JP2897366B2 - 光導波路装置 - Google Patents
光導波路装置Info
- Publication number
- JP2897366B2 JP2897366B2 JP20173190A JP20173190A JP2897366B2 JP 2897366 B2 JP2897366 B2 JP 2897366B2 JP 20173190 A JP20173190 A JP 20173190A JP 20173190 A JP20173190 A JP 20173190A JP 2897366 B2 JP2897366 B2 JP 2897366B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical waveguide
- shg
- cherenkov radiation
- cherenkov
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光導波路装置に関し、特に、チェレンコフ
（Cherenkov）放射による光第２高調波発生（second ha
rmonic generation,SHG）に適用して好適なものであ
る。
（Cherenkov）放射による光第２高調波発生（second ha
rmonic generation,SHG）に適用して好適なものであ
る。
本発明は、光導波路装置において、非線形光学結晶基
板と、非線形光学結晶基板上に形成された、少なくとも
角周波数ωの光に対して透明でかつ非線形光学結晶基板
よりも屈折率が大きい誘電体薄膜から成る光導波路とを
具備し、光導波路の一端に角周波数ωの光を入射させた
とき、角周波数２ωのチェレンコフ放射第２高調波光が
１゜以下のチェレンコフ放射角で出射され、チェレンコ
フ放射角の広がり及び光導波路の幅方向のチェレンコフ
放射第２高調波光の発散角がチェレンコフ放射角と同程
度である。これによって、チェレンコフ放射第２高調波
光の集光特性を著しく向上させることができる。
板と、非線形光学結晶基板上に形成された、少なくとも
角周波数ωの光に対して透明でかつ非線形光学結晶基板
よりも屈折率が大きい誘電体薄膜から成る光導波路とを
具備し、光導波路の一端に角周波数ωの光を入射させた
とき、角周波数２ωのチェレンコフ放射第２高調波光が
１゜以下のチェレンコフ放射角で出射され、チェレンコ
フ放射角の広がり及び光導波路の幅方向のチェレンコフ
放射第２高調波光の発散角がチェレンコフ放射角と同程
度である。これによって、チェレンコフ放射第２高調波
光の集光特性を著しく向上させることができる。
チェレンコフ放射光SHGは、角周波数ωの光（基本
波）の導入により角周波数２ωの光、すなわちSHG光を
チェレンコフ放射モードで発生させるものである。この
チェレンコフ放射光SHGは、位相整合条件が常に満足さ
れているため、極めて実用的であり、近年注目されてい
る。
波）の導入により角周波数２ωの光、すなわちSHG光を
チェレンコフ放射モードで発生させるものである。この
チェレンコフ放射光SHGは、位相整合条件が常に満足さ
れているため、極めて実用的であり、近年注目されてい
る。
従来、このチェレンコフ放射光SHG装置として、第７
図に示すように、LiNbO3単結晶ｚ板（板面が結晶のｃ軸
に直交する単結晶板）から成る基板101上にプロトン交
換LiNbO3光導波路102を形成したものが知られている
（例えば、特開昭61−18952号公報、第48回応用物
理学会学術講演会講演予稿集、講演番号19p−ZG−1,2,
3,4）。
図に示すように、LiNbO3単結晶ｚ板（板面が結晶のｃ軸
に直交する単結晶板）から成る基板101上にプロトン交
換LiNbO3光導波路102を形成したものが知られている
（例えば、特開昭61−18952号公報、第48回応用物
理学会学術講演会講演予稿集、講演番号19p−ZG−1,2,
3,4）。
しかしながら、上述の第７図に示す従来のチェレンコ
フ放射光SHG装置においては、チェレンコフ角はθは約1
6゜と大きい。そして、この場合には、出射されるSHG光
は基板101の厚さ方向にはコリメートされているもの
の、基板101の厚さ方向に垂直な方向（光導波路102の幅
方向）の発散角（以下、横方向発散角という）はチェレ
ンコフ放射角θと同程度、すなわち16゜程度と大きい。
ところで、チェレンコフ放射光SHG装置の出射側には出
射されるSHG光を集光するための集光光学系が設けられ
るが、この出射されるSHG光の横方向発散角は上述のよ
うに16゜程度と大きいので、このSHG光の集光特性は悪
い。このため、出射されるSHG光を回折限界まで集光し
ようとするときには、特殊な円錐レンズが必要となるな
ど、集光光学系が複雑になるという問題があった。
フ放射光SHG装置においては、チェレンコフ角はθは約1
6゜と大きい。そして、この場合には、出射されるSHG光
は基板101の厚さ方向にはコリメートされているもの
の、基板101の厚さ方向に垂直な方向（光導波路102の幅
方向）の発散角（以下、横方向発散角という）はチェレ
ンコフ放射角θと同程度、すなわち16゜程度と大きい。
ところで、チェレンコフ放射光SHG装置の出射側には出
射されるSHG光を集光するための集光光学系が設けられ
るが、この出射されるSHG光の横方向発散角は上述のよ
うに16゜程度と大きいので、このSHG光の集光特性は悪
い。このため、出射されるSHG光を回折限界まで集光し
ようとするときには、特殊な円錐レンズが必要となるな
ど、集光光学系が複雑になるという問題があった。
従って本発明の目的は、チェレンコフ放射第２高調波
光の集光特性を著しく向上させることができる光導波路
装置を提供することにある。
光の集光特性を著しく向上させることができる光導波路
装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、光導波路装置
において、非線形光学結晶基板（１）と、非線形光学結
晶基板（１）上に形成された、少なくとも角周波数ωの
光に対して透明でかつ非線形光学結晶基板（１）よりも
屈折率が大きい誘電体薄膜から成る光導波路（２）とを
具備し、光導波路（２）の一端に角周波数ωの光（ａ）
を入射させたとき、角周波数２ωのチェレンコフ放射第
２高調波光（ｂ）が１゜以下のチェレンコフ放射角で出
射され、チェレンコフ放射角の広がり及び光導波路
（２）の幅方向のチェレンコフ放射第２高調波光（ｂ）
の発散角がチェレンコフ放射角と同程度である。
において、非線形光学結晶基板（１）と、非線形光学結
晶基板（１）上に形成された、少なくとも角周波数ωの
光に対して透明でかつ非線形光学結晶基板（１）よりも
屈折率が大きい誘電体薄膜から成る光導波路（２）とを
具備し、光導波路（２）の一端に角周波数ωの光（ａ）
を入射させたとき、角周波数２ωのチェレンコフ放射第
２高調波光（ｂ）が１゜以下のチェレンコフ放射角で出
射され、チェレンコフ放射角の広がり及び光導波路
（２）の幅方向のチェレンコフ放射第２高調波光（ｂ）
の発散角がチェレンコフ放射角と同程度である。
ここで、光導波路（２）は、好適には角周波数２ωの
チェレンコフ放射第２高調波光（ｂ）に対しても透明と
される。
チェレンコフ放射第２高調波光（ｂ）に対しても透明と
される。
また、光閉じ込めを有効に行い、SHG効率を向上させ
るために、好適には光導波路（２）の上にクラッド層が
形成される。
るために、好適には光導波路（２）の上にクラッド層が
形成される。
上述のように構成された本発明の光導波路装置によれ
ば、チェレンコフ放射角が１゜以下であることから、光
導波路（２）の幅方向のチェレンコフ放射第２高調波光
（ｂ）の発散角、すなわち横方向発散角はチェレンコフ
放射角と同程度、すなわち１゜程度以下と極めて小さく
なる。また、チェレンコフ放射角の広がりも１゜程度以
下である。このため、このチェレンコフ放射第２高調波
光（ｂ）のスポットは、ほぼ円形に近い形状となる。こ
れによって、チェレンコフ放射第２高調波光（ｂ）の集
光特性を著しく向上させることができる。そして、従来
必要であった円錐レンズは不要となり、集光光学系を簡
単化することができる。
ば、チェレンコフ放射角が１゜以下であることから、光
導波路（２）の幅方向のチェレンコフ放射第２高調波光
（ｂ）の発散角、すなわち横方向発散角はチェレンコフ
放射角と同程度、すなわち１゜程度以下と極めて小さく
なる。また、チェレンコフ放射角の広がりも１゜程度以
下である。このため、このチェレンコフ放射第２高調波
光（ｂ）のスポットは、ほぼ円形に近い形状となる。こ
れによって、チェレンコフ放射第２高調波光（ｂ）の集
光特性を著しく向上させることができる。そして、従来
必要であった円錐レンズは不要となり、集光光学系を簡
単化することができる。
ところで、一般に、角周波数２ωの第２高調波光に対
する非線形光学結晶基板の屈折率を 周波数ωの光（基本波）に対する光導波路の実効屈折率
をＮω、チェレンコフ放射角θとすると、次のような関
係が成立する。
する非線形光学結晶基板の屈折率を 周波数ωの光（基本波）に対する光導波路の実効屈折率
をＮω、チェレンコフ放射角θとすると、次のような関
係が成立する。
（２）式より、上述のようにθが１゜以下であること
は、 であることに相当する。すなわち、この場合には は１に非常に近い値であることがわかる。なお、（１）
式より は１を超えることはない。
は、 であることに相当する。すなわち、この場合には は１に非常に近い値であることがわかる。なお、（１）
式より は１を超えることはない。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例によるチェレンコフ放射光
SHG装置を示す斜視図であり、第２図は本発明の一実施
例によるチェレンコフ放射光SHG装置の光導波路に沿う
方向の断面図である。
SHG装置を示す斜視図であり、第２図は本発明の一実施
例によるチェレンコフ放射光SHG装置の光導波路に沿う
方向の断面図である。
第１図及び第２図に示すように、この実施例によるチ
ェレンコフ放射光SHG装置においては、例えばKTiOPO
4（KTP）単結晶ａ板（板面が結晶のａ軸に直交する単結
晶板）から成る基板１上に、例えばTa2O5膜から成るス
トライプ状のチャンネル光導波路２が形成されている。
ェレンコフ放射光SHG装置においては、例えばKTiOPO
4（KTP）単結晶ａ板（板面が結晶のａ軸に直交する単結
晶板）から成る基板１上に、例えばTa2O5膜から成るス
トライプ状のチャンネル光導波路２が形成されている。
この場合、Ta2O5膜から成るチャンネル光導波路２の
幅Ｗ、厚さｈ及び長さＬは、チェレンコフ放射角θが１
゜以下となるように最適化されている。具体的には、チ
ャンネル光導波路２の幅Ｗは例えば５μｍ、厚さｈは例
えば2380Å、長さＬは例えば2.5mmである。
幅Ｗ、厚さｈ及び長さＬは、チェレンコフ放射角θが１
゜以下となるように最適化されている。具体的には、チ
ャンネル光導波路２の幅Ｗは例えば５μｍ、厚さｈは例
えば2380Å、長さＬは例えば2.5mmである。
次に、上述のように構成された本実施例によるチェレ
ンコフ放射光SHG装置の製造方法について説明する。
ンコフ放射光SHG装置の製造方法について説明する。
まず、例えばタンタルペンタエトキシドTa（OC2H5）
５を原料ガスとして用いたCVD法により、KTP単結晶ａ板
から成る基板１上に例えばアモルファスのTa2O5膜を形
成する。次に、このTa2O5膜上にリソグラフィーにより
光導波路の形状に対応した形状のレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクとしてTa2O5膜を
例えば反応性イオンエッチング（RIE）法によりエッチ
ングする。これによって、Ta2O5膜から成るチャンネル
光導波路２が形成される。
５を原料ガスとして用いたCVD法により、KTP単結晶ａ板
から成る基板１上に例えばアモルファスのTa2O5膜を形
成する。次に、このTa2O5膜上にリソグラフィーにより
光導波路の形状に対応した形状のレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクとしてTa2O5膜を
例えば反応性イオンエッチング（RIE）法によりエッチ
ングする。これによって、Ta2O5膜から成るチャンネル
光導波路２が形成される。
上述のように構成された本実施例によるチェレンコフ
放射光SHG装置のチャンネル光導波路２の一端に図示省
略した光学系を介して第２図に示すように波長865nmのT
Eモードのレーザ光ａを入射させた所、波長432.5（＝86
5/2）nmのSHG光ｂが約0.6゜（中心値）のチェレンコフ
放射角で発生した。このSHG光ｂを開口数NA＝0.80の顕
微鏡用対物レンズで集光した所、約0.6μｍの円形スポ
ットになった。なお、第２図中、ｃはチャンネル光導波
路２内を進行する光を示す。
放射光SHG装置のチャンネル光導波路２の一端に図示省
略した光学系を介して第２図に示すように波長865nmのT
Eモードのレーザ光ａを入射させた所、波長432.5（＝86
5/2）nmのSHG光ｂが約0.6゜（中心値）のチェレンコフ
放射角で発生した。このSHG光ｂを開口数NA＝0.80の顕
微鏡用対物レンズで集光した所、約0.6μｍの円形スポ
ットになった。なお、第２図中、ｃはチャンネル光導波
路２内を進行する光を示す。
上述のようにこの場合のチェレンコフ放射角の中心値
は約0.6゜であるが、その広がりも１゜弱程度存在す
る。一方、SHG光の横方向発散角も１゜弱程度である。
は約0.6゜であるが、その広がりも１゜弱程度存在す
る。一方、SHG光の横方向発散角も１゜弱程度である。
この状況におけるSHG光のファーフィールドパターン
は第３図に示すようになる。第３図においては、比較の
ために、チェレンコフ放射角が約16゜の場合のファーフ
ィールドパターン（一点鎖線）も示す。第３図より、本
実施例によるチェレンコフ放射光SHG装置により発生さ
れるSHG光のファーフィールドパターンはサイズの小さ
いほぼ円形の形状を有することがわかる。これに対し
て、チェレンコフ放射角が16゜の場合のファーフィール
ドパターンは偏平な三日月形の形状となり、その横方向
の広がりは極めて大きい。
は第３図に示すようになる。第３図においては、比較の
ために、チェレンコフ放射角が約16゜の場合のファーフ
ィールドパターン（一点鎖線）も示す。第３図より、本
実施例によるチェレンコフ放射光SHG装置により発生さ
れるSHG光のファーフィールドパターンはサイズの小さ
いほぼ円形の形状を有することがわかる。これに対し
て、チェレンコフ放射角が16゜の場合のファーフィール
ドパターンは偏平な三日月形の形状となり、その横方向
の広がりは極めて大きい。
このように、この実施例によれば、KTP単結晶ａ板か
ら成る基板１上にTa2O5膜から成るストライプ状のチャ
ンネル光導波路２を形成した構造とし、さらにこのチャ
ンネル光導波路２の幅Ｗ、厚さｈなどを最適化すること
により、チェレンコフ放射角を0.6゜程度と極めて小さ
くすることができる。そして、これによって、チェレン
コフ放射角の広がり及びSHG光の横方向発散角をチェレ
ンコフ放射角、すなわち0.6゜と同程度に小さくするこ
とができる。このため、SHG光のファーフィールドパタ
ーンは第３図に示すようにほぼ円形に近い形状となり、
従って従来に比べてSHG光の集光特性を著しく向上させ
ることができる。このため、従来のようにSHG光を集光
するために円錐レンズを用いる必要がなくなり、凸レン
ズなどの通常のレンズでSHG光を回折限界程度まで十分
に集光することができる。
ら成る基板１上にTa2O5膜から成るストライプ状のチャ
ンネル光導波路２を形成した構造とし、さらにこのチャ
ンネル光導波路２の幅Ｗ、厚さｈなどを最適化すること
により、チェレンコフ放射角を0.6゜程度と極めて小さ
くすることができる。そして、これによって、チェレン
コフ放射角の広がり及びSHG光の横方向発散角をチェレ
ンコフ放射角、すなわち0.6゜と同程度に小さくするこ
とができる。このため、SHG光のファーフィールドパタ
ーンは第３図に示すようにほぼ円形に近い形状となり、
従って従来に比べてSHG光の集光特性を著しく向上させ
ることができる。このため、従来のようにSHG光を集光
するために円錐レンズを用いる必要がなくなり、凸レン
ズなどの通常のレンズでSHG光を回折限界程度まで十分
に集光することができる。
なお、SHG光の横方向発散角は、チャンネル光導波路
２の幅Ｗで一義的に決まるという報告もあるが、上述の
結果は、SHG光の横方向発散角はこのチャンネル光導波
路２の幅Ｗ以外のパラメータ、例えばこのチャンネル光
導波路２の厚さｈや屈折率などによっても変わり、チャ
ンネル光導波路２の幅Ｗだけでは決まらないことがわか
る。
２の幅Ｗで一義的に決まるという報告もあるが、上述の
結果は、SHG光の横方向発散角はこのチャンネル光導波
路２の幅Ｗ以外のパラメータ、例えばこのチャンネル光
導波路２の厚さｈや屈折率などによっても変わり、チャ
ンネル光導波路２の幅Ｗだけでは決まらないことがわか
る。
また、以上は入射レーザ光の波長が865nmである場合
についてであるが、チャンネル光導波路２の幅Ｗや厚さ
ｈを種々に変化させることにより、他の波長においても
0.6゜程度のチェレンコフ放射角を実現することが可能
である。
についてであるが、チャンネル光導波路２の幅Ｗや厚さ
ｈを種々に変化させることにより、他の波長においても
0.6゜程度のチェレンコフ放射角を実現することが可能
である。
第４図は本実施例によるチェレンコフ放射光SHG装置
により0.6゜程度のチェレンコフ放射角θで発生されたS
HG光のパワーとθｃとの関係の一例を示す。ここで、θ
ｃは第６図に示すように定義され、いわばチェレンコフ
放射角θを光導波路２の面に平行なｙ−ｚ面に投影した
ものである。なお、第６図中、OC方向がSHG光の進行方
向を示す。また、比較のため、チェレンコフ放射角θが
16゜程度である、第７図に示すようなLiNbO3単結晶ｚ板
から成る基板101上にプロトン交換LiNbO3光導波路102を
形成した従来のチェレンコフ放射光SHG装置により発生
されたSHG光のパワーとθｃとの関係の一例を第５図に
示す。
により0.6゜程度のチェレンコフ放射角θで発生されたS
HG光のパワーとθｃとの関係の一例を示す。ここで、θ
ｃは第６図に示すように定義され、いわばチェレンコフ
放射角θを光導波路２の面に平行なｙ−ｚ面に投影した
ものである。なお、第６図中、OC方向がSHG光の進行方
向を示す。また、比較のため、チェレンコフ放射角θが
16゜程度である、第７図に示すようなLiNbO3単結晶ｚ板
から成る基板101上にプロトン交換LiNbO3光導波路102を
形成した従来のチェレンコフ放射光SHG装置により発生
されたSHG光のパワーとθｃとの関係の一例を第５図に
示す。
第４図に示すように、本実施例のチェレンコフ放射光
SHG装置により0.6゜程度のチェレンコフ放射角で発生さ
れるSHG光のパワーは、θｃが小さい範囲内に集中して
おり、従ってSHG光の輝度が極めて高いことがわかる。
これに対して、第５図に示すように、従来のチェレンコ
フ放射光SHG装置による16゜程度のチェレンコフ放射角
で発生されるSHG光のパワーは、大きなθｃまで広範囲
に広がっており、従ってSHG光の輝度は本実施例に比べ
て極めて低いことがわかる。
SHG装置により0.6゜程度のチェレンコフ放射角で発生さ
れるSHG光のパワーは、θｃが小さい範囲内に集中して
おり、従ってSHG光の輝度が極めて高いことがわかる。
これに対して、第５図に示すように、従来のチェレンコ
フ放射光SHG装置による16゜程度のチェレンコフ放射角
で発生されるSHG光のパワーは、大きなθｃまで広範囲
に広がっており、従ってSHG光の輝度は本実施例に比べ
て極めて低いことがわかる。
一方、KTP単結晶ａ板から成る基板１及びTa2O5膜から
成るチャンネル光導波路２の例えば波長840nmの光に対
する屈折率ns,nfはそれぞれ約1.84,2.18であり、nf＞ns
の関係が満たされていることがわかる。この場合、屈折
率差Δｎ＝nf−ns＝2.18−1.84＝0.34であり、極めて大
きな値となる。このため、光閉じ込め作用が大きく、高
いSHG効率を得ることができる。ちなみに、第７図に示
すLiNbO3単結晶ｚ板から成る基板101上にプロトン交換L
iNbO3光導波路102を形成した従来のチェレンコフ放射光
SHG装置の場合には、LiNbO3単結晶ｚ板から成る基板101
及びプロトン交換LiNbO3光導波路102の波長840nmの光に
対する屈折率ns,nfはそれぞれ2.175,2.315であり、屈折
率差はΔｎ＝2.315−2.175＝0.14と小さい。従って、こ
の場合には光閉じ込め作用が小さく、SHG効率は低い。
成るチャンネル光導波路２の例えば波長840nmの光に対
する屈折率ns,nfはそれぞれ約1.84,2.18であり、nf＞ns
の関係が満たされていることがわかる。この場合、屈折
率差Δｎ＝nf−ns＝2.18−1.84＝0.34であり、極めて大
きな値となる。このため、光閉じ込め作用が大きく、高
いSHG効率を得ることができる。ちなみに、第７図に示
すLiNbO3単結晶ｚ板から成る基板101上にプロトン交換L
iNbO3光導波路102を形成した従来のチェレンコフ放射光
SHG装置の場合には、LiNbO3単結晶ｚ板から成る基板101
及びプロトン交換LiNbO3光導波路102の波長840nmの光に
対する屈折率ns,nfはそれぞれ2.175,2.315であり、屈折
率差はΔｎ＝2.315−2.175＝0.14と小さい。従って、こ
の場合には光閉じ込め作用が小さく、SHG効率は低い。
なお、チャンネル光導波路２を構成するTa2O5膜に
は、例えばTiO2をドープしてもよく、このようにTiO2を
ドープした場合には屈折率差Δをより大きくすることが
でき、SHG効率をさらに高くすることができる。この場
合、このTiO2ドープTa2O5膜中のTi原子数とTa原子数と
の和に対するTi原子数の比をTi/（Ti＋Ta）とすると
き、例えば０≦Ti/（Ti＋Ta）≦60％とする。
は、例えばTiO2をドープしてもよく、このようにTiO2を
ドープした場合には屈折率差Δをより大きくすることが
でき、SHG効率をさらに高くすることができる。この場
合、このTiO2ドープTa2O5膜中のTi原子数とTa原子数と
の和に対するTi原子数の比をTi/（Ti＋Ta）とすると
き、例えば０≦Ti/（Ti＋Ta）≦60％とする。
また、SHG効率をさらに高くするために、本実施例に
よるチェレンコフ放射光SHG装置のチャンネル光導波路
２上にクラッド層を形成するようにしてもよい。このよ
うにクラッド層を形成する場合には、このクラッド層の
屈折率の最適化により、十分に高いSHG効率を得ること
ができる。このクラッド層としては、具体的には、例え
ばスパッタ法により形成された（SiO2）1-x（Ta2O5）ｘ
膜などを用いることができる。なお、このクラッド層
は、チャンネル光導波路２を保護する役割も果たす。
よるチェレンコフ放射光SHG装置のチャンネル光導波路
２上にクラッド層を形成するようにしてもよい。このよ
うにクラッド層を形成する場合には、このクラッド層の
屈折率の最適化により、十分に高いSHG効率を得ること
ができる。このクラッド層としては、具体的には、例え
ばスパッタ法により形成された（SiO2）1-x（Ta2O5）ｘ
膜などを用いることができる。なお、このクラッド層
は、チャンネル光導波路２を保護する役割も果たす。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、非線形光学結晶基板としてKTP単結晶ａ板以
外のものを用いることも可能であり、光導波路としてTa
2O5膜以外のものを用いることも可能である。
外のものを用いることも可能であり、光導波路としてTa
2O5膜以外のものを用いることも可能である。
以上述べたように、本発明によれば、チェレンコフ放
射角の広がり及び光導波路の幅方向のチェレンコフ放射
第２高調波光の発散角がチェレンコフ放射角と同程度で
あるので、チェレンコフ放射第２高調波光の集光特性を
著しく向上させることができる。
射角の広がり及び光導波路の幅方向のチェレンコフ放射
第２高調波光の発散角がチェレンコフ放射角と同程度で
あるので、チェレンコフ放射第２高調波光の集光特性を
著しく向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例によるチェレンコフ放射光SH
G装置を示す斜視図、第２図は本発明の一実施例による
チェレンコフ放射光SHG装置の光導波路に沿う方向の断
面図、第３図は本発明の一実施例によるチェレンコフ放
射光SHG装置により発生されるSHG光のファーフィールド
パターンを示す図、第４図は本発明の一実施例によるチ
ェレンコフ放射光SHG装置により発生されるSHG光のパワ
ーとθｃとの関係の一例を示すグラフ、第５図は従来の
チェレンコフ放射光SHG装置により発生されるSHG光のパ
ワーとθｃとの関係の一例を示すグラフ、第６図はθｃ
の定義を説明するための説明図、第７図は従来のチェレ
ンコフ放射光SHG装置を示す断面図である。 図面における主要な符号の説明 1:KTP単結晶ａ板から成る基板、 2:Ta2O5膜から成るチャンネル光導波路。
G装置を示す斜視図、第２図は本発明の一実施例による
チェレンコフ放射光SHG装置の光導波路に沿う方向の断
面図、第３図は本発明の一実施例によるチェレンコフ放
射光SHG装置により発生されるSHG光のファーフィールド
パターンを示す図、第４図は本発明の一実施例によるチ
ェレンコフ放射光SHG装置により発生されるSHG光のパワ
ーとθｃとの関係の一例を示すグラフ、第５図は従来の
チェレンコフ放射光SHG装置により発生されるSHG光のパ
ワーとθｃとの関係の一例を示すグラフ、第６図はθｃ
の定義を説明するための説明図、第７図は従来のチェレ
ンコフ放射光SHG装置を示す断面図である。 図面における主要な符号の説明 1:KTP単結晶ａ板から成る基板、 2:Ta2O5膜から成るチャンネル光導波路。
Claims (1)
- 【請求項１】非線形光学結晶基板と、 上記非線形光学結晶基板上に形成された、少なくとも角
周波数のωの光に対して透明でかつ上記非線形光学結晶
基板よりも屈折率が大きい誘電体薄膜から成る光導波路
とを具備し、 上記光導波路の一端に角周波数ωの光を入射させたと
き、角周波数２ωのチェレンコフ放射第２高調波光が１
゜以下のチャレンコフ放射角で出射され、 上記チェレンコフ放射角の広がり及び上記光導波路の幅
方向の上記チェレンコフ放射第２高調波光の発散角が上
記チェレンコフ放射角と同程度であることを特徴とする
光導波路装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20173190A JP2897366B2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 光導波路装置 |
| EP91105889A EP0452828B1 (en) | 1990-04-19 | 1991-04-12 | Optical waveguide device and optical second harmonic generator using the same |
| DE69110527T DE69110527T2 (de) | 1990-04-19 | 1991-04-12 | Optische Wellenleitervorrichtung und optischer zweiter harmonischer Generator der diese benützt. |
| US07/686,434 US5168388A (en) | 1990-04-19 | 1991-04-17 | Optical waveguide device and optical second harmonic generator using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20173190A JP2897366B2 (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 光導波路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485523A JPH0485523A (ja) | 1992-03-18 |
| JP2897366B2 true JP2897366B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=16446002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20173190A Expired - Fee Related JP2897366B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-07-30 | 光導波路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2897366B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP20173190A patent/JP2897366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0485523A (ja) | 1992-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0753767B1 (en) | Diffracting optical apparatus | |
| US5022729A (en) | Optical waveguide and second harmonic generator | |
| EP0379358B1 (en) | A method for producing a diffraction grating in optical elements | |
| JP2685969B2 (ja) | 第２高調波発生装置 | |
| JPH05273624A (ja) | 光波長変換素子およびそれを用いた短波長レーザ光源および短波長レーザ光源を用いた光情報処理装置および光波長変換素子の製造方法 | |
| JP2753118B2 (ja) | 光波長変換装置 | |
| JPH077135B2 (ja) | 光導波路および光波長変換素子および短波長レーザ光源の製造方法 | |
| JP2897366B2 (ja) | 光導波路装置 | |
| JP4084460B2 (ja) | 光導波路と、この光導波路を用いた光波長変換素子、短波長光発生装置および光ピックアップ | |
| US5168388A (en) | Optical waveguide device and optical second harmonic generator using the same | |
| JPH06160930A (ja) | 第２次高調波発生素子および第２次高調波発生装置ならびにそれらの製造方法 | |
| JPH09179155A (ja) | 光波長変換装置 | |
| JPH0820655B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JP3129324B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JP2009053676A (ja) | 光デバイス | |
| JP2843196B2 (ja) | 第２高調波発生装置 | |
| JP2973463B2 (ja) | 光導波路装置 | |
| JP3453946B2 (ja) | 光導波路及び第２高調波発生装置 | |
| JP2658381B2 (ja) | 導波路型波長変換素子 | |
| JPS6118933A (ja) | 光波長変換器 | |
| JP2973963B2 (ja) | 短波長光源 | |
| JP2003344886A (ja) | 第２高調波発生装置 | |
| JPH06265952A (ja) | 光波長変換素子 | |
| JPH05204008A (ja) | 波長変換素子 | |
| JPH05341343A (ja) | 光波長変換素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |