JP2957789B2 - 透磁率測定装置 - Google Patents
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平面状の磁性材料の透
磁率を測定する透磁率測定装置に関するものである。
磁率を測定する透磁率測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁性材料の透磁率を測定する透磁率測定
装置としては図３に示すものがある。この透磁率測定装
置では、環状に形成した磁性材料６’に巻線３’を巻い
てトロイダルコイル状のコイルを形成し、巻線３’の両
端をインピーダンス測定装置４’に接続して、インピー
ダンス（インダクタンス値及び抵抗値）を測定し、この
測定されたインピーダンスを用いて複素透磁率μ（μ＝
μ’−ｊμ”、μ’は複素透磁率の実数成分、μ”は複
素透磁率の虚数成分）を算出していた。ここで測定する
インピーダンスは、磁性材料６’を含めたコイルの自己
インダクタンスＬと、磁性材料６’を含めたコイルの損
失抵抗Ｒeff と、巻線３’だけの損失抵抗Ｒw であり、
これらインダクタンスＬ及び損失抵抗Ｒeff ，Ｒw から
次式により複素透磁率μの実数成分μ’及び複素透磁率
の虚数成分μ”が算出され、複素透磁率μが求まる。
装置としては図３に示すものがある。この透磁率測定装
置では、環状に形成した磁性材料６’に巻線３’を巻い
てトロイダルコイル状のコイルを形成し、巻線３’の両
端をインピーダンス測定装置４’に接続して、インピー
ダンス（インダクタンス値及び抵抗値）を測定し、この
測定されたインピーダンスを用いて複素透磁率μ（μ＝
μ’−ｊμ”、μ’は複素透磁率の実数成分、μ”は複
素透磁率の虚数成分）を算出していた。ここで測定する
インピーダンスは、磁性材料６’を含めたコイルの自己
インダクタンスＬと、磁性材料６’を含めたコイルの損
失抵抗Ｒeff と、巻線３’だけの損失抵抗Ｒw であり、
これらインダクタンスＬ及び損失抵抗Ｒeff ，Ｒw から
次式により複素透磁率μの実数成分μ’及び複素透磁率
の虚数成分μ”が算出され、複素透磁率μが求まる。
【０００３】μ’＝ｌc Ｌ／（μ0 ＡＮ2 ） μ”＝ｌc （Ｒeff −Ｒw ）／（μ0 ＡωＮ2 ） 但し、ｌc ：磁性材料の平均磁路長 μ0 ：真空の透磁率（＝４π×１０-7） Ａ ：磁性材料の断面積 Ｎ ：巻線の巻数 ω ：角周波数（＝２πｆ）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
透磁率測定装置では、磁性材料を用いてトロイダルコイ
ル状のコイルを形成する必要があるため、例えば薄膜磁
性材料のような平面状の磁性材料の透磁率を測定するこ
とができないという問題があった。本発明は上述の点に
鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、
平面状の磁性材料であっても透磁率を求めることができ
る透磁率測定装置を提供することにある。
透磁率測定装置では、磁性材料を用いてトロイダルコイ
ル状のコイルを形成する必要があるため、例えば薄膜磁
性材料のような平面状の磁性材料の透磁率を測定するこ
とができないという問題があった。本発明は上述の点に
鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、
平面状の磁性材料であっても透磁率を求めることができ
る透磁率測定装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、グランドプレーン上に間隔を
おいて平行にストリップ線路を配置し、このストリップ
線路の両端をＳパラメータ測定装置と接続し、磁性材料
をグランドプレーンとストリップ線路との間に挿入した
場合と、挿入しない場合とのＳパラメータをＳパラメー
タ測定装置で測定し、このＳパラメータを用いて磁性材
料の透磁率を算出するようにしてある。
に、請求項１の発明では、グランドプレーン上に間隔を
おいて平行にストリップ線路を配置し、このストリップ
線路の両端をＳパラメータ測定装置と接続し、磁性材料
をグランドプレーンとストリップ線路との間に挿入した
場合と、挿入しない場合とのＳパラメータをＳパラメー
タ測定装置で測定し、このＳパラメータを用いて磁性材
料の透磁率を算出するようにしてある。
【０００６】なお、誤差の少ない透磁率の測定を可能と
するためには、請求項２に示すように、上記ストリップ
線路長は最高周波数の測定信号の１／２波長よりも短く
することが好ましい。また、誤差の少ない透磁率の測定
を可能とする別の方法としては、請求項３に示すよう
に、上記ストリップ線路を高抵抗率の材料で形成しても
よく、また、請求項４に示すように、ストリップ線路を
薄膜で形成してもよい。
するためには、請求項２に示すように、上記ストリップ
線路長は最高周波数の測定信号の１／２波長よりも短く
することが好ましい。また、誤差の少ない透磁率の測定
を可能とする別の方法としては、請求項３に示すよう
に、上記ストリップ線路を高抵抗率の材料で形成しても
よく、また、請求項４に示すように、ストリップ線路を
薄膜で形成してもよい。
【０００７】ここで、請求項５に示すように、上記スト
リップ線路を高抵抗率の薄膜で形成することが、誤差の
少ない透磁率の測定を可能とするためにさらに好まし
い。
リップ線路を高抵抗率の薄膜で形成することが、誤差の
少ない透磁率の測定を可能とするためにさらに好まし
い。
【０００８】
【作用】本発明は、上述のように構成することで、グラ
ンドプレーン上に配置したストリップ線路のＳパラメー
タから磁性材料の透磁率を求め、磁性材料が平面状であ
っても透磁率を測定できるようにしたものである。
ンドプレーン上に配置したストリップ線路のＳパラメー
タから磁性材料の透磁率を求め、磁性材料が平面状であ
っても透磁率を測定できるようにしたものである。
【０００９】
【実施例】図１に本発明の一実施例を示す。本実施例の
透磁率測定装置は、グランドプレーン２上に所定間隔を
おいて平行にストリップ線路１を配置し、ストリップ線
路１を同軸ケーブル３を介してＳパラメータ測定装置４
に接続して構成してある。ここで、ストリップ線路１
は、幅ａ、長さｌs の銅板で形成してあり、ストリップ
線路１の長さｌs は測定最高周波数ｆmax の測定信号の
半波長λmin ／２より短く形成してある。また、同軸ケ
ーブル３としては特性インピーダンスが５０Ωのものを
用いてある。そして、透磁率を測定する磁性材料６は、
長さｌs のガラス基盤５上に厚さｔの薄膜として形成し
てある。
透磁率測定装置は、グランドプレーン２上に所定間隔を
おいて平行にストリップ線路１を配置し、ストリップ線
路１を同軸ケーブル３を介してＳパラメータ測定装置４
に接続して構成してある。ここで、ストリップ線路１
は、幅ａ、長さｌs の銅板で形成してあり、ストリップ
線路１の長さｌs は測定最高周波数ｆmax の測定信号の
半波長λmin ／２より短く形成してある。また、同軸ケ
ーブル３としては特性インピーダンスが５０Ωのものを
用いてある。そして、透磁率を測定する磁性材料６は、
長さｌs のガラス基盤５上に厚さｔの薄膜として形成し
てある。
【００１０】以下に、ストリップ線路１のＳパラメータ
を用いてどのようにして透磁率を求めるかについて説明
する。Ｓパラメータは次に示す変換式を用いて４端子定
数に変換できる。
を用いてどのようにして透磁率を求めるかについて説明
する。Ｓパラメータは次に示す変換式を用いて４端子定
数に変換できる。
【００１１】
【数１】
【００１２】…（１） 但し、Ｗ1 ，Ｗ2 は接続線路、つまりは同軸ケーブル３
の特性インピーダンスである。ところで、上記４端子定
数はストリップ線路１の伝搬定数γと特性インピーダン
スＷとを用いて次式のように表される。
の特性インピーダンスである。ところで、上記４端子定
数はストリップ線路１の伝搬定数γと特性インピーダン
スＷとを用いて次式のように表される。
【００１３】
【数２】
【００１４】…（２） また、ストリップ線路１の伝搬定数γ及び特性インピー
ダンスＷは、ストリップ線路１の単位長さ当りのインピ
ーダンスＺ及びアドミタンスＹを用いて次のように表さ
れる。
ダンスＷは、ストリップ線路１の単位長さ当りのインピ
ーダンスＺ及びアドミタンスＹを用いて次のように表さ
れる。
【００１５】
【数３】
【００１６】…（３） 上記（１）〜（３）式を用いると、ストリップ線路１の
単位長当りのインピーダンスＺが次式で求められる。
単位長当りのインピーダンスＺが次式で求められる。
【００１７】
【数４】
【００１８】…（４） つまり、ストリップ線路１のＳパラメータを測定すれ
ば、ストリップ線路１の単位長当りのインピーダンスＺ
を求めることができる。ここで、ストリップ線路１の単
位長当りのインピーダンスＺはグランドとの間に存在す
る物質の透磁率の影響を受けて変化し、ストリップ線路
１とグランドとの間の透磁率の変化は、ストリップ線路
１の単位長当りのインピーダンスＺの変化として現れ
る。
ば、ストリップ線路１の単位長当りのインピーダンスＺ
を求めることができる。ここで、ストリップ線路１の単
位長当りのインピーダンスＺはグランドとの間に存在す
る物質の透磁率の影響を受けて変化し、ストリップ線路
１とグランドとの間の透磁率の変化は、ストリップ線路
１の単位長当りのインピーダンスＺの変化として現れ
る。
【００１９】いま、ストリップ線路１とグランドとの間
に磁性材料６を介在させたときのストリップ線路１の単
位長当りのインピーダンスをＺm で、磁性材料６を介在
させないときのストリップ線路１の単位長当りのインピ
ーダンスをＺs であるとすると、磁性材料６の複素透磁
率μの実数成分μ’及び虚数成分μ”は次式で求まる。
に磁性材料６を介在させたときのストリップ線路１の単
位長当りのインピーダンスをＺm で、磁性材料６を介在
させないときのストリップ線路１の単位長当りのインピ
ーダンスをＺs であるとすると、磁性材料６の複素透磁
率μの実数成分μ’及び虚数成分μ”は次式で求まる。
【００２０】
【数５】
【００２１】…（５） なお、上記（５）式におけるｔは磁性材料６の厚さであ
り、ωは角周波数（ω＝２πｆ）、ａはストリップ線路
１の幅である。以下、本実施例の透磁率測定装置を用い
た透磁率の測定方法を説明する。まず、薄膜磁性材料６
を形成したガラス基盤５をストリップ線路１とグランド
プレーン２との間に挿入した場合のＳパラメータと、薄
膜磁性材料６を形成していないガラス基盤５をストリッ
プ線路１とグランドプレーン２との間に挿入したときの
Ｓパラメータとを測定する。
り、ωは角周波数（ω＝２πｆ）、ａはストリップ線路
１の幅である。以下、本実施例の透磁率測定装置を用い
た透磁率の測定方法を説明する。まず、薄膜磁性材料６
を形成したガラス基盤５をストリップ線路１とグランド
プレーン２との間に挿入した場合のＳパラメータと、薄
膜磁性材料６を形成していないガラス基盤５をストリッ
プ線路１とグランドプレーン２との間に挿入したときの
Ｓパラメータとを測定する。
【００２２】そして、上記夫々のＳパラメータから上記
（４）式を用いてストリップ線路１の単位長当りのイン
ピーダンスを求める。つまり、ストリップ線路１とグラ
ンドとの間に薄膜磁性材料６を形成したガラス基盤５を
介在させたときのストリップ線路１の単位長当りのイン
ピーダンス（上記Ｚm に相当する）と、ガラス基盤５の
みを介在させたときのストリップ線路１の単位長当りの
インピーダンス（上記Ｚs に相当する）とを算出する。
このようにして夫々のストリップ線路１の単位長当りの
インピーダンスが求まると、上記（５）式から複素透磁
率が算出される。
（４）式を用いてストリップ線路１の単位長当りのイン
ピーダンスを求める。つまり、ストリップ線路１とグラ
ンドとの間に薄膜磁性材料６を形成したガラス基盤５を
介在させたときのストリップ線路１の単位長当りのイン
ピーダンス（上記Ｚm に相当する）と、ガラス基盤５の
みを介在させたときのストリップ線路１の単位長当りの
インピーダンス（上記Ｚs に相当する）とを算出する。
このようにして夫々のストリップ線路１の単位長当りの
インピーダンスが求まると、上記（５）式から複素透磁
率が算出される。
【００２３】このように本実施例によれば、ストリップ
線路のＳパラメータから透磁率を求めるので、従来のよ
うにトロイダルコイル状のコイルを形成することなく、
平面状の磁性材料６で透磁率μを測定できる。ところ
で、上記実施例の場合にはストリップ線路１の長さｌｓ
を測定最高周波数ｆmax の測定信号の半波長λmin ／２
より短く形成してある理由について以下に説明する。
線路のＳパラメータから透磁率を求めるので、従来のよ
うにトロイダルコイル状のコイルを形成することなく、
平面状の磁性材料６で透磁率μを測定できる。ところ
で、上記実施例の場合にはストリップ線路１の長さｌｓ
を測定最高周波数ｆmax の測定信号の半波長λmin ／２
より短く形成してある理由について以下に説明する。
【００２４】ストリップ線路１の伝搬定数γを減衰定数
α及び位相定数βを用いて表すと、 γ＝α＋ｊβ となる。また、ストリップ線路１を伝搬する信号の波長
λと、位相定数βは、 λ＝２π／β の関係がある。従って、ストリップ線路１の長さｌs が
測定信号の半波長の整数倍ｎλ／２に等しい場合、伝搬
定数γとストリップ線路１の長さｌs は γｌs ＝αｌs ＋ｊｎπ で表される。
α及び位相定数βを用いて表すと、 γ＝α＋ｊβ となる。また、ストリップ線路１を伝搬する信号の波長
λと、位相定数βは、 λ＝２π／β の関係がある。従って、ストリップ線路１の長さｌs が
測定信号の半波長の整数倍ｎλ／２に等しい場合、伝搬
定数γとストリップ線路１の長さｌs は γｌs ＝αｌs ＋ｊｎπ で表される。
【００２５】ここで、ストリップ線路１が銅板のような
単位長さ当りの抵抗値の小さな材料で作成されている場
合に、減衰定数αがゼロに近い値をとり、４端子定数の
Ｂ，Ｃがほぼゼロとなってしまう。このため、単位長当
りのインピーダンスの計算値に多くの誤差が含まれ、従
って透磁率にも大きな誤差が含まれる可能性が高い。そ
こで、本実施例では、ストリップ線路１の長さｌs を測
定最高周波数ｆmaxの測定信号の半波長λmin ／２より
短くしてある。このようにすれば、たとえストリップ線
路１が銅板のような単位長さ当りの抵抗値の小さな材料
で作成されても、正確な測定が可能となる。
単位長さ当りの抵抗値の小さな材料で作成されている場
合に、減衰定数αがゼロに近い値をとり、４端子定数の
Ｂ，Ｃがほぼゼロとなってしまう。このため、単位長当
りのインピーダンスの計算値に多くの誤差が含まれ、従
って透磁率にも大きな誤差が含まれる可能性が高い。そ
こで、本実施例では、ストリップ線路１の長さｌs を測
定最高周波数ｆmaxの測定信号の半波長λmin ／２より
短くしてある。このようにすれば、たとえストリップ線
路１が銅板のような単位長さ当りの抵抗値の小さな材料
で作成されても、正確な測定が可能となる。
【００２６】（実施例２）図２に本発明の他の実施例を
示し、本実施例の場合にはストリップ線路１部分の構造
に特徴がある。具体的には、上記ストリップ線路１とし
て長さがｌs のガラス基盤７上に幅ａのニクロム薄膜８
を形成したものを用いてある。なお、本実施例の場合に
もこのストリップ線路１とグランドプレーン２との間に
は図１で説明した長さｌs のガラス基盤５上に厚さｔの
薄膜として形成した磁性材料６を挿入できるようにして
ある。また、上記ストリップ線路１は特性インピーダン
スが５０Ωの同軸ケーブル３でＳパラメータ測定装置に
接続されている。
示し、本実施例の場合にはストリップ線路１部分の構造
に特徴がある。具体的には、上記ストリップ線路１とし
て長さがｌs のガラス基盤７上に幅ａのニクロム薄膜８
を形成したものを用いてある。なお、本実施例の場合に
もこのストリップ線路１とグランドプレーン２との間に
は図１で説明した長さｌs のガラス基盤５上に厚さｔの
薄膜として形成した磁性材料６を挿入できるようにして
ある。また、上記ストリップ線路１は特性インピーダン
スが５０Ωの同軸ケーブル３でＳパラメータ測定装置に
接続されている。
【００２７】本実施例の場合にも実施例１で説明したと
同様にして磁性材料６の複素透磁率μを求めることがで
きる。本実施例の場合には、ストリップ線路１として高
抵抗率材料であるニクロム（抵抗率が１０９×１０-8Ω
／ｍ）を用い、且つこのニクロムを薄膜としてあるの
で、ストリップ線路１の単位長当りの抵抗値を大きくす
ることができ、減衰定数αが比較的に大きな値をとり、
４端子定数のＢ，Ｃはゼロに近い値をとることがない。
つまりは、上記実施例１の場合にはストリップ線路１の
長さｌs を測定最高周波数ｆmax の測定信号の半波長λ
min ／２より短くして、４端子定数のＢ，Ｃはゼロに近
い値をとらないようにしていたが、本実施例ではストリ
ップ線路１の材質を高抵抗率材料とし且つ薄膜に形成す
ることで、ストリップ線路１の単位長当りの抵抗値を大
きくし、４端子定数のＢ，Ｃはゼロに近い値をとらない
ようにしたものである。このようにすれば、実施例１の
場合と同様に、単位長当りのインピーダンスの計算を精
度良く行うことができ、透磁率の計算結果にも誤差が含
まれる可能性が低くなる。
同様にして磁性材料６の複素透磁率μを求めることがで
きる。本実施例の場合には、ストリップ線路１として高
抵抗率材料であるニクロム（抵抗率が１０９×１０-8Ω
／ｍ）を用い、且つこのニクロムを薄膜としてあるの
で、ストリップ線路１の単位長当りの抵抗値を大きくす
ることができ、減衰定数αが比較的に大きな値をとり、
４端子定数のＢ，Ｃはゼロに近い値をとることがない。
つまりは、上記実施例１の場合にはストリップ線路１の
長さｌs を測定最高周波数ｆmax の測定信号の半波長λ
min ／２より短くして、４端子定数のＢ，Ｃはゼロに近
い値をとらないようにしていたが、本実施例ではストリ
ップ線路１の材質を高抵抗率材料とし且つ薄膜に形成す
ることで、ストリップ線路１の単位長当りの抵抗値を大
きくし、４端子定数のＢ，Ｃはゼロに近い値をとらない
ようにしたものである。このようにすれば、実施例１の
場合と同様に、単位長当りのインピーダンスの計算を精
度良く行うことができ、透磁率の計算結果にも誤差が含
まれる可能性が低くなる。
【００２８】なお、上記ストリップ線路１は上述のよう
に高抵抗率材料からなる薄膜にすることが最も好ましい
のであるが、単にストリップ線路１を高抵抗率材料で形
成したり、あるいは薄膜で形成したりしても、透磁率の
計算結果に誤差が含まれる可能性を低くすることは可能
である。また、上記説明では磁性材料６をガラス基盤５
上に薄膜として形成した場合について説明したが、磁性
材料は必ずしも薄膜であり、且つガラス基盤５上に形成
する必要はなく、平面状の磁性材料であれば、どのよう
なものであってもよい。
に高抵抗率材料からなる薄膜にすることが最も好ましい
のであるが、単にストリップ線路１を高抵抗率材料で形
成したり、あるいは薄膜で形成したりしても、透磁率の
計算結果に誤差が含まれる可能性を低くすることは可能
である。また、上記説明では磁性材料６をガラス基盤５
上に薄膜として形成した場合について説明したが、磁性
材料は必ずしも薄膜であり、且つガラス基盤５上に形成
する必要はなく、平面状の磁性材料であれば、どのよう
なものであってもよい。
【００２９】
【発明の効果】請求項１の発明では上述のように、グラ
ンドプレーン上に間隔をおいて平行にストリップ線路を
配置し、このストリップ線路の両端をＳパラメータ測定
装置と接続し、磁性材料をグランドプレーンとストリッ
プ線路との間に挿入した場合と、挿入しない場合とのＳ
パラメータをＳパラメータ測定装置で測定し、このＳパ
ラメータを用いて磁性材料の透磁率を算出するようにし
たものであり、グランドプレーン上に配置したストリッ
プ線路のＳパラメータから磁性材料の透磁率を求めるこ
とにより、平面状の磁性材料の透磁率を測定できる。
ンドプレーン上に間隔をおいて平行にストリップ線路を
配置し、このストリップ線路の両端をＳパラメータ測定
装置と接続し、磁性材料をグランドプレーンとストリッ
プ線路との間に挿入した場合と、挿入しない場合とのＳ
パラメータをＳパラメータ測定装置で測定し、このＳパ
ラメータを用いて磁性材料の透磁率を算出するようにし
たものであり、グランドプレーン上に配置したストリッ
プ線路のＳパラメータから磁性材料の透磁率を求めるこ
とにより、平面状の磁性材料の透磁率を測定できる。
【００３０】また、請求項２に示すように、上記ストリ
ップ線路長を最高周波数の測定信号の１／２波長よりも
短くすると、透磁率の計算を行うために必要なＳパラメ
ータを変換して得られる４端子定数の要素が大きな誤差
を含む結果となるゼロに近い値を取ることがなく、この
ため誤差の少ない透磁率の算出が可能となる。さらに、
請求項３に示すように、上記ストリップ線路を高抵抗率
の材料で形成すると、ストリップ線路の単位長さ当りの
抵抗値を大きくすることができ、このため４端子定数の
要素が大きな誤差を含む結果となるゼロに近い値を取る
ことがなく、正確な透磁率の算出が行える。
ップ線路長を最高周波数の測定信号の１／２波長よりも
短くすると、透磁率の計算を行うために必要なＳパラメ
ータを変換して得られる４端子定数の要素が大きな誤差
を含む結果となるゼロに近い値を取ることがなく、この
ため誤差の少ない透磁率の算出が可能となる。さらに、
請求項３に示すように、上記ストリップ線路を高抵抗率
の材料で形成すると、ストリップ線路の単位長さ当りの
抵抗値を大きくすることができ、このため４端子定数の
要素が大きな誤差を含む結果となるゼロに近い値を取る
ことがなく、正確な透磁率の算出が行える。
【００３１】さらにまた、請求項４に示すようにストリ
ップ線路を薄膜で形成しても、ストリップ線路の単位長
さ当りの抵抗値を大きくでき、４端子定数の要素が大き
な誤差を含む結果となるゼロに近い値を取ることがな
く、正確な透磁率の算出が行える。また、請求項５に示
すように上記ストリップ線路を高抵抗率の薄膜で形成す
ると、ストリップ線路の単位長さ当りの抵抗値をさらに
大きくすることが可能となり、さらに正確な透磁率の算
出が可能となる。
ップ線路を薄膜で形成しても、ストリップ線路の単位長
さ当りの抵抗値を大きくでき、４端子定数の要素が大き
な誤差を含む結果となるゼロに近い値を取ることがな
く、正確な透磁率の算出が行える。また、請求項５に示
すように上記ストリップ線路を高抵抗率の薄膜で形成す
ると、ストリップ線路の単位長さ当りの抵抗値をさらに
大きくすることが可能となり、さらに正確な透磁率の算
出が可能となる。
【図１】本発明の一実施例の透磁率測定装置の構成を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】他の実施例の要部構造を示す斜視図である。
【図３】従来の透磁率測定方法の説明図である。
１ ストリップ線路 ２ グランドプレーン ４ Ｓパラメータ測定装置 ６ 磁性材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−122870（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−126971（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−83176（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−235864（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−242173（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−32438（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−21381（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01R 33/12 - 33/18
Claims (5)
- 【請求項１】 グランドプレーン上に間隔をおいて平行
にストリップ線路を配置し、このストリップ線路の両端
をＳパラメータ測定装置と接続し、磁性材料をグランド
プレーンとストリップ線路との間に挿入した場合と、挿
入しない場合とのＳパラメータをＳパラメータ測定装置
で測定し、このＳパラメータを用いて磁性材料の透磁率
を算出して成ることを特徴とする透磁率測定装置。 - 【請求項２】 上記ストリップ線路長を最高周波数の測
定信号の１／２波長よりも短くして成ることを特徴とす
る請求項１記載の透磁率測定装置。 - 【請求項３】 上記ストリップ線路を高抵抗率材料で形
成して成ることを特徴とする請求項１記載の透磁率測定
装置。 - 【請求項４】 上記ストリップ線路を薄膜で形成して成
ることを特徴とする請求項１記載の透磁率測定装置。 - 【請求項５】 上記ストリップ線路を高抵抗率の薄膜で
形成して成ることを特徴とする請求項１記載の透磁率測
定装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP326492A JP2957789B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 透磁率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP326492A JP2957789B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 透磁率測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05264703A JPH05264703A (ja) | 1993-10-12 |
| JP2957789B2 true JP2957789B2 (ja) | 1999-10-06 |
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ID=11552609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP326492A Expired - Fee Related JP2957789B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 透磁率測定装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2957789B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2732028C2 (de) * | 1977-07-15 | 1989-04-06 | Blaupunkt-Werke Gmbh, 3200 Hildesheim | Auto-Rundfunkempfänger mit Drucktasten |
| JP2005332994A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Kyocera Corp | 電波吸収体の特性評価方法および特性評価装置 |
| WO2025197946A1 (ja) * | 2024-03-22 | 2025-09-25 | 国立大学法人東北大学 | 透磁率測定装置及び透磁率測定方法 |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP326492A patent/JP2957789B2/ja not_active Expired - Fee Related
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