求さ
れる。たとえば、半導体基板内に形成された不純物拡散
領域や、ＳＲＡＭの抵抗負荷素子として用いられるＰＭ
ＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等にコンタク
トを形成しようとする場合に、シリコン基板や多結晶シ
リコン層を下地として行われるＳｉＯ2 層間絶縁膜のエ
ッチング等がその例である。
【０００５】しかし、高速性、高選択性、低ダメージ性
等といった特性は互いに取捨選択される関係にあり、す
べてを満足できるエッチング・プロセスを確立すること
は極めて困難である。従来、シリコン系材料層に対して
高い選択比を保ちながらＳｉＯ2 層に代表されるシリコ
ン化合物層をドライエッチングするには、ＣＨＦ3 、Ｃ
Ｆ4 ／Ｈ2 混合系、ＣＦ4 ／Ｏ2 混合系、Ｃ2 Ｆ6 ／Ｃ
ＨＦ3 混合系等がエッチング・ガスとして典型的に使用
されてきた。これらは、いずれもＣ／Ｆ比（分子内のＣ
原子数とＦ原子数の比）が０．２５以上のフルオロカー
ボン系ガスを主体としている。これらのガス系が使用さ
れるのは、（ａ）フルオロカーボン系ガスに含まれるＣ
がＳｉＯ2 層の表面でＣ−Ｏ結合を生成し、Ｓｉ−Ｏ結
合を切断したり弱めたりする働きがある、（ｂ）ＳｉＯ
2 層の主エッチング種であるＣＦx + （特にｘ＝３，
４) を生成できる、さらに（ｃ）プラズマ中で相対的に
炭素に富む状態が作り出されるので、ＳｉＯ2 中の酸素
がＣＯまたはＣＯ2 の形で除去される一方、ガス系に含
まれるＣ，Ｈ，Ｆ等の寄与によりシリコン系材料層の表
面ではカーボン系のポリマーが堆積してエッチング速度
が低下し、シリコン系材料層に対する高選択比が得られ
る、等の理由にもとづいている。Ｃ／Ｆ比の概念や上述
のエッチング機構は、ジャーナル・オブ・バキューム・
サイエンス・アンド・テクノロジー (J. Vac. Sci. Tec
h.) 第１６巻，第２号，ｐ３９１（１９７９）に詳し
い。
等といった特性は互いに取捨選択される関係にあり、す
べてを満足できるエッチング・プロセスを確立すること
は極めて困難である。従来、シリコン系材料層に対して
高い選択比を保ちながらＳｉＯ2 層に代表されるシリコ
ン化合物層をドライエッチングするには、ＣＨＦ3 、Ｃ
Ｆ4 ／Ｈ2 混合系、ＣＦ4 ／Ｏ2 混合系、Ｃ2 Ｆ6 ／Ｃ
ＨＦ3 混合系等がエッチング・ガスとして典型的に使用
されてきた。これらは、いずれもＣ／Ｆ比（分子内のＣ
原子数とＦ原子数の比）が０．２５以上のフルオロカー
ボン系ガスを主体としている。これらのガス系が使用さ
れるのは、（ａ）フルオロカーボン系ガスに含まれるＣ
がＳｉＯ2 層の表面でＣ−Ｏ結合を生成し、Ｓｉ−Ｏ結
合を切断したり弱めたりする働きがある、（ｂ）ＳｉＯ
2 層の主エッチング種であるＣＦx + （特にｘ＝３，
４) を生成できる、さらに（ｃ）プラズマ中で相対的に
炭素に富む状態が作り出されるので、ＳｉＯ2 中の酸素
がＣＯまたはＣＯ2 の形で除去される一方、ガス系に含
まれるＣ，Ｈ，Ｆ等の寄与によりシリコン系材料層の表
面ではカーボン系のポリマーが堆積してエッチング速度
が低下し、シリコン系材料層に対する高選択比が得られ
る、等の理由にもとづいている。Ｃ／Ｆ比の概念や上述
のエッチング機構は、ジャーナル・オブ・バキューム・
サイエンス・アンド・テクノロジー (J. Vac. Sci. Tec
h.) 第１６巻，第２号，ｐ３９１（１９７９）に詳し
い。
【０００６】なお、上記のＨ2 ，Ｏ2 等の添加ガスは選
択比の制御を目的として用いられているものであり、そ
れぞれＦ* 発生量を低減もしくは増大させることができ
る。つまり、エッチング反応系の見掛け上のＣ／Ｆ比を
制御する効果を有する。これに対し本発明者は、従来の
ＳｉＯ2 系材料層のエッチングにおける炭素の役割をイ
オウに担わせ、かつ低温エッチングを行うことで高選択
性，低汚染性，高異方性を達成する技術を、特開平４−
８４４２７号公報において提案している。これは、被エ
ッチング基板（ウェハ）を０℃以下に冷却し、Ｓ
2 Ｆ2 ，ＳＦ2，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10等のフッ化イオウを
含むエッチング・ガスを使用してＳｉＯ2 系材料層のエ
ッチングを行う方法である。上記フッ化イオウは、Ｆ*
によるラジカル反応をＳＦx + 等のイオンにアシストさ
せる機構でＳｉＯ2 系材料層をエッチングする。またこ
れらのフッ化イオウは、同じフッ化イオウでも従来から
最も良く知られている六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）とは異
なりＳ／Ｆ比（分子中のＳ原子数とＦ原子数の比）が大
きく、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のＳを生成す
ることができる。このＳは、ＳｉＯ2 系材料層の表面で
はＯ原子を引き抜いてＳＯx の形で除去されるが、Ｓｉ
系材料層の上では堆積してエッチング速度を大幅に低下
させるので、高選択比が達成される。さらに、イオンの
垂直入射が原理的に起こらないパターンの側壁部に堆積
したＳは、側壁保護の役割を果たし、異方性加工に寄与
する。堆積したＳは、エッチング終了後にウェハを加熱
して昇華させるか、あるいはＯ2 プラズマ・アッシング
によりレジスト・マスクを除去する際に同時に燃焼させ
ることができ、何らパーティクル汚染を起こさない。
択比の制御を目的として用いられているものであり、そ
れぞれＦ* 発生量を低減もしくは増大させることができ
る。つまり、エッチング反応系の見掛け上のＣ／Ｆ比を
制御する効果を有する。これに対し本発明者は、従来の
ＳｉＯ2 系材料層のエッチングにおける炭素の役割をイ
オウに担わせ、かつ低温エッチングを行うことで高選択
性，低汚染性，高異方性を達成する技術を、特開平４−
８４４２７号公報において提案している。これは、被エ
ッチング基板（ウェハ）を０℃以下に冷却し、Ｓ
2 Ｆ2 ，ＳＦ2，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10等のフッ化イオウを
含むエッチング・ガスを使用してＳｉＯ2 系材料層のエ
ッチングを行う方法である。上記フッ化イオウは、Ｆ*
によるラジカル反応をＳＦx + 等のイオンにアシストさ
せる機構でＳｉＯ2 系材料層をエッチングする。またこ
れらのフッ化イオウは、同じフッ化イオウでも従来から
最も良く知られている六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）とは異
なりＳ／Ｆ比（分子中のＳ原子数とＦ原子数の比）が大
きく、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のＳを生成す
ることができる。このＳは、ＳｉＯ2 系材料層の表面で
はＯ原子を引き抜いてＳＯx の形で除去されるが、Ｓｉ
系材料層の上では堆積してエッチング速度を大幅に低下
させるので、高選択比が達成される。さらに、イオンの
垂直入射が原理的に起こらないパターンの側壁部に堆積
したＳは、側壁保護の役割を果たし、異方性加工に寄与
する。堆積したＳは、エッチング終了後にウェハを加熱
して昇華させるか、あるいはＯ2 プラズマ・アッシング
によりレジスト・マスクを除去する際に同時に燃焼させ
ることができ、何らパーティクル汚染を起こさない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＳｉＯ2
系材料層のエッチングはイオン・アシスト反応を主体と
する機構にもとづいて行われており、フルオロカーボン
系ガスを使用するプロセスは既に量産ラインに導入され
ている。しかし、フルオロカーボン系ガスを使用した場
合、カーボン系のイオンが加速されて下地のシリコン基
板に打ち込まれ、汚染や損傷を生ずることがＩＥＤＭダ
イジェスト・ペーパー (IEDM Digest Paper)，ｐ３３６
（１９７９）に論じられている。すなわち、カーボン系
ポリマーの残存やＣＦx + ，Ｃ+ 等のイオンの打ち込み
に起因してＳｉ基板の表面または内部にＣ原子による汚
染（カーボン汚染）が発生し、さらにはこのＣ原子が核
となって格子欠陥を引き起こすのである。また、イオン
衝撃そのものによっても物理的なダメージが生ずる。こ
のようにして、シリコン基板の表層部には汚染／損傷層
が形成される。
系材料層のエッチングはイオン・アシスト反応を主体と
する機構にもとづいて行われており、フルオロカーボン
系ガスを使用するプロセスは既に量産ラインに導入され
ている。しかし、フルオロカーボン系ガスを使用した場
合、カーボン系のイオンが加速されて下地のシリコン基
板に打ち込まれ、汚染や損傷を生ずることがＩＥＤＭダ
イジェスト・ペーパー (IEDM Digest Paper)，ｐ３３６
（１９７９）に論じられている。すなわち、カーボン系
ポリマーの残存やＣＦx + ，Ｃ+ 等のイオンの打ち込み
に起因してＳｉ基板の表面または内部にＣ原子による汚
染（カーボン汚染）が発生し、さらにはこのＣ原子が核
となって格子欠陥を引き起こすのである。また、イオン
衝撃そのものによっても物理的なダメージが生ずる。こ
のようにして、シリコン基板の表層部には汚染／損傷層
が形成される。
【０００８】ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス(Jpn. J. Appl.Phys.) 第２０巻，
ｐ８０３（１９８１）には、かかる汚染／損傷層を除去
することにより素子の電気特性への悪影響が最小限に抑
えられることが報告されている。そこで、従来のプロセ
スではＳｉＯ2 系材料層のエッチングが終了した後にい
わゆるライトエッチを行い、Ｓｉ基板の表層部を除去す
ることが一般に行われている。しかしながら、近年のよ
うに不純物拡散領域の接合深さが浅くなってくると、上
記ライトエッチによるＳｉ基板の除去量が無視できない
レベルに達する他、場合によってはカーボン汚染や損傷
の及ぶ範囲が接合深さを越える懸念も生ずる。
イド・フィジックス(Jpn. J. Appl.Phys.) 第２０巻，
ｐ８０３（１９８１）には、かかる汚染／損傷層を除去
することにより素子の電気特性への悪影響が最小限に抑
えられることが報告されている。そこで、従来のプロセ
スではＳｉＯ2 系材料層のエッチングが終了した後にい
わゆるライトエッチを行い、Ｓｉ基板の表層部を除去す
ることが一般に行われている。しかしながら、近年のよ
うに不純物拡散領域の接合深さが浅くなってくると、上
記ライトエッチによるＳｉ基板の除去量が無視できない
レベルに達する他、場合によってはカーボン汚染や損傷
の及ぶ範囲が接合深さを越える懸念も生ずる。
【０００９】さらに、上記フルオロカーボン系ガスは、
地球環境保護の観点から現時点で規制の対象となってい
る特定フロンや特定ハロンとは化学構造が異なるもの
の、将来的には規制の対象となる可能性がある。この意
味でも、フルオロカーボン系ガスに代わるエッチング・
ガスを見出しておく必要がある。本発明者が先に提案し
たフッ化イオウを使用するプロセスでは、堆積したＳを
ウェハの加熱により容易かつ完全に昇華除去できるの
で、シリコン基板の表面に汚染を残さない。この点が、
従来のフルオロカーボン系ガスを使用するプロセスに対
する大きなメリットである。また、脱フロン対策として
も画期的な意味を持つものである。この技術をさらに成
熟させるとすれば、それは半導体装置のデザイン・ルー
ルの一層の微細化に対応するために、より高いレベルで
高選択性と低損傷性を実現することである。
地球環境保護の観点から現時点で規制の対象となってい
る特定フロンや特定ハロンとは化学構造が異なるもの
の、将来的には規制の対象となる可能性がある。この意
味でも、フルオロカーボン系ガスに代わるエッチング・
ガスを見出しておく必要がある。本発明者が先に提案し
たフッ化イオウを使用するプロセスでは、堆積したＳを
ウェハの加熱により容易かつ完全に昇華除去できるの
で、シリコン基板の表面に汚染を残さない。この点が、
従来のフルオロカーボン系ガスを使用するプロセスに対
する大きなメリットである。また、脱フロン対策として
も画期的な意味を持つものである。この技術をさらに成
熟させるとすれば、それは半導体装置のデザイン・ルー
ルの一層の微細化に対応するために、より高いレベルで
高選択性と低損傷性を実現することである。
【００１０】そこで本発明は、下地のシリコン系材料層
に対して汚染や損傷の発生を抑制し、かつ高選択性を維
持しながら、ＳｉＯ2 系材料層を異方性エッチングする
方法を提供することを目的とする。
に対して汚染や損傷の発生を抑制し、かつ高選択性を維
持しながら、ＳｉＯ2 系材料層を異方性エッチングする
方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】フッ化イオウによるＳｉ
Ｏ2 系材料層のエッチングには、前述のように、フッ化
イオウから解離生成したＳがＳｉＯ2 のＯ原子を引き抜
き、ＳＯx の形で除去する過程が含まれている。つま
り、放電解離条件下でプラズマ中に生成する遊離のＳの
一部はＳＯx の生成に消費され、その分だけウェハ上に
堆積できるＳが減少していることになる。そこで本発明
者は、ＳｉＯ2 のＯ原子の引き抜きを他の原子に任せ、
ウェハ上へ堆積できるＳを増やす方針を立てた。このた
めには、ＳｉＯ2 のＯ原子を引き抜くことができる第２
の原子をエッチング・ガス系に加えることが有効であ
る。ここで、ドライエッチングの反応系ではあらゆる過
程が互いに競合しながら進行するため、第２の原子が優
先的にＯ原子を引き抜くためには、該第２の原子とＯ原
子との結合が、Ｓ原子とＯ原子との結合よりも熱力学的
に安定でなければならない。換言すれば、第２の原子と
Ｏ原子との間の原子間結合エネルギーは、Ｓ−Ｏ結合の
原子間結合エネルギーよりも大きくなければならない。
Ｏ2 系材料層のエッチングには、前述のように、フッ化
イオウから解離生成したＳがＳｉＯ2 のＯ原子を引き抜
き、ＳＯx の形で除去する過程が含まれている。つま
り、放電解離条件下でプラズマ中に生成する遊離のＳの
一部はＳＯx の生成に消費され、その分だけウェハ上に
堆積できるＳが減少していることになる。そこで本発明
者は、ＳｉＯ2 のＯ原子の引き抜きを他の原子に任せ、
ウェハ上へ堆積できるＳを増やす方針を立てた。このた
めには、ＳｉＯ2 のＯ原子を引き抜くことができる第２
の原子をエッチング・ガス系に加えることが有効であ
る。ここで、ドライエッチングの反応系ではあらゆる過
程が互いに競合しながら進行するため、第２の原子が優
先的にＯ原子を引き抜くためには、該第２の原子とＯ原
子との結合が、Ｓ原子とＯ原子との結合よりも熱力学的
に安定でなければならない。換言すれば、第２の原子と
Ｏ原子との間の原子間結合エネルギーは、Ｓ−Ｏ結合の
原子間結合エネルギーよりも大きくなければならない。
【００１２】本発明のドライエッチング方法は、上述の
目的を達成するために以上の方針にしたがって提案され
るものであり、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10か
ら選ばれる少なくとも１種類の第１の化合物と、Ｓ−Ｏ
結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原
子との間に形成し得る原子を分子内に有する第２の化合
物とを含むエッチング・ガスを用いて、ＳｉＯ2 系材料
層のエッチングを行うものである。このときの被エッチ
ング基板の温度は室温以下に制御しておくと、Ｓの堆積
を促進する観点から特に好適である。
目的を達成するために以上の方針にしたがって提案され
るものであり、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10か
ら選ばれる少なくとも１種類の第１の化合物と、Ｓ−Ｏ
結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原
子との間に形成し得る原子を分子内に有する第２の化合
物とを含むエッチング・ガスを用いて、ＳｉＯ2 系材料
層のエッチングを行うものである。このときの被エッチ
ング基板の温度は室温以下に制御しておくと、Ｓの堆積
を促進する観点から特に好適である。
【００１３】ここで、Ｓ−Ｏ結合の原子間結合エネルギ
ーは、ＣＲＣハンドブック・オブ・ケミストリー・アン
ド・フィジックス(CRC Handbood of Chemistry and Phy
sics) 第６２版（ＣＲＣプレス社刊）によると５１９ｋ
Ｊ／ｍｏｌｅであるから、これよりもエネルギーの高い
化学結合をＯ原子との間に形成し得る原子として実用性
の高いものはＣとＮである。すなわち、Ｃ−Ｏ結合の原
子間結合エネルギーは１０７６ｋＪ／ｍｏｌｅ、Ｎ−Ｏ
結合は６３２ｋＪ／ｍｏｌｅであり、いずれもＳ−Ｏ結
合より安定である。したがって、上記第２の化合物とし
ては、ＣＯ（一酸化炭素）もしくはＮＯ（一酸化窒素）
が特に好適である。
ーは、ＣＲＣハンドブック・オブ・ケミストリー・アン
ド・フィジックス(CRC Handbood of Chemistry and Phy
sics) 第６２版（ＣＲＣプレス社刊）によると５１９ｋ
Ｊ／ｍｏｌｅであるから、これよりもエネルギーの高い
化学結合をＯ原子との間に形成し得る原子として実用性
の高いものはＣとＮである。すなわち、Ｃ−Ｏ結合の原
子間結合エネルギーは１０７６ｋＪ／ｍｏｌｅ、Ｎ−Ｏ
結合は６３２ｋＪ／ｍｏｌｅであり、いずれもＳ−Ｏ結
合より安定である。したがって、上記第２の化合物とし
ては、ＣＯ（一酸化炭素）もしくはＮＯ（一酸化窒素）
が特に好適である。
【００１４】
【作用】本発明では、フッ化イオウを含むエッチンク・
ガスにＳｉＯ2 からのＯ原子の引き抜き特性に優れる第
２の化合物を添加するので、フッ化イオウから放出され
たＳがＳＯx の生成に消費される割合が減少する。特に
第２の化合物としてＣＯもしくはＮＯを用いた場合に
は、ＳＯx の生成よりもＣＯ2 、もしくはＮＯ2 に代表
される酸化窒素の生成が優先し、ＳＯx の生成量は相対
的に減少する。この結果、ウェハ上におけるＳの堆積量
を増加させて高選択性を維持し、かつ下地のシリコン系
材料層への汚染や損傷の発生を抑制したＳｉＯ2 系材料
層のエッチングを行うことが可能となる。
ガスにＳｉＯ2 からのＯ原子の引き抜き特性に優れる第
２の化合物を添加するので、フッ化イオウから放出され
たＳがＳＯx の生成に消費される割合が減少する。特に
第２の化合物としてＣＯもしくはＮＯを用いた場合に
は、ＳＯx の生成よりもＣＯ2 、もしくはＮＯ2 に代表
される酸化窒素の生成が優先し、ＳＯx の生成量は相対
的に減少する。この結果、ウェハ上におけるＳの堆積量
を増加させて高選択性を維持し、かつ下地のシリコン系
材料層への汚染や損傷の発生を抑制したＳｉＯ2 系材料
層のエッチングを行うことが可能となる。
【００１５】なお、Ｃ原子による汚染や損傷を防止する
ことを目的とする本発明において、ＣＯを使用すること
は一見目的に反しているように思われるが、この懸念は
巧妙な機構により払拭されている。すなわち、ＳｉＯ2
系材料層のエッチングが終了して下地のシリコン系材料
層が露出すると、被エッチング領域からＯ原子が供給さ
れなくなるのでＳＯx の生成が停止し、Ｓがシリコン系
材料層の露出面に堆積する。この時点でのＳの堆積量
は、ＳｉＯ2 系材料層のエッチング中の堆積分に、ＳＯ
x の生成に消費されていたＳの堆積分が加算されたもの
となる。したがって、シリコン系材料層の表面は十分な
量のＳの堆積物により保護され、ＣＯから生成するＣ+
等のイオンが入射したとしても、その衝撃を大幅に緩和
することができる。しかも、ＣＯ自身は堆積性ガスでは
ないので、従来のフルオロカーボン系ガスのように気相
中にカーボン系ポリマーを形成することがなく、したが
ってシリコン系材料層の露出面にカーボン汚染を残すこ
とはない。
ことを目的とする本発明において、ＣＯを使用すること
は一見目的に反しているように思われるが、この懸念は
巧妙な機構により払拭されている。すなわち、ＳｉＯ2
系材料層のエッチングが終了して下地のシリコン系材料
層が露出すると、被エッチング領域からＯ原子が供給さ
れなくなるのでＳＯx の生成が停止し、Ｓがシリコン系
材料層の露出面に堆積する。この時点でのＳの堆積量
は、ＳｉＯ2 系材料層のエッチング中の堆積分に、ＳＯ
x の生成に消費されていたＳの堆積分が加算されたもの
となる。したがって、シリコン系材料層の表面は十分な
量のＳの堆積物により保護され、ＣＯから生成するＣ+
等のイオンが入射したとしても、その衝撃を大幅に緩和
することができる。しかも、ＣＯ自身は堆積性ガスでは
ないので、従来のフルオロカーボン系ガスのように気相
中にカーボン系ポリマーを形成することがなく、したが
ってシリコン系材料層の露出面にカーボン汚染を残すこ
とはない。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。実施例１ 本実施例は、本発明をコンタクト・ホール加工に適用
し、Ｓ2 Ｆ2 ／ＣＯ混合ガスを用いてＳｉＯ2 層間絶縁
膜をエッチングした例である。本実施例のプロセスを、
図１を参照しながら説明する。
する。実施例１ 本実施例は、本発明をコンタクト・ホール加工に適用
し、Ｓ2 Ｆ2 ／ＣＯ混合ガスを用いてＳｉＯ2 層間絶縁
膜をエッチングした例である。本実施例のプロセスを、
図１を参照しながら説明する。
【００１７】本実施例においてエッチング・サンプルと
して使用した被エッチング基板（ウェハ）は、図１
（ａ）に示されるように、予め不純物拡散領域２が形成
された単結晶シリコン基板１上にＳｉＯ2 層間絶縁膜３
が形成され、さらに該ＳｉＯ2 層間絶縁膜３のエッチン
グ・マスクとして開口部４ａを有するレジスト・パター
ン４が形成されてなるものである。ここで、上記ＳｉＯ
2 層間絶縁膜３は、たとえばＣＶＤにより厚さ約０．５
μｍに形成されたものである。また、上記レジスト・パ
ターン４は、一例としてノボラック系ポジ型フォトレジ
スト（東京応化工業社製；商品名ＴＳＭＲ−Ｖ３）を使
用し、ｇ線露光とアルカリ現像により形成されたもので
ある。上記開口部４ａの開口幅は約０．５μｍである。
ただし、図面では図示の都合上、開口部４ａのアスペク
ト比を実際よりも小さく描いてある。
して使用した被エッチング基板（ウェハ）は、図１
（ａ）に示されるように、予め不純物拡散領域２が形成
された単結晶シリコン基板１上にＳｉＯ2 層間絶縁膜３
が形成され、さらに該ＳｉＯ2 層間絶縁膜３のエッチン
グ・マスクとして開口部４ａを有するレジスト・パター
ン４が形成されてなるものである。ここで、上記ＳｉＯ
2 層間絶縁膜３は、たとえばＣＶＤにより厚さ約０．５
μｍに形成されたものである。また、上記レジスト・パ
ターン４は、一例としてノボラック系ポジ型フォトレジ
スト（東京応化工業社製；商品名ＴＳＭＲ−Ｖ３）を使
用し、ｇ線露光とアルカリ現像により形成されたもので
ある。上記開口部４ａの開口幅は約０．５μｍである。
ただし、図面では図示の都合上、開口部４ａのアスペク
ト比を実際よりも小さく描いてある。
【００１８】このウェハを、ＲＦバイアス印加型の有磁
場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置電
極上にセットした。上記ウェハ載置電極は冷却配管を内
蔵しており、装置外部に設置されるチラー等の冷却設備
から該冷却配管へ適当な冷媒を供給循環させることによ
り、エッチング中のウェハを所定の温度に維持できるよ
うになされている。ここでは、冷媒としてエタノールを
使用した。この状態で、一例として下記の条件でＳｉＯ
2 層間絶縁膜３をエッチングした。
場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置電
極上にセットした。上記ウェハ載置電極は冷却配管を内
蔵しており、装置外部に設置されるチラー等の冷却設備
から該冷却配管へ適当な冷媒を供給循環させることによ
り、エッチング中のウェハを所定の温度に維持できるよ
うになされている。ここでは、冷媒としてエタノールを
使用した。この状態で、一例として下記の条件でＳｉＯ
2 層間絶縁膜３をエッチングした。
【００１９】 Ｓ2 Ｆ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ＣＯ流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．３ Ｐａ（１０ ｍＴｏｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ３０ Ｗ（４００ ｋＨｚ） ウェハ温度 −６０ ℃ 図１（ｂ）には、このエッチングが進行している途中状
態を示す。この過程では、Ｓ2 Ｆ2 から解離生成したＦ
* がＳｉＯ2 の結晶格子内に侵入し、ＳＦx +，Ｓ+ ，
ＣＯ+ ，Ｃ+ 等の各種のイオンの入射エネルギーにアシ
ストされてＳｉ−Ｏ結合を切断する。生成したＳｉ原子
はＦ* と結合して蒸気圧の高いＳｉＦxの形で除去され
る。一方のＯ原子は、エッチング・ガスに含まれている
ＣＯと結合してＣＯ2 の形で除去されるか、もしくはＳ
2 Ｆ2 から解離生成した遊離のＳと結合してＳＯx の形
で除去される。このＣＯ2 とＳＯx の生成過程は競合し
ているが、エネルギー的にみるとＳ−Ｏ結合よりもＣ−
Ｏ結合の方が安定であり、ＳｉＯ2 中のＯ原子はＣＯ2
の形で優先的に除去される。したがって、遊離のＳは、
わずかにＳＯx の形成に消費される分以外は低温冷却さ
れたウェハ上に析出し、パターン側壁部に側壁保護膜５
を形成する。この過程におけるエッチング反応は、ＳＯ
x の生成を無視して単純化すると、次式のように表現で
きる。
態を示す。この過程では、Ｓ2 Ｆ2 から解離生成したＦ
* がＳｉＯ2 の結晶格子内に侵入し、ＳＦx +，Ｓ+ ，
ＣＯ+ ，Ｃ+ 等の各種のイオンの入射エネルギーにアシ
ストされてＳｉ−Ｏ結合を切断する。生成したＳｉ原子
はＦ* と結合して蒸気圧の高いＳｉＦxの形で除去され
る。一方のＯ原子は、エッチング・ガスに含まれている
ＣＯと結合してＣＯ2 の形で除去されるか、もしくはＳ
2 Ｆ2 から解離生成した遊離のＳと結合してＳＯx の形
で除去される。このＣＯ2 とＳＯx の生成過程は競合し
ているが、エネルギー的にみるとＳ−Ｏ結合よりもＣ−
Ｏ結合の方が安定であり、ＳｉＯ2 中のＯ原子はＣＯ2
の形で優先的に除去される。したがって、遊離のＳは、
わずかにＳＯx の形成に消費される分以外は低温冷却さ
れたウェハ上に析出し、パターン側壁部に側壁保護膜５
を形成する。この過程におけるエッチング反応は、ＳＯ
x の生成を無視して単純化すると、次式のように表現で
きる。
【００２０】 ２Ｓ2 Ｆ2 ＋２ＣＯ＋ＳｉＯ2 → ＳｉＦ4 ↑＋２ＣＯ2 ↑＋４Ｓ つまり、Ｓ2 Ｆ2 を単独で使用してエッチングを行う場
合よりも、効率的にＳを堆積させることができるわけで
ある。このことにより、比較的低バイアスの条件下でも
エッチングは異方的に進行した。さらにエッチングが進
行してシリコン下地である不純物拡散領域２が露出する
と、図１（ｃ）に示されるように、その表面にはＳ堆積
膜６が形成された。これは、被エッチング領域からＯ原
子が供給されなくなるので、ＳＯx が形成されなくな
り、Ｓの堆積が一層促進されるからである。上記Ｓ堆積
膜６の堆積反応とスパッタ除去とが競合することによ
り、不純物拡散領域２の表面におけるエッチング速度が
大幅に低下し、高い下地選択性が達成された。一方、こ
れまでに専らＳｉＯ2 のエッチングに寄与してきたＣＯ
は、シリコン系材料層に対しては作用を及ぼさない。し
かも、ＣＯ自身は堆積性ガスではないので、気相中にカ
ーボン系ポリマー等を生成することはなく、堆積物に由
来するカーボン汚染は起こらなかった。また、プラズマ
中にはＣＯ+ ，Ｃ+ 等のカーボン系のイオンも生成する
が、上述のエッチング条件ではイオン入射エネルギーは
比較的低く、しかも不純物拡散領域２の表面は十分な量
のＳ堆積膜６で保護されているため、イオンの打ち込み
による欠陥も大幅に低減することができた。
合よりも、効率的にＳを堆積させることができるわけで
ある。このことにより、比較的低バイアスの条件下でも
エッチングは異方的に進行した。さらにエッチングが進
行してシリコン下地である不純物拡散領域２が露出する
と、図１（ｃ）に示されるように、その表面にはＳ堆積
膜６が形成された。これは、被エッチング領域からＯ原
子が供給されなくなるので、ＳＯx が形成されなくな
り、Ｓの堆積が一層促進されるからである。上記Ｓ堆積
膜６の堆積反応とスパッタ除去とが競合することによ
り、不純物拡散領域２の表面におけるエッチング速度が
大幅に低下し、高い下地選択性が達成された。一方、こ
れまでに専らＳｉＯ2 のエッチングに寄与してきたＣＯ
は、シリコン系材料層に対しては作用を及ぼさない。し
かも、ＣＯ自身は堆積性ガスではないので、気相中にカ
ーボン系ポリマー等を生成することはなく、堆積物に由
来するカーボン汚染は起こらなかった。また、プラズマ
中にはＣＯ+ ，Ｃ+ 等のカーボン系のイオンも生成する
が、上述のエッチング条件ではイオン入射エネルギーは
比較的低く、しかも不純物拡散領域２の表面は十分な量
のＳ堆積膜６で保護されているため、イオンの打ち込み
による欠陥も大幅に低減することができた。
【００２１】エッチング終了後、上記のウェハをプラズ
マ・アッシング装置に移設し、通常のＯ2 プラズマ・ア
ッシングの条件にてレジスト・パターン４を除去した。
このとき、側壁保護膜５とＳ堆積膜６も同時に除去され
た。これは、ＳがＯ2 により燃焼した他、ウェハの昇温
により昇華されたからである。最終的には図１（ｄ）に
示されるように、何らパーティクル汚染を発生すること
なく良好な異方性形状を有するコンタクト・ホール３ａ
を形成することができた。
マ・アッシング装置に移設し、通常のＯ2 プラズマ・ア
ッシングの条件にてレジスト・パターン４を除去した。
このとき、側壁保護膜５とＳ堆積膜６も同時に除去され
た。これは、ＳがＯ2 により燃焼した他、ウェハの昇温
により昇華されたからである。最終的には図１（ｄ）に
示されるように、何らパーティクル汚染を発生すること
なく良好な異方性形状を有するコンタクト・ホール３ａ
を形成することができた。
【００２２】実施例２ 本実施例では、本発明をＷＳｉx （タングステン・シリ
サイド）層を形成する際の前処理に適用し、Ｓ2 Ｆ2 ／
ＣＯ／Ａｒ混合ガスを用いて多結晶シリコン層の表面の
自然酸化膜を除去した。本実施例のプロセスを、図２を
参照しながら説明する。
サイド）層を形成する際の前処理に適用し、Ｓ2 Ｆ2 ／
ＣＯ／Ａｒ混合ガスを用いて多結晶シリコン層の表面の
自然酸化膜を除去した。本実施例のプロセスを、図２を
参照しながら説明する。
【００２３】本実施例においてエッチング・サンプルと
して使用した被エッチング基板（ウェハ）は、ポリサイ
ド・ゲート電極の形成を前提としたものであり、図２
（ａ）に示されるように、単結晶シリコン基板１１上に
厚さ０．０２μｍのゲート酸化膜１２を介してｎ型不純
物を含有する厚さ０．１μｍの多結晶シリコン層１３が
形成されたものである。上記多結晶シリコン層１３の表
面には、大気開放時に自然酸化膜１４が不均一に形成さ
れている。
して使用した被エッチング基板（ウェハ）は、ポリサイ
ド・ゲート電極の形成を前提としたものであり、図２
（ａ）に示されるように、単結晶シリコン基板１１上に
厚さ０．０２μｍのゲート酸化膜１２を介してｎ型不純
物を含有する厚さ０．１μｍの多結晶シリコン層１３が
形成されたものである。上記多結晶シリコン層１３の表
面には、大気開放時に自然酸化膜１４が不均一に形成さ
れている。
【００２４】このウェハを、有磁場マイクロ波プラズマ
・エッチング装置にセットし、一例として下記の条件で
自然酸化膜１４をエッチングした。 Ｓ2 Ｆ2 流量 １０ ＳＣＣＭ ＣＯ流量 ３０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ５０ ＳＣＣＭ， ガス圧 １．３ Ｐａ（１０ ｍＴｏｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ０ Ｗ ウェハ温度 −６０ ℃ 上記エッチング・ガスの組成のうち、Ａｒは希釈用であ
る。
・エッチング装置にセットし、一例として下記の条件で
自然酸化膜１４をエッチングした。 Ｓ2 Ｆ2 流量 １０ ＳＣＣＭ ＣＯ流量 ３０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ５０ ＳＣＣＭ， ガス圧 １．３ Ｐａ（１０ ｍＴｏｒｒ） マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ０ Ｗ ウェハ温度 −６０ ℃ 上記エッチング・ガスの組成のうち、Ａｒは希釈用であ
る。
【００２５】このエッチングが進行する様子を図２
（ｂ）に示す。自然酸化膜１４は、実施例１で前述した
のと同様の機構にもとづき、主としてＳ2 Ｆ2 から解離
生成したＦ* によるＳｉ原子の引き抜きとＣＯによるＯ
原子の引き抜きによりエッチングされた。ここでは、Ｒ
Ｆバイアスが印加されていないので、多結晶シリコン層
１３の露出面ではＳ2 Ｆ2 から解離生成したＳが効率的
に堆積し、Ｓ堆積膜１５が形成された。このＳ堆積膜１
５により、多結晶シリコン層１３に対して高選択比が達
成された。
（ｂ）に示す。自然酸化膜１４は、実施例１で前述した
のと同様の機構にもとづき、主としてＳ2 Ｆ2 から解離
生成したＦ* によるＳｉ原子の引き抜きとＣＯによるＯ
原子の引き抜きによりエッチングされた。ここでは、Ｒ
Ｆバイアスが印加されていないので、多結晶シリコン層
１３の露出面ではＳ2 Ｆ2 から解離生成したＳが効率的
に堆積し、Ｓ堆積膜１５が形成された。このＳ堆積膜１
５により、多結晶シリコン層１３に対して高選択比が達
成された。
【００２６】最終的には、自然酸化膜１４がすべて除去
され、図２（ｃ）に示されるように多結晶シリコン層１
３の全面がＳ堆積膜１５に被覆された。上記Ｓ堆積膜１
５は、ＷＳｉx 層を形成する直前にウェハを約９０℃に
加熱することにより、容易にしかもパーティクル汚染を
発生させることなく昇華除去することができた。この
後、ウェハをＣＶＤ装置に移設してＷＳｉx 層を成膜し
たところ、均一な膜質を有し、密着性に優れるＷＳｉx
層を形成することができた。
され、図２（ｃ）に示されるように多結晶シリコン層１
３の全面がＳ堆積膜１５に被覆された。上記Ｓ堆積膜１
５は、ＷＳｉx 層を形成する直前にウェハを約９０℃に
加熱することにより、容易にしかもパーティクル汚染を
発生させることなく昇華除去することができた。この
後、ウェハをＣＶＤ装置に移設してＷＳｉx 層を成膜し
たところ、均一な膜質を有し、密着性に優れるＷＳｉx
層を形成することができた。
【００２７】なお、本実施例の場合、自然酸化膜１４を
除去するための有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング
装置のエッチング・チャンバと、ＷＳｉx 層を形成する
ためのＣＶＤ装置のＣＶＤチャンバとが高真空下に接続
され、搬送アームにより両チャンバ間でウェハを搬送す
ることが可能なマルチ・チャンバ型の装置を使用するこ
とが望ましい。このような装置を使用すれば、全面にＳ
堆積膜１５が形成された状態のウェハを大気開放するこ
となくＣＶＤチャンバへ搬送することができ、新たな自
然酸化膜が形成される虞れがない。このとき、上記搬送
アームに加熱機構を内蔵させておけば、ウェハ加熱に要
する時間を節約することができ、スループットを向上さ
せることができる。
除去するための有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング
装置のエッチング・チャンバと、ＷＳｉx 層を形成する
ためのＣＶＤ装置のＣＶＤチャンバとが高真空下に接続
され、搬送アームにより両チャンバ間でウェハを搬送す
ることが可能なマルチ・チャンバ型の装置を使用するこ
とが望ましい。このような装置を使用すれば、全面にＳ
堆積膜１５が形成された状態のウェハを大気開放するこ
となくＣＶＤチャンバへ搬送することができ、新たな自
然酸化膜が形成される虞れがない。このとき、上記搬送
アームに加熱機構を内蔵させておけば、ウェハ加熱に要
する時間を節約することができ、スループットを向上さ
せることができる。
【００２８】以上、本発明を２つの実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。たとえば第１の化合物として上述のＳ2
Ｆ2に代えて本発明で規定される他のフッ化イオウを使
用しても、ほぼ同様の結果が得られる。また、第２の化
合物として上記ＣＯに代えてＮＯを使用した場合にも、
Ｓ−Ｏ結合に比べてＮ−Ｏ結合の方がエネルギー的に安
定であることからＮＯによるＯ原子の引き抜きが優先的
に起こり、やはりＳの堆積が促進されて高選択性、低汚
染性が達成される。
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。たとえば第１の化合物として上述のＳ2
Ｆ2に代えて本発明で規定される他のフッ化イオウを使
用しても、ほぼ同様の結果が得られる。また、第２の化
合物として上記ＣＯに代えてＮＯを使用した場合にも、
Ｓ−Ｏ結合に比べてＮ−Ｏ結合の方がエネルギー的に安
定であることからＮＯによるＯ原子の引き抜きが優先的
に起こり、やはりＳの堆積が促進されて高選択性、低汚
染性が達成される。
【００２９】また、本発明で使用されるエッチング・ガ
スには、スパッタリング効果，希釈効果，冷却効果等を
期待する意味で、上述のＡｒ以外にもＨｅ等の希ガスを
適宜添加することができる。この他、サンプル・ウェハ
の構成、使用するエッチング装置、エッチング条件は適
宜変更が可能である。さらに、エッチングすべきＳｉＯ
2 系材料層は、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，
ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧ等からなるものであっても良
い。
スには、スパッタリング効果，希釈効果，冷却効果等を
期待する意味で、上述のＡｒ以外にもＨｅ等の希ガスを
適宜添加することができる。この他、サンプル・ウェハ
の構成、使用するエッチング装置、エッチング条件は適
宜変更が可能である。さらに、エッチングすべきＳｉＯ
2 系材料層は、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，
ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧ等からなるものであっても良
い。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によればフルオロカーボン系ガスを使用することなく
ＳｉＯ2 系材料層の異方性エッチングを行うことができ
る。したがって、本発明はまず脱フロン対策として有効
である。また、高異方性の達成に寄与する物質は、従来
のようなカーボン系ポリマーではなく、Ｓ／Ｆ比の高い
フッ化イオウから解離生成するＳである。したがって、
下地のシリコン系材料層に対してカーボン汚染が生じな
い。さらに、従来のフッ化イオウを使用するプロセスと
比べてＳの堆積が促進されているため、下地のシリコン
系材料層に対する選択性が向上し、ダメージも軽減され
る。
明によればフルオロカーボン系ガスを使用することなく
ＳｉＯ2 系材料層の異方性エッチングを行うことができ
る。したがって、本発明はまず脱フロン対策として有効
である。また、高異方性の達成に寄与する物質は、従来
のようなカーボン系ポリマーではなく、Ｓ／Ｆ比の高い
フッ化イオウから解離生成するＳである。したがって、
下地のシリコン系材料層に対してカーボン汚染が生じな
い。さらに、従来のフッ化イオウを使用するプロセスと
比べてＳの堆積が促進されているため、下地のシリコン
系材料層に対する選択性が向上し、ダメージも軽減され
る。
【００３１】したがって本発明は、微細なデザイン・ル
ールにもとづいて設計され、高集積度と高性能を有する
半導体装置の製造に極めて有効である。
ールにもとづいて設計され、高集積度と高性能を有する
半導体装置の製造に極めて有効である。
【図１】本発明をコンタクト・ホールに適用したプロセ
ス例をその工程順にしたがって示す模式的断面図であ
り、（ａ）はＳｉＯ2 層間絶縁膜上にレジスト・パター
ンが形成された状態、（ｂ）はＳｉＯ2 層間絶縁膜のエ
ッチング途中の状態、（ｃ）はＳｉＯ2 層間絶縁膜がエ
ッチングされて露出した不純物拡散領域の表面にＳ堆積
膜が形成された状態、（ｄ）はレジスト・パターン，側
壁保護膜，Ｓ堆積膜が除去されてコンタクト・ホールが
完成した状態をそれぞれ表す。
ス例をその工程順にしたがって示す模式的断面図であ
り、（ａ）はＳｉＯ2 層間絶縁膜上にレジスト・パター
ンが形成された状態、（ｂ）はＳｉＯ2 層間絶縁膜のエ
ッチング途中の状態、（ｃ）はＳｉＯ2 層間絶縁膜がエ
ッチングされて露出した不純物拡散領域の表面にＳ堆積
膜が形成された状態、（ｄ）はレジスト・パターン，側
壁保護膜，Ｓ堆積膜が除去されてコンタクト・ホールが
完成した状態をそれぞれ表す。
【図２】本発明を多結晶シリコン層表面の自然酸化膜の
除去に適用したプロセス例をその工程順にしたがって示
す模式的断面図であり、（ａ）は多結晶シリコン層の表
面に自然酸化膜が形成された状態、（ｂ）は自然酸化膜
のエッチング途中の状態、（ｃ）はエッチングが終了し
て多結晶シリコン層の表面がＳ堆積膜で被覆された状態
をそれぞれ表す。
除去に適用したプロセス例をその工程順にしたがって示
す模式的断面図であり、（ａ）は多結晶シリコン層の表
面に自然酸化膜が形成された状態、（ｂ）は自然酸化膜
のエッチング途中の状態、（ｃ）はエッチングが終了し
て多結晶シリコン層の表面がＳ堆積膜で被覆された状態
をそれぞれ表す。
１，１１ 単結晶シリコン基板 ２ 不純物拡散領域 ３ ＳｉＯ2 層間絶縁膜 ３ａ コンタクト・ホール ４ レジスト・パターン ４ａ 開口部 ５ 側壁保護膜 ６，１５ Ｓ堆積膜 １２ ゲート酸化膜 １３ 多結晶シリコン層 １４ 自然酸化膜
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10か
ら選ばれる少なくとも１種類の第１の化合物と、Ｓ−Ｏ
結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原
子との間に形成し得る原子を分子内に有する第２の化合
物とを含むエッチング・ガスを用いて、酸化シリコン系
材料層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッ
チング方法。 - 【請求項２】 前記エッチングを、被エッチング基板の
温度を室温以下に制御しながら行うことを特徴とする請
求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 前記第２の化合物としてＣＯまたはＮＯ
の少なくとも一方を用いることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193621A JP2687769B2 (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193621A JP2687769B2 (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521398A JPH0521398A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2687769B2 true JP2687769B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=16310987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3193621A Expired - Fee Related JP2687769B2 (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687769B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7462801B1 (en) | 1996-11-20 | 2008-12-09 | Ibiden Co., Ltd. | Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board |
| JPH11111686A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 低ガス圧プラズマエッチング方法 |
| JP2007035184A (ja) | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置 |
| JP6568457B2 (ja) * | 2015-11-11 | 2019-08-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP3193621A patent/JP2687769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521398A (ja) | 1993-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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