JP2720162B2 - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JP2720162B2 JP2720162B2 JP63025664A JP2566488A JP2720162B2 JP 2720162 B2 JP2720162 B2 JP 2720162B2 JP 63025664 A JP63025664 A JP 63025664A JP 2566488 A JP2566488 A JP 2566488A JP 2720162 B2 JP2720162 B2 JP 2720162B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は計算機利用Ｘ線断層像撮影装置（Ｘ線CT装
置）に用いる複数のシンチレータと光電変換素子からな
る多素子固体放射線検出器に係り、特に素子間の感度均
一性および検出感度向上に好適な検出器構造および製造
法に関する。
置）に用いる複数のシンチレータと光電変換素子からな
る多素子固体放射線検出器に係り、特に素子間の感度均
一性および検出感度向上に好適な検出器構造および製造
法に関する。
従来の放射線検出器に用いられている隔離板は特願昭
54−430号記載のように適離板表面の反射率を高める手
段としてBaSO4、MgO等を塗布した拡散反射面、あるいは
Ag等金属を蒸着した単層膜となっていた。しかしこれら
の表面処理では膜の強度に関しては配慮されておらず、
また金属蒸着面の下地鏡面を安定に再現良く造る手段に
特別な配慮がない。さらに隔離板の形状加工法に特別な
配慮がない。
54−430号記載のように適離板表面の反射率を高める手
段としてBaSO4、MgO等を塗布した拡散反射面、あるいは
Ag等金属を蒸着した単層膜となっていた。しかしこれら
の表面処理では膜の強度に関しては配慮されておらず、
また金属蒸着面の下地鏡面を安定に再現良く造る手段に
特別な配慮がない。さらに隔離板の形状加工法に特別な
配慮がない。
第４図はシンチレータと半導体受光素子とを組合せた
多素子固体放射線検出器の構造を示す一例で、一次元的
に配列されたシンチレータ１に入射した放射線５はシン
チレータ１内で可視光（シンチレーション光）に変換さ
れる。この光は密着して設置された半導体受光素子３の
受光面４に入射し、光電変換され光電流として取り出さ
れる。シンチレータ１では入射する放射線５の強度に比
例したシンチレーション光が発せられ、また半導体受光
素子３では入射したシンチレーション光の量に比例した
光電流が発生される。したがって半導体受光素子３の光
電流を計測することにより入射する放射線の線量を二次
的に検出する放射線検出器が形成される。
多素子固体放射線検出器の構造を示す一例で、一次元的
に配列されたシンチレータ１に入射した放射線５はシン
チレータ１内で可視光（シンチレーション光）に変換さ
れる。この光は密着して設置された半導体受光素子３の
受光面４に入射し、光電変換され光電流として取り出さ
れる。シンチレータ１では入射する放射線５の強度に比
例したシンチレーション光が発せられ、また半導体受光
素子３では入射したシンチレーション光の量に比例した
光電流が発生される。したがって半導体受光素子３の光
電流を計測することにより入射する放射線の線量を二次
的に検出する放射線検出器が形成される。
隔離板２は隣接するシンチレータ間の中心に挿入し、
入射する放射線およびシンチレーション光の隔離に用い
るものである。すなわち入射する放射線５を定められた
部位に区分して互いに干渉することなくシンチレータ１
に確実に導き、かつ各々分離独立したシンチレータ１か
ら発せられるシンチレーション光が隣接する別のシンチ
レータ１に漏れ込むことが無いように遮光すると共に、
シンチレータ１内からの散乱放射線や特性Ｘ線が光同
様、隣接する別のシンチレータ１に漏れ込まないよう隔
離する。さらにシンチレータから発するシンチレーショ
ン光を効率よく反射させて半導体受光素子３の受光面４
に導く重要な役割を果すものである。
入射する放射線およびシンチレーション光の隔離に用い
るものである。すなわち入射する放射線５を定められた
部位に区分して互いに干渉することなくシンチレータ１
に確実に導き、かつ各々分離独立したシンチレータ１か
ら発せられるシンチレーション光が隣接する別のシンチ
レータ１に漏れ込むことが無いように遮光すると共に、
シンチレータ１内からの散乱放射線や特性Ｘ線が光同
様、隣接する別のシンチレータ１に漏れ込まないよう隔
離する。さらにシンチレータから発するシンチレーショ
ン光を効率よく反射させて半導体受光素子３の受光面４
に導く重要な役割を果すものである。
したがって、隔離板２は放射線の吸収率が高く、表面
での光の吸収が少ないものでなければならない。また、
多素子検出器では隣接する検出器素子間の諸特性を均質
にすることが不可欠であり、高分解能化に伴ない素子の
小型化が進むに連れ隔離板２の寸法精度および光学特性
の均一性の高いものが要求される。
での光の吸収が少ないものでなければならない。また、
多素子検出器では隣接する検出器素子間の諸特性を均質
にすることが不可欠であり、高分解能化に伴ない素子の
小型化が進むに連れ隔離板２の寸法精度および光学特性
の均一性の高いものが要求される。
このような観点から前記従来技術を観ると、従来技術
は隔離板２の表面反射膜がBaSO4やMgOの塗布あるいはAg
蒸着面であるため、機械的強度や劣化に対しての配慮が
されておらず、傷、剥離あるいは汚れ、劣化による表面
反射率の低下や不均一性が生じるなどの問題があった。
は隔離板２の表面反射膜がBaSO4やMgOの塗布あるいはAg
蒸着面であるため、機械的強度や劣化に対しての配慮が
されておらず、傷、剥離あるいは汚れ、劣化による表面
反射率の低下や不均一性が生じるなどの問題があった。
また、隔離板の形状加工法に関しても、機械的に切断
する場合にはバリが発生し、板厚方向の精度を劣化さ
せ、レーザー加工、超音波加工、放電加工などでは隔離
板の小型化の際の加工コトスアップになるなどの問題が
ある。さらに隔離板素材表面を鏡面に仕上げる場合、一
般に原子番号が大きく、剛性の高い物質、例えばタング
ステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）などは研磨加工が困難
であるなどの問題があった。
する場合にはバリが発生し、板厚方向の精度を劣化さ
せ、レーザー加工、超音波加工、放電加工などでは隔離
板の小型化の際の加工コトスアップになるなどの問題が
ある。さらに隔離板素材表面を鏡面に仕上げる場合、一
般に原子番号が大きく、剛性の高い物質、例えばタング
ステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）などは研磨加工が困難
であるなどの問題があった。
また、多素子放射線検出器では各素子が小形化され
る。したがって隔離板の設置間隔が狭くなる。間隔が広
い場合には隔離板の表面を拡散面とした方が素子内の感
度一様性が高くなり検出器の性能が高くなるが、隔離板
の間隔が狭く（1.0mm以下）なると隔離板表面が拡散面
であると光の反射回数が増加するため表面での光吸収が
多くなり、素子内での光の利用効率が低下し、検出感度
が低下すると言う問題があった。
る。したがって隔離板の設置間隔が狭くなる。間隔が広
い場合には隔離板の表面を拡散面とした方が素子内の感
度一様性が高くなり検出器の性能が高くなるが、隔離板
の間隔が狭く（1.0mm以下）なると隔離板表面が拡散面
であると光の反射回数が増加するため表面での光吸収が
多くなり、素子内での光の利用効率が低下し、検出感度
が低下すると言う問題があった。
そこで本発明の目的は、加工性、安定性、経済性の優
れた隔離板を得、さらに放射線の利用効率の高い放射線
検出器を得るとの課題を解決することにある。
れた隔離板を得、さらに放射線の利用効率の高い放射線
検出器を得るとの課題を解決することにある。
上記目的は、隔離板の素材に放射線の吸収率の高い物
質、例えばモリブデン（Mo）あるいはタングステン
（Ｗ）、タンタル（Ta）等の薄い（0.05〜0.2mm厚）板
材を用い、樹脂などで目的とする形状の部分を保護し、
その他不要な部分をアルカリ類、酸類、金属塩類などに
より腐蝕させて取り除き、目的形状を得る所謂ケミカル
エッチング法により連続的なパターンに形状加工する。
質、例えばモリブデン（Mo）あるいはタングステン
（Ｗ）、タンタル（Ta）等の薄い（0.05〜0.2mm厚）板
材を用い、樹脂などで目的とする形状の部分を保護し、
その他不要な部分をアルカリ類、酸類、金属塩類などに
より腐蝕させて取り除き、目的形状を得る所謂ケミカル
エッチング法により連続的なパターンに形状加工する。
ケミカルエッチングにより形状加工を施した板材の表
面に電解鍍金（電解メッキ）、無電解鍍金（無電解メッ
キ）により他の金属、例えば銅（Cu）、ニッケル（N
i）、クロム（Cr）の薄い膜を固着されて素材表面の凸
凹を被って平滑な鏡面とする。
面に電解鍍金（電解メッキ）、無電解鍍金（無電解メッ
キ）により他の金属、例えば銅（Cu）、ニッケル（N
i）、クロム（Cr）の薄い膜を固着されて素材表面の凸
凹を被って平滑な鏡面とする。
鍍金（メッキ）により得られた鏡面に光の反射率の高
い金属例えばアルミニウム（Al）、銀（Ag）等を蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング等の真空鍍金
（メッキ）により固着させた薄膜を形成させる。
い金属例えばアルミニウム（Al）、銀（Ag）等を蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング等の真空鍍金
（メッキ）により固着させた薄膜を形成させる。
さらにこの表面に上述のような真空鍍金（メッキ）に
よりMgF2、TiO2の二層薄膜をλ/4の厚さで形成するか、
あるいはSiO2単層膜をλ/4の厚さで形成させ増反射処理
を行い、光学的反射率を高めると共に化学的、機械的に
安定な状態にすることにより達成される。
よりMgF2、TiO2の二層薄膜をλ/4の厚さで形成するか、
あるいはSiO2単層膜をλ/4の厚さで形成させ増反射処理
を行い、光学的反射率を高めると共に化学的、機械的に
安定な状態にすることにより達成される。
ケミカルエッチングにより形状加工した場合、板厚方
向に対するバリが皆無となり、一度に多くの形状加工が
可能となる。
向に対するバリが皆無となり、一度に多くの形状加工が
可能となる。
素材表面に鍍金（メッキ）を施すことにより表面を平
滑にし鏡面を得やすくする。
滑にし鏡面を得やすくする。
Al,MgF2，TiO2の組合せあるいはAl,SiO2の組合せによ
る増反射膜は光の反射率が金属単層膜よりも高く、さら
に化学的にも安定でき機械的にも表面硬度が高いため傷
がつきにくい。隔離板の表面を鏡面にすると、光の反射
に方向性を持たせることが出来、隔離板の間隔の狭い小
形多素子放射線検出器においても素子内での隔離板表面
における反射回数が減少し光の吸収が減少する。
る増反射膜は光の反射率が金属単層膜よりも高く、さら
に化学的にも安定でき機械的にも表面硬度が高いため傷
がつきにくい。隔離板の表面を鏡面にすると、光の反射
に方向性を持たせることが出来、隔離板の間隔の狭い小
形多素子放射線検出器においても素子内での隔離板表面
における反射回数が減少し光の吸収が減少する。
以下，本発明の一実施例を図を用いて説明する。第２
図は素材となる放射線阻止能の高い金属、例えばタング
ステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）、タンタル（Ta）の板
（板厚0.05〜0.2mmt）をケミカルエッチングによりパタ
ーニングした例を示す。パターニングが完了した素材は
表面を鏡面とするため、メッキを施す。メッキは用いる
素材により異るが、Moを用いた場合の一例を第１図に示
す。表面に凹凸のあるMo素材2gの表面をストライク銅メ
ッキ（短時間大きい電流密度で電解、薄層をメッキする
（「化学便覧」（日本化学学会編）、応用編（昭和34
年、丸善））、105頁）。）で下地処理した後、青化銅
メッキ膜2f（なお、青化銅メッキ膜の用語は、シアン化
（青化）アルカリにシアン化（青化）銅を溶解したアル
カリ性浴からなる電解浴を使用して形成される銅メッキ
膜を指すものとする（銅メッキ浴の構成例については、
「化学便覧」（日本化学学会編、応用編（昭和34年、丸
善））、105頁を参照）。）を膜厚５〜20μｍの厚さで
行なう。青化銅メッキ膜2f面の表面をバフ研磨により鏡
面とした後光沢Niメッキを２〜10μｍの厚さで施す。こ
の工程はバフ研磨を容易にする為に青化銅メッキ2fを厚
くして青化銅メッキ膜2fの面を研磨した後薄い膜厚の光
沢Niメッキ2eを施しているが、逆に青化銅メッキ膜2fを
２〜10μｍ行なった後に５〜20μｍの光沢Niメッキ2eを
施し、光沢Niメッキ2e面をバフ研磨して鏡面とすること
もある。ただし、光沢Niメッキ膜は青化銅メッキ膜に比
較して硬度が高くバフ研磨が困難となる。反面、青化銅
メッキ膜は研磨後の表面が不安定で酸化され易いと言う
欠点がある。したがって設備、工程等の都合により、研
磨をどちらで行うかを決定する。青化銅メッキはメッキ
膜の剥離強度を増す目的で行う。光沢Niメッキの代りに
光沢硬質Crメッキを施す方法もあるが面の強度、仕上り
状確は光沢Niメッキの方が良い。光沢Niメッキ膜2eの表
面にCr膜2dを真空蒸着又は電解鍍金（メッキ）により設
けるが、これは光増反射層膜を用ける為の下地処理で、
光増反射多層膜のAl膜2cと光沢Niメッキ膜2eとは密着強
度が低下するためである。したがってAl以外の物質を蒸
着する場合には不要となる。
図は素材となる放射線阻止能の高い金属、例えばタング
ステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）、タンタル（Ta）の板
（板厚0.05〜0.2mmt）をケミカルエッチングによりパタ
ーニングした例を示す。パターニングが完了した素材は
表面を鏡面とするため、メッキを施す。メッキは用いる
素材により異るが、Moを用いた場合の一例を第１図に示
す。表面に凹凸のあるMo素材2gの表面をストライク銅メ
ッキ（短時間大きい電流密度で電解、薄層をメッキする
（「化学便覧」（日本化学学会編）、応用編（昭和34
年、丸善））、105頁）。）で下地処理した後、青化銅
メッキ膜2f（なお、青化銅メッキ膜の用語は、シアン化
（青化）アルカリにシアン化（青化）銅を溶解したアル
カリ性浴からなる電解浴を使用して形成される銅メッキ
膜を指すものとする（銅メッキ浴の構成例については、
「化学便覧」（日本化学学会編、応用編（昭和34年、丸
善））、105頁を参照）。）を膜厚５〜20μｍの厚さで
行なう。青化銅メッキ膜2f面の表面をバフ研磨により鏡
面とした後光沢Niメッキを２〜10μｍの厚さで施す。こ
の工程はバフ研磨を容易にする為に青化銅メッキ2fを厚
くして青化銅メッキ膜2fの面を研磨した後薄い膜厚の光
沢Niメッキ2eを施しているが、逆に青化銅メッキ膜2fを
２〜10μｍ行なった後に５〜20μｍの光沢Niメッキ2eを
施し、光沢Niメッキ2e面をバフ研磨して鏡面とすること
もある。ただし、光沢Niメッキ膜は青化銅メッキ膜に比
較して硬度が高くバフ研磨が困難となる。反面、青化銅
メッキ膜は研磨後の表面が不安定で酸化され易いと言う
欠点がある。したがって設備、工程等の都合により、研
磨をどちらで行うかを決定する。青化銅メッキはメッキ
膜の剥離強度を増す目的で行う。光沢Niメッキの代りに
光沢硬質Crメッキを施す方法もあるが面の強度、仕上り
状確は光沢Niメッキの方が良い。光沢Niメッキ膜2eの表
面にCr膜2dを真空蒸着又は電解鍍金（メッキ）により設
けるが、これは光増反射層膜を用ける為の下地処理で、
光増反射多層膜のAl膜2cと光沢Niメッキ膜2eとは密着強
度が低下するためである。したがってAl以外の物質を蒸
着する場合には不要となる。
光増反射膜の形成は、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーティング等の手段によるが、Al膜2cは700Å
〜1200Åの膜厚とし、MgF2膜2bは蒸着速度、基板温度な
ど蒸着条件により屈折率に若干の相異が生じるが、800
〜1000Åの膜厚、TiO2膜2aは同様に500〜600Åの膜厚で
形成し、MgF2膜2bおよびTiO2膜2aの二層でλ/4となるよ
うにする。光増反射膜は他に、Al膜800〜1000Å，SiO2
膜λ/4とする手段でもほぼ同じ効果を得ることが可能で
ある。
オンプレーティング等の手段によるが、Al膜2cは700Å
〜1200Åの膜厚とし、MgF2膜2bは蒸着速度、基板温度な
ど蒸着条件により屈折率に若干の相異が生じるが、800
〜1000Åの膜厚、TiO2膜2aは同様に500〜600Åの膜厚で
形成し、MgF2膜2bおよびTiO2膜2aの二層でλ/4となるよ
うにする。光増反射膜は他に、Al膜800〜1000Å，SiO2
膜λ/4とする手段でもほぼ同じ効果を得ることが可能で
ある。
第３図は隔離板素材にMoを用いた場合の表面処理の差
違による表面の分光反射率の測定結果を示す。ｇはMo素
地、ｆはMo素地表面を鏡面研磨したもの、ｅは光沢Crメ
ッキ鏡面、ｄはMo素地にAl,MgF2，TiO2による増反射処
理を施したもの、Ｃは光沢Niメッキ鏡面、ｂは光沢Crメ
ッキ面にAlのみを蒸着した鏡面、ａは第１図に示す本発
明実施例による増反射多層膜表面である。したがって発
実施例により90％以上の反射率の実面が得られる。
違による表面の分光反射率の測定結果を示す。ｇはMo素
地、ｆはMo素地表面を鏡面研磨したもの、ｅは光沢Crメ
ッキ鏡面、ｄはMo素地にAl,MgF2，TiO2による増反射処
理を施したもの、Ｃは光沢Niメッキ鏡面、ｂは光沢Crメ
ッキ面にAlのみを蒸着した鏡面、ａは第１図に示す本発
明実施例による増反射多層膜表面である。したがって発
実施例により90％以上の反射率の実面が得られる。
本発明によれば、隔離板の形状加工が一度に多数でき
るとともに、板厚方向のバリ発生は皆無となりシンチレ
ータの間に挿入した場合にバリによる設定位置誤着が最
少限と出来る。
るとともに、板厚方向のバリ発生は皆無となりシンチレ
ータの間に挿入した場合にバリによる設定位置誤着が最
少限と出来る。
隔離板表面を鏡面とする加工において入手する素材表
面の状態（面粗度）を特に規定する必要が無く安価とな
る。さらに鏡面研磨においても加工時間が80％以上単縮
でき、加工コストが低減出来る。
面の状態（面粗度）を特に規定する必要が無く安価とな
る。さらに鏡面研磨においても加工時間が80％以上単縮
でき、加工コストが低減出来る。
隔離表面を鏡面とし増反多層膜を設けることにより鏡
面反射率を90％以上とすることが可能となり、素材粗地
の状態の隔離板を使用した場合よりも検出器出力は約４
倍となり安定性も一段と向上する。また拡散反射面の隔
離板に比較し、検出器内の隔離板の設置距離が2mm以下
の場合には、約20％の検出器出力の増加が図れる。
面反射率を90％以上とすることが可能となり、素材粗地
の状態の隔離板を使用した場合よりも検出器出力は約４
倍となり安定性も一段と向上する。また拡散反射面の隔
離板に比較し、検出器内の隔離板の設置距離が2mm以下
の場合には、約20％の検出器出力の増加が図れる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発秋の表面処理の一実施例を示す断面図、第
２図はケミカルエッチングによるパターニングの一例を
示す平面図、第３図は隔離板の表面状態の差による表面
分光反射率の測定結果、第４図は多素放射線検出器の一
般的構造を示す斜視図。 符号の説明 １…シンチレータ、２…隔離板、2a…TiO2膜、2b…MgF2
膜、2c…Al膜、2d…Cr膜、2e…光沢Ni鍍金（メッキ）
膜、2f…青化銅鍍金（メッキ）膜、2g…隔離板素材、３
…半導体受光素子、４…受光面、５…放射線。
２図はケミカルエッチングによるパターニングの一例を
示す平面図、第３図は隔離板の表面状態の差による表面
分光反射率の測定結果、第４図は多素放射線検出器の一
般的構造を示す斜視図。 符号の説明 １…シンチレータ、２…隔離板、2a…TiO2膜、2b…MgF2
膜、2c…Al膜、2d…Cr膜、2e…光沢Ni鍍金（メッキ）
膜、2f…青化銅鍍金（メッキ）膜、2g…隔離板素材、３
…半導体受光素子、４…受光面、５…放射線。
Claims (5)
- 【請求項１】放射線を光に変換するシンチレータと、前
記光を電気信号に変換する受光手段とからなる検出素子
を複数個配列し、隣接する前記検出素子を隔離する金属
性の隔離板を前記検出素子間に配置する多素子放射線検
出器において、前記隔離板が、金属薄板の両面に形成さ
れる銅メッキ層と、該銅メッキ層の面に形成される前記
金属薄板とは異なる種類の金属の光沢メッキ層と、最外
部に形成され、Al、MgF2、TiO2の各層から構成される光
増反射多層膜と、前記光沢メッキ層と前記光増反射多層
膜との間に形成され、前記光増反射多層膜を形成するた
めの下地層とを有することを特徴とする多素子放射線検
出器。 - 【請求項２】放射線を光に変換するシンチレータと、該
光を電気信号に変換する受光手段とからなる検出素子を
複数個配列し、隣接する前記検出素子を隔離する金属性
の隔離板を前記検出素子間に配置する多素子放射線検出
器において、前記隔離板が、Ｗ、Mo、Taの何れかからな
る金属薄板の両面に形成される銅メッキ層と、該銅メッ
キ層の面に形成されるNiメッキ層からなる光沢メッキ層
と、該光沢メッキ層の面に形成されるCr膜と、該Cr膜の
面に形成され、Al、MgF2、TiO2の各層から構成される光
増反射多層膜と有することを特徴とする多素子放射線検
出器。 - 【請求項３】放射線を光に変換するシンチレータと、前
記光を電気信号に変換する受光手段とからなる検出素子
を複数個配列し、隣接する前記検出素子を隔離する金属
性の隔離板を前記検出素子間に配置する多素子放射線検
出器において、前記隔離板が、金属薄板の両面に形成さ
れる銅メッキ層と、該銅メッキ層の面に形成される前記
金属薄板とは異なる種類の金属の光沢メッキ層と、最外
部に形成され、Al、SiO2の各層から構成される光増反射
多層膜と、前記光沢メッキ層と前記光増反射多層膜との
間に形成され、前記光増反射多層膜を形成するための下
地層とを有することを特徴とする多素子放射線検出器。 - 【請求項４】放射線を光に変換するシンチレータと、該
光を電気信号に変換する受光手段とからなる検出素子を
複数個配列し、隣接する該検出素子を隔離する金属性の
隔離板を前記検出素子間に配置する多素子放射線検出器
の製造方法において、前記隔離板が、金属薄板を化学エ
ッチングにより所定の形状に加工する第１の工程と、前
記所定の形状に加工された前記金属薄板の面に、前記金
属薄板を構成する金属とは異なる金属からなる薄層を形
成する第２の工程と、前記薄層を鏡面に加工する第３の
工程と、前記鏡面に、前記隔離板を構成する金属薄板と
は異なる種類の金属の光沢メッキ層を形成する第４の工
程と、前記光沢メッキ層の面に金属の下地膜を形成する
第５の工程と、前記下地膜の面に、多層からなる光増反
射膜を形成する第６の工程とから形成されることを特徴
とする多素子放射線検出器の製造方法。 - 【請求項５】放射線を光に変換するシンチレータと、該
光を電気信号に変換する受光手段とからなる検出素子を
複数個配列し、隣接する該検出素子を隔離する金属性の
隔離板を前記検出素子間に配置する多素子放射線検出器
の製造方法において、前記隔離板が、Ｗ、Mo、Taの何れ
かからなる金属薄板を化学エッチングにより所定の形状
に加工する第１の工程と、前記所定の形状に加工された
前記金属薄板の面に、Cuの薄層を形成する第２の工程
と、前記Cuの薄層を鏡面に加工する第３の工程と、前記
鏡面の面にNiの光沢メッキ層を形成する第４の工程と、
前記光沢メッキ層の面にCr膜を形成する第５の工程と、
前記Cr膜の面に、Al、MgF2、TiO2の各層から構成される
光増反射膜を形成する第６の工程とから形成されること
を特徴とする多素子放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025664A JP2720162B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025664A JP2720162B2 (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202684A JPH01202684A (ja) | 1989-08-15 |
| JP2720162B2 true JP2720162B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=12172063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2720162B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-02-08 JP JP63025664A patent/JP2720162B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01202684A (ja) | 1989-08-15 |
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