JP2811365B2 - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents
液処理装置及び液処理方法Info
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- JP2811365B2 JP2811365B2 JP2272687A JP27268790A JP2811365B2 JP 2811365 B2 JP2811365 B2 JP 2811365B2 JP 2272687 A JP2272687 A JP 2272687A JP 27268790 A JP27268790 A JP 27268790A JP 2811365 B2 JP2811365 B2 JP 2811365B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、液処理装置及び液処理方法に関する。
（従来の技術） 従来から半導体デバイスの製造工程等においては、半
導体ウエハ等の表面にレジスタ膜を形成して精密写真転
写技術により、回路パターンの転写が行われており、こ
のようなレジスタ液の塗布あるいは樹脂の塗布にコーテ
ィング装置が用いられている。
導体ウエハ等の表面にレジスタ膜を形成して精密写真転
写技術により、回路パターンの転写が行われており、こ
のようなレジスタ液の塗布あるいは樹脂の塗布にコーテ
ィング装置が用いられている。
半導体ウエハにレジスタ膜を形成するコーティング装
置では、レジスト液を半導体ウエハに供給した後、半導
体ウエハを高速回転させ、遠心力によってレジスト液を
半導体ウエハ全面に均一に塗布するいわゆるスピンコー
タが一般的である。
置では、レジスト液を半導体ウエハに供給した後、半導
体ウエハを高速回転させ、遠心力によってレジスト液を
半導体ウエハ全面に均一に塗布するいわゆるスピンコー
タが一般的である。
ところで、近年半導体デバイスは、高集積化される傾
向にあり、これにともない、半導体デバイスの回路パタ
ーンは、益々微細化される傾向にあるが、このような半
導体デバイスの微細な回路パターンを正確に転写するた
めには、レジスタ膜厚を正確に制御することが要求され
る。このため、従来からコーティング装置においては、
レジスト温度の調節、半導体ウエハ温度の調節、回転速
度の調節等によって、レジスト膜の絶対膜厚の精度およ
び膜厚の面内均一性を改善するための努力がなされてい
る。
向にあり、これにともない、半導体デバイスの回路パタ
ーンは、益々微細化される傾向にあるが、このような半
導体デバイスの微細な回路パターンを正確に転写するた
めには、レジスタ膜厚を正確に制御することが要求され
る。このため、従来からコーティング装置においては、
レジスト温度の調節、半導体ウエハ温度の調節、回転速
度の調節等によって、レジスト膜の絶対膜厚の精度およ
び膜厚の面内均一性を改善するための努力がなされてい
る。
また、従来は解放雰囲気下でレジスト塗布を行ってい
たが、半導体ウエハを気密性を有するチャンバ内に収容
し、このチャンバ内を例えば所定の溶媒ガス雰囲気とし
てレジスト塗布を行うコーティング装置が提案されてい
る。このようなコーティング装置では、例えば、段差付
きウエハ等塗布面に対称にレジスト塗布を行えるという
特徴を有している。
たが、半導体ウエハを気密性を有するチャンバ内に収容
し、このチャンバ内を例えば所定の溶媒ガス雰囲気とし
てレジスト塗布を行うコーティング装置が提案されてい
る。このようなコーティング装置では、例えば、段差付
きウエハ等塗布面に対称にレジスト塗布を行えるという
特徴を有している。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した気密性を有するチャンバ内に
半導体ウエハを収容し、レジスト塗布を行う従来のコー
ティング装置では、半導体ウエハから周囲に飛散したレ
ジスト液がチャンバ壁に衝突し、跳ね返って半導体ウエ
ハに付着したり、ミスト状になって浮遊するレジストミ
ストが半導体ウエハに付着する等の問題があった。この
ミスト対策には多数の特許出願がある。
半導体ウエハを収容し、レジスト塗布を行う従来のコー
ティング装置では、半導体ウエハから周囲に飛散したレ
ジスト液がチャンバ壁に衝突し、跳ね返って半導体ウエ
ハに付着したり、ミスト状になって浮遊するレジストミ
ストが半導体ウエハに付着する等の問題があった。この
ミスト対策には多数の特許出願がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、チャンバ壁に衝突して跳ね返った塗布液や、ミスト
状になった塗布液が被処理基板に付着することを防止す
ることのできる液処理装置及び液処理方法を提供しよう
とするものである。
で、チャンバ壁に衝突して跳ね返った塗布液や、ミスト
状になった塗布液が被処理基板に付着することを防止す
ることのできる液処理装置及び液処理方法を提供しよう
とするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち、請求項１の発明は、被処理基板を保持して
回転させる回転台と、 前記回転台および前記被処理基板を収容するチャンバ
と、 前記回転台の上方から前記被処理基板に処理液を供給
するノズルと、 前記チャンバの前記被処理基板の下方位置から排気す
る排気路と、 前記回転台に保持された被処理基板の外周方向位置に
設けられ、前記排気路に向けて気体を供給する気体供給
機構 を具備したことを特徴とする。
回転させる回転台と、 前記回転台および前記被処理基板を収容するチャンバ
と、 前記回転台の上方から前記被処理基板に処理液を供給
するノズルと、 前記チャンバの前記被処理基板の下方位置から排気す
る排気路と、 前記回転台に保持された被処理基板の外周方向位置に
設けられ、前記排気路に向けて気体を供給する気体供給
機構 を具備したことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載の液処理装置におい
て、 前記チャンバが内部を気密に閉塞可能とされたことを
特徴とする。
て、 前記チャンバが内部を気密に閉塞可能とされたことを
特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１又は２記載の液処理装置
において、 前記気体供給機構は、当該気体供給機構から前記排気
路に向けて前記チャンバ内壁面に沿った気流を形成する
ことを特徴とする。
において、 前記気体供給機構は、当該気体供給機構から前記排気
路に向けて前記チャンバ内壁面に沿った気流を形成する
ことを特徴とする。
請求項４の発明は、搬入・搬出口からチャンバ内に被
処理基板を搬入し、この被処理基板を回転台に載置する
工程と、 前記チャンバの前記搬入・搬出口を閉じる工程と、 前記被処理基板に処理液を供給する工程と、 前記被処理基板の外周方向位置から下方へ向けて前記
チャンバ内に気体を流入させつつ前記被処理基板を回転
させる工程と を具備したことを特徴とする。
処理基板を搬入し、この被処理基板を回転台に載置する
工程と、 前記チャンバの前記搬入・搬出口を閉じる工程と、 前記被処理基板に処理液を供給する工程と、 前記被処理基板の外周方向位置から下方へ向けて前記
チャンバ内に気体を流入させつつ前記被処理基板を回転
させる工程と を具備したことを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項４記載の液処理方法におい
て、 前記チャンバの内部を気密に閉塞した状態で前記被処
理基板を回転させることを特徴とする。
て、 前記チャンバの内部を気密に閉塞した状態で前記被処
理基板を回転させることを特徴とする。
（作 用） 本発明の液処理装置及び液処理方法は、被処理基板を
収容するチャンバと、このチャンバ内の被処理基板の周
囲に上方から下方へ向けて所定気体、例えば所定溶媒ガ
スを含む空気流、不活性ガス流を形成する機構を備えて
いる。
収容するチャンバと、このチャンバ内の被処理基板の周
囲に上方から下方へ向けて所定気体、例えば所定溶媒ガ
スを含む空気流、不活性ガス流を形成する機構を備えて
いる。
したがって、被処理基板を回転させて塗布を行う際
に、チャンバ壁に衝突して跳ね返った塗布液や、ミスト
状になった塗布液をこの気流によりチャンバ外に排出す
ることができ、被処理基板に付着することを防止するこ
とができる。
に、チャンバ壁に衝突して跳ね返った塗布液や、ミスト
状になった塗布液をこの気流によりチャンバ外に排出す
ることができ、被処理基板に付着することを防止するこ
とができる。
（実施例） 以下、本発明を半導体ウエハにレジスト膜を形成する
コーティング装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。
コーティング装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。
第１図に示すように、コーティング装置には、例えば
アルミニウムあるいはステンレス等から円筒状に形成さ
れ、内部を気密に保持可能に構成されたチャンバ１が設
けられている。このチャンバ１は、上部カバー1aと、外
カップ1bと、内カップ1cとから構成されており、これら
は、図示しない昇降機構により、相対的に上下動可能に
構成されている。
アルミニウムあるいはステンレス等から円筒状に形成さ
れ、内部を気密に保持可能に構成されたチャンバ１が設
けられている。このチャンバ１は、上部カバー1aと、外
カップ1bと、内カップ1cとから構成されており、これら
は、図示しない昇降機構により、相対的に上下動可能に
構成されている。
第１図に示す状態は、これらを互いに当接させて内部
を気密に保持し、レジスト液の塗布処理を実施可能な状
態を示している。
を気密に保持し、レジスト液の塗布処理を実施可能な状
態を示している。
また、第２図は、第１図に示す状態から、さらに外カ
ップ1bと内カップ1cとを近接させて、これらを嵌合さ
せ、外カップ1bと、内カップ1cとの間に、所望の液体を
貯留可能な液溜め1dが形成された状態を示す。この状態
では、外カップ1bに接続された液体導入配管２から所望
の液体例えば溶媒Ｓを液溜め1dへ導入することにより、
チャンバ１内をこの溶媒ガスを含む雰囲気とすることが
できる。第１図においても、同様に外カップ1dより溶媒
５を導入し、カップ壁面の溶媒付着状態を一定にしてお
くことも可能である。
ップ1bと内カップ1cとを近接させて、これらを嵌合さ
せ、外カップ1bと、内カップ1cとの間に、所望の液体を
貯留可能な液溜め1dが形成された状態を示す。この状態
では、外カップ1bに接続された液体導入配管２から所望
の液体例えば溶媒Ｓを液溜め1dへ導入することにより、
チャンバ１内をこの溶媒ガスを含む雰囲気とすることが
できる。第１図においても、同様に外カップ1dより溶媒
５を導入し、カップ壁面の溶媒付着状態を一定にしてお
くことも可能である。
なお、上記第１図および第２図に示す状態から、外カ
ップ1dに対して上部カバー1aが上昇するようこれらを相
対的に上下に移動すると、これらの間に半導体ウエハ３
をロード・アンロードするための空隙が形成される。
ップ1dに対して上部カバー1aが上昇するようこれらを相
対的に上下に移動すると、これらの間に半導体ウエハ３
をロード・アンロードするための空隙が形成される。
また、第２図に示す状態から、外カップ1bに対して内
カップ1cが下降するようこれらを相対的に上下に移動
し、第１図に示す状態とすると、液溜め1d内の溶媒Ｓが
内カップ１内に流れ落ち、ここから図示しないドレイン
配管により導出されてチャンバ１外に排出されるよう構
成されている。
カップ1cが下降するようこれらを相対的に上下に移動
し、第１図に示す状態とすると、液溜め1d内の溶媒Ｓが
内カップ１内に流れ落ち、ここから図示しないドレイン
配管により導出されてチャンバ１外に排出されるよう構
成されている。
上記チャンバ１内には、半導体ウエハ３を例えば真空
チャック等により吸着保持して高速回転可能に構成され
たスピンチャックが設けられている。また、スピンチャ
ック４の中央部上方には、図示しないレジスト収容容器
に接続されたレジスト供給ノズル５が設けられており、
例えば高圧窒素等のガス圧でレジスト収容容器内のレジ
スト液を送り、レジスト供給ノズル５からスピンチャッ
ク４上に保持された半導体ウエハ３に供給するよう構成
されている。さらに、スピンチャック４とチャンバ１
（内カップ1c）との間には、これらの間を気密に閉塞
し、さらにスピチャック４の上下動を可能にするための
機構として例えば蛇腹機構６が設けられている。
チャック等により吸着保持して高速回転可能に構成され
たスピンチャックが設けられている。また、スピンチャ
ック４の中央部上方には、図示しないレジスト収容容器
に接続されたレジスト供給ノズル５が設けられており、
例えば高圧窒素等のガス圧でレジスト収容容器内のレジ
スト液を送り、レジスト供給ノズル５からスピンチャッ
ク４上に保持された半導体ウエハ３に供給するよう構成
されている。さらに、スピンチャック４とチャンバ１
（内カップ1c）との間には、これらの間を気密に閉塞
し、さらにスピチャック４の上下動を可能にするための
機構として例えば蛇腹機構６が設けられている。
また、上記チャンバ１内のスピンチャック４上方に
は、半導体ウエハ３の回転によって生じるチャンバ１内
の気流を調整し、レジスト膜厚の面内均一性向上させる
ための気流調整板７が設けられている。この気流調整板
７は、例えばアルミニウムあるいはステンレス等からな
り、形状は例えば三角形状に形成されている。
は、半導体ウエハ３の回転によって生じるチャンバ１内
の気流を調整し、レジスト膜厚の面内均一性向上させる
ための気流調整板７が設けられている。この気流調整板
７は、例えばアルミニウムあるいはステンレス等からな
り、形状は例えば三角形状に形成されている。
この実施例の場合、６インチ径の半導体ウエハ３にレ
ジスト塗布可能な如く、チャンバ１の内径（第２図に符
号Ｄで示す）が例えばほぼ160mmとされており、塗布中
における半導体ウエハ３表面からチャンバ１天井部まで
の高さ（第２図に符号Ｈで示す）がほぼ80mmとなるよう
設定されている。このため、上記気流調整板７の形成お
よび寸法は、チャンバ１の形状および寸法に合せて設定
されている。この気流調整板７は、第３図に示すように
複数例えば三角形状の板が気流に対して直行する如く４
枚配置されている。
ジスト塗布可能な如く、チャンバ１の内径（第２図に符
号Ｄで示す）が例えばほぼ160mmとされており、塗布中
における半導体ウエハ３表面からチャンバ１天井部まで
の高さ（第２図に符号Ｈで示す）がほぼ80mmとなるよう
設定されている。このため、上記気流調整板７の形成お
よび寸法は、チャンバ１の形状および寸法に合せて設定
されている。この気流調整板７は、第３図に示すように
複数例えば三角形状の板が気流に対して直行する如く４
枚配置されている。
なお、本実施例では、チャンバ１内に三角形状の気流
調整板７を、半導体ウエハ３表面に対してほぼ垂直にな
るよう４枚設けたが、気流調整板７の形状、寸法、枚
数、配置位置、配置角度等は変更可能であり、また、塗
布条件、例えば、半導体ウエハ３の回転数、回転時間、
レジスト液の種類等の条件との組合せによって、成膜状
態は変化するので、これらを最適に選択することによ
り、よりレジスト膜厚の面内均一性を向上させることが
できる。
調整板７を、半導体ウエハ３表面に対してほぼ垂直にな
るよう４枚設けたが、気流調整板７の形状、寸法、枚
数、配置位置、配置角度等は変更可能であり、また、塗
布条件、例えば、半導体ウエハ３の回転数、回転時間、
レジスト液の種類等の条件との組合せによって、成膜状
態は変化するので、これらを最適に選択することによ
り、よりレジスト膜厚の面内均一性を向上させることが
できる。
さらに、本実施例のコーティング装置では、チャンバ
１内の半導体ウエハ３の周囲に、上方から下方へ向けて
所定気体の気流を形成する機構として、気体供給配管８
と、この気体供給配管８が接続され上部カバー1aの底部
に沿って環状に形成された気体取入口９と、内カップ1c
底部に接続された排気配管10とが設けられている。
１内の半導体ウエハ３の周囲に、上方から下方へ向けて
所定気体の気流を形成する機構として、気体供給配管８
と、この気体供給配管８が接続され上部カバー1aの底部
に沿って環状に形成された気体取入口９と、内カップ1c
底部に接続された排気配管10とが設けられている。
上記気体供給配管８は、所望の気体例えば所定溶媒ガ
スを含む空気を供給可能に構成された図示しない気体供
給源に接続されており、排気配管10から排気を行うこと
により、第１図に矢印で示すような半導体ウエハ３の周
囲をカップ1bの内壁面に沿って上方から下方に向かう気
流を形成可能な如く構成されている。
スを含む空気を供給可能に構成された図示しない気体供
給源に接続されており、排気配管10から排気を行うこと
により、第１図に矢印で示すような半導体ウエハ３の周
囲をカップ1bの内壁面に沿って上方から下方に向かう気
流を形成可能な如く構成されている。
なお、スピンチャック４には、駆動用モータの熱等が
半導体ウエハ３に伝わらないようにして、半導体ウエハ
３を所定温度に保つ図示しない温度調節機構が設けられ
ており、レジスト液供給系にも、レジスト液の温度を調
節するための図示しない温度調節機構が設けられてい
る。
半導体ウエハ３に伝わらないようにして、半導体ウエハ
３を所定温度に保つ図示しない温度調節機構が設けられ
ており、レジスト液供給系にも、レジスト液の温度を調
節するための図示しない温度調節機構が設けられてい
る。
上記構成のこの実施例のコーティング装置では、前述
した如く、第１図に示す状態から、外カップ1bに対して
上部カバー1aが上昇するようこれらを相対的に上下に移
動し、これらの間に半導体ウエハ３をロード・アンロー
ドするための空隙を形成する。そして、ここから、自動
搬送装置等によりチャンバ１内のスピンチャック４上に
半導体ウエハ３をロードする。
した如く、第１図に示す状態から、外カップ1bに対して
上部カバー1aが上昇するようこれらを相対的に上下に移
動し、これらの間に半導体ウエハ３をロード・アンロー
ドするための空隙を形成する。そして、ここから、自動
搬送装置等によりチャンバ１内のスピンチャック４上に
半導体ウエハ３をロードする。
次に、上記空隙を閉として、チャンバ１内を気密状態
とし、レジスト供給ノズル５から、所定量のレジスト液
を半導体ウエハ３のほぼ中央部に滴下する。
とし、レジスト供給ノズル５から、所定量のレジスト液
を半導体ウエハ３のほぼ中央部に滴下する。
この後、スピンチャック４によって半導体ウエハ３を
所定の回転数で所定時間、例えば回転数2000rpmで30秒
回転させるとともに、気体供給配管８から気体例えば所
定溶媒ガスを含む空気を供給し、排気配管10から排気か
ら行うことにより、半導体ウエハ３の周囲でカップ1bの
内壁面に沿って上方から下方に向かう気流を形成する。
所定の回転数で所定時間、例えば回転数2000rpmで30秒
回転させるとともに、気体供給配管８から気体例えば所
定溶媒ガスを含む空気を供給し、排気配管10から排気か
ら行うことにより、半導体ウエハ３の周囲でカップ1bの
内壁面に沿って上方から下方に向かう気流を形成する。
このようにして、遠心力によりレジスト液を半導体ウ
エハ３のほぼ全面に均一に塗布するとともに、チャンバ
１内に形成した気流により、チャンバ壁に衝突して跳ね
返ったレジスト液や、ミスト状になったレジスト液をチ
ャンバ１外に排出し、半導体ウエハ３に付着することを
防止する。また、チャンバ１内の所定溶媒ガスを含む雰
囲気下でレジスト塗布を実施するので、解放雰囲気下で
塗布する場合に較べて低速回転で塗布を実施することが
でき、例えば大口径ウエハや、段差付きウエハ等へのフ
ォトレジスト塗布に好適であり、特に段差付きウエハに
塗布した場合には、対称に塗布できる。
エハ３のほぼ全面に均一に塗布するとともに、チャンバ
１内に形成した気流により、チャンバ壁に衝突して跳ね
返ったレジスト液や、ミスト状になったレジスト液をチ
ャンバ１外に排出し、半導体ウエハ３に付着することを
防止する。また、チャンバ１内の所定溶媒ガスを含む雰
囲気下でレジスト塗布を実施するので、解放雰囲気下で
塗布する場合に較べて低速回転で塗布を実施することが
でき、例えば大口径ウエハや、段差付きウエハ等へのフ
ォトレジスト塗布に好適であり、特に段差付きウエハに
塗布した場合には、対称に塗布できる。
なお、レジスト液の種類等の塗布条件により、気体供
給配管８から供給する気体は、通常の空気等としても良
い。また、レジスト液の跳ね返り等が生じない場合は、
チャンバ１を第２図に示す状態とし、液体導入配管２か
ら溶媒Ｓを液溜め1dへ導入することにより、チャンバ１
内をこの溶媒ガスを含む雰囲気として良い。上記実施例
ではレジスト液の塗布について説明したが、スピンコー
ティングであれば、現像液、疎水液、磁性材料液の塗布
などいずれにも適用できる。
給配管８から供給する気体は、通常の空気等としても良
い。また、レジスト液の跳ね返り等が生じない場合は、
チャンバ１を第２図に示す状態とし、液体導入配管２か
ら溶媒Ｓを液溜め1dへ導入することにより、チャンバ１
内をこの溶媒ガスを含む雰囲気として良い。上記実施例
ではレジスト液の塗布について説明したが、スピンコー
ティングであれば、現像液、疎水液、磁性材料液の塗布
などいずれにも適用できる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の液処理装置及び液処理
方法によれば、チャンバ壁に衝突して跳ね返った塗布液
や、ミスト状になった塗布液が被処理基板に付着するこ
とを防止することができる。
方法によれば、チャンバ壁に衝突して跳ね返った塗布液
や、ミスト状になった塗布液が被処理基板に付着するこ
とを防止することができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例のコーティング
装置の構成を示す図、第３図は第１図のコーティング装
置の横断面を示す図である。 １……チャンバ、２……液体導入配管、３……半導体ウ
エハ、４……スピンチャック、５……フォトレジスト供
給ノズル、６……蛇腹機構、７……気流調整板、８……
気体供給配管、９……気体取入口、10……排気配管。
装置の構成を示す図、第３図は第１図のコーティング装
置の横断面を示す図である。 １……チャンバ、２……液体導入配管、３……半導体ウ
エハ、４……スピンチャック、５……フォトレジスト供
給ノズル、６……蛇腹機構、７……気流調整板、８……
気体供給配管、９……気体取入口、10……排気配管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−229169（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−86520（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−175615（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−72373（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−227162（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−96316（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B05C 7/00 - 21/00 B05D 1/40 G03F 7/16
Claims (5)
- 【請求項１】被処理基板を保持して回転させる回転台
と、 前記回転台および前記被処理基板を収容するチャンバ
と、 前記回転台の上方から前記被処理基板に処理液を供給す
るノズルと、 前記チャンバの前記被処理基板の下方位置から排気する
排気路と、 前記回転台に保持された被処理基板の外周方向位置に設
けられ、前記排気路に向けて気体を供給する気体供給機
構 を具備したことを特徴とする液処理装置。 - 【請求項２】請求項１記載の液処理装置において、 前記チャンバが内部を気密に閉塞可能とされたことを特
徴とする液処理装置。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の液処理装置におい
て、 前記気体供給機構は、当該気体供給機構から前記排気路
に向けて前記チャンバ内壁面に沿った気流を形成するこ
とを特徴とする液処理装置。 - 【請求項４】搬入・搬出口からチャンバ内に被処理基板
を搬入し、この被処理基板を回転台に載置する工程と、 前記チャンバの前記搬入・搬出口を閉じる工程と、 前記被処理基板に処理液を供給する工程と、 前記被処理基板の外周方向位置から下方へ向けて前記チ
ャンバ内に気体を流入させつつ前記被処理基板を回転さ
せる工程と を具備したことを特徴とする液処理方法。 - 【請求項５】請求項４記載の液処理方法において、 前記チャンバの内部を気密に閉塞した状態で前記被処理
基板を回転させることを特徴とする液処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2272687A JP2811365B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 液処理装置及び液処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2272687A JP2811365B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 液処理装置及び液処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04150972A JPH04150972A (ja) | 1992-05-25 |
| JP2811365B2 true JP2811365B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=17517398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2272687A Expired - Fee Related JP2811365B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 液処理装置及び液処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2811365B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6027465B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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| JPS63229169A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPH03175615A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Hitachi Ltd | スピン塗布装置 |
-
1990
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