JP2924191B2 - 半導体基板エッチング装置 - Google Patents
半導体基板エッチング装置Info
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- JP2924191B2 JP2924191B2 JP133691A JP133691A JP2924191B2 JP 2924191 B2 JP2924191 B2 JP 2924191B2 JP 133691 A JP133691 A JP 133691A JP 133691 A JP133691 A JP 133691A JP 2924191 B2 JP2924191 B2 JP 2924191B2
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- Japan
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- semiconductor substrate
- chamber
- gas
- etching
- supply port
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造工程に使用さ
れる半導体基板エッチング装置に関し、特に半導体基板
のウェットエッチング装置に関する。
れる半導体基板エッチング装置に関し、特に半導体基板
のウェットエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板エッチング装置は、図
２の構成断面図に示すように、エッチング処理部と外気
とを分離する密閉式のチャンバー１と、チャンバー１内
の雰囲気を外部に排出する排気口１２と、チャンバー１
内の液体を排出する排液口１１と、チャンバー１内で半
導体基板２を水平に保持し円周方向に回転するスピンチ
ャック９と、スピンチャック９とチャンバー１をシール
する軸シール１０と、エッチング液又は水洗液を半導体
基板２の表面に供給する吐出ノズル８とを有している。
以下に、動作について説明する。スピンチャック９に半
導体基板２を搭載させた状態で、スピンチャック９を回
転させながら、吐出ノズル８からエッチング液又は水洗
液を吐出させ、エッチング又は水洗処理を行う。このと
き、排気口１２、排液口１１からの排出は常に行われて
いる。
２の構成断面図に示すように、エッチング処理部と外気
とを分離する密閉式のチャンバー１と、チャンバー１内
の雰囲気を外部に排出する排気口１２と、チャンバー１
内の液体を排出する排液口１１と、チャンバー１内で半
導体基板２を水平に保持し円周方向に回転するスピンチ
ャック９と、スピンチャック９とチャンバー１をシール
する軸シール１０と、エッチング液又は水洗液を半導体
基板２の表面に供給する吐出ノズル８とを有している。
以下に、動作について説明する。スピンチャック９に半
導体基板２を搭載させた状態で、スピンチャック９を回
転させながら、吐出ノズル８からエッチング液又は水洗
液を吐出させ、エッチング又は水洗処理を行う。このと
き、排気口１２、排液口１１からの排出は常に行われて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体基板
エッチング装置では、チャンバーが密閉式であることか
ら排気効率が悪く、吐出ノズルからの吐出を停止させて
も、チャンバー内にエッチング液又は水洗液のミストが
滞流し、半導体基板に付着する。付着したミストは後処
理で除去されないことから、歩留りの低下をひき起すと
いう問題点があった。
エッチング装置では、チャンバーが密閉式であることか
ら排気効率が悪く、吐出ノズルからの吐出を停止させて
も、チャンバー内にエッチング液又は水洗液のミストが
滞流し、半導体基板に付着する。付着したミストは後処
理で除去されないことから、歩留りの低下をひき起すと
いう問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板エッ
チング装置は、エッチング処理を行なうチャンバーの上
面部に設けられた気体の送気口に気体を送り込むファン
と、この送気口に設けられ送気された気体を濾過するフ
ィルター及びイオン化する除電装置と、チャンバーの底
部に位置し送気口から送り込んだ気体及びそのミストを
滞流なくチャンバーから排出する排出口とを備えてい
る。
チング装置は、エッチング処理を行なうチャンバーの上
面部に設けられた気体の送気口に気体を送り込むファン
と、この送気口に設けられ送気された気体を濾過するフ
ィルター及びイオン化する除電装置と、チャンバーの底
部に位置し送気口から送り込んだ気体及びそのミストを
滞流なくチャンバーから排出する排出口とを備えてい
る。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の構成断面図である。チャ
ンバー１は、半導体基板２のをウェットエッチング又は
水洗する部屋であり、ファン３はチャンバー１外の空気
をチャンバー１内に送気するものであり、耐酸ヘパフィ
ルター４はファン３から送られた空気中の塵埃を除去す
るもので、除電装置５は耐酸ヘパフィルター４を通過し
た空気を正負にイオン化するものであり、送気口６はチ
ャンバー１内の気流を下方向に流し滞流をなくするもの
であり、排出口７は吐出ノズル８から吐出したエッチン
グ液又は水洗液と送気口６から送気された空気とを、チ
ャンバー１外に排出するものである。また、スピンチャ
ック９は半導体基板２を水平に保持し、円周方向に回転
するものであり、軸シール１０はスピンチャック９とチ
ャンバー１とのシールを行なうものである。
る。図１は本発明の一実施例の構成断面図である。チャ
ンバー１は、半導体基板２のをウェットエッチング又は
水洗する部屋であり、ファン３はチャンバー１外の空気
をチャンバー１内に送気するものであり、耐酸ヘパフィ
ルター４はファン３から送られた空気中の塵埃を除去す
るもので、除電装置５は耐酸ヘパフィルター４を通過し
た空気を正負にイオン化するものであり、送気口６はチ
ャンバー１内の気流を下方向に流し滞流をなくするもの
であり、排出口７は吐出ノズル８から吐出したエッチン
グ液又は水洗液と送気口６から送気された空気とを、チ
ャンバー１外に排出するものである。また、スピンチャ
ック９は半導体基板２を水平に保持し、円周方向に回転
するものであり、軸シール１０はスピンチャック９とチ
ャンバー１とのシールを行なうものである。
【０００６】次に動作について説明する。ファン３によ
り送気された空気は、耐酸ヘパフィルター４を通過する
ことにより塵埃が除去され、除電装置５により正負にイ
オン化される。この空気は送気口６からチャンバー１内
に送気され、チャンバー１底部の排出口７から排出され
る。従って、チャンバー１内の気流は停滞なく常に下方
向に保たれるとともに、チャンバー１内部の除電が行わ
れる。
り送気された空気は、耐酸ヘパフィルター４を通過する
ことにより塵埃が除去され、除電装置５により正負にイ
オン化される。この空気は送気口６からチャンバー１内
に送気され、チャンバー１底部の排出口７から排出され
る。従って、チャンバー１内の気流は停滞なく常に下方
向に保たれるとともに、チャンバー１内部の除電が行わ
れる。
【０００７】この状態は、半導体基板処理の有無にかか
わらず常に保たれるものである。この状態の下で、スピ
ンチャック９に半導体基板２を搭載し、スピンチャック
９を回転させながら、吐出ノズル８からエッチング液を
吐出し、半導体基板２のウェットエッチング処理を行う
ものである。また、吐出ノズル８から洗浄液を吐出させ
れば洗浄処理となり、超純水を吐出させれば水洗処理、
何も吐出させずに、スピンチャック９を高速回転させれ
ば乾燥処理となる。
わらず常に保たれるものである。この状態の下で、スピ
ンチャック９に半導体基板２を搭載し、スピンチャック
９を回転させながら、吐出ノズル８からエッチング液を
吐出し、半導体基板２のウェットエッチング処理を行う
ものである。また、吐出ノズル８から洗浄液を吐出させ
れば洗浄処理となり、超純水を吐出させれば水洗処理、
何も吐出させずに、スピンチャック９を高速回転させれ
ば乾燥処理となる。
【０００８】次に、他の実施例として、ファン３を使用
せずに、加圧窒素を使用する場合について説明する。構
成は図１と同様であり、相違点はファン３の代わりに加
圧窒素配管が接続される点のみである。
せずに、加圧窒素を使用する場合について説明する。構
成は図１と同様であり、相違点はファン３の代わりに加
圧窒素配管が接続される点のみである。
【０００９】本実施例における効果は、空気の場合と異
なり、窒素の純度が安定して高いということと、不活性
ガスであるということにより、半導体基板への不純物の
付着や半導体基板表面での気相反応の恐れがなく、より
信頼生の高い処理が望めることである。
なり、窒素の純度が安定して高いということと、不活性
ガスであるということにより、半導体基板への不純物の
付着や半導体基板表面での気相反応の恐れがなく、より
信頼生の高い処理が望めることである。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、チャンバ
ーの上面部に送気口を、底部に排出口を設け、チャンバ
ー内の雰囲気を強制的に下方向の流れにしてチャンバー
外に放出するようにしたので、チャンバー内で発生した
塵埃やエッチング液及び水洗液のミストの停滞による半
導体基板への付着量を大幅に低減できるという効果を有
する。また、強制下方気流を除電装置によりイオン化し
たので、上記効果をより一層高めることができる。
ーの上面部に送気口を、底部に排出口を設け、チャンバ
ー内の雰囲気を強制的に下方向の流れにしてチャンバー
外に放出するようにしたので、チャンバー内で発生した
塵埃やエッチング液及び水洗液のミストの停滞による半
導体基板への付着量を大幅に低減できるという効果を有
する。また、強制下方気流を除電装置によりイオン化し
たので、上記効果をより一層高めることができる。
【図１】本発明の一実施例の構成断面図である。
【図２】従来の半導体基板エッチング装置の構成断面図
である。
である。
１ チャンバー ２ 半導体基板 ３ ファン ４ 耐酸ヘパフィルター ５ 除電装置 ６ 送気口 ７ 排出口 ８ 吐出ノズル ９ スピンチャック １０ 軸シール １１ 排液口 １２ 排気口
Claims (1)
- 【請求項１】 回転するスピンチャックに半導体基板を
搭載し、この基板の表面に向けてエッチング液及び水洗
液を吐出し、エッチング処理を行う半導体基板エッチン
グ装置において、エッチング処理を行なうチャンバーの
上面部に設けられた気体の送気口と、この送気口に外部
から気体を送り込むファンと、この送気口に設けられ前
記気体をイオン化させる除電装置及び前記気体の塵埃を
除去するフィルターと、前記チャンバーの底部に位置し
チャンバー内の気体及び液体を外部に排出する排出口と
を備えることを特徴とする半導体基板エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP133691A JP2924191B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体基板エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP133691A JP2924191B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体基板エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287923A JPH04287923A (ja) | 1992-10-13 |
| JP2924191B2 true JP2924191B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=11498660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP133691A Expired - Lifetime JP2924191B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体基板エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924191B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113188610B (zh) * | 2021-06-30 | 2021-09-24 | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 | 一种半导体片材的表面缺陷及厚度检测装置及方法 |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP133691A patent/JP2924191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04287923A (ja) | 1992-10-13 |
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