JP2950246B2 - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複合型薄膜磁気ヘ
ッドに係り、とくに磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドと
インダクティブ型の記録ヘッドとを備え、バルクハウゼ
ンノイズの低減を図った複合型薄膜磁気ヘッドに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置における記録容
量の増大には目を見張るものがある。この記録容量の増
大は、主として磁気記録密度の向上によるものである。
磁気記録密度が向上するに連れて、一般には、磁気ヘッ
ドで再生する信号出力が低下する。これを改善するため
に、従来のインダクティブ型の再生磁気ヘッドに代わる
ものとして磁気抵抗効果型の再生磁気ヘッドが実用に供
せられるようになっている。

【０００３】磁気記録を行うには、この磁気抵抗効果型
再生ヘッドに隣接して、インダクティブ型磁気ヘッドが
設けられているものが用いられる。このような構造を持
つ記録再生ヘッドを、磁気抵抗効果・インダクティブ複
合型薄膜磁気ヘッドと称する。以下、簡単のために複合
型薄膜磁気ヘッド（又はＭＲ複合ヘッド）と称すことに
する。

【０００４】ここで、再生ヘッドであるが、上記磁気抵
抗効果型再生ヘッドは、一般に磁気抵抗効果感磁素子と
してＮｉＦｅの如き磁気抵抗効果を示す薄膜で形成され
たパタ−ンと、そのパタ−ンの抵抗値の印加磁界に対す
る応答の直線性を得るためのバイアス磁界印加手段を有
している。バイアス磁界印加手段としては、磁気抵抗効
果感磁気素子に近接した軟磁性薄膜をセンス電流で磁化
し且つその磁化から発生する磁界を利用するソフト膜バ
イアス手段、或いは感磁素子を磁気シールド間隙の中央
からずらせることでセンス電流鏡像効果の非対称性から
生じる磁界を利用する非対称シールドバイアス手段が、
一般によく知られている。

【０００５】この非対称シールドバイアス手段を有する
ＭＲ複合ヘッドの従来例を、図５に示す。この図５に示
す従来例では、同図の下方から上方に、磁気シールドと
しての第１のシールドパタ−ン１０１，第１の絶縁層１
０２，感磁素子（磁気抵抗効果感磁素子）１０３，第２
の絶縁層１０４，磁気シールドとして機能する第２のシ
ールドパタ−ン１０５が、順次積層されている。更に、
記録ギャップ層１０６，励磁コイル１０７および記録ヨ
ークパタ−ン１０８が、順次積層されている。

【０００６】ここで、第１の絶縁層１０２の厚さは第２
の絶縁層１０４の厚さよりも薄く設定され、これによっ
て感磁素子１０３がシールドパタ−ン間隙の中央部より
も第１のシールドパタ−ン１０１寄りに配置されてい
る。

【０００７】上記感磁素子１０３にセンス電流を印加す
ると、磁気シールドが作るセンス電流の鏡像から発生す
る磁界と感磁素子１０３との関係を分析すると、第１の
シールドパタ−ン１０１の鏡像が感磁素子１０３に近い
ために当該感磁素子１０３に印加される磁界は、第２の
シールドパタ−ン１０５からの磁界よりも強く、結果と
し感磁素子１０３にはバイアス磁界が印加されることと
なる。

【０００８】このような磁気抵抗効果型再生ヘッドの再
生動作において、感磁素子１０３の磁区硬構造に関連す
るバルクハウゼンノイズによる再生出力の変動現象がし
ばしば観察される。この解決のために、特開昭６３−９
６７１４号公報では、感磁素子の磁気異方性の方向をコ
ントロールする技術が開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＲ複
合ヘッドのように記録ヘッドが近傍に配置された場合、
感磁素子の磁気異方性の制御のみでは、再生出力の変動
の制御には不十分であった。更に、このような磁気ヘッ
ドを搭載した場合には磁気ディスク装置のデータエラー
が増加する。そして、再生出力の変動の程度によっては
装置の誤動作を生じる。このような現象は、一般に、ヘ
ッドの構成材料である磁気抵抗効果感磁素子、磁気シー
ルド材料等の磁区構造の不規則な変化に伴うバルクハウ
ゼンノイズによるものであると理解されている。

【００１０】そして、ＭＲ複合ヘッドでも、従来のイン
ダクティブ型ヘッドと同様に、再生動作のみでは、出力
変動は少なく、記録動作を行なうと再生出力の変動を生
じやすいという不都合があった。

【００１１】更に、従来の非対称シールド型のＭＲ複合
ヘッドでは、記録動作を行なうと、第１のシールドパタ
ーン１０１は第２のシールドパターン１０５に絶縁層を
介してきわめて近接しているため、図６に示すように当
該第２のシールドパターン１０５と同様に強く磁化され
る。ここで、矢印は磁気の流れを示す。このため、この
第１のシールドパターン１０１の近くに配置されている
磁気抵抗効果感磁素子１０３にも、強い磁界が加わり、
当該感磁素子５３の磁区構造が変化する。この感磁素子
５３の磁区構造が変化すると、当該感磁素子５３の抵抗
値が変動し、このため、再生出力が変動するという不都
合が生じていた。

【００１２】また、第１のシールドパターン５１の自体
の磁区構造も、記録時に変化することにより鏡像効果が
変化し、磁気抵抗効果感磁素子５３に印加されるバイア
ス磁界も変化する。このバイアス磁界の変化は、当該感
磁素子５３の再生感度を変化させ、かかる点においても
再生出力が変動するという不都合が生じていた。

【００１３】

【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに再生出力の変動を少なくし、これによ
って動作の安定した信頼性の高い複合型薄膜磁気ヘッド
を提供することを、その目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明では、基板部材上に、第１のシ
ールドパタン，第１の絶縁層，再生用の磁気抵抗効果型
感磁素子，第２の絶縁層，および第２のシールドパタン
を順次積層する。また、磁気抵抗効果型感磁素子と当該
磁気抵抗効果型感磁素子を介して積層された第１の絶縁
層および第２の絶縁層とによって磁気抵抗効果型再生ヘ
ッド部を形成する。更に、第２のシールパタンに磁気記
録ギャップ層を介して記録ヨークパタンを配置すると共
に、この記録ヨークパタンと第２のシールパタンとの間
に励磁コイルを装備することにより記録ヘッド部を形成
する。そして、第１のシールドパタンと第２のシールド
パタンとの間隙を、記録媒体対向部にある磁気抵抗効果
型感磁素子部分を除いて、当該磁気抵抗効果型感磁素子
部分の間隙よりも大きく設定する。更に、前述した第１
のシールドパタンと第２のシールドパタンとの間の間隙
部分に、前述した記録媒体対向部にある磁気抵抗効果型
感磁素子部分を除いて、非磁性絶縁層を埋め込む、とい
う構成を採っている。

【００１５】このため、この請求項１記載の発明では、
記録動作時には、まず、励磁コイルから発生する電流磁
界によってヨークパターンと第２のシールドパターンが
強く磁化される。この場合、第１のシールドパターン
は、その大部分が第２のシールドパターンから十分に離
れているため、殆ど磁化されることは無い。従って、感
磁素子が第１のシールドパタンに近くあっても、それに
よる不要磁界を受けることは少ない。また、強く磁化さ
れた第２のシールドパタンから比較的遠く離れているた
め、感磁素子に印加される不要磁界は小さくてすむ。
又、非磁性絶縁層の作用により磁気抵抗効果型感磁素子
部が受ける記録時の不要磁界は更に低減されるため、再
生出力は更に安定する。

【００１６】即ち、磁気抵抗効果型感磁素子が受ける記
録時の不要磁界は、大幅に低減される。したがって、記
録動作後の感磁素子の磁区状態の変化は小さく、当該感
磁素子による再生出力の変動は従来のものに比較して著
しく小さい。

【００１７】請求項２記載の発明では、前述した請求項
１記載の発明の場合と同様に、まず基板部材上に、第１
のシールドパタン，第１の絶縁層，再生用の磁気抵抗効
果型感磁素子，第２の絶縁層，および第２のシールドパ
タンが順次積層されている。また、磁気抵抗効果型感磁
素子と当該磁気抵抗効果型感磁素子を介して積層された
第１の絶縁層および第２の絶縁層とによって、磁気抵抗
効果型再生ヘッド部が形成される。更に、第２のシール
パタンに磁気記録ギャップ層を介して記録ヨークパタン
を配置すると共に、この記録ヨークパタンと第２のシー
ルパタンとの間に励磁コイルを装備することにより記録
ヘッド部が形成される。そして、第１のシールドパタン
と第２のシールドパタンとの間隙を、記録媒体対向部に
ある磁気抵抗効果型感磁素子部分を除いて、当該磁気抵
抗効果型感磁素子部分の間隙よりも大きく設定する。更
に、前述した磁気抵抗効果型再生ヘッド部における第１
の絶縁層を，第２の絶縁層よりも薄く設定してなる非対
称シールド型磁気抵抗効果型再生ヘッド部とすると共
に、第１のシールドパタンと第２のシールドパタンとの
間の間隙部分に、前述した記録媒体対向部にある磁気抵
抗効果型感磁素子部分を除いて、非磁性絶縁層を埋め込
む、という構成を採っている。

【００１８】このため、この請求項２記載の発明では、
磁気抵抗効果型再生ヘッド部の磁気抵抗効果型感磁素子
部が、励磁コイルから更に離れた状態となっており、当
該感磁素子が受ける記録時の不要磁界は前述した請求項
１記載の場合よりも更に低減されるため、再生出力は請
求項１記載の発明場合よりも更に安定する。

【００１９】請求項３記載の発明では、前述した請求項
１又は２記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前述し
た第２のシールドパタンを平面状に形成すると共に、第
１のシールドパタンを、記録媒体対向部にある磁気抵抗
効果型感磁素子部分を除いて、第２のシールドパタンか
ら離れるように一部曲折した状態に形成する、という構
成を採っている。

【００２０】このため、この請求項３記載の発明では、
前述した請求項１又は２記載の発明の場合と同様に機能
するほか、磁気抵抗効果型感磁素子部が受ける記録時の
不要磁界野影響を更に確実に低減することができ、安定
した再生出力を得ることができる。

【００２１】請求項４記載の発明では、前述した請求項
１又は２記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の
シールドパタンを平面状に形成すると共に、第２のシー
ルドパタンを、前述した記録媒体対向部にある磁気抵抗
効果型感磁素子部分を除いて、第１のシールドパタンか
ら離れるように一部曲折した状態に形成する、という構
成を採っている。

【００２２】このようにしても、この請求項４記載の発
明では、前述した請求項３記載の発明と同等の機能を得
ることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態） 以下、本発明の第１の実施の形態を図１に基づいて説明
する。この図１において、符号１００は基板部材を示
す。この基板部材１００上には、軟磁性シールドパタン
からなる第１のシールドパタン１と、第１の絶縁層２
と、再生用の磁気抵抗効果型感磁素子（以下「感磁素
子」という）３と、第２の絶縁層４と、軟磁性シールド
パタンからなる第２のシールドパタン５とが、順次積層
されている。

【００２４】この場合、感磁素子３を介して積層された
第１の絶縁層２が第２の絶縁層４よりも薄く設定されて
非対称シールド型の磁気抵抗効果型再生ヘッド部が形成
されている。又、前述した第２のシールパタン５に磁気
記録ギャップ６を介して記録ヨークパタン８を配置する
と共に、この記録ヨークパタン８と前述した第２のシー
ルパタン５との間にギャップ部絶縁層７Ａおよび励磁コ
イルパタン７を装備することにより記録ヘッド部が形成
されている。

【００２５】そして、前述した第１のシールドパタン１
と第２のシールドパタン５との間の間隙は、前述した記
録媒体対向部にある感磁素子３部分を除いて、当該感磁
素子３部分の間隙よりも大きく設定されている。

【００２６】これを更に詳述すると、この第１のシール
ドパタン１と第２のシールドパタン５との間の間隙は、
この図１に示す実施形態にあっては、上記第１のシール
ドパタン１又は第２のシールドパタン５の厚さよりも大
きく形成されているが、本発明は必ずしもこれに限定す
るものではない。更に、第１のシールドパタン１と第２
のシールドパタン５との間隙の広げられた部分には、平
坦埋め込み領域１１が設けられ、この平坦埋め込み領域
１１に平坦埋め込み層として非磁性部材からなる非磁性
絶縁層（非磁性且つ電気的絶縁層）１１Ａが埋め込まれ
ている。

【００２７】また、前述した記録媒体対向部にある感磁
素子３部分における第１のシールドパタン１と基板部材
１００との間には、感磁素子３と同等の素材又非磁性部
材からなる絶縁部材（非磁性且つ電気的絶縁部材）が埋
め込れた凸領域１００Ａが設けられている。この凸領域
１００Ａの高さは、前述した第２のシールドパタン５の
厚さとほぼ同一に設定されている。

【００２８】次に、この第１の実施形態の形成工程およ
び記録動作等について説明する。この第１の実施形態で
は、第１のシールドパタン１の形成前に、まず、基板材
１００を掘り込んで前述した感磁素子部を凸領域１００
Ａとして残す作業が行われる。この凸領域１００Ａの高
さは、前述したように、第２のシールドパタン５の厚さ
にほぼ等しくする。次に、第１のシールドパタン１を形
成し、凸領域１００Ａの厚さ以上の非磁性絶縁部材を付
与し、平面ラップもしくはエッチバック法で平坦化を行
なって、非磁性絶縁層（平坦化埋め込み層）１１Ａを形
成する。次いで、第１の絶縁層２，感磁素子３，第２の
絶縁層４，第２のシールドパタン５，記録ギャップ６，
ギャップ部絶縁層７Ａ，および励磁コイルパタン７を形
成する。

【００２９】記録動作時には、励磁コイルパタン７に電
流パルスを印加する。そして、まず、励磁コイルパタン
７から発生する電流磁界により、記録ヨークパタン８と
第２のシールドパタン５が強く磁化される。この場合、
本実施形態にあっては、第１のシールドパタン１は、そ
の大部分が第２のシールドパタン５から十分に離れてい
るため、殆ど磁化されることは無い。従って、感磁素子
３が第１のシールドパタン１に近くあっても、それによ
る不要磁界を受けることは少ない。また、強く磁化され
た第２のシールドパタン５から比較的遠く離れているた
め、感磁素子３に印加される不要磁界は小さくてすむ。

【００３０】即ち、感磁素子３が受ける記録時の不要磁
界は、本実施形態を適用することにより、大幅に低減さ
れる。したがって、記録動作後の感磁素子３の磁区状態
の変化は小さく、当該感磁素子３による再生出力の変動
は従来のものに比較して著しく小さいものとなってい
る。

【００３１】ここで、上記第１の実施形態にあっては、
第１のシールドパタン１と第２のシールドパタン５との
間に非磁性絶縁層（平坦化埋め込み層）１１Ａを装備し
た場合を例したが、この非磁性絶縁層（平坦化埋め込み
層）１１Ａに代えて前述した第１の絶縁層２を該当部分
を厚くして用いてもよい。

【００３２】（第２の実施の形態） 次に、図２を用いて本発明の第２の実施形態を説明す
る。ここで、前述した図１の実施形態と同一の構成部材
については同一の符号を用いるものとする。この図２に
示す第２の実施形態は、前述した図１の実施形態の場合
と異なり、第１のシールドパタン２１を平面状に形成す
ると共に、第２のシールドパタン２５を、記録媒体対向
部にある感磁素子２３部分を除いて、第１のシールドパ
タン２１から離れるように一部曲折した状態に形成した
点に特徴を備えている。

【００３３】また、第１のシールドパタン２１と第２の
シールドパタン２５との間隙の広げられた部分（感磁素
子２３部分を除いて）には、凸部層としての非磁性絶縁
層（非磁性で且つ電気的な絶縁層）２３Ａが設けられて
いる。この非磁性絶縁層（凸部層）２３Ａは、第１の絶
縁層２２と第２の絶縁層２４とによってサンドイッチ状
に挟まれた状態に設定されている。その他の構成は、前
述した図１の実施形態と同一となっている。

【００３４】この図２に示す実施形態にあっては、第１
のシールドパタン２１と第２のシールドパタン２５の層
間間隙の作製方法が、前述した図１の実施形態と相違す
る。即ち、まず平坦に形成された基板部材１００上に第
１のシールドパタン２１を形成する。形成の方法は通常
の磁性膜の成膜、フォトレジスト塗布、露光、ミリング
法による。

【００３５】次に、第１の絶縁層２２、感磁素子２３を
順次形成する。続いて、感磁素子３の記録媒体対向領域
の図２におけるの右側部分に、シールド間隙増大用の凸
部層としての非磁性絶縁層２３Ａが形成される。この非
磁性絶縁層（凸部層）２３Ａの厚さは、第２のシールド
パタン２５の厚さとほぼ等しく設定される。

【００３６】次に、第２の絶縁層２４および第２の磁気
シールドパタン２５が順次形成される。そして、前述し
た図１の場合と同様にして、記録ギャップ２６、励磁コ
イル２７、記録ヨークパタン２８が順次形成される。こ
のようにしても、記録動作後の磁区安定性等は、前述し
た図１に実施形態と同一の作用効果を得ることができ
る。

【００３７】ここで、上記第１の実施形態にあっては、
第１のシールドパタン２１と第２のシールドパタン２５
との間に凸部層としての非磁性絶縁層２３Ａを装備した
場合を例したが、この非磁性絶縁層（凸部層）２３Ａに
代えて前述した第２の絶縁層２４を該当部分を厚くして
用いてもよい。

【００３８】（第３の実施の形態） 次に、図３を用いて本発明の第３の実施形態を説明す
る。ここで、前述した図１の実施形態と同一の構成部材
については同一の符号を用いるものとする。

【００３９】この第３の実施形態は、前述した図１にお
ける第１の実施形態に比較して各パタンの積層順序が逆
になっている。即ち、基板部材１００上に、まず、記録
ヨークパタン３８を形成し、次いで一端部に記録ギャッ
プ３６を備えたギャップ部絶縁層３７Ａを形成し、この
ギャップ部絶縁層３７Ａ内には励磁コイル３７を埋設
し、その上に第２のシールドパタン３５を形成する。

【００４０】更に、この第２の磁気シールドパタン３５
上には、第２の絶縁層３４、感磁素子３３、第１の絶縁
層３２、および第１のシールドパタン３１を、順次積層
する。ここで、第１の絶縁層３２の厚さは、前述した第
１の実施形態（図１の場合）と同様に、第２の絶縁層３
４の厚さよりも小さく形成されている。その他の構成
は、前述した第１の実施形態（図１の場合）と同一とな
っている。

【００４１】このようにしても、前述した第１の実施形
態（図１の場合）と同一の作用効果を得ることができ
る。

【００４２】（第４の実施の形態） 次に、図４を用いて本発明の第４の実施形態を説明す
る。ここで、前述した図１の実施形態と同一の構成部材
については同一の符号を用いるものとする。

【００４３】この第４の実施形態は、前述した第１の実
施形態において、感磁素子３が第１のシールドパタン１
寄りに（第２のシールドパタン５から離れて）配設され
ている（図１参照）のに対し、感磁素子４３を第１のシ
ールドパタン４１と第２のシールドパタン４５の中間位
置に配設した点に特徴を備えている。そして、感磁素子
４３に対してバイアス磁界は、当該感磁素子４３に隣接
する軟磁性膜からなるソフト膜バイアス法で印加されて
いる。その他の構成は前述した図１の実施形態と同一と
なっている。

【００４４】このようにしても、記録作動時の第１のシ
ールドパタン４１に対する磁化の影響は前述した第１の
実施形態の場合と同様に大幅に軽減され、その結果、感
磁素子４３に加わる不要磁界は従来のものよりも大幅に
低減し、記録後の再生出力変化は従来よりも軽減され
る。

【００４５】このように、この第４の実施形態において
も、前述した第１の実施形態（図１の場合）とほぼ同一
の作用効果を得ることができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、記録動作時に発生する磁界が第２
のシールドパタンから第１のシールドパタンに漏れる度
合いが大幅に少なくなり、このため第２のシールドパタ
ンと第１のシールドパタンによって囲まれて装備されて
いる感磁素子に加わる不要磁界が従来にものに比較して
大幅に少なくなり、したがって、従来生じていた記録動
作時の感磁素子に対する磁区状態の変化は小さくなり、
このため、感磁素子による記録媒体からの再生出力の変
動が少なくなり、かかる点において動作の安定した信頼
性の高い複合型薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。

【図２】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。

【図３】本発明の第３の実施形態を示す断面図である。

【図４】本発明の第４の実施形態を示す断面図である。

【図５】従来例を示す断面図である。

【図６】図５におけるシールドパタンの機能を示す説明
図である。

【符号の説明】１，２１，３１，４１ 第１のシールド
パタン ２，２２，３２，４２ 第１の絶縁層 ３，２３，３３，４３ 磁気抵抗効果型感磁素子（感磁
素子） ４，２４，３４，４４ 第２の絶縁層 ５，２５，３５，４５ 第２のシールドパタン ６，２６，３６，４６ 記録ギャップ ７，２７，３７，４７ 励磁コイルパタン ８，２８，３８，４８ 記録ヨークパタン １１Ａ，２３Ａ 非磁性絶縁層 １００ 基板部材

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板部材上に、第１のシールドパタン，
   第１の絶縁層，再生用の磁気抵抗効果型感磁素子，第２
   の絶縁層，および第２のシールドパタンを順次積層し、 前記磁気抵抗効果型感磁素子と当該磁気抵抗効果型感磁
   素子を介して積層された前記第１の絶縁層および第２の
   絶縁層とによって磁気抵抗効果型再生ヘッド部を形成
   し、 前記第２のシールパタンに磁気記録ギャップ層を介して
   記録ヨークパタンを配置すると共に、この記録ヨークパ
   タンと前記第２のシールパタンとの間に励磁コイルを装
   備することにより記録ヘッド部を形成してなる複合型薄
   膜磁気ヘッドにおいて、 前記第１のシールドパタンと第２のシールドパタンとの
   間隙を、記録媒体対向部にある前記磁気抵抗効果型感磁
   素子部分を除いて、当該磁気抵抗効果型感磁素子部分の
   間隙よりも大きく設定し、 前記第１のシールドパタンと前記第２のシールドパタン
   との間の間隙部分に、記録媒体対向部にある前記磁気抵
   抗効果型感磁素子部分を除いて、非磁性絶縁層を埋め込
   んだことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 基板部材上に、第１のシールドパタン，
   第１の絶縁層，再生用の磁気抵抗効果型感磁素子，第２
   の絶縁層，および第２のシールドパタンを順次積層し、 前記磁気抵抗効果型感磁素子と当該磁気抵抗効果型感磁
   素子を介して積層された前記第１の絶縁層および第２の
   絶縁層とによって磁気抵抗効果型再生ヘッド部を形成
   し、 前記第２のシールパタンに磁気記録ギャップ層を介して
   記録ヨークパタンを配置すると共に、この記録ヨークパ
   タンと前記第２のシールパタンとの間に励磁コイルを装
   備することにより記録ヘッド部を形成してなる複合型薄
   膜磁気ヘッドにおいて、 前記第１のシールドパタンと第２のシールドパタンとの
   間隙を、記録媒体対向部にある前記磁気抵抗効果型感磁
   素子部分を除いて、当該磁気抵抗効果型感磁素子部分の
   間隙よりも大きく設定し、 前記磁気抵抗効果型再生ヘッド部を、前記磁気抵抗効果
   型感磁素子を介して積層された前記第１の絶縁層を第２
   の絶縁層よりも薄く設定してなる非対称シールド型磁気
   抵抗効果型再生ヘッド部とし、 前記第１のシールドパタンと前記第２のシールドパタン
   との間の間隙部分に、記録媒体対向部にある前記磁気抵
   抗効果型感磁素子部分を除いて、非磁性絶縁層を埋め込
   んだことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記第２のシールドパタンを平面状に形
   成すると共に、前記第１のシールドパタンを、記録媒体
   対向部にある前記磁気抵抗効果型感磁素子部分を除い
   て、前記第２のシールドパタンから離れるように一部曲
   折した状態に形成したことを特徴とする請求項１又は２
   記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記第１のシールドパタンを平面状に形
   成すると共に、前記第２のシールドパタンを、記録媒体
   対向部にある前記磁気抵抗効果型感磁素子部分を除い
   て、前記第１のシールドパタンから離れるように一部曲
   折した状態に形成したことを特徴とする請求項１又は２
   記載の複合型薄膜磁気ヘッド。