JP2910036B2 - 平板状情報記録担体 - Google Patents
平板状情報記録担体Info
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、大容量、高密度記録を可能とした平板状情
報記録担体（光ディスク）に関するものである。
報記録担体（光ディスク）に関するものである。
従来の技術 金属材料を含む記録膜を有する光ディスクでは、記録
膜の酸化劣化を防ぐために、記録膜を耐湿性保護膜で保
護する等の手段が用いられている。特に希土類と遷移金
属のアモルファス合金からなる光磁気記録膜は酸化し易
い材料であるため、保護膜の役割は非常に大きい。
膜の酸化劣化を防ぐために、記録膜を耐湿性保護膜で保
護する等の手段が用いられている。特に希土類と遷移金
属のアモルファス合金からなる光磁気記録膜は酸化し易
い材料であるため、保護膜の役割は非常に大きい。
従来、光磁気記録膜を有する光ディスクの保護膜材料
として、AlN,Si3N4等の窒化物やSiO2，Ta2O5等の酸化物
が検討されてきた。
として、AlN,Si3N4等の窒化物やSiO2，Ta2O5等の酸化物
が検討されてきた。
以下、第３図を参照しながら、従来の光ディスクの構
成の一例を説明する。基板８及び基板13はポリカーボネ
イトからなる成形基板である。この基板８の上には、保
護膜９、光磁気記録膜10及び保護膜11が順次積層されそ
の後、接着層12によって、基板と接着される。ここで保
護膜９はZnSであり保護膜11はAlNであり、GdTbFeCoから
なる記録膜10を両側から保護している。
成の一例を説明する。基板８及び基板13はポリカーボネ
イトからなる成形基板である。この基板８の上には、保
護膜９、光磁気記録膜10及び保護膜11が順次積層されそ
の後、接着層12によって、基板と接着される。ここで保
護膜９はZnSであり保護膜11はAlNであり、GdTbFeCoから
なる記録膜10を両側から保護している。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来の保護膜では、まだ記録膜の酸化
防止に対し問題がある。窒化物から成る保護膜では、保
護膜中に大きな応力が残留するために、膜にクラックを
生じ易く、このクラックから水分や酸素が侵入して記録
膜を酸化させていた。また、酸化物からなる保護膜の場
合は、耐湿性能が充分ではなく、記録膜の酸化が進行す
るという問題があった。
防止に対し問題がある。窒化物から成る保護膜では、保
護膜中に大きな応力が残留するために、膜にクラックを
生じ易く、このクラックから水分や酸素が侵入して記録
膜を酸化させていた。また、酸化物からなる保護膜の場
合は、耐湿性能が充分ではなく、記録膜の酸化が進行す
るという問題があった。
課題を解決するための手段 本発明は、上記問題を解決するために、記録膜より基
板に遠い側の誘電体層が、窒素とアルミニウムを主成分
として、酸素とイットリウムの少なくとも一方を含有
し、また記録膜より基板に近い側の誘電体層の少なくと
も一層の誘電体層がZnSを主成分とする誘電体層を保護
層として用いるものである。
板に遠い側の誘電体層が、窒素とアルミニウムを主成分
として、酸素とイットリウムの少なくとも一方を含有
し、また記録膜より基板に近い側の誘電体層の少なくと
も一層の誘電体層がZnSを主成分とする誘電体層を保護
層として用いるものである。
作用 本発明は、上記した手段を施すことにより、膜中の残
留応力が低下して、耐クラック性が向上し又、イットリ
ウムは非常に活性な元素であるために侵入して来る酸素
と結合するため、光ディスクの酸化劣化の進行がおさえ
られ、耐候性の良好な光ディスクが得られる。特に、記
録膜より基板に近い側に形成する誘電体膜をZnSとする
ことで、ZnSは屈折率がバルクで2.37を有し、薄膜にお
いても2.2以上が確保できることから、光ディスク基板
に用いられる、ガラス或いは樹脂基板の屈折率、約1.5
〜1.6に比較して非常に高いため、膜厚を選ぶことでデ
ィスクの反射率を低く押さえる事が可能となる。これに
より、光あるいは熱を効率良く利用する事ができ、記録
膜より基板に近い側に用いる誘電体保護膜としては、非
常に良好な材料であるため、耐候性、記録再生特性とも
良好な光ディスクが得られる。
留応力が低下して、耐クラック性が向上し又、イットリ
ウムは非常に活性な元素であるために侵入して来る酸素
と結合するため、光ディスクの酸化劣化の進行がおさえ
られ、耐候性の良好な光ディスクが得られる。特に、記
録膜より基板に近い側に形成する誘電体膜をZnSとする
ことで、ZnSは屈折率がバルクで2.37を有し、薄膜にお
いても2.2以上が確保できることから、光ディスク基板
に用いられる、ガラス或いは樹脂基板の屈折率、約1.5
〜1.6に比較して非常に高いため、膜厚を選ぶことでデ
ィスクの反射率を低く押さえる事が可能となる。これに
より、光あるいは熱を効率良く利用する事ができ、記録
膜より基板に近い側に用いる誘電体保護膜としては、非
常に良好な材料であるため、耐候性、記録再生特性とも
良好な光ディスクが得られる。
実施例 以下、本発明の実施例について、第１図（ａ）を参照
しながら説明する。基板１はポリカーボネイトから成る
成型基板で、この片面に保護膜２、記録膜３、保護膜４
を順積層し、その後、接着層５によりポリカーボネイト
製の基板６を接着している。
しながら説明する。基板１はポリカーボネイトから成る
成型基板で、この片面に保護膜２、記録膜３、保護膜４
を順積層し、その後、接着層５によりポリカーボネイト
製の基板６を接着している。
記録膜３は例えばGdTbFeCo光磁気記録媒体であり、保
護膜２はZnS、４は酸素とイットリウムの少くとも一方
を含有する窒化アルミニウム誘電体層である。これら三
層の膜は、マグネトロンスパッタ法で成膜した。酸素と
イットリウムの少くとも一方を含有する窒化アルミニウ
ム膜の成膜には、ホットプレス或いは常圧焼結法で作製
したターゲットを用いた。イットリウムを含有するター
ゲットを用いてスパッタ法で成膜すると、スパッタレー
トが向上するというメリットもある。又、第１図（ｂ）
は本発明の一実施例で、基板１上に前述のようなZnS保
護層、記録膜、酸素とイットリウムを含有するAlN保護
層が順次形成され、樹脂のオーバーコート層が施された
単板構造の光ディスクである。
護膜２はZnS、４は酸素とイットリウムの少くとも一方
を含有する窒化アルミニウム誘電体層である。これら三
層の膜は、マグネトロンスパッタ法で成膜した。酸素と
イットリウムの少くとも一方を含有する窒化アルミニウ
ム膜の成膜には、ホットプレス或いは常圧焼結法で作製
したターゲットを用いた。イットリウムを含有するター
ゲットを用いてスパッタ法で成膜すると、スパッタレー
トが向上するというメリットもある。又、第１図（ｂ）
は本発明の一実施例で、基板１上に前述のようなZnS保
護層、記録膜、酸素とイットリウムを含有するAlN保護
層が順次形成され、樹脂のオーバーコート層が施された
単板構造の光ディスクである。
以上のように構成された単板構造の光ディスクにおい
て、恒温恒湿環境放置試験を行なって、保護膜に酸素と
イットリウムを含有するディスクと含有しないディスク
の劣化を比較した。光磁気ディスクでは、記録媒体の劣
化は、保磁力の低下、反射率の変化、或は孔食の発生と
して現われる。80℃80％RHでの耐候テストでは、保護膜
に酸素とイットリウムを含有する効果は、主として孔食
の発生の差として現われる。第２図に示すように窒化ア
ルミニウムのみの保護膜では約200時間で孔食が発生
し、DER（ディフェクトエラーレート）が初期値の約３
倍に増加したのに比べ保護膜に酸素とイットリウムを含
有する窒化アルミニウムを用いると、約200時間での孔
食の発生は非常に低くおさえられ、DERの増加は初期値
の1.3倍以下にとどまっている。
て、恒温恒湿環境放置試験を行なって、保護膜に酸素と
イットリウムを含有するディスクと含有しないディスク
の劣化を比較した。光磁気ディスクでは、記録媒体の劣
化は、保磁力の低下、反射率の変化、或は孔食の発生と
して現われる。80℃80％RHでの耐候テストでは、保護膜
に酸素とイットリウムを含有する効果は、主として孔食
の発生の差として現われる。第２図に示すように窒化ア
ルミニウムのみの保護膜では約200時間で孔食が発生
し、DER（ディフェクトエラーレート）が初期値の約３
倍に増加したのに比べ保護膜に酸素とイットリウムを含
有する窒化アルミニウムを用いると、約200時間での孔
食の発生は非常に低くおさえられ、DERの増加は初期値
の1.3倍以下にとどまっている。
又、酸素とイットリウムのどちらか一方を含有する保
護膜を有する場合も80℃80％RH約200時間後のDERの増加
は、酸素とイットリウムを含有しない保護膜を有するも
のに比べて小さい。孔食の発生は、保護膜中の残留応力
のために、外部環境の変化で微小クラックが生じて、そ
こから水分が侵入して、記録膜を酸化したか、或は膜中
のある元素、成分、異物などを核として、記録膜の酸化
が始まり、孔食が形成されると考えられるが、酸素とイ
ットリウムの片方又は両方を含有する窒化物を保護膜と
して用いることにより、残留応力が酸素とイットリウム
の両方又は片方を含有しない場合の1/3〜1/2に低減され
耐クラック性が向上され、水分や酸素の侵入が阻止され
て孔食の発生がおさえられると考えられる。窒化アルミ
ニウムターゲットへのイットリウムの添加量は、5at％
以下で充分である。
護膜を有する場合も80℃80％RH約200時間後のDERの増加
は、酸素とイットリウムを含有しない保護膜を有するも
のに比べて小さい。孔食の発生は、保護膜中の残留応力
のために、外部環境の変化で微小クラックが生じて、そ
こから水分が侵入して、記録膜を酸化したか、或は膜中
のある元素、成分、異物などを核として、記録膜の酸化
が始まり、孔食が形成されると考えられるが、酸素とイ
ットリウムの片方又は両方を含有する窒化物を保護膜と
して用いることにより、残留応力が酸素とイットリウム
の両方又は片方を含有しない場合の1/3〜1/2に低減され
耐クラック性が向上され、水分や酸素の侵入が阻止され
て孔食の発生がおさえられると考えられる。窒化アルミ
ニウムターゲットへのイットリウムの添加量は、5at％
以下で充分である。
また、ディスクは貼り合せ構造をとらずとも、単板構
造でもよい。また、記録膜と、記録膜の基板に遠い側の
誘電体層の間に、金属反射膜層や他の誘電体層があるよ
うな膜構造でもよい。さらに、ZnS層と記録膜層の間に
他の誘電体層があるような膜構造でもよい。
造でもよい。また、記録膜と、記録膜の基板に遠い側の
誘電体層の間に、金属反射膜層や他の誘電体層があるよ
うな膜構造でもよい。さらに、ZnS層と記録膜層の間に
他の誘電体層があるような膜構造でもよい。
発明の効果 以上のように本発明によれば、アルミニウムと窒素か
ら成る保護膜に酸素とイットリウムの少くとも一方を添
加するようにしたことにより、孔食の発生がおさえら
れ、優れた保護機能を実現することが可能となり、ま
た、記録膜より基板に近い側に大きな屈折率が得られる
ZnSを用いることで、膜厚を選ぶことにより光、あるい
は熱を効率よく利用する事ができ、良好な記録再生特性
を示す、光ディスクが得られ、その効果は大なるものが
ある。
ら成る保護膜に酸素とイットリウムの少くとも一方を添
加するようにしたことにより、孔食の発生がおさえら
れ、優れた保護機能を実現することが可能となり、ま
た、記録膜より基板に近い側に大きな屈折率が得られる
ZnSを用いることで、膜厚を選ぶことにより光、あるい
は熱を効率よく利用する事ができ、良好な記録再生特性
を示す、光ディスクが得られ、その効果は大なるものが
ある。
第１図は本発明の一実施例における基板上にZnS保護
膜、光磁気記録膜、酸素とイットリウムを含有するAlN
保護膜を有する平板状情報記録担体の断面図、第２図は
その耐候性試験によるDER（ディフェクトエラーレー
ト）の変化を示す特性図、第３図は従来例である、酸素
或はイットリウムを含有しないAlN保護膜を有する平板
状情報記録担体の断面図である。 １……基板、２……ZnS保護膜、３……記録膜、４……
酸素とイットリウムを含有するAlN保護膜。
膜、光磁気記録膜、酸素とイットリウムを含有するAlN
保護膜を有する平板状情報記録担体の断面図、第２図は
その耐候性試験によるDER（ディフェクトエラーレー
ト）の変化を示す特性図、第３図は従来例である、酸素
或はイットリウムを含有しないAlN保護膜を有する平板
状情報記録担体の断面図である。 １……基板、２……ZnS保護膜、３……記録膜、４……
酸素とイットリウムを含有するAlN保護膜。
フロントページの続き (72)発明者 児島 理恵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−290585（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−192944（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 G11B 11/10
Claims (2)
- 【請求項１】光学的、或いは磁気的に情報を記録・再生
或いは消去可能な光学的記録担体で、少なくとも平板状
基板上に形成する記録膜の前記平板状基板に近い側と遠
い側に誘電体層を有し、順次成膜する薄膜で、前記記録
膜より、前記平板状基板に近い側に形成する誘電体膜が
屈折率が2.2以上のZnSを主成分とする誘電体であり、か
つ、前記記録膜より前記平板状基板に遠い側に窒素とア
ルミニウムを主成分とし、酸素とイットリウムの片方又
は両方を含有する誘電体層を有することを特徴とする、
平板状情報記録担体。 - 【請求項２】光学的記録担体の記録膜が、希土類−遷移
金属を主成分とする請求項１記載の平板状情報記録担
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219014A JP2910036B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 平板状情報記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219014A JP2910036B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 平板状情報記録担体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266747A JPH0266747A (ja) | 1990-03-06 |
| JP2910036B2 true JP2910036B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=16728904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219014A Expired - Fee Related JP2910036B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 平板状情報記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910036B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000113426A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Tdk Corp | 薄膜デバイス、薄膜磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192944A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-24 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS62290585A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Unitika Ltd | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63219014A patent/JP2910036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0266747A (ja) | 1990-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |