JP2878043B2 - マイクロ波パッケージ - Google Patents
マイクロ波パッケージInfo
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- JP2878043B2 JP2878043B2 JP4281059A JP28105992A JP2878043B2 JP 2878043 B2 JP2878043 B2 JP 2878043B2 JP 4281059 A JP4281059 A JP 4281059A JP 28105992 A JP28105992 A JP 28105992A JP 2878043 B2 JP2878043 B2 JP 2878043B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーダ等のマイクロ
波モジュールに用いられるマイクロ波パッケージに関す
るものである。
波モジュールに用いられるマイクロ波パッケージに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図１５は例えば「アスペクツ オブ モ
ダーン レーダ（ASPECTS OF MODERNRADAR）」（Eli Br
ookner著、Artech House社出版 1988年刊行）に示され
た従来のマイクロ波パッケージの構造を示す図であり、
図（ａ）〜（ｃ）において、１はベースメタル、２，
２，…の各々はセラミック基板でありベースメタル１の
上面に積層され、蝋付け等により固定されている。
ダーン レーダ（ASPECTS OF MODERNRADAR）」（Eli Br
ookner著、Artech House社出版 1988年刊行）に示され
た従来のマイクロ波パッケージの構造を示す図であり、
図（ａ）〜（ｃ）において、１はベースメタル、２，
２，…の各々はセラミック基板でありベースメタル１の
上面に積層され、蝋付け等により固定されている。
【０００３】３はキャビティ部、５は送信高電力増幅器
（送信回路）、６は受信低雑音増幅器（受信回路）、７
ａ，７ｂの各々は送受信切換回路である。送信高電力増
幅器５、受信低雑音増幅器６および送受信切換回路７
ａ，７ｂの各々はベースメタル１の上面に実装されてい
る。
（送信回路）、６は受信低雑音増幅器（受信回路）、７
ａ，７ｂの各々は送受信切換回路である。送信高電力増
幅器５、受信低雑音増幅器６および送受信切換回路７
ａ，７ｂの各々はベースメタル１の上面に実装されてい
る。
【０００４】８ａ，８ｂの各々はマイクロ波端子であ
り、図示のようにセラミック基板２の幅方向の両端部に
設けられている。マイクロ波端子８ａは送受信切換回路
７ａとワイヤボンディング等で接続されており、マイク
ロ波端子８ｂは送受信切換回路７ｂとワイヤボンディン
グ等で接続されている。
り、図示のようにセラミック基板２の幅方向の両端部に
設けられている。マイクロ波端子８ａは送受信切換回路
７ａとワイヤボンディング等で接続されており、マイク
ロ波端子８ｂは送受信切換回路７ｂとワイヤボンディン
グ等で接続されている。
【０００５】９ａ〜９ｆの各々は電源及び制御信号外部
端子であり、セラミック基板２の長さ方向の周縁部の略
中央に設けられている。１０ａ〜１０ｆの各々は電源・
制御信号内部端子であり、キャビティ部３に設けられ、
上記電源・制御信号外部端子９ａ〜９ｆのキャビティ側
の端と接続されている。電源・制御信号内部端子１０
ａ，１０ｂは受信低雑音増幅回路６とワイヤボンディン
グ等で接続されており、電源・制御信号内部端子１０ｃ
は送受信切換回路７ｂとワイヤボンディング等で接続さ
れている。また、電源・制御信号内部端子１０ｄ，１０
ｅは送信電力増幅回路５とワイヤボンディング等で接続
されており、電源・制御信号内部端子１０ｆは送受信切
換回路７ａとワイヤボンディング等で接続されている。
１１はキャビティ側壁、１３ａ，１３ｂの各々はマイク
ロストリップ線路、１４はカバーである。
端子であり、セラミック基板２の長さ方向の周縁部の略
中央に設けられている。１０ａ〜１０ｆの各々は電源・
制御信号内部端子であり、キャビティ部３に設けられ、
上記電源・制御信号外部端子９ａ〜９ｆのキャビティ側
の端と接続されている。電源・制御信号内部端子１０
ａ，１０ｂは受信低雑音増幅回路６とワイヤボンディン
グ等で接続されており、電源・制御信号内部端子１０ｃ
は送受信切換回路７ｂとワイヤボンディング等で接続さ
れている。また、電源・制御信号内部端子１０ｄ，１０
ｅは送信電力増幅回路５とワイヤボンディング等で接続
されており、電源・制御信号内部端子１０ｆは送受信切
換回路７ａとワイヤボンディング等で接続されている。
１１はキャビティ側壁、１３ａ，１３ｂの各々はマイク
ロストリップ線路、１４はカバーである。
【０００６】次に動作について説明する。送信状態で
は、マイクロ波端子８ｂに供給された送信マイクロ波信
号が送受信切換回路７ｂの送受信の切り換えにより、マ
イクロストリップ線路１３ｂを通り、送信高電力増幅回
路５に入る。ここで高電力増幅された後、送受信切換回
路７ａの送受信の切り換えにより、マイクロ波端子８ａ
から出力される。
は、マイクロ波端子８ｂに供給された送信マイクロ波信
号が送受信切換回路７ｂの送受信の切り換えにより、マ
イクロストリップ線路１３ｂを通り、送信高電力増幅回
路５に入る。ここで高電力増幅された後、送受信切換回
路７ａの送受信の切り換えにより、マイクロ波端子８ａ
から出力される。
【０００７】一方、受信状態では、マイクロ波端子８ａ
に供給された受信マイクロ波信号が送受信切換回路７ａ
の送受信の切り換えにより、マイクロストリップ線路１
３ａを通り、受信低雑音増幅回路６に入る。ここで低雑
音増幅された後、送受信切換回路７ｂの切り換えによ
り、マイクロ波端子８ｂから出力される。
に供給された受信マイクロ波信号が送受信切換回路７ａ
の送受信の切り換えにより、マイクロストリップ線路１
３ａを通り、受信低雑音増幅回路６に入る。ここで低雑
音増幅された後、送受信切換回路７ｂの切り換えによ
り、マイクロ波端子８ｂから出力される。
【０００８】電源及び制御信号外部端子９ａ〜９ｆに供
給される電源および制御信号は、電源及び制御信号内部
端子１０ａ〜１０ｆを介して送信高電力増幅回路５、受
信低雑音増幅回路６および送受信切換回路７に入力され
る。
給される電源および制御信号は、電源及び制御信号内部
端子１０ａ〜１０ｆを介して送信高電力増幅回路５、受
信低雑音増幅回路６および送受信切換回路７に入力され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波パッ
ケージは以上のように構成されているので、送信系の回
路と受信系の回路との間の干渉によるマイクロ波特性の
劣化が生じ、また、導波管モードによる共振のために最
高使用周波数に制限があるという問題点があった。
ケージは以上のように構成されているので、送信系の回
路と受信系の回路との間の干渉によるマイクロ波特性の
劣化が生じ、また、導波管モードによる共振のために最
高使用周波数に制限があるという問題点があった。
【００１０】また、図１５に示すように幅方向の寸法Ｌ
が大きく、また、部品配置上の制限およびパッケージの
構造上、電源及び制御信号を幅方向から加える必要があ
るので、多数のパッケージをその幅方向に配置して使用
する場合に占有する面積が広くなるという問題点もあっ
た。
が大きく、また、部品配置上の制限およびパッケージの
構造上、電源及び制御信号を幅方向から加える必要があ
るので、多数のパッケージをその幅方向に配置して使用
する場合に占有する面積が広くなるという問題点もあっ
た。
【００１１】また、特に説明はしていないが、従来のマ
イクロ波パッケージでは、そのマイクロ波端子が設けら
れる入出力部においてベースメタル１上のセラミック基
板２の間に形成されたマイクロ波信号用のグランドパタ
ーン（図示略）が高周波的にはベースメタル１から浮い
た状態にあるので、入出力部にてインピーダンスのミス
マッチが生じて反射が大きくなるという問題点があっ
た。
イクロ波パッケージでは、そのマイクロ波端子が設けら
れる入出力部においてベースメタル１上のセラミック基
板２の間に形成されたマイクロ波信号用のグランドパタ
ーン（図示略）が高周波的にはベースメタル１から浮い
た状態にあるので、入出力部にてインピーダンスのミス
マッチが生じて反射が大きくなるという問題点があっ
た。
【００１２】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、広帯域に亘って良好なマイクロ
波特性が得られるとともに、複数個配置する場合に占有
面積を最小限にすることができるマイクロ波パッケージ
を提供することを目的とする。
ためになされたもので、広帯域に亘って良好なマイクロ
波特性が得られるとともに、複数個配置する場合に占有
面積を最小限にすることができるマイクロ波パッケージ
を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
るマイクロ波パッケージは、回路を少なくとも送信回路
と受信回路の二つに分けて、これらを第１、第２のキャ
ビティ部に実装させ、また、キャビティ側壁の内部にパ
ターン形成した第１、第２のグランドパターンの間を第
１、第２のキャビティ部の各々の周囲に沿って導通させ
る複数のスルーホールを設けたものである。この場合、
各スルーホールの間隔はマイクロ波の使用周波数の波長
距離の１／８以下にする。
るマイクロ波パッケージは、回路を少なくとも送信回路
と受信回路の二つに分けて、これらを第１、第２のキャ
ビティ部に実装させ、また、キャビティ側壁の内部にパ
ターン形成した第１、第２のグランドパターンの間を第
１、第２のキャビティ部の各々の周囲に沿って導通させ
る複数のスルーホールを設けたものである。この場合、
各スルーホールの間隔はマイクロ波の使用周波数の波長
距離の１／８以下にする。
【００１４】請求項２記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、トリプレート線路の両側に沿ってマイクロ波
の使用周波数の波長距離の１／８以下の間隔で、第１、
第２のグランドパターンを導通させる複数のスルーホー
ルを設けたものである。
ケージは、トリプレート線路の両側に沿ってマイクロ波
の使用周波数の波長距離の１／８以下の間隔で、第１、
第２のグランドパターンを導通させる複数のスルーホー
ルを設けたものである。
【００１５】請求項３記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、第１、第２のキャビティ部の各々の内部に第
１のグランドパターンと第２のグランドパターンとを貫
通させる溝部を設けるとともに、この溝部の第１、第２
のキャビティ部が互いに対向する側の部分、および、第
１、第２のグランドパターンの間の絶縁性基板に形成さ
れるトリプレート線路と対向する側の部分に側面メタラ
イズを施し、さらに、ベースメタルおよび各絶縁性基板
の外周部の側面に側面メタライズを施したものである。
ケージは、第１、第２のキャビティ部の各々の内部に第
１のグランドパターンと第２のグランドパターンとを貫
通させる溝部を設けるとともに、この溝部の第１、第２
のキャビティ部が互いに対向する側の部分、および、第
１、第２のグランドパターンの間の絶縁性基板に形成さ
れるトリプレート線路と対向する側の部分に側面メタラ
イズを施し、さらに、ベースメタルおよび各絶縁性基板
の外周部の側面に側面メタライズを施したものである。
【００１６】請求項４記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、第１、第２のキャビティ部の各々の寸法を使
用周波数の波長に対して１／２以下にしたものである。
ケージは、第１、第２のキャビティ部の各々の寸法を使
用周波数の波長に対して１／２以下にしたものである。
【００１７】請求項５記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、第１、第２のキャビティ部を長さ方向にずら
して配置するようにしたものである。
ケージは、第１、第２のキャビティ部を長さ方向にずら
して配置するようにしたものである。
【００１８】請求項６記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、送信回路および受信回路の各々に対し、電源
及び制御信号を供給するための電源・制御信号外部端子
と、送信回路および受信回路に対してマイクロ波信号の
入出力を行うためのマイクロ波端子とをマイクロ波パッ
ケージ本体の長さ方向の一方の端部の同一面上に設ける
ようにしたものである。
ケージは、送信回路および受信回路の各々に対し、電源
及び制御信号を供給するための電源・制御信号外部端子
と、送信回路および受信回路に対してマイクロ波信号の
入出力を行うためのマイクロ波端子とをマイクロ波パッ
ケージ本体の長さ方向の一方の端部の同一面上に設ける
ようにしたものである。
【００１９】請求項７記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとを側面メタ
ライズパターンで導通をとったものである。
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとを側面メタ
ライズパターンで導通をとったものである。
【００２０】請求項８記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとを側面スル
ーホールで導通をとったものである。
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとを側面スル
ーホールで導通をとったものである。
【００２１】請求項９記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとをビアホー
ルで導通をとったものである。
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとをビアホー
ルで導通をとったものである。
【００２２】
【作用】請求項１記載の発明におけるマイクロ波パッケ
ージは、少なくとも第１、第２のキャビティ部によって
送信回路と受信回路とに分けるとともに、第１、第２の
キャビティ部の各々周囲に沿って複数のスルーホールを
形成して第１、第２のグランドパターンを導通させるの
で、送信回路と受信回路との間の干渉が抑制される。
ージは、少なくとも第１、第２のキャビティ部によって
送信回路と受信回路とに分けるとともに、第１、第２の
キャビティ部の各々周囲に沿って複数のスルーホールを
形成して第１、第２のグランドパターンを導通させるの
で、送信回路と受信回路との間の干渉が抑制される。
【００２３】請求項２記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、トリプレート線路の両側に沿って複数のス
ルーホールを形成して第１、第２のグランドパターンを
導通させるので、トリプレート線路がシールドされる。
ッケージは、トリプレート線路の両側に沿って複数のス
ルーホールを形成して第１、第２のグランドパターンを
導通させるので、トリプレート線路がシールドされる。
【００２４】請求項３記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、少なくとも第１、第２のキャビティ部によ
って送信回路と受信回路とに分けるとともに、第１、第
２のキャビティ部の各々の内部に形成した第１のグラン
ドパターンと第２のグランドパターンとを貫通させる溝
部と、この溝部の第１、第２のキャビティ部が互いに対
向する側の部分、および、第１、第２のグランドパター
ンの間の絶縁性基板に形成されるトリプレート線路と対
向する側の部分に側面メタライズを施し、さらに、ベー
スメタルおよび各絶縁性基板の外周部の側面に側面メタ
ライズを施すので、送信回路と受信回路との間の干渉が
抑制される。
ッケージは、少なくとも第１、第２のキャビティ部によ
って送信回路と受信回路とに分けるとともに、第１、第
２のキャビティ部の各々の内部に形成した第１のグラン
ドパターンと第２のグランドパターンとを貫通させる溝
部と、この溝部の第１、第２のキャビティ部が互いに対
向する側の部分、および、第１、第２のグランドパター
ンの間の絶縁性基板に形成されるトリプレート線路と対
向する側の部分に側面メタライズを施し、さらに、ベー
スメタルおよび各絶縁性基板の外周部の側面に側面メタ
ライズを施すので、送信回路と受信回路との間の干渉が
抑制される。
【００２５】請求項４記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、第１、第２のキャビティ部の各々の寸法を
使用周波数の波長に対して１／２以下にするので、導波
管モードの遮断周波数が高くなり、最大使用周波数が高
まる。
ッケージは、第１、第２のキャビティ部の各々の寸法を
使用周波数の波長に対して１／２以下にするので、導波
管モードの遮断周波数が高くなり、最大使用周波数が高
まる。
【００２６】請求項５記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、第１、第２のキャビティ部をマイクロ波パ
ッケージ本体の長さ方向にずらして配置するので、マイ
クロ波パッケージの幅方向の寸法を短くできる。
ッケージは、第１、第２のキャビティ部をマイクロ波パ
ッケージ本体の長さ方向にずらして配置するので、マイ
クロ波パッケージの幅方向の寸法を短くできる。
【００２７】請求項６記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、電源・制御信号外部端子と、マイクロ波端
子とをマイクロ波パッケージ本体の長さ方向の一方の端
部の同一面上に設けるので、複数個のマイクロ波パッケ
ージを効率良く並べることができる。
ッケージは、電源・制御信号外部端子と、マイクロ波端
子とをマイクロ波パッケージ本体の長さ方向の一方の端
部の同一面上に設けるので、複数個のマイクロ波パッケ
ージを効率良く並べることができる。
【００２８】請求項７記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、側面メタライズパターンによりマイクロ波信号グ
ランドパターンとベースメタルとを接続するので、入出
力部におけるインピーダンスの整合が改善される。
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、側面メタライズパターンによりマイクロ波信号グ
ランドパターンとベースメタルとを接続するので、入出
力部におけるインピーダンスの整合が改善される。
【００２９】請求項８記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、側面スルーホールによりマイクロ波信号グランド
パターンとベースメタルとを接続するので、入出力部に
おけるインピーダンスの整合が改善される。
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、側面スルーホールによりマイクロ波信号グランド
パターンとベースメタルとを接続するので、入出力部に
おけるインピーダンスの整合が改善される。
【００３０】請求項９記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、ビアホールによりマイクロ波信号グランドパター
ンとベースメタルとを接続するので、入出力部における
インピーダンスの整合状態が改善される。
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、ビアホールによりマイクロ波信号グランドパター
ンとベースメタルとを接続するので、入出力部における
インピーダンスの整合状態が改善される。
【００３１】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１（ａ）〜（ｃ）において、２０は
ベースメタル、２１，２１，…の各々はセラミック基板
であり、ベースメタル２０の上面に積層され、蝋付け等
で接続されている。２２ａ，２２ｂの各々はキャビティ
部であり、それぞれ独立して構成されている。
ついて説明する。図１（ａ）〜（ｃ）において、２０は
ベースメタル、２１，２１，…の各々はセラミック基板
であり、ベースメタル２０の上面に積層され、蝋付け等
で接続されている。２２ａ，２２ｂの各々はキャビティ
部であり、それぞれ独立して構成されている。
【００３２】２３ａ，２３ｂの各々はキャビティ部２２
ａ，２２ｂの間を接続するトリプレート線路、５は送信
高電力増幅回路、６は受信低雑音増幅回路、７ａ，７ｂ
の各々は送受信切換回路である。８ａ，８ｂの各々はマ
イクロ波端子であり、マイクロ波端子８ａはセラミック
基板２１の図面左端部に設けられ、マイクロ波端子８ｂ
は同基板２１の図面右端部に設けられている。
ａ，２２ｂの間を接続するトリプレート線路、５は送信
高電力増幅回路、６は受信低雑音増幅回路、７ａ，７ｂ
の各々は送受信切換回路である。８ａ，８ｂの各々はマ
イクロ波端子であり、マイクロ波端子８ａはセラミック
基板２１の図面左端部に設けられ、マイクロ波端子８ｂ
は同基板２１の図面右端部に設けられている。
【００３３】２４ａ〜２４ｆの各々は電源・制御信号外
部端子であり、マイクロ波端子８ｂとともに図面右端部
に幅方向に並んで設けられている。２５ａ〜２５ｆの各
々は電源・制御信号内部端子であり、セラミック基板２
１の積層間に設けられた内部配線にて電源・制御外部端
子２４ａ〜２４ｆに接続されている。
部端子であり、マイクロ波端子８ｂとともに図面右端部
に幅方向に並んで設けられている。２５ａ〜２５ｆの各
々は電源・制御信号内部端子であり、セラミック基板２
１の積層間に設けられた内部配線にて電源・制御外部端
子２４ａ〜２４ｆに接続されている。
【００３４】２６はキャビティ部２２ａ，２２ｂを構成
するキャビティ側壁である。このキャビティ側壁２６
は、図２に示すように積層したセラミック基板２１にて
形成されており、その積層間にトリプレート線路２３
ａ，２３ｂがパターン形成されている。２７，２７，…
の各々はキャビティ側壁２６の内部においてキャビティ
部２２ａ，２２ｂの外周とトリプレート線路２３ａ，２
３ｂの両側に形成されたスルーホールである。
するキャビティ側壁である。このキャビティ側壁２６
は、図２に示すように積層したセラミック基板２１にて
形成されており、その積層間にトリプレート線路２３
ａ，２３ｂがパターン形成されている。２７，２７，…
の各々はキャビティ側壁２６の内部においてキャビティ
部２２ａ，２２ｂの外周とトリプレート線路２３ａ，２
３ｂの両側に形成されたスルーホールである。
【００３５】ここで、図３はスルーホール２７が形成さ
れた部分を示す断面図であり、トリプレート線路２３ａ
（または２３ｂ）を挟んでセラミック基板２１，２１に
形成されたグランドパターンＧｐ1 ，Ｇｐ2 がスルーホ
ール２７によって短絡されている。
れた部分を示す断面図であり、トリプレート線路２３ａ
（または２３ｂ）を挟んでセラミック基板２１，２１に
形成されたグランドパターンＧｐ1 ，Ｇｐ2 がスルーホ
ール２７によって短絡されている。
【００３６】これらスルーホール２７，２７，…によっ
て上下のグランドパターンＧｐ1 ，Ｇｐ2 を短絡させる
ことによりシールド構造が得られ、キャビティ部２２
ａ，２２ｂの間の干渉を抑制することができる。すなわ
ち、スルーホール２７，２７，…の間隔をマイクロ波の
使用周波数の波長に比べて十分に小さくすれば、マイク
ロ波的に連続した断面と見なせるので、シールドを施し
た状態になる。
て上下のグランドパターンＧｐ1 ，Ｇｐ2 を短絡させる
ことによりシールド構造が得られ、キャビティ部２２
ａ，２２ｂの間の干渉を抑制することができる。すなわ
ち、スルーホール２７，２７，…の間隔をマイクロ波の
使用周波数の波長に比べて十分に小さくすれば、マイク
ロ波的に連続した断面と見なせるので、シールドを施し
た状態になる。
【００３７】なお、スルーホール２７，２７，…の間隔
は使用周波数の波長の１／８程度であれば良く、また必
ずしも一定である必要もない。
は使用周波数の波長の１／８程度であれば良く、また必
ずしも一定である必要もない。
【００３８】図１に戻り、２８ａ，２８ｂの各々はマイ
クロストリップ線路であり、このうちマイクロストリッ
プ線路２８ａはトリプレート線路２３ａと受信低雑音増
幅回路６とを接続し、マイクロストリップ線路２８ｂは
トリプレート線路２３ｂと送信高電力増幅回路５とを接
続する。この場合、マイクロストリップ線路２８ａ（２
８ｂ）とトリプレート線路２３ａ（２３ｂ）は、図４に
示すようにセラミック基板２１の同一表面上に形成され
たパターンで構成される。
クロストリップ線路であり、このうちマイクロストリッ
プ線路２８ａはトリプレート線路２３ａと受信低雑音増
幅回路６とを接続し、マイクロストリップ線路２８ｂは
トリプレート線路２３ｂと送信高電力増幅回路５とを接
続する。この場合、マイクロストリップ線路２８ａ（２
８ｂ）とトリプレート線路２３ａ（２３ｂ）は、図４に
示すようにセラミック基板２１の同一表面上に形成され
たパターンで構成される。
【００３９】２９はキャビティ部２２ａ，２２ｂを覆う
カバーである。なお、このカバー２９は図１（ｃ）の断
面図にのみ描かれている。
カバーである。なお、このカバー２９は図１（ｃ）の断
面図にのみ描かれている。
【００４０】本マイクロ波パッケージは、キャビティ側
壁２６、トリプレート線路２３ａ，２３ｂ、マイクロ波
端子８ａ，８ｂ、電源・制御信号外部端子２４ａ〜２４
ｆ、電源・制御信号内部端子２５ａ〜２５ｆ、マイクロ
ストリップ線路２８ａ，２８ｂおよびスルーホール２
７，２７，…を、複数のセラミック基板２１，２１，…
と、これらの内層及び表面層に構成するメタライズパタ
ーンにより一体形成したものである。
壁２６、トリプレート線路２３ａ，２３ｂ、マイクロ波
端子８ａ，８ｂ、電源・制御信号外部端子２４ａ〜２４
ｆ、電源・制御信号内部端子２５ａ〜２５ｆ、マイクロ
ストリップ線路２８ａ，２８ｂおよびスルーホール２
７，２７，…を、複数のセラミック基板２１，２１，…
と、これらの内層及び表面層に構成するメタライズパタ
ーンにより一体形成したものである。
【００４１】そして、独立したキャビティ部２２ａ，２
２ｂのうち、キャビティ部２２ａには送信高電力増幅回
路５および送受切換回路７ａを実装し、キャビティ部２
２ｂには受信低雑音増幅回路６および送受切換回路７ｂ
を実装している。
２ｂのうち、キャビティ部２２ａには送信高電力増幅回
路５および送受切換回路７ａを実装し、キャビティ部２
２ｂには受信低雑音増幅回路６および送受切換回路７ｂ
を実装している。
【００４２】また、キャビティ部２２ａに実装した送信
高電力増幅回路５および送受切換回路７ａと、電源・制
御信号内部端子２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ、マイクロ波端
子８ａおよびマイクロストリップ線路２８ｂとをワイヤ
ボンド等により接続し、同様にキャビティ部２２ｂに実
装した受信低雑音増幅回路６および送受切換回路７ｂ
と、電源・制御信号内部端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃ、
マイクロ波端子８ｂおよびマイクロストリップ線路２８
ａとをワイヤボンド等により接続している。
高電力増幅回路５および送受切換回路７ａと、電源・制
御信号内部端子２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ、マイクロ波端
子８ａおよびマイクロストリップ線路２８ｂとをワイヤ
ボンド等により接続し、同様にキャビティ部２２ｂに実
装した受信低雑音増幅回路６および送受切換回路７ｂ
と、電源・制御信号内部端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃ、
マイクロ波端子８ｂおよびマイクロストリップ線路２８
ａとをワイヤボンド等により接続している。
【００４３】また、電源・制御信号内部端子２５ａ〜２
５ｆをセラミック基板２１の内部配線を介して電源・制
御信号外部端子２４ａ〜２４ｆに接続している。一方、
キャビティ部２２ａ，２２ｂの幅方向の寸法Ｌを、最高
使用周波数に対して１／２波長以下になるように形成し
ている。この場合、キャビティ部の構造のモデルを図５
に示すようにした場合、導波管モードの遮断周波数（λ
ｇ）は、 λｇ＝２ａ の関係があるので、キャビティ部の幅ａを狭くすれば遮
断周波数λｇを高くすることができる。したがって、使
用最高周波数を高くとることが可能になる。
５ｆをセラミック基板２１の内部配線を介して電源・制
御信号外部端子２４ａ〜２４ｆに接続している。一方、
キャビティ部２２ａ，２２ｂの幅方向の寸法Ｌを、最高
使用周波数に対して１／２波長以下になるように形成し
ている。この場合、キャビティ部の構造のモデルを図５
に示すようにした場合、導波管モードの遮断周波数（λ
ｇ）は、 λｇ＝２ａ の関係があるので、キャビティ部の幅ａを狭くすれば遮
断周波数λｇを高くすることができる。したがって、使
用最高周波数を高くとることが可能になる。
【００４４】上記セラミック基板２１，２１，…は絶縁
性基板に対応する。また、上記送信高電力増幅回路５は
送信回路に対応し、上記受信低雑音増幅回路６は受信回
路に対応する。なお、送受信切換回路７ａ，７ｂもこれ
ら送信回路および受信回路に含ませても良い。また、上
記キャビティ部２２ａ，２２ｂは第１、第２のキャビテ
ィ部に対応する。また、上記グランドパターンＧｐ1 ，
Ｇｐ2 は第１、第２のグランドパターンに対応する。
性基板に対応する。また、上記送信高電力増幅回路５は
送信回路に対応し、上記受信低雑音増幅回路６は受信回
路に対応する。なお、送受信切換回路７ａ，７ｂもこれ
ら送信回路および受信回路に含ませても良い。また、上
記キャビティ部２２ａ，２２ｂは第１、第２のキャビテ
ィ部に対応する。また、上記グランドパターンＧｐ1 ，
Ｇｐ2 は第１、第２のグランドパターンに対応する。
【００４５】次に動作について説明する。図６は上記構
成のマイクロ波パッケージのブロック図であり、この図
は送信状態を示している。まず、送信高電力増幅回路５
に電源が供給され、次いで送受切換回路７ａ，７ｂに接
点の切り換えのための制御信号が供給される。これによ
り送受切換回路７ａ，７ｂの接点位置が図６に示すよう
になる。
成のマイクロ波パッケージのブロック図であり、この図
は送信状態を示している。まず、送信高電力増幅回路５
に電源が供給され、次いで送受切換回路７ａ，７ｂに接
点の切り換えのための制御信号が供給される。これによ
り送受切換回路７ａ，７ｂの接点位置が図６に示すよう
になる。
【００４６】これらの処理が行われた後、マイクロ波端
子８ｂに送信マイクロ波信号が供給され、キャビティ部
２２ｂに実装されている送受切換回路７ｂ、トリプレー
ト線路２３ｂ、キャビティ部２２ａ内のマイクロストリ
ップ線路２８ａを順次通過して送信高電力増幅回路５に
入力される。そして、ここで高電力増幅が行われた後、
送受切換回路７ａを通過し、マイクロ波端子８ａから出
力される。
子８ｂに送信マイクロ波信号が供給され、キャビティ部
２２ｂに実装されている送受切換回路７ｂ、トリプレー
ト線路２３ｂ、キャビティ部２２ａ内のマイクロストリ
ップ線路２８ａを順次通過して送信高電力増幅回路５に
入力される。そして、ここで高電力増幅が行われた後、
送受切換回路７ａを通過し、マイクロ波端子８ａから出
力される。
【００４７】次に、受信状態における動作について説明
する。まず、受信低雑音増幅回路６に電源が供給され、
次いで送受切換回路７ａ，７ｂに接点の切り換えのため
の制御信号が供給される。これにより送受切換回路７
ａ，７ｂの接点位置が図６に示す状態と逆の状態にな
る。
する。まず、受信低雑音増幅回路６に電源が供給され、
次いで送受切換回路７ａ，７ｂに接点の切り換えのため
の制御信号が供給される。これにより送受切換回路７
ａ，７ｂの接点位置が図６に示す状態と逆の状態にな
る。
【００４８】これらの処理が行われた後、マイクロ波端
子８ａに供給された受信マイクロ波信号がキャビティ部
２２ａに実装されている送受切換回路７ａ、トリプレー
ト線路２３ａ、マイクロストリップ線路２８ａを順次介
して受信低雑音増幅回路６に入力される。そして、ここ
で低雑音増幅が行われた後、送受切換回路７ｂを通過
し、マイクロ波端子８ｂから出力される。
子８ａに供給された受信マイクロ波信号がキャビティ部
２２ａに実装されている送受切換回路７ａ、トリプレー
ト線路２３ａ、マイクロストリップ線路２８ａを順次介
して受信低雑音増幅回路６に入力される。そして、ここ
で低雑音増幅が行われた後、送受切換回路７ｂを通過
し、マイクロ波端子８ｂから出力される。
【００４９】このようにこの実施例では、キャビティ部
２２ａ，２２ｂをそれぞれ独立させ、これらをマイクロ
波パッケージ本体の長さ方向にずらして配置し、また、
マイクロ波端子８ａ、８ｂおよび電源・制御信号外部端
子２４ａ〜２４ｆをマイクロ波パッケージ本体の長さ方
向の両端部の同一面上に設けた。また、キャビティ部２
２ａ，２２ｂの外周部のキャビティ側壁２６にマイクロ
波の使用周波数の波長に比べて十分に小さい間隔でスル
ーホール２７，２７，…を形成した。
２２ａ，２２ｂをそれぞれ独立させ、これらをマイクロ
波パッケージ本体の長さ方向にずらして配置し、また、
マイクロ波端子８ａ、８ｂおよび電源・制御信号外部端
子２４ａ〜２４ｆをマイクロ波パッケージ本体の長さ方
向の両端部の同一面上に設けた。また、キャビティ部２
２ａ，２２ｂの外周部のキャビティ側壁２６にマイクロ
波の使用周波数の波長に比べて十分に小さい間隔でスル
ーホール２７，２７，…を形成した。
【００５０】また、キャビティ側壁２６の内部にトリプ
レート線路２３ａ，２３ｂを内蔵し、これらの線路の両
側に沿ってマイクロ波の使用周波数の波長に比べて十分
に小さい間隔でスルーホール２７，２７，…を形成し
た。さらに、キャビティ部２２ａ，２２ｂの幅方向の寸
法Ｌをマイクロ波の使用周波数の波長に対して１／２以
下にして遮断周波数が高くなるようにした。
レート線路２３ａ，２３ｂを内蔵し、これらの線路の両
側に沿ってマイクロ波の使用周波数の波長に比べて十分
に小さい間隔でスルーホール２７，２７，…を形成し
た。さらに、キャビティ部２２ａ，２２ｂの幅方向の寸
法Ｌをマイクロ波の使用周波数の波長に対して１／２以
下にして遮断周波数が高くなるようにした。
【００５１】したがって、各回路間における干渉が少な
くなり、また、導波管モードによる共振周波数が高くな
り、高帯域に亘って良好なマイクロ波特性が得られる。
また、形状を細長くできるので、多数のパッケージをそ
の幅方向に配置して使用する場合の占有面積を最小限に
することができる。
くなり、また、導波管モードによる共振周波数が高くな
り、高帯域に亘って良好なマイクロ波特性が得られる。
また、形状を細長くできるので、多数のパッケージをそ
の幅方向に配置して使用する場合の占有面積を最小限に
することができる。
【００５２】実施例２．次に、図７はこの発明の他の実
施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。な
お、この図において前述した図１と共通する部分には同
一の符号を付してある。
施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。な
お、この図において前述した図１と共通する部分には同
一の符号を付してある。
【００５３】この実施例ではスルーホール２７の一部を
キャビティ部２２ａ，２２ｂの内部に沿って形成した溝
部３４ａ，３４ｂと、側面メタライズ３５ａ，３５ｂと
で置き換えたものであり、キャビティ部２２ａ，２２ｂ
の外周に沿って設けたスルーホール２７およびトリプレ
ート線路２３ａ，２３ｂの両側に設けたスルーホール２
７，２７，…と同様の効果を奏する。
キャビティ部２２ａ，２２ｂの内部に沿って形成した溝
部３４ａ，３４ｂと、側面メタライズ３５ａ，３５ｂと
で置き換えたものであり、キャビティ部２２ａ，２２ｂ
の外周に沿って設けたスルーホール２７およびトリプレ
ート線路２３ａ，２３ｂの両側に設けたスルーホール２
７，２７，…と同様の効果を奏する。
【００５４】溝部３４ａ（３４ｂ）は、図８に示すよう
にトリプレート線路２３ａ（２３ｂ）の上下のグランド
パターンＧｐ1 ，Ｇｐ2 の間を貫通させ、メタライズを
施したものである。この場合、グランドパターンＧｐ
1 ，Ｇｐ2 の間が短絡するようにメタライズを施してい
る。
にトリプレート線路２３ａ（２３ｂ）の上下のグランド
パターンＧｐ1 ，Ｇｐ2 の間を貫通させ、メタライズを
施したものである。この場合、グランドパターンＧｐ
1 ，Ｇｐ2 の間が短絡するようにメタライズを施してい
る。
【００５５】側面メタライズ３５ａ，３５ｂの各々は図
８に示すようにグランドパターンＧｐ1 ，Ｇｐ2 の間を
短絡させるものである。溝部３４ａ，３４ｂと側面メタ
ライズ３５ａ，３５ｂとを設けることでスルーホール２
７，２７，…を設けた場合と同様にシールド効果が得ら
れる。
８に示すようにグランドパターンＧｐ1 ，Ｇｐ2 の間を
短絡させるものである。溝部３４ａ，３４ｂと側面メタ
ライズ３５ａ，３５ｂとを設けることでスルーホール２
７，２７，…を設けた場合と同様にシールド効果が得ら
れる。
【００５６】実施例３．次に、図９はこの発明の他の実
施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。な
お、この実施例において前述した図１と共通する部分に
は同一の符号を付してある。
施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。な
お、この実施例において前述した図１と共通する部分に
は同一の符号を付してある。
【００５７】この実施例ではキャビティ部を更に独立さ
せたものであり、送信高電力増幅回路５に対してキャビ
ティ部２２ａを、受信低雑音増幅回路６に対してキャビ
ティ部２２ｂを、送受切換回路７ａに対してキャビティ
部２２ｃを、送受切換回路７ｂに対してキャビティ部３
ｄをそれぞれ設けた。
せたものであり、送信高電力増幅回路５に対してキャビ
ティ部２２ａを、受信低雑音増幅回路６に対してキャビ
ティ部２２ｂを、送受切換回路７ａに対してキャビティ
部２２ｃを、送受切換回路７ｂに対してキャビティ部３
ｄをそれぞれ設けた。
【００５８】各キャビティ部２２ａ〜２２ｄのそれぞれ
の間の干渉は、実施例１と同様にグランドパターンＧｐ
1 ，Ｇｐ2 の間をスルーホール２７，２７，…に短絡さ
せ、シールドすることで防止するようにしている。
の間の干渉は、実施例１と同様にグランドパターンＧｐ
1 ，Ｇｐ2 の間をスルーホール２７，２７，…に短絡さ
せ、シールドすることで防止するようにしている。
【００５９】実施例４．次に、図１０はこの発明の他の
実施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。こ
の実施例は、上記実施例１〜３のいずれかのマイクロパ
ッケージを２個用いて送受信モジュールを構成したもの
であり、２個のマイクロ波パッケージをモジュールケー
ス４０に実装し、各マイクロ波端子８ａをマイクロ波コ
ネクタ４１ａ，４１ｂに接続し、各マイクロ波端子８ｂ
を分配器４２に接続したものである。
実施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。こ
の実施例は、上記実施例１〜３のいずれかのマイクロパ
ッケージを２個用いて送受信モジュールを構成したもの
であり、２個のマイクロ波パッケージをモジュールケー
ス４０に実装し、各マイクロ波端子８ａをマイクロ波コ
ネクタ４１ａ，４１ｂに接続し、各マイクロ波端子８ｂ
を分配器４２に接続したものである。
【００６０】なお、図において４３は電源・制御信号コ
ネクタであり、各端子が分配器４２を介して各マイクロ
波パッケージの電源・制御信号外部端子２４ａ〜２４ｆ
に接続されている。
ネクタであり、各端子が分配器４２を介して各マイクロ
波パッケージの電源・制御信号外部端子２４ａ〜２４ｆ
に接続されている。
【００６１】実施例５．図１１はこの発明の他の実施例
によるマイクロ波パッケージの入出力部を示したもので
あり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はマイクロ波信
号グランド層のパターン図、同図（ｃ）は直流信号層の
パターン図である。なお、この図において前述した図１
と共通する部分には同一の符号を付してある。また、各
セラミック基板には図示のように上から２１ａ、２１
ｂ、２１ｃ、２１ｄと符号を付した。
によるマイクロ波パッケージの入出力部を示したもので
あり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はマイクロ波信
号グランド層のパターン図、同図（ｃ）は直流信号層の
パターン図である。なお、この図において前述した図１
と共通する部分には同一の符号を付してある。また、各
セラミック基板には図示のように上から２１ａ、２１
ｂ、２１ｃ、２１ｄと符号を付した。
【００６２】図において、５０ａ〜５０ｆの各々はビア
ホールであり、電源・制御信号外部端子２４ａ〜２４ｆ
の各々と、セラミック基板２１ｃ，２１ｄの間に形成さ
れた直流信号層５１の直流信号パターン５１ａ〜５１ｆ
（図（ｃ）参照）との間を接続する。５２はマイクロ波
信号グランド層であり、セラミック基板２１ｂ，２１ｃ
の間に形成されている。５２ａはマイクロ波信号グラン
ド層５２のマイクロ波信号グランドパターンを示すもの
である。５３は側面メタライズパターンであり、マイク
ロ波信号グランドパターン５２ａとグランドベースであ
るベースメタル２０との間の導通をとる。
ホールであり、電源・制御信号外部端子２４ａ〜２４ｆ
の各々と、セラミック基板２１ｃ，２１ｄの間に形成さ
れた直流信号層５１の直流信号パターン５１ａ〜５１ｆ
（図（ｃ）参照）との間を接続する。５２はマイクロ波
信号グランド層であり、セラミック基板２１ｂ，２１ｃ
の間に形成されている。５２ａはマイクロ波信号グラン
ド層５２のマイクロ波信号グランドパターンを示すもの
である。５３は側面メタライズパターンであり、マイク
ロ波信号グランドパターン５２ａとグランドベースであ
るベースメタル２０との間の導通をとる。
【００６３】ここで、側面メタライズパターン５３を設
けてマイクロ波信号グランドパターン５２ａとベースメ
タル２０との間の導通をとった理由について図１２を参
照しながら説明する。マイクロ波信号グランドパターン
５２ａとベースメタル２０が入出力部で導通されていな
ければ、マイクロ波端子８ｂから見た電界分布は図
（ａ）の矢印で示すような分布になる。このことはマイ
クロ波信号グランドパターン５２ａが高周波的にグラン
ドになっていないことを意味している。このため入出力
部においてインピーダンスが変化し、ミスマッチが生じ
て反射が大きくなる。
けてマイクロ波信号グランドパターン５２ａとベースメ
タル２０との間の導通をとった理由について図１２を参
照しながら説明する。マイクロ波信号グランドパターン
５２ａとベースメタル２０が入出力部で導通されていな
ければ、マイクロ波端子８ｂから見た電界分布は図
（ａ）の矢印で示すような分布になる。このことはマイ
クロ波信号グランドパターン５２ａが高周波的にグラン
ドになっていないことを意味している。このため入出力
部においてインピーダンスが変化し、ミスマッチが生じ
て反射が大きくなる。
【００６４】さらに、直流信号層５１の直流信号パター
ン５１ａ〜５１ｆがマイクロ波信号グランドパターン５
２ａの略直下に位置するような場合は、マイクロ波信号
が直流信号パターン５１ａ〜５１ｆに乗ってしまい、発
振あるいは共振が生じる恐れがある。
ン５１ａ〜５１ｆがマイクロ波信号グランドパターン５
２ａの略直下に位置するような場合は、マイクロ波信号
が直流信号パターン５１ａ〜５１ｆに乗ってしまい、発
振あるいは共振が生じる恐れがある。
【００６５】そこで、入出力部においてマイクロ波信号
グランドパターン５２ａとベースメタル２０との間の導
通をとることにより、入出力部での電界分布は図（ｂ）
に示すように本来のマイクロストリップ構造と同様にな
る。この結果、入出力部でのインピーダンスのミスマッ
チが生じなくなり、反射が起こりにくくなる。また、マ
イクロ波信号が直流信号層５１に漏れ込むことがないの
で発振や共振が生じない。
グランドパターン５２ａとベースメタル２０との間の導
通をとることにより、入出力部での電界分布は図（ｂ）
に示すように本来のマイクロストリップ構造と同様にな
る。この結果、入出力部でのインピーダンスのミスマッ
チが生じなくなり、反射が起こりにくくなる。また、マ
イクロ波信号が直流信号層５１に漏れ込むことがないの
で発振や共振が生じない。
【００６６】実施例６．次に、図１３はこの発明の他の
実施例によるマイクロ波パッケージの入出力部を示した
ものであり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はマイク
ロ波信号グランド層のパターン図、同図（ｃ）は直流信
号層のパターン図である。なお、この図において前述し
た図１および図１１と共通する部分には同一の符号を付
してある。
実施例によるマイクロ波パッケージの入出力部を示した
ものであり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はマイク
ロ波信号グランド層のパターン図、同図（ｃ）は直流信
号層のパターン図である。なお、この図において前述し
た図１および図１１と共通する部分には同一の符号を付
してある。
【００６７】この実施例は、マイクロ波信号グランドパ
ターン５２ｂとベースメタル２０とを側面スルーホール
５４により導通をとったものであり、上記実施例５と同
様の作用、効果を奏する。
ターン５２ｂとベースメタル２０とを側面スルーホール
５４により導通をとったものであり、上記実施例５と同
様の作用、効果を奏する。
【００６８】実施例７．次に、図１４はこの発明の他の
実施例によるマイクロ波パッケージの入出力部を示した
ものであり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はマイク
ロ波信号グランド層のパターン図、同図（ｃ）は直流信
号層のパターン図である。なお、この図において前述し
た図１および図１２と共通する部分には同一の符号を付
してある。
実施例によるマイクロ波パッケージの入出力部を示した
ものであり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はマイク
ロ波信号グランド層のパターン図、同図（ｃ）は直流信
号層のパターン図である。なお、この図において前述し
た図１および図１２と共通する部分には同一の符号を付
してある。
【００６９】この実施例は、マイクロ波信号グランドパ
ターン５２ａとベースメタル２０とをマイクロ波端子８
ｂの下部に形成したビアホール５５ａ〜５５ｃにより導
通をとったものであり、上記実施例５，６と同様の作
用、効果を奏する。
ターン５２ａとベースメタル２０とをマイクロ波端子８
ｂの下部に形成したビアホール５５ａ〜５５ｃにより導
通をとったものであり、上記実施例５，６と同様の作
用、効果を奏する。
【００７０】なお、上記実施例５〜７ではマイクロ端子
８ｂ側について説明したが、マイクロ波端子８ａについ
ても同様である。
８ｂ側について説明したが、マイクロ波端子８ａについ
ても同様である。
【００７１】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、少なくとも第１、第２のキャビティ部によって送
信回路と受信回路とに分けるとともに、第１、第２のキ
ャビティ部の各々周囲に沿って複数のスルーホールを形
成して第１、第２のグランドパターンを導通させるよう
に構成したので、送信回路と受信回路との間の干渉を抑
制でき、良好なマイクロ波特性が得られる効果がある。
れば、少なくとも第１、第２のキャビティ部によって送
信回路と受信回路とに分けるとともに、第１、第２のキ
ャビティ部の各々周囲に沿って複数のスルーホールを形
成して第１、第２のグランドパターンを導通させるよう
に構成したので、送信回路と受信回路との間の干渉を抑
制でき、良好なマイクロ波特性が得られる効果がある。
【００７２】また、請求項２記載の発明によれば、トリ
プレート線路の両側に沿って複数のスルーホールを形成
して第１、第２のグランドパターンを導通させるように
構成したので、トリプレート線路をシールドでき、良好
なマイクロ波特性が得られる効果がある。
プレート線路の両側に沿って複数のスルーホールを形成
して第１、第２のグランドパターンを導通させるように
構成したので、トリプレート線路をシールドでき、良好
なマイクロ波特性が得られる効果がある。
【００７３】また、請求項３記載の発明によれば、少な
くとも第１、第２のキャビティ部によって送信回路と受
信回路とに分けるとともに、第１、第２のキャビティ部
の各々の内部に形成した第１のグランドパターンと第２
のグランドパターンとを貫通させる溝部と、この溝部の
第１、第２のキャビティ部が互いに対向する側の部分、
および、第１、第２のグランドパターンの間の絶縁性基
板に形成されるトリプレート線路と対向する側の部分に
側面メタライズを施し、さらに、ベースメタルおよび各
絶縁性基板の外周部の側面に側面メタライズを施すよう
に構成にしたので、請求項１記載の発明と同様の効果が
ある。
くとも第１、第２のキャビティ部によって送信回路と受
信回路とに分けるとともに、第１、第２のキャビティ部
の各々の内部に形成した第１のグランドパターンと第２
のグランドパターンとを貫通させる溝部と、この溝部の
第１、第２のキャビティ部が互いに対向する側の部分、
および、第１、第２のグランドパターンの間の絶縁性基
板に形成されるトリプレート線路と対向する側の部分に
側面メタライズを施し、さらに、ベースメタルおよび各
絶縁性基板の外周部の側面に側面メタライズを施すよう
に構成にしたので、請求項１記載の発明と同様の効果が
ある。
【００７４】また、請求項４記載の発明によれば、第
１、第２のキャビティ部の各々の寸法を使用周波数の波
長に対して１／２以下にして導波管モードの遮断周波数
が高くなるように構成したので、最大使用周波数を高く
でき、広帯域に亘ってマイクロ波特性が得られる効果が
ある。
１、第２のキャビティ部の各々の寸法を使用周波数の波
長に対して１／２以下にして導波管モードの遮断周波数
が高くなるように構成したので、最大使用周波数を高く
でき、広帯域に亘ってマイクロ波特性が得られる効果が
ある。
【００７５】また、請求項５記載の発明によれば、第
１、第２のキャビティ部をマイクロ波パッケージ本体の
長さ方向にずらして配置するように構成したので、マイ
クロ波パッケージの幅方向の寸法を短くでき、複数のマ
イクロ波パッケージを少ない占有面積で配置できる効果
がある。
１、第２のキャビティ部をマイクロ波パッケージ本体の
長さ方向にずらして配置するように構成したので、マイ
クロ波パッケージの幅方向の寸法を短くでき、複数のマ
イクロ波パッケージを少ない占有面積で配置できる効果
がある。
【００７６】また、請求項６記載の発明によれば、電源
・制御信号外部端子と、マイクロ波端子とをマイクロ波
パッケージ本体の長さ方向の一方の端部の同一面上に設
けるように構成したので、複数のマイクロ波パッケージ
の配置を容易にできる効果がある。
・制御信号外部端子と、マイクロ波端子とをマイクロ波
パッケージ本体の長さ方向の一方の端部の同一面上に設
けるように構成したので、複数のマイクロ波パッケージ
の配置を容易にできる効果がある。
【００７７】また、請求項７記載の発明によれば、マイ
クロ波端子が設けられる入出力部において、側面メタラ
イズパターンによりマイクロ波信号グランドパターンと
ベースメタルとを接続するように構成したので、入出力
部におけるインピーダンスの整合がとられ、入出力部に
おける反射を防止できる効果がある。また、マイクロ波
信号の直流信号層への漏れ込みが生じないことから、発
振または共振を防止できる効果もある。
クロ波端子が設けられる入出力部において、側面メタラ
イズパターンによりマイクロ波信号グランドパターンと
ベースメタルとを接続するように構成したので、入出力
部におけるインピーダンスの整合がとられ、入出力部に
おける反射を防止できる効果がある。また、マイクロ波
信号の直流信号層への漏れ込みが生じないことから、発
振または共振を防止できる効果もある。
【００７８】また、請求項８記載の発明によれば、マイ
クロ波端子が設けられる入出力部において、側面スルー
ホールによりマイクロ波信号グランドパターンとベース
メタルとを接続するように構成したので、請求項７記載
の発明と同様の効果がある。
クロ波端子が設けられる入出力部において、側面スルー
ホールによりマイクロ波信号グランドパターンとベース
メタルとを接続するように構成したので、請求項７記載
の発明と同様の効果がある。
【００７９】また、請求項９記載の発明によれば、マイ
クロ波端子が設けられる入出力部において、ビアホール
によりマイクロ波信号グランドパターンとベースメタル
とを接続するように構成したので、請求項７記載の発明
と同様の効果がある。
クロ波端子が設けられる入出力部において、ビアホール
によりマイクロ波信号グランドパターンとベースメタル
とを接続するように構成したので、請求項７記載の発明
と同様の効果がある。
【図１】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構成図である。
ジの構成図である。
【図２】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構成の一部の説明図である。
ジの構成の一部の説明図である。
【図３】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構成の一部の説明図である。
ジの構成の一部の説明図である。
【図４】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構成の一部の説明図である。
ジの構成の一部の説明図である。
【図５】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの遮断周波数の説明図である。
ジの遮断周波数の説明図である。
【図６】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジのブロック図である。
ジのブロック図である。
【図７】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構成図である。
ージの構成図である。
【図８】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構成の一部の説明図である。
ージの構成の一部の説明図である。
【図９】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構成図である。
ージの構成図である。
【図１０】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケ
ージを複数個用いて構成したモジュールの構成図であ
る。
ージを複数個用いて構成したモジュールの構成図であ
る。
【図１１】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッ
ケージの入出力部の構成図である。
ケージの入出力部の構成図である。
【図１２】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッ
ケージの入出力部での電界分布の説明図である。
ケージの入出力部での電界分布の説明図である。
【図１３】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッ
ケージの入出力部の構成図である。
ケージの入出力部の構成図である。
【図１４】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッ
ケージの入出力部の構成図である。
ケージの入出力部の構成図である。
【図１５】従来のマイクロ波パッケージの構成図であ
る。
る。
５ 送信高電力増幅回路（送信回路） ６ 受信低雑音増幅回路（受信回路） ８ａ，８ｂ マイクロ波端子 ２０ ベースメタル ２１ セラミック基板（絶縁性基板） ２１ａ〜２１ｄ セラミック基板（絶縁性基板） ２２ａ，２２ｂ キャビティ部（第１、第２のキャビテ
ィ部） ２２ｃ，２２ｄ キャビティ部 ２３ａ，２３ｂ トリプレート線路 ２４ａ〜２４ｆ 電源・制御信号外部端子 ２６ キャビティ側壁 ２７，２７，… スルーホール ２８ａ，２８ｂ マイクロストリップ線路 ３４ａ，３４ｂ 溝部 Ｇｐ1 ，Ｇｐ2 グランドパターン（第１、第２のグラ
ンドパターン） ５１ａ〜５１ｆ 直流信号パターン ５２ａ〜５２ｃ マイクロ波信号グランドパターン ５３ 側面メタライズパターン ５４ 側面スルーホール ５５ａ〜５５ｃ ビアホール
ィ部） ２２ｃ，２２ｄ キャビティ部 ２３ａ，２３ｂ トリプレート線路 ２４ａ〜２４ｆ 電源・制御信号外部端子 ２６ キャビティ側壁 ２７，２７，… スルーホール ２８ａ，２８ｂ マイクロストリップ線路 ３４ａ，３４ｂ 溝部 Ｇｐ1 ，Ｇｐ2 グランドパターン（第１、第２のグラ
ンドパターン） ５１ａ〜５１ｆ 直流信号パターン ５２ａ〜５２ｃ マイクロ波信号グランドパターン ５３ 側面メタライズパターン ５４ 側面スルーホール ５５ａ〜５５ｃ ビアホール
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/12,25/00 H01P 3/08,5/08
Claims (9)
- 【請求項１】 ベースメタルの上面に積層される複数の
絶縁性基板と、前記各絶縁性基板により形成され、少な
くとも送信回路と受信回路に分けてこれらを実装する第
１、第２のキャビティ部と、前記第１、第２のキャビテ
ィ部の各々のキャビティ側壁の内部の少なくとも二つの
前記絶縁性基板にパターン形成される第１、第２のグラ
ンドパターンと、前記第１、第２のキャビティ部の各々
の周囲に沿ってマイクロ波の使用周波数の波長距離の１
／８以下の間隔で形成され、前記第１、第２のグランド
パターンの間を短絡させる複数のスルーホールとを備え
たマイクロ波パッケージ。 - 【請求項２】 前記第１、第２のグランドパターンの間
の前記絶縁性基板に形成されるトリプレート線路の両側
に沿ってマイクロ波の使用周波数の波長距離の１／８以
下の間隔で形成され、前記第１、第２のグランドパター
ンを導通させる複数のスルーホールを設けたことを特徴
とする請求項１記載のマイクロ波パッケージ。 - 【請求項３】 ベースメタルの上面に積層される複数の
絶縁性基板と、前記各絶縁性基板により形成され、少な
くとも送信回路と受信回路に分けてこれらを実装する第
１、第２のキャビティ部と、前記第１、第２のキャビテ
ィ部の各々のキャビティ側壁の内部の少なくとも二つの
前記絶縁性基板にパターン形成される第１、第２のグラ
ンドパターンと、前記第１のグランドパターンと前記第
２のグランドパターンとが貫通するように前記第１、第
２のキャビティ部の各々の内部に形成され、第１、第２
のキャビティ部が互いに対向する側の部分及び前記第
１、第２のグランドパターンの間の前記絶縁性基板に形
成されるトリプレート線路と対向する側の部分の各々に
側面メタライズ処理された溝部と、前記ベースメタル及
び前記各絶縁性基板の外周部の側面に形成される側面メ
タライズパターンとを備えたマイクロ波パッケージ。 - 【請求項４】 前記第１、第２のキャビティ部の各々の
幅寸法を使用周波数の波長に対して１／２以下にしたこ
とを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３いずれ
かの項記載のマイクロ波パッケージ。 - 【請求項５】 前記第１、第２のキャビティ部を長さ方
向にずらして配置したことを特徴とする請求項１、請求
項２、請求項３又は請求項４いずれかの項記載のマイク
ロ波パッケージ。 - 【請求項６】 前記送信回路及び前記受信回路の各々に
対して電源及び制御信号を供給するための電源・制御信
号外部端子と、前記送信回路及び前記受信回路に対して
マイクロ波信号の入出力を行うためのマイクロ波端子と
をマイクロ波パッケージ本体の長さ方向の一方の端部の
同一面上に設けたことを特徴とする請求項１、請求項
２、請求項３、請求項４又は請求項５いずれかの項記載
のマイクロ波パッケージ。 - 【請求項７】 ベースメタルと、前記ベースメタルの一
方の面に積層され、前記ベースメタルから上方に向けて
順次、直流信号パターン、マイクロ波信号グランドパタ
ーンが形成されるとともに、前記マイクロ波信号グラン
ドパターンの上方にマイクロ波信号入出力用のマイクロ
波端子がパターン形成される複数の絶縁性基板とを備え
たマイクロ波パッケージにおいて、前記マイクロ波端子
が設けられる入出力部に前記マイクロ波信号グランドパ
ターンと前記ベースメタルとを導通させる側面メタライ
ズパターンを形成したことを特徴とするマイクロ波パッ
ケージ。 - 【請求項８】 ベースメタルと、前記ベースメタルの一
方の面に積層され、前記ベースメタルから上方に向けて
順次、直流信号パターン、マイクロ波信号グランドパタ
ーンが形成されるとともに、前記マイクロ波信号グラン
ドパターンの上方にマイクロ波信号入出力用のマイクロ
波端子がパターン形成される複数の絶縁性基板とを備え
たマイクロ波パッケージにおいて、前記マイクロ波端子
が設けられる入出力部に前記マイクロ波信号グランドパ
ターンと前記ベースメタルとを導通させる側面スルーホ
ールを形成したことを特徴とするマイクロ波パッケー
ジ。 - 【請求項９】 ベースメタルと、前記ベースメタルの一
方の面に積層され、前記ベースメタルから上方に向けて
順次、直流信号パターン、マイクロ波信号グランドパタ
ーンが形成されるとともに、前記マイクロ波信号グラン
ドパターンの上方にマイクロ波信号入出力用のマイクロ
波端子がパターン形成される複数の絶縁性基板とを備え
たマイクロ波パッケージにおいて、前記マイクロ波端子
が設けられる入出力部に前記マイクロ波信号グランドパ
ターンと前記ベースメタルとを導通させるビアホールを
形成したことを特徴とするマイクロ波パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4281059A JP2878043B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | マイクロ波パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4281059A JP2878043B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | マイクロ波パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112351A JPH06112351A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2878043B2 true JP2878043B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=17633742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4281059A Expired - Lifetime JP2878043B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | マイクロ波パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2878043B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3704440B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2005-10-12 | 京セラ株式会社 | 高周波用配線基板の接続構造 |
| JP2001024100A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波パッケージ |
| JP3780222B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-05-31 | 三菱電機株式会社 | 中空封着パッケージおよびその製造方法 |
| JP3734807B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2006-01-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品モジュール |
| JP2007208671A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波モジュール用パッケージ |
| JP4978265B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2012-07-18 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
| JP5093138B2 (ja) * | 2009-02-02 | 2012-12-05 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波送受信モジュール |
| GB2477289B (en) * | 2010-01-27 | 2014-08-13 | Harris Corp | A radio communication apparatus having improved resistance to common mode noise |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6228603B2 (ja) | 2012-07-18 | 2017-11-08 | マシネンファブリーク・ケッペルン・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイト・ゲゼルシャフト | プレスローラ |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP4281059A patent/JP2878043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6228603B2 (ja) | 2012-07-18 | 2017-11-08 | マシネンファブリーク・ケッペルン・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイト・ゲゼルシャフト | プレスローラ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06112351A (ja) | 1994-04-22 |
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