JP2921864B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アクティブマトリクス液晶表示装置の構造
に関する。
に関する。
液晶表示パネルは実用化が進み、現在では高品位な画
質が得られるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
が主流になりつつある。ここでアクティブマトリクス方
式とは画素電極である液晶表示電極毎に非線形な電流−
電圧特性を示す薄膜トランジスタ（TFT）、ダイオー
ド、金属−絶縁膜−金属あるいは金属−絶縁膜−透明導
電体の３層構造からなるいわゆるMIM素子をスイッチン
グ素子として有するものである。
質が得られるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
が主流になりつつある。ここでアクティブマトリクス方
式とは画素電極である液晶表示電極毎に非線形な電流−
電圧特性を示す薄膜トランジスタ（TFT）、ダイオー
ド、金属−絶縁膜−金属あるいは金属−絶縁膜−透明導
電体の３層構造からなるいわゆるMIM素子をスイッチン
グ素子として有するものである。
本発明ではスイッチング素子としてMIM素子を有し、
基板上にICを直搭載したいわゆるチップ・オン・グラス
（Chip-On-Glass）構造（以下C.O.G.と略す）を有する
液晶表示装置を例に説明する。
基板上にICを直搭載したいわゆるチップ・オン・グラス
（Chip-On-Glass）構造（以下C.O.G.と略す）を有する
液晶表示装置を例に説明する。
MIM素子とは一般的にはTa-Ta2Ｏ5-CrあるいはTa-Ta2
Ｏ5-ITOからなり、素子の非線形的電流−電圧特性を用
い直列に配した液晶層をスイッチングして表示を行うも
のである。
Ｏ5-ITOからなり、素子の非線形的電流−電圧特性を用
い直列に配した液晶層をスイッチングして表示を行うも
のである。
ここで、前記MIM素子の絶縁膜の厚さは50nm程度に形
成するため静電耐圧が低く液晶パネル製造工程で生ずる
静電気により容易に絶縁破壊を起こし上下電極が短絡し
非線形素子として機能しなくなる。
成するため静電耐圧が低く液晶パネル製造工程で生ずる
静電気により容易に絶縁破壊を起こし上下電極が短絡し
非線形素子として機能しなくなる。
素子の静電破壊は工程中の配向処理と液晶注入後のハ
ンドリングで起こる確率が高い。第９図は従来法により
作製した液晶パネルを説明する平面図で図上ではアクテ
ィブ基板37、対向基板38、IC39を示す。ここで静電破壊
の発生部位は第９図の破線36で示すように、表示部外周
のような周囲の電極配置が変化する所や、基板上にICを
直接搭載するC.O.G.実装構造の液晶表示装置の場合、異
なるICに接続する配線が隣接する部位に設けられたスイ
ッチング素子の静電破壊が顕著である。
ンドリングで起こる確率が高い。第９図は従来法により
作製した液晶パネルを説明する平面図で図上ではアクテ
ィブ基板37、対向基板38、IC39を示す。ここで静電破壊
の発生部位は第９図の破線36で示すように、表示部外周
のような周囲の電極配置が変化する所や、基板上にICを
直接搭載するC.O.G.実装構造の液晶表示装置の場合、異
なるICに接続する配線が隣接する部位に設けられたスイ
ッチング素子の静電破壊が顕著である。
静電対策としては、従来共通電極の設置等のパターン
レイアウトによる対策及び工程中の湿度管理、作業者の
アース設置、イオンシャワー等のプロセスによる対策が
行われているが素子の静電破壊を完全に防止することは
できていない。
レイアウトによる対策及び工程中の湿度管理、作業者の
アース設置、イオンシャワー等のプロセスによる対策が
行われているが素子の静電破壊を完全に防止することは
できていない。
本発明の目的は、このような課題を解決し、アクティ
ブマトリクス方式液晶パネルの液晶表示電極に設けるス
イッチング素子を高歩留で製造することにある。
ブマトリクス方式液晶パネルの液晶表示電極に設けるス
イッチング素子を高歩留で製造することにある。
上記目的を達成するために本発明における液晶表示装
置は下記記載の構造とする。
置は下記記載の構造とする。
（イ） 行電極及び非線形な電流−電圧特性を有するス
イッチング素子及びスイッチング素子を介して行電極と
接続する画素電極を設けるアクティブ基板と、列電極及
び対向電極を設ける対向基板と、アクティブ基板上の画
素電極と対向基板上の対向電極を一定間隔で対向させ、
且つアクティブ基板と対向基板との間に充填する液晶物
質と、行電極とICとを接続する接続点と、接続点に対し
て行電極の反対側の領域にダミー電極を設ける。
イッチング素子及びスイッチング素子を介して行電極と
接続する画素電極を設けるアクティブ基板と、列電極及
び対向電極を設ける対向基板と、アクティブ基板上の画
素電極と対向基板上の対向電極を一定間隔で対向させ、
且つアクティブ基板と対向基板との間に充填する液晶物
質と、行電極とICとを接続する接続点と、接続点に対し
て行電極の反対側の領域にダミー電極を設ける。
（ロ） 行電極及び非線形な電流−電圧特性を有するス
イッチング素子及びスイッチング素子を介して行電極と
接続する画素電極を設けるアクティブ基板と、列電極及
び対向電極を設ける対向基板と、アクティブ基板上の画
素電極と対向基板上の対向電極を一定間隔で対向させ、
且つアクティブ基板と対向基板との間に充填する液晶物
質と、列電極とICとを接続する接続点と、接続点に対し
て列電極の反対側の領域にダミー電極を設ける。
イッチング素子及びスイッチング素子を介して行電極と
接続する画素電極を設けるアクティブ基板と、列電極及
び対向電極を設ける対向基板と、アクティブ基板上の画
素電極と対向基板上の対向電極を一定間隔で対向させ、
且つアクティブ基板と対向基板との間に充填する液晶物
質と、列電極とICとを接続する接続点と、接続点に対し
て列電極の反対側の領域にダミー電極を設ける。
（ハ） 行電極及び非線形な電流−電圧特性を有するス
イッチング素子及びスイッチング素子を介して行電極と
接続する画素電極を設けるアクティブ基板と、列電極及
び対向電極を設ける対向基板と、アクティブ基板上の画
素電極と対向基板上の対向電極を一定間隔で対向させ、
且つアクティブ基板と対向基板との間に充填する液晶物
質と、行電極とICとを接続する接続点と、接続点に対し
て行電極の反対側の領域にダミー電極と、列電極とICと
を接続する接続点と、接続点に対して前記列電極の反対
側の領域にダミー電極を設ける。
イッチング素子及びスイッチング素子を介して行電極と
接続する画素電極を設けるアクティブ基板と、列電極及
び対向電極を設ける対向基板と、アクティブ基板上の画
素電極と対向基板上の対向電極を一定間隔で対向させ、
且つアクティブ基板と対向基板との間に充填する液晶物
質と、行電極とICとを接続する接続点と、接続点に対し
て行電極の反対側の領域にダミー電極と、列電極とICと
を接続する接続点と、接続点に対して前記列電極の反対
側の領域にダミー電極を設ける。
〔実施例１〕 本実施例で作製したMIM素子を有するアクティブマト
リクス方式液晶表示装置を第１図に示す。
リクス方式液晶表示装置を第１図に示す。
MIM素子を形成したアクティブ基板１と対向電極を形
成した対向基板２は配向処理を施した後一定間隔を保っ
て貼り合わせ、その隙間に液晶を封入し、液晶封入領域
外に形成した行電極３上にICをハンダ導電ペーストを介
して直接搭載する。
成した対向基板２は配向処理を施した後一定間隔を保っ
て貼り合わせ、その隙間に液晶を封入し、液晶封入領域
外に形成した行電極３上にICをハンダ導電ペーストを介
して直接搭載する。
ここで、Taである行電極３はアクティブ基板１上に24
0本形成し一方はハンダ導電ペーストを介して走査側IC4
と接続し、他方は液晶表示領域５においてMIM素子を介
して画素電極と接続する。６は走査側ICの入力電極であ
る。また、ITOである列電極７は対向基板２上に320本形
成し一方はハンダ導電ペーストを介して信号側IC8と接
続し他方は液晶表示領域５において対向電極とする。
0本形成し一方はハンダ導電ペーストを介して走査側IC4
と接続し、他方は液晶表示領域５においてMIM素子を介
して画素電極と接続する。６は走査側ICの入力電極であ
る。また、ITOである列電極７は対向基板２上に320本形
成し一方はハンダ導電ペーストを介して信号側IC8と接
続し他方は液晶表示領域５において対向電極とする。
９は信号側ICの入力電極である。ここでアクティブ基
板１上の画素電極とストライプ状に形成された対向基板
２例の対向電極は１対１に対応するように重なってい
る。
板１上の画素電極とストライプ状に形成された対向基板
２例の対向電極は１対１に対応するように重なってい
る。
本発明によるITOであるダミー電極10及び11は行電極
３及び列電極７に沿ってICに接続する行電極３、走査側
ICの入力電極６、列電極７、信号側ICの入力電極９とは
電気的に接続せずに且つ行電極３と走査側ICの入力電極
６の間及び列電極７と信号側ICの入力電極９の間を通し
て設ける。
３及び列電極７に沿ってICに接続する行電極３、走査側
ICの入力電極６、列電極７、信号側ICの入力電極９とは
電気的に接続せずに且つ行電極３と走査側ICの入力電極
６の間及び列電極７と信号側ICの入力電極９の間を通し
て設ける。
次に第１図の円部101領域の拡大図を第２図に示す。
アクティブ基板上の行電極３にはMIM素子12とITOである
画素電極13が形成され、対向基板上のITOである対向電
極14と一定間隔で重なり合っている。ここで、本発明の
ダミー電極10、11は液晶表示領域５の外周に沿って一辺
当り４本ずつ形成する。またアクティブ基板上の最も外
側のダミー電極19以外にはMIM素子とTaからなるダミー
画素15に設け対向基板側の対向電極14及びダミー電極11
と対応させる。またダミー電極11はアクティブ基板上の
ダミー画素15と対応させる。
アクティブ基板上の行電極３にはMIM素子12とITOである
画素電極13が形成され、対向基板上のITOである対向電
極14と一定間隔で重なり合っている。ここで、本発明の
ダミー電極10、11は液晶表示領域５の外周に沿って一辺
当り４本ずつ形成する。またアクティブ基板上の最も外
側のダミー電極19以外にはMIM素子とTaからなるダミー
画素15に設け対向基板側の対向電極14及びダミー電極11
と対応させる。またダミー電極11はアクティブ基板上の
ダミー画素15と対応させる。
次に、MIM素子部について説明する。第３図は第２図
のMIM素子12の拡大平面図である。Taである行電極３は
その表面を陽極酸化膜であるTa2Ｏ5で被われITOである
画素電極13と重なっている。この重なり部がMIM素子で
ある。
のMIM素子12の拡大平面図である。Taである行電極３は
その表面を陽極酸化膜であるTa2Ｏ5で被われITOである
画素電極13と重なっている。この重なり部がMIM素子で
ある。
第４図は第３図のＡ−Ｂ断面を表わすもので、行電極
３とMIM素子の下部電極であるTa16はスパッタリング法
により厚さ250nm形成しフォトエッチングによりパター
ニングする。絶縁膜であるTa2Ｏ517はTa16の陽極酸化に
より厚さ50nm形成する。MIM素子の上部電極であるITO18
はスパッタリング法により厚さ200nm形成しフォトエッ
チングによりパターニングする。この時、画素電極13も
同時に形成する。
３とMIM素子の下部電極であるTa16はスパッタリング法
により厚さ250nm形成しフォトエッチングによりパター
ニングする。絶縁膜であるTa2Ｏ517はTa16の陽極酸化に
より厚さ50nm形成する。MIM素子の上部電極であるITO18
はスパッタリング法により厚さ200nm形成しフォトエッ
チングによりパターニングする。この時、画素電極13も
同時に形成する。
本発明により有効液晶表示領域内のMIM素子の絶縁膜T
a2Ｏ517が液晶表示装置の製造工程中で１パネル当り１
個でも静電破壊を起こす率は90％以上から５％以下に減
少する。これは工程中のハンドリング等で発生する静電
気がダミー配線間で放電するため有効液晶表示領域には
及ばないためである。
a2Ｏ517が液晶表示装置の製造工程中で１パネル当り１
個でも静電破壊を起こす率は90％以上から５％以下に減
少する。これは工程中のハンドリング等で発生する静電
気がダミー配線間で放電するため有効液晶表示領域には
及ばないためである。
〔実施例２〕 実施例２で作製した液晶表示装置を第５図に示す。こ
こでは、実施例１のダミー電極の中で最も外側のダミー
電極11、19を、液晶表示領域５を完全に囲むループ電極
とした。これにより有効液晶表示領域内のMIM素子の絶
縁膜が製造工程中で静電破壊を起こす率は０％となる。
こでは、実施例１のダミー電極の中で最も外側のダミー
電極11、19を、液晶表示領域５を完全に囲むループ電極
とした。これにより有効液晶表示領域内のMIM素子の絶
縁膜が製造工程中で静電破壊を起こす率は０％となる。
〔実施例３〕 本実施例で作製したMIM素子を有するアクティブマト
リクス方式液晶表示装置を第６図に示す。
リクス方式液晶表示装置を第６図に示す。
MIM素子を形成したアクティブ基板20と対向電極を形
成した対向基板21は配向処理を施した後一定間隔を保っ
て貼り合わせ、その隙間に液晶を封入し、ICを基板上に
直接搭載する。
成した対向基板21は配向処理を施した後一定間隔を保っ
て貼り合わせ、その隙間に液晶を封入し、ICを基板上に
直接搭載する。
ここで、Taである行電極群22a、22bはアクティブ基板
20上に各々240本ずつ計480本形成し各電極の一方はハン
ダ導電ペーストを介して走査側IC23a、23bに接続し、他
方は液晶表示領域24においてMIM素子を介して対向電極
と接続する。25は走査側ICの入力電極である。
20上に各々240本ずつ計480本形成し各電極の一方はハン
ダ導電ペーストを介して走査側IC23a、23bに接続し、他
方は液晶表示領域24においてMIM素子を介して対向電極
と接続する。25は走査側ICの入力電極である。
また、ITOである列電極群26a、26bは対向基板21上に
各々320本ずつ計640本形成し各電極の一方はハンダ導電
ペーストを介して信号側IC27a、27bと接続し他方は液晶
表示領域24において対向電極とする。28は信号側ICの入
力電極である。ここでアクティブ基板20上の液晶表示電
極とストライプ状に形成された対向基板21側の対向電極
は１対１に対応するように重なっている。
各々320本ずつ計640本形成し各電極の一方はハンダ導電
ペーストを介して信号側IC27a、27bと接続し他方は液晶
表示領域24において対向電極とする。28は信号側ICの入
力電極である。ここでアクティブ基板20上の液晶表示電
極とストライプ状に形成された対向基板21側の対向電極
は１対１に対応するように重なっている。
本発明によるITOであるダミー電極29は、アクティブ
基板20上において異なるICである走査側IC23a、23bに接
続する行電極群22a、22bの中で隣合う電極221aと221bに
沿ってICに接続する電極及び画素電極には電気的に接続
せずに、走査側IC23aと走査側ICの入力電極25の間及び
走査側IC23bと走査側ICの入力電極25の間を通して設け
る。また、同様にしてITOであるダミー電極30は、対向
基板上で異なるICである信号側IC27a、27bに接続する列
電極群26aと26bの中で隣合う電極261aと261bに沿ってIC
に接続する配線及び対向電極には電気的に接続せずに、
列電極群26aと信号側ICの入力電極28の間及び列電極群2
6bと信号側ICの入力電極28の間を通して設ける。
基板20上において異なるICである走査側IC23a、23bに接
続する行電極群22a、22bの中で隣合う電極221aと221bに
沿ってICに接続する電極及び画素電極には電気的に接続
せずに、走査側IC23aと走査側ICの入力電極25の間及び
走査側IC23bと走査側ICの入力電極25の間を通して設け
る。また、同様にしてITOであるダミー電極30は、対向
基板上で異なるICである信号側IC27a、27bに接続する列
電極群26aと26bの中で隣合う電極261aと261bに沿ってIC
に接続する配線及び対向電極には電気的に接続せずに、
列電極群26aと信号側ICの入力電極28の間及び列電極群2
6bと信号側ICの入力電極28の間を通して設ける。
次に第６図の円部102領域の拡大図を第７図に示す。
アクティブ基板上の行電極22にはMIM素子31とITOである
画素電極32が形成され、対向基板上のITOである対向電
極33と一定間隔で重なり合っている。ここで、本発明の
アクティブ基板上のダミー電極29は液晶表示領域24の２
辺に沿って一辺当り４本ずつ独立に形成し、その最も外
側のダミー電極34以外にはMIM素子とTaからなるダミー
画素35を設け、対向基板側の対向電極33及びダミー電極
30と対応させる。同様にして対向基板上のダミー電極30
は液晶表示領域24の残る２辺に沿って一辺当り４本ずつ
形成し、アクティブ基板側のダミー電極29と対応させ
た。また、MIM素子31は実施例１と同様の方法で作製す
る。
アクティブ基板上の行電極22にはMIM素子31とITOである
画素電極32が形成され、対向基板上のITOである対向電
極33と一定間隔で重なり合っている。ここで、本発明の
アクティブ基板上のダミー電極29は液晶表示領域24の２
辺に沿って一辺当り４本ずつ独立に形成し、その最も外
側のダミー電極34以外にはMIM素子とTaからなるダミー
画素35を設け、対向基板側の対向電極33及びダミー電極
30と対応させる。同様にして対向基板上のダミー電極30
は液晶表示領域24の残る２辺に沿って一辺当り４本ずつ
形成し、アクティブ基板側のダミー電極29と対応させ
た。また、MIM素子31は実施例１と同様の方法で作製す
る。
本発明により有効液晶表示領域内のMIM素子の絶縁膜T
a2Ｏ5が液晶表示装置の製造工程中で１パネル当り１個
でも静電破壊を起こす率は95％以上から５％以下に減少
する。これは工程中のハンドリング等で発生する静電気
がダミー電極間で放電するため有効液晶表示領域には及
ばないためと基板上の異なるICにつながる隣接電極つま
り第６図の隣合う電極221a、221b間または隣合う電極26
1a、261b間で電位差が生じにくくなるためである。
a2Ｏ5が液晶表示装置の製造工程中で１パネル当り１個
でも静電破壊を起こす率は95％以上から５％以下に減少
する。これは工程中のハンドリング等で発生する静電気
がダミー電極間で放電するため有効液晶表示領域には及
ばないためと基板上の異なるICにつながる隣接電極つま
り第６図の隣合う電極221a、221b間または隣合う電極26
1a、261b間で電位差が生じにくくなるためである。
〔実施例４〕 実施例４で作製した液晶表示装置を第８図に示す。こ
こでは、実施例３のダミー電極の中で最も外側のダミー
電極30、34を、液晶表示領域５を完全に囲むループ電極
とする。これにより有効液晶表示領域内のMIM素子の絶
縁膜が製造工程中で静電破壊を起こす率は０％となる。
こでは、実施例３のダミー電極の中で最も外側のダミー
電極30、34を、液晶表示領域５を完全に囲むループ電極
とする。これにより有効液晶表示領域内のMIM素子の絶
縁膜が製造工程中で静電破壊を起こす率は０％となる。
〔実施例５〕 本発明ではスイッチング素子としてMIM素子を代表例
として上げたが、薄膜トランジスタ素子のゲート絶縁膜
の静電破壊あるいはダイオード素子の半導体膜の静電破
壊にも有効である。また基板上に３個以上のICを搭載す
る場合にも有効である。またフレキシブル・プリンテッ
ド・サーキット（Flexible Printed Circuit）（F.P.
C.）等を用いたC.O.G.以外の実装方式でも有効である。
本発明によるF.P.C.実装の液晶表示装置を第10図に示
す。図中ではアクティブ基板40、対向基板41、ダミー電
極42、F.P.C.43、IC44を表わしている。
として上げたが、薄膜トランジスタ素子のゲート絶縁膜
の静電破壊あるいはダイオード素子の半導体膜の静電破
壊にも有効である。また基板上に３個以上のICを搭載す
る場合にも有効である。またフレキシブル・プリンテッ
ド・サーキット（Flexible Printed Circuit）（F.P.
C.）等を用いたC.O.G.以外の実装方式でも有効である。
本発明によるF.P.C.実装の液晶表示装置を第10図に示
す。図中ではアクティブ基板40、対向基板41、ダミー電
極42、F.P.C.43、IC44を表わしている。
本発明のダミー電極により、アクティブマトリクス方
式液晶表示装置に設けるスイッチング素子の静電破壊を
防止し高歩留な液晶表示装置を得ることが可能となる。
式液晶表示装置に設けるスイッチング素子の静電破壊を
防止し高歩留な液晶表示装置を得ることが可能となる。
第１図および第２図はいずれも本発明の第１の実施例に
おける液晶表示装置を示す平面図、第３図および第４図
はいずれもMIM素子を示し第３図は平面図、第４図は第
３図のＡ−Ｂ断面を示す断面図、第５図は本発明の第２
の実施例における液晶表示装置を示す平面図、第６図お
よび第７図はいずれも本発明の第３の実施例における液
晶表示装置を示す平面図、第８図は本発明の第４の実施
例における液晶表示装置を示す平面図、第９図は従来例
の液晶表示装置における課題を説明するための平面図、
第10図は本発明の第５の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。 １……アクティブ基板、２……対向基板、３……行電
極、７……列電極、10、11……ダミー電極。
おける液晶表示装置を示す平面図、第３図および第４図
はいずれもMIM素子を示し第３図は平面図、第４図は第
３図のＡ−Ｂ断面を示す断面図、第５図は本発明の第２
の実施例における液晶表示装置を示す平面図、第６図お
よび第７図はいずれも本発明の第３の実施例における液
晶表示装置を示す平面図、第８図は本発明の第４の実施
例における液晶表示装置を示す平面図、第９図は従来例
の液晶表示装置における課題を説明するための平面図、
第10図は本発明の第５の実施例における液晶表示装置を
示す平面図である。 １……アクティブ基板、２……対向基板、３……行電
極、７……列電極、10、11……ダミー電極。
Claims (10)
- 【請求項１】アクティブ基板と、対向基板と、これらア
クティブ基板と対向基板とのあいだに封入する液晶とを
備え、 上記アクティブ基板は、複数の行電極と、その行電極に
スイッチング素子を介して接続する画素電極と、入力電
極と、その入力電極と上記行電極とに接続するICとを有
し、 上記対向基板は、複数の列電極と、対向電極とを有し、 上記画素電極と上記対向電極とが上記液晶を介して対向
する領域を液晶表示領域とし、 上記アクティブ基板には、上記行電極の外側にあって上
記行電極と平行であるダミー電極と、上記ICの接続領域
である上記入力電極と上記行電極とのあいだにあるダミ
ー電極とを、上記液晶表示領域の外側の３辺に連続する
ように形成する ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】上記ICは、 上記アクティブ基板に複数個設け、 上記ICに上記行電極を接続し、 異なる上記ICに接続する隣り合う上記行電極の外側に沿
ってダミー電極を形成することを特徴とする請求項１に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】アクティブ基板と、対向基板と、これらア
クティブ基板と対向基板とのあいだに封入する液晶とを
備え、 上記アクティブ基板は、複数の行電極と、その行電極に
スイッチング素子を介して接続する画素電極とを有し、 上記対向基板は、複数の列電極と、対向電極と、入力電
極と、その入力電極と上記列電極とに接続するICとを有
し、 上記画素電極と上記対向電極とが上記液晶を介して対向
する領域を液晶表示領域とし、 上記対向基板には、上記列電極の外側にあって上記列電
極と平行であるダミー電極と、上記ICの接続領域である
上記入力電極と上記列電極とのあいだにあるダミー電極
とを、上記液晶表示領域の外側の３辺に連続するように
形成する ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】上記ICは、 上記対向基板に複数個設け、 上記ICに上記列電極を接続し、 異なる上記ICに接続する隣り合う上記列電極の外側に沿
ってダミー電極を形成することを特徴とする請求項３に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】上記ダミー電極は、 上記液晶表示領域の外側の４辺を囲むように形成する ことを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項６】上記ダミー電極は、 複数本で構成する ことを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項７】アクティブ基板と、対向基板と、これらア
クティブ基板と対向基板とのあいだに封入する液晶とを
備え、 上記アクティブ基板は、複数の行電極と、その行電極に
スイッチング素子を介して接続する画素電極と、第１の
入力電極と、その第１の入力電極と上記行電極とに接続
する第１のICとを有し、 上記対向基板は、複数の列電極と、対向電極と、第２の
入力電極と、その第２の入力電極と上記列電極とに接続
する第２のICとを有し、 上記画素電極と上記対向電極とが上記液晶を介して対向
する領域を液晶表示領域とし、 上記アクティブ基板には、上記行電極の外側にあって上
記行電極と平行である第１のダミー電極と、上記第１の
ICの接続領域である上記第１の入力電極と上記行電極と
のあいだにある第１のダミー電極とを、上記液晶表示領
域の外側の３辺に連続するように形成し、 上記対向基板には、上記列電極の外側にあって上記列電
極と平行である第２のダミー電極と、上記第２のICの接
続領域である上記第２の入力電極と上記列電極とのあい
だにある第２のダミー電極とを、上記液晶表示領域の外
側の３辺に連続するように形成する ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】上記第１のICと上記第２のICとは、 それぞれ上記アクティブ基板と上記対向基板とに複数個
設け、 上記第１のICに上記行電極を接続し、 上記第２のICに上記列電極を接続し、 異なる上記第１のICに接続する隣り合う上記行電極の外
側に沿って第１のダミー電極を形成し、 異なる上記第２のICに接続する隣り合う上記列電極の外
側に沿って第２のダミー電極を形成する ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】上記第１のダミー電極と上記第２のダミー
電極とは、 それぞれ上記液晶表示領域の外側の４辺を囲むように形
成する ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】上記第１のダミー電極と上記第２のダミ
ー電極とは、 それぞれ複数本で構成する ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18123189A JP2921864B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18123189A JP2921864B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345934A JPH0345934A (ja) | 1991-02-27 |
| JP2921864B2 true JP2921864B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=16097097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18123189A Expired - Lifetime JP2921864B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2921864B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2916824B2 (ja) * | 1991-05-31 | 1999-07-05 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2697626B2 (ja) * | 1994-09-07 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 位相同期回路のロック検出器 |
| JP3085633B2 (ja) * | 1994-11-08 | 2000-09-11 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| JP5043072B2 (ja) * | 1997-10-14 | 2012-10-10 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置用基板、液晶表示装置及びその製造方法 |
| CN101251986B (zh) * | 2004-07-26 | 2012-01-04 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置 |
| JP4639167B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2011-02-23 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JP2007108790A (ja) * | 2007-01-10 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 表示装置 |
| JP6503721B2 (ja) | 2014-12-12 | 2019-04-24 | 三菱電機株式会社 | アレイ基板およびそれを用いた表示装置 |
| JP7320407B2 (ja) * | 2019-08-26 | 2023-08-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP18123189A patent/JP2921864B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0345934A (ja) | 1991-02-27 |
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