JP2804532B2

JP2804532B2 - 高圧用貫通形コンデンサおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2804532B2
Application number: JP1208101A
Authority: JP
Inventors: 勝範上野
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1988-09-20
Filing date: 1989-08-11
Publication date: 1998-09-30
Anticipated expiration: 2013-09-30
Also published as: JPH02224215A

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は高圧用貫通形コンデンサ及びその製造方法に
関するものであり、更に詳説すると、電子レンジに使用
するマグネトロンのノイズフィルターとして使用して好
適な高圧用貫通形コンデンサの改良とその製造方法に関
するものである。

（ロ）従来の技術従来、電子レンジに使用するマグネトロンから漏洩す
る電波雑音を防止するための貫通形コンデンサとしては
実公昭55−35803号（H01G 4/42）や実公昭55−52665号
（H01G 4/42）に示されている如きコンデンサがある。

次に従来例について第28図および第29図と共に説明す
る。（１）は貫通形のセラミックスよりなる円筒誘電
体、（２）（３）は筒状誘電体（１）の両端面に配設さ
れたそれぞれ第１および第２電極であり、粉末状の銀
（Ag）とガラスの混合したペースト状Agを約700〜800℃
で誘電体（１）の端面に焼きつけて形成した厚膜電極で
ある。（４）は貫通導電体であり、筒状誘電体（１）の
内側を貫通して配設され且つ接続金具（５）により第１
電極（２）と半田付等で電気的に接続されている。
（６）は接地用拡大金属板であり、透孔（6a）の設けら
れた上方折曲部（6b）により第２電極（３）と当接して
接続されている。（７）は貫通導電体（４）が貫挿され
るシリコーンの絶縁チューブ、（８）（８′）はエポキ
シ樹脂等の絶縁樹脂であり、接続金具（５）および貫通
導体（４）等のまわりを被覆し、絶縁すると共に筒状誘
電体（１）の絶縁性や耐湿性等を確保するために充填さ
れる。（９）はポリブチレン・テレフタレート（PBT）
よりなる合成樹脂製の外装ケース、（10）は絶縁カバー
である。

従来、絶縁用充填材として用いられてきたエポキシ樹
脂は、硬化時に第29図（ａ）（ｂ）図における矢印にて
示す方向に硬化収縮が起こるため、貫通形コンデンサの
円筒状誘電体（１）内の内壁（1a）と充填用エポキシ樹
脂の界面との間に隙間が発生する。このことについて更
に詳説すると、貫通形磁器コンデンサにおいて、セラミ
ックス（１）の線膨張係数は１〜10×10^-6／℃であるの
に対し、エポキシ樹脂（８）（８′）のそれは１〜10×
10^-5／℃であり、その差が大きいため、熱衝撃試験を行
なうと、残留応力によりセラミックス（１）とエポキシ
樹脂（８）との界面（1a）に隙間や亀裂が発生し、電荷
集中が起こり、耐電圧の低下が起こる。このような状態
では耐湿試験で貫通コンデンサの内部に湿気が進入する
ことになる。これを防止するためシリコーン等の弾性の
絶縁チューブ（７）を配設している。

このように構成された貫通コンデンサは、マグネトロ
ンのシールドケース内に取り付けられるため、常に高温
にさらされることとなる。また、電子レンジでは冷却フ
ァンによりマグネトロン本体の冷却フィンに送風し、さ
らに貫通コンデンサにも風を送り、冷却する構造になっ
ている。それにもかかわらず、マグネトロンのアノード
付近は約300℃の高温になり、貫通コンデンサも常に100
〜120℃の高温にさらされ、ときには150℃まで上昇する
こともある。また、異常時には180〜200℃に達すること
も考えられる。

さらに、最近では、電子レンジとオーブンを一体にし
たタイプが商品化されていることや電子レンジのコスト
ダウンのため冷却能力が低下していることもあり、貫通
コンデンサに対する耐熱性の要求はますます厳しくなっ
ている。しかし乍ら、例えば150℃ではエポキシ樹脂は
軟化し、劣化は急速に進行し、界面剥離が起こるため、
従来の貫通コンデンサでは限界状態にある。

このような問題を解決するため、最近、200℃前後の
耐熱性をもつ樹脂が開発されているが、硬度が高く、そ
のため硬化収縮と熱衝撃時の残留応力により素体にクラ
ックや破れが起こり、また、界面での隙間や剥離等によ
り充分な耐圧と信頼性が得られない。

また、一般にシリコーンゴムは耐熱性が200℃前後あ
り、弾性があることは知られているが、接着性がないた
め、これを貫通形磁器コンデンサの絶縁用の充填材とし
て使用すると、磁器（１）とシリコーンゴムとの間から
湿気が入り、絶縁不良を起こす欠点があるので、充填材
として使用されていない。これを解決するために被着体
にプライマーを塗布する方法があるが、プライマー塗布
の煩わしさやプライマー層の管理が難しく安定した絶縁
性及び耐湿性が得られなかった。

また、マグネトロン駆動時には貫通コンデンサに７〜
8kVの高電圧がかかるため十数kVの耐電圧が必要であ
る。

このように、貫通コンデンサは、（ｉ）耐電圧性、
（ii）耐熱性、（iii）耐熱衝撃性等の点で極めて厳し
い特性及び信頼性が求められているが、従来のコンデン
サはこれらの要求を完全に満足するものではない。更に
また、（iv）貫通コンデンサに要求される重要な特性の
一つとして耐トラッキング特性がある。これは、急激な
温度変化によって、貫通コンデンサの表面に水分が結露
した場合の耐電圧性を評価するものである。従来の有機
高分子から成る絶縁ケース（９）や絶縁カバー（10）で
は、耐トラッキング性があまり良くなく、一度、ケース
の外沿をリークすると、有機高分子が炭化するので、シ
ョート状態になってしまうという問題があった。

（ハ）発明が解決しようとする課題従来、絶縁チューブ（７）としてはシリコーンが用い
られるので、非常に高価であり、貫通導体（４）に挿通
するため作業に手間もかかり、コスト高となっていた。
また、絶縁材としてエポキシ樹脂を使用する場合には使
用限界は150℃であり、これより高温では絶縁特性が急
激に劣化してしまう。

このような問題を解決するため本発明においては絶縁
材として自己接着性シリコーンゴムを使用する貫通形コ
ンデンサを提案している。この自己接着性シリコーンゴ
ムを使用する高圧用貫通形コンデンサの破壊電圧は26〜
40kV（AC）に分布しているが、本発明はこの分布を高圧
側に集中するようにして該コンデンサの歩留まりを上
げ、更に信頼性を向上させることを目的とするものであ
る。

また、従来のコンデンサにおける外装絶縁ケース
（９）や絶縁カバー（10）表面における耐トラッキング
性の問題があるが、これも解決するものである。

また、第19図および第20図に示す如く、筒状誘電体の
両端面に設けられたそれぞれ第１電極および第２電極と
それらに半田付接続される金属板との接合部における半
田トンネルの間隔からシリコーンゴムが漏れ、そのこと
により引きおこされる絶縁不良の問題がある。

更にまた、第25図に示す如く貫通導体（４）のファス
トンタブ（4a）に外力が加って筒状誘電体（１）にヒビ
割れ（クラック）が発生し、絶縁不良をひき起こすとい
う問題がある。本発明はこのような問題を解決できる絶
縁材、被覆材および貫通形コンデンサの製造方法を提供
することを目的とするものである。

（ニ）課題を解決するための手段本発明は円筒状誘電体の内側に充填する絶縁材として
非常によく伸縮するシリコーンゲルを使用するか或は自
己接着性シリコーンゴムを使用するものである。

また、他の実施例では貫通形コンデンサにおける筒状
誘電体の内周面に対向する貫通導体の周囲にテフロンコ
ーティング、シリコーングリースを塗布したり、或はシ
リコーンチューブ、やテフロンチューブ［例えば、ポリ
テトラフルオロエチレン（PTFE）、テトラフルオロエチ
レン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体８
（PFA）、また、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体（FEP）等のチューブ］等の自
己接着性シリコーンゴムと接着し難い離型層を設けた
後、或いは貫通導体の外周を絶縁樹脂との結合力が比較
的弱い金属でメッキ処理を施した後、筒状誘電体と貫通
導体との間に自己接着性シリコーンゴムを絶縁材として
充填する。また、他の実施例においては筒状誘電体およ
び貫通導体を被覆する絶縁材として自己接着性シリコー
ンゴムを使用する際、80℃以下の低温で硬化反応を行な
わせた後、加熱して100℃以上の高温で接着性付与の反
応を行なわせる二段階の所謂ステップキュアーを行な
い、貫通形誘電体の貫通孔内沿と自己接着性シリコーン
ゴムとの接着のバラツキをなくすることにより、高耐圧
で且つ耐電圧性のバラツキを少なくしている。

更に、他の実施例においては、自己接着性シリコーン
ゴムよりなる絶縁樹脂を充填硬化した後、その外表面に
沿面放電処理を行なう。

尚、更に他の実施例においては筒状誘電体の両端面の
電極とそれらに電気的に接続するため半田接続する際、
半田トンネルにより引きおこされる耐圧不良を解決する
ため筒状誘電体の端面の電極とそれらに半田付接合され
る金属板の接合部の当接面積を小さくし、線接触するよ
うにする。

更に、本発明の他の実施例（第26図）においては貫通
導体（４）のタブ（4a）の面に強度的に弱い凹部（26）
（26′）を設けると共にタブ（4a）と鍔部（13）との間
で且つタブ面と直交する方向にも凹部（27）（27′）を
設け、タブ（4a）に外力が加わる際、筒状誘電体（１）
にクラックが入る前にファストンタブ（4a）が曲がるよ
うにして、ここで外力を吸収させる。

（ホ）作用シリコーン樹脂の中でも完全な架橋構造を持たないシ
リコーンゲルは粘着性が良い上に、伸び率が非常に大き
いので、硬化収縮がなく、円筒状誘電体（１）や貫通導
体（４）の熱膨張による応力を吸収し緩和するので、耐
熱性やヒートショックにも強い。また、自己接着性シリ
コーンゴムはシランカップリング剤の如き接着性付与成
分をシリコーンゴム組成物に添加し、自己接着性を付与
したもであり、セラミック、金属、プラスチック等に対
する接着性が非常に良好であり、而も絶縁性が極めて高
く、更に熱膨張による応力を吸収し、耐熱性やヒートシ
ョックにも強い。

また、本発明の他の実施例（第４図および第11図）で
はシリコーンやテフロンの如く自己接着性シリコーンゴ
ムと接着し難い材料よりなるチューブで貫通導体の適所
を被覆して貫通導体上に離型層を設け、或は第12図に示
す如く自己接着性シリコーンゴムとの結合力が比較的弱
いニッケル等で貫通導体の所望の外周面をメッキ処理し
て貫通導体の筒状誘電体の内周面と対応する部分に非接
着領域を設け、貫通導体の両端部においては、貫通導体
と自己接着性シリコーンゴムが接着し隙間が発生しない
ようにしている。

更に本発明の他の実施例（第10図および第11図）では
外装絶縁ケース（９）及び絶縁カバー（10）を使用せ
ず、自己接着性シリコーンゴムが直接裸出する構造にな
っている。そしてシリコーンゴムは水をはじく所謂撥水
性を有しているので、仮に自己接着性シリコーンゴムの
表面に水分が結露しても、水滴はすぐに流れ落ちるの
で、耐トラッキング性は良くなる。更にまた、シリコー
ンゴムは従来の絶縁ケース等に使用している有機高分子
とは異なり、カーボンを含んでおらず、難燃性であり、
仮に放電して貫通コンデンサの外沿で沿面リークが起こ
っても炭化することがないので、すぐに元の絶縁状態に
復帰する。

前述の如く、自己接着性シリコーンゴムは本来接着性
のないシリコーンゴムにシランカップリング剤の如き接
着性付与成分を添加し、自己接着性を付与したものであ
る。そして、一般に100℃以上の温度をかけると、硬化
反応と接着反応が１〜２時間で起こる。この二つの反応
の内、接着反応にはどうしても100℃以上の温度が必要
であるが、硬化反応は長時間かければ、室温でも起こ
る。一般に、自己接着性シリコーンゴムを注型に使用す
る場合、100℃以上に加熱し、前記の二つの反応を同時
に行なわせるのが作業上便利であるため、通常そのよう
になっている。本発明は、前記の二つの反応をあえて分
けて行なう。つまり、低温で硬化反応を十分に行なわ
せ、硬化が終了した後に接着反応を行なわせるのであ
る。このようにすることにより硬化時の貫通導体の膨張
を極力抑えることができる。

更に本発明の他の実施例においては、加熱硬化タイプ
の自己接着性シリコーンゴムは接着性が良いため隙間が
発生せず、絶縁性も耐湿性も向上するので、これを使用
し、更に第10図および第11図における硬化した絶縁樹脂
の外表面に沿面放電処理を施すことにより絶縁樹脂の外
表面を滑らかにし、外表面に付着した埃や塵埃が炭化し
たり、水滴が付着することにより発生する沿面リークを
抑える。

更に本発明の実施例（第21図、第22図及び第23図）に
おいては、筒状誘電体の両端縁に設けられる第１電極お
よび第２電極にそれぞれ当接される貫通導体の鍔部の当
接部の形状および接地用金属板の接合部の形状を線状に
狭くしてあるので、各当接部の当接面積が狭く、当接す
る部分は略線接触することになり、当接部での隙間が発
生しにくい。そのためクリーム半田中の溶剤及びフラッ
クスが溶出しやすく、ボイドが発生しにくい。また、半
田トンネルも発生しにくい。

本発明の他の実施例（第26図）においては、ファスト
ンタブ（4a）に外力が加わる際、筒状誘電体（１）のク
ラックが入る前にファストンタブ（4a）が凹部（26）
（26′）或いは（27）（27′）で曲がるようにして、こ
こで外力を吸収させ、筒状誘電体（１）の破損を防止す
る。

（ヘ）実施例第１図は本発明の実施例を示し、図番は第28図および
第29図と対応するものには同一符号をつけて示す。この
実施例では円筒状誘電体（１）の内側に、JIS規格によ
る針入度60、伸び率850％のシリコーンゲル（11）を注
入充填する。また、筒状誘電体（１）の外側にはJIS規
格によるショア硬度Ｄ−90のエポキシ樹脂（12）を充填
して硬化させ、貫通導体（４）の軸方向に15kg・ｆの強
度を持たせる。

第２図には本発明の他の実施例を示し、筒状誘電体
（１）の内外とも針入度60、伸び率850％のシリコーン
ゲル（11）を充填し、シリコーンゲル（11）の上にショ
ア硬度Ｄ−90のエポキシ樹脂層（12）（12′）を形成す
る。このような二層構造にすることにより耐湿性はさら
に良くなり、また、貫通導体（４）の軸方向に15kg・ｆ
の強度を持たせることができる。

このようにして耐熱試験やヒートショック試験の際の
外装ケース（９）と円筒状誘電体（１）の熱膨張による
応力を吸収し、緩和することができる。このようなシリ
コーンゲルを筒状誘電体に充填すると、シリコーンゲル
は余りにも硬度が足らな過ぎるという場合には、これよ
りも遥かに硬度の高い自己接着性シリコーンゴムを使用
してもよい。

次に自己接着性シリコーンゴムを使用する実施例につ
いて第３図と共に説明する。第１図と同一部品について
は同一符号をつけて示す。

第３図においては、貫通導体（４）と鍔状接続金具
（13）はヘッダー加工により一本の金属棒を使って一体
成形にて作られている。鍔状接続金具（13）と電極
（２）の接続及び接地用拡大金属板（６）と電極（３）
の接続は錫と銀（Sn−Ag）共晶半田を用いる。この溶融
温度は220℃であり、Sn−Pb共晶半田の溶融温度183℃よ
りも高いので、耐熱性が良い。また、外装ケース（９）
や絶縁カバー（10）は耐熱性の良好なPPS（ポリフェニ
レン・サルファイド）樹脂やPBT（ポリブチレンテレフ
タレート）樹脂等を用いる。このPBT樹脂の熱変形温度
は約210℃、PPS樹脂のそれは260℃である。

絶縁材として使用される自己接着性シリコーンゴム
（14）としては、例えば東芝シリコーン（株）製自己接
着性シリコーンTSE3331を用いる。このTSE3331は２液タ
イプの加熱硬化型シリコーンゴムであり、加熱すること
により硬化する。この２液タイプとは主剤（Ａ）と硬化
剤（Ｂ）とを混合してできる。

次に本発明の貫通形コンデンサの製造方法について説
明する。

次にこのようにして製造した第３図に示す如き貫通形
コンデンサの特性について述べる。

第５図は貫通形コンデンサの温度と破壊電圧（B.D.
V.:Break Down Voltage）との関係を示す特性図であ
り、同図（ａ）は絶縁材としてエポキシ樹脂を使用した
第28図に示す如き従来例の特性を示し、同図（ｂ）は本
発明の特性図を示す。

尚、この測定は次のようにして行なっている。即ち、
第５図（ａ）においては同一ロットのサンプルの中から
任意に数個を抽出し、高絶縁材であるシリコーンオイル
中に入れて、シリコーンオイルを加熱し、例えば120℃
に10〜15分間保持した後、シリコーンオイル中で貫通形
コンデンサの接地用拡大金属板（６）と貫通導電体
（４）間に交流高電圧を印加すると、このサンプル数個
の平均破壊電圧は26.5kV（A.C）であったことを示して
いる。他のデータも同様にして測定している。

この第５図（ａ）の従来例では150℃において絶縁破
壊電圧がようやく10kV（Ａ、Ｃ）を越える程度まで急速
に降下しており、破壊電圧は通常10kV（Ａ、Ｃ）以上必
要であるから、150℃が使用限界であることが判る。こ
れに対し、本発明の貫通形コンデンサは同図（ｂ）に示
す如く200℃においても30kV（Ａ、Ｃ）の破壊電圧を示
しており、従来例よりも遥かに破壊電圧が高いことが判
かる。

第６図は同一ロットから任意に取り出したサンプル20
個について、常温（20℃）における従来例と本発明の初
期の破壊電圧（BDV）の度数分布を示す図である。この
図から従来例よりも耐電圧性が向上していることが判
る。第７図は耐熱性の比較を行なうために、150℃の恒
温槽中に1000時間放置後の破壊電圧（BDV）の度数分布
を示す図である。この第７図から従来例では150℃にお
いては全て10kV以下で絶縁破壊を起こしているが、本発
明の例においては第６図における初期の分布と殆ど変ら
ない特性を示している。第８図は−40℃の恒温槽の中に
30分間、次に150℃の恒温槽の中に30分間交互に入れ換
える熱衝撃試験を200サイクル繰り返した後の常温（20
℃）における資料10個の破壊電圧の度数分布を示す。こ
の図と第６図を比較してみれば判かる如く、従来例では
熱衝撃試験後には絶縁破壊電圧が非常に低下している
が、本発明の例では初期の状態と変わらない分布を示し
ている。

次に本発明の他の実施例を第４図に示す。この実施例
においては筒状誘電体（１）の内周面に対向する貫通導
体（４）の周囲に、テフロンコーティング、シリコーン
グリース、或はシリコーンチューブやテフロンチューブ
［例えば、ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）、テト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体（PFA）、またテトラフルオロエチレン−
ヘキサフルオロプロピレン共重合体（FEP）のチュー
ブ］等の自己接着性シリコーンゴム（例えば東芝シリコ
ーン（株）製TSE 3331）と接着し難い離型層（15）を、
前記内周面に対向する誘電体（１）の軸方向の長さより
も少し長く設けることを特徴とするものである。このよ
うな離型層（15）を設けた後、筒状誘電体（１）と貫通
導体（８）との間に自己接着性シリコーンゴム（例えば
TSE3331）（14）を絶縁材として充填する。

このようにすれば、貫通導体（４）と注型された自己
接着性シリコーンゴム（14）とは接着しないが、筒状誘
電体（１）と自己接着性シリコーンゴム（14）とはよく
付着しているので、熱衝撃試験の如き熱衝撃が加えられ
た際の残留応力によっても筒状誘電体（１）と自己接着
性シリコーンゴム（14）との剥離は全く起こらないし、
離型層（15）から離れた部分の貫通導体（４）は自己接
着性シリコーンゴム（14）により強固に接着されている
ので、耐湿性、耐温性、耐電圧特性ともに極めて良好と
なる。尚、この際、使用するシリコーンチューブは単な
る離型層を設けるためのものである故、従来例である第
28図に使用するシリコーンチューブの肉厚（約0.5mm）
よりも遥かに肉薄（例えば約0.1mm）で、而も弾性のと
ぼしいものでよい。

更に次に本発明の他の実施例について説明する。これ
は第４図の実施例におけるテフロンコーティング等によ
る離型層（15）の代りに、筒状誘電体（１）に対向する
貫通導体（４）の周囲に自己接着性シリコーンゴムと接
着し難いニッケルメッキを、対向する誘電体（１）の軸
方向の長さよりも長く設けることを特徴とするものであ
る。このように自己接着性シリコーンゴム（14）と接着
し難いメッキを施しても第３図における効果と同様の効
果を得ることができる。

さて、マグネトロン等の電源供給ラインに接続して使
用する高圧用貫通形コンデンサにおいては、貫通導体
（４）はの２本必要であるので、実際の貫通形コン
デンサは第９図に示す如く、円筒状誘電体（１）
（１′）、ヘッダー加工により一本の金属棒から鍔状接
続金具（13）（13′）を設けた貫通導体（４）
（４′）、接地用拡大金属板（６）、外装ケース（図示
せず）および絶縁カバー（図示せず）と組合わせ、前述
のような方法により自己接着性シリコーンゴム（図示せ
ず）をそ中に充填して作る。（4a）（4a′）はファスト
ンタブであり、コネクター金具の雄型端子の役割をな
し、電子レンジ側の雌型端子ソケット（ファストン・リ
セプタクル）に挿入して接続される。

次に本発明の他の実施例について第10図と共に説明す
る。この実施例の高圧用貫通形コンデンサにおいては、
外装絶縁ケース（９）及び絶縁カバー（10）を使用せ
ず、自己接着性シリコーンゴムが直接裸出する構造にな
っている。

この実施例の製造方法について説明すると、前述の第
３図の実施例の製造方法における工程の後に、型
（テフロン）をはずすという工程がある。

尚、の注型にはテフロンの型を用いる。テフロンは
シリコーンと接着しないので、型を簡単に取りはずすこ
とができる。この場合にも第６図、第７図および第８図
に示したのと同様の特性が得られる。

次に耐トラッキング特性については次のような試験を
行なった。即ち、縦30cm、横30cm、高さ40cmの樹脂製の
箱の天板に貫通コンデンサを吊り下げ、下方から超音波
加湿器により水を噴霧する。この状態で貫通コンデンサ
の貫通導体（４）と接地用金属板（６）との間に5kv（A
C）を印加する。そして、カットオフ電流として10mAを
選び、放電が始まって貫通導体（４）と金属板（６）と
の間に10mAの電流が流れ始めるまでの時間を測定すると
共にその次点で一旦、電圧の印加を中止する。そして放
電後のコンデンサ素子の表面を乾いた布でふきとり、第
２回目の試験を行なう。以下第３回、第４回と同様にし
て測定する。任意に取り出したサンプル３個についてそ
の試験結果を第１表に示す。尚、この表において本発明
の実施例第10図の第４回目の試験においては200分測定
しても放電しないので、それ以降は測位を途中で終了し
た。

第１表から判る如く、従来例（第28図）では一旦放電
すると、外装ケース（９）や絶縁ケース（10）が炭化
し、通電路ができて、ケース表面に短絡路が完成するの
で、一旦放電すると、不良品となって使用できなくな
る。これに対し本発明では通電路ができないので、何度
でも元の状態に復帰し、耐トラッキング性が向上する。

次に本発明の他の実施例を第11図に示す。この実施例
においては第10図における筒状誘電体（１）に対向する
貫通導体（４）の周囲に、第４図の場合と同様にテフロ
ンコーティング、シリコーングリース或はシリコーンチ
ューブ等の自己接着性シリコーンゴム（例えば東芝シリ
コーン（株）製TSE3331）と接着し難い離型層（15）
を、対向する誘電体（１）の軸方向の長さよりも少し長
く設けている。このような離型層（15）を設けた後、筒
状誘電体（１）と貫通導体（４）との間に自己接着性シ
リコーンゴム（例えばTSE3331）（14）を絶縁剤として
充填する。従って第４図の場合と同様の特徴が得られ
る。

更に他の実施例について第12図と共に説明する。この
実施例の特徴は、貫通導体（４）の表面をニッケル等の
自己接着性シリコーンゴム（14）との接着力が比較的弱
い金属でメッキされた層（16）を設け、貫通導体（４）
の中央部に非接着領域を形成した点である。

以下、第12図および第13図を参照しながら非接着領域
（17）の形成方法を説明する。コンデンサ素子の組立て
は第10図と同様であり、貫通導体（４）は筒状誘電体
（１）の内部を貫通しており、貫通導体（４）と一体に
設けられた接続片と筒状誘電体（１）上の第１電極
（２）を半田付等で電気的に接続する。また、筒状誘電
体（１）の他方の第２電極（３）は、接地用拡大金属板
（６）に設けられた上方折曲部（6b）に接続される。そ
して、自己接着性シリコーンゴム（14）を充填硬化する
ことにより高圧用貫通形コンデンサが形成される。

ここで、第13図に示すように自己接着性シリコーンゴ
ム（14）を充填硬化したとき、貫通導体（４）の表面の
なかで外側に筒状誘電体（１）が配設されている中央部
分においては筒状誘電体（１）の内壁（1a）へ自己接着
性シリコーンゴム（14）が接着しようとする力（F₁）と
貫通導体（４）へ自己接着性シリコーンゴム（14）が接
着しようとする力（F₂）が相反して働く。そして、一般
に筒状誘電体（１）の内壁（1a）と自己接着性シリコー
ンゴムのせん断接着強さが約15kg/cm²と高いのに対し、
貫通導体（４）と自己接着性シリコーンゴム（14）のせ
ん断接着強さは約7kg/cm²と比較的弱い。従って、全体
として（F₁−F₂）の力が外向きに働き、自己接着性シリ
コーンゴム（14）が筒状誘電体（１）の内壁側に引張ら
れ、貫通導体（４）上に非接着領域（17）が形成され
る。

また、貫通導体（４）のその他の部分については筒状
誘電体（１）が配設されていないため、貫通導体（４）
へ自己接着性シリコーンゴム（14）が接着しようとする
力（F₂）のみが働き、貫通導体（４）に結合される。

この結果、貫通導体（４）の両端部においては貫通導
体と自己接着性シリコーンゴム（14）が結合され、ま
た、貫通導体（４）の中央部においては、非接着領域
（17）を形成し、貫通導体（４）と自己接着性シリコー
ンゴム（14）は離れた状態となる。従って、急激な温度
変化等による貫通導体（４）の膨張が極力押えることが
でき、自己接着性シリコーンゴム（14）に温度変化によ
る応力を極力押えることができ、自己接着性シリコーン
ゴム（14）の劣化を押えることができる。

次に本発明の他の実施例である自己接着性シリコーン
ゴムの硬化反応を行なわせる方法に関して第10図と共に
説明する。

実施例（１）絶縁材として使用される自己接着性シリコーンゴム
（14）としては、例えば東芝シリコーン（株）製自己接
着性シリコーンTSE3331を用いる。このTSE3331は２液タ
イプの加熱硬化型シリコーンゴムである。この２液タイ
プとは主剤（Ａ）と硬化剤（Ｂ）とを混合してできる。
この実施例では外装ケース（９）や絶縁カバー（10）は
用いず、自己接着性シリコーン（14）が直接裸出する構
成となっている。

次に本発明の作用について詳細に説明する。その前に
先ず、100℃以上の高温で硬化反応と接着反応を同時に
行なわせる従来の製造方法で、絶縁材として自己接着性
シリコーンゴムを使用した高圧用貫通形コンデンサの絶
縁破壊電圧（B.D.V;Break Down Voltage）特性について
述べる。従来の製造方法で製造した貫通形コンデンサの
絶縁破壊試験後、それを解析してみると、低い電圧（26
〜32kVAC位）で破壊した素子は、貫通形誘電体（１）の
貫通孔内沿とシリコーンゴムの界面の放電であり、一方
高い電圧（34〜40kVAC位）で破壊した素子は、貫通形誘
電体がバラバラに破壊されていた。このように二種類の
破壊モードが現われた原因は、貫通形誘電体の貫通孔内
沿とシリコーンゴムの接着のバラツキが考えられる。

第14図は高温で硬化反応と接着反応を同時に行なう従
来の製造方法の特性を示す。即ち、第14図（ａ）は100
℃以上の高温加熱時を示し、この状態では硬化反応と接
着反応が同時に進行する。そして硬化時に100℃以上の
温度がかかつていると、貫通導体が膨張した状態で自己
接着性シリコーンゴムが硬化し、接着する。その際、金
属の貫通導体（４）は太線矢印の方向に熱膨張して太く
なっている。第14図（ｂ）は室温状態を示し、このよう
に室温状態になると、貫通導体（４）は収縮するので、
自己接着性シリコーンゴム層は貫通導体に引張られて、
残留応力は破線矢印の如くなる。

第15図は本発明の二段階のステップキャアーを行なっ
て製造した場合の特性を示す。第15図（ａ）は硬化反応
のみが進行する低温加熱時を示し、貫通導体（４）の膨
張は小さい。第15図（ｂ）は高温加熱で而も接着反応の
みが進行しており、自己接着性シリコーンゴム（14）は
接着反応時に貫通導体（４）の太線矢印方向への膨張に
より細い破線矢印方向に押されている。しかし、第15図
（ｃ）の室温に戻れば、貫通導体（４）による応力は受
けない。

このように、従来の製造方法ではシリコーンゴム層は
引張られ、接着をはがす方向に応力を受けるのに対し
て、本発明の製造方法によればシリコーンゴム層は押さ
れるだけで、接着をはがす方向の応力は受けない。ま
た、シリコーンゴムの強度も引張られよりは押される方
が強い。

また、貫通導体（４）の膨張の影響を抑えるため、線
膨張係数の小さい金属材料を貫通導体に用いる方が好ま
しい。即ち、第14図および第15図の説明からわかるよう
に、貫通導体（４）の熱膨張は極力抑える方が望ましい
ので、線膨張係数の小さい金属材料を用いる。例えば、
アンバー（36Ni−Fe、2.0×10^-6）、42アロイ（42Ni−F
e、6.5〜7.0×10^-6）、Fe（11.5×10^-6）等を用いると
よい。

次に本発明の貫通形コンデンサの製造方法について説
明する。次のステップ〜までは第３図の実施例と全
く同じであり、本発明の実施例第10図の特徴はステップ
以降にある。すなわち、尚、テフロン製型はシリコーンゴムと接着しないの
で、簡単に取りはずすことができる。また、絶縁ケース
や絶縁カバーを用いても、貫通形誘電体の貫通孔内沿と
シリコーンゴムの接着には影響を与えないので、かまわ
ない。

実施例（２）実施例（１）で用いたTSE3331は、前記説明の硬化反
応と接着反応を同時に行なわせる使われ方が一般である
ため、低温での硬化反応の速度が非常に遅く、作業性が
悪い。これはポットライフ（作業可能時間…初期粘度が
倍になるまでの時間）を長くする（８時間）ために、反
応遅延剤が多く含まれているからである。そこで、実施
例（２）では、貫通型コンデンサの構造、製造方法は実
施例（１）と全く同じで、使用する自己接着性シリコー
ンのみをかえる。

即ち、低温で硬化反応が速く進むように、反応遅延剤
を少なくした自己接着性シリコーンゴムを用いる。例え
ば東芝シリコーン製XE14−804を用いる。このシリコー
ンゴムは50℃、２時間で硬化し、120℃、１時間で接着
するので、作業時間が短くなる。但し、ポットライフが
TSE3331よりも短い（１時間）。このように作成された
貫通形コンデンサの耐圧性の評価のため、初期破壊電圧
分布を第16図および第17図に示す。第16図は従来の製造
方法による場合の度数分布を示し、低い電圧から高い電
圧にわたって広く分布している。第17図は本発明の製造
方法による場合の度数分布を示し、高電圧に集中して分
布していることが判る。尚、第16図および第17図は同一
ロットから任意に取り出したサンプル20個について、常
温（20℃）における初期の破壊電圧（BDV）の度数分布
を示す図である。

更に、本発明の他の実施例（例えば第10図）は上述の
如く構成された高圧用貫通形コンデンサに沿面放電処理
を施こすことを特徴とする。

以下、沿面放電処理方法について詳細に説明する。ま
ず、自己接着性シリコーンゴムを充填硬化した高圧用貫
通形コンデンサを多湿状態の密閉筐体内に配置する。
尚、多湿状態の形成方法としては、超音波加湿器等を密
閉筐体内に配設し、水を噴霧することにより行なう。次
にこの多湿状態の筐体中にて高圧用貫通形コンデンサの
両端子間にカットオフ電流を10mAに設定し、5KVの交流
電圧を印加する。そして、コンデンサ素子の外表面に第
１回目の放電が発生するまで、この状態を維持する。こ
の後再度沿面放電処理を繰り返し行なう。

以下、第２表に各サンプル（Ａ、Ｂ、Ｃ）毎に放電回
数および放電するまでの時間を記載する。

第２表からも明らかなように沿面放電処理を２回行な
っただけでは各サンプルＡ、Ｂ、Ｃはすべて１時間以内
に再度放電をしていた。これに対し、沿面放電処理を３
回行なったものは３時間経過しても放電することはなか
った。

これは次の理由による。即ち、（イ）粗い表面をして
いる自己接着性シリコーンゴムに沿面放電処理を施こす
ことにより、自己接着性シリコーンゴムの外表面に絶縁
物質（SiO₂）が発生し、（ロ）一般にシリコーンゴムは
静電気が帯電しやすいので、その表面に塵埃がつきやす
いが、絶縁物質（SiO₂）は帯電しにくいので、塵埃が付
着しにくい、更に（ハ）この絶縁物質が自己接着性シリ
コーンゴムの外表面に発生することにより、自己接着性
シリコーンゴムの外表面が滑らかになり、従来の外表面
が粗い自己接着性シリコーンゴムにおいては、その外表
面にホコリ、水滴等が付着しやすく、ホコリの炭化およ
び水滴による短絡が起こりやすいが、本実施例において
はシリコーンゴムの外表面が滑らかであるため、たとえ
水分が露結してもすぐに流れ落ち、塵埃もたまりにく
い。このようなことが相働いて沿面リークの発生が抑制
される。

次に本発明の更に他の実施例を説明するが、その前に
高圧用貫通形コンデンサにおけるセラミックスの筒状誘
電体上の第１電極（２）と接続金属板（５）の接合部お
よび筒状誘電体の第２電極（３）と接地金属板（６）と
の接合部に半田の欠落部やボイドが発生しやすいという
問題について説明する。即ち、第18図に示す如くセラミ
ックスの筒状誘電体（１）の上下端面は銀（Ag）或はAg
−Paの焼き付け電極（２）（３）が形成されており、こ
の電極（２）の接続金属板（13）との接合部（18）及び
電極（３）と接地金属板（６）との接合部（19）はクリ
ーム半田（18a）（19a）で接続されている。このクリー
ム半田は印刷しやすくするため多量の溶剤を含んでお
り、ペースト状になっている。この溶剤や半田フラック
スは通常は半田溶融時に完全に外部に溶出したり、或は
空気中に揮発してしまうのであるが、クリーム半田の塗
布量、加熱温度、加熱温度の時間の具合により半田層中
に残り、半田層中に泡状の空隙ボイド（18b）（19b）が
発生する。これは電極（２）と接続金属板（15）および
電極（３）と接続金属板（６）との当接面積が広く、面
接触となっているためである。接合部（18）（19）にボ
イドが多量に発生すると、それぞれ電極（２）および
（３）の金属板（13）および（６）との接合強度が低下
する。而もこれら半田の付着後洗浄を行なっても残留フ
ラックスが残りやすく、この残留フラックスは絶縁樹脂
（14）（14′）として本発明の実施例であるシリコーン
ゴムを使用した際、シリコーンゴムの接着反応に悪影響
を及ぼす。なぜならば、フラックスは付加型シリコーン
ゴムに硬化阻害を及ぼすからである。また、面接触で接
合する場合、それぞれの平面度の精度が良くないと隙間
が発生し、半田トンネルが発生する。半田トンネルが発
生した場合、第19図に示すように樹脂漏れ（20）が起こ
り、耐圧不良を引きおこす。その理由は次の通りであ
る。即ち、第19図に示す如く筒状誘電体（１）の外周と
所定間隔をあけてテフロン製型（21）を装着し、矢印
（Ａ）方向からシリコーンゴム（14）を注入すると、シ
リコーンゴムが半田トンネル（19c）の間隔を通過して
セラミック素体（１）の貫通孔の内周面及び接地用金属
板（６）の内側に漏洩する。この状態でシリコーンゴム
を硬化させ、次に第20図に示す如く反転し、テフロン製
型（22）を装着して今度は反対側から矢印（Ｂ）方向に
シリコーンゴム（14′）を注入すると、先に漏れて硬化
したシリコーンゴム（20）と後から注入したシリコーン
ゴム（14′）とは接着しないし、また、先に漏れたシリ
コーンゴムの周辺も接着しにくくなる。このような接着
不良が発生すると、耐圧不良を引きおこす。

次にこのような問題を解決できる本発明の他の実施例
を第21図〜第23図に示す。これは筒状誘電体（１）の両
端面に設けられたそれぞれ第１電極（２）および第２電
極（３）に当接される貫通導体（４）の鍔部（13）の当
接部（23）の形状および接地用金属板（６）の接合部
（24）の形状を線状に狭くするものである。即ち、第21
図においては当接部（23）の形状を鋭く尖った形状とす
ると共に接地用金属板（６）の接合部（24）の形状を板
厚分とするよう接地用金属板（６）を立ち上げ形状にし
ている。また、第22図においては、貫通導体（４）の鍔
（13）側の形状は第21図と同じであるが、接地用金属板
（６）の接合部（24）の形状を第21図よりも更に尖鋭に
するため接地用金属板（６）の端縁部を第２電極（３）
の面に対し略45°に立ち上げ、且つ先端の側断面を第２
電極（３）の面に対し垂直となるように切断している。

第23図は接地用金属板（６）の接合部（24）の形状を
プレス時のバリの影響をなくすために折り曲げ形状にし
ている。この場合の半田付（23a）（24a）の状態を第24
図に示す。

そして、これら第21図〜第24図のいずれの実施例にお
いてもクリーム半田（23a）（24a）中の溶剤は加熱溶融
する半田付時に揮発し乍ら半田の外方に溶出し、半田層
中には全く残らなくなり、従ってボイドは発生しない。
それは当接部（23）および接合部（24）の接合面積が極
めて狭く、略線接触になっているからである。また、こ
の場合、従来の面接触の場合と比較して接合部での隙間
が発生しにくく、従って半田トンネルも発生しにくい。
このように、これらの実施例においては半田層のボイド
及び半田トンネルが発生しにくいので、半田トンネルを
通過してシリコーンゴムが筒状誘電体（１）の他の側へ
漏出する現象は起こらず、従って耐圧不良も減少し、且
つ接合強度も向上して信頼性が向上する。

次に貫通導体に外力が加えられても、筒状誘電体
（１）にクラック等が起らないようにした本発明の他の
実施例について説明する。

即ち、第９図に示す如き実施例において、ファストン
タブ（4a）に第25図に示す如き矢印（Ａ）或は（Ａ′）
方向の一定値以上の力、或は矢印（Ａ）（Ａ′）に対し
垂直方向、即ちファストンタブ（4a）の面に垂直方向
（Ｂ）（Ｂ′）の或る値以上の力が加わえられると、貫
通導体（４）の鍔部（13）と筒状誘導体（１）上の第１
電極（２）とを接合している半田接合部（18）周辺で筒
状誘導体（１）にヒビ割れ（クラック）（25）が発生す
ることがある。即ち、ファストンタブ（4a）の先端に矢
印（Ａ）又は（Ａ′）、或は（Ｂ）又は（Ｂ′）に4kg
以上の力を加わえると、クラック（25）が入る。この状
態で高電圧が印加されると、絶縁不良となる。ファスト
ンタブ（4a）に力が加わるのは電子レンジのマグネトロ
ン（図示せず）へ高電圧貫通コンデンサを取り付ける時
と、その後のマグネトロンの検査工程と、マグネトロン
を電子レンジに取り付ける時とである。通常の取り扱い
では筒状誘電体（１）の半田接合部（18）付近での破壊
は起らない。しかし乍ら、電子レンジの取付部に無理に
取り付けようとしたり、また、一旦、取りつけたファス
トンタブ（4a）を抜き取ろうとしたり、また、落下等の
ためファストンタブに無理な力が加わる場合に破壊につ
ながることがある。仮に、半田接合部（18）の周辺にク
ラックが発生した場合、その部分は、シリコーンゴムで
覆われているため、外観上不良と判断できない。このた
め、最終検査で耐圧不良となる。このような筒状誘電体
のクラック発生による絶縁不良という問題がある。

次にこのような筒状誘電体のクラックを防止できる本
発明の他の実施例について第26図と共に説明する。第26
図において、鍔部（13）は鉄製の貫通導体（４）と一体
にヘッダープレス加工により成形される。次にファスト
ンタブ（4a）の両面に互いに並行な凹部（26）（26′）
を設けると共にファストンタブ（4a）と鍔部（13）との
間においてタブ（4a）の面と直交する方向に且つ互に平
行な凹部（27）（27′）を設ける。そしてこのタブ表面
にはニッケル或はスズ等でメッキを施す。

さて、凹部（27）（27′）間の肉厚（t₁）と、力
（F₁）のタブ（4a）先端への印加によりタブが凹部（2
7）（27′）において曲がり始める時の力の大きさとの
関係は第３表に示す通りである。尚、L₁＝17mm、L₂＝8.
5mm、L₃＝19mm、W₁＝W₂＝1mmである。

また、凹部（26）（26′）間の肉厚（t₂）と、力
（F₂）のタブ（4a）先端への印加によりタブが凹部（2
6）（26′）において曲がり始める時の力の大きさとの
関係は第４表に示す通りである。

本発明者の実験によると、筒状誘電体（１）の第１電
極（２）の半田接合部近辺での誘電体の破損は（F₁）お
よび（F₂）とも4kgで起こるので、第３表および第４表
から判かる如く、凹部（27）（27′）の肉厚（t₁）は0.
9mm以下、また凹部（26）（26′）の肉厚（t₂）は0.6ミ
リ以下でなければ効果がない。しかし乍ら肉厚（t₁）お
よび（t₂）を余り薄くすると、この貫通形コンデンサを
マグネトロン及び電子レンジに取り付ける作業中や検査
工程中で少しの外力によりタブ（4a）が曲がってしま
い、外観不良となる。

また、電子レンジの動作時には貫通導体（４）に約10
（Ａ）の電流が流れるので、肉厚（t₁）（t₂）が薄過ぎ
ると、ジュール熱による発熱が大きくなる。更にまた、
各国における規格からの制限があり、例えば、L₂はBS規
格ではL₂＝7.9mm、DIN規格ではL₂＝8mmであるから、こ
れらを満足させるため、L₂は8mm以上となる。

このように凹部（27）（27′）および（26）（26′）
を設けることにより外力（F₁）（F₂）が加わる際、筒状
誘電体（１）が破損する前に凹部（27）（27′）或は
（26）（26′）でタブが曲がることにより外力を吸収
し、誘電体の破損を防止する。

第27図は第26図の貫通導体（４）を２本使用して組立
てた本発明の実際の高圧貫通形コンデンサである。

（ト）発明の効果このように本発明の高圧用貫通形コンデンサによれ
ば、耐電圧性、耐熱性、耐熱衝撃性の特性が従来例より
大幅に向上し、特に耐熱特性においては150℃で連続し
ても何ら問題はないという大きな効果が得られる。

また、実施例第10図および第11図の如き実施例におい
ては筒状誘電体（１）の外周を自己接着性シリコーンよ
りなる絶縁樹脂のみにて被覆しており、耐トラッキング
性の特性が大幅に向上する。

更に、第４に示す如き実施例においては、筒状誘電体
（１）の内周面に対向する貫通導体（４）の周囲にテフ
ロンコーティング、シリコーングリース或はシリコーン
チューブやテフロンチューブ等の自己接着性シリコーン
ゴムと接着し難い離型層（15）を設けているので、貫通
導体（４）と自己接着性シリコーンゴム（14）とは接着
しないが、筒状誘電体（１）の内周面と自己接着性シリ
コーンゴム（14）とはよく接着しているので、熱衝撃に
よっても自己接着性シリコーンゴムの剥離は全く起こら
ない。そして、この場合は貫通導体に絶縁チューブを貫
挿するようなことをしないので、作業性がよくコストダ
ウンが計れるばかりか、耐湿性、耐熱性、耐電圧性の安
定且つ優れた貫通形コンデンサが得られる。更に、第12
図に示す如き実施例においては貫通導体の表面を比較的
結合力の弱い金属にてメッキ処理を施すことにより、貫
通導体の中央部に非接着領域を形成することができ、温
度変化による自己接着性シリコーンゴムの劣化を防ぎ、
より耐熱性に優れた貫通形コンデンサを得ることができ
る。

本発明の他の実施例においては自己接着性シリコーン
ゴムよりなる絶縁樹脂にて被覆する際、低温で硬化反応
を行なわせた後、加熱して高温で接着付与の反応を行な
わせるので、耐電圧性のバラツキを小さくすることがで
き、そして耐電圧特性が向上し、全体として信頼性の高
い貫通形コンデンサが得られる。

更に、また、他の実施例においては自己接着性シリコ
ーンゴムの外表面に沿面放電処理を行なうため、沿面リ
ークを抑えることができる。

更にまた、第21図、第22図および第23図に示す如き実
施例においては貫通導体の第１電極および／或は第２電
極に当接される接合部の形状が略線状に狭くなっている
ので、半田層のボイド及び半田トンネルが減少し、それ
に伴い自己接着性ゴムの漏出もなくなるので、耐圧不良
も減少し、接合強度が向上し、全体の信頼性が向上す
る。また、第26図に示す如き実施例においては貫通導体
に外部押圧吸収用の凹部が設けられているので、貫通導
体に外部から力が加っても前記凹部の部分で押圧力が吸
収され、筒状誘電体が破損する虞れがなく、更にこの凹
部での曲りにより外観から不良を判断することもでき
る。

【図面の簡単な説明】第１図、第２図、第３図および第４図はいずれも本発明
の高圧用貫通形コンデンサの断面図、第５図、第６図、
第７図および第８図は本発明のコンデンサと従来例との
特性の比較図、第９図は本発明の具体的構成の分解斜視
図、第10図、第11図および第12図はいずれも本発明の他
の実施例である高圧用貫通形コンデンサの断面図、第13
図は本発明の自己接着性シリコーンゴムの接着方向を示
す図面であり、同図（ａ）は第12図の要部拡大図、同図
（ｂ）は第12図におけるＹ−Ｙ′断面図、第14図および
第15図はそれぞれ従来方法と本発明の製造方法の内部作
用を説明する図面。第16図および第17図はそれぞれ従来
方法と本発明の製造方法による場合の破壊電圧の度数分
布図、第18図、第19図および第20図は筒状誘電体の第１
電極に当接される貫通導体の鍔部の形状と第２電極に当
接される接地用金属板の形状を広い面接触にした時の欠
点を説明するための要部断面図、第21図、第22図および
第23図は筒状誘電体の両端面の第１電極および第２電極
にそれぞれ当接される鍔部の当接部および接地用金属板
の接合部の形状を略線状にした本発明の他の実施例を示
す要部断面図、第24図は第23図の要部拡大断面図、第25
図は貫通導体のファストンタブに外力が加わり、筒状誘
電体にクラックが入った状態を対断面図、第26図は貫通
導体のファストンタブおよび鍔部の少許上方に凹部を設
けた本発明の他の実施例を示す図面、第27図は第26図の
貫通導体を使用した本発明の組立完成図の断面図、第28
図は従来の高圧用貫通形コンデンサを説明するための断
面図、第29図は同コンデンサに使用しているエポキシ樹
脂の硬化収縮方向を示す図面であり、同図（ａ）は第28
図の要部拡大図、同図（ｂ）は第28図における（Ｘ−
Ｘ′）方向の断面図である。（１）…筒状誘電体、（２）（３）…第１および第２電
極、（４）…貫通導体、（６）…接地用金属板、（11）
…シリコーンゲル、（13）…鍔部、（14）…自己接着性
シリコーンゴム、（15）…離型層、（16）…ニッケルメ
ッキ層、（17）…非接着領域、（18）（19）…接合部、
（23）…当接部、（24）…接合部、（25）…クラック、
（26）（26′）（27）（27′）…凹部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号特願昭63−292843 (32)優先日昭63(1988)11月18日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号特願昭63−292846 (32)優先日昭63(1988)11月18日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号特願昭63−292847 (32)優先日昭63(1988)11月18日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ）

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設さ
れる第１電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側
を貫通して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通
導体と、前記第２電極に接続される接地用金属板とを備
え、少くとも前記筒状誘電体の内周面と前記貫通導体との間
に、自己接着性シリコーンゴムを充填してなる高圧用貫
通形コンデンサ。
【請求項２】前記筒状誘電体の内周面に対向する前記貫
通導体の周囲に、自己接着性シリコーンゴムと接着しに
くい材料からなる離型層を設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の高圧用貫通形コンデンサ。
【請求項３】前記筒状誘電体の内周面に対向する前記貫
通導体の周囲に、自己接着性シリコーンゴムとの結合力
が弱い金属メッキ層を設けたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の高圧用貫通形コンデンサ。
【請求項４】前記筒状誘電体の外周を、自己接着性シリ
コーンゴムにて被覆したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の高圧用貫通形コンデンサ。
【請求項５】筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設さ
れる第１電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側
を貫通して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通
導体と、前記第２電極に接続される接地用金属板とを備
え、少くとも前記筒状誘電体の内周面と前記貫通導体と
の間に自己接着性シリコーンゴムを充填してなる高圧用
貫通形コンデンサの製造方法において、前記自己接着性シリコーンゴムを充填する際、100℃以
下の温度で硬化反応を行わせた後、100℃を超える温度
で接着性付与反応を行わせることを特徴とする高圧用貫
通形コンデンサの製造方法。
【請求項６】筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設さ
れる第１電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側
を貫通して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通
導体と、前記第２電極に接続される接地用金属板とを備
え、少なくとも前記筒状誘電体の内周面と前記貫通導体
との間に自己接着性シリコーンゴムを充填し、前記筒状
誘電体の外周を自己接着性シリコーンゴムにて被覆して
なる高圧用貫通形コンデンサの製造方法において、前記筒状誘電体の外周を被覆する自己接着性シリコーン
ゴムの外表面に、沿面放電処理を施すことを特徴とする
高圧用貫通形コンデンサの製造方法。
【請求項７】前記貫通導体の前記第１電極との当接部の
形状および前記接地用金属板の前記第２電極との当接部
の形状を、略線状に狭くしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の高圧用貫通形コンデンサ。
【請求項８】前記貫通導体の第１電極との当接部よりも
外方に、外部押圧吸収用の凹部を設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の高圧用貫通形コンデン
サ。