JP2924433B2 - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信に用いられる分布
帰還型の半導体レーザ及びその製造方法に関する。
帰還型の半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コヒーレント光伝送方式は、直接検波方
式に比べて受信感度が高くとれることから長距離の伝送
方式として注目されている。その中でも実現性の高いＦ
ＳＫ方式においては、半導体レーザを直接変調して、発
振周波数を変化させる。そこでは周波数揺らぎが少な
い、すなわち発振スペクトル線幅が狭いことと同時に周
波数変調（ＦＭ）の変調効率が高く、平坦なＦＭ応答特
性を有する単一波長光源が要求される。コヒーレント伝
送用の光源として分布帰還型半導体レーザ（以下ＤＦＢ
−ＬＤと略す）が用いられ、これまでにいくつかの伝送
実験結果が報告されている。中でも量子井戸構造の活性
層を有するＤＦＢ−ＬＤ（以下ＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤと
略す）は線幅増大係数の低減効果を反映して、狭スペク
トル線幅動作することからコヒーレント伝送用光源とし
て特に有望視されている。
式に比べて受信感度が高くとれることから長距離の伝送
方式として注目されている。その中でも実現性の高いＦ
ＳＫ方式においては、半導体レーザを直接変調して、発
振周波数を変化させる。そこでは周波数揺らぎが少な
い、すなわち発振スペクトル線幅が狭いことと同時に周
波数変調（ＦＭ）の変調効率が高く、平坦なＦＭ応答特
性を有する単一波長光源が要求される。コヒーレント伝
送用の光源として分布帰還型半導体レーザ（以下ＤＦＢ
−ＬＤと略す）が用いられ、これまでにいくつかの伝送
実験結果が報告されている。中でも量子井戸構造の活性
層を有するＤＦＢ−ＬＤ（以下ＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤと
略す）は線幅増大係数の低減効果を反映して、狭スペク
トル線幅動作することからコヒーレント伝送用光源とし
て特に有望視されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】長距離、大容量のコヒ
ーレント伝送用光源として、本願の発明者らがλ／４シ
フトＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤを実際に試作、評価を行った
結果、多数の素子は線幅、ＦＭ応答特性とも良好な結果
を示したが、一部の素子ではＦＭ変調効率が低いという
問題が認められた。ＦＭ応答の良好な素子では、低域の
ディップ周波数が１−５０ｋＨｚであり、１ＭＨｚから
２ＧＨｚの周波数範囲において２００−３００ＭＨｚ／
ｍＡ程度の高いＦＭ変調効率を示したが、一部の素子で
はＦＭ変調効率が１００−１５０ＭＨｚ／ｍＡ程度以下
と低いものや、１ＧＨｚ付近の高周波領域からＦＭ変調
効率が急激に低減するものがあり、例えば２．５Ｇｂ／
ｓのシステムに適用する場合、所望の周波数変位量を得
るのが容易ではなかった。
ーレント伝送用光源として、本願の発明者らがλ／４シ
フトＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤを実際に試作、評価を行った
結果、多数の素子は線幅、ＦＭ応答特性とも良好な結果
を示したが、一部の素子ではＦＭ変調効率が低いという
問題が認められた。ＦＭ応答の良好な素子では、低域の
ディップ周波数が１−５０ｋＨｚであり、１ＭＨｚから
２ＧＨｚの周波数範囲において２００−３００ＭＨｚ／
ｍＡ程度の高いＦＭ変調効率を示したが、一部の素子で
はＦＭ変調効率が１００−１５０ＭＨｚ／ｍＡ程度以下
と低いものや、１ＧＨｚ付近の高周波領域からＦＭ変調
効率が急激に低減するものがあり、例えば２．５Ｇｂ／
ｓのシステムに適用する場合、所望の周波数変位量を得
るのが容易ではなかった。
【０００４】本発明の目的は上記の観点にたって、広い
周波数範囲で、高いＦＭ変調効率を有するＤＦＢ−ＬＤ
を安定に実現するための半導体レーザ構造及びその製造
方法を提供することにある。
周波数範囲で、高いＦＭ変調効率を有するＤＦＢ−ＬＤ
を安定に実現するための半導体レーザ構造及びその製造
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明が提供する半導体レーザ及びその製造方法は
以下の通りである。 （１）発光再結合する活性層に隣接して、位相シフト領
域を有する回折格子が形成された分布帰還型の半導体レ
ーザにおいて、前記活性層がウェル層、バリア層および
ガイド層からなる量子井戸構造を有し、前記位相シフト
領域付近において他の領域よりもガイド層とバリア層の
伝導帯下端が高いことを特徴とする半導体レーザ。 （２）位相シフト領域を有する回折格子が形成された半
導体基板上にストライプ状の絶縁膜を形成し、該ストラ
イプ状絶縁膜のあいだの挟まれた領域に気相成長法によ
り選択的に活性層などの半導体層を成長する工程を含む
半導体レーザの製造方法において、前記絶縁膜が前記位
相シフト領域付近において、他の領域よりも幅を狭く形
成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
めに本発明が提供する半導体レーザ及びその製造方法は
以下の通りである。 （１）発光再結合する活性層に隣接して、位相シフト領
域を有する回折格子が形成された分布帰還型の半導体レ
ーザにおいて、前記活性層がウェル層、バリア層および
ガイド層からなる量子井戸構造を有し、前記位相シフト
領域付近において他の領域よりもガイド層とバリア層の
伝導帯下端が高いことを特徴とする半導体レーザ。 （２）位相シフト領域を有する回折格子が形成された半
導体基板上にストライプ状の絶縁膜を形成し、該ストラ
イプ状絶縁膜のあいだの挟まれた領域に気相成長法によ
り選択的に活性層などの半導体層を成長する工程を含む
半導体レーザの製造方法において、前記絶縁膜が前記位
相シフト領域付近において、他の領域よりも幅を狭く形
成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【０００６】
【作用】ＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤのＦＭ応答特性に関して
評価、解析を進めた結果、本願の発明者らは以下の知見
を得た。 （１）ＦＭ応答の周波数特性を評価した結果、図２に示
すようなκＬ依存性が認められた。これは以下の２つの
効果によると考えている。ひとつは、κＬの大きな素子
ほど光の電界が素子中央の位相シフト位置に集中し、共
振器内部の光子密度が高くなるため非線形利得の効果に
よって低周波域でのＦＭ変調効率が高くなること。２つ
めは、軸方向ホールバーニングの効果によって、等価的
な位相シフト量が変動し、それにともなってしきい値利
得も変化するため波長の変動量、すなわちＦＭ変調効率
がさらに高くなる。そのような現象は、注入電流の変動
が生じた場合、定状状態に落ちつくまでには共振器内部
の電界分布とキャリア密度分布が全体として平衡するだ
けの時間が必要であり、それは通常のキャリアライフタ
イムよりも長い応答時間で、そのため高周波域でＦＭ変
調効率が低下する。 （２）図３に示すように、ＦＭ変調効率がＭＱＷ活性層
及び両わきのガイド層を含む活性導波路厚の増加にとも
なって増大するという実験結果を得た。これはガイド層
にオーバーフローしたキャリアの量が増えるため、そこ
での屈折率変化量が大きくなり、同時に素子全体でみた
ときの利得変化量が相対的に小さくなるためと考えられ
る。
評価、解析を進めた結果、本願の発明者らは以下の知見
を得た。 （１）ＦＭ応答の周波数特性を評価した結果、図２に示
すようなκＬ依存性が認められた。これは以下の２つの
効果によると考えている。ひとつは、κＬの大きな素子
ほど光の電界が素子中央の位相シフト位置に集中し、共
振器内部の光子密度が高くなるため非線形利得の効果に
よって低周波域でのＦＭ変調効率が高くなること。２つ
めは、軸方向ホールバーニングの効果によって、等価的
な位相シフト量が変動し、それにともなってしきい値利
得も変化するため波長の変動量、すなわちＦＭ変調効率
がさらに高くなる。そのような現象は、注入電流の変動
が生じた場合、定状状態に落ちつくまでには共振器内部
の電界分布とキャリア密度分布が全体として平衡するだ
けの時間が必要であり、それは通常のキャリアライフタ
イムよりも長い応答時間で、そのため高周波域でＦＭ変
調効率が低下する。 （２）図３に示すように、ＦＭ変調効率がＭＱＷ活性層
及び両わきのガイド層を含む活性導波路厚の増加にとも
なって増大するという実験結果を得た。これはガイド層
にオーバーフローしたキャリアの量が増えるため、そこ
での屈折率変化量が大きくなり、同時に素子全体でみた
ときの利得変化量が相対的に小さくなるためと考えられ
る。
【０００７】以上のことからガイド層を厚く、かつκＬ
を小さく設定することにより、ＦＭ変調効率が高く、同
時に周波数応答が平坦なＦＭ変調特性を実現することが
可能になると考えられる。しかし、κＬの値を小さくし
過ぎるとしきい値利得が増大するため、しきい値電流、
したがって動作電流の増加を招いてしまう。
を小さく設定することにより、ＦＭ変調効率が高く、同
時に周波数応答が平坦なＦＭ変調特性を実現することが
可能になると考えられる。しかし、κＬの値を小さくし
過ぎるとしきい値利得が増大するため、しきい値電流、
したがって動作電流の増加を招いてしまう。
【０００８】そこで本発明の主旨はしきい値利得を余り
高くせずに軸方向ホールバーニングの効果を低減して、
平坦なＦＭ応答特性を実現することにある。そのために
は光の電界が集中する位相シフト領域付近において、電
界とキャリアの相互作用を低減してやれば良い。上述の
（２）の知見からガイド層へのキャリア漏れがＦＭ応答
特性に大きな影響を及ぼしていることがわかり、ＦＭ変
調効率を大きくするにはキャリア漏れ量をある程度生じ
させておくことが重要である。そこで、電界の集中する
部分でガイド層のエネルギーギャップを高くすることに
よって、そのキャリア漏れ量を低減してやれば、回折格
子との光の給合がある程度大きくても、軸方向ホールバ
ーニングの影響を抑制し、したがって、しきい値利得を
余り上昇させずにＦＭ変調効率が高く、かつ平坦な周波
数応答を有するＦＭ変調特性を実現することができる。
高くせずに軸方向ホールバーニングの効果を低減して、
平坦なＦＭ応答特性を実現することにある。そのために
は光の電界が集中する位相シフト領域付近において、電
界とキャリアの相互作用を低減してやれば良い。上述の
（２）の知見からガイド層へのキャリア漏れがＦＭ応答
特性に大きな影響を及ぼしていることがわかり、ＦＭ変
調効率を大きくするにはキャリア漏れ量をある程度生じ
させておくことが重要である。そこで、電界の集中する
部分でガイド層のエネルギーギャップを高くすることに
よって、そのキャリア漏れ量を低減してやれば、回折格
子との光の給合がある程度大きくても、軸方向ホールバ
ーニングの影響を抑制し、したがって、しきい値利得を
余り上昇させずにＦＭ変調効率が高く、かつ平坦な周波
数応答を有するＦＭ変調特性を実現することができる。
【０００９】
【実施例】以下実施例を示す図面を用いて本発明をより
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例であるＤＦＢ
−ＬＤの製造工程を示すための平面図、及び素子断面図
である。このようなＤＦＢ−ＬＤを作製するにはまず、
回折格子（周期２４００Å）を表面に形成した（１０
０）面方位を有するｐ−ＩｎＰ基板１上にＣＶＤ法によ
り厚さ約２０００ÅのＳｉＯ2 膜を形成し、図１（ａ）
に示すように広い部分の幅８μｍ、狭い部分の幅６μｍ
の平行なストライプ状に間隔２μｍでパターニングし、
ＳｉＯ2 のマスク２を形成する。ここでマスク２の長手
方向は回折格子の繰り返し方向と同じ方向とし、狭い部
分は長さ１００μｍ、くりかえし９００μｍとした。位
相シフト領域はマスクの幅の狭い部分の中央に位置する
ようにした。このような基板１上にＭＯＶＰＥ法によ
り、マスク２の幅の広い領域に挟まれる部分で、発光波
長１．３μｍ組成のｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層３を厚
さ１５００Å、ノンドープＩｎＰスペーサ層４を厚さ５
００Å、両わきのガイド層を含むＭＱＷ活性導波路層
５、ｎ−ＩｎＰクラッド層６を厚さ３０００Å成長する
（図１（ｂ））。成長後の回折格子深さは約２５０Å、
結合係数としては約３０ｃｍ-1とした。ＭＱＷ活性導波
路層５は７０Å厚のＩｎＧａＡｓウェル層を厚さ１００
Åのバリア層（１．３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ）で挟
み、さらにその両わきを１５００Å厚のガイド層（１．
３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ）で挟んだ構造とした。さら
にマスク２の一部をストライプ状にエッチングし、ＭＱ
Ｗ活性導波路層５をおおうように幅６μｍの領域にｎ−
ＩｎＰクラッド層７を厚さ２μｍ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層８（１．３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ）を厚
さ０．５μｍ成長した（図１（ｃ））。このとき、素子
中央の位相シフト領域ではＭＱＷウェル層の両わきのガ
イド層厚は約１３００Å、液晶組成として１．２５μｍ
相当となり、レーザ発振させた場合にその部分でのキャ
リア漏れ量が相対的に少なく、軸方向ホールバーニング
が抑制された構造となった。以上のように成長したレー
ザウェハに全面にＳｉＯ2 膜９を形成し、ＭＱＷ活性層
上面のコンタクト層８の部分のみ窓明けした後、成長層
側、基板側両方に、電極を形成して、所望のＭＱＷ−Ｄ
ＦＢ−ＬＤを得る。
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例であるＤＦＢ
−ＬＤの製造工程を示すための平面図、及び素子断面図
である。このようなＤＦＢ−ＬＤを作製するにはまず、
回折格子（周期２４００Å）を表面に形成した（１０
０）面方位を有するｐ−ＩｎＰ基板１上にＣＶＤ法によ
り厚さ約２０００ÅのＳｉＯ2 膜を形成し、図１（ａ）
に示すように広い部分の幅８μｍ、狭い部分の幅６μｍ
の平行なストライプ状に間隔２μｍでパターニングし、
ＳｉＯ2 のマスク２を形成する。ここでマスク２の長手
方向は回折格子の繰り返し方向と同じ方向とし、狭い部
分は長さ１００μｍ、くりかえし９００μｍとした。位
相シフト領域はマスクの幅の狭い部分の中央に位置する
ようにした。このような基板１上にＭＯＶＰＥ法によ
り、マスク２の幅の広い領域に挟まれる部分で、発光波
長１．３μｍ組成のｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層３を厚
さ１５００Å、ノンドープＩｎＰスペーサ層４を厚さ５
００Å、両わきのガイド層を含むＭＱＷ活性導波路層
５、ｎ−ＩｎＰクラッド層６を厚さ３０００Å成長する
（図１（ｂ））。成長後の回折格子深さは約２５０Å、
結合係数としては約３０ｃｍ-1とした。ＭＱＷ活性導波
路層５は７０Å厚のＩｎＧａＡｓウェル層を厚さ１００
Åのバリア層（１．３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ）で挟
み、さらにその両わきを１５００Å厚のガイド層（１．
３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ）で挟んだ構造とした。さら
にマスク２の一部をストライプ状にエッチングし、ＭＱ
Ｗ活性導波路層５をおおうように幅６μｍの領域にｎ−
ＩｎＰクラッド層７を厚さ２μｍ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層８（１．３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ）を厚
さ０．５μｍ成長した（図１（ｃ））。このとき、素子
中央の位相シフト領域ではＭＱＷウェル層の両わきのガ
イド層厚は約１３００Å、液晶組成として１．２５μｍ
相当となり、レーザ発振させた場合にその部分でのキャ
リア漏れ量が相対的に少なく、軸方向ホールバーニング
が抑制された構造となった。以上のように成長したレー
ザウェハに全面にＳｉＯ2 膜９を形成し、ＭＱＷ活性層
上面のコンタクト層８の部分のみ窓明けした後、成長層
側、基板側両方に、電極を形成して、所望のＭＱＷ−Ｄ
ＦＢ−ＬＤを得る。
【００１０】このように作製したＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤ
を位相シフト領域が素子中央に位置するように長さ９０
０μｍに切り出し、両端面にＡＲコート膜を形成して、
特性を評価したところ、１．５５μｍ帯の発振波長で、
発振しきい値電流２５ｍＡ、微分効率０．２Ｗ／Ａ、最
大出力５０ｍＷ以上、３０ｍＷ光出力時におけるスペク
トル線幅０．５−１ＭＨｚ程度の良好な性能の素子が再
現性よく得られた。またＦＭ変調特性を評価したとこ
ろ、ＭＱＷウェル層を挟むガイド層が十分厚いことから
３００ＭＨｚ／ｍＡ程度の比較的高いＦＭ変調効率を得
る得るとともに、電界の集中する位相シフト部分で、ガ
イド層に漏れだしたキャリアの量が少ないため、軸方向
ホールバーニングの効果も低減され、３ｄＢ帯域５ＧＨ
ｚと非常に平坦な周波数応答のＦＭ変調特性が得られ
た。
を位相シフト領域が素子中央に位置するように長さ９０
０μｍに切り出し、両端面にＡＲコート膜を形成して、
特性を評価したところ、１．５５μｍ帯の発振波長で、
発振しきい値電流２５ｍＡ、微分効率０．２Ｗ／Ａ、最
大出力５０ｍＷ以上、３０ｍＷ光出力時におけるスペク
トル線幅０．５−１ＭＨｚ程度の良好な性能の素子が再
現性よく得られた。またＦＭ変調特性を評価したとこ
ろ、ＭＱＷウェル層を挟むガイド層が十分厚いことから
３００ＭＨｚ／ｍＡ程度の比較的高いＦＭ変調効率を得
る得るとともに、電界の集中する位相シフト部分で、ガ
イド層に漏れだしたキャリアの量が少ないため、軸方向
ホールバーニングの効果も低減され、３ｄＢ帯域５ＧＨ
ｚと非常に平坦な周波数応答のＦＭ変調特性が得られ
た。
【００１１】なお本発明の実施例においてはＩｎＰを基
板とした波長１．２−１．６μｍ帯の素子を示したが、
もちろん用いる材料系はこれに限るものではなく、Ｇａ
ＡｌＡｓ系など、他の材料系を用いて何等差し支えな
い。また実施例において選択的なＭＯＶＰＥの技術を用
いて、選択成長用マスクの幅を変化することにより自動
的に成長層の組成、膜厚の異なる半導体層を成長させた
が、通常の方法で全面に成長した後、部分的にエッチン
グを行い、そこに異なる組成、厚さの半導体層を成長す
る方法を用いても何等差し支えない。
板とした波長１．２−１．６μｍ帯の素子を示したが、
もちろん用いる材料系はこれに限るものではなく、Ｇａ
ＡｌＡｓ系など、他の材料系を用いて何等差し支えな
い。また実施例において選択的なＭＯＶＰＥの技術を用
いて、選択成長用マスクの幅を変化することにより自動
的に成長層の組成、膜厚の異なる半導体層を成長させた
が、通常の方法で全面に成長した後、部分的にエッチン
グを行い、そこに異なる組成、厚さの半導体層を成長す
る方法を用いても何等差し支えない。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように本発明のＤＦＢ−ＬＤ
においてはＭＱＷウェル層を挟むガイド層のエネルギー
ギャップを高くすることにより、高いＦＭ変調効率を得
るとともに電界の集中する部分での漏れたキャリアの量
を低減することにより、軸方向ホールバー二ングが抑制
された平坦な周波数応答特性を有するＦＭ変調特性を実
現できた。このような単一波長ＬＤはＧｂ／ｓのＦＳＫ
コヒーレント伝送方式に適用する上で有用である。
においてはＭＱＷウェル層を挟むガイド層のエネルギー
ギャップを高くすることにより、高いＦＭ変調効率を得
るとともに電界の集中する部分での漏れたキャリアの量
を低減することにより、軸方向ホールバー二ングが抑制
された平坦な周波数応答特性を有するＦＭ変調特性を実
現できた。このような単一波長ＬＤはＧｂ／ｓのＦＳＫ
コヒーレント伝送方式に適用する上で有用である。
【図１】本発明の一実施例であるＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤ
の作製工程を示すための平面図（ａ）、及び断面図
（ｂ），（ｃ）である。
の作製工程を示すための平面図（ａ）、及び断面図
（ｂ），（ｃ）である。
【図２】κＬの異なる素子のＦＭ応答特性を示す図であ
り、κＬが大きいほど、低周波域でのＦＭ変調効率が高
く、また高周波域での低下量が大きいことを示してい
る。
り、κＬが大きいほど、低周波域でのＦＭ変調効率が高
く、また高周波域での低下量が大きいことを示してい
る。
【図３】変調周波数２ＧＨｚにおけるＦＭ変調効率の活
性導波路層依存性を示す図であり、ＭＱＷウェル層数は
いずれも３であり、活性導波路層厚のほとんどを両わき
のガイド層が占めている。活性導波路層厚が大きいほど
ＦＭ変調効率が高いことを示している。
性導波路層依存性を示す図であり、ＭＱＷウェル層数は
いずれも３であり、活性導波路層厚のほとんどを両わき
のガイド層が占めている。活性導波路層厚が大きいほど
ＦＭ変調効率が高いことを示している。
１ 基板 ２ マスク ３ ガイド層 ４ スペーサ層 ５ ＭＱＷ活性導波路層 ６ ｎ−ＩｎＰ層 ７ クラッド層 ８ コンタクト層 ９ 絶縁膜 １０，１１ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 発光再結合する活性層に隣接して、位相
シフト領域を有する回折格子が形成された分布帰還型の
半導体レーザにおいて、前記活性層がウェル層、バリア
層およびガイド層からなる量子井戸構造を有し、前記位
相シフト領域付近において他の領域よりもガイド層とバ
リア層の伝導帯下端が高いことを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 位相シフト領域を有する回折格子が形成
された半導体基板上にストライプ状の絶縁膜を形成し、
該ストライプ状絶縁膜のあいだの挟まれた領域に気相成
長法により選択的に活性層などの半導体層を成長する工
程を含む半導体レーザの製造方法において、前記絶縁膜
が前記位相シフト領域付近において、他の領域よりも幅
を狭く形成することを特徴とする半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8492492A JP2924433B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8492492A JP2924433B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251816A JPH05251816A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2924433B2 true JP2924433B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=13844251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8492492A Expired - Lifetime JP2924433B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924433B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP8492492A patent/JP2924433B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251816A (ja) | 1993-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990406 |